JPH0997872A - 電力増幅モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 パワーアンプから発生した熱を外部に高効率
で放出することにより、高性能化を達成した電力増幅モ
ジュールを提供する。 【構成】 電力増幅モジュール１０は、中空な内部を有
して形成されたパッケージ２０と、パッケージ２０の内
部に設置されて電子回路パターンが形成された表面とパ
ッケージ２０の内面に接触する裏面との間を貫通する繰
り抜き穴５２ａ，５２ｂを有して形成された配線基板５
０と、繰り抜き穴５２ａ，５２ｂに露出されたパッケー
ジ２０の内面上に設置されたヒートスプレッダ６０ａ，
６０ｂと、ヒートスプレッダ６０ａ，６０ｂの表面上に
設置され、配線基板５０の電子回路パターンと電気的に
接続されて電力増幅回路を構成する半導体チップ７０
ａ，７０ｂとを備える。ここで、パッケージ２０及びヒ
ートスプレッダ６０ａ，６０ｂは、配線基板５０の構成
材料よりも大きい熱伝導率を有する材料でそれぞれ形成
される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを実装し
て電力増幅回路と電気的に接続した配線基板を、パッケ
ージに搭載して構成された電力増幅モジュールに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子回路を構成する電子部品とし
て半導体チップにパッケージングを施した後に、この半
導体チップを配線基板に実装することが行われている。
このようなパッケージング技術は、半導体チップの保護
に基づいてその耐湿性や耐熱性を向上させるものであ
り、セラミックス等による気密封止技術やプラスチック
等による樹脂封止技術などに分類される。

【０００３】一方、半導体チップをベアチップ状態のま
まに配線基板に実装することも行われている。このよう
なベアチップ実装技術は、パッケージの不使用に基づい
て小型化を図るとともに、パッケージに起因した寄生容
量及びインダクタンスの解消による性能向上を図るもの
である。

【０００４】なお、このような先行技術に関しては、書
籍「ＶＬＳＩパッケージ技術、日経ＢＰ社発行」などに
詳細に記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のベアチ
ップ実装技術を用いて半導体チップとしてパワーアンプ
と呼ばれるトランジスタを配線基板に実装した場合、こ
のパワーアンプは、配線基板上に形成された電力増幅回
路と電気的に接続され、高出力特性によって多量に発熱
する。しかしながら、通常、配線基板は、電力増幅回路
を構成する電子回路パターンを除き、例えばアルミナや
ガラエポなどで構成されているので、比較的小さい熱伝
導率を有することから、パワーアンプから発生した熱を
外部に放出することができない。そのため、電力増幅回
路を構成する各種の電子デバイスの動作速度や寿命が低
下するという問題が生じるので、高性能な電力増幅モジ
ュールを形成することが困難である。

【０００６】そこで、本発明は、以上の問題点に鑑みて
なされたものであり、パワーアンプから発生した熱を外
部に高効率で放出することにより、高性能化を達成した
電力増幅モジュールを提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の電力増幅モジュ
ールは、上述した目的を達成するために、（ａ）中空な
内部を有して形成されたパッケージと、（ｂ）このパッ
ケージの内部に設置され、電子回路パターンが形成され
た表面と当該パッケージの内面に接触した裏面との間を
貫通する少なくとも一つの繰り抜き穴を有して形成され
た配線基板と、（ｃ）この配線基板の少なくとも一つの
繰り抜き穴に露出されたパッケージの内面上にそれぞれ
設置された少なくとも一つのヒートスプレッダと、
（ｄ）この少なくとも一つのヒートスプレッダの表面上
にベアチップ状態でそれぞれ設置され、配線基板の電子
回路パターンと電気的に接続されて電力増幅回路を構成
する少なくとも一つの半導体チップとを備える。

【０００８】ここで、パッケージ及び少なくとも一つの
ヒートスプレッダは、配線基板の構成材料よりも大きい
熱伝導率を有する材料でそれぞれ形成されたことを特徴
とする。

【０００９】なお、少なくとも一つのヒートスプレッダ
の構成材料は、ＣｕまたはＣｕＷであることを特徴とし
てもよい。また、パッケージの構成材料は、Ｃｕまたは
ＦｅＮｉ合金であることを特徴としてもよい。

【００１０】

【作用】本発明の電力増幅モジュールにおいて、パッケ
ージの内部に設置された配線基板は、電子回路パターン
が形成された表面と当該パッケージの内面に接触した裏
面との間を貫通する少なくとも一つの繰り抜き穴を有し
て形成されている。この少なくとも一つの繰り抜き穴に
露出されたパッケージの内面上には、ヒートスプレッダ
とベアチップ状態の半導体チップとがそれぞれ順次設置
されている。

【００１１】そして、半導体チップは、配線基板の電子
回路パターンと電気的に接続されて電力増幅回路を構成
するので、外部の電源から供給された各種の電力信号に
基づいてパワーアンプとして動作した場合、その高出力
特性によって多量に発熱する。ここで、パッケージ及び
ヒートスプレッダは、配線基板の構成材料よりも大きい
熱伝導率を有する材料でそれぞれ形成されていることか
ら、半導体チップから発生した熱は、配線基板にほとん
ど伝導することなく、ヒートスプレッダ及びパッケージ
を順次伝導することにより、高効率でパッケージの外部
に放出される。

【００１２】そのため、電子回路パターンに電気的に接
続されて半導体チップとともに電力増幅回路を構成する
各種の電子デバイスは、半導体チップから発生した熱に
対してほぼ遮断されるので、その温度をほぼ一定に保持
して安定に動作する。したがって、半導体チップと電子
回路パターンとで構成された電力増幅回路は、その高出
力特性を劣化させることなく発揮する。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の電力増幅モジュールに係る一
実施例の構成及び作用について、図１ないし図８を参照
して詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同
一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。

【００１４】図１ないし図３に示すように、本実施例の
電力増幅モジュール１０は、略平板状のステム３０と略
角型箱状のキャップ４０とを溶接して構成されたパッケ
ージ２０と、ステム３０の内面上に設置されてキャップ
４０に被覆された略平板状の配線基板５０と、この配線
基板５０に形成された２個の繰り抜き穴５２ａ，５２ｂ
に露出したステム３０の内面上にそれぞれ設置された略
平板状の２個のヒートスプレッダ６０ａ，６０ｂと、こ
れら２個のヒートスプレッダ６０ａ，６０ｂの各表面上
にそれぞれ設置されたベアチップ状態の２個の半導体チ
ップ７０ａ，７０ｂとを備えている。

【００１５】図４に示すように、ステム３０は、キャッ
プ４０と接合して溶接された金属製の外囲容器であり、
配線基板５０の基板本体５１よりも大きい熱伝導率を有
する材料として、例えばＣｕやＦｅＮｉ合金などで形成
されている。このステム３０は、略長方形状の内面に配
線基板５０の裏面を支持して設置させる基板支持部３１
と、基板支持部３１の２箇所の端部分からその長手方向
に延びてキャップ４０を支持して設置させる２個のキャ
ップ支持部３２ａ，３２ｃと、基板支持部３１の２箇所
の端部分からその長手方向及び短手方向にそれぞれ延び
てキャップ４０を支持して設置させる２個のキャップ支
持部３２ｂ，３２ｄとを含んで構成されている。

【００１６】なお、２個のキャップ支持部３２ｂ，３２
ｄの間に位置するステム３０の短手方向の外側端部分
は、略平板状に切り欠いて加工されている。また、４個
のキャップ支持部３２ａ〜３２ｄにおけるステム３０の
長手方向の外側部分は、略半円柱状に切り欠いて加工さ
れている。

【００１７】また、ステム３０は、基板支持部３１の短
手方向に配列された２個のキャップ支持部３２ａ，３２
ｂの間と２個のキャップ支持部３２ａ，３２ｂの間とで
その法線方向にそれぞれ折り曲げられて配線基板５０の
２個のステム係合部５３ａ，５３ｂに係合して挟持する
２個の基板挟持部３３ａ，３３ｂと、これら２個の基板
挟持部３３ａ，３３ｂの長手方向の外側表面からそれぞ
れ突出してキャップ４０の２個のステム嵌合部４３ａ，
４３ｂに嵌入して保持する２個のキャップ嵌入部３４
ａ，３４ｂとを含んで構成されている。

【００１８】図５に示すように、キャップ４０は、ステ
ム３０と接合して溶接されて中空な内部を有する金属製
の外囲容器であり、配線基板５０の基板本体５１よりも
大きい熱伝導率を有する材料として、例えばＣｕやＦｅ
Ｎｉ合金などで形成されている。このキャップ４０は、
略直方体型箱状の内面で配線基板５０の表面側の周囲を
被覆して保護する基板被覆部４１と、この基板被覆部４
１の短手方向の１箇所の側板を切り欠いて加工されて配
線基板５０の４個の入出力ピン５５ａ〜５５ｄを挿通さ
せて露出するピン挿通部４２と、基板被覆部４１の長手
方向の２箇所の側板を貫通してそれぞれ加工されてステ
ム３０の２個のキャップ嵌入部３４ａ，３４ｂを挿通さ
せて保持される２個のステム嵌合部４３ａ，４３ｂとで
構成されている。

【００１９】図６に示すように、配線基板５０は、ステ
ム３０の内面上に設置されてキャップ４０によって周囲
を被覆され、２個の半導体チップ７０ａ，７０ｂと電気
的に接続されて電力増幅回路を構成するものである。こ
の配線基板５０は、略薄板状に加工された絶縁体製の基
板本体５１と、この基板本体５１の表面に設置された５
個の電子デバイス部品５４ａ〜５４ｅと、基板本体５１
の表面上及び裏面上に部分的に固定されて短手方向に延
びてキャップ４０のピン挿通部４２から外部に突出した
４個の入出力ピン５５ａ〜５５ｄとで構成されている。

【００２０】基板本体５１は、例えばアルミナ、ガラス
等を含む無機材料やＰＰＯ（2,5-dyphenyloxaxole; 2,5
- ジフェニルオキサゾール）等を含むガラス布エポキシ
樹脂積層材料などで形成されている。この基板本体５１
は、電子回路パターン（図示しない）が印刷された表面
とステム３０の内面と接触した裏面との間を貫通してそ
れぞれ加工されて長手方向に配列された２個の繰り抜き
穴５２ａ，５２ｂと、長手方向の外側端部分を略直方体
状に切り欠いてそれぞれ加工されてステム３０の２個の
基板挟持部３３ａ，３３ｂによって係合して挟持される
２個のステム係合部５３ａ，５３ｂとを含んで構成され
ている。

【００２１】４個の入出力ピン５５ａ〜５５ｄは、基板
本体５１の表面及び裏面を挟持して固定された金属製の
クリップ式リードピンであり、例えば燐青銅などで形成
されている。これら４個の入出力ピン５５ａ〜５５ｄ
は、基板本体５１の裏面上に部分的にそれぞれ固定され
てその短手方向に延びた４個の下部リードピン５６ａ〜
５６ｄと、基板本体５１の表面上に部分的にそれぞれ固
定されてその短手方向の側壁に沿って折れ曲がって４個
の下部リードピン５６ａ〜５６ｄに溶接された４個の上
部リードピン５７ａ〜５７ｄとで構成されている。

【００２２】なお、基板本体５１の電子回路パターン
は、金属製の箔で配線されたものであり、例えばＣｕな
どで形成されている。この電子回路パターンは、２個の
半導体チップ７０ａ，７０ｂ、５個の電子デバイス部品
５４ａ〜５４ｅ及び４個の入出力ピン５５ａ〜５５ｄを
電気的に接続することによって電力増幅回路を構成して
いる。

【００２３】図７に示すように、ヒートスプレッダ６０
ａは、配線基板５０の繰り抜き穴５２ａに露出したステ
ム３０の内面上に固定された金属製のチップ設置台であ
る。また、ヒートスプレッダ６０ｂもヒートスプレッダ
６０ａとほぼ同一に構成され、配線基板５０の繰り抜き
穴５２ａに露出したステム３０の内面上に固定された金
属製のチップ設置台である。これら２個のヒートスプレ
ッダ６０ａ，６０ｂは、比較的高い耐熱性を有する接着
剤でステム３０の内面上に固着され、配線基板５０の基
板本体５１よりも大きい熱伝導率を有する材料として、
例えばＣｕやＣｕＷなどで形成されている。

【００２４】図７に示すように、半導体チップ７０ａ
は、ヒートスプレッダ６０ａの表面上に固定されてワイ
ヤ（図示しない）によって基板本体５１の電子回路パタ
ーンにボンディングされたベアチップ状態のＦＥＴ（Fi
eld Effet Transistor）である。この半導体チップ７０
ａは、イオン注入技術によって表面領域にｎ型またはｐ
型の導電性を有する活性層（図示しない）が形成された
化合物半導体製の半絶縁性基板７１ａと、この半絶縁性
基板７１ａの活性層のゲート領域上にショットキー接触
して設置された金属製のゲート電極７２ａと、半絶縁性
基板７１ａの活性層のソース領域上にオーミック接触し
て設置された金属製のソース電極７３ａと、半絶縁性基
板７１ａの活性層のドレイン領域上にオーミック接触し
て設置された金属製のドレイン電極７４ａとで構成され
ている。

【００２５】また、半導体チップ７０ｂも、半導体チッ
プ７０ａとほぼ同一に構成され、ヒートスプレッダ６０
ｂの表面上に固定されてワイヤ（図示しない）によって
基板本体５１の電子回路パターンにボンディングされた
ベアチップ状態のＦＥＴである。すなわち、この半導体
チップ７０ｂは、ｎ型またはｐ型の導電性を有する活性
層（図示しない）が表面領域に形成された化合物半導体
製の半絶縁性基板７１ｂと、この半絶縁性基板７１ｂの
活性層のゲート領域上にショットキー接触して設置され
た金属製のゲート電極７２ｂと、半絶縁性基板７１ｂの
活性層のソース領域上にオーミック接触して設置された
金属製のソース電極７３ｂと、半絶縁性基板７１ｂの活
性層のドレイン領域上にオーミック接触して設置された
金属製のドレイン電極７４ｂとで構成されている。

【００２６】なお、２個の半導体チップ７０ａ，７０ｂ
は、基板本体５１の電子回路パターンと電気的に接続さ
れて５個の電子デバイス部品５４ａ〜５４ｅ及び８個の
入出力ピン５５ａ〜５５ｈとともに電力増幅回路を構成
するパワーアンプである。２個の半絶縁性基板７１ａ，
７１ｂは、比較的大きいバンドギャップエネルギーを有
する化合物半導体材料として、例えばＧａＡｓなどで形
成されている。これら２個の半絶縁性基板７１ａ，７１
ｂの各活性層は、通常のイオン注入技術に基づいて不純
物イオンをドープしてそれぞれ形成されている。２個の
ゲート電極７２ａ，７２ｂは、例えばＡｌやＴｉなどで
それぞれ形成され、２個のソース電極７３ａ，７３ｂと
２個のドレイン電極７４ａ，７４ｂとは、例えばＡｕＧ
ｅ合金などで形成されている。

【００２７】次に、本実施例の電力増幅モジュール１０
の作用について説明する。

【００２８】電力増幅モジュール１０においては、パッ
ケージ２０の内部に設置された配線基板５０は、電子回
路パターン（図示しない）が形成された基板本体５１の
表面とステム３０の内面に接触した基板本体５１の裏面
との間を貫通する２個の繰り抜き穴５２ａ，５２ｂを有
して形成されている。これら２個の繰り抜き穴５２ａ，
５２ｂに露出されたステム３０の各内面上には、ヒート
スプレッダ６０ａ及び半導体チップ７０ａとヒートスプ
レッダ６０ｂ及び半導体チップ７０ｂとがそれぞれ順次
設置されている。

【００２９】これら２個の半導体チップ７０ａ，７０ｂ
は、ワイヤ（図示しない）を介して基板本体５１の電子
回路パターンと電気的に接続され、５個の電子デバイス
部品５４ａ〜５４ｅ及び４個の入出力ピン５５ａ〜５５
ｄとともに電力増幅回路を構成している。ここで、２個
の半導体チップ７０ａ，７０ｂが、外部電源（図示しな
い）から４個の入出力ピン５５ａ〜５５ｄのいずれかを
介して供給された各種の電力信号に基づいてパワーアン
プとしてそれぞれ動作した場合、各高出力特性によって
多量に発熱する。

【００３０】ここで、パッケージ２０を構成するステム
３０及びキャップ４０とステム３０に接触して固定され
た２個のヒートスプレッダ６０ａ，６０ｂは、基板本体
５１の構成材料よりも大きい熱伝導率を有する材料でそ
れぞれ形成されている。これにより、２個の半導体チッ
プ７０ａ，７０ｂから発生した熱は、基板本体５１にほ
とんど伝導することなく、２個のヒートスプレッダ６０
ａ，６０ｂ、ステム３０及びキャップ４０を順次伝導す
ることにより、高効率でパッケージ２０の外部に放出さ
れる。

【００３１】そのため、基板本体５１の電子回路パター
ンと電気的に接続されて２個の半導体チップ７０ａ，７
０ｂ及び４個の入出力ピン５５ａ〜５５ｄとともに電力
増幅回路を構成する５個の電子デバイス５４ａ〜５４ｅ
は、２個の半導体チップ７０ａ，７０ｂから発生した熱
に対してほぼ遮断されるので、その温度をほぼ一定に保
持して安定に動作し、温度の上昇にともなう動作速度や
寿命の低下を生じない。したがって、２個の半導体チッ
プ７０ａ，７０ｂ、５個の電子デバイス５４ａ〜５４ｅ
及び４個の入出力ピン５５ａ〜５５ｄで構成された電力
増幅回路は、その高出力特性を劣化させることなく十分
に発揮する。

【００３２】次に、本実施例の電力増幅モジュール１０
を試作した実験例に対する放熱特性の測定について説明
する。

【００３３】本実験例の電力増幅モジュールは、次に示
す諸元に基づいて試作した。

【００３４】 このように構成された本実験例の電力増幅モジュールの
熱抵抗を複数回数繰り返して測定した結果は、次に示す
通りであった。

【００３５】 熱抵抗の測定値： １４．７〜１６．６Ｋ／Ｗ このような電力増幅モジュールの熱抵抗θ［Ｋ／Ｗ］
は、次式の通りに定義されている。ただし、ΔＴは半導
体チップのジャンクション温度とパッケージの周囲温度
との差［Ｋ］であり、Ｑは電力増幅モジュールの消費電
力［Ｗ］である。

【００３６】θ＝ΔＴ／Ｑ そのため、パッケージの周囲温度と電力増幅モジュール
の消費電力とがそれぞれ一定である場合、図８に示すよ
うに、半導体チップのジャンクション温度変化は、電力
増幅モジュールの熱抵抗に対して比例関係を有してい
る。なお、図８においては、電力増幅モジュールの消費
電力として１．５Ｗ，２．０Ｗ，３．０Ｗ，４．０Ｗを
それぞれ設定している。

【００３７】ここで、半導体チップがＦＥＴである場
合、そのＦＥＴを正常に動作させるためのＦＥＴのチャ
ネル温度としては、通常１３０℃以下であることが要求
されている。このＦＥＴを使用する通常の環境において
は、パッケージの周囲温度は最大８０℃であるので、正
常に動作するためのＦＥＴのチャネル温度変化としては
５０℃以下であることが要請されることになる。

【００３８】このようなＦＥＴのチャネル温度変化に対
する制約条件を満足するために、従来のＦＥＴの放熱設
計としては、例えば、半絶縁性基板を薄板化した上でＡ
ｕを裏打ちするというＰＨＳ（Plated Heat Sink）構造
を適用する必要があった。しかしながら、本実験例の電
力増幅モジュールの熱抵抗は、図８を参照しても明らか
なように、３Ｗ程度以下の消費電力に対してＦＥＴのチ
ャネル温度変化に対する制約条件を満足することができ
る。

【００３９】ここで、本発明は、上述した実施例に限ら
れるものではなく、種々の変形を行うことが可能であ
る。例えば、上述した実施例においては、ヒートスプレ
ッダの構成材料はＣｕやＣｕＷなどであり、パッケージ
の構成材料はＣｕやＦｅＮｉ合金などである。しかしな
がら、ヒートスプレッダ及びパッケージの構成材料とし
ては、基板本体の構成材料よりも大きい熱伝導率を有す
るものであれば、その他種々の材料を適用してもよい。

【００４０】また、上述した実施例においては、半導体
チップはＦＥＴとして構成されている。しかしながら、
半導体チップとしては、配線基板の電子回路パターンと
電気的に接続されることによってパワーアンプとして機
能するものであれば、その他種々の電子デバイスを適用
してもよい。

【００４１】さらに、上述した実施例においては、２個
の繰り抜き穴が配線基板に形成されている。しかしなが
ら、配線基板に形成される繰り抜き穴としては、ただ一
つであっても、あるいは、多数であってもよい。これに
より、各繰り抜き穴から露出されたステムの内面上にヒ
ートスプレッダ及び半導体チップを順次設置することが
できる。

【００４２】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の電
力増幅モジュールにおいて、配線基板が有する少なくと
も一つの繰り抜き穴に露出されたパッケージの内面上に
は、ヒートスプレッダとベアチップ状態の半導体チップ
とがそれぞれ順次設置されている。そして、配線基板の
電子回路パターンと電気的に接続されて電力増幅回路を
構成する半導体チップは、外部の電源から供給された各
種の電力信号に基づいてパワーアンプとして動作した場
合、その高出力特性によって多量に発熱する。

【００４３】ここで、パッケージ及びヒートスプレッダ
は、配線基板の構成材料よりも大きい熱伝導率を有する
材料でそれぞれ形成されていることから、半導体チップ
から発生した熱は、ヒートスプレッダ及びパッケージを
順次伝導することにより、高効率でパッケージの外部に
放出される。これにより、電子回路パターンと電気的に
接続されて半導体チップとともに電力増幅回路を構成す
る各種の電子デバイスは、半導体チップから発生した熱
に対してほぼ遮断されるので、その温度を上昇させない
でほぼ一定に保持して安定に動作する。

【００４４】そのため、これら各種の電子デバイスは、
温度の上昇にともなう動作速度や寿命の低下を生じない
ので、半導体チップと電子回路パターンとで構成された
電力増幅回路は、その高出力特性を劣化させることなく
十分に発揮することができる。したがって、本発明の電
力増幅モジュールによれば、配線基板が通常のようにア
ルミナやガラエポなどの比較的小さい熱伝導率を有する
材料で構成されていても、半導体チップから発生した熱
は速やかにパッケージの外部に放散されるので、従来よ
りも容易に高性能化を達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電力増幅モジュールに係る一実施例の
構成を示す斜視図である。

【図２】図１のパッケージ蓋の上部に交差するＸＹ平面
に沿った電力増幅モジュールの断面図である。

【図３】図１の長手方向に延びた中心線を含むＹＺ平面
に沿った電力増幅モジュールの断面図である。

【図４】図１の電力増幅モジュールに含まれたパッケー
ジ底の構成を示す斜視図である。

【図５】図１の電力増幅モジュールに含まれたパッケー
ジ蓋の構成を示す斜視図である。

【図６】図１の電力増幅モジュールに含まれた配線基板
の構成を示す斜視図である。

【図７】図１の電力増幅モジュールに含まれたヒートス
プレッダ及び半導体チップの構成を示す斜視図である。

【図８】本発明の電力増幅モジュールに係る一実験例の
熱抵抗を評価するための各種消費電力に対応する熱抵抗
−チャネル温度変化の特性を示すグラフである。

【符号の説明】

１０…電力増幅モジュール、２０…パッケージ、５０…
配線基板、５２ａ，５２ｂ…繰り抜き穴、６０ａ，６０
ｂ…ヒートスプレッダ、７０ａ，７０ｂ…半導体チッ
プ。

フロントページの続き (72)発明者 橋長 達也 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 中空な内部を有して形成されたパッケー
   ジと、 このパッケージの内部に設置され、電子回路パターンが
   形成された表面と当該パッケージの内面に接触した裏面
   との間を貫通する少なくとも一つの繰り抜き穴を有して
   形成された配線基板と、 この配線基板の少なくとも一つの繰り抜き穴に露出され
   た前記パッケージの内面上にそれぞれ設置された少なく
   とも一つのヒートスプレッダと、 この少なくとも一つのヒートスプレッダの表面上にベア
   チップ状態でそれぞれ設置され、前記配線基板の電子回
   路パターンと電気的に接続されて電力増幅回路を構成す
   る少なくとも一つの半導体チップとを備え、 前記パッケージ及び前記少なくとも一つのヒートスプレ
   ッダは、前記配線基板の構成材料よりも大きい熱伝導率
   を有する材料でそれぞれ形成されたことを特徴とする電
   力増幅モジュール。
2. 【請求項２】 前記少なくとも一つのヒートスプレッダ
   の構成材料は、ＣｕまたはＣｕＷであることを特徴とす
   る請求項１記載の電力増幅モジュール。
3. 【請求項３】 前記パッケージの構成材料は、Ｃｕまた
   はＦｅＮｉ合金であることを特徴とする請求項１記載の
   電力増幅モジュール。