JPH10105084A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH10105084A JPH10105084A JP25796996A JP25796996A JPH10105084A JP H10105084 A JPH10105084 A JP H10105084A JP 25796996 A JP25796996 A JP 25796996A JP 25796996 A JP25796996 A JP 25796996A JP H10105084 A JPH10105084 A JP H10105084A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置及びその製造方法に関し、横電
界方式の液晶表示装置の高速応答性を実現する。 【解決手段】 少なくとも一方が透明な一対の基板６，
７の間に液晶層１１を設けると共に、基板６，７の表面
に、液晶層１１及び配向制御層９に対し、主として界面
に平行な電界を印加できる電極４，５を設け、この電極
４，５間に電界を印加する液晶表示装置の、電極４，５
上に設ける配向制御層９の配向規制力を、電極４，５間
の基板６表面上に設ける配向制御層８の配向規制力より
も大きくする。
界方式の液晶表示装置の高速応答性を実現する。 【解決手段】 少なくとも一方が透明な一対の基板６，
７の間に液晶層１１を設けると共に、基板６，７の表面
に、液晶層１１及び配向制御層９に対し、主として界面
に平行な電界を印加できる電極４，５を設け、この電極
４，５間に電界を印加する液晶表示装置の、電極４，５
上に設ける配向制御層９の配向規制力を、電極４，５間
の基板６表面上に設ける配向制御層８の配向規制力より
も大きくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の製造方法に関するものであり、特に、基板との平行に
電界を印加するタイプのアクティブマトリクス型液晶表
示装置及びその製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものであり、特に、基板との平行に
電界を印加するタイプのアクティブマトリクス型液晶表
示装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置、特に、ＴＮ（ツイ
スト・ネマティック）方式の液晶表示装置においては、
液晶層を駆動するための電極は、ＴＦＴ基板と対向基板
との表面に設けられおり、その両基板に垂直方向の電界
を液晶層に印加することによって、液晶分子の傾きを制
御し、光の透過を制御している。
スト・ネマティック）方式の液晶表示装置においては、
液晶層を駆動するための電極は、ＴＦＴ基板と対向基板
との表面に設けられおり、その両基板に垂直方向の電界
を液晶層に印加することによって、液晶分子の傾きを制
御し、光の透過を制御している。
【０００３】一方、ＴＮ方式の液晶表示装置に代わるも
のとして、基板に平行方向の電界を液晶層に印加する横
電界方式が提案されている（必要ならば、特公昭５３−
４８４５２号公報、或いは、特公平１−１２０５２８号
公報参照）。
のとして、基板に平行方向の電界を液晶層に印加する横
電界方式が提案されている（必要ならば、特公昭５３−
４８４５２号公報、或いは、特公平１−１２０５２８号
公報参照）。
【０００４】この様な横電界方式の液晶表示装置におい
ては、一方の基板上に、スリット状電極を形成し、スリ
ット状電極間のギャップ部の液晶分子を横電界によって
駆動させる方式であり、この様な横電界方式の液晶表示
装置においても、広い視角特性と高速応答性とが要求さ
れている。
ては、一方の基板上に、スリット状電極を形成し、スリ
ット状電極間のギャップ部の液晶分子を横電界によって
駆動させる方式であり、この様な横電界方式の液晶表示
装置においても、広い視角特性と高速応答性とが要求さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この横電界方
式の液晶表示装置においては、その電界分布から、スリ
ット状電極を設けた基板界面の近傍に位置する液晶に最
も電界がかかりやすい構造になっている。
式の液晶表示装置においては、その電界分布から、スリ
ット状電極を設けた基板界面の近傍に位置する液晶に最
も電界がかかりやすい構造になっている。
【０００６】しかしながら、基板表面に設けた配向膜と
液晶分子との界面には、配向規制力というエネルギーが
生じており、基板界面近傍に位置する液晶分子は、外部
からの電界等の力に対して動きづらい状態となってお
り、電界印加に対する応答性が遅いという問題がある。
液晶分子との界面には、配向規制力というエネルギーが
生じており、基板界面近傍に位置する液晶分子は、外部
からの電界等の力に対して動きづらい状態となってお
り、電界印加に対する応答性が遅いという問題がある。
【０００７】また、配向膜の配向規制力を小さくするこ
とによって、電圧オン時の応答性は改善することができ
るものの、液晶分子の配向状態が不安定になり、電圧オ
フ時の液晶の応答性、即ち、戻り特性が遅くなるという
問題が生ずる。
とによって、電圧オン時の応答性は改善することができ
るものの、液晶分子の配向状態が不安定になり、電圧オ
フ時の液晶の応答性、即ち、戻り特性が遅くなるという
問題が生ずる。
【０００８】この様に、横電界方式の液晶表示装置にお
いては、いずれにしても、独自の電極構造及び配向規制
力に起因して、液晶の応答速度が遅いという問題があ
る。
いては、いずれにしても、独自の電極構造及び配向規制
力に起因して、液晶の応答速度が遅いという問題があ
る。
【０００９】したがって、本発明は、横電界方式の液晶
表示装置の高速応答性を実現することを目的とする。
表示装置の高速応答性を実現することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図１
（ａ）は、一方の基板に設けた電極の構造を示す平面図
であり、また、図１（ｂ）は図１（ａ）における一点鎖
線の円内を拡大した要部断面図である。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図１
（ａ）は、一方の基板に設けた電極の構造を示す平面図
であり、また、図１（ｂ）は図１（ａ）における一点鎖
線の円内を拡大した要部断面図である。
【００１１】図１（ａ）乃至（ｃ）参照 （１）本発明は、少なくとも一方が透明な一対の基板
６，７の間に液晶層１１を設けると共に、基板６，７の
表面に、液晶層１１と配向制御層９に対し、主として界
面に平行な電界を印加できる電極４，５を設け、この電
極４，５間に電界を印加する液晶表示装置において、電
極４，５上に設ける配向制御層９の配向規制力を、電極
４，５間の基板６表面上に設ける配向制御層８の配向規
制力よりも大きくしたことを特徴とする。
６，７の間に液晶層１１を設けると共に、基板６，７の
表面に、液晶層１１と配向制御層９に対し、主として界
面に平行な電界を印加できる電極４，５を設け、この電
極４，５間に電界を印加する液晶表示装置において、電
極４，５上に設ける配向制御層９の配向規制力を、電極
４，５間の基板６表面上に設ける配向制御層８の配向規
制力よりも大きくしたことを特徴とする。
【００１２】この様に、電極４，５上に設ける配向制御
層９の配向規制力を、電極４，５間の基板６表面上に設
ける配向制御層８の配向規制力よりも大きく、即ち、 配向制御層９の配向規制力＞配向制御層８の配向規制力 とすることによって、電圧オン時においては、配向制御
層８の配向規制力が弱いので、配向制御層８と液晶層１
１との界面の液晶分子１２の電圧印加に伴う応答性は容
易となり、応答性は高まる。
層９の配向規制力を、電極４，５間の基板６表面上に設
ける配向制御層８の配向規制力よりも大きく、即ち、 配向制御層９の配向規制力＞配向制御層８の配向規制力 とすることによって、電圧オン時においては、配向制御
層８の配向規制力が弱いので、配向制御層８と液晶層１
１との界面の液晶分子１２の電圧印加に伴う応答性は容
易となり、応答性は高まる。
【００１３】また、電圧オフ時においては、配向制御層
８上の液晶層１１は、隣接する配向制御層９の強い配向
規制力に支配されている液晶分子１２にならって初期の
配列状態に戻るので、配向規制力を弱めることによって
発生する配向状態の不安定さが解消され、且つ、液晶分
子１２の戻りの遅さが改善され、電圧オフ時の応答速度
が向上する。
８上の液晶層１１は、隣接する配向制御層９の強い配向
規制力に支配されている液晶分子１２にならって初期の
配列状態に戻るので、配向規制力を弱めることによって
発生する配向状態の不安定さが解消され、且つ、液晶分
子１２の戻りの遅さが改善され、電圧オフ時の応答速度
が向上する。
【００１４】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、基板６，７の一方６上にアクティブ素子３をマトリ
クス状に配置すると共に、電極４，５の一方４をアクテ
ィブ素子３に接続したことを特徴とする。
て、基板６，７の一方６上にアクティブ素子３をマトリ
クス状に配置すると共に、電極４，５の一方４をアクテ
ィブ素子３に接続したことを特徴とする。
【００１５】この様に、液晶表示装置をアクティブマト
リクス型とすることによって、駆動速度を速めることが
でき、液晶表示装置の高品質化を図ることができる。
リクス型とすることによって、駆動速度を速めることが
でき、液晶表示装置の高品質化を図ることができる。
【００１６】（３）また、本発明は、上記（１）または
（２）において、電極４，５上に設ける配向制御層９
が、電極４，５間の基板６表面上に設ける配向制御層８
の組成と異なることを特徴とする。
（２）において、電極４，５上に設ける配向制御層９
が、電極４，５間の基板６表面上に設ける配向制御層８
の組成と異なることを特徴とする。
【００１７】この様に、電極４，５上に設ける配向制御
層９が、電極４，５間の基板６表面上に設ける配向制御
層８の組成と異なるようにすることによって、簡単に配
向規制力に差を設けることができる。
層９が、電極４，５間の基板６表面上に設ける配向制御
層８の組成と異なるようにすることによって、簡単に配
向規制力に差を設けることができる。
【００１８】（４）また、本発明は、少なくとも一方が
透明な一対の基板６，７の間に液晶層１１を設けると共
に、基板６，７の表面に、液晶層１１と配向制御層９に
対し、主として界面に平行な電界を印加できる電極４，
５を設け、この電極４，５間に電界を印加する液晶表示
装置の製造方法において、配向制御層８，９を設ける工
程において、電極４，５上に設ける配向制御層９の配向
規制力が、電極４，５間の基板６表面上に設ける配向制
御層８の配向規制力よりも大きくなるようにすることを
特徴とする。
透明な一対の基板６，７の間に液晶層１１を設けると共
に、基板６，７の表面に、液晶層１１と配向制御層９に
対し、主として界面に平行な電界を印加できる電極４，
５を設け、この電極４，５間に電界を印加する液晶表示
装置の製造方法において、配向制御層８，９を設ける工
程において、電極４，５上に設ける配向制御層９の配向
規制力が、電極４，５間の基板６表面上に設ける配向制
御層８の配向規制力よりも大きくなるようにすることを
特徴とする。
【００１９】（５）また、本発明は、上記（４）におい
て、配向制御層８，９を設ける工程において、電極４，
５上に設けた配向制御層９に選択的に紫外線を照射する
ことを特徴とする。
て、配向制御層８，９を設ける工程において、電極４，
５上に設けた配向制御層９に選択的に紫外線を照射する
ことを特徴とする。
【００２０】一般に、配向制御層の配向規制力は、紫外
線の照射によって高まるので、電極４，５上に設けた配
向制御層９に選択的に紫外線を照射することによって、
配向制御層９の配向規制力を、配向制御層８の配向規制
力より大きくすることができる。
線の照射によって高まるので、電極４，５上に設けた配
向制御層９に選択的に紫外線を照射することによって、
配向制御層９の配向規制力を、配向制御層８の配向規制
力より大きくすることができる。
【００２１】（６）また、本発明は、上記（４）におい
て、配向制御層８，９を設ける工程において、電極４，
５上に設けた配向制御層９を、ＣＦ4 を原料ガスとした
プラズマ雰囲気中に選択的に晒すことを特徴とする。
て、配向制御層８，９を設ける工程において、電極４，
５上に設けた配向制御層９を、ＣＦ4 を原料ガスとした
プラズマ雰囲気中に選択的に晒すことを特徴とする。
【００２２】一般に、配向制御層の配向規制力は、配向
制御層をＣＦ4 を原料ガスとしたプラズマ雰囲気中に選
択的に晒すことによって高まるので、電極４，５上に設
けた配向制御層９を、ＣＦ4 を原料ガスとしたプラズマ
雰囲気中に選択的に晒すことによって、配向制御層９の
配向規制力を、配向制御層８の配向規制力より大きくす
ることができる。
制御層をＣＦ4 を原料ガスとしたプラズマ雰囲気中に選
択的に晒すことによって高まるので、電極４，５上に設
けた配向制御層９を、ＣＦ4 を原料ガスとしたプラズマ
雰囲気中に選択的に晒すことによって、配向制御層９の
配向規制力を、配向制御層８の配向規制力より大きくす
ることができる。
【００２３】（７）また、本発明は、上記（４）におい
て、配向制御層８，９を設ける工程において、電極４，
５上に設けた配向制御層９を、酸素プラズマ雰囲気中に
選択的に晒すことを特徴とする。
て、配向制御層８，９を設ける工程において、電極４，
５上に設けた配向制御層９を、酸素プラズマ雰囲気中に
選択的に晒すことを特徴とする。
【００２４】一般に、配向制御層の配向規制力は、配向
制御層を酸素プラズマ雰囲気中に選択的に晒すことによ
って高まるので、電極４，５上に設けた配向制御層９
を、酸素プラズマ雰囲気中に選択的に晒すことによっ
て、配向制御層９の配向規制力を、配向制御層８の配向
規制力より大きくすることができる。
制御層を酸素プラズマ雰囲気中に選択的に晒すことによ
って高まるので、電極４，５上に設けた配向制御層９
を、酸素プラズマ雰囲気中に選択的に晒すことによっ
て、配向制御層９の配向規制力を、配向制御層８の配向
規制力より大きくすることができる。
【００２５】（８）また、本発明は、上記（４）におい
て、配向制御層８，９を設ける工程において、配向制御
層８，９をラビング処理する際に、電極４，５上に設け
た配向制御層９に対するラビング装置の毛足押込量を、
電極４，５間の基板６表面上に設けた配向制御層８に対
するラビング装置の毛足押込量より大きくしたことを特
徴とする。
て、配向制御層８，９を設ける工程において、配向制御
層８，９をラビング処理する際に、電極４，５上に設け
た配向制御層９に対するラビング装置の毛足押込量を、
電極４，５間の基板６表面上に設けた配向制御層８に対
するラビング装置の毛足押込量より大きくしたことを特
徴とする。
【００２６】配向制御層の配向規制力はラビング量に依
存し、このラビング量はラビング装置の毛足押込量に依
存するので、ラビング装置の毛足押込量を異なるように
することによって、配向制御層９の配向規制力を、配向
制御層８の配向規制力より大きくすることができる。
存し、このラビング量はラビング装置の毛足押込量に依
存するので、ラビング装置の毛足押込量を異なるように
することによって、配向制御層９の配向規制力を、配向
制御層８の配向規制力より大きくすることができる。
【００２７】（９）また、本発明は、上記（４）または
（８）において、配向制御層８，９を設ける工程におい
て、配向制御層８，９をラビング処理する際に、電極
４，５上に設けた配向制御層９に対するラビング装置の
回転方向を基板６の移動方向と反対方向とし、電極４，
５間の基板６表面上に設けた配向制御層８に対するラビ
ング装置の回転方向を基板６の移動方向と同一方向とし
たことを特徴とする。
（８）において、配向制御層８，９を設ける工程におい
て、配向制御層８，９をラビング処理する際に、電極
４，５上に設けた配向制御層９に対するラビング装置の
回転方向を基板６の移動方向と反対方向とし、電極４，
５間の基板６表面上に設けた配向制御層８に対するラビ
ング装置の回転方向を基板６の移動方向と同一方向とし
たことを特徴とする。
【００２８】また、このラビング量はラビング装置の回
転方向と基板６の移動方向にも依存するので、即ち、回
転方向と移動方向とが反対方向であれば、ラビングの相
対速度が増すのでラビング量が大きくなり、同一方向で
あれば、相対速度が小さくなってラビング量が小さくな
るので、回転方向と移動方向を上記のように設定するこ
とによって、配向制御層９の配向規制力を、配向制御層
８の配向規制力より大きくすることができる。なお、こ
の場合、回転方向と移動方向を上記のように設定すると
共に、ラビング装置の毛足押込量を異なるように設定し
ても良い。
転方向と基板６の移動方向にも依存するので、即ち、回
転方向と移動方向とが反対方向であれば、ラビングの相
対速度が増すのでラビング量が大きくなり、同一方向で
あれば、相対速度が小さくなってラビング量が小さくな
るので、回転方向と移動方向を上記のように設定するこ
とによって、配向制御層９の配向規制力を、配向制御層
８の配向規制力より大きくすることができる。なお、こ
の場合、回転方向と移動方向を上記のように設定すると
共に、ラビング装置の毛足押込量を異なるように設定し
ても良い。
【００２９】（１０）また、本発明は、上記（４）、
（８）、または、（９）のいずれかにおいて、配向制御
層８，９を設ける工程において、配向制御層８，９をラ
ビング処理する際に、電極４，５上に設けた配向制御層
９に対するラビング回数を、電極４，５間の基板６表面
上に設けた配向制御層８に対するラビング回数よりも多
くしたことを特徴とする。
（８）、または、（９）のいずれかにおいて、配向制御
層８，９を設ける工程において、配向制御層８，９をラ
ビング処理する際に、電極４，５上に設けた配向制御層
９に対するラビング回数を、電極４，５間の基板６表面
上に設けた配向制御層８に対するラビング回数よりも多
くしたことを特徴とする。
【００３０】また、このラビング量はラビング回数に依
存するので、ラビング回数が異なるようにすることによ
って、配向制御層９の配向規制力を、配向制御層８の配
向規制力より大きくすることができる。なお、この場合
も、回転方向と移動方向を上記のように設定したり、或
いは、ラビング装置の毛足押込量を異なるように設定し
ても良い。
存するので、ラビング回数が異なるようにすることによ
って、配向制御層９の配向規制力を、配向制御層８の配
向規制力より大きくすることができる。なお、この場合
も、回転方向と移動方向を上記のように設定したり、或
いは、ラビング装置の毛足押込量を異なるように設定し
ても良い。
【００３１】（１１）また、本発明は、上記（４）にお
いては、配向制御層８，９を設ける工程において、印刷
法を用いて、電極４，５上に、電極４，５間の基板６表
面に設ける配向制御層８とは異なった組成の配向制御層
９を選択的に印刷することを特徴とする。
いては、配向制御層８，９を設ける工程において、印刷
法を用いて、電極４，５上に、電極４，５間の基板６表
面に設ける配向制御層８とは異なった組成の配向制御層
９を選択的に印刷することを特徴とする。
【００３２】この様に、印刷法を用いることによって、
電極４，５上に、配向規制力の大きな配向制御層９を簡
単に選択的に設けることができる。
電極４，５上に、配向規制力の大きな配向制御層９を簡
単に選択的に設けることができる。
【００３３】（１２）また、本発明は、上記（４）にお
いては、配向制御層８，９を設ける工程において、全面
に配向規制力の異なる２つの配向制御層９，８を連続し
て設けたのち、電極４，５上の最表面に存在する配向制
御層９と、電極４，５間の基板６上の最表面に存在する
配向制御層８とが異なる様に、配向制御層９，８の上層
を選択的に除去することを特徴とする。
いては、配向制御層８，９を設ける工程において、全面
に配向規制力の異なる２つの配向制御層９，８を連続し
て設けたのち、電極４，５上の最表面に存在する配向制
御層９と、電極４，５間の基板６上の最表面に存在する
配向制御層８とが異なる様に、配向制御層９，８の上層
を選択的に除去することを特徴とする。
【００３４】この様に、通常のフォトリソグラフィー工
程を用いることにより、特殊な装置を用いることなく、
電極４，５の最表面上に、配向規制力の大きな配向制御
層９を設けることができる。なお、この場合、上層の配
向制御層を配向規制力の弱い配向制御層８とし、電極
４，５上の部分を選択的に除去する様にしても良いし、
或いは、上層の配向制御層を配向規制力の強い配向制御
層９とし、電極４，５間の基板６表面上の部分を選択的
に除去する様にしても良い。
程を用いることにより、特殊な装置を用いることなく、
電極４，５の最表面上に、配向規制力の大きな配向制御
層９を設けることができる。なお、この場合、上層の配
向制御層を配向規制力の弱い配向制御層８とし、電極
４，５上の部分を選択的に除去する様にしても良いし、
或いは、上層の配向制御層を配向規制力の強い配向制御
層９とし、電極４，５間の基板６表面上の部分を選択的
に除去する様にしても良い。
【００３５】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態の製造
工程を図２乃至図４を参照して説明する。なお、図２
（ａ）は、ＴＦＴ基板上に設けた電極の構造を示す平面
図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）における一点鎖線の
円内を拡大した要部断面図であり、また、図３は第１の
実施の形態の製造工程の説明図であり、さらに、図４
は、第１の実施の形態におけるラビング方向の説明図で
ある。
工程を図２乃至図４を参照して説明する。なお、図２
（ａ）は、ＴＦＴ基板上に設けた電極の構造を示す平面
図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）における一点鎖線の
円内を拡大した要部断面図であり、また、図３は第１の
実施の形態の製造工程の説明図であり、さらに、図４
は、第１の実施の形態におけるラビング方向の説明図で
ある。
【００３６】図２（ａ）参照 本発明の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示
装置においては、透明ガラス基板からなるＴＦＴ基板２
６上に、ドレインバス２１及びゲートバス２２を互いに
ほぼ直交する様に設け、その交点の近傍に多結晶シリコ
ン膜等を設けて、アクティブ素子としてのＴＦＴ２３を
形成し、このＴＦＴ２３のソース領域に接続するよう
に、櫛歯状の透明電極を設けて画素電極２４とし、ま
た、この画素電極２４と噛み合うように対向する櫛歯状
の透明電極を設けて共通電極２５とし、画素電極２４と
共通電極２５の間にドレイン電圧を印加することによっ
て液晶を制御するものである。
装置においては、透明ガラス基板からなるＴＦＴ基板２
６上に、ドレインバス２１及びゲートバス２２を互いに
ほぼ直交する様に設け、その交点の近傍に多結晶シリコ
ン膜等を設けて、アクティブ素子としてのＴＦＴ２３を
形成し、このＴＦＴ２３のソース領域に接続するよう
に、櫛歯状の透明電極を設けて画素電極２４とし、ま
た、この画素電極２４と噛み合うように対向する櫛歯状
の透明電極を設けて共通電極２５とし、画素電極２４と
共通電極２５の間にドレイン電圧を印加することによっ
て液晶を制御するものである。
【００３７】図２（ｂ）参照 そして、画素電極２４及び共通電極２５上には紫外線を
照射して配向規制力が高まった配向膜２９（日産化学製
商品名ＳＥ−７７９２）を設けると共に、画素電極２４
と共通電極２５との間のＴＦＴ基板２６上には紫外線を
照射しない配向膜２８（日産化学製商品名ＳＥ−７７９
２）を設ける。
照射して配向規制力が高まった配向膜２９（日産化学製
商品名ＳＥ−７７９２）を設けると共に、画素電極２４
と共通電極２５との間のＴＦＴ基板２６上には紫外線を
照射しない配向膜２８（日産化学製商品名ＳＥ−７７９
２）を設ける。
【００３８】一方、ＴＦＴ基板２６と液晶層３１を介し
て対向する透明ガラス基板からなる対向基板２７の対向
面に同じく配向膜３０（日産化学製商品名ＳＥ−７７９
２）を設け、これらの配向膜２８〜３０を一方向にラビ
ングしたのち、それらの間に液晶を注入して液晶層３１
を構成する。
て対向する透明ガラス基板からなる対向基板２７の対向
面に同じく配向膜３０（日産化学製商品名ＳＥ−７７９
２）を設け、これらの配向膜２８〜３０を一方向にラビ
ングしたのち、それらの間に液晶を注入して液晶層３１
を構成する。
【００３９】なお、ＴＦＴ基板２６と対向基板２７の反
対側の主面には、偏光板３３，３４を設けるがこの偏光
板３３，３４の光の透過軸は、一方が液晶分子３２の長
軸と平行になるようにし、且つ、他方がそれと直交する
ように配置してクロスニコル、即ち、ノーマリブラック
にすることによって、鮮明な黒表示が得られるが、或い
は、両方が液晶分子３２の長軸に平行または直交するよ
うに配置してパラニコル、即ち、ノーマリホワイトにし
ても良い。
対側の主面には、偏光板３３，３４を設けるがこの偏光
板３３，３４の光の透過軸は、一方が液晶分子３２の長
軸と平行になるようにし、且つ、他方がそれと直交する
ように配置してクロスニコル、即ち、ノーマリブラック
にすることによって、鮮明な黒表示が得られるが、或い
は、両方が液晶分子３２の長軸に平行または直交するよ
うに配置してパラニコル、即ち、ノーマリホワイトにし
ても良い。
【００４０】この画素に電圧を印加した場合、画素電極
２４と共通電極２５との間に設けた配向膜２８上に位置
する液晶分子３２に働く配向規制力は弱いので、印加電
圧に容易に応答することができ、応答速度が高まる。
２４と共通電極２５との間に設けた配向膜２８上に位置
する液晶分子３２に働く配向規制力は弱いので、印加電
圧に容易に応答することができ、応答速度が高まる。
【００４１】また、電圧をオフした場合には、画素電極
２４と共通電極２５との間に設けた配向膜２８上に位置
する液晶分子３２は、画素電極２４と共通電極２５上に
設けた配向膜２９に強く支配されている液晶分子になら
って初期の配列状態に迅速に戻ることになるので、配向
状態が安定化すると共に、電圧オフ時の応答速度も高ま
る。
２４と共通電極２５との間に設けた配向膜２８上に位置
する液晶分子３２は、画素電極２４と共通電極２５上に
設けた配向膜２９に強く支配されている液晶分子になら
って初期の配列状態に迅速に戻ることになるので、配向
状態が安定化すると共に、電圧オフ時の応答速度も高ま
る。
【００４２】次に、図３を参照して第１の実施の形態の
製造工程の要部を説明する。 図３（ａ）参照 まず、画素電極２４及び共通電極２５を設けたＴＦＴ基
板２６の全面に配向膜２８（日産化学製商品名ＳＥ−７
７９２）を塗布し、乾燥させる。
製造工程の要部を説明する。 図３（ａ）参照 まず、画素電極２４及び共通電極２５を設けたＴＦＴ基
板２６の全面に配向膜２８（日産化学製商品名ＳＥ−７
７９２）を塗布し、乾燥させる。
【００４３】図３（ｂ）参照 次いで、画素電極２４及び共通電極２５に対応する開口
部を有する遮光膜パターン３５を設けたフォトマスク３
６を介して紫外線３７を選択的に照射することによっ
て、画素電極２４及び共通電極２５上に位置する配向膜
２８をより配向規制力の大きな配向膜２９に改変する。
部を有する遮光膜パターン３５を設けたフォトマスク３
６を介して紫外線３７を選択的に照射することによっ
て、画素電極２４及び共通電極２５上に位置する配向膜
２８をより配向規制力の大きな配向膜２９に改変する。
【００４４】図３（ｃ）参照 この場合、図に示すように、配向膜２８の配向規制力は
紫外線３７の照射によって大きくなるので、紫外線照射
量を適当に制御することによって、配向膜２８と改変し
た配向膜２９の配向規制力の差を十分大きくすることが
できる。
紫外線３７の照射によって大きくなるので、紫外線照射
量を適当に制御することによって、配向膜２８と改変し
た配向膜２９の配向規制力の差を十分大きくすることが
できる。
【００４５】次に、図４を参照して第１の実施の形態に
おけるラビング方向を説明する。 図４（ａ）参照 図４（ａ）は、誘電異方性が負のｎ型液晶（メルク社製
商品名ＺＬＩ−２８０６）を用いた場合のラビング方向
３８を示す図であり、ＴＦＴ基板２６及び対向基板２７
に設けた偏光板３３，３４の透過軸を夫々３９，４０と
したクロスニコルの場合を示しており、ラビング方向３
８を偏光板の透過軸３９と平行になる様にラビング処理
を施すものであり、この結果、電圧を印加しない状態に
おいては、液晶分子３２はラビング方向３８に沿って、
所定のプレチルト角をもったホモジニアス配向となる。
おけるラビング方向を説明する。 図４（ａ）参照 図４（ａ）は、誘電異方性が負のｎ型液晶（メルク社製
商品名ＺＬＩ−２８０６）を用いた場合のラビング方向
３８を示す図であり、ＴＦＴ基板２６及び対向基板２７
に設けた偏光板３３，３４の透過軸を夫々３９，４０と
したクロスニコルの場合を示しており、ラビング方向３
８を偏光板の透過軸３９と平行になる様にラビング処理
を施すものであり、この結果、電圧を印加しない状態に
おいては、液晶分子３２はラビング方向３８に沿って、
所定のプレチルト角をもったホモジニアス配向となる。
【００４６】この場合の実線の矢印で示すラビング方向
３８は、画素電極２４と共通電極２５に対する直交方向
と、０°＜θ1 ＜９０°の角度θ1 、例えば、θ1 ＝１
５°になるようにラビング処理を行い、一方、対向基板
２７（図示せず）に設ける配向膜３０（図示せず）のラ
ビング方向は破線の矢印で示すラビング方向とする。
３８は、画素電極２４と共通電極２５に対する直交方向
と、０°＜θ1 ＜９０°の角度θ1 、例えば、θ1 ＝１
５°になるようにラビング処理を行い、一方、対向基板
２７（図示せず）に設ける配向膜３０（図示せず）のラ
ビング方向は破線の矢印で示すラビング方向とする。
【００４７】図４（ｂ）参照 図４（ｂ）は、誘電異方性が正のｐ型液晶（チッソ社製
商品名ＦＴ−５０４５）を用いた場合のラビング方向４
１を示す図であり、この場合も、ＴＦＴ基板２６及び対
向基板２７に設けた偏光板３３，３４の透過軸を夫々３
９，４０としたクロスニコルの場合を示しており、ラビ
ング方向４１を偏光板の透過軸４０と平行になる様にラ
ビング処理を施すものであり、この結果、液晶分子３２
はラビング方向４１に沿って、所定のプレチルト角をも
ったホモジニアス配向となる。
商品名ＦＴ−５０４５）を用いた場合のラビング方向４
１を示す図であり、この場合も、ＴＦＴ基板２６及び対
向基板２７に設けた偏光板３３，３４の透過軸を夫々３
９，４０としたクロスニコルの場合を示しており、ラビ
ング方向４１を偏光板の透過軸４０と平行になる様にラ
ビング処理を施すものであり、この結果、液晶分子３２
はラビング方向４１に沿って、所定のプレチルト角をも
ったホモジニアス配向となる。
【００４８】この場合の実線の矢印で示すラビング方向
４１は、画素電極２４と共通電極２５に対する直交方向
と、０°＜θ2 ＜９０°の角度θ2 、例えば、θ2 ＝７
５°になるようにラビング処理を行い、一方、対向基板
２７（図示せず）に設ける配向膜３０（図示せず）のラ
ビング方向は破線の矢印で示すラビング方向とする。
４１は、画素電極２４と共通電極２５に対する直交方向
と、０°＜θ2 ＜９０°の角度θ2 、例えば、θ2 ＝７
５°になるようにラビング処理を行い、一方、対向基板
２７（図示せず）に設ける配向膜３０（図示せず）のラ
ビング方向は破線の矢印で示すラビング方向とする。
【００４９】なお、本発明の第１の実施の形態における
液晶層３１の厚さは、ｎ型液晶（メルク社製商品名ＺＬ
Ｉ−２８０６）を用いた場合には、６μｍとし、また、
ｐ型液晶（チッソ社製商品名ＦＴ−５０４５）を用いた
場合には、９μｍとしているが、この液晶層３１の厚さ
は、用いる液晶の屈折率の異方特性に応じて適宜設定す
れば良い。
液晶層３１の厚さは、ｎ型液晶（メルク社製商品名ＺＬ
Ｉ−２８０６）を用いた場合には、６μｍとし、また、
ｐ型液晶（チッソ社製商品名ＦＴ−５０４５）を用いた
場合には、９μｍとしているが、この液晶層３１の厚さ
は、用いる液晶の屈折率の異方特性に応じて適宜設定す
れば良い。
【００５０】この様に、本発明の第１の実施の形態にお
いては、通常のフォトレジスト工程に用いる装置を利用
して、紫外線の選択照射により配向膜の配向規制力に差
を設けているので、同じ組成の配向膜を用いて、機械的
処理を行なうことなく、液晶の応答速度を向上すること
ができる。
いては、通常のフォトレジスト工程に用いる装置を利用
して、紫外線の選択照射により配向膜の配向規制力に差
を設けているので、同じ組成の配向膜を用いて、機械的
処理を行なうことなく、液晶の応答速度を向上すること
ができる。
【００５１】次に、図５を参照して本発明の第２の実施
の形態を説明する。 図５（ａ）参照 まず、上記の第１の実施の形態と同様に、画素電極２４
及び共通電極２５を設けたＴＦＴ基板２６の全面に配向
膜２８（日産化学製商品名ＳＥ−７７９２）を塗布し、
乾燥させる。
の形態を説明する。 図５（ａ）参照 まず、上記の第１の実施の形態と同様に、画素電極２４
及び共通電極２５を設けたＴＦＴ基板２６の全面に配向
膜２８（日産化学製商品名ＳＥ−７７９２）を塗布し、
乾燥させる。
【００５２】図５（ｂ）参照 次いで、全面にレジストを塗布したのち、露光・現像を
行ない、画素電極２４及び共通電極２５に対応する開口
部を有するレジストマスク４２を設け、ＣＦ4をプラズ
マ化したＣＦ4 プラズマ４３を含む雰囲気に晒して、露
出している部分を配向規制力のより大きな配向膜４４に
改変する。
行ない、画素電極２４及び共通電極２５に対応する開口
部を有するレジストマスク４２を設け、ＣＦ4をプラズ
マ化したＣＦ4 プラズマ４３を含む雰囲気に晒して、露
出している部分を配向規制力のより大きな配向膜４４に
改変する。
【００５３】図５（ｃ）参照 次いで、レジストマスク４２を除去したのち、第１の実
施の形態と同様にラビング処理、液晶注入等の工程を行
なって第１の実施の形態と同様の構造の液晶表示装置を
完成させるものであり、この場合のラビング処理及び用
いる液晶も第１の実施の形態と同様である。
施の形態と同様にラビング処理、液晶注入等の工程を行
なって第１の実施の形態と同様の構造の液晶表示装置を
完成させるものであり、この場合のラビング処理及び用
いる液晶も第１の実施の形態と同様である。
【００５４】図５（ｄ）参照 この場合、図に示すように、配向膜２８の配向規制力は
ＣＦ4 プラズマ４３に晒す時間、即ち、ＣＦ4 処理時間
によって大きくなるので、ＣＦ4 処理時間を適当に制御
することによって、配向膜２８と改変した配向膜４４の
配向規制力の差を十分大きくすることができる。
ＣＦ4 プラズマ４３に晒す時間、即ち、ＣＦ4 処理時間
によって大きくなるので、ＣＦ4 処理時間を適当に制御
することによって、配向膜２８と改変した配向膜４４の
配向規制力の差を十分大きくすることができる。
【００５５】なお、この場合のプラズマ処理は、ＣＦ4
プラズマ処理に限られるものではなく、フォトレジスト
のアッシングと同様に、酸素プラズマ雰囲気中に配向膜
２８を選択的に晒すことによっても、配向規制力を大き
くすることができる。
プラズマ処理に限られるものではなく、フォトレジスト
のアッシングと同様に、酸素プラズマ雰囲気中に配向膜
２８を選択的に晒すことによっても、配向規制力を大き
くすることができる。
【００５６】この様に、本発明の第２の実施の形態にお
いては、通常のプラズマ処理工程に用いる装置を利用し
て、選択的プラズマ処理をおこなうことにより配向膜の
配向規制力に差を設けているので、同じ組成の配向膜を
用いて、機械的処理を行なうことなく、液晶の応答速度
を向上することができる。
いては、通常のプラズマ処理工程に用いる装置を利用し
て、選択的プラズマ処理をおこなうことにより配向膜の
配向規制力に差を設けているので、同じ組成の配向膜を
用いて、機械的処理を行なうことなく、液晶の応答速度
を向上することができる。
【００５７】次に、図６を参照して本発明の第３の実施
の形態を説明する。 図６（ａ）参照 まず、上記の第１の実施の形態と同様に、画素電極２４
及び共通電極２５を設けたＴＦＴ基板２６の全面に配向
膜２８（日産化学製商品名ＳＥ−７７９２）を塗布し、
乾燥させたのち、繊維４６を備えたラビングロール４５
を用い、毛足押込量、即ち、「繊維４６の長さ−ラビン
グロール４５の外周と配向膜２８の表面との間隔」に比
例する量がΔｆ1 になるように設定してラビング処理を
行なう。
の形態を説明する。 図６（ａ）参照 まず、上記の第１の実施の形態と同様に、画素電極２４
及び共通電極２５を設けたＴＦＴ基板２６の全面に配向
膜２８（日産化学製商品名ＳＥ−７７９２）を塗布し、
乾燥させたのち、繊維４６を備えたラビングロール４５
を用い、毛足押込量、即ち、「繊維４６の長さ−ラビン
グロール４５の外周と配向膜２８の表面との間隔」に比
例する量がΔｆ1 になるように設定してラビング処理を
行なう。
【００５８】図６（ｂ）参照 次いで、全面にレジストを塗布したのち、露光・現像を
行ない、画素電極２４及び共通電極２５に対応する開口
部を有するレジストマスク４７を設けたのち、毛足押込
量がΔｆ1 より大きなΔｆ2 になるように設定してラビ
ング処理を行ない、露出している部分を配向規制力のよ
り大きな配向膜４８に改変する。
行ない、画素電極２４及び共通電極２５に対応する開口
部を有するレジストマスク４７を設けたのち、毛足押込
量がΔｆ1 より大きなΔｆ2 になるように設定してラビ
ング処理を行ない、露出している部分を配向規制力のよ
り大きな配向膜４８に改変する。
【００５９】図６（ｃ）参照 次いで、レジストマスク４７を除去したのち、第１の実
施の形態と同様に液晶注入等の工程を行なって第１の実
施の形態と同様の構造の液晶表示装置を完成させるもの
であり、この場合に用いる液晶も第１の実施の形態と同
様である。
施の形態と同様に液晶注入等の工程を行なって第１の実
施の形態と同様の構造の液晶表示装置を完成させるもの
であり、この場合に用いる液晶も第１の実施の形態と同
様である。
【００６０】図６（ｄ）参照 配向膜の配向規制力はラビング処理の時間、強度に当然
依存するので、図から明らかな様に、毛足押込量が大き
な場合により大きな配向規制力が得られ、且つ、この第
３の実施の形態の場合には、毛足押込量がΔｆ1 のラビ
ング処理の場合にも、画素電極２４及び共通電極２５上
に位置する配向膜２８がラビング処理されているので、
より配向規制力が大きくなる。
依存するので、図から明らかな様に、毛足押込量が大き
な場合により大きな配向規制力が得られ、且つ、この第
３の実施の形態の場合には、毛足押込量がΔｆ1 のラビ
ング処理の場合にも、画素電極２４及び共通電極２５上
に位置する配向膜２８がラビング処理されているので、
より配向規制力が大きくなる。
【００６１】この様に、本発明の第３の実施の形態にお
いては、元々必要としているプラズマ処理を工夫して、
配向膜の配向規制力に差を設けているので、同じ組成の
配向膜を用いて、紫外線照射或いはプラズマ処理等の特
別の処理を行なうことなく、液晶の応答速度を向上する
ことができる。
いては、元々必要としているプラズマ処理を工夫して、
配向膜の配向規制力に差を設けているので、同じ組成の
配向膜を用いて、紫外線照射或いはプラズマ処理等の特
別の処理を行なうことなく、液晶の応答速度を向上する
ことができる。
【００６２】次に、図７を参照して本発明の第４の実施
の形態を説明する。 図７（ａ）参照 まず、上記の第１の実施の形態と同様に、画素電極２４
及び共通電極２５を設けたＴＦＴ基板２６の全面に配向
膜２８（日産化学製商品名ＳＥ−７７９２）を塗布し、
乾燥させたのち、繊維４６を備えたラビングロール４５
を用い、ラビングロール４５の矢印で示す回転方向と、
ＴＦＴ基板２６の矢印で示す移動方向４９とが同一方向
になるようにラビング処理を行なう。
の形態を説明する。 図７（ａ）参照 まず、上記の第１の実施の形態と同様に、画素電極２４
及び共通電極２５を設けたＴＦＴ基板２６の全面に配向
膜２８（日産化学製商品名ＳＥ−７７９２）を塗布し、
乾燥させたのち、繊維４６を備えたラビングロール４５
を用い、ラビングロール４５の矢印で示す回転方向と、
ＴＦＴ基板２６の矢印で示す移動方向４９とが同一方向
になるようにラビング処理を行なう。
【００６３】図７（ｂ）参照 次いで、全面にレジストを塗布したのち、露光・現像を
行ない、画素電極２４及び共通電極２５に対応する開口
部を有するレジストマスク４７を設けたのち、ラビング
ロール４５の矢印で示す回転方向と、ＴＦＴ基板２６の
矢印で示す移動方向５０とが反対方向になるようにラビ
ング処理を行い、露出している部分を配向規制力のより
大きな配向膜５１に改変する。
行ない、画素電極２４及び共通電極２５に対応する開口
部を有するレジストマスク４７を設けたのち、ラビング
ロール４５の矢印で示す回転方向と、ＴＦＴ基板２６の
矢印で示す移動方向５０とが反対方向になるようにラビ
ング処理を行い、露出している部分を配向規制力のより
大きな配向膜５１に改変する。
【００６４】図７（ｃ）参照 次いで、レジストマスク４７を除去したのち、第１の実
施の形態と同様に液晶注入等の工程を行なって第１の実
施の形態と同様の構造の液晶表示装置を完成させるもの
であり、この場合に用いる液晶も第１の実施の形態と同
様である。
施の形態と同様に液晶注入等の工程を行なって第１の実
施の形態と同様の構造の液晶表示装置を完成させるもの
であり、この場合に用いる液晶も第１の実施の形態と同
様である。
【００６５】図７（ｄ）参照 配向膜の配向規制力はラビングロール４５と回転方向
と、ＴＦＴ基板２６の移動方向の相関に依存するので、
即ち、回転方向と移動方向とが反対方向であれば、ラビ
ングの相対速度が増すのでラビング量が大きくなり、回
転方向と移動方向同一方向であれば、相対速度が小さく
なってラビング量が小さくなるので、移動方向５０の場
合に移動方向４９の場合より大きな配向規制力が得ら
れ、且つ、この第４の実施の形態の場合にも、移動方向
４９のラビング処理工程においても、画素電極２４及び
共通電極２５上に位置する配向膜２８がラビング処理さ
れているので、より配向規制力が大きくなる。
と、ＴＦＴ基板２６の移動方向の相関に依存するので、
即ち、回転方向と移動方向とが反対方向であれば、ラビ
ングの相対速度が増すのでラビング量が大きくなり、回
転方向と移動方向同一方向であれば、相対速度が小さく
なってラビング量が小さくなるので、移動方向５０の場
合に移動方向４９の場合より大きな配向規制力が得ら
れ、且つ、この第４の実施の形態の場合にも、移動方向
４９のラビング処理工程においても、画素電極２４及び
共通電極２５上に位置する配向膜２８がラビング処理さ
れているので、より配向規制力が大きくなる。
【００６６】なお、この場合には、上記の第３の実施の
形態と組み合わせて、ラビングロール４５の回転方向を
ＴＦＴ基板２６の移動方向５０とを反対方向にする場合
に、毛足押込量をより大きく設定しても良く、この場合
には、ラビング処理時間を短縮することができる。
形態と組み合わせて、ラビングロール４５の回転方向を
ＴＦＴ基板２６の移動方向５０とを反対方向にする場合
に、毛足押込量をより大きく設定しても良く、この場合
には、ラビング処理時間を短縮することができる。
【００６７】また、この様にラビング処理だけによっ
て、配向規制力に差を設けるためには、選択的にラビン
グ回数を増しても良く、例えば、第４の実施の形態にお
いて、ＴＦＴ基板２６の移動方向を常に同じ方向、例え
ば、移動方向５０に設定してもよく、この場合には、画
素電極２４及び共通電極２５上に位置する配向膜２８が
２度ラビング処理されるので、より配向規制力が大きく
なる。
て、配向規制力に差を設けるためには、選択的にラビン
グ回数を増しても良く、例えば、第４の実施の形態にお
いて、ＴＦＴ基板２６の移動方向を常に同じ方向、例え
ば、移動方向５０に設定してもよく、この場合には、画
素電極２４及び共通電極２５上に位置する配向膜２８が
２度ラビング処理されるので、より配向規制力が大きく
なる。
【００６８】この様に、本発明の第４の実施の形態にお
いても、元々必要としているラビング処理を工夫して、
配向膜の配向規制力に差を設けているので、同じ組成の
配向膜を用いて、紫外線照射或いはプラズマ処理等の特
別の処理を行なうことなく、液晶の応答速度を向上する
ことができる。
いても、元々必要としているラビング処理を工夫して、
配向膜の配向規制力に差を設けているので、同じ組成の
配向膜を用いて、紫外線照射或いはプラズマ処理等の特
別の処理を行なうことなく、液晶の応答速度を向上する
ことができる。
【００６９】次に、図８を参照して本発明の第５の実施
の形態を説明する。 図８（ａ）参照 まず、画素電極２４及び共通電極２５を設けたＴＦＴ基
板２６の全面に配向膜５２（日本合成ゴム製商品名ＪＡ
ＬＳ−２１４−Ｒ８）を塗布し、乾燥させる。
の形態を説明する。 図８（ａ）参照 まず、画素電極２４及び共通電極２５を設けたＴＦＴ基
板２６の全面に配向膜５２（日本合成ゴム製商品名ＪＡ
ＬＳ−２１４−Ｒ８）を塗布し、乾燥させる。
【００７０】図８（ｂ）参照 次いで、印刷ロール５３の表面に、画素電極２４及び共
通電極２５に対向する凸部を設け、その凸部に配向膜５
２より配向規制力の大きな配向膜材料５４（宇部興産製
商品名ＰＩ−４００）を塗布し、画素電極２４及び共通
電極２５上に配向膜５５を印刷する。
通電極２５に対向する凸部を設け、その凸部に配向膜５
２より配向規制力の大きな配向膜材料５４（宇部興産製
商品名ＰＩ−４００）を塗布し、画素電極２４及び共通
電極２５上に配向膜５５を印刷する。
【００７１】次いで、第１の実施の形態と同様に、ラビ
ング処理及び液晶注入等の工程を行なって第１の実施の
形態と同様の構造の液晶表示装置を完成させるものであ
り、この場合のラビング処理及び用いる液晶も第１の実
施の形態と同様である。
ング処理及び液晶注入等の工程を行なって第１の実施の
形態と同様の構造の液晶表示装置を完成させるものであ
り、この場合のラビング処理及び用いる液晶も第１の実
施の形態と同様である。
【００７２】この様に、本発明の第５の実施の形態にお
いては、印刷法という極めて通常の選択成膜法を用いて
いるので、簡単な工程によって、画素電極２４及び共通
電極２５上に配向規制力のより大きな配向膜５５を選択
的に設けることができる。
いては、印刷法という極めて通常の選択成膜法を用いて
いるので、簡単な工程によって、画素電極２４及び共通
電極２５上に配向規制力のより大きな配向膜５５を選択
的に設けることができる。
【００７３】次に、図９を参照して本発明の第６の実施
の形態を説明する。 図９（ａ）参照 まず、画素電極２４及び共通電極２５を設けたＴＦＴ基
板２６の全面に配向規制力の大きな配向膜５４（宇部興
産製商品名ＰＩ−４００）を塗布したのち、その上に配
向膜５４より配向規制力の小さな配向膜５２（日本合成
ゴム製商品名ＪＡＬＳ−２１４−Ｒ８）を塗布し、乾燥
させる。
の形態を説明する。 図９（ａ）参照 まず、画素電極２４及び共通電極２５を設けたＴＦＴ基
板２６の全面に配向規制力の大きな配向膜５４（宇部興
産製商品名ＰＩ−４００）を塗布したのち、その上に配
向膜５４より配向規制力の小さな配向膜５２（日本合成
ゴム製商品名ＪＡＬＳ−２１４−Ｒ８）を塗布し、乾燥
させる。
【００７４】図９（ｂ）及び（ｃ）参照 次いで、全面にレジストを塗布したのち、露光・現像を
行ない、画素電極２４及び共通電極２５に対応する開口
部を有するレジストマスク５６を設けると共に、この現
像工程において、開口部に露出している配向膜５２をエ
ッチング除去して、配向膜５５を露出させる。
行ない、画素電極２４及び共通電極２５に対応する開口
部を有するレジストマスク５６を設けると共に、この現
像工程において、開口部に露出している配向膜５２をエ
ッチング除去して、配向膜５５を露出させる。
【００７５】図９（ｄ）参照 次いで、レジストマスク５６を除去したのち、第１の実
施の形態と同様に、ラビング処理及び液晶注入等の工程
を行なって第１の実施の形態と同様の構造の液晶表示装
置を完成させるものであり、この場合のラビング処理及
び用いる液晶も第１の実施の形態と同様である。
施の形態と同様に、ラビング処理及び液晶注入等の工程
を行なって第１の実施の形態と同様の構造の液晶表示装
置を完成させるものであり、この場合のラビング処理及
び用いる液晶も第１の実施の形態と同様である。
【００７６】この様に、本発明の第６の実施の形態にお
いては、フォトリソグラフィー工程という極めて完成さ
れたパターニング方法を用い、且つ、レジストのパター
ニング工程において、上層の配向膜５２を選択的に除去
しているので、画素電極２４及び共通電極２５上に配向
規制力のより大きな配向膜５５を選択的に設ける工程が
簡素化される。
いては、フォトリソグラフィー工程という極めて完成さ
れたパターニング方法を用い、且つ、レジストのパター
ニング工程において、上層の配向膜５２を選択的に除去
しているので、画素電極２４及び共通電極２５上に配向
規制力のより大きな配向膜５５を選択的に設ける工程が
簡素化される。
【００７７】なお、この第５の実施の形態においては、
画素電極２４及び共通電極２５上に位置する上層の配向
膜５２を選択的に除去しているが、この様な方法に限ら
れるものではなく、まず、配向規制力の小さな配向膜５
２を設けたのち、その上に配向規制力の大きな配向膜５
５を設け、画素電極２４と共通電極２５との間に位置す
る上層の配向膜５５を通常のフォトエッチング工程によ
って選択的に除去するようにしても良い。
画素電極２４及び共通電極２５上に位置する上層の配向
膜５２を選択的に除去しているが、この様な方法に限ら
れるものではなく、まず、配向規制力の小さな配向膜５
２を設けたのち、その上に配向規制力の大きな配向膜５
５を設け、画素電極２４と共通電極２５との間に位置す
る上層の配向膜５５を通常のフォトエッチング工程によ
って選択的に除去するようにしても良い。
【００７８】以上、各実施の形態を説明してきたが、上
記の説明においては、ＴＦＴ基板側２６に、画素電極２
４と共通電極２５を設けているものの、この様な形態に
限られるものではなく、ＴＦＴ基板２６側に画素電極２
４を設け、対向基板２７側に共通電極２５を設けても良
いものであり、要するに、液晶層３１と配向膜２８〜３
０に対して、主として界面に平行な電界が印加されるよ
うに配置すれば良いものである。
記の説明においては、ＴＦＴ基板側２６に、画素電極２
４と共通電極２５を設けているものの、この様な形態に
限られるものではなく、ＴＦＴ基板２６側に画素電極２
４を設け、対向基板２７側に共通電極２５を設けても良
いものであり、要するに、液晶層３１と配向膜２８〜３
０に対して、主として界面に平行な電界が印加されるよ
うに配置すれば良いものである。
【００７９】また、上記の各実施の形態の説明において
は特に言及していないが、カラー液晶表示装置の場合に
は、ＴＦＴ基板或いは対向基板の一方の側にカラーフィ
ルタを設けるものであり、また、反射型の液晶表示装置
の場合には、一方の基板、即ち、光を透過させる側の基
板が透明であれば良く、さらに、本発明はアクティブ素
子を用いない型の液晶表示装置も対象とするものであ
る。
は特に言及していないが、カラー液晶表示装置の場合に
は、ＴＦＴ基板或いは対向基板の一方の側にカラーフィ
ルタを設けるものであり、また、反射型の液晶表示装置
の場合には、一方の基板、即ち、光を透過させる側の基
板が透明であれば良く、さらに、本発明はアクティブ素
子を用いない型の液晶表示装置も対象とするものであ
る。
【００８０】
【発明の効果】本発明によれば、２つの対向する電極上
に設ける配向膜の配向規制力を、この２つの電極間の基
板表面に設ける配向膜の配向規制力より大きくすること
によって、横電界方式の液晶表示装置において問題とな
っていた応答速度を向上することができる。
に設ける配向膜の配向規制力を、この２つの電極間の基
板表面に設ける配向膜の配向規制力より大きくすること
によって、横電界方式の液晶表示装置において問題とな
っていた応答速度を向上することができる。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の画素構造の説明図
である。
である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の製造工程の説明図
である。
である。
【図４】本発明の第１の実施の形態におけるラビング方
向の説明図である。
向の説明図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の説明図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態の説明図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態の説明図である。
【図８】本発明の第５の実施の形態の説明図である。
【図９】本発明の第６の実施の形態の説明図である。
１ ドレインバス ２ ゲートバス ３ アクティブ素子 ４ 電極 ５ 電極 ６ 基板 ７ 基板 ８ 配向制御層 ９ 配向制御層 １０ 配向制御層 １１ 液晶層 １２ 液晶分子 ２１ ドレインバス ２２ バスライン ２３ ＴＦＴ ２４ 画素電極 ２５ 共通電極 ２６ ＴＦＴ基板 ２７ 対向基板 ２８ 配向膜 ２８ 配向膜 ２９ 配向膜 ３０ 配向膜 ３１ 液晶層 ３２ 液晶分子 ３３ 偏光板 ３４ 偏光板 ３５ 遮光膜パターン ３６ フォトマスク ３７ 紫外線 ３８ ラビング方向 ３９ 偏光板の透過軸 ４０ 偏光板の透過軸 ４１ ラビング方向 ４２ レジストマスク ４３ ＣＦ4 プラズマ ４４ 配向膜 ４５ ラビングロール ４６ 繊維 ４７ レジストマスク ４８ 配向膜 ４９ 移動方向 ５０ 移動方向 ５１ 配向膜 ５２ 配向膜 ５３ 印刷ロール ５４ 配向膜材料 ５５ 配向膜 ５６ レジストマスク
Claims (12)
- 【請求項１】 少なくとも一方が透明な一対の基板の間
に液晶層を設けると共に、前記基板の表面に、前記液晶
層及び配向制御層に対し、主として界面に平行な電界を
印加できる電極を設け、前記電極間に電界を印加する液
晶表示装置において、前記電極上に設けた前記配向制御
層の配向規制力を、前記電極間の基板表面上に設けた配
向制御層の配向規制力よりも大きくしたことを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項２】 上記基板の一方上にアクティブ素子をマ
トリクス状に配置すると共に、上記電極の一方を前記ア
クティブ素子に接続したことを特徴とする請求項１記載
の液晶表示装置。 - 【請求項３】 上記電極上に設ける配向制御層が、上記
電極間の基板表面上に設けた配向制御層の組成と異なる
ことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項４】 少なくとも一方が透明な一対の基板の間
に液晶層を設けると共に、前記基板の表面に、前記液晶
層及び配向制御層に対し、主として界面に平行な電界を
印加できる電極を設け、前記電極間に電界を印加する液
晶表示装置の製造方法において、前記配向制御層を設け
る工程において、前記電極上に設ける配向制御層の配向
規制力が、前記電極間の基板表面上に設ける配向制御層
の配向規制力よりも大きくなるようにすることを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 上記配向制御層を設ける工程において、
上記電極上に設けた配向制御層に選択的に紫外線を照射
することを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項６】 上記配向制御層を設ける工程において、
上記電極上に設けた配向制御層を、ＣＦ4 を原料ガスと
したプラズマ雰囲気中に選択的に晒すことを特徴とする
請求項４記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 上記配向制御層を設ける工程において、
上記電極上に設けた配向制御層を、酸素プラズマ雰囲気
中に選択的に晒すことを特徴とする請求項４記載の液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 上記配向制御層を設ける工程において、
前記配向制御層をラビング処理する際に、上記電極上に
設けた配向制御層に対するラビング装置の毛足押込量
を、上記電極間の基板表面上に設けた配向制御層に対す
る前記ラビング装置の毛足押込量より大きくしたことを
特徴とする請求項４記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 上記配向制御層を設ける工程において、
前記配向制御層をラビング処理する際に、上記電極上に
設けた配向制御層に対するラビング装置の回転方向を上
記基板の移動方向と反対方向とし、上記電極間の基板表
面上に設けた配向制御層に対する前記ラビング装置の回
転方向を上記基板の移動方向と同一方向としたことを特
徴とする請求項４または８に記載の液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項１０】 上記配向制御層を設ける工程におい
て、前記配向制御層をラビング処理する際に、上記電極
上に設けた配向制御層に対するラビング回数を、上記電
極間の基板表面上に設けた配向制御層に対するラビング
回数よりも多くしたことを特徴とする請求項４、８、及
び、９のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項１１】 上記配向制御層を設ける工程におい
て、印刷法を用いて、上記電極上に、上記電極間の基板
表面に設ける配向制御層とは異なった組成の配向制御層
を選択的に印刷したことを特徴とする請求項４記載の液
晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】 上記配向制御層を設ける工程におい
て、全面に配向規制力の異なる２つの配向制御層を連続
して設けたのち、上記電極上の最表面に存在する配向制
御層と、上記電極間の基板上の最表面に存在する配向制
御層とが異なる様に、前記配向制御層の上層を選択的に
除去することを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25796996A JP3795589B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25796996A JP3795589B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10105084A true JPH10105084A (ja) | 1998-04-24 |
| JP3795589B2 JP3795589B2 (ja) | 2006-07-12 |
Family
ID=17313738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25796996A Expired - Fee Related JP3795589B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3795589B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6319760B1 (en) | 1998-10-28 | 2001-11-20 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Manufacturing method of liquid crystal display having high aperture ratio and high transmittance |
| US6429918B1 (en) | 1998-10-29 | 2002-08-06 | Hyundai Display Technology Inc. | Liquid crystal display having high aperture ratio and high transmittance |
| JP2002328395A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Nec Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2005070788A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| JP2018141901A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-13 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置及び液晶表装置の製造方法 |
| JP2018141900A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-13 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置及び液晶表装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP25796996A patent/JP3795589B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US6319760B1 (en) | 1998-10-28 | 2001-11-20 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Manufacturing method of liquid crystal display having high aperture ratio and high transmittance |
| US6429918B1 (en) | 1998-10-29 | 2002-08-06 | Hyundai Display Technology Inc. | Liquid crystal display having high aperture ratio and high transmittance |
| JP2002328395A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Nec Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2005070788A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| JP4625288B2 (ja) * | 2003-08-25 | 2011-02-02 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示素子の製造方法 |
| JP2018141901A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-13 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置及び液晶表装置の製造方法 |
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