JPH0990415A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JPH0990415A JPH0990415A JP24756695A JP24756695A JPH0990415A JP H0990415 A JPH0990415 A JP H0990415A JP 24756695 A JP24756695 A JP 24756695A JP 24756695 A JP24756695 A JP 24756695A JP H0990415 A JPH0990415 A JP H0990415A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置の液晶を挟持する基板のブラッ
クマトリクス等の遮光層の形成時における画素電極と非
線形素子に信号を供給する導電体層との電池反応を防止
する。 【解決手段】 絶縁性透明基板１上に、画素電極６およ
び非線形素子のＴＦＴを完成した後、絶縁保護膜８を基
板全面に製膜する。次に、ネガ型の感光性を有する黒色
レジストを用いてパターン形成を施しブラックマトリク
ス９を形成し、このブラックマトリクス９をマスクとし
て、画素電極６上やソース電極７およびゲート電極２の
延長端部の実装電極部上の絶縁保護膜８をエッチング除
去し、各電極を露出させる。ブラックマトリクス９のパ
ターン形成時には、その下の絶縁保護膜８が基板全面を
覆っているため、ブラックマトリクス９の現像液が画素
電極６やソース電極７およびゲート電極２と接触せず、
画素電極６のＩＴＯとソース電極７およびゲート電極２
のＡｌ等との電池反応は起きない。
クマトリクス等の遮光層の形成時における画素電極と非
線形素子に信号を供給する導電体層との電池反応を防止
する。 【解決手段】 絶縁性透明基板１上に、画素電極６およ
び非線形素子のＴＦＴを完成した後、絶縁保護膜８を基
板全面に製膜する。次に、ネガ型の感光性を有する黒色
レジストを用いてパターン形成を施しブラックマトリク
ス９を形成し、このブラックマトリクス９をマスクとし
て、画素電極６上やソース電極７およびゲート電極２の
延長端部の実装電極部上の絶縁保護膜８をエッチング除
去し、各電極を露出させる。ブラックマトリクス９のパ
ターン形成時には、その下の絶縁保護膜８が基板全面を
覆っているため、ブラックマトリクス９の現像液が画素
電極６やソース電極７およびゲート電極２と接触せず、
画素電極６のＩＴＯとソース電極７およびゲート電極２
のＡｌ等との電池反応は起きない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置お
よびその製造方法に関するものである。
よびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置には、画素電極，非
線形素子の薄膜トランジスタおよびブラックマトリクス
等を形成したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板と液晶を挟
んで対向配置され対向電極を形成した対向基板とを備え
たものがある。この従来の液晶表示装置のＴＦＴ基板の
製造方法について、図５を用いて説明する。
線形素子の薄膜トランジスタおよびブラックマトリクス
等を形成したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板と液晶を挟
んで対向配置され対向電極を形成した対向基板とを備え
たものがある。この従来の液晶表示装置のＴＦＴ基板の
製造方法について、図５を用いて説明する。
【０００３】まず、絶縁性透明基板１上に、ゲート電極
２をパターン形成する（図５（ａ））。次に、ゲート絶
縁膜３，シリコン半導体層４およびチャネル保護膜５を
成膜し、ゲート電極２上のチャネル保護膜５をパターニ
ングする。次に、リンなどの不純物を含むｎ+ シリコン
膜（図示せず）を形成し、このｎ+ シリコン膜およびシ
リコン半導体層４をパターニングする（図５（ｂ））。
２をパターン形成する（図５（ａ））。次に、ゲート絶
縁膜３，シリコン半導体層４およびチャネル保護膜５を
成膜し、ゲート電極２上のチャネル保護膜５をパターニ
ングする。次に、リンなどの不純物を含むｎ+ シリコン
膜（図示せず）を形成し、このｎ+ シリコン膜およびシ
リコン半導体層４をパターニングする（図５（ｂ））。
【０００４】次に、画素電極６としてＩＴＯ透明導電膜
を成膜しパターン形成した後、ソース・ドレイン電極７
をパターン形成する。次に、絶縁保護膜８となるＳｉＮ
X 膜を成膜しパターン形成して、画素電極６が露出し、
ソース電極７およびゲート電極２の延長端部の実装電極
部が露出された構成を得る（図５（ｃ））。最後に、遮
光層として黒色レジストのパターン形成によりブラック
マトリクス９を形成し、ＴＦＴ基板が完成する（図５
（ｄ））。
を成膜しパターン形成した後、ソース・ドレイン電極７
をパターン形成する。次に、絶縁保護膜８となるＳｉＮ
X 膜を成膜しパターン形成して、画素電極６が露出し、
ソース電極７およびゲート電極２の延長端部の実装電極
部が露出された構成を得る（図５（ｃ））。最後に、遮
光層として黒色レジストのパターン形成によりブラック
マトリクス９を形成し、ＴＦＴ基板が完成する（図５
（ｄ））。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の液晶表示装
置は、画素電極６にＩＴＯ、ゲート電極２およびソース
・ドレイン電極７にＡｌもしくはＡｌ化合物が用いら
れ、図５（ｃ）に示すように、絶縁保護膜８をパターン
形成して、画素電極６と、ゲート電極２およびソース電
極７の延長端部の実装電極部（ゲート電極２の延長端部
の実装電極部は図示せず）とを露出した後、図５（ｄ）
に示すように、ブラックマトリクス９を形成している。
ブラックマトリクス９は黒色レジストをパターン形成し
ているが、黒色レジストのような感光性着色レジストを
用い、フォトプロセスでパターン形成すると、現像液が
電解液となってＩＴＯとＡｌ間で電池反応が生じ、透明
のＩＴＯが還元して画素電極６が着色されたり、Ａｌの
腐食が生じるという問題があった。
置は、画素電極６にＩＴＯ、ゲート電極２およびソース
・ドレイン電極７にＡｌもしくはＡｌ化合物が用いら
れ、図５（ｃ）に示すように、絶縁保護膜８をパターン
形成して、画素電極６と、ゲート電極２およびソース電
極７の延長端部の実装電極部（ゲート電極２の延長端部
の実装電極部は図示せず）とを露出した後、図５（ｄ）
に示すように、ブラックマトリクス９を形成している。
ブラックマトリクス９は黒色レジストをパターン形成し
ているが、黒色レジストのような感光性着色レジストを
用い、フォトプロセスでパターン形成すると、現像液が
電解液となってＩＴＯとＡｌ間で電池反応が生じ、透明
のＩＴＯが還元して画素電極６が着色されたり、Ａｌの
腐食が生じるという問題があった。
【０００６】また、ネガ型の感光基を有する黒色レジス
トでは、ブラックマトリクス９のパターン加工におい
て、厚膜の黒色レジストに光が進入し難く、膜中に均一
な光架橋が得られないことから、現像後のブラックマト
リクス９のパターン形状が所望の形状でなくなるという
問題があった。この発明の第１の目的は、ブラックマト
リクス等の遮光層の形成時における画素電極と非線形素
子に信号を供給する導電体層との電池反応を防止できる
液晶表示装置およびその製造方法を提供することであ
る。
トでは、ブラックマトリクス９のパターン加工におい
て、厚膜の黒色レジストに光が進入し難く、膜中に均一
な光架橋が得られないことから、現像後のブラックマト
リクス９のパターン形状が所望の形状でなくなるという
問題があった。この発明の第１の目的は、ブラックマト
リクス等の遮光層の形成時における画素電極と非線形素
子に信号を供給する導電体層との電池反応を防止できる
液晶表示装置およびその製造方法を提供することであ
る。
【０００７】この発明の第２の目的は、ブラックマトリ
クス等の遮光層の形成時における画素電極と非線形素子
に信号を供給する導電体層との電池反応を防止できると
ともに、ブラックマトリクス等の遮光層を所望の形状に
形成できる液晶表示装置の製造方法を提供することであ
る。
クス等の遮光層の形成時における画素電極と非線形素子
に信号を供給する導電体層との電池反応を防止できると
ともに、ブラックマトリクス等の遮光層を所望の形状に
形成できる液晶表示装置の製造方法を提供することであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の液晶表示
装置は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板
が、絶縁性基板上に画素電極，非線形素子およびこの非
線形素子に信号を供給する導電体層を形成し、画素電極
および導電体層の実装部分を除く領域を覆うように絶縁
保護膜を形成し、絶縁保護膜上の全面に遮光層を形成し
たことを特徴とする。したがって、絶縁保護膜と遮光層
とは略同一形状であり、遮光層形成後に、遮光層をマス
クとして基板全面に形成した絶縁保護膜をエッチングし
て画素電極および導電体層の実装部分を露出させること
ができ、遮光層のパターン形成時には絶縁保護膜が画素
電極および導電体層を覆っているため、画素電極と導電
体層との電池反応を防止できる。
装置は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板
が、絶縁性基板上に画素電極，非線形素子およびこの非
線形素子に信号を供給する導電体層を形成し、画素電極
および導電体層の実装部分を除く領域を覆うように絶縁
保護膜を形成し、絶縁保護膜上の全面に遮光層を形成し
たことを特徴とする。したがって、絶縁保護膜と遮光層
とは略同一形状であり、遮光層形成後に、遮光層をマス
クとして基板全面に形成した絶縁保護膜をエッチングし
て画素電極および導電体層の実装部分を露出させること
ができ、遮光層のパターン形成時には絶縁保護膜が画素
電極および導電体層を覆っているため、画素電極と導電
体層との電池反応を防止できる。
【０００９】請求項２記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法が、絶縁性基板上に画素電極，非線形素子および
この非線形素子に信号を供給する導電体層を形成した
後、画素電極，非線形素子および導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、画素電極および導電体層
の実装部分を除く領域の絶縁保護膜上に遮光層を形成す
る工程と、遮光層をマスクとして絶縁保護膜をエッチン
グして画素電極および導電体層の実装部分を露出させる
工程とを含むことを特徴とする。このように、画素電
極，非線形素子および導電体層を覆う絶縁保護膜上に遮
光層を形成した後、遮光層をマスクとして絶縁保護膜を
エッチングして画素電極および導電体層の実装部分を露
出させることにより、遮光層のパターン形成時には絶縁
保護膜が画素電極および導電体層を覆っているため、画
素電極と導電体層との電池反応を防止できる。
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法が、絶縁性基板上に画素電極，非線形素子および
この非線形素子に信号を供給する導電体層を形成した
後、画素電極，非線形素子および導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、画素電極および導電体層
の実装部分を除く領域の絶縁保護膜上に遮光層を形成す
る工程と、遮光層をマスクとして絶縁保護膜をエッチン
グして画素電極および導電体層の実装部分を露出させる
工程とを含むことを特徴とする。このように、画素電
極，非線形素子および導電体層を覆う絶縁保護膜上に遮
光層を形成した後、遮光層をマスクとして絶縁保護膜を
エッチングして画素電極および導電体層の実装部分を露
出させることにより、遮光層のパターン形成時には絶縁
保護膜が画素電極および導電体層を覆っているため、画
素電極と導電体層との電池反応を防止できる。
【００１０】請求項３記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法が、絶縁性基板上に画素電極，非線形素子および
この非線形素子に信号を供給する導電体層を形成した
後、画素電極，非線形素子および導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、画素電極および導電体層
の実装部分を除く領域の絶縁保護膜上に透明のレジスト
を形成する工程と、透明のレジストを着色して遮光層と
する工程と、遮光層をマスクとして絶縁保護膜をエッチ
ングして画素電極および導電体層の実装部分を露出させ
る工程とを含むことを特徴とする。このように、画素電
極，非線形素子および導電体層を覆う絶縁保護膜上に透
明のレジストを着色して遮光層を形成した後、遮光層を
マスクとして絶縁保護膜をエッチングして画素電極およ
び導電体層の実装部分を露出させることにより、遮光層
となる透明のレジストのパターン形成時には絶縁保護膜
が画素電極および導電体層を覆っているため、画素電極
と導電体層との電池反応を防止できる。また、遮光層
は、パターン形成時には、透明のレジストであるため、
厚膜のレジストでも光が進入し易く、所望のパターン形
状を得ることができる。
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法が、絶縁性基板上に画素電極，非線形素子および
この非線形素子に信号を供給する導電体層を形成した
後、画素電極，非線形素子および導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、画素電極および導電体層
の実装部分を除く領域の絶縁保護膜上に透明のレジスト
を形成する工程と、透明のレジストを着色して遮光層と
する工程と、遮光層をマスクとして絶縁保護膜をエッチ
ングして画素電極および導電体層の実装部分を露出させ
る工程とを含むことを特徴とする。このように、画素電
極，非線形素子および導電体層を覆う絶縁保護膜上に透
明のレジストを着色して遮光層を形成した後、遮光層を
マスクとして絶縁保護膜をエッチングして画素電極およ
び導電体層の実装部分を露出させることにより、遮光層
となる透明のレジストのパターン形成時には絶縁保護膜
が画素電極および導電体層を覆っているため、画素電極
と導電体層との電池反応を防止できる。また、遮光層
は、パターン形成時には、透明のレジストであるため、
厚膜のレジストでも光が進入し易く、所望のパターン形
状を得ることができる。
【００１１】請求項４記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法が、絶縁性基板上に画素電極，非線形素子および
この非線形素子に信号を供給する導電体層を形成した
後、画素電極，非線形素子および導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、画素電極および導電体層
の実装部分を除く領域の絶縁保護膜上に透明のレジスト
を形成する工程と、透明のレジストをマスクとして絶縁
保護膜をエッチングして画素電極および導電体層の実装
部分を露出させる工程と、透明のレジストを着色して遮
光層とする工程とを含むことを特徴とする。このよう
に、画素電極，非線形素子および導電体層を覆う絶縁保
護膜上に着色して遮光層となる透明のレジストを形成し
た後、透明のレジストをマスクとして絶縁保護膜をエッ
チングして画素電極および導電体層の実装部分を露出さ
せることにより、遮光層となる透明のレジストのパター
ン形成時には絶縁保護膜が画素電極および導電体層を覆
っているため、画素電極と導電体層との電池反応を防止
できる。また、遮光層は、パターン形成時には、透明の
レジストであるため、厚膜のレジストでも光が進入し易
く、所望のパターン形状を得ることができる。
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法が、絶縁性基板上に画素電極，非線形素子および
この非線形素子に信号を供給する導電体層を形成した
後、画素電極，非線形素子および導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、画素電極および導電体層
の実装部分を除く領域の絶縁保護膜上に透明のレジスト
を形成する工程と、透明のレジストをマスクとして絶縁
保護膜をエッチングして画素電極および導電体層の実装
部分を露出させる工程と、透明のレジストを着色して遮
光層とする工程とを含むことを特徴とする。このよう
に、画素電極，非線形素子および導電体層を覆う絶縁保
護膜上に着色して遮光層となる透明のレジストを形成し
た後、透明のレジストをマスクとして絶縁保護膜をエッ
チングして画素電極および導電体層の実装部分を露出さ
せることにより、遮光層となる透明のレジストのパター
ン形成時には絶縁保護膜が画素電極および導電体層を覆
っているため、画素電極と導電体層との電池反応を防止
できる。また、遮光層は、パターン形成時には、透明の
レジストであるため、厚膜のレジストでも光が進入し易
く、所望のパターン形状を得ることができる。
【００１２】請求項５記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法が、絶縁性基板上に画素電極，非線形素子および
この非線形素子に信号を供給する導電体層を形成した
後、画素電極，非線形素子および導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、画素電極および導電体層
の実装部分を除く領域の絶縁保護膜上に透明導電膜を形
成する工程と、透明導電膜に電着塗料を凝固析出させて
遮光層とする工程と、遮光層をマスクとして絶縁保護膜
をエッチングして画素電極および導電体層の実装部分を
露出させる工程とを含むことを特徴とする。このよう
に、画素電極，非線形素子および導電体層を覆う絶縁保
護膜上に透明導電膜を電着法により遮光層とした後、遮
光層をマスクとして絶縁保護膜をエッチングして画素電
極および導電体層の実装部分を露出させることにより、
遮光層となる透明導電膜のパターン形成時には絶縁保護
膜が画素電極および導電体層を覆っているため、画素電
極と導電体層との電池反応を防止できる。また、透明導
電膜を用いているため、薄膜の遮光層が得られる。
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法が、絶縁性基板上に画素電極，非線形素子および
この非線形素子に信号を供給する導電体層を形成した
後、画素電極，非線形素子および導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、画素電極および導電体層
の実装部分を除く領域の絶縁保護膜上に透明導電膜を形
成する工程と、透明導電膜に電着塗料を凝固析出させて
遮光層とする工程と、遮光層をマスクとして絶縁保護膜
をエッチングして画素電極および導電体層の実装部分を
露出させる工程とを含むことを特徴とする。このよう
に、画素電極，非線形素子および導電体層を覆う絶縁保
護膜上に透明導電膜を電着法により遮光層とした後、遮
光層をマスクとして絶縁保護膜をエッチングして画素電
極および導電体層の実装部分を露出させることにより、
遮光層となる透明導電膜のパターン形成時には絶縁保護
膜が画素電極および導電体層を覆っているため、画素電
極と導電体層との電池反応を防止できる。また、透明導
電膜を用いているため、薄膜の遮光層が得られる。
【００１３】請求項６記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法が、絶縁性基板上に画素電極，非線形素子および
この非線形素子に信号を供給する導電体層を形成した
後、画素電極，非線形素子および導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、画素電極および導電体層
の実装部分を除く領域の絶縁保護膜上に透明導電膜を形
成する工程と、透明導電膜をマスクとして絶縁保護膜を
エッチングして画素電極および導電体層の実装部分を露
出させる工程と、透明導電膜に電着塗料を凝固析出させ
て遮光層とする工程とを含むことを特徴とする。このよ
うに、画素電極，非線形素子および導電体層を覆う絶縁
保護膜上に透明導電膜をパターン形成し、この透明導電
膜をマスクとして絶縁保護膜をエッチングして画素電極
および導電体層の実装部分を露出させた後、透明導電膜
を電着法により遮光層とすることにより、遮光層となる
透明導電膜のパターン形成時には絶縁保護膜が画素電極
および導電体層を覆っているため、画素電極と導電体層
との電池反応を防止できる。また、透明導電膜を用いて
いるため、薄膜の遮光層が得られる。
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法が、絶縁性基板上に画素電極，非線形素子および
この非線形素子に信号を供給する導電体層を形成した
後、画素電極，非線形素子および導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、画素電極および導電体層
の実装部分を除く領域の絶縁保護膜上に透明導電膜を形
成する工程と、透明導電膜をマスクとして絶縁保護膜を
エッチングして画素電極および導電体層の実装部分を露
出させる工程と、透明導電膜に電着塗料を凝固析出させ
て遮光層とする工程とを含むことを特徴とする。このよ
うに、画素電極，非線形素子および導電体層を覆う絶縁
保護膜上に透明導電膜をパターン形成し、この透明導電
膜をマスクとして絶縁保護膜をエッチングして画素電極
および導電体層の実装部分を露出させた後、透明導電膜
を電着法により遮光層とすることにより、遮光層となる
透明導電膜のパターン形成時には絶縁保護膜が画素電極
および導電体層を覆っているため、画素電極と導電体層
との電池反応を防止できる。また、透明導電膜を用いて
いるため、薄膜の遮光層が得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。 〔第１の実施の形態〕まず、この発明の第１の実施の形
態について、図１を参照しながら説明する。図１はこの
発明の第１の実施の形態の液晶表示装置におけるＴＦＴ
基板の製造方法を示す工程順断面図である。
いて図面を参照しながら説明する。 〔第１の実施の形態〕まず、この発明の第１の実施の形
態について、図１を参照しながら説明する。図１はこの
発明の第１の実施の形態の液晶表示装置におけるＴＦＴ
基板の製造方法を示す工程順断面図である。
【００１５】従来例同様に、絶縁性透明基板１上に、ゲ
ート電極２，ゲート絶縁膜３，シリコン半導体層４，チ
ャネル保護膜５，ｎ+ シリコン膜（図示せず），画素電
極６，ソース・ドレイン電極７を順次形成して、画素電
極６および非線形素子のＴＦＴを完成した後、絶縁保護
膜８として例えばＳｉＮX 膜を基板全面に製膜する（図
１（ａ））。
ート電極２，ゲート絶縁膜３，シリコン半導体層４，チ
ャネル保護膜５，ｎ+ シリコン膜（図示せず），画素電
極６，ソース・ドレイン電極７を順次形成して、画素電
極６および非線形素子のＴＦＴを完成した後、絶縁保護
膜８として例えばＳｉＮX 膜を基板全面に製膜する（図
１（ａ））。
【００１６】次に、ネガ型の感光性を有する黒色レジス
トを用いてパターン形成を施しブラックマトリクス（遮
光層）９を形成する（図１（ｂ））。次に、ブラックマ
トリクス９をマスクとして、画素電極６上やソース電極
７およびゲート電極２の延長端部の実装電極部上の絶縁
保護膜８をＳＦ系ガスでドライエッチングにて除去し、
各電極を露出させる（図１（ｃ））。このようにして絶
縁保護膜８上の全面にブラックマトリクス９が形成さ
れ、絶縁保護膜８とブラックマトリクス９とがほぼ同一
形状となったＴＦＴ基板が完成する。
トを用いてパターン形成を施しブラックマトリクス（遮
光層）９を形成する（図１（ｂ））。次に、ブラックマ
トリクス９をマスクとして、画素電極６上やソース電極
７およびゲート電極２の延長端部の実装電極部上の絶縁
保護膜８をＳＦ系ガスでドライエッチングにて除去し、
各電極を露出させる（図１（ｃ））。このようにして絶
縁保護膜８上の全面にブラックマトリクス９が形成さ
れ、絶縁保護膜８とブラックマトリクス９とがほぼ同一
形状となったＴＦＴ基板が完成する。
【００１７】この第１の実施の形態によれば、ブラック
マトリクス９のパターン形成時には、その下の絶縁保護
膜８が基板全面を覆っているため、ブラックマトリクス
９の現像液が画素電極６やソース電極７およびゲート電
極２と接触せず、画素電極６のＩＴＯとソース電極７お
よびゲート電極２のＡｌ等との電池反応は起きない。し
たがって、透明なＩＴＯの還元による画素電極６の黒化
や、ソース電極７およびゲート電極２のＡｌの腐食を防
止できる。また、ブラックマトリクス９を絶縁保護膜８
のエッチングマスクとすることにより、工程の削減が可
能になる。
マトリクス９のパターン形成時には、その下の絶縁保護
膜８が基板全面を覆っているため、ブラックマトリクス
９の現像液が画素電極６やソース電極７およびゲート電
極２と接触せず、画素電極６のＩＴＯとソース電極７お
よびゲート電極２のＡｌ等との電池反応は起きない。し
たがって、透明なＩＴＯの還元による画素電極６の黒化
や、ソース電極７およびゲート電極２のＡｌの腐食を防
止できる。また、ブラックマトリクス９を絶縁保護膜８
のエッチングマスクとすることにより、工程の削減が可
能になる。
【００１８】なお、この第１の実施の形態では、ブラッ
クマトリクス９に有機レジスト膜を用いているが、遮光
性の高い無機膜を用いてもよい。この場合においても、
ブラックマトリクス９の形成時に絶縁保護膜８が基板全
面を覆っているため、画素電極６のＩＴＯや、ゲート電
極２およびソース電極７の配線材のＡｌが、無機膜のエ
ッチング液中で曝されることを防ぐことができる。
クマトリクス９に有機レジスト膜を用いているが、遮光
性の高い無機膜を用いてもよい。この場合においても、
ブラックマトリクス９の形成時に絶縁保護膜８が基板全
面を覆っているため、画素電極６のＩＴＯや、ゲート電
極２およびソース電極７の配線材のＡｌが、無機膜のエ
ッチング液中で曝されることを防ぐことができる。
【００１９】〔第２の実施の形態〕つぎに、この発明の
第２の実施の形態について、図２を参照しながら説明す
る。図２はこの発明の第２の実施の形態の液晶表示装置
におけるＴＦＴ基板の製造方法を示す工程順断面図であ
る。第１の実施の形態と同様に、画素電極６およびＴＦ
Ｔを完成した後、基板全面に絶縁保護膜８を製膜する。
その後、ブラックマトリクス（遮光層）９Ａの材料とし
て例えばカゼインやゼラチンなどのネガ型の感光性を有
する無色透明のレジスト９ａを用いてパターン形成を施
す（図２（ａ））。
第２の実施の形態について、図２を参照しながら説明す
る。図２はこの発明の第２の実施の形態の液晶表示装置
におけるＴＦＴ基板の製造方法を示す工程順断面図であ
る。第１の実施の形態と同様に、画素電極６およびＴＦ
Ｔを完成した後、基板全面に絶縁保護膜８を製膜する。
その後、ブラックマトリクス（遮光層）９Ａの材料とし
て例えばカゼインやゼラチンなどのネガ型の感光性を有
する無色透明のレジスト９ａを用いてパターン形成を施
す（図２（ａ））。
【００２０】次に、無色透明のレジスト９ａを染色法に
より黒色に着色してブラックマトリクス９Ａを形成する
（図２（ｂ））。この際、黒色になれば単色染めでも多
色重ね染めでも良い。次に、ブラックマトリクス９Ａを
マスクとして、画素電極６上やソース電極７およびゲー
ト電極２の延長端部の実装電極部上の絶縁保護膜８を、
第１の実施の形態同様にエッチング除去し、各電極を露
出させることで、絶縁保護膜８とブラックマトリクス９
Ａとがほぼ同一形状となったＴＦＴ基板が完成する（図
２（ｃ））。
より黒色に着色してブラックマトリクス９Ａを形成する
（図２（ｂ））。この際、黒色になれば単色染めでも多
色重ね染めでも良い。次に、ブラックマトリクス９Ａを
マスクとして、画素電極６上やソース電極７およびゲー
ト電極２の延長端部の実装電極部上の絶縁保護膜８を、
第１の実施の形態同様にエッチング除去し、各電極を露
出させることで、絶縁保護膜８とブラックマトリクス９
Ａとがほぼ同一形状となったＴＦＴ基板が完成する（図
２（ｃ））。
【００２１】この第２の実施の形態においても、着色し
てブラックマトリクス９Ａとなる無色透明のレジスト９
ａのパターン形成時には、その下の絶縁保護膜８が基板
全面を覆っているため、第１の実施の形態と同様の効果
が得られ、また、ブラックマトリクス９Ａを絶縁保護膜
８のエッチングマスクとすることによる工程の削減も同
様である。
てブラックマトリクス９Ａとなる無色透明のレジスト９
ａのパターン形成時には、その下の絶縁保護膜８が基板
全面を覆っているため、第１の実施の形態と同様の効果
が得られ、また、ブラックマトリクス９Ａを絶縁保護膜
８のエッチングマスクとすることによる工程の削減も同
様である。
【００２２】さらに、無色透明のレジスト９ａを用いて
いるため、厚膜のレジスト９ａでも光が進入し易く、所
望のパターン形状のブラックマトリクス９Ａを得ること
ができる。 〔第３の実施の形態〕つぎに、この発明の第３の実施の
形態について、図３を参照しながら説明する。図３はこ
の発明の第３の実施の形態の液晶表示装置におけるＴＦ
Ｔ基板の製造方法を示す工程順断面図である。
いるため、厚膜のレジスト９ａでも光が進入し易く、所
望のパターン形状のブラックマトリクス９Ａを得ること
ができる。 〔第３の実施の形態〕つぎに、この発明の第３の実施の
形態について、図３を参照しながら説明する。図３はこ
の発明の第３の実施の形態の液晶表示装置におけるＴＦ
Ｔ基板の製造方法を示す工程順断面図である。
【００２３】第２の実施の形態と同様に、画素電極６お
よびＴＦＴを完成した後、基板全面に絶縁保護膜８を製
膜し、その後、ブラックマトリクス９Ａの材料として例
えばカゼインやゼラチンなどのネガ型の感光性を有する
無色透明のレジスト９ａを用いてパターン形成を施す
（図３（ａ））。次に、無色透明のレジスト９ａをマス
クとして、画素電極６上やソース電極７およびゲート電
極２の延長端部の実装電極部上の絶縁保護膜８をエッチ
ング除去して各電極を露出させる（図３（ｂ））。この
とき、絶縁保護膜８と無色透明のレジスト９ａとがほぼ
同一形状となる。
よびＴＦＴを完成した後、基板全面に絶縁保護膜８を製
膜し、その後、ブラックマトリクス９Ａの材料として例
えばカゼインやゼラチンなどのネガ型の感光性を有する
無色透明のレジスト９ａを用いてパターン形成を施す
（図３（ａ））。次に、無色透明のレジスト９ａをマス
クとして、画素電極６上やソース電極７およびゲート電
極２の延長端部の実装電極部上の絶縁保護膜８をエッチ
ング除去して各電極を露出させる（図３（ｂ））。この
とき、絶縁保護膜８と無色透明のレジスト９ａとがほぼ
同一形状となる。
【００２４】その後、無色透明のレジスト９ａを、第２
の実施の形態同様、染色法により黒色に着色することで
ブラックマトリクス９Ａを形成して、ＴＦＴ基板が完成
する（図３（ｃ））。この第３の実施の形態によれば、
第２の実施の形態と同様の効果が得られる。 〔第４の実施の形態〕つぎに、この発明の第４の実施の
形態について、図４を参照しながら説明する。図４はこ
の発明の第４の実施の形態の液晶表示装置におけるＴＦ
Ｔ基板の製造方法を示す工程順断面図である。
の実施の形態同様、染色法により黒色に着色することで
ブラックマトリクス９Ａを形成して、ＴＦＴ基板が完成
する（図３（ｃ））。この第３の実施の形態によれば、
第２の実施の形態と同様の効果が得られる。 〔第４の実施の形態〕つぎに、この発明の第４の実施の
形態について、図４を参照しながら説明する。図４はこ
の発明の第４の実施の形態の液晶表示装置におけるＴＦ
Ｔ基板の製造方法を示す工程順断面図である。
【００２５】第１の実施の形態と同様に、画素電極６お
よびＴＦＴを完成した後、基板全面に絶縁保護膜８を製
膜する。その後、ブラックマトリクス（遮光層）９Ｂの
材料として、まずＩＴＯからなる透明導電膜９ｂをマト
リクス状にパターン形成する（図４（ａ））。次に、透
明導電膜９ｂに所定の分光特性を有する電着塗料を凝固
析出させて着色したブラックマトリクス９Ｂを形成する
（図４（ｂ））。具体的には、黒色顔料と高分子樹脂を
有する電着塗料を入れた電着槽にＴＦＴアレイを浸漬
し、透明導電膜９ｂに陽極を印加することで、透明導電
膜９ｂ上に黒色樹脂粒子を析出させて反射防止膜を設け
る。その後、析出した反射防止膜を乾燥により熱架橋さ
せ、焼成・非導電化させてブラックマトリクス９Ｂとす
るものである。
よびＴＦＴを完成した後、基板全面に絶縁保護膜８を製
膜する。その後、ブラックマトリクス（遮光層）９Ｂの
材料として、まずＩＴＯからなる透明導電膜９ｂをマト
リクス状にパターン形成する（図４（ａ））。次に、透
明導電膜９ｂに所定の分光特性を有する電着塗料を凝固
析出させて着色したブラックマトリクス９Ｂを形成する
（図４（ｂ））。具体的には、黒色顔料と高分子樹脂を
有する電着塗料を入れた電着槽にＴＦＴアレイを浸漬
し、透明導電膜９ｂに陽極を印加することで、透明導電
膜９ｂ上に黒色樹脂粒子を析出させて反射防止膜を設け
る。その後、析出した反射防止膜を乾燥により熱架橋さ
せ、焼成・非導電化させてブラックマトリクス９Ｂとす
るものである。
【００２６】次に、ブラックマトリクス９Ｂをマスクと
して、画素電極６上やソース電極７およびゲート電極２
の延長端部の実装電極部上の絶縁保護膜８を、第１の実
施の形態同様にエッチング除去し、各電極を露出させる
ことで、絶縁保護膜８とブラックマトリクス９Ｂとがほ
ぼ同一形状となったＴＦＴ基板が完成する（図４
（ｃ））。
して、画素電極６上やソース電極７およびゲート電極２
の延長端部の実装電極部上の絶縁保護膜８を、第１の実
施の形態同様にエッチング除去し、各電極を露出させる
ことで、絶縁保護膜８とブラックマトリクス９Ｂとがほ
ぼ同一形状となったＴＦＴ基板が完成する（図４
（ｃ））。
【００２７】この第４の実施の形態によれば、ブラック
マトリクス９Ｂとなる透明導電膜９ｂのパターン形成時
には、その下の絶縁保護膜８が基板全面を覆っているた
め、第１の実施の形態と同様の効果が得られ、また、ブ
ラックマトリクス９Ｂを絶縁保護膜８のエッチングマス
クとすることによる工程の削減も同様である。また、透
明導電膜９ｂを用いているため、薄膜のブラックマトリ
クス９Ｂを得ることができる。なお、透明導電膜９ｂは
ＩＴＯに限らず有機導電膜でもよい。
マトリクス９Ｂとなる透明導電膜９ｂのパターン形成時
には、その下の絶縁保護膜８が基板全面を覆っているた
め、第１の実施の形態と同様の効果が得られ、また、ブ
ラックマトリクス９Ｂを絶縁保護膜８のエッチングマス
クとすることによる工程の削減も同様である。また、透
明導電膜９ｂを用いているため、薄膜のブラックマトリ
クス９Ｂを得ることができる。なお、透明導電膜９ｂは
ＩＴＯに限らず有機導電膜でもよい。
【００２８】なお、第４の実施の形態では、透明導電膜
９ｂを着色した後、絶縁保護膜８をエッチングして各電
極を露出させたが、着色していない透明導電膜９ｂをマ
スクとして絶縁保護膜８をエッチングし各電極を露出さ
せた後、透明導電膜９ｂを着色しても同様の効果が得ら
れる。この場合、ソースとゲートがショートしない工夫
をしておけばよい。
９ｂを着色した後、絶縁保護膜８をエッチングして各電
極を露出させたが、着色していない透明導電膜９ｂをマ
スクとして絶縁保護膜８をエッチングし各電極を露出さ
せた後、透明導電膜９ｂを着色しても同様の効果が得ら
れる。この場合、ソースとゲートがショートしない工夫
をしておけばよい。
【００２９】なお、上記の実施の形態では、遮光層パタ
ーンとしてブラックマトリクス９，９Ａ，９Ｂを明示し
たが、その限りでなく、ブラックストライプでもよい。
また、上記の実施の形態では、画素電極６にＩＴＯを、
ソース電極７およびゲート電極２の配線金属材にＡｌも
しくはＡｌ化合物を用いた電池反応について述べている
が、画素電極材や配線金属材との間での電池反応はＩＴ
ＯやＡｌに限らない。したがって、他の金属間でも生じ
得ることは言うまでもなく、この発明の電池反応抑制効
果は有効である。
ーンとしてブラックマトリクス９，９Ａ，９Ｂを明示し
たが、その限りでなく、ブラックストライプでもよい。
また、上記の実施の形態では、画素電極６にＩＴＯを、
ソース電極７およびゲート電極２の配線金属材にＡｌも
しくはＡｌ化合物を用いた電池反応について述べている
が、画素電極材や配線金属材との間での電池反応はＩＴ
ＯやＡｌに限らない。したがって、他の金属間でも生じ
得ることは言うまでもなく、この発明の電池反応抑制効
果は有効である。
【００３０】さらに、上記の実施の形態において、非線
形素子としてＴＦＴを用いた場合について詳細な説明を
したが、この発明はＭＩＭやダイオード等の非線形素子
を用いた液晶表示装置にも有効である。
形素子としてＴＦＴを用いた場合について詳細な説明を
したが、この発明はＭＩＭやダイオード等の非線形素子
を用いた液晶表示装置にも有効である。
【００３１】
【発明の効果】請求項１記載の液晶表示装置は、液晶層
を挟持した２つの基板のうち一方の基板の絶縁保護膜上
の全面に遮光層を形成したことにより、絶縁保護膜と遮
光層とは略同一形状であり、遮光層形成後に、遮光層を
マスクとして基板全面に形成した絶縁保護膜をエッチン
グして画素電極および導電体層の実装部分を露出させる
ことができ、遮光層のパターン形成時には絶縁保護膜が
画素電極および導電体層を覆っているため、画素電極と
導電体層との電池反応を防止できる。
を挟持した２つの基板のうち一方の基板の絶縁保護膜上
の全面に遮光層を形成したことにより、絶縁保護膜と遮
光層とは略同一形状であり、遮光層形成後に、遮光層を
マスクとして基板全面に形成した絶縁保護膜をエッチン
グして画素電極および導電体層の実装部分を露出させる
ことができ、遮光層のパターン形成時には絶縁保護膜が
画素電極および導電体層を覆っているため、画素電極と
導電体層との電池反応を防止できる。
【００３２】請求項２記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法を、画素電極，非線形素子および導電体層を覆う
絶縁保護膜上に遮光層を形成した後、遮光層をマスクと
して絶縁保護膜をエッチングして画素電極および導電体
層の実装部分を露出させることにより、遮光層のパター
ン形成時には絶縁保護膜が画素電極および導電体層を覆
っているため、画素電極と導電体層との電池反応を防止
できる。
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法を、画素電極，非線形素子および導電体層を覆う
絶縁保護膜上に遮光層を形成した後、遮光層をマスクと
して絶縁保護膜をエッチングして画素電極および導電体
層の実装部分を露出させることにより、遮光層のパター
ン形成時には絶縁保護膜が画素電極および導電体層を覆
っているため、画素電極と導電体層との電池反応を防止
できる。
【００３３】請求項３記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法を、画素電極，非線形素子および導電体層を覆う
絶縁保護膜上に透明のレジストを着色して遮光層を形成
した後、遮光層をマスクとして絶縁保護膜をエッチング
して画素電極および導電体層の実装部分を露出させるこ
とにより、遮光層となる透明のレジストのパターン形成
時には絶縁保護膜が画素電極および導電体層を覆ってい
るため、画素電極と導電体層との電池反応を防止でき
る。また、遮光層は、パターン形成時には、透明のレジ
ストであるため、厚膜のレジストでも光が進入し易く、
所望のパターン形状を得ることができる。
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法を、画素電極，非線形素子および導電体層を覆う
絶縁保護膜上に透明のレジストを着色して遮光層を形成
した後、遮光層をマスクとして絶縁保護膜をエッチング
して画素電極および導電体層の実装部分を露出させるこ
とにより、遮光層となる透明のレジストのパターン形成
時には絶縁保護膜が画素電極および導電体層を覆ってい
るため、画素電極と導電体層との電池反応を防止でき
る。また、遮光層は、パターン形成時には、透明のレジ
ストであるため、厚膜のレジストでも光が進入し易く、
所望のパターン形状を得ることができる。
【００３４】請求項４記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法を、画素電極，非線形素子および導電体層を覆う
絶縁保護膜上に着色して遮光層となる透明のレジストを
形成した後、透明のレジストをマスクとして絶縁保護膜
をエッチングして画素電極および導電体層の実装部分を
露出させることにより、遮光層となる透明のレジストの
パターン形成時には絶縁保護膜が画素電極および導電体
層を覆っているため、画素電極と導電体層との電池反応
を防止できる。また、遮光層は、パターン形成時には、
透明のレジストであるため、厚膜のレジストでも光が進
入し易く、所望のパターン形状を得ることができる。
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法を、画素電極，非線形素子および導電体層を覆う
絶縁保護膜上に着色して遮光層となる透明のレジストを
形成した後、透明のレジストをマスクとして絶縁保護膜
をエッチングして画素電極および導電体層の実装部分を
露出させることにより、遮光層となる透明のレジストの
パターン形成時には絶縁保護膜が画素電極および導電体
層を覆っているため、画素電極と導電体層との電池反応
を防止できる。また、遮光層は、パターン形成時には、
透明のレジストであるため、厚膜のレジストでも光が進
入し易く、所望のパターン形状を得ることができる。
【００３５】請求項５記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法を、画素電極，非線形素子および導電体層を覆う
絶縁保護膜上に透明導電膜を電着法により遮光層とした
後、遮光層をマスクとして絶縁保護膜をエッチングして
画素電極および導電体層の実装部分を露出させることに
より、遮光層となる透明導電膜のパターン形成時には絶
縁保護膜が画素電極および導電体層を覆っているため、
画素電極と導電体層との電池反応を防止できる。また、
透明導電膜を用いているため、薄膜の遮光層を得ること
ができる。
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法を、画素電極，非線形素子および導電体層を覆う
絶縁保護膜上に透明導電膜を電着法により遮光層とした
後、遮光層をマスクとして絶縁保護膜をエッチングして
画素電極および導電体層の実装部分を露出させることに
より、遮光層となる透明導電膜のパターン形成時には絶
縁保護膜が画素電極および導電体層を覆っているため、
画素電極と導電体層との電池反応を防止できる。また、
透明導電膜を用いているため、薄膜の遮光層を得ること
ができる。
【００３６】請求項６記載の液晶表示装置の製造方法
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法を、画素電極，非線形素子および導電体層を覆う
絶縁保護膜上に透明導電膜をパターン形成し、この透明
導電膜をマスクとして絶縁保護膜をエッチングして画素
電極および導電体層の実装部分を露出させた後、電着法
により遮光層とすることにより、遮光層となる透明導電
膜のパターン形成時には絶縁保護膜が画素電極および導
電体層を覆っているため、画素電極と導電体層との電池
反応を防止できる。また、透明導電膜を用いているた
め、薄膜の遮光層を得ることができる。
は、液晶層を挟持した２つの基板のうち一方の基板の形
成方法を、画素電極，非線形素子および導電体層を覆う
絶縁保護膜上に透明導電膜をパターン形成し、この透明
導電膜をマスクとして絶縁保護膜をエッチングして画素
電極および導電体層の実装部分を露出させた後、電着法
により遮光層とすることにより、遮光層となる透明導電
膜のパターン形成時には絶縁保護膜が画素電極および導
電体層を覆っているため、画素電極と導電体層との電池
反応を防止できる。また、透明導電膜を用いているた
め、薄膜の遮光層を得ることができる。
【００３７】また、遮光層あるいは遮光層となる透明の
レジスト，透明導電膜を、絶縁保護膜のエッチングマス
クとすることにより、工程削減が可能となる。そして、
絶縁保護膜が基板全面を被った状態でブラックマトリク
ス形成を行うことから、ブラックマトリクス形成工程に
おける汚染環境からＴＦＴアレイを保護する。したがっ
て、黒色レジストの加工時における電池反応によるＡｌ
腐食／ＩＴＯ還元による黒化を防止できる。また、無色
透明のレジストであらかじめブラックマトリクスパター
ンを形成し、後で着色することにより、ブラックマトリ
クスパターンの形状制御性を向上できる。
レジスト，透明導電膜を、絶縁保護膜のエッチングマス
クとすることにより、工程削減が可能となる。そして、
絶縁保護膜が基板全面を被った状態でブラックマトリク
ス形成を行うことから、ブラックマトリクス形成工程に
おける汚染環境からＴＦＴアレイを保護する。したがっ
て、黒色レジストの加工時における電池反応によるＡｌ
腐食／ＩＴＯ還元による黒化を防止できる。また、無色
透明のレジストであらかじめブラックマトリクスパター
ンを形成し、後で着色することにより、ブラックマトリ
クスパターンの形状制御性を向上できる。
【００３８】さらに、電着ブラックマトリクスをＴＦＴ
アレイ上に直接形成することで薄膜ブラックマトリクス
を得ることができる。
アレイ上に直接形成することで薄膜ブラックマトリクス
を得ることができる。
【図１】この発明の第１の実施の形態の液晶表示装置に
おけるＴＦＴ基板の製造方法を示す工程順断面図。
おけるＴＦＴ基板の製造方法を示す工程順断面図。
【図２】この発明の第２の実施の形態の液晶表示装置に
おけるＴＦＴ基板の製造方法を示す工程順断面図。
おけるＴＦＴ基板の製造方法を示す工程順断面図。
【図３】この発明の第３の実施の形態の液晶表示装置に
おけるＴＦＴ基板の製造方法を示す工程順断面図。
おけるＴＦＴ基板の製造方法を示す工程順断面図。
【図４】この発明の第４の実施の形態の液晶表示装置に
おけるＴＦＴ基板の製造方法を示す工程順断面図。
おけるＴＦＴ基板の製造方法を示す工程順断面図。
【図５】従来の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の製造
方法を示す工程順断面図。
方法を示す工程順断面図。
１ 絶縁性透明基板 ２ ゲート電極 ６ 画素電極 ７ ソース・ドレイン電極 ８ 絶縁保護膜 ９，９Ａ，９Ｂ ブラックマトリクス ９ａ 無色透明のレジスト ９ｂ 透明導電膜
Claims (6)
- 【請求項１】 ２つの基板間に液晶層を挟持した液晶表
示装置であって、 前記２つの基板のうち一方の基板は、 絶縁性基板上に画素電極，非線形素子およびこの非線形
素子に信号を供給する導電体層を形成し、前記画素電極
および前記導電体層の実装部分を除く領域を覆うように
絶縁保護膜を形成し、前記絶縁保護膜上の全面に遮光層
を形成したことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 ２つの基板間に液晶層を挟持した液晶表
示装置の製造方法であって、 前記２つの基板のうち一方の基板の形成方法は、 絶縁性基板上に画素電極，非線形素子およびこの非線形
素子に信号を供給する導電体層を形成した後、前記画素
電極，前記非線形素子および前記導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、 前記画素電極および前記導電体層の実装部分を除く領域
の前記絶縁保護膜上に遮光層を形成する工程と、 前記遮光層をマスクとして前記絶縁保護膜をエッチング
して前記画素電極および前記導電体層の実装部分を露出
させる工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項３】 ２つの基板間に液晶層を挟持した液晶表
示装置の製造方法であって、 前記２つの基板のうち一方の基板の形成方法は、 絶縁性基板上に画素電極，非線形素子およびこの非線形
素子に信号を供給する導電体層を形成した後、前記画素
電極，前記非線形素子および前記導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、 前記画素電極および前記導電体層の実装部分を除く領域
の前記絶縁保護膜上に透明のレジストを形成する工程
と、 前記透明のレジストを着色して遮光層とする工程と、 前記遮光層をマスクとして前記絶縁保護膜をエッチング
して前記画素電極および前記導電体層の実装部分を露出
させる工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項４】 ２つの基板間に液晶層を挟持した液晶表
示装置の製造方法であって、 前記２つの基板のうち一方の基板の形成方法は、 絶縁性基板上に画素電極，非線形素子およびこの非線形
素子に信号を供給する導電体層を形成した後、前記画素
電極，前記非線形素子および前記導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、 前記画素電極および前記導電体層の実装部分を除く領域
の前記絶縁保護膜上に透明のレジストを形成する工程
と、 前記透明のレジストをマスクとして前記絶縁保護膜をエ
ッチングして前記画素電極および前記導電体層の実装部
分を露出させる工程と、 前記透明のレジストを着色して遮光層とする工程とを含
むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 ２つの基板間に液晶層を挟持した液晶表
示装置の製造方法であって、 前記２つの基板のうち一方の基板の形成方法は、 絶縁性基板上に画素電極，非線形素子およびこの非線形
素子に信号を供給する導電体層を形成した後、前記画素
電極，前記非線形素子および前記導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、 前記画素電極および前記導電体層の実装部分を除く領域
の前記絶縁保護膜上に透明導電膜を形成する工程と、 前記透明導電膜に電着塗料を凝固析出させて遮光層とす
る工程と、 前記遮光層をマスクとして前記絶縁保護膜をエッチング
して前記画素電極および前記導電体層の実装部分を露出
させる工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項６】 ２つの基板間に液晶層を挟持した液晶表
示装置の製造方法であって、 前記２つの基板のうち一方の基板の形成方法は、 絶縁性基板上に画素電極，非線形素子およびこの非線形
素子に信号を供給する導電体層を形成した後、前記画素
電極，前記非線形素子および前記導電体層を覆うように
絶縁保護膜を形成する工程と、 前記画素電極および前記導電体層の実装部分を除く領域
の前記絶縁保護膜上に透明導電膜を形成する工程と、 前記透明導電膜をマスクとして前記絶縁保護膜をエッチ
ングして前記画素電極および前記導電体層の実装部分を
露出させる工程と、 前記透明導電膜に電着塗料を凝固析出させて遮光層とす
る工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
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|---|---|---|---|
| JP24756695A JP3046931B2 (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24756695A JP3046931B2 (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0990415A true JPH0990415A (ja) | 1997-04-04 |
| JP3046931B2 JP3046931B2 (ja) | 2000-05-29 |
Family
ID=17165407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24756695A Expired - Fee Related JP3046931B2 (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3046931B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6387600B1 (en) | 1999-08-25 | 2002-05-14 | Micron Technology, Inc. | Protective layer during lithography and etch |
| KR100436011B1 (ko) * | 1996-11-26 | 2004-11-06 | 삼성전자주식회사 | 유기절연막을이용한액정표시장치및그제조방법 |
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| US7098480B2 (en) | 1999-04-26 | 2006-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and a method for manufacturing the same |
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| US9520415B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-12-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
-
1995
- 1995-09-26 JP JP24756695A patent/JP3046931B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7098480B2 (en) | 1999-04-26 | 2006-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and a method for manufacturing the same |
| US7528536B2 (en) | 1999-08-25 | 2009-05-05 | Micron Technology, Inc. | Protective layer for corrosion prevention during lithography and etch |
| US6387600B1 (en) | 1999-08-25 | 2002-05-14 | Micron Technology, Inc. | Protective layer during lithography and etch |
| US6759181B2 (en) | 1999-08-25 | 2004-07-06 | Micron Technology, Inc. | Protective layer for corrosion prevention during lithography and etch |
| US6548227B2 (en) | 1999-08-25 | 2003-04-15 | Micron Technology, Inc. | Protective layer for corrosion prevention during lithography and etch |
| KR100705629B1 (ko) * | 2004-12-11 | 2007-04-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법 |
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| US9520415B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-12-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3046931B2 (ja) | 2000-05-29 |
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