JPH10123984A

JPH10123984A - 積層型液晶パネル及びその製造方法

Info

Publication number: JPH10123984A
Application number: JP27371396A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Ishikawa; 岳史石川; Masa Harada; 雅原田
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1996-10-16
Filing date: 1996-10-16
Publication date: 1998-05-15

Abstract

(57)【要約】【課題】複数の液晶層の積層構造に工夫を凝らし、各
液晶層の特性を良好に確保するようにした液晶パネル及
びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】液晶パネルの構造体（各ＰＤＬＣ層３
０、４０、５０を除いた部分）を形成した後に、この構
造体内に各ＰＤＬＣ層３０、４０、５０の各原料である
混合液体を真空注入法により注入して紫外線照射により
ＰＤＬＣ層３０、４０、５０とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯情報端末機
器、プロジェクタ、液晶テレビジョン、液晶表示装置等
のフルカラー型やマルチカラー型等のカラー型液晶装置
に採用される液晶パネル及びその製造方法に係り、特
に、複数の液晶層を積層してなる積層型液晶パネル及び
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、光利用率の高い液晶パネルの一つ
として、例えば、単色を示す二色性染料を含む高分子分
散液晶層を複数積層し、減法混色法によりカラー表示を
するようにしたものがある。この例としては、特開平６
−３３７６４３号公報にて示された液晶パネルがある。

【０００３】この液晶パネルは、図７にて示すごとく、
ガラス基板１の内表面に電圧供給用基板側電極２及び画
素電極３を介し高分子分散液晶層４を形成し、基板側電
極２に形成した駆動電極５上に高分子分散液晶層６を形
成し、駆動電極５を介し他の基板側電極２に形成した駆
動電極７上に高分子分散液晶層８を形成した積層構造と
なっている。

【０００４】ここで、高分子分散液晶層４、６、８は、
それぞれ、互いに異なる二色性染料を多数の液晶滴内に
含有して形成されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記液晶パ
ネルは、ガラス基板１の内表面上に、基板側電極２、画
素電極３、高分子分散液晶層４、駆動電極５、高分子分
散液晶層６、駆動電極７及び高分子分散液晶層８を順次
形成することで製造される。しかし、このような製造工
程においては、基板側電極２、画素電極３及び駆動電極
５、７が、フォトリソグフィ技術等によるレジスト層の
形成及びこのレジスト層のパターンエッチングを経て形
成されるのが通常である。

【０００６】このため、上述のような順序で液晶パネル
を製造すると、高分子分散液晶層４の形成後に駆動電極
５を形成し、高分子分散液晶層６の形成後に駆動電極７
を形成することとなるから、高分子分散液晶層４や６
が、駆動電極５や７の形成時にパターンエッチングに使
用するエッチング液等の溶液中に浸されることになる。
従って、高分子分散液晶層中の液晶成分が、上記溶液に
影響されて流出したり、高分子分散液晶層中の樹脂成分
が上記溶液に影響されて変質し、高分子分散液晶層の特
性が劣化するという不具合がある。

【０００７】そこで、本発明は、以上のようなことに対
処するため、複数の液晶層の積層構造に工夫を凝らし、
各液晶層の特性を良好に確保するようにした液晶パネル
及びその製造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１、３、４に記載の発明によれば、第１絶縁
部材が、第１絶縁層と、この第１絶縁層からＬ字状に延
出して基板の内表面に着座する複数の第１脚部とからな
る。また、第２絶縁部材が、第２絶縁層と、この第２絶
縁層からＬ字状に延出されて第１絶縁層に着座する複数
の第２脚部（７２）とからなる。

【０００９】また、第１の光分散型液晶層が、基板と、
第１絶縁層の各第１画素電極側表面に形成した第１共通
電極との間に形成されており、第２の光分散型液晶層
が、第１絶縁層と、第１絶縁層の第２絶縁層側表面に形
成した第２共通電極との間に形成されている。これによ
り、基板に第１絶縁部材を介し第２絶縁部材を形成した
後に、第１及び第２の高分子分散液晶を上述のように形
成すれば、各絶縁部材、共通電極や画素電極の形成時に
高分子分散液晶に悪影響を与えるような溶液が使用され
ても、この溶液が、その後に形成される高分子分散液晶
に作用することはない。

【００１０】その結果、高分子分散液晶の液晶部分が流
出したり、この高分子分散液晶の樹脂部分が劣化したり
することがない。また、請求項２乃至４に記載の発明に
よれば、第３絶縁部材が、第３絶縁層と、この第３絶縁
層からＬ字状に延出されて第２絶縁層に着座する複数の
第３脚部とからなる。

【００１１】また、第３の光分散型液晶層が、第２絶縁
層と、第２絶縁層の第３絶縁層側表面に形成した第３共
通電極との間に形成されている。これにより、フルカラ
ー表示に適した液晶パネルが、請求項１に記載の発明と
同様の作用効果を達成しつつ提供され得る。また、請求
項１、２に記載の発明において、請求項３に記載の発明
のように、各共通電極が共通電位にあれば、互いに隣合
う高分子分散液晶層の電圧的干渉をも防ぎ得る。

【００１２】また、請求項５、６に記載の発明によれ
ば、構造体を形成した後に高分子分散液晶を注入するの
で、請求項１、２に記載の発明の作用効果を達成し得る
液晶パネルの製造が可能となる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図１
及び図２に基づき説明する。図１は、本発明が、高分子
分散液晶（以下、ＰＤＬＣという）を用いた反射型で積
層型の液晶パネルに適用された例を示している。この液
晶パネルは、シリコン基板１０（以下、Ｓｉ基板１０と
いう）及び透明基板２０（ガラス或いは透明樹脂からな
る）を備えており、これらＳｉ基板１０と透明基板２０
の間には、高分子分散液晶層３０乃至５０（以下、ＰＤ
ＬＣ層３０乃至５０という）が積層されている。

【００１４】各ＰＤＬＣ層の樹脂原料としては、モノマ
ー及びオリゴマーとして、２−エチルヘキシルアクリレ
ート及び東亜合成株式会社製Ｍ−１２００型のものをそ
れぞれ採用する。また、液晶及び重合開始剤として、メ
ルク社製ＢＬ００２型のもの及びチバガイキ株式会社製
ダロキュア−１１７３をそれぞれ採用し、かつ、二色性
染料として、三井東圧染料株式会社製のシアン用Ｓ１８
００、マゼンダ用Ｍ６１８及びイエロー用Ｓ１４８６を
採用する。

【００１５】そして、上記モノマーとオリゴマーを重量
比７：３にて混合して混合樹脂原料とし、上記液晶と上
記混合樹脂原料を重量比７：３にて混合し、これに、１
重量％の上記重合開始剤を添加した後、上記二色性染料
を添加した上で紫外線重合して各ＰＤＬＣ層を形成す
る。この場合、ＰＤＬＣ層３０乃至５０の各二色性染料
として、上記シアン用Ｓ１８００、マゼンダ用Ｍ６１８
及びイエロー用Ｓ１４８６がそれぞれ用いられる。

【００１６】しかして、各ＰＤＬＣ層３０、４０、５０
は、多数の液晶滴を樹脂マトリックスにより分散保持す
るようにしてそれぞれ形成されている。ＰＤＬＣ層３０
とＳｉ基板１０との間には、ｍ×ｎ個の画素電極３０ａ
（図１では、一画素電極３０ａのみを示す）がＳｉ基板
１０の内表面に形成されて介装されており、両ＰＤＬＣ
層３０、４０の間には、共通電極３０ｂ、絶縁部材６０
の絶縁層６１及びｍ×ｎ個の画素電極４０ａ（図１で
は、一画素電極４０ａのみを示す）がＰＤＬＣ層３０か
らＰＤＬＣ層４０にかけて積層されている。なお、画素
電極３０ａは、アルミニウムや銀等の散乱性のある光反
射電極からなり、画素電極用端子３１に接続されてい
る。

【００１７】ここで、絶縁層６０は、絶縁層６１と、複
数の脚部６２とを備えており、各脚部６２は、絶縁層６
１から延出し、ＰＤＬＣ層３０を通り画素電極３０ａ、
後述する画素電極用端子５１ａ及び共通電極用端子５２
ａ上にそれぞれ着座している。但し、画素電極４０ａ及
び後述する画素電極５０ａ、共通電極３０ｂ及び後述す
る共通電極４０ｂ、５０ｂは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＳｎＯ₂或いはＺｎＯ
からなる。また、絶縁部材６０は、共通電極３０ｂと画
素電極４０ａとの間を絶縁するもので、ＳｉＯｘ或いは
ＡｌＮｙ等により形成されている。

【００１８】また、両ＰＤＬＣ層４０、５０の間には、
共通電極４０ｂ、絶縁部材７０の絶縁層７１及び画素電
極５０ａがＰＤＬＣ層４０からＰＤＬＣ層５０にかけて
積層されており、ＰＤＬＣ層５０と透明基板２０との間
には、共通電極５０ｂ及び絶縁部材８０の絶縁層８１が
介装されている。絶縁層７０は、絶縁層７１と、複数の
脚部７２とを備えており、各脚部７２は、絶縁層７１か
ら延出し、ＰＤＬＣ層４０を通り絶縁層６１上及び画素
電極４０ａ上にそれぞれ着座している。絶縁層８０は、
絶縁層８１と、複数の脚部８２とを備えており、各脚部
８２は、絶縁層８１から延出し、ＰＤＬＣ層５０を通り
絶縁層７１上及び画素電極５０ａ上にそれぞれ着座して
いる。

【００１９】ここで、絶縁層７１は、共通電極４０ｂと
画素電極５０ａとの間を絶縁し、絶縁層８１は、共通電
極５０ｂとＰＤＬＣ層５０との間を絶縁する役割を果た
す。なお、両絶縁部材７０、８０は、ＳｉＯｘ或いはＡ
ｌＮｙ等により形成されている。また、ｍ×ｎ個の画素
電極３０ａは、共通電極３０ｂと共に複数の格子状画素
を構成し、ｍ×ｎ個の画素電極４０ａは、共通電極４０
ｂと共に複数の格子状画素を構成し、また、ｍ×ｎ個の
画素電極５０ａは、共通電極５０ｂと共に複数の格子状
画素を構成する。そして、ＰＤＬＣ層毎に、各画素電極
の各画素に対応する位置にて薄膜トランジスタがそれぞ
れ接続形成されている。

【００２０】図２にて画素電極の配置関係につき例示す
ると、画素電極３０ａは、共通電極用配線９１、走査電
極用配線９２ａと両走査電極用配線９２ｂ、９２ｃとの
間及び信号線９３ａと両信号線９３ｂ、９３ｃとの間に
てＳｉ基板１０の内表面上に位置している。なお、これ
ら各配線及び信号線は、Ｓｉ基板１０の内表面に形成さ
れている。

【００２１】また、薄膜トランジスタＴ１は、画素電極
３０ａ、走査電極用配線９２ｂ及び信号線９３ｂの間に
接続されている。薄膜トランジスタＴ２は、画素電極用
端子４１ａ、走査電極用配線９２ｃ及び信号線９３ｃの
間に接続されており、薄膜トランジスタＴ３は、画素電
極用端子５１ａ、走査電極用配線９２ａ及び信号線９３
ａの間に接続されている。

【００２２】ここで、ｍ×ｎ個の画素電極４０ａは、図
１にて例示するごとく、その電極脚４１にて、絶縁部材
６０の脚部６２を通り画素電極用端子４１ａ（チタンか
らなる）に接続されている。また、ｍ×ｎ個の画素電極
５０ａは、図１にて例示するごとく、その電極脚５１に
て、絶縁層７１、脚部７２、絶縁層６１及び脚部６２を
通り画素電極用端子５１ａ（チタンからなる）上に接続
されている。。

【００２３】また、共通電極５０ｂは、その電極脚５２
にて、絶縁層８０及びその脚部８１、絶縁層７０及びそ
の脚部７１並びに絶縁層６０及びその脚部６１を通り画
素電極用端子５１ａ（チタンからなる）上に接続されて
おり、共通電極５０ｂは、電極脚５２を介し対応する各
共通電極４０ｂ及び３０ｂと接続されている。ところ
で、このように構成した液晶パネルの製造方法について
図３乃至図６を参照して説明する。

【００２４】基板形成工程Ｓ１では、画素電極３０ａの
材料であるアルミニウム（Ａｌ）を、Ｓｉ基板１０の内
表面に蒸着法により成膜し、この成膜に、アルミニウム
エッチャント（リン酸：硝酸：酢酸：水＝４：４：１：
１）を用いてフォトエッチングを施し、図３にて例示す
るごとく、画素電極３０ａとしてパターン形成する。さ
らに、画素電極用端子３１、４１ａ、５１ａ及び共通電
極用端子５２ａの材料であるチタンを、Ｓｉ基板１０の
内表面上に蒸着法により成膜し、この成膜に、アンモニ
ア−過酸化水素混合液を用いてフォトエッチング処理を
施し、各画素電極用端子３１、４１ａ、５１ａ及び共通
電極用端子５２ａとしてパターン形成する。

【００２５】また、Ｓｉ基板１０の内表面には、上記薄
膜トランジスタ、走査電極用配線、信号線も形成され
る。ここで、各薄膜トランジスタは、アモルファス−シ
リコン或いは微結晶シリコンにより形成される。なお、
各薄膜トランジスタは単結晶のシリコン上のＭＯＳ型の
薄膜トランジスタを形成するものでもよい。ついで、ダ
ミー層形成工程Ｓ２において、ダミー層１００をＳｉ基
板１０の内表面に画素電極３０ａ、画素電極用端子３
１、４１ａ、５１ａ及び共通電極用端子５２ａを介しレ
ジスト（絶縁材料）の塗布でもって形成する。

【００２６】その後、フォト工程Ｓ３において、ダミー
層１００にパターンエッチング処理を施し、図３にて示
すごとく、このダミー層１００から絶縁部材６０の各脚
部６２を形成する部分を除去する。そして、レジスト層
形成工程Ｓ４では、上記パターンエッチング処理後のダ
ミー層１００に、図３にて示すごとく、レジスト（絶縁
材料）の塗布によりレジスト層１１０を形成する。

【００２７】その後、フォト工程Ｓ５において、レジス
ト層１１０にパターンエッチング処理を施し、図３にて
示すごとく、このレジスト層１１０から画素電極４０ａ
の電極脚４１、画素電極５０ａの電極脚５１の下部及び
共通電極５０ｂの電極脚５２の下部を形成する部分を除
去する。ついで、電極形成工程Ｓ６において、電極層１
２０を、ＩＴＯの塗布により、図３にて示すごとく、上
記パターンエッチング後のレジスト層１１０に形成す
る。これにより、共通電極３０ｂ、電極脚４１、電極脚
５１の下部、電極脚５２の下部が形成される。

【００２８】この形成後、フォト工程Ｓ７において、電
極層１２０にパターンエッチング処理を施し、図３にて
示すごとく、画素電極３０ｂ及び電極脚４１、電極脚５
１の下部、電極脚５２の下部を相互に分離する。そし
て、レジスト層形成工程Ｓ８では、上述のように分離し
た電極層１２０に、図３にて示すごとく、レジスト（絶
縁材料）の塗布によりレジスト層１３０を形成する。

【００２９】この形成後、フォト工程Ｓ９において、レ
ジスト層１３０にパターンエッチング処理を施し、図３
にて示すごとく、フォト工程Ｓ７で分離した電極脚４
１、電極脚５１の下部、電極脚５２の下部の図示各上端
に対応するレジスト層１３０の各部分を除去する。ここ
で、レジスト層１３０は、レジスト層１１０と一体とな
って、絶縁部材６０を構成する。

【００３０】ついで、電極形成工程Ｓ１０において、電
極層１４０を、ＩＴＯの塗布により、図３にて示すごと
く、上記パターンエッチング後のレジスト層１３０に形
成する。この形成後、フォト工程Ｓ１１において、電極
層１４０にパターンエッチング処理を施し、図３にて示
すごとく、電極脚５１の下部、電極脚５２の下部及び画
素電極４０ａとして分離形成する。このとき、画素電極
４０ａは電極脚４１と一体にＬ字状となる。これによ
り、主としてＰＤＬＣ層３０を形成するための液晶パネ
ルの骨組みの形成が完了する。

【００３１】ついで、ダミー層形成工程Ｓ１２におい
て、ダミー層１００Ａを、図４にて示すごとく、上述の
ように分離処理施した電極層１４０上にレジスト（絶縁
材料）の塗布でもって形成する。然る後、各ＰＤＬＣ層
４０、５０を形成するための液晶パネルの骨組み形成工
程Ｓ１３において、フォト工程Ｓ３乃至フォト工程Ｓ１
１と実質的に同様の処理でもって、、図５にて示すごと
く、各ＰＤＬＣ層４０、５０を形成するための液晶パネ
ルの骨組みを形成する。

【００３２】即ち、ダミー層１００Ａにパターンエッチ
ング処理を施し、このダミー層１００Ａから絶縁部材７
０の各脚部７２を形成する部分を除去する。そして、上
記パターンエッチング処理後のダミー層１００Ａにレジ
スト（絶縁材料）の塗布によりレジスト層１１０Ａを形
成する。その後、このレジスト層１１０Ａにパターンエ
ッチング処理を施し、このレジスト層１１０Ａから画素
電極５０ａの電極脚５１の上部及び共通電極５０ｂの電
極脚５２の中央部を形成する部分を除去する。

【００３３】ついで、電極層１２０Ａを、ＩＴＯの塗布
により、上記パターンエッチング後のレジスト層１１０
Ａに形成する。これにより、画素電極５０ａ、電極脚５
１の上部（電極脚５１の下部と一体となる）、電極脚５
２の中央部（電極脚５２の下部と一体となる）が形成さ
れる。この形成後、電極層１２０Ａにパターンエッチン
グ処理を施し、画素電極５０ａ、電極脚５１の上部、電
極脚５２の中央部を相互に分離する。

【００３４】そして、このように分離した電極層１２０
Ａに、レジスト（絶縁材料）の塗布によりレジスト層１
３０Ａを形成する。この形成後、レジスト層１３０Ａに
パターンエッチング処理を施し、上述のように分離した
電極脚５１の上部、電極脚５２の中央部の図示各上端に
対応するレジスト層１３０Ａの各部分を除去する。ここ
で、レジスト層１３０Ａは、レジスト層１１０Ａと一体
となって、絶縁部材７０を構成する。

【００３５】ついで、電極層１４０Ａを、ＩＴＯの塗布
により、上記パターンエッチング後のレジスト層１３０
Ａに形成する。この形成後、電極層１４０Ａにパターン
エッチング処理を施し、電極脚５１の上部、電極脚５２
の中央部及び画素電極５０ａとして分離形成する。この
とき、画素電極５０ａは電極脚５１と一体にＬ字状とな
る。これにより、主としてＰＤＬＣ層４０を形成するた
めの液晶パネルの骨組みの形成が完了する。

【００３６】ついで、ダミー層１００Ｂを、上述のよう
に分離処理施した電極層１４０Ａ上にレジスト（絶縁材
料）の塗布でもって形成する。ダミー層１００Ｂにパタ
ーンエッチング処理を施し、このダミー層１００Ｂから
絶縁部材８０の各脚部８２を形成する部分を除去する。
そして、上記パターンエッチング処理後のダミー層１０
０Ｂにレジスト（絶縁材料）の塗布によりレジスト層１
１０Ｂを形成する。

【００３７】その後、このレジスト層１１０Ｂにパター
ンエッチング処理を施し、このレジスト層１１０Ｂから
共通電極５０ｂの電極脚５２の上部を形成する部分を除
去する。ついで、電極層１２０Ｂを、ＩＴＯの塗布によ
り、上記パターンエッチング後のレジスト層１１０Ｂに
形成する。これにより、共通電極５０ｂ、電極脚５２の
上部（電極脚５２の中央部と一体となる）が形成され
る。

【００３８】その後、電極層１２０Ｂに、透明絶縁材料
の塗布により絶縁層８１（レジスト層１１０Ｂと共に絶
縁部材８０を構成する）を形成する。なお、絶縁層８１
上に透明基板２０を貼着する。この透明基板２０は廃止
して実施してもよい。これにより、主としてＰＤＬＣ層
５０を形成するための液晶パネルの骨組みの形成が完了
する。

【００３９】このような処理後、ダミー層除去工程Ｓ１
４において、各ダミー層１１０、１１０Ａ及び１１０Ｂ
のみを、溶剤（例えば、アセトン）を使用して、溶解す
る。これにより、図５にて示すような各ダミー層１１
０、１１０Ａ及び１１０Ｂのみを除去した骨組みを有す
る液晶パネルの構造体Ｐが完成される。なお、この構造
体Ｐにおいて、各画素電極３０ａ及びＳｉ基板１０以外
の構成部材は、全て透明である。

【００４０】このようにして液晶パネルの構造体Ｐが完
成した後において、まず、構造体Ｐのダミー層１１０に
対応する空所Ｐ１に、ＰＤＬＣ層３０の原料となる液
晶、モノマー、オリゴマー、重合開始剤及び二色性染料
の混合液体を真空注入法により注入する。そして、この
混合液体に紫外線を照射してＰＤＬＣ層３０とする。こ
のＰＤＬＣ層３０は多数の液晶滴内に二色性染料を含有
したものとなる。

【００４１】ついで、構造体Ｐのダミー層１１０Ａに対
応する空所Ｐ２に、ＰＤＬＣ層４０の原料となる混合液
体を真空注入法により注入する。そして、この混合液体
に紫外線を照射してＰＤＬＣ層４０とする。さらに、構
造体Ｐのダミー層１１０Ｂに対応する空所Ｐ３に、ＰＤ
ＬＣ層５０の原料となる混合液体を真空注入法により注
入する。そして、この混合液体に紫外線を照射してＰＤ
ＬＣ層５０とする。

【００４２】これにより、ＰＤＬＣ層の３層積層型の減
法混色法による反射型液晶パネルが完成する（図１参
照）。以上説明したように、液晶パネルの構造体Ｐを形
成した後に、この構造体Ｐの各空所Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３内
に各ＰＤＬＣ層３０、４０、５０の各原料である混合液
体を真空注入法により注入して紫外線照射によりＰＤＬ
Ｃ層３０、４０、５０とする。

【００４３】従って、構造体Ｐの形成過程においてエッ
チング液等の溶媒を含む液が使用されても、この液がそ
の後に形成されるＰＤＬＣ層に流れ込んで悪影響を及ぼ
すことはない。その結果、ＰＤＬＣ層の液晶部分が流出
したり、或いはＰＤＬＣ層の特性が劣化することがな
い。この場合、構造体Ｐの各空所Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、
絶縁層６１、７１、８１により相互に遮断されているの
で、ＰＤＬＣ層４０の形成時にその原料が空所Ｐ１内に
漏れたり、或いはＰＤＬＣ層５０の形成時にその原料が
各空所Ｐ１、Ｐ２内に漏れたりすることはない。

【００４４】また、構造体Ｐにおいては、絶縁層６１、
７１、８１が、上述のごとく、各脚部６２、７２、８２
にて相互に支持されているので、この構造体Ｐが壊れる
こともない。なお、構造体Ｐの各空所Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３
への混合液体の注入順序は、どのように変えても、上述
と同様の作用効果を達成できる。

【００４５】また、上述のようにして製造した液晶パネ
ルにおいて、各絶縁層６１、７１、８１の絶縁作用のも
と、ＰＤＬＣ層３０は、互いに対向する画素電極３０ａ
及び共通電極３０ｂの間に電圧を印加することにより駆
動され、ＰＤＬＣ層４０は、互いに対向する画素電極４
０ａ及び共通電極４０ｂの間に電圧を印加することによ
り駆動され、かつ、ＰＤＬＣ層５０は、互いに対向する
画素電極５０ａ及び共通電極５０ｂの間に電圧を印加す
ることにより駆動される。

【００４６】そして、各ＰＤＬＣ層は、電圧印加時に
は、光を透過し、電圧無印加時には、二色性染料の色に
着色した光を散乱する。即ち、３層のＰＤＬＣ層に共に
電圧を印加した場合には、三層のＰＤＬＣ層とも光を透
過させて画素電極３０ａにより反射されて白表示とな
る。また、ＰＤＬＣ層３０のみに電圧を印加した場合に
は、シアンの色を表示し、両ＰＤＬＣ層３０、４０に印
加した場合には、シアンとマゼンダによりブルーで表示
し、三層のＰＤＬＣ層３０、４０、５０が共に電圧無印
加状態のときには、ブラックで表示する。

【００４７】換言すれば、各ＰＤＬＣ層は、その画素電
極と共通電極への電圧印加によりそれぞれ別個に駆動さ
れ得るので、減法混色の原理でのフルカラー表示にあた
り、各ＰＤＬＣ層の独立制御が可能となる。従って、新
規な専用の駆動回路を作製することなく、従来からＴＦ
Ｔ−ＴＮ液晶パネルで実績のあるアクティブマトリクス
型駆動回路をそのまま利用することができる。

【００４８】また、共通電極３０ｂ、４０ｂ、５０ｂが
電極脚５２を介し共通電極用端子５２ａに接続されてい
るから、各ＰＤＬＣ層に対する上記電圧の印加が、共通
電極３０ｂ、４０ｂ、５０ｂを共通電位にしてなされる
ことになる。このため、互いに隣合う液晶層の電圧的干
渉を防止しつつ上記独立制御が可能となる。また、ＰＤ
ＬＣ層を３層に分けて駆動するので、一層のＰＤＬＣ層
で駆動する場合に比べて駆動電圧を１／３に低減するこ
とができる。

【００４９】また、上記液晶パネルは減法混色でカラー
表示するから、Ｒ、Ｇ、Ｂの各カラーフィルタを平面的
に配置する加法混色によりカラー表示に比べ、約３倍の
光利用率とすることができる。その結果、明るいカラー
表示画像を得ることができるから、バックライトが不要
となる。なお、本発明の実施にあたり、高分子分散液晶
に限ることなく、光分散型液晶や光吸収−透過を電圧に
より制御できる各種の液晶を構造体Ｐの各空所Ｐ１、Ｐ
２、Ｐ３に注入するようにしてもよい。

【００５０】例えば、アモルファス構造を有するネマッ
チック液晶であって２色性色素を有するものや、コレス
テリック−ネマチック相転移型ゲストホスト液晶を、構
造体Ｐの各空所Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３に注入するようにして
もよい。この場合、図６にて示すように、配向膜Ｄを各
ネマッチック液晶の層と画素電極３０ａ、４０ａ、５０
ａとの間にそれぞれ形成して、これら各配向膜Ｄにより
各ネマッチック液晶の層を配向させるようにする。

【００５１】また、本発明の実施にあたっては、上記実
施形態にて述べた反射型液晶パネルに限ることなく、透
過型液晶パネルに本発明を適用して実施してもよい。こ
の場合には、画素電極３０ａを透明電極にし、Ｓｉ基板
１０を透明基板にする。また、本発明にあたり、ＰＤＬ
Ｃには、上記実施形態にて述べたものに限ることなく、
例えば、ポリビニルアルコール等の水溶液にネマチック
液晶を分散して液晶滴をマイクロカプセル化した構造の
ものや、高分子に対する液晶の混合割合を大きくして網
目状の高分子中に液晶が挟まれているような構造とした
もの等も含まれる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る液晶パネルの一実施形態を示す要
部断面図である。

【図２】図１の液晶パネルの画素の模式的拡大平面図で
ある。

【図３】図１の液晶パネルの製造方法の前段部を示す製
造工程図である。

【図４】同製造方法の中段部を示す製造工程図である。

【図５】同製造方法の後段部を示す製造工程図である。

【図６】上記実施形態の変形例を示す要部断面図であ
る。

【図７】従来の液晶パネルの部分断面図である。

【符号の説明】

１０…Ｓｉ基板、３０乃至５０…ＰＤＬＣ層、３０ａ、
４０ａ、５０ａ…画素電極、３０ｂ、４０ｂ、５０ｂ…
共通電極、６０、７０、８０…絶縁部材、６１、７１、
８１…絶縁層、６２、７２、８２…脚部、１１０、１１
０Ａ、１１０Ｂ…ダミー層、Ｄ…配向膜。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板（１０）の内表面に並行に位置する
第１絶縁層（６１）と、この第１絶縁層からＬ字状に延
出されて前記基板の内表面に着座する複数の第１脚部
（６２）とを有する第１絶縁部材（６０）と、前記第１絶縁層を介し前記基板に並行に対向するように
位置する第２絶縁層（７１）と、この第２絶縁層からＬ
字状に延出されて前記第１絶縁層に着座する複数の第２
脚部（７２）とを有する第２絶縁部材（７０）と、前記基板の内表面に形成されたマトリクス状の第１画素
電極（３０ａ）と、前記第１絶縁層の前記各第１画素電極側表面に形成され
て前記各第１画素電極に対向する第１共通電極（３０
ｂ）と、前記第１絶縁層の前記第２絶縁層側表面に形成されたマ
トリクス状の第２画素電極（４０ａ）と、前記第２絶縁層の前記第２絶縁層側表面に形成されて前
記各第２画素電極に対向する第２共通電極（４０ｂ）
と、前記基板と前記第１共通電極との間にて前記各第１脚部
及び各第１画素電極を介し形成された２色性染料を含む
第１の光分散型液晶層（３０）と、前記第２共通電極と前記第１絶縁層との間にて前記各第
２脚部及び各第２画素電極を介し形成された前記第１液
晶層とは異なる２色性染料を含む第２の光分散型液晶層
（４０）とを備えてなる積層型液晶パネル。
【請求項２】前記第２絶縁層を介し前記第１絶縁層に
並行に対向するように位置する第３絶縁層（８１）と、
この第３絶縁層からＬ字状に延出されて前記第２絶縁層
に着座する複数の第３脚部（８２）とを有する第３絶縁
部材（８０）と、前記第２絶縁層の前記第３絶縁層側表面に形成されたマ
トリクス状の第３画素電極（５０ａ）と、前記第３絶縁層の前記第２絶縁層側表面に形成されて前
記各第３画素電極に対向する第３共通電極（５０ｂ）
と、前記第３共通電極と前記第２絶縁層との間にて前記各第
３脚部及び各第３画素電極を介し形成された前記第１及
び第２の光分散型液晶層とは異なる２色性染料を含む第
３の光分散型液晶層（５０）とを備えてなることを特徴
とする請求項１に記載の積層型液晶パネル。
【請求項３】前記各共通電極が共通電位にあることを
特徴とする請求項１又は２に記載の積層型液晶パネル。
【請求項４】前記各画素電極に配向膜（Ｄ）が形成さ
れており、この配向膜により配向される各液晶層が、前記各光分散
型液晶層に代えて、前記各画素電極とこれに対向する共
通電極との間に形成されていることを特徴とする請求項
１乃至３のいずれか一つの記載の積層型液晶パネル。
【請求項５】前記基板の内表面に前記各第１画素電極
を介しレジストの塗布により第１ダミー層を形成し、この第１ダミー層から前記各第１脚部に相当する部分を
フォト処理で除去し、前記第１ダミー層の前記フォト処理後の部分にレジスト
により前記第１脚部を形成し、前記第１ダミー層の表面に前記第１共通電極を形成し、この第１共通電極に前記第１絶縁層を前記各第１脚部と
共に前記第１絶縁部材を構成するように形成し、前記第１絶縁層に前記各第２画素電極を介しレジストの
塗布により第２ダミー層を形成し、この第２ダミー層から前記各第２脚部に相当する部分を
フォト処理で除去し、前記第２ダミー層の前記フォト処理後の部分にレジスト
により前記第２脚部を形成し、前記第２ダミー層の表面に前記第２共通電極を形成し、この第２共通電極に前記第２絶縁層を前記各第２脚部と
共に前記第２絶縁部材を構成するように形成し、前記第１及び第２のダミー層を溶剤により除去して、前
記各高分子分散液晶を形成する前の構造体（Ｐ）を形成
し、この構造体の前記第１及び第２のダミー層を除去した各
領域に真空注入法により前記第１及び第２の光分散型液
晶の各液体原料をそれぞれ注入し当該第１及び第２の光
分散型液晶として形成するようにした請求項１に記載の
液晶パネルの製造方法。
【請求項６】前記第２絶縁層に前記各第２画素電極を
介しレジストの塗布により第３ダミー層を形成し、この第３ダミー層から前記各第３脚部に相当する部分を
フォト処理で除去し、前記第３ダミー層の前記フォト処理後の部分にレジスト
により前記第３脚部を形成し、前記第３ダミー層の表面に前記第３共通電極を形成し、この第３共通電極に前記第３絶縁層を前記各第３脚部と
共に前記第３絶縁部材を構成するように形成し、前記構造体の形成を、前記第１及び第２のダミー層に前
記第３ダミー層を加えて行い、この構造体から前記第１乃至第３のダミー層を除去した
各領域に真空注入法により前記第１乃至第３の光分散型
液晶の各液体原料をそれぞれ注入し当該第１乃至第３の
光分散型液晶として形成するようにした請求項６に記載
の液晶パネルの製造方法。