JPH10111183A - 差温度測定装置 - Google Patents
差温度測定装置Info
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- JPH10111183A JPH10111183A JP26446096A JP26446096A JPH10111183A JP H10111183 A JPH10111183 A JP H10111183A JP 26446096 A JP26446096 A JP 26446096A JP 26446096 A JP26446096 A JP 26446096A JP H10111183 A JPH10111183 A JP H10111183A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度センサから導出されるリード線を接続す
る接続端子の数を低減して小形化に寄与するように改良
された差温度測定装置を提供するにある。 【解決手段】 一対の抵抗温度素子からなり３本のリー
ド線が導出される温度センサと、一対の先の抵抗温度素
子に先のリード線を介して同一の定電流を流す定電流源
と、先の各リード線を介して検出した検出電圧を用いて
一対の先の抵抗温度素子の差抵抗値を演算する差演算手
段と、予めメモリに格納された先のリード線のリード抵
抗の予測値と先の検出電圧を用いて一対の先の抵抗温度
素子の平均抵抗値を演算する平均値演算手段と、抵抗値
に対する抵抗値変化係数との関係が格納された換算テー
ブルと、先の換算テーブルを用いて先の平均抵抗値に対
応する抵抗変化係数を演算する係数演算手段と、この抵
抗値変化係数と先の差抵抗値を用いて温度差を演算する
温度差演算手段とを具備するようにしたものである。
る接続端子の数を低減して小形化に寄与するように改良
された差温度測定装置を提供するにある。 【解決手段】 一対の抵抗温度素子からなり３本のリー
ド線が導出される温度センサと、一対の先の抵抗温度素
子に先のリード線を介して同一の定電流を流す定電流源
と、先の各リード線を介して検出した検出電圧を用いて
一対の先の抵抗温度素子の差抵抗値を演算する差演算手
段と、予めメモリに格納された先のリード線のリード抵
抗の予測値と先の検出電圧を用いて一対の先の抵抗温度
素子の平均抵抗値を演算する平均値演算手段と、抵抗値
に対する抵抗値変化係数との関係が格納された換算テー
ブルと、先の換算テーブルを用いて先の平均抵抗値に対
応する抵抗変化係数を演算する係数演算手段と、この抵
抗値変化係数と先の差抵抗値を用いて温度差を演算する
温度差演算手段とを具備するようにしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、測温抵抗体などの
抵抗温度素子を有する温度センサを用いて差温度を測定
する差温度測定装置に係り、特に、この温度センサから
導出されるリード線を接続する接続端子の数を低減して
小形化に寄与するように改良された差温度測定装置に関
する。
抵抗温度素子を有する温度センサを用いて差温度を測定
する差温度測定装置に係り、特に、この温度センサから
導出されるリード線を接続する接続端子の数を低減して
小形化に寄与するように改良された差温度測定装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の第１の差温度測定装置の構
成を示す構成図である。この場合は、２つの抵抗温度素
子が直列に接続された状態で差温度を測定するときの構
成を示している。
成を示す構成図である。この場合は、２つの抵抗温度素
子が直列に接続された状態で差温度を測定するときの構
成を示している。
【０００３】抵抗温度素子として一対の測温抵抗体１０
と１１とが用いられているが、これらの測温抵抗体１０
と１１からは、それぞれ通常３本のリード線Ｌ11、
Ｌ12、Ｌ 13及びＬ21、Ｌ22、Ｌ23がそれぞれ引き出さ
れ、これにより温度センサ１２、１３を構成している。
と１１とが用いられているが、これらの測温抵抗体１０
と１１からは、それぞれ通常３本のリード線Ｌ11、
Ｌ12、Ｌ 13及びＬ21、Ｌ22、Ｌ23がそれぞれ引き出さ
れ、これにより温度センサ１２、１３を構成している。
【０００４】そして、ここでは、測温抵抗体１０の抵抗
はＲt1で、測温抵抗体１１の抵抗はＲt2で、各リード線
Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13およびＬ21、Ｌ22、Ｌ23の有する抵抗
はＲ L11、ＲL12、ＲL13およびＲL21、ＲL22、ＲL23で、
それぞれ代表して記載してある。
はＲt1で、測温抵抗体１１の抵抗はＲt2で、各リード線
Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13およびＬ21、Ｌ22、Ｌ23の有する抵抗
はＲ L11、ＲL12、ＲL13およびＲL21、ＲL22、ＲL23で、
それぞれ代表して記載してある。
【０００５】端子板１４は、端子Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3、Ｔ4を
有し、端子Ｔ1にはリード線Ｌ11の一端が、端子Ｔ2には
リード線Ｌ13とＬ21の一端が、端子Ｔ3にはリード線Ｌ
22の一端が、端子Ｔ4にはリード線Ｌ23の一端が、それ
ぞれ接続されている。
有し、端子Ｔ1にはリード線Ｌ11の一端が、端子Ｔ2には
リード線Ｌ13とＬ21の一端が、端子Ｔ3にはリード線Ｌ
22の一端が、端子Ｔ4にはリード線Ｌ23の一端が、それ
ぞれ接続されている。
【０００６】さらに、リード線Ｌ11の他端は測温抵抗体
１０の一端に、測温抵抗体１０の他端は一端が開放され
たリード線Ｌ12の他端とリード線Ｌ13の他端に、それぞ
れ接続されている。
１０の一端に、測温抵抗体１０の他端は一端が開放され
たリード線Ｌ12の他端とリード線Ｌ13の他端に、それぞ
れ接続されている。
【０００７】また、リード線Ｌ21の他端は測温抵抗体１
１の一端に、測温抵抗体１１の他端は一端が端子Ｔ3に
接続されたリード線Ｌ22の他端とリード線Ｌ23の他端
に、それぞれ接続されている。
１の一端に、測温抵抗体１１の他端は一端が端子Ｔ3に
接続されたリード線Ｌ22の他端とリード線Ｌ23の他端
に、それぞれ接続されている。
【０００８】このようにして、測温抵抗体１０と１１が
直列に接続された直列回路に、端子Ｔ1に接続された定
電流源１５から定電流Ｉが共通電位点ＣＯＭに接続され
た端子Ｔ4に向かって流される。
直列に接続された直列回路に、端子Ｔ1に接続された定
電流源１５から定電流Ｉが共通電位点ＣＯＭに接続され
た端子Ｔ4に向かって流される。
【０００９】各端子Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3、Ｔ4に発生した電圧
Ｖ01、Ｖ02、Ｖ03、Ｖ04は、アナログ／デジタル変換器
（ＡＤＣ）１６に入力され、ここでデジタル信号に変換
されてマイクロコンピュータユニット１７に出力され
る。
Ｖ01、Ｖ02、Ｖ03、Ｖ04は、アナログ／デジタル変換器
（ＡＤＣ）１６に入力され、ここでデジタル信号に変換
されてマイクロコンピュータユニット１７に出力され
る。
【００１０】マイクロコンピュータユニット１７は、リ
ードオンリーメモリＲＯＭ、ランダムアクセスメモリＲ
ＡＭ、マイクロプロセッサＣＰＵなどで構成され、これ
等により後述する演算を実行して温度差信号ΔＴ1を出
力する。リードオンリーメモリＲＯＭには各種の演算式
及びパラメータが格納されており、ランダムアクセスメ
モリＲＡＭには温度センサから読み込まれたデータ等が
格納される。
ードオンリーメモリＲＯＭ、ランダムアクセスメモリＲ
ＡＭ、マイクロプロセッサＣＰＵなどで構成され、これ
等により後述する演算を実行して温度差信号ΔＴ1を出
力する。リードオンリーメモリＲＯＭには各種の演算式
及びパラメータが格納されており、ランダムアクセスメ
モリＲＡＭには温度センサから読み込まれたデータ等が
格納される。
【００１１】次に、図７に示すフローチャートを用いて
温度差信号ΔＴ1を算出する手順について説明する。な
お、簡単のため、各リード線Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13、Ｌ21、
Ｌ22、Ｌ23の抵抗ＲL11、ＲL12、ＲL13、ＲL21、
ＲL22、ＲL23は等しいものとして説明する。
温度差信号ΔＴ1を算出する手順について説明する。な
お、簡単のため、各リード線Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13、Ｌ21、
Ｌ22、Ｌ23の抵抗ＲL11、ＲL12、ＲL13、ＲL21、
ＲL22、ＲL23は等しいものとして説明する。
【００１２】定電流源１５から温度センサ１２、１３に
定電流Ｉを流すと、端子Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3、Ｔ4には、電圧
Ｖ01、Ｖ02、Ｖ03、Ｖ04がそれぞれ発生する。ステップ
１として、マイクロプロセッサＣＰＵは、これらの電圧
をアナログ／デジタル変換器１６を介してデジタル信号
としてランダムアクセスメモリＲＡＭの所定領域に格納
する。
定電流Ｉを流すと、端子Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3、Ｔ4には、電圧
Ｖ01、Ｖ02、Ｖ03、Ｖ04がそれぞれ発生する。ステップ
１として、マイクロプロセッサＣＰＵは、これらの電圧
をアナログ／デジタル変換器１６を介してデジタル信号
としてランダムアクセスメモリＲＡＭの所定領域に格納
する。
【００１３】つぎに、ステップ２に移行し、ランダムア
クセスメモリＲＡＭに格納されたＶ 03及びＶ04と、既に
ランダムアクセスメモリＲＡＭの所定領域に格納されて
いる定電流値Ｉを用いて、次式によりリード線Ｌ23の抵
抗値ＲL23は、 ＲL23＝（Ｖ03−Ｖ04）／Ｉ （１） で算出される。
クセスメモリＲＡＭに格納されたＶ 03及びＶ04と、既に
ランダムアクセスメモリＲＡＭの所定領域に格納されて
いる定電流値Ｉを用いて、次式によりリード線Ｌ23の抵
抗値ＲL23は、 ＲL23＝（Ｖ03−Ｖ04）／Ｉ （１） で算出される。
【００１４】つぎに、ステップ３に移行する。ここで、
ＲL23＝ＲL11＝ＲL13としているので、 Ｖ01−Ｖ02＝（Ｒt1＋ＲL11＋ＲL13）Ｉ ＝（Ｒt1＋２ＲL23）Ｉ となる。従って、Ｒt1は Ｒt1＝［（Ｖ01−Ｖ02）／Ｉ］−２ＲL23 （２） の関係から、求めることができる。
ＲL23＝ＲL11＝ＲL13としているので、 Ｖ01−Ｖ02＝（Ｒt1＋ＲL11＋ＲL13）Ｉ ＝（Ｒt1＋２ＲL23）Ｉ となる。従って、Ｒt1は Ｒt1＝［（Ｖ01−Ｖ02）／Ｉ］−２ＲL23 （２） の関係から、求めることができる。
【００１５】なお、これらの演算式（１）、（２）は予
めリードオンリーメモリＲＯＭの中に格納されてある。
さらに、ここで求めた測温抵抗体１０の抵抗Ｒt1と温度
との対応関係もリードオンリーメモリＲＯＭに予め格納
されているので、抵抗Ｒt1から測温抵抗体１０で測定し
ている温度Ｔ1を知ることができる。
めリードオンリーメモリＲＯＭの中に格納されてある。
さらに、ここで求めた測温抵抗体１０の抵抗Ｒt1と温度
との対応関係もリードオンリーメモリＲＯＭに予め格納
されているので、抵抗Ｒt1から測温抵抗体１０で測定し
ている温度Ｔ1を知ることができる。
【００１６】次に、ステップ４に移行する。ここで、Ｒ
L23＝ＲL21としているので、 Ｖ02−Ｖ04＝（Ｒt2＋ＲL21＋ＲL23）Ｉ ＝（Ｒt1＋２ＲL23）Ｉ となる。
L23＝ＲL21としているので、 Ｖ02−Ｖ04＝（Ｒt2＋ＲL21＋ＲL23）Ｉ ＝（Ｒt1＋２ＲL23）Ｉ となる。
【００１７】従って、Ｒt2は Ｒt2＝［（Ｖ02−Ｖ04）／Ｉ］−２ＲL23 （３） の関係から、求めることができる。このためステップ３
と同様にして、抵抗Ｒt2から測温抵抗体１１で測定して
いる温度Ｔ2を知ることができる。
と同様にして、抵抗Ｒt2から測温抵抗体１１で測定して
いる温度Ｔ2を知ることができる。
【００１８】ステップ５では、ステップ３と４で求め、
ランダムアクセスメモリＲＡＭに格納されている温度Ｔ
1とＴ2とを用いて、マイクロプロセッサＣＰＵはこれら
の差演算を実行して差温度ΔＴ1を算出する。
ランダムアクセスメモリＲＡＭに格納されている温度Ｔ
1とＴ2とを用いて、マイクロプロセッサＣＰＵはこれら
の差演算を実行して差温度ΔＴ1を算出する。
【００１９】図８は従来の第２の差温度測定装置の構成
を示す構成図である。この場合は、２つの抵抗温度素子
を切り換えて検出した電圧を用いて差温度を測定すると
きの構成を示している。なお、これ以後の説明におい
て、図６に示す構成要素と同一の機能を有する構成要素
については、同一の符号を付して適宜にその説明を省略
する。
を示す構成図である。この場合は、２つの抵抗温度素子
を切り換えて検出した電圧を用いて差温度を測定すると
きの構成を示している。なお、これ以後の説明におい
て、図６に示す構成要素と同一の機能を有する構成要素
については、同一の符号を付して適宜にその説明を省略
する。
【００２０】端子板１４の端子Ｔ1にはリード線Ｌ11の
一端が、端子Ｔ2にはリード線Ｌ21の一端が、端子Ｔ3に
はリード線Ｌ12の一端が、端子Ｔ4にはリード線Ｌ13と
Ｌ23の一端が、それぞれ接続されている。そして、測温
抵抗体１０と１１には、これ等のリード線の他端が図６
に示す接続と同一の接続がされている。なお、リード線
Ｌ22の一端は開放されている。
一端が、端子Ｔ2にはリード線Ｌ21の一端が、端子Ｔ3に
はリード線Ｌ12の一端が、端子Ｔ4にはリード線Ｌ13と
Ｌ23の一端が、それぞれ接続されている。そして、測温
抵抗体１０と１１には、これ等のリード線の他端が図６
に示す接続と同一の接続がされている。なお、リード線
Ｌ22の一端は開放されている。
【００２１】定電流源１５からスイッチ１８、端子
Ｔ1、測温抵抗体１０を介して定電流Ｉが共通電位点Ｃ
ＯＭに向かって流れるように、さらに定電流源１５から
スイッチ１８、端子Ｔ2、測温抵抗体１１を介して定電
流Ｉが共通電位点ＣＯＭに向かって流れるように接続さ
れている。
Ｔ1、測温抵抗体１０を介して定電流Ｉが共通電位点Ｃ
ＯＭに向かって流れるように、さらに定電流源１５から
スイッチ１８、端子Ｔ2、測温抵抗体１１を介して定電
流Ｉが共通電位点ＣＯＭに向かって流れるように接続さ
れている。
【００２２】このスイッチ１８の切り換えは、マイクロ
コンピュータユニット１７から出力される切換信号ＳＷ
により切換られる。そして、端子Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3、Ｔ4に
発生する電圧Ｖ11、Ｖ12、Ｖ13、Ｖ14は、アナログ／デ
ジタル変換器１６でデジタル信号に変換されてマイクロ
コンピュータユニット１７に出力され、ここで後述する
所定の演算を実行して差温度ΔＴ2を出力する。
コンピュータユニット１７から出力される切換信号ＳＷ
により切換られる。そして、端子Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3、Ｔ4に
発生する電圧Ｖ11、Ｖ12、Ｖ13、Ｖ14は、アナログ／デ
ジタル変換器１６でデジタル信号に変換されてマイクロ
コンピュータユニット１７に出力され、ここで後述する
所定の演算を実行して差温度ΔＴ2を出力する。
【００２３】次に、図９に示すフローチャートを用いて
差温度ΔＴ2を算出する演算手順について説明する。ス
テップ１では、スイッチ１８を温度センサ１２側に切換
信号ＳＷにより切り換える。
差温度ΔＴ2を算出する演算手順について説明する。ス
テップ１では、スイッチ１８を温度センサ１２側に切換
信号ＳＷにより切り換える。
【００２４】次に、ステップ２に移行して、マイクロプ
ロセッサＣＰＵは、端子Ｔ1、Ｔ3、Ｔ4に発生する電圧
Ｖ11、電圧Ｖ13、電圧Ｖ14をアナログ／デジタル変換器
１６を介してランダムアクセスメモリＲＡＭの所定領域
に格納する。
ロセッサＣＰＵは、端子Ｔ1、Ｔ3、Ｔ4に発生する電圧
Ｖ11、電圧Ｖ13、電圧Ｖ14をアナログ／デジタル変換器
１６を介してランダムアクセスメモリＲＡＭの所定領域
に格納する。
【００２５】ステップ３において、マイクロプロセッサ
ＣＰＵは予めリードオンリーメモリＲＯＭの中に格納さ
れている演算式にしたがって電圧Ｖ11、電圧Ｖ13、電圧
Ｖ14を用いて下記の演算を実行して、リード線Ｌ13の抵
抗ＲL13を求める。 ＲL13＝（Ｖ13−Ｖ14）／Ｉ
ＣＰＵは予めリードオンリーメモリＲＯＭの中に格納さ
れている演算式にしたがって電圧Ｖ11、電圧Ｖ13、電圧
Ｖ14を用いて下記の演算を実行して、リード線Ｌ13の抵
抗ＲL13を求める。 ＲL13＝（Ｖ13−Ｖ14）／Ｉ
【００２６】次に、ステップ４に移行して、マイクロプ
ロセッサＣＰＵは予めリードオンリーメモリＲＯＭの中
に格納されている演算式にしたがって電圧Ｖ11、電圧Ｖ
13、及び予め格納されている定電流値Ｉを用いて下記の
演算を実行して、測温抵抗体１０の抵抗Ｒt1を求め、ラ
ンダムアクセスメモリＲＡＭの所定領域に格納する。 Ｒt1＝［（Ｖ11−Ｖ13）／Ｉ］−ＲL11 （４）
ロセッサＣＰＵは予めリードオンリーメモリＲＯＭの中
に格納されている演算式にしたがって電圧Ｖ11、電圧Ｖ
13、及び予め格納されている定電流値Ｉを用いて下記の
演算を実行して、測温抵抗体１０の抵抗Ｒt1を求め、ラ
ンダムアクセスメモリＲＡＭの所定領域に格納する。 Ｒt1＝［（Ｖ11−Ｖ13）／Ｉ］−ＲL11 （４）
【００２７】なお、ここで（４）式におけるリード線Ｌ
11の抵抗ＲL11は、抵抗ＲL13と等しいとの前提であるの
で、ステップ３で求めた抵抗ＲL13を用いて、測温抵抗
体１０の抵抗Ｒt1を求めることができる。
11の抵抗ＲL11は、抵抗ＲL13と等しいとの前提であるの
で、ステップ３で求めた抵抗ＲL13を用いて、測温抵抗
体１０の抵抗Ｒt1を求めることができる。
【００２８】さらに、測温抵抗体１０の抵抗Ｒt1と温度
との対応関係はリードオンリーメモリＲＯＭに予め格納
されているので、（４）式における抵抗Ｒt1から測温抵
抗体１０で測定している温度Ｔ3を知ることができる。
との対応関係はリードオンリーメモリＲＯＭに予め格納
されているので、（４）式における抵抗Ｒt1から測温抵
抗体１０で測定している温度Ｔ3を知ることができる。
【００２９】ステップ５では、切換信号ＳＷによりスイ
ッチ１８を温度センサ１３側に切り換える。次に、ステ
ップ６に移行して、マイクロプロセッサＣＰＵが、端子
Ｔ2とＴ4にそれぞれ発生する電圧Ｖ12と電圧Ｖ14をアナ
ログ／デジタル変換器１６を介してランダムアクセスメ
モリＲＡＭの所定領域に格納する。
ッチ１８を温度センサ１３側に切り換える。次に、ステ
ップ６に移行して、マイクロプロセッサＣＰＵが、端子
Ｔ2とＴ4にそれぞれ発生する電圧Ｖ12と電圧Ｖ14をアナ
ログ／デジタル変換器１６を介してランダムアクセスメ
モリＲＡＭの所定領域に格納する。
【００３０】次に、ステップ７に移行する。ステップ６
で格納された電圧Ｖ12と電圧Ｖ14、ステップ３で算出し
たリード線の抵抗ＲL13と、予め格納されている定電流
値Ｉを用いて、マイクロプロセッサＣＰＵは下記の演算
を実行して測温抵抗体１１の抵抗Ｒt2を求め、その結果
をランダムアクセスメモリＲＡＭの所定領域に格納す
る。但し、リード線の抵抗ＲL13はＲL21、ＲL23に等し
いとしている。 Ｒt2＝［（Ｖ12−Ｖ14）／Ｉ］−（ＲL21＋ＲL23） ＝［（Ｖ12−Ｖ14）／Ｉ］−２ＲL13 （５）
で格納された電圧Ｖ12と電圧Ｖ14、ステップ３で算出し
たリード線の抵抗ＲL13と、予め格納されている定電流
値Ｉを用いて、マイクロプロセッサＣＰＵは下記の演算
を実行して測温抵抗体１１の抵抗Ｒt2を求め、その結果
をランダムアクセスメモリＲＡＭの所定領域に格納す
る。但し、リード線の抵抗ＲL13はＲL21、ＲL23に等し
いとしている。 Ｒt2＝［（Ｖ12−Ｖ14）／Ｉ］−（ＲL21＋ＲL23） ＝［（Ｖ12−Ｖ14）／Ｉ］−２ＲL13 （５）
【００３１】この後、測温抵抗体１１の抵抗Ｒt2と温度
との対応関係がリードオンリーメモリＲＯＭに予め格納
されているので、（５）式における抵抗Ｒt2から測温抵
抗体１１で測定している温度Ｔ4を知ることができる。
との対応関係がリードオンリーメモリＲＯＭに予め格納
されているので、（５）式における抵抗Ｒt2から測温抵
抗体１１で測定している温度Ｔ4を知ることができる。
【００３２】ステップ８では、ステップ４とステップ７
で求めランダムアクセスメモリＲＡＭに格納されている
温度Ｔ3とＴ4とを用いて、マイクロプロセッサＣＰＵは
これらの差演算を実行して差温度ΔＴ2を算出する。
で求めランダムアクセスメモリＲＡＭに格納されている
温度Ｔ3とＴ4とを用いて、マイクロプロセッサＣＰＵは
これらの差演算を実行して差温度ΔＴ2を算出する。
【００３３】
【発明が解決しようとする課題】以上のような図６、図
８で示されるような従来の差温度測定装置では、温度セ
ンサからの信号を導出するリード線を接続する端子とし
て、少なくとも４個の端子を必要とする。
８で示されるような従来の差温度測定装置では、温度セ
ンサからの信号を導出するリード線を接続する端子とし
て、少なくとも４個の端子を必要とする。
【００３４】しかしながら、最近のフイールド機器はダ
ウンサイジングが進行しており、４本の端子を設けるた
めのスペースを確保するのも困難な状況にあり、このた
め、たとえ１本でも、端子数を低減させる必要がある。
ウンサイジングが進行しており、４本の端子を設けるた
めのスペースを確保するのも困難な状況にあり、このた
め、たとえ１本でも、端子数を低減させる必要がある。
【００３５】そこで、本発明の課題は、差温度を測定す
る一対の温度センサーから導出される端子数として３つ
の端子でこの差温度が測定出来るように改良された差温
度測定装置を提供することにある。
る一対の温度センサーから導出される端子数として３つ
の端子でこの差温度が測定出来るように改良された差温
度測定装置を提供することにある。
【００３６】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の課題を
解決するための構成として、一対の抵抗温度素子からな
り３本のリード線が導出される温度センサと、一対の先
の抵抗温度素子に先のリード線を介して同一の定電流を
流す定電流源と、先の各リード線を介して検出した検出
電圧を用いて一対の先の抵抗温度素子の差抵抗値を演算
する差演算手段と、予めメモリに格納された先のリード
線のリード抵抗の予測値と先の検出電圧を用いて一対の
先の抵抗温度素子の平均抵抗値を演算する平均値演算手
段と、抵抗値に対する抵抗値変化係数との関係が格納さ
れた換算テーブルと、先の換算テーブルを用いて先の平
均抵抗値に対応する抵抗変化係数を演算する係数演算手
段と、この抵抗値変化係数と先の差抵抗値を用いて温度
差を演算する温度差演算手段とを具備するようにしたも
のである。
解決するための構成として、一対の抵抗温度素子からな
り３本のリード線が導出される温度センサと、一対の先
の抵抗温度素子に先のリード線を介して同一の定電流を
流す定電流源と、先の各リード線を介して検出した検出
電圧を用いて一対の先の抵抗温度素子の差抵抗値を演算
する差演算手段と、予めメモリに格納された先のリード
線のリード抵抗の予測値と先の検出電圧を用いて一対の
先の抵抗温度素子の平均抵抗値を演算する平均値演算手
段と、抵抗値に対する抵抗値変化係数との関係が格納さ
れた換算テーブルと、先の換算テーブルを用いて先の平
均抵抗値に対応する抵抗変化係数を演算する係数演算手
段と、この抵抗値変化係数と先の差抵抗値を用いて温度
差を演算する温度差演算手段とを具備するようにしたも
のである。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を用いて説明する。図１は本発明の１実施形態の構
成を示した構成図である。この場合は、２つの抵抗温度
素子が直列に接続された状態で差温度を測定するときの
構成を示している。
て図を用いて説明する。図１は本発明の１実施形態の構
成を示した構成図である。この場合は、２つの抵抗温度
素子が直列に接続された状態で差温度を測定するときの
構成を示している。
【００３８】抵抗温度素子として一対の測温抵抗体１０
と１１とが用いられ、これらの測温抵抗体１０と１１か
らは、それぞれ通常３本のリード線Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13及
びＬ 21、Ｌ22、Ｌ23がそれぞれ引き出され、これにより
温度センサ１２、１３を構成している点は、図６、図８
に記載された構成と同一である。
と１１とが用いられ、これらの測温抵抗体１０と１１か
らは、それぞれ通常３本のリード線Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13及
びＬ 21、Ｌ22、Ｌ23がそれぞれ引き出され、これにより
温度センサ１２、１３を構成している点は、図６、図８
に記載された構成と同一である。
【００３９】測温抵抗体１０の抵抗はＲt1で、測温抵抗
体１１の抵抗はＲt2で、各リード線Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13お
よびＬ21、Ｌ22、Ｌ23の有する抵抗は抵抗ＲL11、
ＲL12、Ｒ L13およびＲL21、ＲL22、ＲL23で、それぞれ
代表されている。
体１１の抵抗はＲt2で、各リード線Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13お
よびＬ21、Ｌ22、Ｌ23の有する抵抗は抵抗ＲL11、
ＲL12、Ｒ L13およびＲL21、ＲL22、ＲL23で、それぞれ
代表されている。
【００４０】端子板２０は、端子Ｔ5、Ｔ6、Ｔ7を有
し、端子Ｔ5にはリード線Ｌ11の一端が、端子Ｔ6にはリ
ード線Ｌ13とＬ21の一端が、共通電位点ＣＯＭに接続さ
れた端子Ｔ7にはリード線Ｌ23の一端がそれぞれ接続さ
れている。
し、端子Ｔ5にはリード線Ｌ11の一端が、端子Ｔ6にはリ
ード線Ｌ13とＬ21の一端が、共通電位点ＣＯＭに接続さ
れた端子Ｔ7にはリード線Ｌ23の一端がそれぞれ接続さ
れている。
【００４１】さらに、リード線Ｌ11の他端は測温抵抗体
１０の一端に、測温抵抗体１０の他端は一端が開放され
たリード線Ｌ12の他端とリード線Ｌ13の他端に、それぞ
れ接続されている。
１０の一端に、測温抵抗体１０の他端は一端が開放され
たリード線Ｌ12の他端とリード線Ｌ13の他端に、それぞ
れ接続されている。
【００４２】また、リード線Ｌ21の他端は測温抵抗体１
１の一端に、測温抵抗体１１の他端は一端が開放された
リード線Ｌ22の他端とリード線Ｌ23の他端に、それぞれ
接続されている。
１の一端に、測温抵抗体１１の他端は一端が開放された
リード線Ｌ22の他端とリード線Ｌ23の他端に、それぞれ
接続されている。
【００４３】このようにして、測温抵抗体１０と１１が
直列に接続された直列回路に、端子Ｔ5に接続された定
電流源１５から定電流Ｉが共通電位点ＣＯＭに接続され
た端子Ｔ7に向かって流される。
直列に接続された直列回路に、端子Ｔ5に接続された定
電流源１５から定電流Ｉが共通電位点ＣＯＭに接続され
た端子Ｔ7に向かって流される。
【００４４】各端子Ｔ5、Ｔ6、Ｔ7に発生した電圧
Ｖ21、Ｖ22、Ｖ23は、アナログ／デジタル変換器（ＡＤ
Ｃ）１６に入力され、ここでデジタル信号に変換されて
マイクロコンピュータユニット２１に出力される。
Ｖ21、Ｖ22、Ｖ23は、アナログ／デジタル変換器（ＡＤ
Ｃ）１６に入力され、ここでデジタル信号に変換されて
マイクロコンピュータユニット２１に出力される。
【００４５】マイクロコンピュータユニット２１は、リ
ードオンリーメモリＲＯＭ、読み書き可能なリードオン
リーメモリＥＥＰＲＯＭ、ランダムアクセスメモリＲＡ
Ｍ、マイクロプロセッサＣＰＵなどで構成され、これ等
により後述する演算を実行して温度差信号ΔＴ3を出力
する。
ードオンリーメモリＲＯＭ、読み書き可能なリードオン
リーメモリＥＥＰＲＯＭ、ランダムアクセスメモリＲＡ
Ｍ、マイクロプロセッサＣＰＵなどで構成され、これ等
により後述する演算を実行して温度差信号ΔＴ3を出力
する。
【００４６】リードオンリーメモリＲＯＭには、各種の
演算式及びパラメータが格納されており、ランダムアク
セスメモリＲＡＭには温度センサから読み込まれたデー
タ等が格納される。
演算式及びパラメータが格納されており、ランダムアク
セスメモリＲＡＭには温度センサから読み込まれたデー
タ等が格納される。
【００４７】また、インターフエイス２２は、マイクロ
コンピュータユニット２１の読み書き可能なリードオン
リーメモリＥＥＰＲＯＭに、必要なパラメータ、例えば
各リード線の抵抗値の予測値などを設定する。
コンピュータユニット２１の読み書き可能なリードオン
リーメモリＥＥＰＲＯＭに、必要なパラメータ、例えば
各リード線の抵抗値の予測値などを設定する。
【００４８】次に、以上のように構成された差温度測定
装置のマイクロプロセッサＣＰＵによる信号処理につい
て図２に示すフローチャートを用いて説明する。図２
（ａ）は前処理手順を、図２（ｂ）は差温度算出手順を
それぞれ示している。
装置のマイクロプロセッサＣＰＵによる信号処理につい
て図２に示すフローチャートを用いて説明する。図２
（ａ）は前処理手順を、図２（ｂ）は差温度算出手順を
それぞれ示している。
【００４９】図２（ａ）のステップ１においては、各リ
ード線Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13およびＬ21、Ｌ22、Ｌ23の長さ
はほぼ同一として、これらの抵抗ＲL11、ＲL12、ＲL13
およびＲL21、ＲL22、ＲL23を、それぞれ等しい抵抗値
ＲLと推定して、これをインターフエイス２２から読み
書き可能なリードオンリーメモリＥＥＰＲＯＭに設定す
る。
ード線Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13およびＬ21、Ｌ22、Ｌ23の長さ
はほぼ同一として、これらの抵抗ＲL11、ＲL12、ＲL13
およびＲL21、ＲL22、ＲL23を、それぞれ等しい抵抗値
ＲLと推定して、これをインターフエイス２２から読み
書き可能なリードオンリーメモリＥＥＰＲＯＭに設定す
る。
【００５０】次に、図２（ｂ）に移行する。ステップ２
において、端子Ｔ5、Ｔ6、Ｔ7に発生する電圧Ｖ21、Ｖ
22、Ｖ23は、アナログ／デジタル変換器（ＡＤＣ）１６
に入力され、ここでデジタル信号に変換されてマイクロ
コンピュータユニット２１に出力される。
において、端子Ｔ5、Ｔ6、Ｔ7に発生する電圧Ｖ21、Ｖ
22、Ｖ23は、アナログ／デジタル変換器（ＡＤＣ）１６
に入力され、ここでデジタル信号に変換されてマイクロ
コンピュータユニット２１に出力される。
【００５１】さらに、各リード線の推定抵抗である抵抗
値ＲLを考慮すると、 Ｖ22−Ｖ23＝（Ｒt2＋ＲL21＋ＲL23）Ｉ ＝（Ｒt2＋２ＲL）Ｉ （６） Ｖ21−Ｖ22＝（Ｒt1＋ＲL11＋ＲL13）Ｉ ＝（Ｒt1＋２ＲL）Ｉ （７） の関係がある。
値ＲLを考慮すると、 Ｖ22−Ｖ23＝（Ｒt2＋ＲL21＋ＲL23）Ｉ ＝（Ｒt2＋２ＲL）Ｉ （６） Ｖ21−Ｖ22＝（Ｒt1＋ＲL11＋ＲL13）Ｉ ＝（Ｒt1＋２ＲL）Ｉ （７） の関係がある。
【００５２】また、これ等の関係から、 Ｒt1−Ｒt2＝［（Ｖ21−２Ｖ22＋Ｖ23）／Ｉ］ （８） の演算式を得る。
【００５３】ステップ３では、予めリードオンリーメモ
リＲＯＭに格納されている演算式（８）と、ランダムア
クセスメモリＲＡＭに格納されているＶ21、Ｖ22、Ｖ23
と、予め格納されている定電流値Ｉを用いて、マイクロ
プロセッサＣＰＵは、各測温抵抗体１０、１１の抵抗値
差（Ｒt1−Ｒt2）を算出する。
リＲＯＭに格納されている演算式（８）と、ランダムア
クセスメモリＲＡＭに格納されているＶ21、Ｖ22、Ｖ23
と、予め格納されている定電流値Ｉを用いて、マイクロ
プロセッサＣＰＵは、各測温抵抗体１０、１１の抵抗値
差（Ｒt1−Ｒt2）を算出する。
【００５４】次に、ステップ４に移行する。マイクロプ
ロセッサＣＰＵは各測温抵抗体１０、１１の平均抵抗値
（Ｒt1＋Ｒt2）／２（＝ＲA）を、式（６）、式（７）
を用いて演算された結果として、予めリードオンリーメ
モリＲＯＭに格納されている次の演算式に従って演算す
る。 ＲA＝（Ｒt1＋Ｒt2）／２ ＝｛［（Ｖ21−Ｖ23）／Ｉ］−４ＲL｝／２ （９）
ロセッサＣＰＵは各測温抵抗体１０、１１の平均抵抗値
（Ｒt1＋Ｒt2）／２（＝ＲA）を、式（６）、式（７）
を用いて演算された結果として、予めリードオンリーメ
モリＲＯＭに格納されている次の演算式に従って演算す
る。 ＲA＝（Ｒt1＋Ｒt2）／２ ＝｛［（Ｖ21−Ｖ23）／Ｉ］−４ＲL｝／２ （９）
【００５５】ステップ５に移行する。リードオンリーメ
モリＲＯＭには、図３に示すように平均抵抗値Ｒ
A（Ω）に対する抵抗値変化係数Ｋ（Ω／°Ｃ）の関係
はリニアではないので、この関数関係を示す換算テーブ
ルがデジタルデータとして格納されている。
モリＲＯＭには、図３に示すように平均抵抗値Ｒ
A（Ω）に対する抵抗値変化係数Ｋ（Ω／°Ｃ）の関係
はリニアではないので、この関数関係を示す換算テーブ
ルがデジタルデータとして格納されている。
【００５６】そこで、マイクロプロセッサＣＰＵは、こ
の換算テーブルを参照して式（９）で求めてランダムア
クセスメモリＲＡＭに格納された平均抵抗値ＲAに対応
する抵抗値変化係数ＫAをもとめ、これをランダムアク
セスメモリＲＡＭの所定領域に格納する。
の換算テーブルを参照して式（９）で求めてランダムア
クセスメモリＲＡＭに格納された平均抵抗値ＲAに対応
する抵抗値変化係数ＫAをもとめ、これをランダムアク
セスメモリＲＡＭの所定領域に格納する。
【００５７】ステップ６では、ステップ３で求めて格納
された各測温抵抗体１０、１１の抵抗値差（Ｒt1−
Ｒt2）を抵抗値変化係数ＫAで割る割算をマイクロプロ
セッサＣＰＵが実行して、正しい温度差ΔＴ3を求め
る。
された各測温抵抗体１０、１１の抵抗値差（Ｒt1−
Ｒt2）を抵抗値変化係数ＫAで割る割算をマイクロプロ
セッサＣＰＵが実行して、正しい温度差ΔＴ3を求め
る。
【００５８】図４は本発明の第２の実施形態を示す構成
図である。この場合は、２つの抵抗温度素子をスイッチ
により切り換えて検出した電圧を用いて差温度を測定す
るときの構成を示している。
図である。この場合は、２つの抵抗温度素子をスイッチ
により切り換えて検出した電圧を用いて差温度を測定す
るときの構成を示している。
【００５９】端子板２３の端子Ｔ8にはリード線Ｌ11の
一端が、端子Ｔ9にはリード線Ｌ21の一端が、端子Ｔ10
にはリード線Ｌ13の一端とリード線Ｌ23の一端とが，そ
れぞれ接続されている。そして、測温抵抗体１０と１１
には、これ等のリード線の他端が図１に示す接続と同一
の接続がされている。なお、リード線Ｌ12とＬ22の一端
は開放されている。
一端が、端子Ｔ9にはリード線Ｌ21の一端が、端子Ｔ10
にはリード線Ｌ13の一端とリード線Ｌ23の一端とが，そ
れぞれ接続されている。そして、測温抵抗体１０と１１
には、これ等のリード線の他端が図１に示す接続と同一
の接続がされている。なお、リード線Ｌ12とＬ22の一端
は開放されている。
【００６０】定電流源１５からスイッチ１８、端子
Ｔ8、測温抵抗体１０を介して定電流Ｉが共通電位点Ｃ
ＯＭに向かって流れるように、さらに定電流源１５から
スイッチ１８、端子Ｔ9、測温抵抗体１１を介して定電
流Ｉが共通電位点ＣＯＭに向かって流れるように接続さ
れている。
Ｔ8、測温抵抗体１０を介して定電流Ｉが共通電位点Ｃ
ＯＭに向かって流れるように、さらに定電流源１５から
スイッチ１８、端子Ｔ9、測温抵抗体１１を介して定電
流Ｉが共通電位点ＣＯＭに向かって流れるように接続さ
れている。
【００６１】このスイッチ１８の切り換えは、マイクロ
コンピュータユニット２４から出力される切換信号ＳＷ
により切り換えられる。そして、端子Ｔ8、Ｔ9、Ｔ10に
発生する電圧Ｖ31、Ｖ32、Ｖ33は、アナログ／デジタル
変換器１６でデジタル信号に変換されてマイクロコンピ
ュータユニット２４に出力され、ここで後述する所定の
演算を実行して差温度ΔＴ4を出力する。
コンピュータユニット２４から出力される切換信号ＳＷ
により切り換えられる。そして、端子Ｔ8、Ｔ9、Ｔ10に
発生する電圧Ｖ31、Ｖ32、Ｖ33は、アナログ／デジタル
変換器１６でデジタル信号に変換されてマイクロコンピ
ュータユニット２４に出力され、ここで後述する所定の
演算を実行して差温度ΔＴ4を出力する。
【００６２】次に、図５に示すフローチャートを用いて
差温度ΔＴ2を算出する演算手順について説明する。図
５（ａ）は前処理手順を、図５（ｂ）は差温度算出手順
をそれぞれ示している。
差温度ΔＴ2を算出する演算手順について説明する。図
５（ａ）は前処理手順を、図５（ｂ）は差温度算出手順
をそれぞれ示している。
【００６３】図５（ａ）のステップ１は、図２（ａ）に
示す前処理手順と同一であり、各リード線の抵抗値をそ
れぞれ等しい抵抗値ＲLと推定して、これをインターフ
エイス２２から読み書き可能なリードオンリーメモリＥ
ＥＰＲＯＭに設定する。
示す前処理手順と同一であり、各リード線の抵抗値をそ
れぞれ等しい抵抗値ＲLと推定して、これをインターフ
エイス２２から読み書き可能なリードオンリーメモリＥ
ＥＰＲＯＭに設定する。
【００６４】次に、図２（ｂ）のステップ２に移行す
る。ここで、マイクロプロセッサＣＰＵから出力される
切換信号ＳＷによりスイッチ１８を温度センサ１２側に
切り換える。定電流値Ｉは予めリードオンリメモリＲＯ
Ｍに格納されている。
る。ここで、マイクロプロセッサＣＰＵから出力される
切換信号ＳＷによりスイッチ１８を温度センサ１２側に
切り換える。定電流値Ｉは予めリードオンリメモリＲＯ
Ｍに格納されている。
【００６５】ステップ３では、この状態で、端子Ｔ8に
発生した電圧Ｖ31と端子Ｔ10に発生した電圧Ｖ33がアナ
ログ／デジタル変換器１６でデジタル信号に変換されて
マイクロプロセッサＣＰＵの制御の下にランダムアクセ
スメモリＲＡＭの所定領域に格納される。
発生した電圧Ｖ31と端子Ｔ10に発生した電圧Ｖ33がアナ
ログ／デジタル変換器１６でデジタル信号に変換されて
マイクロプロセッサＣＰＵの制御の下にランダムアクセ
スメモリＲＡＭの所定領域に格納される。
【００６６】さらに、リードオンリーメモリＲＯＭに格
納されている下記の演算式にしたがって、抵抗（Ｒt1＋
２ＲL）が演算される。 ［（Ｖ31−Ｖ33）／Ｉ］＝Ｒt1＋２ＲL （１０）
納されている下記の演算式にしたがって、抵抗（Ｒt1＋
２ＲL）が演算される。 ［（Ｖ31−Ｖ33）／Ｉ］＝Ｒt1＋２ＲL （１０）
【００６７】次に、図２（ｂ）のステップ４に移行す
る。ここで、マイクロプロセッサＣＰＵから出力される
切換信号ＳＷによりスイッチ１８を温度センサ１３側に
切り換える。
る。ここで、マイクロプロセッサＣＰＵから出力される
切換信号ＳＷによりスイッチ１８を温度センサ１３側に
切り換える。
【００６８】ステップ５では、この状態で、端子Ｔ9に
発生した電圧Ｖ32と端子Ｔ10に発生した電圧Ｖ33がアナ
ログ／デジタル変換器１６でデジタル信号に変換されて
マイクロプロセッサＣＰＵの制御の下にランダムアクセ
スメモリＲＡＭの所定領域に格納される。
発生した電圧Ｖ32と端子Ｔ10に発生した電圧Ｖ33がアナ
ログ／デジタル変換器１６でデジタル信号に変換されて
マイクロプロセッサＣＰＵの制御の下にランダムアクセ
スメモリＲＡＭの所定領域に格納される。
【００６９】さらに、リードオンリーメモリＲＯＭに格
納されている下記の演算式にしたがって、抵抗（Ｒt2＋
２ＲL）が演算される。 ［（Ｖ32−Ｖ33）／Ｉ］＝Ｒt2＋２ＲL （１１）
納されている下記の演算式にしたがって、抵抗（Ｒt2＋
２ＲL）が演算される。 ［（Ｖ32−Ｖ33）／Ｉ］＝Ｒt2＋２ＲL （１１）
【００７０】ステップ６では、ステップ３とステップ５
で読み込まれた電圧Ｖ31と電圧Ｖ33とを用いて、次式に
したがって差抵抗値（Ｒt1−Ｒt2）を演算してランダム
アクセスメモリＲＡＭに格納する。 ［（Ｖ31−Ｖ33）／Ｉ］＝Ｒt1−Ｒt2 （１２）
で読み込まれた電圧Ｖ31と電圧Ｖ33とを用いて、次式に
したがって差抵抗値（Ｒt1−Ｒt2）を演算してランダム
アクセスメモリＲＡＭに格納する。 ［（Ｖ31−Ｖ33）／Ｉ］＝Ｒt1−Ｒt2 （１２）
【００７１】次に、ステップ７に移行する。マイクロプ
ロセッサＣＰＵは各測温抵抗体１０、１１の平均抵抗値
（Ｒt1＋Ｒt2）／２（＝ＲA）を、式（１０）、式（１
１）を用いて演算された結果として、予めリードオンリ
ーメモリＲＯＭに格納されている次の演算式に従って演
算して、その結果をランダムアクセスメモリＲＡＭに格
納する。 ＲA＝（Ｒt1＋Ｒt2）／２ ＝｛［（Ｖ31＋Ｖ32−２Ｖ33）／Ｉ］−４ＲL｝／２ （１３）
ロセッサＣＰＵは各測温抵抗体１０、１１の平均抵抗値
（Ｒt1＋Ｒt2）／２（＝ＲA）を、式（１０）、式（１
１）を用いて演算された結果として、予めリードオンリ
ーメモリＲＯＭに格納されている次の演算式に従って演
算して、その結果をランダムアクセスメモリＲＡＭに格
納する。 ＲA＝（Ｒt1＋Ｒt2）／２ ＝｛［（Ｖ31＋Ｖ32−２Ｖ33）／Ｉ］−４ＲL｝／２ （１３）
【００７２】ステップ８に移行する。マイクロプロセッ
サＣＰＵは、ステップ５と同様にして換算テーブルを参
照して式（１３）で求めてランダムアクセスメモリＲＡ
Ｍに格納された平均抵抗値ＲAに対応する抵抗値変化係
数ＫAをもとめ、これをランダムアクセスメモリＲＡＭ
の所定領域に格納する。
サＣＰＵは、ステップ５と同様にして換算テーブルを参
照して式（１３）で求めてランダムアクセスメモリＲＡ
Ｍに格納された平均抵抗値ＲAに対応する抵抗値変化係
数ＫAをもとめ、これをランダムアクセスメモリＲＡＭ
の所定領域に格納する。
【００７３】ステップ９では、式（１２）で求めて格納
された各測温抵抗体１０、１１の抵抗値差（Ｒt1−
Ｒt2）を抵抗値変化係数ＫAで割る割算をマイクロプロ
セッサＣＰＵが実行して、測温抵抗体１０と１１との間
の正しい温度差ΔＴ4を求める。
された各測温抵抗体１０、１１の抵抗値差（Ｒt1−
Ｒt2）を抵抗値変化係数ＫAで割る割算をマイクロプロ
セッサＣＰＵが実行して、測温抵抗体１０と１１との間
の正しい温度差ΔＴ4を求める。
【００７４】
【発明の効果】以上、発明の実施の形態と共に具体的に
説明したように本発明によれば、差温度を測定する温度
センサから３端子を介して３本のリード線を導出し、こ
れを用いて差温度を演算により求める構成としたので、
従来に比べて小形化が可能となり最近のフイールド機器
におけるダウンサイジングに適合した差温度測定装置を
提供することが可能となった。
説明したように本発明によれば、差温度を測定する温度
センサから３端子を介して３本のリード線を導出し、こ
れを用いて差温度を演算により求める構成としたので、
従来に比べて小形化が可能となり最近のフイールド機器
におけるダウンサイジングに適合した差温度測定装置を
提供することが可能となった。
【図１】本発明の１実施の形態を示す構成図である。
【図２】図１に示す実施の形態で実行する手順を示すフ
ロチャート図である。
ロチャート図である。
【図３】図１に示すメモリに格納されている換算テーブ
ルの特性を示す特性図である。
ルの特性を示す特性図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態を示す構成図であ
る。
る。
【図５】図４に示す実施の形態で実行する手順を示すフ
ロチャート図である。
ロチャート図である。
【図６】従来の差温度測定装置の構成を示す構成図であ
る。
る。
【図７】図６に示す差温度測定装置で実行する手順を示
すフロチャート図である。
すフロチャート図である。
【図８】従来の第２の差温度測定装置の構成を示す構成
図である。
図である。
【図９】図８に示す差温度測定装置で実行する手順を示
すフロチャート図である。
すフロチャート図である。
１０、１１ 測温抵抗体 １２、１３ 温度センサ １４、２０、２３ 端子板 １５ 定電流源 １６ アナログ／デジタル変換器 １７、２１、２４ マイクロコンピュータユニット １８ スイッチ Ｔ1〜Ｔ10 端子 ＲＯＭ リードオンリーメモリ ＲＡＭ ランダムアクセスメモリ ＣＰＵ マイクロプロセッサ
Claims (1)
- 【請求項１】一対の抵抗温度素子からなり３本のリード
線が導出される温度センサと、一対の前記抵抗温度素子
に前記リード線を介して同一の定電流を流す定電流源
と、前記各リード線を介して検出した検出電圧を用いて
一対の前記抵抗温度素子の差抵抗値を演算する差演算手
段と、予めメモリに格納された前記リード線のリード抵
抗の予測値と前記検出電圧を用いて一対の前記抵抗温度
素子の平均抵抗値を演算する平均値演算手段と、抵抗値
に対する抵抗値変化係数との関係が格納された換算テー
ブルと、前記換算テーブルを用いて前記平均抵抗値に対
応する抵抗変化係数を演算する係数演算手段と、この抵
抗値変化係数と前記差抵抗値を用いて温度差を演算する
温度差演算手段とを具備したことを特徴とする差温度測
定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26446096A JPH10111183A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 差温度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26446096A JPH10111183A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 差温度測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10111183A true JPH10111183A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17403528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26446096A Pending JPH10111183A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 差温度測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10111183A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150168235A1 (en) * | 2012-08-02 | 2015-06-18 | Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg | Multi-lead measurement apparatus for detection of a defective temperature-dependent resistance sensor |
| WO2018063609A1 (en) | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Rosemount Inc. | Heat flux sensor |
-
1996
- 1996-10-04 JP JP26446096A patent/JPH10111183A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150168235A1 (en) * | 2012-08-02 | 2015-06-18 | Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg | Multi-lead measurement apparatus for detection of a defective temperature-dependent resistance sensor |
| WO2018063609A1 (en) | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Rosemount Inc. | Heat flux sensor |
| CN107884089A (zh) * | 2016-09-30 | 2018-04-06 | 罗斯蒙特公司 | 热通量传感器 |
| EP3519786A4 (en) * | 2016-09-30 | 2020-08-12 | Rosemount Inc. | THERMAL FLOW SENSOR |
| CN107884089B (zh) * | 2016-09-30 | 2020-12-29 | 罗斯蒙特公司 | 热通量传感器 |
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