JPH10107449A - 多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 残留内部応力の少ないビルドアップ多層配線
板を有利に製造する方法を提案すること。 【解決手段】 基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路層
とを交互に積層したのち、最表層にソルダーレジスト層
を設けてなる多層プリント配線板の製造に当たり、製造
工程の最終段階で、それまでに受けた樹脂層の加熱処理
のうちの最も高い加熱処理温度よりもさらに高い温度の
加熱処理を施すことを特徴とする多層プリント配線板の
製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板の製造方法に関し、とくに、残留内部応力の少ないビ
ルドアップ多層配線板を有利に製造する方法について提
案する。

【０００２】

【従来の技術】ビルドアップ多層配線板は、基板上に、
層間樹脂絶縁層と導体回路層を交互に積層し、バイアホ
ールなどによって内層回路と外層回路を接続，導通させ
てなるプリント配線板である。このビルドアップ多層配
線板は、主としてアディティブ法により多層化して製造
されている。

【０００３】上記アディティブ法は、ガラスエポキシ等
の基板上に無電解めっき用の接着剤を塗布することによ
り層間樹脂絶縁層を形成し、次いでこの層間樹脂絶縁層
の表面を粗化した後、その粗化面にめっきレジストを形
成し、その後、無電解めっきによって導体回路となる金
属を付着させる方法である。

【０００４】このような方法では、層間樹脂絶縁層ある
いはめっきレジストは、導体回路層を形成する際にクロ
ム酸や強塩基であるめっき液などの薬品に浸漬される。
このため、上記の層間樹脂絶縁層あるいはめっきレジス
トは、耐薬品性に優れる必要があり、感光性樹脂であっ
ても、耐薬品性の向上のために露光後に加熱処理が施さ
れる（特開平８−64961 号公報参照）。例えば、層間樹
脂絶縁層あるいはめっきレジストとして、ノボラック型
エポキシ樹脂のアクリレートを含む樹脂層を用いる場合
は、露光硬化したのちに80〜120 ℃で１〜３時間の加熱
処理が施される。

【０００５】またビルドアップ多層配線板は、最表層
に、露出した導体回路を保護するために、はんだを形成
する部分に開口を有するソルダーレジスト層が設けられ
る。このソルダーレジスト層は、強塩基である Ni,Auめ
っき液などの薬品に耐え得る必要があり、感光性樹脂で
あっても、耐薬品性の向上のために露光後に加熱処理が
施される。例えば、ソルダーレジスト層として、クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートを含む樹
脂層を用いる場合は、露光硬化したのちに 120〜150 ℃
で 0.5〜２時間の加熱処理が施される。

【０００６】このように、基板上に層間樹脂絶縁層と導
体回路層を交互に形成するビルドアップ多層配線板にお
いて、コア基材に近い内層側の層間樹脂絶縁層は、外層
側の層間樹脂絶縁層に比べて多くの加熱処理を受けて硬
化が進む。例えば、図２に示すような両面基板を製造す
る工程を考えると、内層側の第１絶縁材層は、第１樹脂
絶縁層を硬化するための加熱処理（ 120℃で３時間）に
加えて、さらに上層の第２樹脂絶縁層を硬化するための
加熱処理（ 120℃で３時間）が施される。

【０００７】そのため、ビルドアップ多層配線板は、ビ
ルドアップする配線層が多くなるに従い、内・外層の層
間樹脂絶縁層における硬化度の差が大きくなり、内層側
ほど樹脂絶縁層の硬化収縮による応力が大きくなる。こ
のことは、めっきレジストについても同様に言える。そ
の結果、しばしば内層側に位置する樹脂層にはクラック
の発生が確認された。特に、このようなクラックは、量
産サイズのように一つの基板（ワークサイズの基板）か
ら複数の製品ピースを切り出せる大型の基板において顕
著に見られた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、残留
内部応力の少ないビルドアップ多層配線板を有利に製造
する方法を提案することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】発明者は、上記目的の実
現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構成
とする発明を完成するに至った。すなわち、本発明の方
法は、基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路層とを交互
に積層したのち、最表層にソルダーレジスト層を設けて
なる多層プリント配線板の製造に当たり、製造工程の最
終段階で、それまでに受けた樹脂層の加熱処理のうちの
最も高い加熱処理温度よりもさらに高い温度の加熱処理
を施すことを特徴とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明は、最終工程を終えたビル
ドアップ多層プリント配線板を、該多層プリント配線板
を構成する樹脂層（例えば、層間樹脂絶縁層，めっきレ
ジスト，ソルダーレジスト層）の加熱処理温度よりもさ
らに高い温度で加熱処理することにより、ビルドアップ
多層プリント配線板の内層側の残留応力を開放しようと
するものである。例えば、「従来の技術」の欄で例示し
た樹脂層を有するビルドアップ多層配線板は、熱履歴の
最高温度が 150℃であり、本発明によれば、この 150℃
よりも高い温度、より望ましくは 170℃以上の温度で加
熱処理される。

【００１１】このように、製造工程の最終段階で、各樹
脂層が受けた加熱処理温度よりも高い温度で加熱処理す
ることにより、各樹脂層の硬化度が均一化され、内部応
力が緩和されるのである。その結果、量産サイズのよう
に一つの基板（ワークサイズの基板）から複数の製品ピ
ースを切り出せる大型の基板であっても、内部に応力が
発生せず、クラックの発生を抑制することができる。

【００１２】以下に、本発明にかかる多層プリント配線
板の製造方法について説明する。 (1)まず、コア基板の表面に、内層銅パターンを形成す
る。この基板への銅パターンの形成は、銅張積層板をエ
ッチングして行うか、あるいは、ガラスエポキシ基板や
ポリイミド基板、セラミック基板、金属基板などの基板
に無電解めっき用接着剤層を形成し、この接着剤層表面
を粗化して粗化面とし、ここに無電解めっきを施して行
う方法がある。

【００１３】なお、コア基板には、スルーホールが形成
され、このスルーホールを介して表面と裏面の配線層を
電気的に接続することができる。また、コア基板は、硬
化収縮を防止するために、ソルダーレジスト形成後に行
う最終段階の加熱処理温度よりも高い温度で加熱処理す
ることが望ましい。例えば、前述の材料（クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂のアクリレート）と加熱処理温
度（ 120〜150 ℃）でソルダーレジスト層を形成する場
合、コア基板は、170〜190 ℃で４時間の加熱処理を行
う。さらに、コア基材表面の平滑化のため、導体回路を
形成した基板表面の凹部やスルーホール内に樹脂絶縁材
を充填することができる。この場合の樹脂は、無溶剤で
も粘度が低いことから、ビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂がよい。このときの加熱処理条件は、例えば、100 ℃
で３時間とする。

【００１４】(2)次に、前記 (1)で内層銅パターンを形
成した基板の上に、層間樹脂絶縁層を形成する。特に、
本発明では、層間樹脂絶縁層として無電解めっき用接着
剤層を用いることが望ましい。

【００１５】この無電解めっき用接着剤は、酸あるいは
酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に酸あるいは酸
化剤に可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂粒子が分散さ
れてなるものが最適である。これは、酸あるいは酸化剤
に可溶性の耐熱性樹脂粒子を溶解して除去することによ
り、表面に蛸壺状のアンカーを形成でき、導体回路との
密着性を改善できるからである。

【００１６】上記無電解めっき用接着剤において、酸あ
るいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂としては、感光化し
た熱硬化性樹脂、感光化した熱硬化性樹脂と熱可塑性樹
脂の複合体が望ましい。感光化することにより、露光、
現像により、バイアホールを容易に形成できるからであ
る。また、熱可塑性樹脂と複合化することにより靱性を
向上させることができ、導体回路のピール強度の向上、
ヒートサイクルによるバイアホール部分のクラック発生
を防止できるからである。具体的には、エポキシ樹脂を
アクリル酸やメタクリル酸などと反応させたエポキシア
クリレートやエポキシアクリレートとポリエーテルスル
ホンとの複合体がよい。エポキシアクリレートは、全エ
ポキシ基の20〜80％がアクリル酸やメタクリル酸などと
反応したものが望ましい。

【００１７】上記無電解めっき用接着剤において、前記
耐熱性樹脂粒子としては、平均粒径が10μｍ以下の耐
熱性樹脂粉末、平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉
末を凝集させて平均粒径２〜10μｍの大きさとした凝集
粒子、平均粒径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末と平均
粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均
粒径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が
２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか
少なくとも１種を付着させてなる疑似粒子から選ばれる
ことが望ましい。これらは、複雑なアンカーを形成でき
るからである。耐熱性樹脂粒子の樹脂としては、エポキ
シ樹脂、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナ
ミン樹脂）などがよい。特に、エポキシ樹脂は、そのオ
リゴマーの種類、硬化剤の種類、架橋密度を変えること
により任意に酸や酸化剤に対する溶解度を変えることが
できる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂オリ
ゴマーをアミン系硬化剤で硬化処理したものは、酸化剤
に溶解しやすい。しかし、ノボラックエポキシ樹脂オリ
ゴマーをイミダゾール系硬化剤で硬化させたものは、酸
化剤に溶解しにくい。

【００１８】なお、本発明において、上記層間樹脂絶縁
層は、単一層である必要はなく、例えば、最初に未硬化
の樹脂絶縁材を塗布し、これを乾燥した後、さらに無電
解めっき用接着剤を塗布して２層構造の層間樹脂絶縁層
とすることができる。また、下層を平均粒径が 0.1〜0.
3 μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を含有する無電解めっき用
接着剤の層とし、上層を平均粒径が10μｍ以下の耐熱性
樹脂粉末と平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末の混
合物を含有する無電解めっき用接着剤の層とした２層構
造の層間樹脂絶縁層とすることも可能である。

【００１９】(3) 上記(2) で形成した層間樹脂絶縁層を
乾燥した後、感光性樹脂の場合は、露光，現像してから
熱硬化することにより、また、熱硬化性樹脂の場合は、
熱硬化したのちレーザー加工することにより、層間樹脂
絶縁層にバイアホール用の開口部を設ける。このときに
行う層間樹脂絶縁層の熱硬化は、例えば、80℃で１時
間、 100℃で１時間、さらに 120℃で３時間の加熱処理
で行う。

【００２０】(4) 上記(3) でバイアホール用の開口部を
設けた層間樹脂絶縁層の表面を酸あるいは酸化剤で粗化
処理した後、触媒核を付与する。ここで、上記粗化処理
に使用できる酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、あるい
は蟻酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸が望ま
しい。粗化処理した場合に、バイアホールから露出する
金属導体層を腐食させにくいからである。一方、酸化剤
としては、クロム酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸カ
リウムなど）が望ましい。特に、アミノ樹脂を溶解除去
する場合は、酸と酸化剤で交互に粗化処理することが望
ましい。

【００２１】また、上記触媒核の付与には、貴金属イオ
ンや貴金属コロイドなどを用いることが望ましく、一般
的には、塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用す
る。なお、触媒核を固定するために加熱処理を行うこと
が望ましい。このような触媒核としてはパラジウムがよ
い。

【００２２】(5) 上記(4) で触媒核を付与した基板に、
めっきレジスト組成物の溶液を塗布して乾燥させて樹脂
層を形成し、次いで、この樹脂層を紫外線照射により所
定のパターンに露光硬化したのち現像処理し、さらに、
熱硬化することにより、めっきレジストを形成する。こ
のときに行う上記樹脂層の熱硬化は、例えば、80℃で１
時間、 100℃で１時間、さらに 120℃で３時間の加熱処
理で行う。

【００２３】上記めっきレジスト組成物としては、例え
ばエポキシ樹脂をアクリル酸やメタクリル酸などと反応
させたエポキシアクリレートなどの感光性樹脂とイミダ
ゾール硬化剤からなる組成物、あるいはエポキシアクリ
レートなどの感光性樹脂とポリエーテルスルホンなどの
熱可塑性樹脂およびイミダゾール硬化剤からなる組成物
が例示でき、他に市販品を使用することもできる。

【００２４】ここで、上記エポキシアクリレートの基本
骨格樹脂であるエポキシ樹脂としては、ノボラック型エ
ポキシ樹脂が望ましい。ノボラック型エポキシ樹脂は、
剛直骨格を持ち、架橋密度が高く、硬化物の吸水率が
0.1％以下に調整でき、耐塩基性に優れるからである。
ノボラック型エポキシ樹脂としては、クレゾールノボラ
ック型、フェノールノボラック型がある。

【００２５】エポキシアクリレートは、全エポキシ基の
20〜80％がアクリル酸やメタクリル酸などと反応したも
のが望ましい。アクリル化率が高過ぎるとOH基による親
水性が高くなり吸湿性が上がり、アクリル化率が低過ぎ
ると解像度が低下するからである。エポキシアクリレー
トとポリエーテルスルホンの比率は、50／50〜80／20程
度が望ましい。エポキシアクリレートが多過ぎると可撓
性が低下し、少な過ぎると感光性、耐塩基性、耐酸性、
耐酸化剤特性が低下するからである。

【００２６】めっきレジスト組成物の樹脂成分である上
記感光性樹脂の硬化剤としてイミダゾール硬化剤を使用
するのは、イミダゾール硬化剤で硬化したエポキシ樹脂
は、耐熱性や耐薬品性に優れ、塩基に対する特性に優れ
るからである。

【００２７】このイミダゾール硬化剤は、25℃で液状で
あることが望ましい。粉末では均一混練が難しく、液状
の方が均一に混練できるからである。このような液状イ
ミダゾール硬化剤としては、1-ベンジル-2- メチルイミ
ダゾール（品名：1B2MZ ）、1-シアノエチル-2- エチル
-4- メチルイミダゾール（品名：2E4MZ-CN）、4-メチル
-2- エチルイミダゾール（品名：2E4MZ ）が挙げられ
る。イミダゾール硬化剤の添加量は、１〜10重量％とす
ることが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内に
あれば均一混合がしやすいからである。

【００２８】このようなめっきレジスト組成物には、そ
の他に、開始剤であるベンゾフェノンや増感剤であるミ
ヒラーケトン、耐熱性や耐塩基性の改善、可撓性付与の
ために熱硬化性樹脂、解像度改善のために感光性モノマ
ー、レベリング剤としてのアクリル酸エステルポリマー
を添加混合することができる。

【００２９】開始剤（光重合開始剤）であるベンゾフェ
ノンと増感剤（光重合助剤）であるミヒラーケトンは、
加熱したグリコールエーテル系溶剤中に同時に溶解さ
せ、これをめっきレジスト組成物に相溶させることが望
ましい。ミヒラーケトンのみでは、上記溶剤に対する溶
解度が低く、加熱しても溶解残渣が生じ、常温にすると
析出してしまうからである。ベンゾフェノンとミヒラー
ケトンを上記溶剤中で同時に混合すると完全に溶解する
理由は、不明であるが、ベンゾフェノンとミヒラーケト
ンが溶剤中で錯体に類似する構造となり、この錯体に類
似した構造を形成することによって、ミヒラーケトンの
溶解性を高めているのではないかと推定している。 こ
のような方法によれば、ベンゾフェノンとミヒラーケト
ンはグリコールエーテル系溶媒中に完全に溶解するの
で、これを相溶させた前記めっきレジスト組成物は均一
相となる。その結果、前記めっきレジスト組成物の層
は、露光，現像処理によって未露光部が完全に除去でき
る。

【００３０】ベンゾフェノンとミヒラーケトンを溶解さ
せる上記グリコールエーテル系溶剤は、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）および／またはト
リエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）で
あることが望ましい。これらの溶剤は、30〜50℃程度の
加温によりベンゾフェノンやミヒラーケトンを完全に溶
解させることができるからである。

【００３１】添加成分としての上記熱硬化性樹脂は、ビ
スフェノール型エポキシ樹脂であることが望ましい。ビ
スフェノール型エポキシ樹脂は、耐塩基性を向上させる
ことができるからである。ビスフェノール型エポキシ樹
脂には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノ
ールＦ型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合
には前者が、塗布性を重視する場合には後者がよい。

【００３２】添加成分としてのアクリル酸エステルポリ
マーは、めっきレジスト組成物全体を均一化させること
ができる。この場合、従来のような液状レジストを得る
ために実施した混練が不要となる。このようなアクリル
酸エステルポリマーによれば、レジスト組成物中に消泡
剤を分散させる必要性がなくなるので、現像残りを発生
させることがなく、レジスト表面を平滑にすることがで
きる。ここで、アクリル酸エステルポリマーとは、分子
量 500〜5000で、アクリル酸あるいはメタクリル酸など
とアルコールとのエステルの１種もしくは２種以上のも
のを重合させた重合体である。

【００３３】(6) 上記(5) の処理でめっきレジストが形
成されなかった部分に一次めっきを施す。このとき、銅
パターンだけでなく、バイアホールを形成する。この一
次めっきとしては、銅、ニッケル、コバルトおよびリン
から選ばれる少なくとも２種以上の金属イオンを使用し
た合金めっきであることが望ましい。この理由は、これ
らの合金は強度が高く、ピール強度を向上させることが
できるからである。上記一次めっきの無電解めっき液に
おいて、銅、ニッケルおよびコバルトから選ばれる少な
くとも２種以上の金属イオンを使用することが必要であ
るが、この理由は、これらの合金は強度が高く、ピール
強度を向上させることができるからである。

【００３４】上記一次めっきの無電解めっき液におい
て、銅、ニッケル、コバルトイオンと塩基性条件下で安
定した錯体を形成する錯化剤としては、ヒドロキシカル
ボン酸を用いることが望ましい。上記一次めっきの無電
解めっき液において、金属イオンを還元して金属元素に
するための還元剤は、アルデヒド、次亜リン酸塩（ホス
フィン酸塩と呼ばれる）、水素化ホウ素塩、ヒドラジン
から選ばれる少なくとも１種であることが望ましい。こ
れらの還元剤は、水溶性であり、還元力に優れるからで
ある。特に、ニッケルを析出させる点では次亜リン酸塩
が望ましい。上記一次めっきの無電解めっき液におい
て、塩基性条件下に調整するためのｐＨ調整剤として
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシ
ウムから選ばれる少なくとも１種の塩基性化合物を用い
ることが望ましい。塩基性条件下において、ヒドロキシ
カルボン酸はニッケルイオンなどと錯体を形成するから
である。このヒドロキシカルボン酸としては、クエン
酸、リンゴ酸、酒石酸などが望ましい。これらは、ニッ
ケル、コバルト、銅と錯体を形成しやすいからである。
前記ヒドロキシカルボンの濃度は 0.1〜0.8 Ｍであるこ
とが望ましい。この理由は、 0.1Ｍより少ないと十分な
錯体が形成できず、異常析出や液の分解が生じる。一
方、0.8 Ｍを超えると析出速度が遅くなったり、水素の
発生が多くなったりするなどの不具合が発生するからで
ある。上記一次めっきの無電解めっき液は、ビピリジル
を含有してなることが望ましい。この理由は、ビピリジ
ルはめっき浴中の金属酸化物の発生を抑制してノジュー
ルの発生を抑制できるからである。なお、銅イオン、ニ
ッケルイオン、コバルトイオンは、硫酸銅、硫酸ニッケ
ル、硫酸コバルト、塩化銅、塩化ニッケル、塩化コバル
トなどの銅、ニッケル、コバルトの化合物を溶解させる
ことにより供給する。

【００３５】このような無電解めっき液により形成され
た一次めっき膜は、無電解めっき用接着剤層の粗化面に
対する追従性に優れ、粗化面の形態をそのままトレース
する。そのため、一次めっき膜は、粗化面と同様にアン
カーを持つ。従って、この一次めっき膜上に形成される
二次めっき膜は、このアンカーにより、密着性が確保さ
れるのである。従って、一次めっき膜は、ピール強度を
支配するために、上述したような無電解めっき液によっ
て析出する強度が高いめっき膜が望ましく、一方、二次
めっき膜は、電気導電性が高く、析出速度が早いことが
望ましいので、複合めっきよりも単純な銅めっき液によ
って析出するめっき膜が望ましい。

【００３６】(7) 上記(6) で形成した一次めっき膜の上
に二次めっきを施して、一次めっき膜と二次めっき膜か
らなるバイアホールを含む導体回路を形成する。この二
次めっきによるめっき膜は、銅めっき膜であることが望
ましい。上記二次めっきの無電解めっき液は、銅イオ
ン、トリアルカノールアミン、還元剤、ｐＨ調整剤から
なる無電解めっき液において、銅イオンの濃度が 0.005
〜0.015mol／ｌ、ｐＨ調整剤の濃度が、0.25〜0.35 mol
／ｌであり、還元剤の濃度が0.01〜0.04 mol／ｌである
無電解めっき液を用いることが望ましい。このめっき液
は、浴が安定であり、ノジュールなどの発生が少ないか
らである。上記二次めっきの無電解めっき液において、
トリアルカノールアミンの濃度は0.1〜0.8 Ｍであるこ
とが望ましい。この範囲でめっき析出反応が最も進行し
やすいからである。このトリアルカノールアミンは、ト
リエタノールアミン、トリイソパノールアミン、トリメ
タノールアミン、トリプロパノールアミンから選ばれる
少なくとも１種であることが望ましい。水溶性だからで
ある。上記二次めっきの無電解めっき液において、還元
剤は、アルデヒド、次亜リン酸塩、水素化ホウ素塩、ヒ
ドラジンから選ばれる少なくとも１種であることが望ま
しい。水溶性であり、塩基性条件下で還元力を持つから
である。ｐＨ調整剤は、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、水酸化カルシウムから選ばれる少なくとも１種で
あることが望ましい。

【００３７】(8) さらに、必要に応じて、めっきレジス
トの表面とバイアホールを含む導体回路の表面が同一面
に揃うように研磨し、前記 (2)〜(7) の処理を繰り返し
て、所望の多層プリント配線板を得る。

【００３８】(9) こうして得られた多層プリント配線板
の最表層は、層間樹脂絶縁層の表面が粗化され、その粗
化面にめっきレジストが形成され、このめっきレジスト
の非形成面に導体回路が露出した状態で設けられた構造
になっている。このため、露出した上記導体回路は、は
んだ層を形成する部分に開口を有するソルダーレジスト
層で被覆して保護する。このときに行うソルダーレジス
トの加熱処理は、例えば、 150℃で１時間で行われる。
そしてさらに、上記ソルダーレジスト開口部のはんだ層
を形成する部分（パッド部分）に、ニッケル−金めっき
を施す。

【００３９】(10)特に本発明では、このようにしてソル
ダーレジスト層で被覆保護された上記多層プリント配線
板に対し、前述した (1)〜(9) の製造過程で実施された
樹脂層の加熱処理のうちの最も高い加熱処理温度よりも
さらに高い温度の加熱処理を施す。即ち、上述の (1)〜
(9) の製造過程で例示した樹脂層の加熱処理条件では、
170℃以上の温度で加熱することが必要となる。

【００４０】なお、本発明では、このようにして得られ
た上記多層プリント配線板に対し、ニッケル−金めっき
を施したソルダーレジスト層の開口部分に、はんだ転写
法やスクリーン印刷法などにより、はんだ層を形成する
ことができる。はんだ転写法は、フィルム上にはんだパ
ターンを形成し、このはんだパターンをパッドに接触さ
せながら加熱リフローしてはんだをパッドに転写する方
法である。はんだ層ははんだバンプであってもよい。

【００４１】

【実施例】

（実施例１） (1) 厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマ
レイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に18μ
ｍの銅箔９がラミネートされてなる銅張積層板を出発材
料とした（図１(a) 参照）。この銅張積層板の銅箔９を
常法に従いパターン状にエッチングすることにより、基
板１の両面に内層銅パターン２を形成した（図１(b) 参
照）。このとき、得られた配線基板に対し、 170〜190
℃で４時間の加熱処理を施した。

【００４２】(2) 前記(1) で内層銅パターン２を形成し
た基板を水洗いし、乾燥した後、その基板を酸性脱脂し
てソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機
酸からなる触媒溶液で処理してＰｄ触媒を付与し、この
触媒を活性化した後、無電解めっき浴にてめっきを施
し、銅導電体とバイアホールパッドの表面にCu−Ni−Ｐ
合金の厚さ2.5 μｍの凹凸層（粗化面）を形成した。そ
してさらに、その基板を水洗いし、ホウふっ化スズーチ
オ尿素液からなる無電解スズめっき浴に50℃で１時間浸
漬し、前記Cu−Ni−Ｐ合金の粗化面の表面に厚さ0.3 μ
ｍのスズ置換めっき層を形成した。

【００４３】(3) クレゾールノボラックエポキシ樹脂の
25％アクリル化物（日本化薬製）70重量部、ポリエーテ
ルスルフォン（三井東圧製）25重量部、ベンゾフェノン
４重量部、ミヒラーケトン0.4 重量部およびイミダゾー
ル系硬化剤を混合した後、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭ
Ｐ）を添加しながらホモディスパ攪拌器で粘度30Pa・ｓ
に調整し、さらに３本ロールで混練して層間絶縁剤を得
た。

【００４４】(4) ＤＭＤＧ（ジメチルグリコールジメチ
ルエーテル）に溶解したクレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物
を70重量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）30重量
部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-
CN）４重量部、感光性モノマーであるカプロラクトン変
成トリス（アクロキシエチル）イソシアヌレート（東亜
合成製、商品名：アロニックスＭ325 ）10重量部、光開
始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）５重量部、
光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）0.5 重
量部、さらにこの混合物に対してエポキシ樹脂粒子の平
均粒径5.5 μｍのものを35重量部、平均粒径0.5 μｍの
ものを５重量部を混合した後、ノルマルメチルピロリド
ン（ＮＭＰ）を添加しながら混合し、ホモディスパー攪
拌機で粘度2000cps に調整し、続いて３本ロールで混練
して感光性接着剤溶液を得た。

【００４５】(5) 前記(3) で得た層間絶縁剤を、前記
(2) の処理を終えた基板の両面に、ロールコータを用い
て塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分
間の乾燥（プリベーク）を行い、絶縁剤層３を形成し
た。さらに絶縁剤層３の上に、前記(4) で得た感光性接
着剤溶液を、ロールコータを用いて塗布し、水平状態で
20分間放置してから、60℃で30分間の乾燥（プリベー
ク）を行い、接着剤層４を形成した（図１(c) 参照）。

【００４６】(6) 前記(5) で絶縁剤層３と接着剤層４か
らなる層間樹脂絶縁層を形成した基板の両面に、バイア
ホールが描画されたフォトマスクフィルムを載置し、紫
外線を照射して露光する。 (7) 露光した基板をトリエチレングリコールジメチルエ
ーテル（ＤＭＴＧ）でスプレー現像することにより、層
間樹脂絶縁層に 100μｍφのバイアホールとなる開口を
形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯にて3000mJ
／cm² で露光し、80℃で１時間、 100℃で１時間、その
後 120℃で３時間にて加熱処理することにより、フォト
マスクフィルムに相当する寸法精度に優れた開口（バイ
アホール形成用開口５）を有する厚さ50μｍの層間樹脂
絶縁層（２層構造）を形成した。なお、バイアホールと
なる開口には、スズメッキ層を部分的に露出させる。

【００４７】(8) 前記(6),(7) でバイアホール形成用開
口５を形成した基板を、クロム酸に２分間浸漬し、次い
で、層間樹脂絶縁層中のエポキシ樹脂粒子を溶解して、
当該層間樹脂絶縁層の表面を粗化し、その後、中和溶液
（シプレイ社製）に浸漬したから水洗いした（図１(d)
参照）。

【００４８】(9) 前記(8) で粗面化処理を行った基板に
対し、パラジウム触媒（アトテック製）を付与すること
により、層間樹脂絶縁層およびバイアホール用開口の表
面に触媒核を付けた。

【００４９】(10)ＤＭＤＧに溶解させた60重量部のクレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポ
キシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー
（分子量4000）を46.67 ｇ、メチルエチルケトンに溶解
させた80重量部のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油
化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬
化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性
モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、商
品名：Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共
栄社化学製、商品名：DPE6A ）1.5 ｇを混合し、さらに
これらの混合物の全重量に対して 0.5重量部の2-エチル
ヘキシルアクリレート、ブチルアクリレート、エチルア
クリレート、ヒドロキシアクリレートからなるアクリル
酸エステルポリマーを0.36ｇ、ＮＭＰに溶解させた30％
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）を12ｇ混合して攪拌
して混合液Ａを調製した。一方で、光開始剤としてのベ
ンゾフェノン（関東化学製）２ｇ、光増感剤としてのミ
ヒラーケトン（関東化学製）0.2 ｇを40℃に加温した３
ｇのＤＭＤＧに溶解させて混合液Ｂを調製した。上記混
合液Ａと上記混合液Ｂを混合攪拌して液状レジスト組成
物を得た。

【００５０】(11)上記(9) で触媒核付与の処理を終えた
基板の両面に、上記液状レジスト組成物をロールコータ
ーを用いて塗布し、70℃で60分の乾燥を行い、ＰＥＳと
エポキシアクリレートを相分離させて、厚さ30μｍ樹脂
層を形成した。

【００５１】(12)上記(11)で形成した樹脂層にパターン
が描画されたマスクを積層し、1000mJ／cm² の条件で紫
外線を照射して露光硬化した。

【００５２】(13)上記(12)で露光硬化した樹脂層をＤＭ
ＴＧ＋水からなる現像液で溶解現像し、基板上に導体回
路パターン部の抜けためっきレジスト６を形成し、さら
に、これを超高圧水銀灯にて6000mJ／cm² で露光硬化し
た。そしてさらに、このめっきレジスト６を、80℃で１
時間、 100℃で１時間、その後 120℃で３時間にて加熱
処理することにより硬化した。

【００５３】(14)前記(13)の処理を終えた基板に、予
め、めっき前処理（具体的には硫酸処理等および触媒核
の活性化）を行い、その後、無電解銅めっき浴（一次め
っき浴、二次めっき浴）による無電解めっきによって、
レジスト非形成部に厚さ15μｍ程度の無電解銅めっきを
析出させて、外層銅パターン７，バイアホール８を形成
することにより、アディティブ法による導体層を形成し
た（図１(e) 参照）。

【００５４】(15)前記(14)でアディティブ法による導体
層を形成した基板の片面を、ベルトサンダーを用い、♯
600 のベルト研磨紙により研磨し、めっきレジスト６の
表面とバイアホールを含む導体回路の表面が同一平面上
に揃うまで研磨した。次いで、ベルトサンダーによる傷
を取り除くために、バフ研磨を行った（バフ研磨のみの
研磨でもよい）。このような一連の研磨を基板の他方の
面についても同様に行い、基板両面がフラット（平滑）
なプリント基板を形成した。

【００５５】(16)前述した工程を繰り返すことにより、
アディティブ法による導体層を更にもう一層形成した。
そして、このように配線層をビルドアップして行くこと
により６層の多層プリント配線板を製造した（図１(f)
参照）。

【００５６】(17)こうして得られた多層プリント配線板
の表層に、はんだ層を形成する部分に開口を有するソル
ダーレジスト層10を形成した。このソルダーレジスト
は、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂のアクリレー
トを樹脂成分とする組成物を塗布して乾燥し、次いで露
光したのち現像し、その後、 150℃で１時間の加熱処理
を施すことにより形成した。そしてさらに、上記ソルダ
ーレジスト開口部のはんだ層を形成する部分（パッド部
分）に、ニッケル−金めっきを施した。

【００５７】(18)最後に、ソルダーレジスト層10を形成
した多層プリント配線板は、 100℃で１時間、 130℃で
１時間、その後 170℃で２時間の加熱処理を施し、内部
応力の緩和を行った（図１(g) 参照）。なお、この実施
例では、縦30cm×横40cmの基板を作成し、この基板から
計36枚の製品をダイシングにより切り出した。

【００５８】（比較例）上記実施例と同様にして、前記
(1)〜(17)までの処理を行い、最終段階での加熱処理は
行わずに、計36枚の製品を切り出した。

【００５９】このようにして得られた36枚ずつの製品に
ついて、−65℃〜125 ℃で1500回のヒートサイクル試験
を行い、基板のクロスカットを電子顕微鏡で確認した。
その結果、実施例では、36枚の製品のうちのどのピース
にもクラックは観察されなかった。これに対して比較例
では、36枚の製品のうちの10枚の製品にクラックが観察
された。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、残
留内部応力の少ないビルドアップ多層配線板を有利に製
造することができ、内部応力によるクラックの発生を招
くことがない信頼性に優れたプリント配線板を提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例における本発明にかかるプリント配線板
の一製造工程を示す図である。

【図２】ビルドアップ多層配線板における層間樹脂絶縁
層の熱履歴を示す図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 内層銅パターン ３ 絶縁剤層（層間樹脂絶縁層） ４ 接着剤層（層間樹脂絶縁層） ５ バイアホール用開口 ６ めっきレジスト（永久レジスト） ７ 外層銅パターン（めっきレジストを介した導体回
路） ８ バイアホール ９ 銅箔 10 ソルダーレジスト層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路層
   とを交互に積層したのち、最表層にソルダーレジスト層
   を設けてなる多層プリント配線板の製造に当たり、 製造工程の最終段階で、それまでに受けた樹脂層の加熱
   処理のうちの最も高い加熱処理温度よりもさらに高い温
   度の加熱処理を施すことを特徴とする多層プリント配線
   板の製造方法。