JPH10122811A - 位置検出素子及び距離センサ - Google Patents

位置検出素子及び距離センサ

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JPH10122811A
JPH10122811A JP8274927A JP27492796A JPH10122811A JP H10122811 A JPH10122811 A JP H10122811A JP 8274927 A JP8274927 A JP 8274927A JP 27492796 A JP27492796 A JP 27492796A JP H10122811 A JPH10122811 A JP H10122811A
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健治 高本
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厚司 福井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速かつ高精度の位置検出が可能な位置検出
検出素子及びこれを用いた距離センサを提供する。 【解決手段】 位置検出検出素子は、n個のセグメント
を有するPINフォトダイオードアレイ1と、PINフ
ォトダイオードアレイ1の各セグメントからのn個の出
力を比較することにより光強度が最大のセグメントを算
出する最大セグメント算出並列演算処理部2とを備えて
いる。距離センサは、被測定物に光ビームを照射する光
源と、被測定物の表面から反射された光を集光するレン
ズと、レンズにより集光された光の位置を検出するため
の上記位置検出検出素子とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速かつ高精度の
位置検出が可能な位置検出検出素子、及びこれを用いた
距離センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の位置検出素子を用いた距離センサ
として、例えば特開昭62−28610号公報に開示さ
れているものがある。この距離センサの基本構成である
光学系を図7にを示す。
【0003】図7において、101は発光ダイオード、
半導体レーザ等の発光素子を用いた光源、102は第1
のレンズ、103は焦点距離fの第2のレンズ、104
はPSDまたはCCDを用いた位置検出素子である。図
7の光学系はScheimpflugの条件を満たすよ
うに構成されている。つまり、光源101の光軸と第2
のレンズ103の光軸とが成す角θ、第2のレンズ10
3の主平面と位置検出素子104の検出面とが成す角
β、光源101の光軸と第2のレンズ103の光軸との
交点Oから第2のレンズ103までの距離L、光源10
1の光軸と第2のレンズ103の主平面の交点と第2の
レンズ103の主点との距離dが、次式(数1)の関係
を満たす。
【0004】
【数1】 β=tan-1(f0/d) 但し、f0=f・L/(L−f)であり、fは第2のレ
ンズ103の焦点距離である。このScheimpfl
ugの条件を満足すると、被測定物Obが光源101の
光軸と第2のレンズ103の光軸との交点Oにある場合
はもちろん、破線で示すように、光軸上の交点Oからず
れた位置O´にある場合であっても、光源101から出
て第1のレンズ102を通り被測定物で反射した光ビー
ムは、第2のレンズ103により位置検出素子104上
に結像する。
【0005】このような距離センサによる距離の測定原
理は次の通りである。まず、被測定物Obが位置Oにあ
る場合、被測定物Obから反射した光の一部が第2のレ
ンズ103により位置検出素子104上のA点に結像す
る。被測定物Obが位置0´にずれた場合は、図7に破
線で示すように、被測定物Obから反射した光の一部は
位置検出素子104上のB点に結像する。このように、
光源101の光軸上での位置は位置検出素子104上で
の結像位置に変換される。したがって、位置検出素子1
04上での結像位置の移動量を測定することにより、被
測定物の移動量、凹凸等を求めることができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の位
置検出素子は次のような課題を有している。つまり、位
置検出素子としてPSDを用い、10MHz以上のサン
プリング速度で位置を検出した場合、分解能(PSDの
長さを1としたときの分解能)は1/100程度となり
十分ではない。一方、位置検出素子としてCCDを用い
た場合、例えば5000画素のラインセンサであれば分
解能(CCDの長さを1としたときの分解能)は最高1
/5000にまでなる。しかし、CCDのスキャンレー
トは数KHz程度であり、10MHzといった高速スキ
ャンを実現することは困難である。このように、従来の
位置検出素子では高速(10MHz以上)かつ高精度
(高分解能)の位置検出が困難であった。従って、この
ような位置検出素子を用いた距離センサでは、10MH
z以上の高速性と高精度の距離計測とを兼ね備えること
が困難であった。
【0007】本発明は上記のような従来の課題を解決
し、高速かつ高精度の位置検出が可能な位置検出検出素
子及びこれを用いた距離センサを提供することを目的と
する。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明による位置検出素
子の第1の構成は、n個のセグメントを有する光検出素
子アレイと、前記光検出素子アレイの各セグメントの出
力を比較することにより光強度が最大のセグメントを算
出する最大セグメント算出並列演算処理部とを備えてい
ることを特徴とする。
【0009】また、第2の構成は、n個のセグメントを
有する光検出素子アレイと、前記光検出素子アレイの各
セグメントの出力に基づいて、光強度が最大の位置をサ
ブセグメントの精度で算出する最大位置算出並列演算処
理部とを備えていることを特徴とする。
【0010】さらに第3の構成は、n個のセグメントを
有する光検出素子アレイと、1対の楔形状の光検出素子
と、前記1対の光検出素子の出力に基づいて光強度が最
大になる概略位置を算出する概略位置算出並列演算処理
部と、前記概略位置算出並列演算処理部により算出され
た光強度最大の概略位置に基づいて、前記光検出素子ア
レイの各セグメントの出力のうち、前記概略位置の近傍
のm個の信号を選択する信号選択並列演算処理部と、前
記信号選択並列演算処理部の出力から光強度の最大位置
をサブセグメントの精度で算出する最大位置算出並列演
算処理部とを備えていることを特徴とする。
【0011】また、本発明の距離センサは、被測定物に
光ビームを照射する光源と、前記被測定物の表面から反
射された光を集光するレンズと、前記レンズにより集光
された光の位置を検出する位置検出素子とを備え、この
位置検出素子として上記のような本発明の構成を有する
ものを用いたことを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。 (第1の実施形態)図1は本発明の第1の実施形態に係
る位置検出素子の基本構成図である。図1において、1
はn個のセグメントを有するPINフォトダイオードア
レイ、2はPINフォトダイオードアレイの各セグメン
トからのn個の出力を比較することにより光強度が最大
のセグメントを算出する最大セグメント算出並列演算処
理部である。
【0013】n個のセグメントを有するPINフォトダ
イオードアレイ1に検出光が照射されると、PINフォ
トダイオードアレイ1の各セグメントから図2に例示す
るような光強度分布を形成する信号が同時に出力され
る。各セグメントから出力された信号は、n個の入力端
子を有する最大セグメント算出並列演算処理部2に入力
される。この最大セグメント算出並列演算処理部2は、
並列演算処理によってn個の入力信号を比較し、光強度
が最大の出力位置(PINフォトダイオードアレイ1の
セグメントの位置)を算出する。
【0014】このPINフォトダイオードは、1GHz
程度までの応答性を有しており、高速度のサンプリング
を行っても性能は劣化しない。また、最大セグメント算
出並列演算処理部2は並列演算によって、数十MHz以
上のサイクルで比較演算を行う。従って、これらを用い
た位置検出素子は、数十MHz以上のサンプリングレー
トで位置を検出できる。また、セグメントの個数nを千
個以上とすることにより、分解能(PINフォトダイオ
ードアレイの長さを1としたときの分解能)を1/10
00まで高めることができる。
【0015】以上説明したように、第1の実施形態によ
れば、PINフォトダイオードアレイ1と光強度が最大
のセグメントを算出する最大セグメント算出並列演算処
理部2とを設けたことにより、従来のPSDまたはCC
Dを用いた位置検出素子に比べ、高速かつ高分解能で位
置を検出することができる。
【0016】なお、PINフォトダイオードアレイに代
えて、他の高速応答可能な受光素子を用いた光検出素子
アレイを用いてもよい。 (第2の実施形態)図3は本発明の第2の実施形態に係
る位置検出素子の基本構成図である。図3において、1
はn個のセグメントを有するPINフォトダイオードア
レイ、3はPINフォトダイオードアレイからのn個の
出力から光強度の最大位置をサブセグメントの精度で算
出する最大位置算出並列演算処理部である。
【0017】n個のセグメントを有するPINフォトダ
イオードアレイ1に検出光が照射されると、PINフォ
トダイオードアレイ1の各セグメントからは図2に例示
するような光強度分布を形成する信号が同時に出力され
る。各セグメントから出力された信号は、n個の入力端
子を有する最大位置算出並列演算処理部3に入力され
る。この最大位置算出並列演算処理部3は、次に述べる
演算方法を用いる並列演算により、n個の信号から光強
度の最大位置を算出する。
【0018】まず、PINフォトダイオードの各セグメ
ントからの出力信号に対して移動平均を算出する。図4
に示すように、各セグメントの出力信号から得られる光
強度分布(実線で示されている)に対して、移動平均の
セグメント位置に対する分布は破線のようになる。さら
に、移動平均に対して微分処理を行い、一点鎖線で示す
ような分布の微分信号を得る。そして、この微分信号の
ゼロクロス点の位置を、ゼロクロス点近傍の微分信号を
用いて最小自乗法等により算出する。このようにして求
めたゼロクロス点の位置、即ち光強度の最大位置はセグ
メント単位よりも細かい。つまり、サブセグメント単位
で光強度の最大位置を算出することができる。実験によ
れば、この演算方法を用いることにより、セグメント単
位の1/10程度までサブセグメント化することができ
た。また、処理速度を向上させるため、第1の実施形態
と同様に並列処理によって上記演算を行う。
【0019】第1の実施形態と同様に、PINフォトダ
イオードは1GHz程度までの応答性を有しており、高
速度のサンプリングを行っても性能は劣化しない。ま
た、最大位置算出並列演算処理部3は並列演算によっ
て、数十MHz以上のサイクルで演算処理を行う。従っ
て、これらを用いた位置検出素子は、数十MHz以上の
サンプリングレートで位置を検出できる。
【0020】本実施形態の最大位置算出並列演算処理部
3は、第1の実施形態の最大セグメント算出並列演算処
理部2と異なり、移動平均、微分、ゼロクロス点の算出
によって光強度の最大位置を算出する。これにより、セ
グメントより細かい単位(サブセグメントの単位)で位
置を検出することができる。例えば、セグメントの個数
を千個以上とし、1/10のサブセグメント化を行う
と、位置検出の分解能(PINフォトダイオードアレイ
の長さを1としたときの分解能)を1/10000まで
高めることができる。
【0021】以上説明したように、第2の実施形態によ
れば、PINフォトダイオードアレイ1と、光強度が最
大の位置をサブセグメントの精度で算出する最大位置算
出並列演算処理部3とを設けることにより、従来のPS
DまたはCCDを用いた位置検出素子に比べ、高速かつ
高分解能で位置を検出することができる。
【0022】なお、PINフォトダイオードアレイに代
えて、他の高速応答可能な受光素子を用いた光検出素子
アレイを用いてもよい。 (第3の実施形態)図5は本発明の第3の実施形態に係
る位置検出素子の基本構成図である。図5において、1
はn個のセグメントを有するPINフォトダイオードア
レイである。4及び5は1対の楔形状のPINフォトダ
イオードであり、両者は互いに幅方向に隣り合わせに配
置され、それぞれの受光領域幅a,b(図5のA−A線
を参照)の和a+b=cが長手方向(図5のx方向)に
一定である。なお、受光領域幅aはxの一次関数であ
り、a=αx+βと表すことができる。但し、α,βは
定数である。
【0023】6は1対の楔形状のPINフォトダイオー
ド4,5から検出光の強度が最大になる概略位置(以
下、概略最大位置という)を算出する並列演算処理部で
ある。7は並列演算処理部6が求めた検出光の概略最大
位置に基づいて、PINフォトダイオードアレイ1のn
個の信号出力から概略最大位置近傍のm個(n>m)の
信号を抽出する信号選択並列演算処理部、8は信号選択
並列演算処理部7からのm個の出力に基づいて光強度の
最大位置を算出する最大位置算出並列演算処理部であ
る。
【0024】n個のセグメントを有するPINフォトダ
イオードアレイ1と1対の楔形状のPINフォトダイオ
ード4,5にまたがって検出光が照射されると、PIN
フォトダイオードアレイ1の各セグメントからは図2に
例示したような光強度分布を形成する信号が同時に出力
され、1対の楔形状のPINフォトダイオード4,5か
らは信号Sa,Sbが同時に出力される。この1対の楔
形状のPINフォトダイオード4,5からの信号Sa,
Sbが概略位置算出並列演算処理部6に入力され、検出
光の概略最大位置xoが次式(数2)から算出される。
【0025】
【数2】 xo=(c・Sa/(Sa+Sb)−β)/
α この式(数2)を用いて概略最大位置xoを算出するこ
とができる原理を簡単に説明する。検出光のエネルギー
密度をI、幅をwとすると、楔形状のPINフォトダイ
オード4からの信号SaはSa=K・I・a・wとな
り、もう一方のPINフォトダイオード5の信号Sbは
Sb=K・I・b・wとなる。ここで、KはPINフォ
トダイオードの光変換定数である。また、PINフォト
ダイオード4の受光領域aは、前述したようにa=αx
+βである。これらの式を式(数2)に代入すると、x
だけが残り、検出光の概略最大位置が求められることが
わかる。
【0026】この検出光の概略最大位置は、信号選択並
列演算処理部7に入力される。また、信号選択並列演算
処理部7には、PINフォトダイオードアレイ1の各セ
グメントの信号が入力される。概略位置算出並列演算処
理部6で求めた検出光の概略最大位置を用いて、PIN
フォトダイオードアレイ1のn個の信号から概略最大位
置近傍のm個(n>m)の信号を抽出する。このとき、
概略位置算出並列演算処理部6での演算処理に要する時
間だけ、概略位置算出並列演算処理部6からの概略最大
位置信号がPINフォトダイオードアレイ1からの信号
に対して遅延する。この遅延時間によるずれは、概略位
置算出並列演算処理部6の演算処理を、遅延が問題にな
らない程度にまで高速化するか、またはPINフォトダ
イオードアレイ1の信号を遅延させることにより解決で
きる。
【0027】次に、信号選択並列演算処理部7により抽
出された概略最大位置の近傍のm個の信号が最大位置算
出並列演算処理部8に入力される。この最大位置算出並
列演算処理部8は、第2の実施形態と同様の演算方法を
用いた並列演算により、m個の信号から最大出力位置を
算出する。
【0028】第1の実施形態と同様に、PINフォトダ
イオードは1GHz程度までの応答性を有しており、高
速度のサンプリングを行っても性能は劣化しない。ま
た、概略位置算出並列演算処理部6、信号選択並列演算
処理部7及び最大位置算出並列演算処理部8は並列演算
によって、数十MHz以上のサイクルで演算処理を行
う。従って、これらを用いた位置検出素子は、数十MH
z以上のサンプリングレートで位置を検出できる。
【0029】また、本実施形態の最大位置算出並列演算
処理部8も移動平均、微分、ゼロクロス点の算出により
光強度の最大位置を算出する。したがって、第2の実施
形態と同様に検出光の位置分解能を高めることができ
る。
【0030】本実施形態が第1及び第2の実施形態と異
なるのは、1対の楔形状のPINフォトダイオード4,
5、概略位置算出並列演算処理部6及び信号選択並列演
算処理部7を用いて、検出光の概略最大位置を算出し、
最大位置算出並列演算処理部8に入力する信号をn個か
らm個に削減している点にある。これにより、最大位置
算出並列演算処理部8の回路構成が簡素化され、小規模
の回路で実現できる。従って、大規模回路を高速駆動す
る場合に生じる発熱の問題の影響を低減できる。さら
に、小規模の回路であるため、製造コストを低く押さえ
ることができる。
【0031】なお、既述の実施形態と同様に、PINフ
ォトダイオードアレイに代えて、他の高速応答可能な受
光素子を用いた光検出素子アレイを用いてもよい。 (第4の実施形態)図6は本発明の第4の実施形態にお
ける距離センサの基本構成図である。図6において、9
は被測定物を照射する光源であって、発光ダイオード、
半導体レーザ等の発光素子を用いて構成されている。1
0は焦点距離fのレンズ、11は第1の実施形態で述べ
た位置検出素子、12は位置検出素子11の位置出力よ
り距離を算出する距離算出手段である。これらの要素で
構成される光学系は図7に示した従来例と同様に、式
(数1)のScheimpflugの条件を満たすよう
に構成されている。
【0032】このScheimpflugの条件を満足
すると、従来例と同様に、被測定物Obが発光素子9と
レンズ10の光軸との交点Oにある場合はもちろん、破
線で示すように、光軸上の交点Oからずれた位置O´に
ある場合であっても、光源9から出て被測定物Obで反
射した光ビームは、レンズ10により位置検出素子11
上に結像する。
【0033】被測定物Obが位置Oにある場合、被測定
物Obから反射した光の一部がレンズ10により位置検
出素子11上のA点に結像する。被測定物Obが位置O
´にずれた場合は、破線で示すように、被測定物Obか
ら反射した光の一部は位置検出素子11上のB点に結像
する。このように、光源9の光軸上での被測定物の位置
は位置検出素子11上での結像位置に変換される。従っ
て、被測定物の位置と位置検出素子11上での結像位置
との関係を予め距離算出手段12に記憶しておき、位置
検出素子11上での結像位置を距離算出手段12に入力
することにより被測定物までの距離を算出することがで
きる。
【0034】実施形態1で述べたように、PINフォト
ダイオードアレイ等を用いた位置検出素子11は、従来
のCCD、PSD等を用いた位置検出素子に比べて高速
かつ高精度に位置を検出できるので、この位置検出素子
11を用いた本実施形態の距離千差は高速かつ高精度に
距離を計測することができる。
【0035】なお、本実施形態で用いられる位置検出素
子11は、第1の実施形態で述べたものに限らず、第2
または第3の実施形態で述べた位置検出素子を用いても
良い。また、図7に示した従来例と同様に、光源9と被
測定物Obとの間に集光用のレンズを設けてもよい。あ
るいは、他の手段によって集光した光ビームを被測定物
Obに照射するように構成してもよい。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の位置検出
素子は、n個のセグメントを有する光検出素子アレイと
最大セグメント算出並列演算処理部とを備えることによ
り、大画素数の信号を並列処理できるため、高速かつ高
精度に検出光の位置を検出できる。また、このような位
置検出素子を用いた本発明の距離センサは、検出光の位
置を高速かつ高精度に検出できるため、被測定物までの
距離を高速かつ高精度に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態の位置検出素子の基本構
成図
【図2】同実施形態におけるPINフォトダイオードの
信号出力の説明図
【図3】本発明の第2実施形態の位置検出素子の基本構
成図
【図4】同実施形態における演算方法の説明図
【図5】本発明の第3実施形態の位置検出素子の基本構
成図
【図6】本発明の第4実施形態の距離センサの基本構成
【図7】従来の位置検出素子を用いた距離センサの基本
構成図
【符号の説明】
1 PINフォトダイオードアレイ 2 最大セグメント算出並列演算処理部 3 最大位置算出並列演算処理部 4,5 楔形状PINフォトダイオード 6 概略位置算出並列演算処理部 7 信号選択並列演算処理部 8 最大位置算出並列演算処理部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福井 厚司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 高田 和政 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 n個のセグメントを有する光検出素子ア
    レイと、前記光検出素子アレイの各セグメントの出力を
    比較することにより光強度が最大のセグメントを算出す
    る最大セグメント算出並列演算処理部とを備えているこ
    とを特徴とする位置検出素子。
  2. 【請求項2】 n個のセグメントを有する光検出素子ア
    レイと、前記光検出素子アレイの各セグメントの出力に
    基づいて、光強度が最大の位置をサブセグメントの精度
    で算出する最大位置算出並列演算処理部とを備えている
    ことを特徴とする位置検出素子。
  3. 【請求項3】 n個のセグメントを有する光検出素子ア
    レイと、1対の楔形状の光検出素子と、前記1対の光検
    出素子の出力に基づいて光強度が最大になる概略位置を
    算出する概略位置算出並列演算処理部と、前記概略位置
    算出並列演算処理部により算出された光強度最大の概略
    位置に基づいて、前記光検出素子アレイの各セグメント
    の出力のうち、前記概略位置の近傍のm個の信号を選択
    する信号選択並列演算処理部と、前記信号選択並列演算
    処理部の出力から光強度の最大位置をサブセグメントの
    精度で算出する最大位置算出並列演算処理部とを備えて
    いることを特徴とする位置検出素子。
  4. 【請求項4】 被測定物に光ビームを照射する光源と、
    前記被測定物の表面から反射された光を集光するレンズ
    と、前記レンズにより集光された光の位置を検出する請
    求項1〜3のいずれか一項記載の位置検出素子とを備え
    ていることを特徴とする距離センサ。
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