JPH10115711A - 光学薄膜の製造方法 - Google Patents
光学薄膜の製造方法Info
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- JPH10115711A JPH10115711A JP8268531A JP26853196A JPH10115711A JP H10115711 A JPH10115711 A JP H10115711A JP 8268531 A JP8268531 A JP 8268531A JP 26853196 A JP26853196 A JP 26853196A JP H10115711 A JPH10115711 A JP H10115711A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 イオンビームアシスト法で成膜すると、成膜
する膜物質の種類によっては、誘電体光学薄膜の充填率
を、光学特性の経時変化を実質的にゼロになるまで、高
くするために必要な、高いイオンエネルギーが膜損失を
大きくしてしまい、所望の光学特性を得ることは困難で
あった。 【解決手段】 真空中で蒸着しつつ、イオンビームを膜
が形成されつつある基板表面上に照射する、イオンビー
ムアシスト法で成膜することと、成膜後に大気中でアニ
ールすることによって、光学特性の経時変化を実質的に
ゼロにし、且つ膜損失を減らすことができた。
する膜物質の種類によっては、誘電体光学薄膜の充填率
を、光学特性の経時変化を実質的にゼロになるまで、高
くするために必要な、高いイオンエネルギーが膜損失を
大きくしてしまい、所望の光学特性を得ることは困難で
あった。 【解決手段】 真空中で蒸着しつつ、イオンビームを膜
が形成されつつある基板表面上に照射する、イオンビー
ムアシスト法で成膜することと、成膜後に大気中でアニ
ールすることによって、光学特性の経時変化を実質的に
ゼロにし、且つ膜損失を減らすことができた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、干渉フィルターや
ミラー等で使用されている単層又は多層の誘電体光学薄
膜に関するものである。更に詳しくは、本発明は、低損
失であり、光学特性の変化が少ない誘電体光学薄膜に関
するものである。
ミラー等で使用されている単層又は多層の誘電体光学薄
膜に関するものである。更に詳しくは、本発明は、低損
失であり、光学特性の変化が少ない誘電体光学薄膜に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】真空蒸着で成膜された誘電体光学薄膜は
空隙部分のある多孔質なものとなる。その空隙部分に水
分が吸着あるいは脱離するために、使用環境の変化特に
湿度の変化によって、光学特性が変化してしまう問題が
あった。特開昭６２一１１１２０５では、誘電体光学薄
膜が形成され、前記前記誘電体光学薄膜中の吸着水分が
除去されたガラス基板又は石英基板に、もう１枚のガラ
ス基板又は石英基板を対向させ、その外周部を低融点の
封着用ガラスまたは合成樹脂系封止材で封着している。
つまり、上記封着で構成された光透過性気密ハウジング
内部に誘電体光学薄膜を配置することで光学特性の変化
を抑制していた。
空隙部分のある多孔質なものとなる。その空隙部分に水
分が吸着あるいは脱離するために、使用環境の変化特に
湿度の変化によって、光学特性が変化してしまう問題が
あった。特開昭６２一１１１２０５では、誘電体光学薄
膜が形成され、前記前記誘電体光学薄膜中の吸着水分が
除去されたガラス基板又は石英基板に、もう１枚のガラ
ス基板又は石英基板を対向させ、その外周部を低融点の
封着用ガラスまたは合成樹脂系封止材で封着している。
つまり、上記封着で構成された光透過性気密ハウジング
内部に誘電体光学薄膜を配置することで光学特性の変化
を抑制していた。
【０００３】また、イオンビームアシスト法が経時変化
の少ない誘電体光学薄膜を形成するのに用いられてい
る。
の少ない誘電体光学薄膜を形成するのに用いられてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術の光透過性
気密ハウジングを用いる方法は、低損失で、かつ、光学
特性の経時変化が少ない誘電体光学薄膜を生産するため
には、成膜の工程と封着の工程が必要であり、さらに、
光透過性気密ハウジングを構成するために、光学薄膜の
成膜された基板の他にもう１枚の基板が必要であるの
で、生産期間の長さと高コストの点で問題が残った。
気密ハウジングを用いる方法は、低損失で、かつ、光学
特性の経時変化が少ない誘電体光学薄膜を生産するため
には、成膜の工程と封着の工程が必要であり、さらに、
光透過性気密ハウジングを構成するために、光学薄膜の
成膜された基板の他にもう１枚の基板が必要であるの
で、生産期間の長さと高コストの点で問題が残った。
【０００５】また、イオンビームアシスト法で成膜する
と、成膜する膜物質の種類によっては、光学特性の経時
変化が実質的になくなるまで誘電体光学薄膜の充填率を
高くするためのイオンエネルギーが膜損失を大きくして
しまい、所望の光学特性を得ることは困難であった。よ
って、本発明は、以上の問題を鑑みて、さらに簡便な製
造方法により、低損失で、かつ、光学特性の経時変化が
実質的にゼロである誘電体光学薄膜を得ることを目的と
する。
と、成膜する膜物質の種類によっては、光学特性の経時
変化が実質的になくなるまで誘電体光学薄膜の充填率を
高くするためのイオンエネルギーが膜損失を大きくして
しまい、所望の光学特性を得ることは困難であった。よ
って、本発明は、以上の問題を鑑みて、さらに簡便な製
造方法により、低損失で、かつ、光学特性の経時変化が
実質的にゼロである誘電体光学薄膜を得ることを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決のために
本発明では「真空中で蒸着しつつ、イオンビームを膜が
形成されつつある基板表面上に照射する、イオンビーム
アシスト法で成膜されることと、成膜後に大気中でアニ
ールされることを特徴とする誘電体光学薄膜の製造方
法」を提供する。
本発明では「真空中で蒸着しつつ、イオンビームを膜が
形成されつつある基板表面上に照射する、イオンビーム
アシスト法で成膜されることと、成膜後に大気中でアニ
ールされることを特徴とする誘電体光学薄膜の製造方
法」を提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】一般に真空蒸着で成膜された誘電
体光学薄膜は空隙部分のある多孔質なものとなる。真空
中から大気中に取り出された誘電体光学薄膜は経時的に
空隙部分に水分が吸着される。空隙部分の屈折率は真空
中又は乾燥空気中では１であり、大気中で水分が吸着さ
れて１から１．３３となると、光学的膜厚（屈折率ｎ×
物理的膜厚ｄ）が増加するために光学特性が長波長側に
シフトしてしまう。また、逆に水分が吸着されている状
態から、加熱等により、水分が脱離すると光学的膜厚が
小さくなり光学特性が短波長側にシフトしてしまう。
体光学薄膜は空隙部分のある多孔質なものとなる。真空
中から大気中に取り出された誘電体光学薄膜は経時的に
空隙部分に水分が吸着される。空隙部分の屈折率は真空
中又は乾燥空気中では１であり、大気中で水分が吸着さ
れて１から１．３３となると、光学的膜厚（屈折率ｎ×
物理的膜厚ｄ）が増加するために光学特性が長波長側に
シフトしてしまう。また、逆に水分が吸着されている状
態から、加熱等により、水分が脱離すると光学的膜厚が
小さくなり光学特性が短波長側にシフトしてしまう。
【０００８】イオン源から生成されたアルゴンや酸素の
イオンビームを、形成されつつある膜の表面に照射する
イオンビームアシスト法を用いることにより、形成され
つつある膜はイオンの持つエネルギーの効果により充填
率が高くなることが知られており、一般に、この充填率
は、イオンの持つエネルギーを高くする程、高まる。誘
電体光学薄膜の充填率を高くし、空隙部分がなくなれ
ば、使用環境において光学特性が変化することはないと
考えられる。しかし、誘電体光学薄膜の充填率を、光学
特性の変化を実質的にゼロにするのに必要な程度まで高
くするためには、イオンビームアシスト法のイオンの持
つエネルギーを過度に高くしなければならない。そして
この過度に高いエネルギーを持ったイオンは、成膜する
膜物質の種類によっては、形成されつつある膜の結合状
態を切ったり、膜の表面粗さを悪くしたり、膜の損失量
を大きくする弊害を与えるという問題がある。
イオンビームを、形成されつつある膜の表面に照射する
イオンビームアシスト法を用いることにより、形成され
つつある膜はイオンの持つエネルギーの効果により充填
率が高くなることが知られており、一般に、この充填率
は、イオンの持つエネルギーを高くする程、高まる。誘
電体光学薄膜の充填率を高くし、空隙部分がなくなれ
ば、使用環境において光学特性が変化することはないと
考えられる。しかし、誘電体光学薄膜の充填率を、光学
特性の変化を実質的にゼロにするのに必要な程度まで高
くするためには、イオンビームアシスト法のイオンの持
つエネルギーを過度に高くしなければならない。そして
この過度に高いエネルギーを持ったイオンは、成膜する
膜物質の種類によっては、形成されつつある膜の結合状
態を切ったり、膜の表面粗さを悪くしたり、膜の損失量
を大きくする弊害を与えるという問題がある。
【０００９】膜損失が少なく、光学特性の変化を抑制で
きる、適度なイオンエネルギーを持ったイオンビーム条
件で成膜された誘電体光学薄膜を大気中でアニールする
ことにより、それまで膜の空隙部分に吸着された水分が
脱離し、さらに、膜の結晶性が良くなり膜の充填率が高
くなる。
きる、適度なイオンエネルギーを持ったイオンビーム条
件で成膜された誘電体光学薄膜を大気中でアニールする
ことにより、それまで膜の空隙部分に吸着された水分が
脱離し、さらに、膜の結晶性が良くなり膜の充填率が高
くなる。
【００１０】
（１）誘電体光学薄膜の一例として、波長４３６ｎｍの
光を透過する干渉フィルター（設計中心波長λc ＝４３
６ｎｍ）の断面図を図１に示す。図１において、ガラス
基板から順に高屈折率物質層と低屈折率物質層を交互に
１９層の構成で、各層の厚さは「屈折率ｎ×物理的膜厚
ｄ／設計中心波長λc 」で表すと、ガラス基板から５層
目と１５層目が０．５０であり、それ以外の層は０．２
５である。また、設計中心波長λC は４３６ｎｍであ
る。ここでは、高屈折率物質としてＴｉＯ2 、低屈折率
物質としてＳｉＯ2 を選択した。
光を透過する干渉フィルター（設計中心波長λc ＝４３
６ｎｍ）の断面図を図１に示す。図１において、ガラス
基板から順に高屈折率物質層と低屈折率物質層を交互に
１９層の構成で、各層の厚さは「屈折率ｎ×物理的膜厚
ｄ／設計中心波長λc 」で表すと、ガラス基板から５層
目と１５層目が０．５０であり、それ以外の層は０．２
５である。また、設計中心波長λC は４３６ｎｍであ
る。ここでは、高屈折率物質としてＴｉＯ2 、低屈折率
物質としてＳｉＯ2 を選択した。
【００１１】（２）真空チャンバー内を５×１０-6ｔｏ
ｒｒ以下に排気し、成膜中は酸素を１×１０-4ｔｏｒｒ
になるように導入する。成膜中の基板温度は３００℃で
あり、イオンビームについてはアルゴンを用い、膜物質
を蒸着しながらアルゴンイオンを基板に照射しながら第
１図の様に、ガラス基板から順にＴｉＯ2 とＳｉＯ2を
交互に成膜を行った。ここで、ＴｉＯ2 の成膜条件は、
成膜レート０．２ｎｍ／ｓｅｃ、イオン加速電圧０．３
ｋＶ、イオン加速電流３０ｍＡとし、ＳｉＯ2の成膜条
件は、成膜レート１．２ｎｍ／ｓｅｃ、イオン加速電圧
１．２ｋＶ、イオン加速電流１６０ｍＡとした。
ｒｒ以下に排気し、成膜中は酸素を１×１０-4ｔｏｒｒ
になるように導入する。成膜中の基板温度は３００℃で
あり、イオンビームについてはアルゴンを用い、膜物質
を蒸着しながらアルゴンイオンを基板に照射しながら第
１図の様に、ガラス基板から順にＴｉＯ2 とＳｉＯ2を
交互に成膜を行った。ここで、ＴｉＯ2 の成膜条件は、
成膜レート０．２ｎｍ／ｓｅｃ、イオン加速電圧０．３
ｋＶ、イオン加速電流３０ｍＡとし、ＳｉＯ2の成膜条
件は、成膜レート１．２ｎｍ／ｓｅｃ、イオン加速電圧
１．２ｋＶ、イオン加速電流１６０ｍＡとした。
【００１２】（３）次に、成膜後、電気炉にてアニール
を行った。アニールの条件は４６０℃、１２０ｍｉｎ
で、電気炉内は大気である。 （４）成膜後とアニール後の分光透過率を測定したとこ
ろ、成膜後の中心波長よりもアニール後の中心波長のほ
うが３ｎｍ短波長側にシフトしていた。これは、アニー
ルによって、膜の吸着水分が脱離し、且つ膜の結晶性が
良くなり膜の充填率が高くなったことを示している。
を行った。アニールの条件は４６０℃、１２０ｍｉｎ
で、電気炉内は大気である。 （４）成膜後とアニール後の分光透過率を測定したとこ
ろ、成膜後の中心波長よりもアニール後の中心波長のほ
うが３ｎｍ短波長側にシフトしていた。これは、アニー
ルによって、膜の吸着水分が脱離し、且つ膜の結晶性が
良くなり膜の充填率が高くなったことを示している。
【００１３】（５）この成膜後とアニール後の中心波長
のシフト量を考慮し、設計中心波長λc を決め直し、実
施例の（１）項から（３）項を行うことで所望の光学特
性が得られた。
のシフト量を考慮し、設計中心波長λc を決め直し、実
施例の（１）項から（３）項を行うことで所望の光学特
性が得られた。
【００１４】
【比較例１】実施例の（１）項と同様の干渉フィルター
を真空蒸着法で成膜し、実施例の（3）項のアニールを
したものを比較例１とする。
を真空蒸着法で成膜し、実施例の（3）項のアニールを
したものを比較例１とする。
【００１５】
【比較例２】実施例の（１）項と同様の干渉フィルター
を、実施例の（２）項と同様にイオンビームアシスト法
で、ただしＴｉＯ2 の成膜条件は、成膜レート０．２ｎ
ｍ／ｓｅｃ、イオン加速電圧０．５ｋＶ、イオン加速電
流８０ｍＡで成膜し、実施例の（3）項のアニールをし
ないものを比較例２とする。
を、実施例の（２）項と同様にイオンビームアシスト法
で、ただしＴｉＯ2 の成膜条件は、成膜レート０．２ｎ
ｍ／ｓｅｃ、イオン加速電圧０．５ｋＶ、イオン加速電
流８０ｍＡで成膜し、実施例の（3）項のアニールをし
ないものを比較例２とする。
【００１６】実施例及び比較例１、２で製造された干渉
フィルターを７０℃で９０％の条件で１週間、耐湿試験
を行った。耐湿試験前と耐湿試験後の分光透過率を測定
した。このようにして得られた測定結果を図２（本実施
例のもの）、図３（比較例１のもの）、図４（比較例２
のもの）に示す。いずれも、実線が耐湿試験前のデータ
で、点線が耐湿試験後のデータである。
フィルターを７０℃で９０％の条件で１週間、耐湿試験
を行った。耐湿試験前と耐湿試験後の分光透過率を測定
した。このようにして得られた測定結果を図２（本実施
例のもの）、図３（比較例１のもの）、図４（比較例２
のもの）に示す。いずれも、実線が耐湿試験前のデータ
で、点線が耐湿試験後のデータである。
【００１７】これらのデータによれば、比較例１の干渉
フィルターでは、耐湿試験後には耐湿試験前に比べ、光
学特性が１０ｎｍ長波長側にシフトしたのに対し、実施
例の干渉フィルターでは、耐湿試験前後で光学特性は全
くシフトしなかった。また、比較例２の干渉フィルター
では、耐湿試験前後で光学特性は若干、長波長側へシフ
トしており、さらに、膜の損失が増加したため、透過率
が低くなってしまったのに対し、実施例の干渉フィルタ
ーでは、十分な透過率が得られた。
フィルターでは、耐湿試験後には耐湿試験前に比べ、光
学特性が１０ｎｍ長波長側にシフトしたのに対し、実施
例の干渉フィルターでは、耐湿試験前後で光学特性は全
くシフトしなかった。また、比較例２の干渉フィルター
では、耐湿試験前後で光学特性は若干、長波長側へシフ
トしており、さらに、膜の損失が増加したため、透過率
が低くなってしまったのに対し、実施例の干渉フィルタ
ーでは、十分な透過率が得られた。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、イオンビ
ームアシスト法（所望の光学特性に影響のない損失量と
なるイオンビーム条件）で成膜し、成膜後に大気中でア
ニールすることによって、低損失で、かつ、光学特性の
変化しない誘電体光学薄膜を得ることができる。さら
に、従来の封着工程を省略することができ、生産性の向
上とコストダウンが可能となる。
ームアシスト法（所望の光学特性に影響のない損失量と
なるイオンビーム条件）で成膜し、成膜後に大気中でア
ニールすることによって、低損失で、かつ、光学特性の
変化しない誘電体光学薄膜を得ることができる。さら
に、従来の封着工程を省略することができ、生産性の向
上とコストダウンが可能となる。
【図１】実施例の光学薄膜である干渉フィルターの断面
図である。
図である。
【図２】実施例の光学薄膜についての分光透過率特性で
ある。
ある。
【図３】比較例１の光学薄膜についての分光透過率特性
である。
である。
【図４】比較例２の光学薄膜についての分光透過率特性
である。
である。
１・・・ガラス基板 ２・・・高屈折率物質層（ＴｉＯ2 層） ３・・・低屈折率物質層（ＳｉＯ2 層）
Claims (1)
- 【請求項１】 真空中で蒸着しつつ、イオンビームを膜
が形成されつつある基板表面上に照射する、イオンビー
ムアシスト法で成膜されることと、成膜後に大気中でア
ニールされることを特徴とする誘電体光学薄膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8268531A JPH10115711A (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | 光学薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8268531A JPH10115711A (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | 光学薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10115711A true JPH10115711A (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17459816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8268531A Pending JPH10115711A (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | 光学薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10115711A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999046421A1 (en) * | 1998-03-13 | 1999-09-16 | Honeywell Inc. | Ion assisted electron beam deposition of ring laser gyro mirrors |
| JP2006337303A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Kty:Kk | 真空室の湿度測定装置 |
| US7429438B2 (en) * | 2006-10-27 | 2008-09-30 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating color filter |
| US7781328B2 (en) | 2002-09-27 | 2010-08-24 | Medtronic Minimed, Inc. | Multilayer substrate |
| US8003513B2 (en) | 2002-09-27 | 2011-08-23 | Medtronic Minimed, Inc. | Multilayer circuit devices and manufacturing methods using electroplated sacrificial structures |
| CN110484869A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-11-22 | 湖北久之洋红外系统股份有限公司 | 一种防霉防潮光学薄膜及其制备方法 |
| CN115161600A (zh) * | 2022-07-14 | 2022-10-11 | 扬州纳力新材料科技有限公司 | 铝复合集流体及其制备方法、正极片、电池和用电装置 |
-
1996
- 1996-10-09 JP JP8268531A patent/JPH10115711A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999046421A1 (en) * | 1998-03-13 | 1999-09-16 | Honeywell Inc. | Ion assisted electron beam deposition of ring laser gyro mirrors |
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| CN110484869A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-11-22 | 湖北久之洋红外系统股份有限公司 | 一种防霉防潮光学薄膜及其制备方法 |
| CN110484869B (zh) * | 2019-07-11 | 2021-07-16 | 湖北久之洋红外系统股份有限公司 | 一种防霉防潮光学薄膜及其制备方法 |
| CN115161600A (zh) * | 2022-07-14 | 2022-10-11 | 扬州纳力新材料科技有限公司 | 铝复合集流体及其制备方法、正极片、电池和用电装置 |
| CN115161600B (zh) * | 2022-07-14 | 2023-07-28 | 扬州纳力新材料科技有限公司 | 铝复合集流体及其制备方法、正极片、电池和用电装置 |
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