JPH10106944A - 半導体フォトリソグラフィ工程の現像液供給システム - Google Patents
半導体フォトリソグラフィ工程の現像液供給システムInfo
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- JPH10106944A JPH10106944A JP9109665A JP10966597A JPH10106944A JP H10106944 A JPH10106944 A JP H10106944A JP 9109665 A JP9109665 A JP 9109665A JP 10966597 A JP10966597 A JP 10966597A JP H10106944 A JPH10106944 A JP H10106944A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 現像液の供給時に、現像液内に溶存する微少
気体を除去した後で供給するようにする半導体フォトリ
ソグラフィ工程の現像液供給システムに関する。 【解決手段】 本発明の半導体フォトリソグラフィ工程
の現像液供給システムは、所定量の現像液を貯蔵する複
数個の供給タンク１６と、この供給タンクに連結された
複数個の第１連結管２４とこの第１連結管を集めて連結
された第２連結管４８とこの第２連結管から分岐される
複数個の第３連結管５０とからなる現像液供給ライン６
０と、第３連結管に設置され、ウェーハ上に現像液を噴
射するノズル２２と、第２連結管に設置され、現像液か
ら溶存気体を除去する脱気装置５２と、前記複数個の第
３連結管に通路を開閉するように設置され、第３連結管
の中のいずれか１つの第３連結管を通じて、１つの工程
チャンバーのみに現像液が選択的に供給されるようにす
る遮断バルブ５８ｂとを具備することを特徴とする。
気体を除去した後で供給するようにする半導体フォトリ
ソグラフィ工程の現像液供給システムに関する。 【解決手段】 本発明の半導体フォトリソグラフィ工程
の現像液供給システムは、所定量の現像液を貯蔵する複
数個の供給タンク１６と、この供給タンクに連結された
複数個の第１連結管２４とこの第１連結管を集めて連結
された第２連結管４８とこの第２連結管から分岐される
複数個の第３連結管５０とからなる現像液供給ライン６
０と、第３連結管に設置され、ウェーハ上に現像液を噴
射するノズル２２と、第２連結管に設置され、現像液か
ら溶存気体を除去する脱気装置５２と、前記複数個の第
３連結管に通路を開閉するように設置され、第３連結管
の中のいずれか１つの第３連結管を通じて、１つの工程
チャンバーのみに現像液が選択的に供給されるようにす
る遮断バルブ５８ｂとを具備することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体フォトリソ
グラフィ(Photolithography)工程の現像液供給システム
に関するもので、より詳細には、ウェーハの上面に形成
されたフォトレジスト（Photoresist、ＰＲ）層から不
必要な部分を除去するために使用される現像液内に溶存
している気体を除去し、その後に現像液をウェーハ上に
供給するようにした半導体フォトリソグラフィ工程の現
像液供給システムに関する。
グラフィ(Photolithography)工程の現像液供給システム
に関するもので、より詳細には、ウェーハの上面に形成
されたフォトレジスト（Photoresist、ＰＲ）層から不
必要な部分を除去するために使用される現像液内に溶存
している気体を除去し、その後に現像液をウェーハ上に
供給するようにした半導体フォトリソグラフィ工程の現
像液供給システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、ウェーハは、フォトリソグラフ
ィ、拡散、蝕刻、化学気相蒸着及び金属配線等の工程を
反復遂行することによって、半導体装置として製作され
る。このような半導体装置の製造工程において、頻繁に
行われる工程の１つがフォトリソグラフィ工程である。
ィ、拡散、蝕刻、化学気相蒸着及び金属配線等の工程を
反復遂行することによって、半導体装置として製作され
る。このような半導体装置の製造工程において、頻繁に
行われる工程の１つがフォトリソグラフィ工程である。
【０００３】フォトリソグラフィ工程は、ウェーハ上に
所定のパターンを形成するための工程であって、まずウ
ェーハの表面にフォトレジスト(Photoresist:PR)層を形
成し、このＰＲ層に所定のレイアウトで形成されたレテ
ィクル(Reticle)のパターンを転写する露光工程を行っ
た後で現像液を供給し、転写による不必要なＰＲ層を除
去して洗浄することによって、ウェーハ上に要求される
パターンを形成する。
所定のパターンを形成するための工程であって、まずウ
ェーハの表面にフォトレジスト(Photoresist:PR)層を形
成し、このＰＲ層に所定のレイアウトで形成されたレテ
ィクル(Reticle)のパターンを転写する露光工程を行っ
た後で現像液を供給し、転写による不必要なＰＲ層を除
去して洗浄することによって、ウェーハ上に要求される
パターンを形成する。
【０００４】上述したとおり、不必要なＰＲ層を除去す
るための現像工程の製造設備には、現像液をウェーハ上
に供給する供給システムが設置されており、供給される
現像液が気体を含有した状態でウェーハ上に供給される
と、不良パターンが形成されてしまう。従って、前記現
像液供給システムには、現像液内に溶存する気体を除去
するための脱気装置が設置されている。
るための現像工程の製造設備には、現像液をウェーハ上
に供給する供給システムが設置されており、供給される
現像液が気体を含有した状態でウェーハ上に供給される
と、不良パターンが形成されてしまう。従って、前記現
像液供給システムには、現像液内に溶存する気体を除去
するための脱気装置が設置されている。
【０００５】図２は、従来の半導体フォトリソグラフィ
工程の現像液供給システムを示した概略図である。現像
液供給システム１０は、外部から投入された現像液を貯
蔵するように形成された主タンク１２と、この主タンク
１２から供給管１４を通じて、所定量の現像液を貯蔵す
るように形成された複数個の供給タンク１６と、これ等
の供給タンク１６と連結された現像液供給ライン１８
と、この現像液供給ライン１８の先端部に連結され、工
程チャンバー２０の内部に設置されたノズル２２とから
構成されている。
工程の現像液供給システムを示した概略図である。現像
液供給システム１０は、外部から投入された現像液を貯
蔵するように形成された主タンク１２と、この主タンク
１２から供給管１４を通じて、所定量の現像液を貯蔵す
るように形成された複数個の供給タンク１６と、これ等
の供給タンク１６と連結された現像液供給ライン１８
と、この現像液供給ライン１８の先端部に連結され、工
程チャンバー２０の内部に設置されたノズル２２とから
構成されている。
【０００６】この構成の中で、前記現像液供給ライン１
８は、所定量の現像液を収容するように形成された複数
個の供給タンク１６に、それぞれ第１連結管２４が連結
され、これ等の第１連結管２４は、更に１つの第２連結
管２６の一端に連結され、この第２連結管２６の他端に
は、複数個の工程チャンバー２０の内部にそれぞれ設置
されているノズル２２まで延長連結される複数個の第３
連結管２８が連結されている。
８は、所定量の現像液を収容するように形成された複数
個の供給タンク１６に、それぞれ第１連結管２４が連結
され、これ等の第１連結管２４は、更に１つの第２連結
管２６の一端に連結され、この第２連結管２６の他端に
は、複数個の工程チャンバー２０の内部にそれぞれ設置
されているノズル２２まで延長連結される複数個の第３
連結管２８が連結されている。
【０００７】また、複数個の供給タンク１６にそれぞれ
連結された第１連結管２４には、現像液の流れを選択的
に遮断すると共に、現像液内に混入している空気を、一
次的に除去するように形成された制御バルブ３０ａがそ
れぞれ設置されている。
連結された第１連結管２４には、現像液の流れを選択的
に遮断すると共に、現像液内に混入している空気を、一
次的に除去するように形成された制御バルブ３０ａがそ
れぞれ設置されている。
【０００８】上述したそれぞれの制御バルブ３０ａは、
第１連結管２４を選択的に遮断するようになっていて、
複数個の第１連結管２４のいずれか１つを開通するよう
にしている。
第１連結管２４を選択的に遮断するようになっていて、
複数個の第１連結管２４のいずれか１つを開通するよう
にしている。
【０００９】このような制御バルブ３０ａによって開通
した第１連結管２４を通じて供給される現像液は、複数
個の第１連結管２４から単一管である第２連結管２６を
通って複数個の第３連結管２８に沿って順次流れ、ノズ
ル２２を通じてウェーハ３２上に供給される。
した第１連結管２４を通じて供給される現像液は、複数
個の第１連結管２４から単一管である第２連結管２６を
通って複数個の第３連結管２８に沿って順次流れ、ノズ
ル２２を通じてウェーハ３２上に供給される。
【００１０】そして、それぞれの第３連結管２８には、
第３連結管２８に沿って流動する現像液内に溶存する気
体を除去するための脱気装置３４と、現像液の量を測定
するために形成された目盛ゲージ３６と、現像液内に含
まれる異物質を除去するためのフィルター３８と、前記
目盛ゲージ３６の信号を受けて現像液の流動を選択的に
遮断し、現像液に混入した空気を除去するために形成さ
れた遮断バルブ３０ｂとが順次設置されている。
第３連結管２８に沿って流動する現像液内に溶存する気
体を除去するための脱気装置３４と、現像液の量を測定
するために形成された目盛ゲージ３６と、現像液内に含
まれる異物質を除去するためのフィルター３８と、前記
目盛ゲージ３６の信号を受けて現像液の流動を選択的に
遮断し、現像液に混入した空気を除去するために形成さ
れた遮断バルブ３０ｂとが順次設置されている。
【００１１】図３は、図２の現像液供給ライン内に設置
された脱気装置を示した部分切断斜視図である。脱気装
置３４は複数の第３連結管２８のそれぞれに設置され、
内部に１個当り１００−３００μｍの直径からなる毛細
管４０が約１万個程度、束に縛られてエポキシでモール
ディング(Molding)されており、これのことを通常、中
空界膜と称する。
された脱気装置を示した部分切断斜視図である。脱気装
置３４は複数の第３連結管２８のそれぞれに設置され、
内部に１個当り１００−３００μｍの直径からなる毛細
管４０が約１万個程度、束に縛られてエポキシでモール
ディング(Molding)されており、これのことを通常、中
空界膜と称する。
【００１２】図４は、中空界膜の毛細管４０の構造を詳
細に示したもので、毛細管４０をなす膜質４２の内側に
は現像液が流れるようになっており、外側には真空ポン
プ（図示されていない）によって高真空状態が形成され
る。
細に示したもので、毛細管４０をなす膜質４２の内側に
は現像液が流れるようになっており、外側には真空ポン
プ（図示されていない）によって高真空状態が形成され
る。
【００１３】一方、前記毛細管４０は、約１００−３０
０μｍの直径で、膜質４２の内側部分には突起４４の形
成された管の形状をなしている。このような毛細管４０
の膜質４２は、疎水性をもっていて、気体状態の空気は
前記の膜質４２を透過し、液体状態の現像液は透過する
ことができない。
０μｍの直径で、膜質４２の内側部分には突起４４の形
成された管の形状をなしている。このような毛細管４０
の膜質４２は、疎水性をもっていて、気体状態の空気は
前記の膜質４２を透過し、液体状態の現像液は透過する
ことができない。
【００１４】従って、毛細管４０の膜質４２の内側部分
に形成された洗浄液供給圧力と、外側部分の真空ポンプ
による真空圧によって気体分圧が形成され、現像液と共
に流動する気体は、毛細管４０を通過するときに膜質４
２を透過して外側に排出される。
に形成された洗浄液供給圧力と、外側部分の真空ポンプ
による真空圧によって気体分圧が形成され、現像液と共
に流動する気体は、毛細管４０を通過するときに膜質４
２を透過して外側に排出される。
【００１５】このように、現像液内に溶存する気体を除
去するためには、上述した脱気装置３４を通過させるた
めの供給圧力が必要であり、この供給圧力は供給タンク
１６内に供給されている窒素ガスの加圧力によって生じ
ている。この加圧力は、下記式のように示すことができ
る。
去するためには、上述した脱気装置３４を通過させるた
めの供給圧力が必要であり、この供給圧力は供給タンク
１６内に供給されている窒素ガスの加圧力によって生じ
ている。この加圧力は、下記式のように示すことができ
る。
【００１６】
【数１】…Ｐ∝λ×（Ｗ2／２ｇ）×（Ｌ／Ｄ） （Ｐ＝現像液供給圧力、λ＝摩擦係数、Ｗ＝平均速度、
Ｌ＝長さ、Ｄ＝直径） 前記式において、現像液供給圧力は長さに比例するが、
直径には反比例することが分かる。
Ｌ＝長さ、Ｄ＝直径） 前記式において、現像液供給圧力は長さに比例するが、
直径には反比例することが分かる。
【００１７】しかし、従来の現像液供給システムでは、
それぞれの工程チャンバー２０に現像液を同時に供給す
る場合には、供給タンク１６の窒素ガスの加圧による現
像液供給圧力が、第２連結管２６で複数個の第３連結管
２８に分岐される際に減少してしまう。
それぞれの工程チャンバー２０に現像液を同時に供給す
る場合には、供給タンク１６の窒素ガスの加圧による現
像液供給圧力が、第２連結管２６で複数個の第３連結管
２８に分岐される際に減少してしまう。
【００１８】従って、現像液供給圧力が減少した状態
で、現像液が脱気装置を通過するので、脱気装置の脱気
効率が低下し、これによって充分に脱気されない現像液
が、各工程チャンバーに供給され、現像液内に混入した
微細な気泡によって、工程不良を誘発することになって
いた。
で、現像液が脱気装置を通過するので、脱気装置の脱気
効率が低下し、これによって充分に脱気されない現像液
が、各工程チャンバーに供給され、現像液内に混入した
微細な気泡によって、工程不良を誘発することになって
いた。
【００１９】また、現像液供給圧力の減少によって、充
分な量の現像液をウェーハ上に供給することができず、
充分な量を供給するためには供給時間を長くしなければ
ならず、これにより現像工程時に工程時間が遅延してい
た。
分な量の現像液をウェーハ上に供給することができず、
充分な量を供給するためには供給時間を長くしなければ
ならず、これにより現像工程時に工程時間が遅延してい
た。
【００２０】また、従来の現像液供給システムは、脱気
装置及びフィルターが、複数個の第３連結管にそれぞれ
設置されていたので、設置費用及び管理ポイントを増加
させる問題点があった。
装置及びフィルターが、複数個の第３連結管にそれぞれ
設置されていたので、設置費用及び管理ポイントを増加
させる問題点があった。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
問題点を解決するためのもので、現像液供給圧力に対す
る脱気装置の脱気効率を高めて、現像工程時の溶存気体
による工程不良を防止することのできる半導体フォトリ
ソグラフィ工程の現像液供給システムを提供することで
ある。
問題点を解決するためのもので、現像液供給圧力に対す
る脱気装置の脱気効率を高めて、現像工程時の溶存気体
による工程不良を防止することのできる半導体フォトリ
ソグラフィ工程の現像液供給システムを提供することで
ある。
【００２２】また、本発明の別の目的は、現像液供給時
間を短縮して、現像工程に要する時間を減らすことによ
って、設備の稼働率を増大することのできる半導体フォ
トリソグラフィ工程の現像液供給システムを提供するこ
とである。
間を短縮して、現像工程に要する時間を減らすことによ
って、設備の稼働率を増大することのできる半導体フォ
トリソグラフィ工程の現像液供給システムを提供するこ
とである。
【００２３】さらに、本発明の別の目的は、脱気装置の
設置数を減少させて、設置費用を節減することのできる
管理に容易な半導体フォトリソグラフィ工程の現像液供
給システムを提供することである。
設置数を減少させて、設置費用を節減することのできる
管理に容易な半導体フォトリソグラフィ工程の現像液供
給システムを提供することである。
【００２４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体フォトリソグラフィ工程の現像液供
給システムは、所定量の現像液を貯蔵する複数個の供給
タンクと、この複数個の供給タンクにそれぞれ連結され
た複数個の第１連結管とこの複数個の第１連結管が１つ
の通路に集まるように連結された第２連結管とこの第２
連結管から分岐される複数個の第３連結管とからなる現
像液供給ラインと、この現像液供給ラインの前記第３連
結管にそれぞれ設置され、工程チャンバー内部のウェー
ハ上に現像液を噴射するノズルと、前記現像液供給ライ
ンの前記第２連結管に設置され、内部に流れる現像液か
ら溶存気体を除去する脱気装置と、前記複数個の第３連
結管にそれぞれ設置され、前記複数個の第３連結管の中
のいずれか１つの第３連結管を通じて、１つの工程チャ
ンバーのみに現像液が選択的に供給されるように通路を
開閉する遮断バルブとを具備することを特徴とする。
に、本発明の半導体フォトリソグラフィ工程の現像液供
給システムは、所定量の現像液を貯蔵する複数個の供給
タンクと、この複数個の供給タンクにそれぞれ連結され
た複数個の第１連結管とこの複数個の第１連結管が１つ
の通路に集まるように連結された第２連結管とこの第２
連結管から分岐される複数個の第３連結管とからなる現
像液供給ラインと、この現像液供給ラインの前記第３連
結管にそれぞれ設置され、工程チャンバー内部のウェー
ハ上に現像液を噴射するノズルと、前記現像液供給ライ
ンの前記第２連結管に設置され、内部に流れる現像液か
ら溶存気体を除去する脱気装置と、前記複数個の第３連
結管にそれぞれ設置され、前記複数個の第３連結管の中
のいずれか１つの第３連結管を通じて、１つの工程チャ
ンバーのみに現像液が選択的に供給されるように通路を
開閉する遮断バルブとを具備することを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施例
を、添付図面を参照して詳細に説明する。
を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２６】図１は、本発明の一実施形態に係る半導体
フォトリソグラフィ工程の現像液供給システムを示した
概略図である。
フォトリソグラフィ工程の現像液供給システムを示した
概略図である。
【００２７】図１を参照して説明すると、現像液供給シ
ステム４６は、所定量の現像液を貯蔵する複数個の供給
タンク１６を備えている。複数個の供給タンク１６は、
多量の現像液が収容されている主タンク１２と供給管１
４により連結され、主タンク１２から現像液が供給され
ている。
ステム４６は、所定量の現像液を貯蔵する複数個の供給
タンク１６を備えている。複数個の供給タンク１６は、
多量の現像液が収容されている主タンク１２と供給管１
４により連結され、主タンク１２から現像液が供給され
ている。
【００２８】また、供給タンク１６は、現像液供給ライ
ン６０に連結されており、この現像液供給ライン６０を
通じて、工程チャンバー２０内のウェーハ３２上に現像
液が供給される。
ン６０に連結されており、この現像液供給ライン６０を
通じて、工程チャンバー２０内のウェーハ３２上に現像
液が供給される。
【００２９】前記現像液供給ライン６０は、複数個の供
給タンク１６にそれぞれ連結された複数個の第１連結管
２４と、前記複数個の第１連結管２４が１つの通路に集
められて連結された第２連結管４８と、前記第２連結管
４８から分岐される複数個の第３連結管５０とから構成
されている。
給タンク１６にそれぞれ連結された複数個の第１連結管
２４と、前記複数個の第１連結管２４が１つの通路に集
められて連結された第２連結管４８と、前記第２連結管
４８から分岐される複数個の第３連結管５０とから構成
されている。
【００３０】現像液供給ライン６０の複数個の第３連結
管５０の先端には、工程チャンバー２０内に位置し、ウ
ェーハ３２上に現像液を噴射するノズル２２が設置され
ている。また、第２連結管４８には、通路に流れる現像
液から溶存気体を除去する脱気装置５２が１つ設置され
ている。従って、この脱気装置５２によって脱気された
現像液は、第２連結管４８から分岐される複数個の第３
連結管５０を通じて、各工程チャンバー２０に供給され
る。
管５０の先端には、工程チャンバー２０内に位置し、ウ
ェーハ３２上に現像液を噴射するノズル２２が設置され
ている。また、第２連結管４８には、通路に流れる現像
液から溶存気体を除去する脱気装置５２が１つ設置され
ている。従って、この脱気装置５２によって脱気された
現像液は、第２連結管４８から分岐される複数個の第３
連結管５０を通じて、各工程チャンバー２０に供給され
る。
【００３１】複数個の第１連結管２４には、供給タンク
１６から供給される現像液を、選択的に遮断すると共
に、現像液内の空気を除去する制御バルブ５８ａがそれ
ぞれ設置されている。
１６から供給される現像液を、選択的に遮断すると共
に、現像液内の空気を除去する制御バルブ５８ａがそれ
ぞれ設置されている。
【００３２】前記制御バルブ５８ａは、複数個の供給タ
ンク１６の中で、貯蔵された現像液の量が最も多い側の
供給タンク１６から現像液を供給するように制御される
ことが望ましい。
ンク１６の中で、貯蔵された現像液の量が最も多い側の
供給タンク１６から現像液を供給するように制御される
ことが望ましい。
【００３３】また、複数個の第３連結管５０には、脱気
装置５２を経てノズル２２に供給される現像液を選択的
に遮断または供給すると共に、現像液内の空気を除去す
る別の遮断バルブ５８ｂがそれぞれ設置されている。
装置５２を経てノズル２２に供給される現像液を選択的
に遮断または供給すると共に、現像液内の空気を除去す
る別の遮断バルブ５８ｂがそれぞれ設置されている。
【００３４】前記複数個の遮断バルブ５８ｂは、１つの
遮断バルブ５８ｂが開放されると、他の遮断バルブ５８
ｂは自動的に閉鎖されるように制御され、どちらか１つ
の第３連結管５０を通じて、工程チャンバー２０の１つ
のみに現像液が供給されるようになっている。
遮断バルブ５８ｂが開放されると、他の遮断バルブ５８
ｂは自動的に閉鎖されるように制御され、どちらか１つ
の第３連結管５０を通じて、工程チャンバー２０の１つ
のみに現像液が供給されるようになっている。
【００３５】また、本発明の現像液供給ライン６０に
は、現像液から異物質を除去するフィルター５６と、現
像液の流量を測定する目盛ゲージ５４が設置されてい
る。
は、現像液から異物質を除去するフィルター５６と、現
像液の流量を測定する目盛ゲージ５４が設置されてい
る。
【００３６】フィルター５６は、図１に示したように、
脱気装置５２の前の第２連結管４８に設置して、フィル
ターリングされた現像液が脱気装置５２に流れるように
することが最も好ましいが、第１連結管２４にそれぞれ
設置しても良い。
脱気装置５２の前の第２連結管４８に設置して、フィル
ターリングされた現像液が脱気装置５２に流れるように
することが最も好ましいが、第１連結管２４にそれぞれ
設置しても良い。
【００３７】また、フィルター５６は、脱気装置５２の
後の第２連結管４８に設置して脱気装置５２を通過して
脱気された洗浄液から異物質を除去しても良いし、第３
連結管５０にそれぞれ設置しても良い。
後の第２連結管４８に設置して脱気装置５２を通過して
脱気された洗浄液から異物質を除去しても良いし、第３
連結管５０にそれぞれ設置しても良い。
【００３８】目盛ゲージ５４は、図１に示したように脱
気装置５２と遮断バルブ５８ｂの間の第３連結管５０に
それぞれ設置して、ウェーハ３２に供給される現像液の
量を正確に測定することが最も好ましいが、第２連結管
４８に１つのみ設置しても良い。
気装置５２と遮断バルブ５８ｂの間の第３連結管５０に
それぞれ設置して、ウェーハ３２に供給される現像液の
量を正確に測定することが最も好ましいが、第２連結管
４８に１つのみ設置しても良い。
【００３９】以上において本発明は、記載された具体例
に対してのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想範囲
内で、多様な変形及び修正が可能であることは、当業者
によって明らかなものであり、このような変形及び修正
が、添付された特許請求の範囲に属することは当然なも
のである。
に対してのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想範囲
内で、多様な変形及び修正が可能であることは、当業者
によって明らかなものであり、このような変形及び修正
が、添付された特許請求の範囲に属することは当然なも
のである。
【００４０】
【発明の効果】このような構成の現像液供給システム
は、図１に示したように、主タンク１２から現像液が供
給されて複数個の供給タンク１６に所定量が貯蔵され、
複数個の供給タンク１６の現像液は現像液供給ライン６
０を通じてノズル２２に供給され、ウェーハ３２上に噴
射される。
は、図１に示したように、主タンク１２から現像液が供
給されて複数個の供給タンク１６に所定量が貯蔵され、
複数個の供給タンク１６の現像液は現像液供給ライン６
０を通じてノズル２２に供給され、ウェーハ３２上に噴
射される。
【００４１】このとき、本発明は脱気装置５２が現像液
供給ライン６０の第２連結管４８に設置されているの
で、現像液供給圧力が減少しない状態で現像液が脱気装
置５２を通過し、これによって脱気装置５２の脱気効率
が増大する。
供給ライン６０の第２連結管４８に設置されているの
で、現像液供給圧力が減少しない状態で現像液が脱気装
置５２を通過し、これによって脱気装置５２の脱気効率
が増大する。
【００４２】従って、脱気装置５２を通過して溶存気体
のより除去された現像液がウェーハ３２上に供給される
ので、現像工程時に溶存気体による工程不良が防止され
る。
のより除去された現像液がウェーハ３２上に供給される
ので、現像工程時に溶存気体による工程不良が防止され
る。
【００４３】また、フィルター５６が脱気装置５２の前
に設置されると、フィルター５６から異物質が除去され
たきれいな現像液が脱気装置５２に供給され、これによ
って脱気装置５２内に異物質が蓄積することを防止し
て、機能及び寿命を長く保持することが可能になる。
に設置されると、フィルター５６から異物質が除去され
たきれいな現像液が脱気装置５２に供給され、これによ
って脱気装置５２内に異物質が蓄積することを防止し
て、機能及び寿命を長く保持することが可能になる。
【００４４】そして、第３連結管５０に設置された遮断
バルブ５８ｂは、一方が開放されると、他方は自動的に
閉鎖されるように制御されているので、１つの第３連結
管５０を通じて、１つの工程チャンバー２０のみに現像
液が供給される。従って、現像液供給圧力が減少せずそ
のままの圧力を保持して、現像液が充分に供給されて迅
速に行われ、現像工程にかかる時間を短縮することがで
きる。
バルブ５８ｂは、一方が開放されると、他方は自動的に
閉鎖されるように制御されているので、１つの第３連結
管５０を通じて、１つの工程チャンバー２０のみに現像
液が供給される。従って、現像液供給圧力が減少せずそ
のままの圧力を保持して、現像液が充分に供給されて迅
速に行われ、現像工程にかかる時間を短縮することがで
きる。
【００４５】また、高価な脱気装置５２及びフィルター
５６が、第２連結管４８上にそれぞれ１つ設置されるの
で、設置費用が減少し、設置部品の減少によって管理ポ
イントが減少するので、管理が容易である。
５６が、第２連結管４８上にそれぞれ１つ設置されるの
で、設置費用が減少し、設置部品の減少によって管理ポ
イントが減少するので、管理が容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体フォトリソグラフィ工程の
現像液供給システムを示した一実施の形態を示す図であ
る。
現像液供給システムを示した一実施の形態を示す図であ
る。
【図２】従来の半導体フォトリソグラフィ工程の現像液
供給システムを示した図である。
供給システムを示した図である。
【図３】図２の現像液供給システムの現像液供給ライン
に設置された脱気装置を示した部分切断斜視図である。
に設置された脱気装置を示した部分切断斜視図である。
【図４】図３の脱気装置内の毛細管を示した部分切断拡
大斜視図である。
大斜視図である。
１０、４６ 現像液供給システム １２ 主タンク １４ 供給管 １６ 供給タンク １８、６０ 現像液供給ライン ２０ 工程チャンバー ２２ ノズル ２４ 第１連結管 ２６、４８ 第２連結管 ２８、５０ 第３連結管 ３０ａ、５８ａ 制御バルブ ３０ｂ、５８ｂ 遮断バルブ ３２ ウェーハ ３４、５２ 脱気装置 ３６、５４ 目盛ゲージ ３８、５６ フィルター ４０ 毛細管 ４２ 膜質 ４４ 突起
Claims (12)
- 【請求項１】 所定量の現像液を貯蔵する複数個の供給
タンクと、 この複数個の供給タンクにそれぞれ連結された複数個の
第１連結管とこの複数個の第１連結管が１つの通路に集
まるように連結された第２連結管とこの第２連結管から
分岐される複数個の第３連結管とからなる現像液供給ラ
インと、 この現像液供給ラインの前記第３連結管にそれぞれ設置
され、工程チャンバー内部のウェーハ上に現像液を噴射
するノズルと、 前記現像液供給ラインの前記第２連結管に設置され、内
部に流れる現像液から溶存気体を除去する脱気装置と、 前記複数個の第３連結管にそれぞれ設置され、前記複数
個の第３連結管の中のいずれか１つの第３連結管を通じ
て、１つの工程チャンバーのみに現像液が選択的に供給
されるように通路を開閉する遮断バルブとを具備するこ
とを特徴とする半導体フォトリソグラフィ工程の現像液
供給システム。 - 【請求項２】 前記遮断バルブのそれぞれは、１つの遮
断バルブが開放されるときには、残りの遮断バルブは自
動的に閉鎖されるように制御されることを特徴とする請
求項１に記載の半導体フォトリソグラフィ工程の現像液
供給システム。 - 【請求項３】 前記現像液供給ラインの前記第１連結管
に、通路を選択的に開閉する制御バルブをそれぞれ具備
することを特徴とする請求項１に記載の半導体フォトリ
ソグラフィ工程の現像液供給システム。 - 【請求項４】 前記制御バルブは、前記複数個の供給タ
ンク内に貯蔵された現像液が多い側を開放するように制
御されることを特徴とする請求項３に記載の半導体フォ
トリソグラフィ工程の現像液供給システム。 - 【請求項５】 前記現像液供給ラインに流れる現像液か
ら異物質を除去するフィルターを具備することを特徴と
する請求項１に記載の半導体フォトリソグラフィ工程の
現像液供給システム。 - 【請求項６】 前記フィルターは、前記第２連結管の前
記脱気装置の前に設置されていることを特徴とする請求
項５に記載の半導体フォトリソグラフィ工程の現像液供
給システム。 - 【請求項７】 前記フィルターは前記脱気装置以後の第
２連結管に設置されていることを特徴とする請求項５に
記載の半導体フォトリソグラフィ工程の現像液供給シス
テム。 - 【請求項８】 前記フィルターは、前記脱気装置と前記
遮断バルブとの間の前記第３連結管にそれぞれ設置され
ていることを特徴とする請求項５に記載の半導体フォト
リソグラフィ工程の現像液供給システム。 - 【請求項９】 前記現像液供給ラインに流れる現像液の
量を測定する目盛ゲージを具備することを特徴とする請
求項１に記載の半導体フォトリソグラフィ工程の現像液
供給システム。 - 【請求項１０】 前記目盛ゲージは、前記脱気装置の前
の前記第２連結管に設置されていることを特徴とする請
求項９に記載の半導体フォトリソグラフィ工程の現像液
供給システム。 - 【請求項１１】 前記目盛ゲージは、前記脱気装置以後
の前記第２連結管に設置されていることを特徴とする請
求項９に記載の半導体フォトリソグラフィ工程の現像液
供給システム。 - 【請求項１２】 前記目盛ゲージは、前記脱気装置と前
記遮断バルブとの間の前記第３連結管にそれぞれ設置さ
れていることを特徴とする請求項９に記載の半導体フォ
トリソグラフィ工程の現像液供給システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960039906A KR100203781B1 (ko) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 반도체 포토리소그래피 공정의 현상액 공급시스템 |
| KR1996-39906 | 1996-09-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10106944A true JPH10106944A (ja) | 1998-04-24 |
| JP2968948B2 JP2968948B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=19473776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9109665A Expired - Lifetime JP2968948B2 (ja) | 1996-09-13 | 1997-04-25 | 半導体フォトリソグラフィ工程の現像液供給システム |
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| Country | Link |
|---|---|
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| KR (1) | KR100203781B1 (ja) |
| TW (1) | TW389930B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| KR20000050363A (ko) * | 1999-01-07 | 2000-08-05 | 윤종용 | 현상액 공급 시스템 |
| KR101070204B1 (ko) * | 2006-02-01 | 2011-10-06 | 자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단 | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 표면의 마이크로러프니스 저감 방법 |
| KR20090044285A (ko) * | 2007-10-31 | 2009-05-07 | 삼성전자주식회사 | Ａｌｄ 설비 및 그 ａｌｄ 설비의 세정방법 |
| CN107835576B (zh) * | 2017-11-17 | 2023-12-05 | 奥士康科技股份有限公司 | 一种溶液自动添加系统 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5301701A (en) * | 1992-07-30 | 1994-04-12 | Nafziger Charles P | Single-chamber cleaning, rinsing and drying apparatus and method therefor |
| US5722442A (en) * | 1994-01-07 | 1998-03-03 | Startec Ventures, Inc. | On-site generation of ultra-high-purity buffered-HF for semiconductor processing |
| KR0164007B1 (ko) * | 1994-04-06 | 1999-02-01 | 이시다 아키라 | 미세 패턴화된 레지스트막을 가지는 기판의 건조처리방법 및 장치 |
| US5542441A (en) * | 1994-08-03 | 1996-08-06 | Yieldup International | Apparatus for delivering ultra-low particle counts in semiconductor manufacturing |
-
1996
- 1996-09-13 KR KR1019960039906A patent/KR100203781B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-04-08 TW TW086104418A patent/TW389930B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-04-25 JP JP9109665A patent/JP2968948B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-12 US US08/928,529 patent/US5842075A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2968948B2 (ja) | 1999-11-02 |
| TW389930B (en) | 2000-05-11 |
| US5842075A (en) | 1998-11-24 |
| KR19980021158A (ko) | 1998-06-25 |
| KR100203781B1 (ko) | 1999-06-15 |
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