JPH10112017A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体およびその製造方法

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JPH10112017A JP26606196A JP26606196A JPH10112017A JP H10112017 A JPH10112017 A JP H10112017A JP 26606196 A JP26606196 A JP 26606196A JP 26606196 A JP26606196 A JP 26606196A JP H10112017 A JPH10112017 A JP H10112017A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気記録密度が高く、かつノイズが小さい磁
気記録媒体を安定に量産する。 【解決手段】 非磁性基板上に、非磁性金属下地層、磁
性層および保護層を順次スパッタ法で積層形成してなる
磁気記録媒体であって、磁性金属下地層がNiAlに
W,Ta,Hf,Mo,Cr,ZrおよびNbの中から
1元素以上を加えた合金膜からなっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固定磁気ディスク
装置等、磁気記録を利用した記憶装置に用いられる磁気
記録媒体およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図1に代表的な磁気記録媒体の膜構成を
表す模式的断面図を示す。ガラスまたはAl等の基板1
上に、Ni−PまたはAl等のような第1下地層2が形
成された基体11の上に、第2下地層3、単層の磁性層
4(例えばCoCrPtBまたはCoCrPtTa等)
およびCを主とする保護層5が形成されており、さらに
その上に、液体潤滑剤からなる潤滑層6が形成されてい
る。このような媒体は、例えばガラス材料またはAl合
金からなる所要の平行度、平面度および表面粗さに機械
加工された非磁性の基板1の表面に無電界めっきのよう
な湿式成膜工程、または真空中におけるスパッタ、蒸着
等のようなドライ工程によりNi−PまたはAl膜から
なる第1下地層2を形成して非磁性の基体11とする。
この後、機械加工、レーザ加工により、所定の平面度お
よび表面粗さに再度加工する。その後、洗浄等により、
基体11の表面を清浄な状態とする。次に真空中にて、
50〜300℃に加熱し、基体に直流バイアス電圧を約
−200V印加しながらdcスパッタ法を用い、表面に
Crからなる膜厚約50nmの第2下地層3、Coを主
とするCoCrPtTa等のような膜厚約30nmの磁
性層4およびCを主とする膜厚約10nmの保護層5を
形成する。その後、大気中にて保護層5上に潤滑層6と
してフロロカーボン系の液体潤滑剤を膜厚1nm塗布
し、磁気記録媒体が作製される。このように作製された
媒体は、強度、寸法精度等の機械特性は実用上支障なく
良好であり、磁気特性もHcが約2000Oe程度、か
つ残留磁束密度と膜厚の積(Brt)が150Gμm程
度と良好である。磁化曲線のHc近傍の傾き(S*
も、0.85程度と良好である。
【0003】この場合の第2下地層3を2分割し、第1
層としてNiAl層、第2層としてCr層を用い、磁性
層4としてCoCr10Pt18(at.%)を全てrfス
パッタ法により形成した場合、3000Oe以上の高い
Hcが得られることが報告されている(Li-Lien Lee, e
t al : IEEE Trans. Magn., 31, 2728 (1995) 参照)。
【0004】本発明は、これらの報告をさらに改良した
技術に関する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】最近、情報の多量化、
多様化が急速に進み、情報の大量処理の必要性から固定
磁気ディスク装置の高記録密度化、大容量化が強く望ま
れている。そのため、磁気記録媒体には、高い線記録密
度を有し、ノイズ(N)を小さくし、良好な電磁変換特
性を有することが望まれる。低ノイズ化のためには、磁
性粒子の粒径が小さく、かつ磁気的な孤立度が高いこと
が必要であり(M. Takahashi, et al : IEEE Trans. Ma
gn., 31, 2833 (1995)参照)、高い線記録密度を維持す
るためにはある程度Hcが高いことが必要である。
【0006】さらに、磁気記録媒体は大量に生産して1
個あたりの値段を安くし、かつ良品率(歩留り)を高く
する必要がある。そのためには、より簡単な製造方法を
用いることが望ましい。
【0007】この発明は、これらの点を鑑みてなされた
ものであって、Hcが高く、粒径が小さく、磁気的な分
離度が高く、かつHcが約4kOe程度と高い媒体を従
来からのプロセスと同様、または若干簡便に作製するこ
とを可能とすることを課題とする。結果として線記録密
度が高く、かつノイズが小さい媒体を安定に、量産する
ことを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による磁気記録媒体は、非磁性基板上に、非
磁性金属下地層、磁性層および保護層を順次スパッタ法
で積層形成してなる磁気記録媒体において、前記非磁性
金属下地層がNiAlにW,Ta,Hf,Mo,Cr,
ZrおよびNbの中から1元素以上を加えた合金膜から
なることを特徴とする。
【0009】ここで、前記非磁性金属下地層の合金膜組
成が、Nix Al1-x-y y (ただし、x=0.05〜
0.3、y=0.01〜0.08:原子濃度、ZはW,
Ta,Hf,Mo,Cr,ZrおよびNbの中から選択
された1種以上の元素を示し、それらの元素の原子濃度
を全て加えた値をyとする)であるとよい。
【0010】本発明による磁気記録媒体の製造方法は、
非磁性基板上に、上述した非磁性金属下地層、磁性層お
よび保護層を順次積層形成することを特徴とする。
【0011】ここで、前記非磁性金属下地層をdcスパ
ッタ法により、前記磁性層をrfスパッタ法により成膜
することが望ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明においては、特別の組成を
有する単層の非磁性金属下地層を用いる。
【0013】すなわち、本発明の磁気記録媒体は、図1
に示した従来例と同様に基体11上に、非磁性金属下地
層13、磁性層4、その上に保護層5を順次スパッタま
たは蒸着して積層形成された磁気記録媒体において、非
磁性金属下地層13がNiAlに、W,Ta,Hf,M
o,Cr,ZrおよびNbの中から1元素以上を加えた
合金膜を用いる。さらには、その合金膜の組成をNix
Al1-x-y y (x=0.05〜0.3、y=0.01
〜0.08:原子濃度)とする。
【0014】基体11はガラス基板であってもよく、ガ
ラス基板の表面にCr薄膜層またはCr/Al薄膜層を
形成して基体としてもよい。
【0015】また、このような媒体作製には、非磁性金
属下地層の成膜には、dcスパッタ法を用い、磁性層の
成膜にはrfスパッタ法を用いる。基板バイアス印加を
施さずとも約4kOe程度のHcを得ることができる。
基板バイアスを印加すると、さらに高いHcを得ること
ができる。
【0016】上記のような構成にすることによって、高
い線記録密度を有し、低ノイズを維持し得る媒体を作製
することができる。
【0017】また、このような高品質媒体を安定に量産
することも可能となる。
【0018】
【実施例】
実施例1 第1の実施例について述べる。所定の平行度、平面度お
よび表面粗さを有するガラスからなる非磁性の基板上に
所定の真空中で、ランプヒータにより所定の温度に加熱
後dcスパッタ法により非磁性金属下地層を、rfスパ
ッタ法により磁性層を順次成膜する。ここでは、図1に
示した従来例における第1下地層は成膜せず、あるいは
Cr層を第1下地層としてもよい。この際の主な成膜条
件を表1に示す。膜構成についての表記は、以下、Gl
ass/dc40nmCr(0V)/(大気暴露)/d
c約70nmNiAlZ(−200V)/rf約20n
mCoCrPtB(0V)とした場合、ガラス基板上
に、dcスパッタ法で基板バイアス0Vにて40nmの
厚さのCrを成膜し、一回大気暴露し、その後排気し
て、dcスパッタ法で基板バイアス電圧−200Vにて
約70nmの厚さのNiAlZ膜を成膜し、次にrfス
パッタ法で基板バイアス電圧0Vにて約20nmのCo
CrPtB膜を成膜した試料ということを表す。
【0019】
【表1】
【0020】図2にNiAlターゲット上に各チップを
6〜16個載せた場合のGlass/dc約70nm
(実際には65〜80mm)NiAlZ(0V)/rf
約16nmCoCrPtB(0V)のような層構成の膜
について、それぞれHc,BrtおよびS* (グラフ上
では100×S* )を示す。NiAl下地の場合を最も
左端に示すように、Hcは約1500Oe値をとる。H
cはW,Ta,Hf,Mo,Cr,ZrまたはNbチッ
プを添加すると増加する。特にW8チップ、Ta16チ
ップまたはHf8チップ添加した複合ターゲットを用い
た場合においてHcは2800Oe以上の大きな値を示
す。Brt,S* はNiAlターゲットにPt16チッ
プ添加した場合極端に低下するが、その他はチップ構成
に大きく依存せず、それぞれ約80〜110Gμm、
0.080〜0.90である。
【0021】図3にNiAlZ(ZはW,Hf,Mo,
Ta)膜組成の複合ターゲット条件(Zのチップ添加
数)依存性を示す。同図よりWチップを添加することで
Alリッチな膜となり、8チップの場合極大を示し、W
組成はWチップの添加に伴いやや増加するものの10a
t.%以下であることがわかる。Hf,Mo,Taの組
成はチップ数と共に増加する。表1に示したチップ面積
を参照すると、HfおよびTaは同一のチップ面積の場
合Wより高組成になり、Moの濃度はWと同程度であ
る。またHfの添加により、Alの濃度に大きな変化は
ないが、Niの濃度は減少する。MoおよびTaの添加
によりAlリッチとなり、Niの濃度は減少する。
【0022】さらに、NiAl膜およびNiAlW膜に
ついて基板に印加する電圧が膜組成に与える影響を調べ
た。結果を図4に示す。NiAl膜の場合はバイアス印
加の有無に依らずNiとAlの組成に大きな違いはみら
れないが、NiAlWの場合はバイアスを印加するとW
およびNiが増えAlが減って、結果的にNiAl+1
2Wの0バイアスの場合と組成は近くなる。原因として
は逆スパッタ等の効果が考えられる。
【0023】実施例2 次に最もHcが大きくなったW添加の場合に着目し、実
施例1と同様な成膜条件にてWチップ数を4,6,8,
10,12のように変えて、磁気特性、膜組成および結
晶構造の変化を調べた。
【0024】(1)磁気特性についてのNiAlW下地
膜の組成依存性 図5,図6,図7にNiAlターゲット上にWチップを
4〜12個載せた場合のGlass/dc約79nmN
iAl(0V)/rf約20nmCoCrPtB(0
V)膜について、それぞれHc,BrtおよびS* を示
す。Hcは0チップの場合約1700Oeの値をとり、
W6〜10チップにおいて極大を示し約3400Oeの
値をとり、12チップの場合はそれよりやや減少する傾
向がある。Brt,S* はチップ構成に大きく依存せ
ず、それぞれ約120Gμm、0.88である。
【0025】以上の結果から、非磁性体金属下地層の組
成の望ましい範囲はNi0.05〜0.3at.%、A
l0.65〜0.96at.%、W0.01〜0.08
at.%である。Ta,Hf,Mo,Cr,Zrおよび
Nbの望ましい組成範囲はWと同様である。
【0026】図8に回転ヒステリシス損失(トルク解
析)より求めたHpとHkG.の比(Hp/HkG.)
について、NiAlW組成依存性を示す。ここでHpは
レマネンスコーシビィティー(不可逆な磁化反転によっ
て定まる抗磁力)であり、回転ヒステリシス損失のピー
クの磁界によって定まる量である。HkG.は回転ヒス
テリシス損失が消失する磁界であり、結晶粒内の異方性
磁界にほぼ一致する。HkGは結晶粒の配向および粒内
の磁化反転機構に依存しない。W0チップからWチップ
数が増加するに従ってHp/HkG.が増加し、W8チ
ップにおいて極大値0.45をとり、それからさらにW
チップを増加させるとHp/HkG.が減少する。W8
チップの場合においてHp/HkG.が高くなってお
り、このことは結晶粒間の磁気的な結合が弱いこと、す
なわち磁気的な孤立度が高いことを示す。
【0027】(2)結晶構造解析との相関 図9にW8チップの場合のθ−2θ法によるX線回折パ
ターンを示す。同図では、NiAl(110)およびC
oCrPtB(100)面が膜面と平行に配向してい
る。このNiAl(110)およびCoCrPtB(1
00)面の面間隔、dNiAl(110),dCoCr
PtB(100)およびNi(110)とCoCrPt
B(100)のX線回折ピークの半値幅FWHM−Ni
Al(110),FWHM−CoCrPtB(100)
のWチップ数依存性を図9に示す。dNiAl(11
0)は0チップの場合約2.046Åの値をとり、Wチ
ップを加えていくと単調に増加し、8チップでは2.0
71Å、さらに12チップでは2.081Åの値をと
る。dCoCrPtB(100)は、0チップから12
チップに変化するに従いほとんど変化しなかった。次に
NiAl(110)半値幅は、0チップではピーク強度
が低いこととCoCrPtB(002)の重畳等から正
確に測定されないが、4から12チップへとチップ数が
増えるに従って単調に減少し0.762degから0.
711degの値をとる。つまりNiAlの粒径がやや
大きくなっている、または格子歪みが小さくなっている
と考えられる。一方、CoCrPtB(100)の半値
幅は0チップの場合0.756degの値をとり、8チ
ップに増えると大きく減少し0.621degの値をと
り、12チップに増えるとやや増加し0.647deg
の値をとる。8チップの場合において、CoCrPtB
の粒径が最も大きい、または格子歪みが小さくなってい
ると考えられる。
【0028】図10におけるdNiAl(110)およ
びFWHM−CoCrPtB(100)値を横軸に用い
て、Hcの値を、それぞれ図11,図12に示す。図1
3に示すようにHcはdNiAl(110)の増加に伴
い増加する傾向がある。図12に示すようにFWHM−
CoCrPtB(100)が減少するとHcが増加する
傾向がある。つまり、dNiAl(110)がW添加に
より増加し、CoCrPtB層の結晶性が良くなり(結
晶粒径が大きく、または格子歪みが小さくなり)、Hc
が増加したと考えられる。
【0029】次にCoCrPtB膜の粒径について述べ
る。図13にGlass/dc50nmNiAl8W
(0V)/dc15nmCoCrPtB(0V)の透過
電顕(TEM)像(倍率30万倍)を示すようにCoC
rPtB粒子径は約100Åであった。Cr下地の場合
との比較のために、成膜条件および磁性材料等が異なる
が、図14にGlass/Cr/CoCrPtTaの場
合の同じ倍率のTEM像を示す。Glass/Cr/C
oCrPtTaの磁気特性はHc=2300Oe、Br
t=100Gμmであり、従来の磁性材料を用いた場合
では、粒径は先のNiAlW下地膜の場合の倍以上であ
った。なお、TEM観察からはW0チップとW8チップ
の場合とでは大きな差異はみられなかった。
【0030】実施例3 ・基板バイアス効果 実施例2における、下地層成膜時の基板バイアス依存性
について、述べる。主な成膜条件は実施例1および2と
同様であるが、基板にはガラスを用い40nmCrを予
め成膜し、一回大気に曝し、排気後、NiAl膜、Co
CrPtB膜の成膜を行った。
【0031】図15,図16および図17にNiAlタ
ーゲット上にWチップを0、8個載せた場合のGlas
s/40nmCr/(大気暴露)/dc約79nmNi
AlZ(XV)/rf約16nmCoCrPtB(0
V)膜について、それぞれHc,BrtおよびS* の下
地層成膜時の基板バイアス電圧依存性を示す。Hcはい
ずれの場合も、下地層成膜時の基板バイアス電圧の増加
に伴い、単調に増加する。特に0チップの場合がW8チ
ップの場合と比較して増加の割合が大きいが、W8チッ
プの場合を上回ることはない。
【0032】BrtはW0チップの場合は下地層成膜時
の基板バイアス印加電圧の減少に伴いやや減少する傾向
があるが、W8チップの場合は基板バイアス印加電圧を
変化させても大きな変化はみられなかった。S* はほぼ
0.8から0.85の値をとる。
【0033】図18に、下地層成膜時の基板バイアス電
圧を印加した試料および印加しない試料について、実施
例2の場合と同様にθ−2θ法によるX線回折パターン
から得られたdNiAl(110)を横軸にとり、縦軸
にHc,HpおよびHkG値を示す。図18において、
データ群A1 、およびA2 はそれぞれ図15〜図17の
Gl./Cr/dc79NiAl(XV)/rf16C
oCrPtB(0V)における基板バイアス電圧0Vお
よび−200Vの場合である。一方、データ群B1 およ
びB2 はそれぞれGl./Cr/dc79NiAl8W
(XV)/rf16CoCrPtB(0V)の基板バイ
アス電圧0Vおよび−200Vの場合である。データ群
3 およびB3 は基体としてCrを成膜しないガラス基
板を用い、基板バイアス電圧0Vの場合、すなわちそれ
ぞれGlass/dc79NiAl(0V)/rf16
CoCrPtB(0V)およびGlass/dc79N
iAl8W(0W)/rf16CoCrPtB(0V)
の場合である。さらに、データCはGlass/dc7
9NiAl12W(0V)/rf16CoCrPtB
(0V)のHcを示す。
【0034】W0チップの場合とW8チップの場合では
ガラス基板にCr薄膜を形成するといずれの場合もdN
iAl(110)は低下し、それは下地Crの(11
0)面間隔、dCr(110)=2.033A<dNi
Al(110)の影響を受けたためと考えられる。その
時Hcはいずれも増加しており、それはdNiAl(1
10)の変化とCr薄膜形成によるNiAl膜の成膜時
およびCoCrPtB膜の成膜時の基板温度保温効果に
よると考えられる。基板加熱時間を長くした場合、Hc
が増加することと同様と考える。次に、NiAlまたは
NiAlW膜組成を一定とし基板バイアス電圧を印加す
ると、NiAlおよびNiAlW(G1./NiAl1
2W(0V)、GI./Cr/NiAl8W(−200
V))では同様Hcは増加するが、dNiAl(11
0)は前者では減少し、後者では増加する。G1./N
iAl12W(0V)のdNiAl(110)は2.0
81Å、G1./Cr/NiAl8W(−200V)の
dNiAl(110)は2.068Åであり、その差が
0.013Åである。一方、NiAlの場合はその差は
0.014Åであり、NiAlW膜の場合と近い値であ
る。上層のCoCrPtB層との格子マッチングは、放
射光を用いた平面内の磁性粒子の構造解析の結果、dC
oCrPtB(002)は2.07366Åであり、一
方dNiAl(110)は2.0362Å(ミスフィッ
ト1.8%)、dNiAl(110)は2.05182
Å(ミスフィット1.1%)であり僅かに、NiAlW
の方が優れる。しかし、基板バイアス電圧の印加または
Cr膜形成の結果と必ずしも一致しておらず、Cr膜形
成または基板バイアス印加は成膜雰囲気中の不純なガス
を吸着するゲッター作用や、ガラス基板からの放出ガス
を抑制する効果、下地層Ni,Al,W等逆スパッタの
効果によりCoCrPtB膜中の磁気的な孤立度を上げ
ることが原因と考えられる。同図より、下地膜としてN
iAl膜を用いる場合とNiAlW膜を用いる場合とで
は、基板バイアス印加による下地膜の格子歪みがまった
く逆に生ずるにもかかわらず、すなわち、NiAl膜の
場合はNiAl(110)の面間隔が減少し、NiAl
W膜の場合には面間隔が増加するにもかかわらず、Hc
等の磁気特性は同様に変化している。従って、W添加の
効果は従来のNiAl膜の場合のHc導出とは異なるメ
カニズムに起因するものと考えられる。その原因として
はNiAl2元系に比較して、Wが添加された3元系の
場合ではCoCrPtB膜を成膜する際のNiAlW下
地膜中のWの表面拡散、Wの脱ガス効果(ゲッター作
用)も付随すること等が考えられるが、決定的な要因は
今のところ不明である。なお、図10,図11に示した
結果と図18の結果を比較すると、NiAlW下地膜形
成時のバイアス電圧の印加は、Wの量を増加させるのと
同様の効果をもたらすことがわかる。
【0035】NiAlWはNiAlよりCoCrPtB
との格子マッチングに優れると考えられるので、この点
を確かめるために以下の実験を行った。表2に示すよう
に、NiAlW下地膜およびNiAl下地膜の形成条件
を変えて磁気記録媒体を作製し、そのHcおよびCoC
rPtBの(002)ピークの半値幅、FWHM−Co
CrPtB(002)を測定した。表2中にはCr膜の
有無、基板バイアス電圧以下の有無、以外に、参考とし
て下地膜の厚さを変えた場合および磁性膜の形成に通常
のrfスパッタ法でなくdcスパッタ法を採用した例も
示してある。
【0036】
【表2】
【0037】図19は表2の結果を横軸にFWHM−C
oCrPtB(002)を、縦軸にHcをとってグラフ
化したものである。図19において、NiAlW下地膜
は黒丸で、NiAl下地膜は白丸で示してあるが、全体
の傾向として、FWHM−CoCrPtB(002)の
減少と共にHcが増加している。そして、NiAlW下
地膜はNiAl下地膜に比較してFWHM−CoCrP
tB(002)が小さく、Hcが大きい。Cr膜の形成
は、代表的なものを点線の矢印で示すように、Hcを増
加させ、NiAl下地膜の場合はHcの増加と共にFW
HM−CoCrPtB(002)を減少させる。バイア
ス電圧の印加は、代表的な例を実線の矢印で示すように
Hcを増加させ、FWHM−CoCrPtB(002)
を減少させる。これらのことから、NiAlW下地膜は
NiAl下地膜よりCoCrPtB磁性膜との格子マッ
チングに優れており、さらに基板バイアス電圧の印加は
前述したゲッター作用および下地膜の逆スパッタを促進
しているため、CoCrPtB膜の結晶性が良くなった
(粒径が若干増加し、格子歪みが減少した)ことが考え
られ、Hcの増加と良く一致する。
【0038】さらに、下地膜の厚さについて言えば、試
料番号2と3、4と5、9と10、11と12の比較か
ら明らかなように、35nmでは薄過ぎる。また、磁性
膜形成のためのスパッタ方式は、試料番号1と6、2と
8、8と13、9と14の比較から、rfスパッタが優
れているということができる。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高い線記録密度を有し、低ノイズを維持しうる媒体を作
製することができた。
【0040】またこのような高品質媒体を安定に量産す
ることも可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の磁気記録媒体の構成を示す模式的な断面
図である。
【図2】NiAlX複合ターゲットを用いた場合の媒体
の磁気特性を示す図である。
【図3】NiAlX膜の組成の複合ターゲット条件依存
性を示す図である。
【図4】NiAl下地膜およびNiAlW下地膜の組成
の基板バイアス電圧依存性を示す図である。
【図5】HcのNiAlW複合ターゲット条件依存性を
示す図である。
【図6】BrtのNiAlW複合ターゲット条件依存性
を示す図である。
【図7】S* のNiAlW複合ターゲット条件依存性を
示す図である。
【図8】Hp/HkG.のNiAlW複合ターゲット条
件依存性を示す図である。
【図9】Gl./NiAlW/CoCrPtB膜のX線
回折パターンを示す図である。
【図10】X線回折測定結果の複合ターゲット条件依存
性を示す図である。
【図11】HcのdNiAl(110)依存性を示す図
である。
【図12】HcのFWHM−CoCrPtB(100)
依存性を示す図である。
【図13】Glass/dc50nmNiAl(0V)
/rf15nmCoCrPtB(0V)膜の透過電子顕
微鏡写真である。
【図14】Glass/Cr/dcCr(−200V)
/dcCoCrPtTa(−200V)膜の透過電子顕
微鏡写真である。
【図15】NiAlWおよびNiAl膜のHcの下地層
成膜時の基板バイアス依存性を示す図である。
【図16】NiAlWおよびNiAl膜のBrtの下地
層成膜時の基板バイアス依存性を示す図である。
【図17】NiAlWおよびNiAlのS* の下地層成
膜時の基板バイアス依存性を示す図である。
【図18】下地層成膜時の基板バイアス印加の有る場合
および無い場合のHcのdNiAl(110)依存性を
示す図である。
【図19】FWHM−CoCrPtB(002)とHc
との関係を示す図である。
【符号の説明】
1 基板 2 第1下地層 3 第2下地層 4 磁性層 5 保護層 6 潤滑層 11 基本 13 非磁性金属下地層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 滝澤 直樹 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 (72)発明者 榎本 一雄 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 非磁性基体上に、非磁性金属下地層、磁
    性層および保護層を順次スパッタ法で積層形成してなる
    磁気記録媒体において、前記非磁性金属下地層がNiA
    lにW,Ta,Hf,Mo,Cr,ZrおよびNbの中
    から1元素以上を加えた合金膜からなることを特徴とす
    る磁気記録媒体。
  2. 【請求項2】 前記非磁性金属下地層の合金膜組成が、
    Nix Al1-x-y y (ただし、x=0.05〜0.
    3、y=0.01〜0.08:原子濃度、ZはW,T
    a,Hf,Mo,Cr,ZrおよびNbの中から選択さ
    れた1種以上の元素を示し、それらの元素の原子濃度を
    全て加えた値をyとする)であることを特徴とする請求
    項1に記載の磁気記録媒体。
  3. 【請求項3】 前記非磁性基体がガラス基板であること
    を特徴とする請求項1または2に記載の磁気記録媒体。
  4. 【請求項4】 前記非磁性基体が表面にCr薄膜または
    Cr/Al薄膜が形成されたガラス基板であることを特
    徴とする請求項1または2に記載の磁気記録媒体。
  5. 【請求項5】 非磁性基体上に、請求項1または2に記
    載の非磁性金属下地層、磁性層および保護層を順次積層
    形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記非磁性金属下地層をdcスパッタ法
    により、前記磁性層をrfスパッタ法により成膜するこ
    とを特徴とする請求項3に記載の磁気記録媒体の製造方
    法。
  7. 【請求項7】 前記非磁性金属下地層のスパッタ形成時
    に前記基体に負のバイアス電圧を印加することを特徴と
    する請求項6に記載の磁気記録媒体の製造方法。
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