JPH10112259A

JPH10112259A - 厚膜パターン形成方法

Info

Publication number: JPH10112259A
Application number: JP26806996A
Authority: JP
Inventors: Yasunori Kima; 泰則来間
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1996-10-09
Filing date: 1996-10-09
Publication date: 1998-04-28

Abstract

(57)【要約】【課題】サンドブラスト法により厚膜パターンを形成
するに際し、加工に要する時間を短縮でき、形成する厚
膜パターンに欠けを生じないようにする。【解決手段】基板１上に少なくとも無機バインダーを
含有する第１のパターン形成層４ａを形成し、その無機
バインダーの屈伏点より２０℃低い温度から屈伏点より
２０℃高い温度の範囲をピークとして第１のパターン形
成層４ａを焼成した後、第１のパターン形成層４ａの上
に少なくとも有機バインダーを含有する第２のパターン
形成層４ｂを形成し、その上に所定パターンのサンドブ
ラスト用マスク５を形成してから、サンドブラスト法に
よりパターン形成層４ａ，４ｂにおけるサンドブラスト
用マスク５が形成されていない部分を研削する。第１の
パターン形成層４ａを焼成することにより、その中の有
機バインダーが焼失するのでサンドブラスト加工の速度
が速くなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（ＰＤＰ）、フィールドエミッションディス
プレイ（ＦＥＤ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）、蛍光表示
装置、混成集積回路等の製造過程において基板上に所定
形状の厚膜パターンを形成する方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の厚膜パターン形成方法と
しては、ガラスやセラミックス基板上に導体或いは絶縁
体用のペーストをスクリーン印刷法によりパターン状に
塗布する方法が知られている。この方法で例えば線幅１
００μｍ、高さ１００μｍの細線を形成する際には、ス
クリーン印刷による重ね刷りを複数回繰り返す必要があ
った。また別の方法としては、特公平７−２２８９３号
公報に記載のように、基板上の全面にパターン形成層を
形成した後、そのパターン形成層上に感光性レジストで
サンドブラスト用マスクを形成し、次いでサンドブラス
ト法でパターン形成層のパターニングを行う方法が知ら
れている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した前者
のスクリーン印刷によるパターン形成方法では、スクリ
ーン印刷法の製法上の制約から、線幅１００μｍ以下の
細線を精度良く形成するのが困難であり、且つ、膜厚を
大きくするには複数回に渡って積層を繰り返すという煩
雑な工程を必要とした。また、後者のサンドブラストに
よるパターン形成方法では加工速度に問題があり、特に
一辺が５０ｃｍ以上の大型の基板になると１枚当たりの
加工時間は数十分間を必要とした。パターン形成層の研
削速度を上げるには研磨材の衝撃力を上げればよく、例
えば研磨材の噴射圧を増加させたり噴射ノズルを基板に
接近させたりすればよい。しかし、研削速度が増加する
反面、感光性レジストへのダメージが大きく、実際には
低融点ガラスのパターニングを行うと欠陥を誘発し、特
に細線が１００μｍ以下の細線パターンになると断線が
多発する問題がある。

【０００４】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、サンドブ
ラスト法により厚膜パターンを形成するに際し、加工に
要する時間を短縮でき、形成する厚膜パターンに欠けを
生じないようにした厚膜パターン形成方法を提供するこ
とにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の厚膜パターン形成方法は、基板上に少な
くとも無機バインダーを含有する第１のパターン形成層
を形成する第１工程と、前記第１のパターン形成層に含
有される無機バインダーの屈伏点より２０℃低い温度か
ら屈伏点より２０℃高い温度の範囲をピークとして前記
第１のパターン形成層を焼成する第２工程と、前記第１
のパターン形成層の上に少なくとも有機バインダーを含
有する第２のパターン形成層を形成する第３工程と、前
記第２のパターン形成層の上に所定パターンのサンドブ
ラスト用マスクを形成する第４工程と、サンドブラスト
法により前記第１のパターン形成層及び第２のパターン
形成層における前記サンドブラスト用マスクが形成され
ていない部分を研削する第５工程とを少なくとも含むこ
とを特徴とする。さらに、本発明の厚膜パターン形成方
法をディスプレイデバイスへ適用する場合などは、前記
第１のパターン形成層の可視光に対する反射率が前記第
２のパターン形成層のそれよりも大きいことが望まし
い。

【０００６】ここで、無機バインダーの屈伏点は自重及
びそれにかかる荷重によって軟化収縮し始める点で、粘
度が１０¹¹〜１０¹²ｐｏｉｓｅ程度になる温度と考えら
れている。一般に、熱機械分析（ＴＭＡ：Thermomechan
ical Analysis ）により測定され、本願ではＤＬ−９６
００（真空理工社製）を用いて測定した。加熱により測
定サンプルの膨張を測定する装置であるため、サンプル
の歪み等により測定結果が異なることがある。したがっ
て、粉状の無機バインダーを一旦焼成して装置に合わせ
て成型することによりサンプルを作成するのだが、その
際に十分に徐冷することによりサンプル内部に歪みを残
さないことが必要である。このようにして作成したサン
プルを用いて、上記装置により屈伏点を測定した。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明で使用できる基板として
は、ガラス、金属、セラミック等を挙げることができ
る。ここではガラス基板を使用し、そのガラス基板上に
低融点ガラス層の厚膜パターンを形成する場合を例に挙
げて説明する。

【０００８】この例では、図１（ａ）に示すように、サ
ンドブラストによるガラス表面の研磨を抑制する目的
で、ガラス基板２上に低融点ガラスペーストで絶縁体層
３を形成したものを基材１として用いる。そして、図１
（ｂ）に示すように、この基材１上に第１のパターン形
成層４ａとして低融点ガラス層を全面に形成する。低融
点ガラス層を形成するには、ペースト状の低融点ガラス
をスクリーン印刷法、ブレードコート法、ロールコート
法、ダイコート法等のコーティング方法で所定の厚さで
塗布して乾燥させる。第１のパターン形成層４ａの材料
は少なくとも、例えばガラスフリットのような無機バイ
ンダーを含有していればよい。

【０００９】従来のサンドブラストによるパターン形成
方法では、パターン形成層である乾燥状態の低融点ガラ
ス層上に感光性レジストでサンドブラスト用マスクを形
成した後、サンドブラスト法でパターン形成層のパター
ニングを行う。この場合、サンドブラストによるパター
ン形成層の研削速度はパターン形成層に含まれる有機バ
インダー量に大きく依存し、有機バインダー量が多くな
るほど研削速度は小さくなる。研削速度を大きくし加工
時間を短縮するためにはパターン形成層に含まれる有機
バインダー量を少なくすればよいが、極度に少な過ぎる
場合にはサンドブラスト加工時にパターン形成層のパタ
ーンが基材から剥離したり崩れたりする問題が発生す
る。これゆえ、有機バインダー量には適性範囲があり、
これによってサンドブラストによる加工時間は制限され
る。

【００１０】そこで、本発明の方法では第１のパターン
形成層４ａの形成を終えた基材１を焼成する。焼成時の
ピーク温度は第１のパターン形成層４ａの材料に含有さ
れる無機バインダーの屈伏点より２０℃低い温度から屈
伏点より２０℃高い温度の範囲内から選択する。ピーク
温度付近でのキープ時間は数分〜数十分でよい。この焼
成の目的は、第１のパターン形成層４ａの有機バインダ
ーを焼失し、その代わりに無機バインダーの表面を融着
させ膜形状を保持することにある。焼成温度が屈伏点よ
りも２０℃以上高い場合には無機バインダーの融着が進
行しすぎた状態になり、サンドブラストによるパターン
形成層の研削速度が極端に減少する。これとは逆に焼成
温度が屈伏点よりも２０℃以上低い場合には無機バイン
ダーの融着がほとんど進行しておらず、サンドブラスト
加工中にパターン形成層のパターンが基材から剥離した
り崩れる問題が起きる。

【００１１】次いで、図１（ｃ）に示すように、上記の
焼成を終えた第１のパターン形成層４ａの上に第２のパ
ターン形成層４ｂを形成する。第２のパターン形成層４
ｂの材料は第１のパターン形成層４ａの材料と同じでも
よいが、少なくとも例えばセルロース誘導体やアクリル
樹脂等の有機バインダーを含有している必要がある。そ
して、材料がペースト状の低融点ガラスならば第１のパ
ターン形成層４ａと同様の方法で所定の厚さ塗布して乾
燥させる。なお、第２のパターン形成層４ｂの厚さは第
１のパターン形成層４ａよりも小さい方が、後工程での
サンドブラストによるパターン形成には都合がよい。例
えば、第１のパターン形成層４ａの厚さを１２０μｍと
するのに対して、第２のパターン形成層４ｂの厚さを２
０μｍとする等、である。

【００１２】第２のパターン形成層４ｂの目的は、後工
程で第２のパターン形成層４ｂの上に形成するサンドブ
ラスト用マスクの密着性を確保することにある。すなわ
ち、有機バインダーを含む第２のパターン形成層４ｂと
樹脂であるサンドブラスト用マスクとは共に有機ポリマ
ーであるため密着性がよい。これに対して、もし、第２
のパターン形成層４ｂを省略し、焼成を終えた第１のパ
ターン形成層４ａの上に直接サンドブラスト用マスクを
形成した場合、第１のパターン形成層は有機バインダー
を含まないために密着性が悪く、サンドブラスト加工中
にサンドブラスト用マスクが浮き易いという問題があ
る。

【００１３】次いで、図１（ｄ）に示すように、第２の
パターン形成層４ｂの上に所定のパターンを有するサン
ドブラスト用マスク５を形成する。このサンドブラスト
用マスク５に使用される材料は、後工程であるサンドブ
ラスト加工において、第１のパターン形成層４ａ及び第
２のパターン形成層４ｂに比べて研削速度が著しく小さ
ければよい。簡易的には弾力性のある樹脂が適してお
り、例えば感光性レジストが使用できる。

【００１４】続いて、サンドブラスト法により研磨材
（例えば、アルミナ＃１０００）を噴射して第１のパタ
ーン形成層４ａ及び第２のパターン形成層４ｂを研削す
るが、図１（ｅ）に示すように、サンドブラスト用マス
ク５が形成されていない部分でのみブラスト研削が進行
する結果、サンドブラスト用マスク５の下方に第１のパ
ターン形成層４ａ及び第２のパターン形成層４ｂが残っ
てパターニングが可能となる。本発明によれば、従来の
方法と比較して、サンドブラストによるパターン形成層
の研削速度を最大で約５倍も増加させることができる。
研削速度は第１のパターン形成層４ａの焼成温度に依存
し、焼成温度が低い方が研削速度は大きくなる。しか
し、上記のように焼成温度が屈伏点よりも２０℃以上低
い場合には、サンドブラスト加工中にパターン形成層の
パターンが基材から剥離したり崩れるという問題が起き
る。

【００１５】このようにして第１のパターン形成層４ａ
及び第２のパターン形成層４ｂを所定のパターンに加工
した後、サンドブラスト用マスク５を第２のパターン形
成層４ｂから剥離し、さらに第１のパターン形成層４ａ
及び第２のパターン形成層４ｂを焼成して焼き固める。

【００１６】次に、本発明の厚膜パターン形成方法をＰ
ＤＰの部材加工に適用した例について説明する。

【００１７】一般にＰＤＰは、２枚の対向するガラス基
板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、その
間にＮｅ，Ｘｅ等の不活性ガスを主体とするガスを封入
した構造になっている。そして、これらの電極間に電圧
を印加し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させる
ことにより、各セルを発光させて表示を行うようにして
いる。情報表示をするためには、規則的に並んだセルを
選択的に放電発光させるものである。このＰＤＰには、
電極が放電空間に露出している直流型（ＤＣ型）と絶縁
層で覆われている交流型（ＡＣ型）の２タイプがあり、
また表示機能や駆動方法の違いによって、双方ともリフ
レッシュ駆動方式とメモリー駆動方式とに分類される。

【００１８】図２にＡＣ型ＰＤＰの一構成例を示してあ
る。この図は前面板と背面板を離した状態で示したもの
で、図示のように２枚のガラス基板２１，２２が互いに
平行に且つ対向して配設されており、両者は背面板とな
るガラス基板２２上に互いに平行に設けられたセル障壁
２３により一定の間隔で保持されるようになっている。
前面板となるガラス基板２１の背面側には透明電極であ
る維持電極２４と金属電極であるバス電極２５とで構成
される複合電極２６が互いに平行に形成され、これを覆
って誘電体層２７が形成されており、さらにその上に保
護層２８（ＭｇＯ層）が形成されている。一方、背面板
となるガラス基板２２の前面板側には複合電極２６と直
交するようにセル障壁２３の間に位置してアドレス電極
２９が互いに平行に形成されており、さらにセル障壁２
３の壁面とセル底面を覆うようにして蛍光体３０が設け
られている。このＡＣ型ＰＤＰは面放電型であって、前
面板上の複合電極間に交流電圧を印加し、空間に漏れた
電界で放電させる構造である。この場合、交流をかけて
いるために電界の向きは周波数に対応して変化する。そ
して、この放電により生じる紫外線により蛍光体３０を
発光させ、前面板を透過する光を観察者が視認するよう
になっている。

【００１９】上記の如きＰＤＰにおける障壁は少なくと
もガラスフリットとセラミック粉体からなる材料で形成
される。ガラスフリットとしては、軟化点が４００〜６
００℃、熱膨張係数α₃₀₀＝６０〜１００×１０^-7／℃
のものが好ましく使用できる。軟化点が４００℃より小
さいと、仮焼成により樹脂分を焼失させることが難し
く、６００℃より大きいとソーダガラス等の一般的なガ
ラス基板を用いる場合、焼成時に基板が変形してしまう
ため好ましくない。また、熱膨張係数が上記範囲をはず
れると歪みが生じるために好ましくない。セラミック粉
体としては、アルミナ、シリカ、酸化チタン、ジルコニ
ア、ジルコン、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、酸化
マグネシウム等が使用される。使用するセラミック粉体
の平均粒径は０．０１〜５μｍが好ましい。

【００２０】障壁形成材料には必要により顔料を加える
ことができる。障壁を暗色にして可視光の反射率を小さ
くする場合には、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆ
ｅ，Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍｎ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆ
ｅ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｃｒ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ａｌ
−Ｃｒ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｍｎ−Ａｌ−Ｃｒ−Ｆｅ−Ｓｉ等
の無機顔料を用いる。また、蛍光体の発光を有効にパネ
ル前面に導く目的で、逆に障壁を白くして可視光の反射
率を高くした方がよい場合には、耐火性の白色顔料とし
てチタニア（ＴｉＯ₂）等が用いられるが、障壁形成材
料にアルミナやシリカ等のセラミック粉体をフィラーと
して含有する場合には特に無機顔料を用いない場合もあ
る。

【００２１】図２のような構造のＰＤＰでは、蛍光体３
０から発光した光を効率よくパネル外に取り出すため
に、セル障壁２３の壁面は光を反射しやすい白色である
ことが望ましい。これと同時にセル障壁２３の頂部が黒
色であればブラックマトリックスとして作用し、パネル
のコントラストを向上することができる。したがって、
本発明の厚膜パターン形成方法でこのセル障壁２３を形
成する場合には、第１のパターン形成層４ａには白色の
ように可視光の反射率が大きい材料を、第２のパターン
形成層４ｂには黒色のように可視光の反射率が小さい材
料を用いることが望ましい。

【００２２】障壁ペーストのバインダーポリマーとして
は、ビニル酢酸、メチルアクリレート、メチルメタクリ
レート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、
ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−プロピルメタクリレー
ト、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタクリ
レート、ｎ−ブチルアクリレート、ｎ−ブチルメタクリ
レート、ｓｅｃ−ブチルアクリレート、ｓｅｃ−ブチル
メタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブチル
メタクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート、ｔｅ
ｒｔ−ブチルメタクリレート、ｎ−ペンチルアクリレー
ト、ｎ−ペンチルメタクリレート、ｎ−ヘキシルアクリ
レート、ｎ−ヘキシルメタクリレート、２−エチルヘキ
シルアクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレー
ト、ｎ−オクチルアクリレート、ｎ−オクチルメタクリ
レート、ｎ−デシルアクリレート、ｎ−デシルメタクリ
レート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒド
ロキシメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリ
レート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、スチ
レン、α−メチルスチレン、Ｎ−ビニル−２−ピロリド
ンの１種以上からなるポリマー、コポリマー、スチレン
−プロピレン共重合体、スチレン−ブタジエン共重合
体、スチレン−イソプレン共重合体等のポリスチレン樹
脂、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロー
ス、メチルセルロースなどのセルロース誘導体、エチレ
ン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン−
酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン系樹脂などが挙
げられる。

【００２３】溶剤としてはメタノール、エタノール、イ
ソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、トル
エン、キシレン、シクロヘキサノンのようなアノン類、
塩化メチレン、３−メトキシブチルアセテート、エチレ
ングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコ
ールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノ
アルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノアルキ
ルエーテルアセテート類、α−もしくはβ−テルピネオ
ールのようなテルペン類、プロピレングリコールモノア
ルキルエーテル類、ジプロピレングリコールモノメチル
エーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテ
ルアセテート類、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート類などが挙げられる（２種以上混合し
てもよい）。

【００２４】

【実施例】以下、ＰＤＰの障壁を形成する場合を例にし
て実施例を説明する。

【００２５】まず、サンドブラストによるガラス表面の
研磨を抑制する目的で、ガラス基板の上に低融点ガラス
ペーストを塗布して焼成させることで絶縁体層を形成し
た。次いで、下記組成Ａの障壁ペーストをブレードコー
ターにより塗布し、１２０℃で１５分間乾燥させること
により膜厚１５０μｍの障壁形成層を形成した。

【００２６】＜組成Ａ＞ガラスフリット：ＭＢ−００８（松浪硝子工業）６５ｗｔ％屈伏点５００℃ 顔料：酸化チタン１０ｗｔ％セラミック粉体：α−アルミナＲＡ−４０（岩谷化学工業）１０ｗｔ％バインダー：エトセルＳＴＤ−１００（ダウケミカル）３ｗｔ％溶剤：ターピネオール１２ｗｔ％

【００２７】そして、この基板上に障壁形成層を形成し
た同じサンプルを５つ用意し、それぞれ４６０℃、４８
０℃、５００℃、５２０℃、５４０℃をピークとして３
時間の仮焼成を行った。これにより障壁ペースト中の樹
脂分を焼失させた。また、比較のために、仮焼成を行わ
ない乾燥のみ（１２０℃）のサンプルも用意した。

【００２８】続いて、各サンプルにおける第１の障壁形
成層上に下記組成Ｂの障壁ペーストをブレードコーター
により塗布し、１２０℃で１５分間乾燥させることによ
りそれぞれ膜厚２０μｍの障壁形成層を形成した。

【００２９】＜組成Ｂ＞ガラスフリット：ＭＢ−００８（松浪硝子工業）６５ｗｔ％屈伏点５００℃ 顔料：ダイピロキサイドブラック＃９５１０（大日精化工業）１０ｗｔ％セラミック粉体：α−アルミナＲＡ−４０（岩谷化学工業）１０ｗｔ％バインダー：エトセルＳＴＤ−１００（ダウケミカル）３ｗｔ％溶剤：ターピネオール１２ｗｔ％

【００３０】次に、各サンプルについてサンドブラスト
用マスクを形成した。具体的には、基板を５０〜８０℃
に加熱し、障壁形成層の上にドライフィルムレジストを
ラミネートした後、このドライフィルムレジストに対し
ラインパターンマスクを介して露光を行った。ここで
は、光硬化型ドライフィルム（東京応化工業製「ＯＳＢ
Ｒフィルム」）をラミネートした後、超高圧水銀灯を光
源とする平行光プリンターを使用し、線幅６０μｍ、ピ
ッチ１２０μｍのラインパターンマスクを介して紫外線
によりパターン露光を行った。露光条件は、３６５ｎｍ
で測定した時に、照射量７０ｍＪ／ｃｍ²である。次い
で、無水炭酸ナトリウム０．２ｗｔ％水溶液により液温
３０℃でスプレー現像を行った。以上の工程により、線
幅６０μｍ、ピッチ１２０μｍのサンドブラスト用マス
クを得た。

【００３１】その後、各サンプルについて、乾燥工程を
経てからサンドブラスト処理により障壁形成層の不要部
分を除去した。ここでは、研磨材として褐色溶融アルミ
ナ♯８００を用い、噴射圧力１ｋｇ／ｃｍ²でサンドブ
ラスト処理を行うことにより線幅６０μｍ、ピッチ１２
０μｍ、高さ１５０μｍの障壁のパターンを得た。次い
で、剥離液を用いてサンドブラスト用マスクを剥離し
た。このように剥離工程を経てから、ピーク温度５７０
℃、保持時間１０〜２０分の条件で焼成を行い、パター
ン状の障壁形成層をガラス基板に結着させて障壁を完成
した。

【００３２】これにより得られた各サンプルにおけるパ
ターンの形状を表１に示す。また、各サンプルの研削速
度を調べるため、第１の障壁形成層を仮焼成し、その上
に第２の障壁形成層用のペーストを塗布して乾燥させた
段階で、サンドブラスト定点打ちにより研削深さを測定
した。すなわち、基板の送り速度を停止した上で、ノズ
ル距離：１２０ｍｍ、粉体供給量：３５ｇ／ｍｉｎ、エ
アー圧：３．０ｋｇ／ｃｍ²、スキャン速度：１０ｍ／
ｍｉｎ、スキャン回数：１．５往復、研磨材：アルミナ
の条件でノズルを一方向にスキャンした後、研削深さを
ＤＥＫＴＡＫで測定した。そして、この測定結果を、第
１の障壁形成層も第２の障壁形成層も１２０℃での乾燥
のみで仮焼成を行わなかったサンプルの場合を１．０と
して表１に示す。

【００３３】

【表１】

【００３４】表１から分かるように、屈伏点（５００
℃）より２０℃低い温度から屈伏点より２０℃高い温度
の範囲で仮焼成した場合に、障壁の形状が良好で研削速
度も速くなった。また、乾燥のみで樹脂分が残存する材
料では、研削速度が遅く、さらにサンドブラスト用マス
クの剥離時にパターンの欠けを生じる場合があった。ま
た、屈伏点より４０℃低い温度で仮焼成した場合、樹脂
分が残存しないため、研削速度は速いがパターン形状の
保持が難しく、逆に屈伏点より４０℃程度高い温度で仮
焼成した場合には、研削速度が著しく低下し、パターン
形成が困難であった。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の厚膜パタ
ーン形成方法によれば、従来のスクリーン印刷法では製
法上困難であった線幅１００μｍ以下の細線パターンに
パターン形成層をパターニングでき、且つ膜厚が大きい
場合でも煩雑な工程を必要とせずに加工できる。また、
従来のサンドブラスト法では加工速度を短縮するのに限
界があったが、パターン形成層を焼成した後でサンドブ
ラスト加工を行うことにより、加工速度を大幅に短縮す
ることが可能である。さらに、加工速度の短縮によりサ
ンドブラストで使用する研磨材の使用量を減らすことも
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る厚膜パターン形成方法の一例を説
明するための工程図である。

【図２】本発明の適用例であるＡＣ型プラズマディスプ
レイパネルの一構成例をその前面板と背面板を離間した
状態で示す構造図である。

【符号の説明】

１基材２ガラス基板３絶縁体層４ａ第１のパターン形成層４ｂ第２のパターン形成層５サンドブラスト用マスク２１前面板２２背面板２３障壁リブ２４維持電極２５バス電極２６複合電極２７誘電体層２８保護層（ＭｇＯ層）２９アドレス電極３０蛍光体層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも無機バインダーを含
有する第１のパターン形成層を形成する第１工程と、前
記第１のパターン形成層に含有される無機バインダーの
屈伏点より２０℃低い温度から屈伏点より２０℃高い温
度の範囲をピークとして前記第１のパターン形成層を焼
成する第２工程と、前記第１のパターン形成層の上に少
なくとも有機バインダーを含有する第２のパターン形成
層を形成する第３工程と、前記第２のパターン形成層の
上に所定パターンのサンドブラスト用マスクを形成する
第４工程と、サンドブラスト法により前記第１のパター
ン形成層及び第２のパターン形成層における前記サンド
ブラスト用マスクが形成されていない部分を研削する第
５工程とを少なくとも含むことを特徴とする厚膜パター
ン形成方法。
【請求項２】第１のパターン形成層の可視光に対する
反射率が第２のパターン形成層のそれよりも大きい請求
項１に記載の厚膜パターン形成方法。