TW389930B - Developing solution feed system for semiconductor photolithography process - Google Patents
Developing solution feed system for semiconductor photolithography process Download PDFInfo
- Publication number
- TW389930B TW389930B TW086104418A TW86104418A TW389930B TW 389930 B TW389930 B TW 389930B TW 086104418 A TW086104418 A TW 086104418A TW 86104418 A TW86104418 A TW 86104418A TW 389930 B TW389930 B TW 389930B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- connection
- developer
- pipe
- patent application
- supply
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
經濟部中央橾準局貝工消費合作杜印製 A 7 B7 * 五、發明説明(\ ) 本發明之背景: 1 .本發明之領域: 本發明偽關於半導體徹影製程用顯影液供應条统,尤 指在条统中在顯影液内所含的氣體被去除,而後該清潔液 披供慝到晶圓的上面以藉此從被形成於該晶圓之上的光阻 (PR)層去除不需要之部分。 2 .相關技術之說明: 一般而言,半導體元件藉重覆地執行徹影、擴散、蝕 刻、蒸發以及金饜線製作等製程而被製造.在半導體元件 生産製程中微影製程傜平常的一種製程。 徹顯製程偽用以形成待定之圖案於晶圓上的製程,該 製程包括形成光阻層於晶圓的表面上、刻印或曝光具有特 定之電路圖的標線腿案於該光阻層之上,以及因為藉供應 顯影_液而刻印以去除該層之不需要的部分.藉以在晶圓上 形成所需的圖案。 在上面的供慝条统中,如果該顯影液帶有其所含的氣 體而被供應至晶圓上,該圖案就被不良地形成,因此,氣 體去除装置被裝設在該顯影液供匾系統中以去除該溶液中 所含的氣鱧。 匾1傜顯示用於半導體微影製程之傳统的顯影液供應 条統之示意圖,該顯影液供應条統1 0包括用以儲存由外 部输入的顯影液之主槽12、複數傾用以儲存從該主槽 1 2經過供應管1 4所供應之待定量的顯影液的供應槽 本紙張尺度適用中國困家標率(CNS } Λ4規格(210X297公釐) --\-------,乂------訂--L----' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明(2 ) A7 B7 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 以製 4 的管到 接擇影閉 接4流. 連4刻之閉 、於 2量接接嘴 連菝顯關 連 26 三 3 的霣關 8 設 管定連連管 被 a 該地 一管 2 第置«,物的 1 装 接持 一被入 自 ο 在性 第接管 該裝之的氣 線被 連存第則伸。各 3 除擇 的連接。著除液來空 管且 一儲該點延中在閥去選 。開一連上沿去影外之 應並 第以到端 80 設制為 a 管打第二 2 在體顯之含 供端 傾用接個 22 装控要 ο 接被到第 3 除氣的含所 液末 數 6 連 一管室被該主 3 連而接的圓去之動所中 影之 複 1 被另接程閥 ,時閥傾 a 連 8 晶以體流中液 顯 8 ,槽個的連製制中同制 一 ο 被 2 至用氣 8 液影 之 1 中應一 6 三於控4* 控何 3 端管應括的 2 影顯 6 線 8 供有 2 第設個 2 且該任閥 一 接供包含管顯遂 1 管 1 該具管該裝 一管並 ,啓制有連被次所接該在 槽應。線到 6 接,被每接 ·是開控具三 2 依中連在除' 應供 2 管接 CVJ 連 82 ,連通就以藉著第 28 液三除去 供液 2 應連管二 22 等 一流也藉過沿到嘴 2 影第去以 該影嘴供被接第管嘴 a 第的 .4,經 ,接管管顯該以用 到顯管液管連該接管 ο 之液體 2 ,應連過接之著用 、 接該的影接二 ,連個 36 影氣管液供被經連動沿 、8 連到中顯連第點三 一閥 1 顯的接影被端此三流定 63 被接 ο 該値.端第每制槽閉含連顯而一藉第 8 測 3 置 、連 2 在一液的個,控應關所一該 4 另而該 2 以表装 6 波室 每影 4 數 2 供地中第 2 及, 管用儀濂 1 及程 ,顯 2 複 2 到性液該 管以動 接、度過, 产------訂--------Φ ί . (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適刑中國困家標準(CNS ) Λ4現格(210X297公釐) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明k明($ ) 閥 3 0 b。 圖2偽顯示被装設於圖1之顯影液供應啻線中的氣體 去除装置之部分截斷圖,該氣體去除裝置34,被装設於 第三連接管28中·係以將近數以萬計的毛細管40所束 缚成堆之環氣樹脂所鏵模而成,毎一個毛細管的直徑為 100 — 300 毫微米(um)。 圖3詳细地顯示毛細管40,該顯影液沿著形成該毛 细管的薄膜之内部流動,而同時具有真空幫浦(未顯示) 之高度的真空狀態被形成於該薄膜的外面。 同時,該毛細管40被形成具有突出於該薄膜42之 内壁上的突出物44,而每一値毛細管具有將近1〇〇 — 300毫微米(《m)的直徑,該毛細管40的薄膜42 具有恐水特性,使得氣態的空氣能夠滲入該薄膜42而同 時液態的顯影液則不能夠滲人該薄膜4 2。 因此,氣體分壓和形成於該薄膜42的内壁之上的顯 影液供應壓力及藉真空幫浦而形成於該薄膜的外倒之上的 真空壓力被産生,使得在該顯影液中所含的氣體在通遇毛 細管期間能夠被排到外面。 為了去除在該顯影液中所含的氣體,該溶液必須通過 具有供應壓力的氣體去除裝置34,這個供應懕力以被供 憋入該供應槽16中之氮氧的加壓而被形成.該加壓將被 說明於如下所顥示。 公式: 本紙張尺度適用中國困家標準(CNS ) Λ4说格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 戍! A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明说明 (^ … … P 〇〇 λ X ( W ο / 2 g ) X ( L / D ) 1 | 其 中 P 為 顯 影 液 供 ϋ 壓 力 , λ 為 摩 擦 偽 數 W 2 為 平 均 速 1 度 t L 為 長 度 以 及 D 為 直 徑 〇 請 先 1 i 在 上 面 的 公 式 中 9 能 夠 很 容 易 地 領 會 到 顯 影 液 供 m 壓 閲 讀 背 | 力 傜 直 接 正比 於 長 度 > 但 是 反 比 於 直 徑 〇 之 注 1 然 而 » 在 傳 統 的 顯 影 液 供 應 % 統 中 當 顯 影 液 均 同 時 意 事 1 I 被 供 應 到 各 白 的 製 程 室 2 0 之 中 1 由 於 供 應 槽 1 6 之 氮 氣 再 & | 5 ( 的 加 壓 所 造 成 的 顯 影 液 供 應 壓 力 被 減 少在 該 供應懕 力 從. 苐 本 頁 1 二 連 接 管 2 6 被 分 到 第 三 連 接 管 2 8 之 製 程 的 期 間 〇 1 I 结 果 » 因 為 顯 影 液 通 過 具 有 被 減 少 之 供 慝 壓 力 的 氣 體 1 I 去 除 装 置 t 該 氣 體 去 除 装 置 之 氣 體 去 除 的 效 率 變 差 9 所 以 1 1 - 訂 • 該 顯 影 液 9 從 該 顯 影 液 中 所 含 的 氣 體 並 未 充 分 地 被 去 除 1 被 供 應 至 每 —. 摘 製 程 室 中 , 而 因 此 導 致 製 程 不 良 〇 1 { 而 且 9 因 為 許 多 量 的 顯 影 液 不 能 夠 被 供 me 應 至 該 晶 圓 之 1 | 上 因 為 該 顯 影 液 供 應 壓 力 的 減 少 以 及 供 應 許 多 量 之 顯 影 液 1 % 所 需 的 供 應 時 間 較 長 之 故 9 所 以 總 共 的 顯 影 製 程 時 間 變 得 1 較 長 〇 1 1 此 外 » 在 傳 统 的 顯 影 液 供 應 条 統 中 t 因 為 每 一 個 氣 體 1 1 去 除 装 置 和 過 濾 装 置 都 被 裝 設 於 第 三 連 接 管 中 9 該 % 統 的 1 裝 設 費 用 增 加 而 且 其 管 理 也 難 以 執 行 〇 1 1 1 本 發 明 之 概 逑 : 1 1 如 上 所 述 • 本 發 明 的 一 個 巨 的 在 於 提 供 用 於 半 導 體 徹 1 1 影 製 程 之 顯 影 液 供 應 % 統 • 而 7- 其 中 上 述 的 問 題 得 以 解 決 « 1 1 1 1 本紙浪尺度適用中國困家標半(CNS ) Λ4現格(21〇X297公釐) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明($ ) 本發明之条統提高了相颶於顯影液供應壓力之氣體去除装 置的氣鱧去除效率,使得本糸统能夠在顯影製程期間防止 因在顯影液中所含的氣鳢所造成之製程不良。 本發明的另一傾目的在於提供用於半導體微影製程之 顯影液供應条统,其中該顯影液供應時間以及顯影製程時 間被減少.而使得該条统之移動性能夠被增加。 仍然是本發明的另一個目的在於提供用於半導靂撤影 製程之顯影液供應条統,其中該氣體去除裝置的數目被減 少,結果,能夠減少該条統之裝設賨用而且也能夠容易地 執行其管理。 本發明之顯影液供應条统包括複數個用以儲存特定量 之顯影液的供應槽和一個顯影液供應管線.該顯影液供應 管線具有複數個第一連接管,每一傾第一連接管被連接到 該供應槽、第二連接管被連接到邸將被匯集成為一艏通道 的第一連接管、以及複數個從該第二連接管被分出的第三 連接管,該顳影液供應条統也包括管嘴等,每一餹管嘴被 裝設於該顯影液供應管線的第三連接管中而《以濺鍍顯影 液於製程室中之晶圓上、氣體去除装置,被裝設於該顯影 液供應管線之第二連接管中而藉以去除在顯影液中所含的 氣體、以及關閉閥等,每一餾關閉閥被裝設於第三連接管 之通道中而藉以選擇性地衹供應顯影液經過該第三連接管 進入一偁製程室中。 附圓之簡略説明: 本紙悵尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4说格(210X297公釐) II .— UHH - I -义------訂-------In ^ . · - - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 i、發明説明(G) 伴隨之圖形,該圖形被包括入以提供本發明之進一步 的了解並且被併入和構成此說明書的一部分.圖示說明本 發明之持殊的實施例,而且和說明一起當作解釋本發明之 原理用,在附圖中: 圖1傜顯示甩於半導體微影製程之傳統的顯影液供慝 条统之示意圈; 圖2偽顯示被装設於園1之顯影液供應条統之顯影液 供蘸管線中的氣體去除裝置之部分的截斷圃; 圖3偽顯示供應位於圖2之氣醱去除装置中的毛细管 之被放大的部分截斷圖;及 圖4偽根據本發明之較佳實施例的半導體撤影製程用 顯影液供應条统之示意圖。 較佳實施例之詳細說明: 對於本發明之較佳實施例而言,參考現在將被詳细地 做成,而其例被圖示說明於附圈中。 如被圖示説明於圖4中,顯影液供應条統46配備複 數傾用以儲存特定量之顯影液的供應槽16,該供應槽藉 供應管14而與主槽1 2相連接來從該主槽1 2接收顯影 液。 該供應槽1 6經由顯影液供應管線6 0而供應該顯影 液到位於製程室20之中的晶圔32上,該顯影液供匾管 線60係由複數傾第一連接管24,每一個第一連接管披 連接到該供應槽、被連接到該第一連接管而匯集成為一個 本紙张尺度適川中國國家標準(CNS ) A4说格(210x297公* ) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印袈 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 A7 B7 五、發明k明(q ) 通道的第二連接管4 8、以及複數傾由該第二連接管4 8 所分出之第三連接啻5 0所構成。 在該顯影液供應線路60中,該複數艟第三連接管 50,毎一個第三連接管具有一個側端,該側端係位於該 製程室2 0之中而且配備管嘴2 2用以濺鍍顯影液於晶圓 32之上,氣體去除装置被裝設於第二連接管48中以去 除在流經該通道之顯影液中所含的氣醱,因此,該顯影液 ,其中所含的氣體藉該氣體去除装置52而被去除,經過 從第二連接管4 8所分出之第三連接管5 0被供應到每一 個製程室2 0中。 控制閥5 8 a被値別装設於該第一連接管24中而藉 以選擇性地關閉從供應槽16所供應的顯影液,而且同時 去除在顯影液中所含的氣體。 希望藉控制該控制閥5 8 a而僅由在供應槽1 6之中 具有最大置顯影液的供應槽來供應顯影液。 此外,關閉閥5 8 b被傾別裝設於第三連接管5 0中 而藉以選擇性地關閉經由氣體去除裝置5 2被供應到管嘴 22之中的顯影液.而且同時去除在顯影液中所含的氣匾 〇 藉控制該關閉閥5 8 b而經由第三連接管5 0僅供應 顯影液到其中的一餹製程室20之中,也就是,如果任何 一個關閉閥58b被開啓,另一値闢閉閥58b則自動披 葫閉。 -10- 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS ) M坭格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -後! A7 B7 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印«. 五、發明k明 、 1 本 發 明 之 顯 影 液 供 應 管 線 6 0 傜 配 備 —· 個 用 以 從 頭 影 1 •·ι I 液 中 去 除 外 來 的 物 質 之 過 m 裝 置 5 6 以 及 用 以 測 定 顯 影 液 1 之 流 量 的 刻 度 計 量 器 0 請 先 1 | 閱 - 如 被 圖 示 說 明 於 圖 4 中 » 最 希 望 該 過 濾 装 置 5 6 被 裝 讀 背 1 設 於 第 二 連 接 管 4 8 中 » 而 在 氣 體 去 除 裝 置 之 4,4· 刖 使 得 所 過 之 1 濾 的 顯 影 液 能 夠 流 入 該 氣 體 去 除 裝 置 5 2 之 中 » 而 且 » 該 意 事 1 項 1 過 濾 装 置 5 6 也 可 以 被 装 設 於 第 一 連 接 管 2 4 中 〇 再 4 1 此 外 $ 該 過 濾 裝 置 5 6 可 以 被 装 設 於 第 二 連 接 管 4 8 寫1 本' 頁 Λ 中 而 在 氣 體 去 除 装 置 5 2 之 後 使 得 顯 影 液 * 其 中 所 含 的 1 氣 體 藉 氣 醴 去 除 裝 置 5 2 而 被 去 除 時 9 能 夠 被 過 濾 • 而 且 1 I 9 該 過 濾 裝 置 也 可 以 被 装 設 於 第 三 連 接 管 5 0 之 中 〇 1 1 - 訂 如 被 圖 示 説 明 於 圖 4 中 » 最 希 望 該 刻 度 計 董 器 5 4 被 1 個 別 地 裝 設 在 介 於 氣 腥 去 除 装 置 5 2 與 m 閉 閥 5 8 b 之 間 應 1 \ 而 藉 以 正 確 地 測 定 被 供 應 到 晶 圓 3 2 之 顯 影 液 的 量 而 且 1 , 只 有 __ 個 刻 度 計 量 器 可 以 被 裝 設 於 第 二 連 接 管 4 8 之 中 1 Ο % 1 在 圖 4 之 顯 影 液 供 應 % 統 中 t 該 顯 影 液 從 主 槽 1 2 被 1 1 供 應 到 供 給 槽 1 6 中 而 藉 此 被 儲 存 於 供 應 槽 之 中 9 而 後 經 1 過 顯 影 液 供 應 管 線 6 0 進 人 管 嘴 中 藉 以 被 濺 鍍 在 晶 圔 3 2 J I 上 〇 1 1 | 因 為 本 發 明 的 氣 體 去 除 装 置 5 2 被 装 設 於 顯 影 液 供 應 1 1 管 線 6 0 的 第 二 連 接 管 4 8 之 中 • 並 且 該 顯 影 液 在 顯 彩 液 1 1 供 應 壓 力 不 被 減 少 的 情 形 下 通 過 氣 匾 去 除 裝 置 5 2 參 所 以 1 I - 11 - 1 1 1 本紙悵尺度適用中國國家標芈(CNS ) Λ4現格(210X297公釐) 經濟部中央標隼局貝工消费合作社印製 389930 五、發明説明(q) 能夠提升氣醱去除的效率,而且,因為該顯影液.從該顯 影液中所含的氣髏藉氣體去除裝置52而被去除,被供應 到晶圓32中,能夠阻止被在該顯影液中所含的氣體所導 致之製程不良。 此外,因為過濾装置56被装設在氣體去除装置52 之前並旦該顯影液,從該顯影液中藉該過濂裝置來去除外 來的物質,被供應到氣體去除装置52之中,所以該外來 的物質不會沈澱在氣匾去除装置52上,因此能夠維持氣 體去除装置之功能及壽命延缠。 此外,因為如果被装設於第三連接管50中之關閉閥 58b的一側之關閉閥被開啓,另一侧之聞閉閥則自動被 關閉,所以顯影液經過第三連接管50衹能被供應到一個 製程室20之中,因此,顯影液供應壓力不會減少而是維 持原狀,藉此被充分地及快速地供應到製程室,結果,能 夠縮短顯影製程時間。 因此,應該了解到本發明不被限定於在此所掲示當做 用以實行本發明所深思熟慮之最佳模式的持別實施例,更 確切地說,本發明不被限定於在本說明書中所敘述的持殊 實施例而除了當被定義於附加的申請項之中時。 -12- 本紙悵尺度適用中國國家標準(CNS > Λ4此格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -*
Claims (1)
- 公告本j A8 B8 C8 D8煩請委员r-i-v::: f-K,.-.:A 後是巧0,<#實If内容 經濟部智总財/4-/»73;工消^合作社印焚 六、申請專利範圍 1 . 一種半導體微影製程用顯影液供應系統,包括: 複數涸供懕槽,用K儲存特定量的顯影掖; 一個具有複數個第一連接管之顯影液供應菅線,每一 涸第一連接管被連接到該供懕楢、一涸第二連接菅被連接 到卽將被匯集成為一個通道的第一連接管、以及複數個從 該第二連接菅所分出之第三連接管; 管嘴等,每一個管嘴被連接到該顯影疲供應管孃的第 三連接管而藉K濺鍍該顯影疲.於晶圓之上,每一個晶圓被 置於製程室之中; 氣體去除装置,其被装設於該顯影液供懕管媒之該第 二連接管中•藉以去除在沿著該管的内部流動之該顯影疲 中所含的氣體; 一過濾裝置,其用K去除在沿著該顯影疲供愿管媒而 流動之該顯影液中所含的外來物質;及 關閉闕,每一涸闞閉閥被装設於該第三連接管中而藉 R開啟與閫閉該管之通道,使得該顯影疲能夠经過該第三 連接管僅被選擇性地供懕入一個製程室中, 其中’該過漶装置被装設於該第二連接管中,且在該 氣體去除装置之前。 2 .如串讀專利範圍第丨項的系統,其中如果該關閉 閥的其中一個被開啟,則另一個關閉閥自動被關閉ΰ 3 .如申請專利範圍第1項的系统,再包括:複数個 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本吹乐义度適用中國國家揉车(CNS ) Λ4現格(210X 297公釐) A8 B8 C8 D8 189930 、申請專利範囷 1.—種半導體撤影製程用顯影液供應条统,包括: 複數艏供應槽,用以儲存待定置的顯影液; —侮具有複數傾第一連接管之顯影液供應管線,每一 個第一連接管被連接到該供應槽、一傾第二連接管披連接 到即將被匯集成為一値通道的第一連接管、以及複數傾從 該第二連接管所分出之第三連接管; 管嘴等,每一個管嘴被連接到該顯影液供匾管線的第 三連接管而藉以濺鍍該顯影液於晶圓之上,每一健晶圖被 • . “ 置於製程室之中; 氣體去除装置被裝設於該顯影液供應管線之該第二連 接管中而藉以去除在沿著該管的内部流動之該顯影液中所 含的氣髏;及 鼷閉閥.每一艏關閉閥被装設於該第三連接管中而藉 以開啓與蘭閉該管之通道,使得該顯影液能夠經過該第三 連接管僅被遘擇性地供應入一艏製程室中。 2. 如申請專利範圍第1項的条'統.,其中如果該闋閉 閥的其中一個被開啓,則另一個關閉閥自動被關閉。 3. 如申請專利範圍第1項的条統,再包括:複數個 控制閥被装設於該顯影液供應管線之該第一連接管中而藉 以遘搽地開啓與蘭閉該管之通道。 4. 如申請專利範圍第3項的条统,其中該控制閥被 控制僅一傾位在具有最大量的顯影液之側中的控制閥能夠, 被開啓。 本紙張尺度遑用中β*家輮率(CNS > A4规格(2丨0X297公釐) {请先閱讀背面之注f項再填寫本頁) 訂 Λ 經濟部中央樣率局貝工消费合作社印褽 389930 Α8 Β8 CS D8 κ、申請專利範困 5. 如申請專利範圍第1項的条统.再包括:用以去 @在沿著該顯影液供應管線而流動之該顯影液中所含的外 來物質之過濾裝置。 6. 如申請專利範圍第5項的条统,其中該過濾裝置 被装設於該第二連接管中在該氣體去除裝置之前。 7. 如申請專利範圍第5項的条統,其中該過濾装置 被裝設於該第二連接管中在該氣體去除裝置之後。 8. 如申請專利範圍第5項的条統,其中該過濾装置 被装設於傜各自位在介於該氣髏,去除裝置與該關閉閥之間 .的該第三連接管之中。 9. 如申請專利範圍第1項的条統,再包括:用以測 定沿著該顯影液供應管線而流動的該顯影液之量的刻度計 量器。 (請先閱讀背面之注$項再埃寫本頁) 訂 11 1. 經濟部中夫樣率局Λ工消费合作杜印«. 計 計 装之 度。度一。濾閥 刻前刻後過閉 該之該之該關 中置中置中該 其裝其裝其與 ,除,除 •置 統去統去统裝 条體条體条除 的氣的氣的去 項該項該項體 9 在 9 在 9 氣 第中第中第該 圍管圍管圍於 範接範接範介 。 利連利連利在中 專 二專二 專位之 請第謓第請自管 申該申該申各接 如於如於如偽連 . 設 .設 .於三 ο 装 1 装 2 設第 1 被 1 被 1 裝該 器 器 被的 董 量 置間 • JI. 本紙張尺農逋用中*家鏢率(CNS ) A4«t格(2丨0X297公釐) 公告本j A8 B8 C8 D8煩請委员r-i-v::: f-K,.-.:A 後是巧0,<#實If内容 經濟部智总財/4-/»73;工消^合作社印焚 六、申請專利範圍 1 . 一種半導體微影製程用顯影液供應系統,包括: 複數涸供懕槽,用K儲存特定量的顯影掖; 一個具有複數個第一連接管之顯影液供應菅線,每一 涸第一連接管被連接到該供懕楢、一涸第二連接菅被連接 到卽將被匯集成為一個通道的第一連接管、以及複數個從 該第二連接菅所分出之第三連接管; 管嘴等,每一個管嘴被連接到該顯影疲供應管孃的第 三連接管而藉K濺鍍該顯影疲.於晶圓之上,每一個晶圓被 置於製程室之中; 氣體去除装置,其被装設於該顯影液供懕管媒之該第 二連接管中•藉以去除在沿著該管的内部流動之該顯影疲 中所含的氣體; 一過濾裝置,其用K去除在沿著該顯影疲供愿管媒而 流動之該顯影液中所含的外來物質;及 關閉闕,每一涸闞閉閥被装設於該第三連接管中而藉 R開啟與閫閉該管之通道,使得該顯影疲能夠经過該第三 連接管僅被選擇性地供懕入一個製程室中, 其中’該過漶装置被装設於該第二連接管中,且在該 氣體去除装置之前。 2 .如串讀專利範圍第丨項的系統,其中如果該關閉 閥的其中一個被開啟,則另一個關閉閥自動被關閉ΰ 3 .如申請專利範圍第1項的系统,再包括:複数個 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本吹乐义度適用中國國家揉车(CNS ) Λ4現格(210X 297公釐)夂、申請專利範圍 控制閥被装設於該顯影液供應管媒之該第一連接管中而藉 R選擇地開敢與關閉該管之通道。 4 ·如申請專利範圍第3項的系铳,其中該控制閥被 控制僅一個位在具有最大量的顯影疲之側中的控制閥能夠 被開啟。 5 ·如申請專利範圍第1項的糸統,再包括:用K測 定沿著該顯影液供應管線而流動的該顯影疲之畺的刻度計 量器。 6 ‘如申請專利範圍第5項的系统,其中該刻度計量 器被装設於該第二連接管中在該氣體去除装置之前β 7 ·如申請專利範圍第5項的系统*其中該刻度計量 器被裝設於該第二連接管中在該氣體去除装置之後。 8 ♦如申請專利範圍第5項的系統,其中該遇濾裝置 被装設於係各自位在介於該氣體去除装置與該鼷閉閥之間 的該第三連接管之中。 ------------ (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) •tT 經濟部智总μί4ΑΗ工消赍合作社印於 衣+紙伕<度適用令國國家樣準(CNS ) Α4現格(210x 297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960039906A KR100203781B1 (ko) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 반도체 포토리소그래피 공정의 현상액 공급시스템 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW389930B true TW389930B (en) | 2000-05-11 |
Family
ID=19473776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW086104418A TW389930B (en) | 1996-09-13 | 1997-04-08 | Developing solution feed system for semiconductor photolithography process |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5842075A (zh) |
JP (1) | JP2968948B2 (zh) |
KR (1) | KR100203781B1 (zh) |
TW (1) | TW389930B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW382749B (en) * | 1996-12-24 | 2000-02-21 | Tokyo Electron Ltd | Liquid supplying device |
KR20000050363A (ko) * | 1999-01-07 | 2000-08-05 | 윤종용 | 현상액 공급 시스템 |
US8268735B2 (en) * | 2006-02-01 | 2012-09-18 | Tohoku University | Semiconductor device manufacturing method and method for reducing microroughness of semiconductor surface |
KR20090044285A (ko) * | 2007-10-31 | 2009-05-07 | 삼성전자주식회사 | Ald 설비 및 그 ald 설비의 세정방법 |
CN107835576B (zh) * | 2017-11-17 | 2023-12-05 | 奥士康科技股份有限公司 | 一种溶液自动添加系统 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5301701A (en) * | 1992-07-30 | 1994-04-12 | Nafziger Charles P | Single-chamber cleaning, rinsing and drying apparatus and method therefor |
US5722442A (en) * | 1994-01-07 | 1998-03-03 | Startec Ventures, Inc. | On-site generation of ultra-high-purity buffered-HF for semiconductor processing |
KR0164007B1 (ko) * | 1994-04-06 | 1999-02-01 | 이시다 아키라 | 미세 패턴화된 레지스트막을 가지는 기판의 건조처리방법 및 장치 |
US5542441A (en) * | 1994-08-03 | 1996-08-06 | Yieldup International | Apparatus for delivering ultra-low particle counts in semiconductor manufacturing |
-
1996
- 1996-09-13 KR KR1019960039906A patent/KR100203781B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-04-08 TW TW086104418A patent/TW389930B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-04-25 JP JP9109665A patent/JP2968948B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-12 US US08/928,529 patent/US5842075A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5842075A (en) | 1998-11-24 |
JPH10106944A (ja) | 1998-04-24 |
JP2968948B2 (ja) | 1999-11-02 |
KR19980021158A (ko) | 1998-06-25 |
KR100203781B1 (ko) | 1999-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7635410B2 (en) | Apparatus for dispensing photo-resist in semiconductor device fabrication equipment | |
TW389930B (en) | Developing solution feed system for semiconductor photolithography process | |
JPS59185623U (ja) | 研磨材を計量するための装置 | |
WO2005089919A1 (ja) | 窒素溶解水の製造装置 | |
US3040774A (en) | Fluid dispenser | |
KR20020025047A (ko) | 초순수의 비저항 조정 장치 및 조정 방법 | |
JPS61502163A (ja) | 生物学的物質の量の測定 | |
TW297915B (en) | The air-flow guiding device for wafer acceptant chamber of CVD | |
TW464739B (en) | Constant-pressure regulator | |
JP2008541079A (ja) | 高速の状態調整による気体の透過性を測定する方法、および該方法の実施用装置 | |
US6182951B1 (en) | Method and apparatus for providing a precise amount of gas at a precise humidity | |
JP3788550B2 (ja) | 砥液供給装置 | |
US634687A (en) | Gas-leak indicator. | |
JPH08108061A (ja) | 混合ガスの成分調整方法およびこの混合ガスを用いた培養液の供給方法 | |
WO2020042211A1 (zh) | 一种用于测定生物膜呼吸速率的呼吸瓶、测定装置及测定方法 | |
TW520428B (en) | Four-way valve | |
TW458947B (en) | Apparatus and method for adding carbon dioxide gas to ultra pure water | |
King | Tests to Determine Oxygen Absorption Rating of Porous Plate Air Diffusers | |
JP3693324B2 (ja) | 擬似移動床式クロマトグラフィー用試料供給装置 | |
Beck | Diffuser plate studies | |
CN217084562U (zh) | 一种应用于压力溶气系统快速测试释气量的装置 | |
CN218573027U (zh) | 一种过滤膜管路装置系统 | |
US356819A (en) | Lucius bell | |
JPH0210448Y2 (zh) | ||
JPS6221965Y2 (zh) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |