JPH0987083A - 単結晶引き上げ方法 - Google Patents
単結晶引き上げ方法Info
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- JPH0987083A JPH0987083A JP7253450A JP25345095A JPH0987083A JP H0987083 A JPH0987083 A JP H0987083A JP 7253450 A JP7253450 A JP 7253450A JP 25345095 A JP25345095 A JP 25345095A JP H0987083 A JPH0987083 A JP H0987083A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B15/20—Controlling or regulating
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- Y10T117/10—Apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 単結晶を引き上げる場合、変形率を許容範囲
内に抑えつつ、ＯＳＦの密度を減少させることが難し
く、品質、生産性の向上を図ることが困難であった。 【解決手段】 前回バッチの単結晶Ｓn-1 の各部位にお
ける真円からのずれ（変形率εn-1(Ｌi)）を求め、この
ずれが許容範囲内に納まると共に、ＯＳＦ密度が小さく
なるよう、できるだけ速い速度で引き上げられるように
前回バッチの引き上げ速度パターンｆpn-1( Ｌi)を更新
（ｆpn( Ｌi)）して単結晶Ｓn を引き上げる単結晶の引
き上げ方法。
内に抑えつつ、ＯＳＦの密度を減少させることが難し
く、品質、生産性の向上を図ることが困難であった。 【解決手段】 前回バッチの単結晶Ｓn-1 の各部位にお
ける真円からのずれ（変形率εn-1(Ｌi)）を求め、この
ずれが許容範囲内に納まると共に、ＯＳＦ密度が小さく
なるよう、できるだけ速い速度で引き上げられるように
前回バッチの引き上げ速度パターンｆpn-1( Ｌi)を更新
（ｆpn( Ｌi)）して単結晶Ｓn を引き上げる単結晶の引
き上げ方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は単結晶引き上げ方法
に関し、より詳細には、チョクラルスキー法（以下、Ｃ
Ｚ法と記す）等を用い、例えば半導体材料として使用さ
れる単結晶シリコンを、酸化誘起積層欠陥密度が低く、
かつ変形率が少なくなるように引き上げる単結晶引き上
げ方法に関する。
に関し、より詳細には、チョクラルスキー法（以下、Ｃ
Ｚ法と記す）等を用い、例えば半導体材料として使用さ
れる単結晶シリコンを、酸化誘起積層欠陥密度が低く、
かつ変形率が少なくなるように引き上げる単結晶引き上
げ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体材料として使用される単結晶シリ
コンを引き上げる方法には種々の方法があるが、その一
つにＣＺ法がある。ＣＺ法は引き上げ軸の先端に取り付
けられた種結晶を坩堝内に充填したシリコン結晶用原料
の溶融液表面に接触させた後、前記引き上げ軸を所定速
度で引き上げてゆくことにより、前記溶融液を凝固させ
て水平断面が円形状の単結晶シリコンを成長させる方法
である。
コンを引き上げる方法には種々の方法があるが、その一
つにＣＺ法がある。ＣＺ法は引き上げ軸の先端に取り付
けられた種結晶を坩堝内に充填したシリコン結晶用原料
の溶融液表面に接触させた後、前記引き上げ軸を所定速
度で引き上げてゆくことにより、前記溶融液を凝固させ
て水平断面が円形状の単結晶シリコンを成長させる方法
である。
【０００３】しかしながらＣＺ法においては、引き上げ
られる単結晶シリコンの断面形状が変動し易く、このよ
うな単結晶シリコンから切り出されたウエハでは、形状
不良のために不良品となったり、外径の削除部分が多い
ために歩留りが低下し易いという問題があった。この問
題に対処するため、溶融液と引き上げられる単結晶シリ
コンとの界面に形成されるフュージョンリングの位置を
測定して前記単結晶シリコンの直径を求める光学的検知
手段と、回転しつつ引き上げられる前記単結晶シリコン
の回転角を検出する回転角検出手段と、ＰＩＤ制御によ
り引き上げ速度、坩堝上昇速度、溶融液の温度等の制御
因子にフィードバックを掛ける制御手段とを備えた単結
晶引き上げ装置が提案されている（特開昭５７−１５６
３９７号公報）。この装置の場合、所定の角度位置での
径をフィードバックすることにより、単結晶の真円から
のずれの分の制御因子への影響がなくなり、この表面に
おける不純物濃度の局部的不均一（成長縞）の発生が抑
制される。
られる単結晶シリコンの断面形状が変動し易く、このよ
うな単結晶シリコンから切り出されたウエハでは、形状
不良のために不良品となったり、外径の削除部分が多い
ために歩留りが低下し易いという問題があった。この問
題に対処するため、溶融液と引き上げられる単結晶シリ
コンとの界面に形成されるフュージョンリングの位置を
測定して前記単結晶シリコンの直径を求める光学的検知
手段と、回転しつつ引き上げられる前記単結晶シリコン
の回転角を検出する回転角検出手段と、ＰＩＤ制御によ
り引き上げ速度、坩堝上昇速度、溶融液の温度等の制御
因子にフィードバックを掛ける制御手段とを備えた単結
晶引き上げ装置が提案されている（特開昭５７−１５６
３９７号公報）。この装置の場合、所定の角度位置での
径をフィードバックすることにより、単結晶の真円から
のずれの分の制御因子への影響がなくなり、この表面に
おける不純物濃度の局部的不均一（成長縞）の発生が抑
制される。
【０００４】また、引き上げられた単結晶シリコンの品
質を評価する項目の一つとして、酸化誘起積層欠陥（Ox
idation induced Stacking Fault: 以下、ＯＳＦと記
す）の密度がある。このＯＳＦは引き上げ中の単結晶シ
リコンに固溶した酸素が、引き上げ後に施す酸化熱処理
の際に酸化物として析出し、これが原因で生じる積層欠
陥のことを称している。このＯＳＦ密度の減少を図るた
め、速い速度で単結晶を引き上げる方法が開示されてい
る（特開平１−１９２７９５号公報）。この方法では、
引き上げ速度Ｖとこの引き上げ速度の変動幅ｄとの比
（Ｖ／ｄ）を１．８以上に設定して単結晶シリコンを速
く引き上げている。
質を評価する項目の一つとして、酸化誘起積層欠陥（Ox
idation induced Stacking Fault: 以下、ＯＳＦと記
す）の密度がある。このＯＳＦは引き上げ中の単結晶シ
リコンに固溶した酸素が、引き上げ後に施す酸化熱処理
の際に酸化物として析出し、これが原因で生じる積層欠
陥のことを称している。このＯＳＦ密度の減少を図るた
め、速い速度で単結晶を引き上げる方法が開示されてい
る（特開平１−１９２７９５号公報）。この方法では、
引き上げ速度Ｖとこの引き上げ速度の変動幅ｄとの比
（Ｖ／ｄ）を１．８以上に設定して単結晶シリコンを速
く引き上げている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した特開昭５７−
１５６３９７号に開示された装置においては、ＯＳＦの
密度の低下に関する考慮がなされておらず、この装置を
用いて引き上げた場合、単結晶シリコン中のＯＳＦの密
度を減少することが難しいという問題があった。
１５６３９７号に開示された装置においては、ＯＳＦの
密度の低下に関する考慮がなされておらず、この装置を
用いて引き上げた場合、単結晶シリコン中のＯＳＦの密
度を減少することが難しいという問題があった。
【０００６】また、上記した特開平１−１９２７９５号
に開示された方法においては、真円からのずれ（以下、
これを変形率と記す）の増加に関する考慮がなされてお
らず、単結晶シリコンの水平断面形状が変形し易く、引
き上げ後にウエハから採取し得るチップの個数が減少し
たり、あるいは前記ウエハを削って外径を揃える必要が
あり、歩留りが低下し易い。またＣＺ法に用いる装置の
性能、引き上げる単結晶の種別等が異なった際、上記設
定値を用いた方法では対応することが困難であるという
問題があった。
に開示された方法においては、真円からのずれ（以下、
これを変形率と記す）の増加に関する考慮がなされてお
らず、単結晶シリコンの水平断面形状が変形し易く、引
き上げ後にウエハから採取し得るチップの個数が減少し
たり、あるいは前記ウエハを削って外径を揃える必要が
あり、歩留りが低下し易い。またＣＺ法に用いる装置の
性能、引き上げる単結晶の種別等が異なった際、上記設
定値を用いた方法では対応することが困難であるという
問題があった。
【０００７】また前記変形率は引き上げ速度により大き
く影響を受けるが、これ以外にも溶融液の温度、坩堝や
引き上げ軸の回転速度、溶解装置の経時的変化等が複雑
に影響し合っており、ＯＳＦの密度と変形率とを同時に
制御するのは困難であった。
く影響を受けるが、これ以外にも溶融液の温度、坩堝や
引き上げ軸の回転速度、溶解装置の経時的変化等が複雑
に影響し合っており、ＯＳＦの密度と変形率とを同時に
制御するのは困難であった。
【０００８】このように従来の単結晶引き上げ方法で
は、引き上げ速度を速くするとＯＳＦの密度は減少する
一方、変形率が大きくなるおそれがあり、この結果、実
際的には安全係数を加味して比較的遅い速度で引き上げ
ざるを得ず、ＯＳＦの密度が大きくなり易く、単結晶シ
リコンの品質が低下すると共に、生産性も劣り、コスト
が高くつくという課題があった。
は、引き上げ速度を速くするとＯＳＦの密度は減少する
一方、変形率が大きくなるおそれがあり、この結果、実
際的には安全係数を加味して比較的遅い速度で引き上げ
ざるを得ず、ＯＳＦの密度が大きくなり易く、単結晶シ
リコンの品質が低下すると共に、生産性も劣り、コスト
が高くつくという課題があった。
【０００９】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、引き上げ速度のみを制御して変形率を許容範
囲内に抑えつつ、ＯＳＦの密度を可能な限り減少させる
ことができ、制御が簡単になると共に、単結晶の品質や
歩留り、生産性の向上を図り、コストを削減することが
できる単結晶引き上げ方法を提供することを目的として
いる。
のであり、引き上げ速度のみを制御して変形率を許容範
囲内に抑えつつ、ＯＳＦの密度を可能な限り減少させる
ことができ、制御が簡単になると共に、単結晶の品質や
歩留り、生産性の向上を図り、コストを削減することが
できる単結晶引き上げ方法を提供することを目的として
いる。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び効果】以下に記述する
用語は、下記の表１に示したように定義する。
用語は、下記の表１に示したように定義する。
【００１１】
【表１】
【００１２】上記変形率εは下記の数１に示したように
引き上げ速度ｆp ｍｍ／ｍｉｎと引き上げ率Ｌ％との関
数で表わされる。
引き上げ速度ｆp ｍｍ／ｍｉｎと引き上げ率Ｌ％との関
数で表わされる。
【００１３】
【数１】ε＝ｆ（ｆp ，Ｌ）（％） 数１式の両辺を引き上げ速度ｆp で微分すると、下記の
数２に示した引き上げ速度の感度式が求められることと
なる。
数２に示した引き上げ速度の感度式が求められることと
なる。
【００１４】
【数２】
【００１５】すると、各引き上げ率Ｌi に関する今回引
き上げる前に設定・更新した引き上げ速度パターンｆpn
（Ｌi)は下記の数３により求められることとなる。
き上げる前に設定・更新した引き上げ速度パターンｆpn
（Ｌi)は下記の数３により求められることとなる。
【００１６】
【数３】ｆpn（Ｌi)＝ｆpn-1 (Ｌi)＋ＧSET(Ｌi)×α
SET(Ｌi)×（εO −εn-1(Ｌi)） ただし、下記の数４で示される感度αSET(Ｌi)は設定変
形率εO(Ｌi)近傍における変形率に対する引き上げ速度
の感度の値を採用するものとする。
SET(Ｌi)×（εO −εn-1(Ｌi)） ただし、下記の数４で示される感度αSET(Ｌi)は設定変
形率εO(Ｌi)近傍における変形率に対する引き上げ速度
の感度の値を採用するものとする。
【００１７】
【数４】
【００１８】一方、各引き上げ率Ｌ％に関する引き上げ
中に設定・補正する引き上げ速度パターンｆpn（Ｌi)′
は下記の数５により求められることとなる。
中に設定・補正する引き上げ速度パターンｆpn（Ｌi)′
は下記の数５により求められることとなる。
【００１９】
【数５】ｆpn（Ｌi)′＝ｆpn（Ｌi)＋ＧON（Ｌi)×αON
(Ｌi)×（εO(Ｌi)−εn(Ｌi)) ただし、ｆpn（Ｌi)は数３で求めた今回引き上げる前に
設定した引き上げ速度パターンであり、また下記の数６
で示される感度αON (Ｌi)は設定変形率εO 近傍におけ
る変形率に対する引き上げ速度の感度の値を採用するも
のとする。
(Ｌi)×（εO(Ｌi)−εn(Ｌi)) ただし、ｆpn（Ｌi)は数３で求めた今回引き上げる前に
設定した引き上げ速度パターンであり、また下記の数６
で示される感度αON (Ｌi)は設定変形率εO 近傍におけ
る変形率に対する引き上げ速度の感度の値を採用するも
のとする。
【００２０】
【数６】
【００２１】上記目的を達成するため、本発明に係る単
結晶引き上げ方法は、坩堝内の溶融液から単結晶を引き
上げる単結晶引き上げ方法において、前回バッチの単結
晶の各部位における真円からのずれを求め、該ずれが許
容範囲内に納まると共に、ＯＳＦ密度が小さくなるよ
う、できるだけ速い速度で引き上げられるように前記前
回バッチの引き上げ速度パターンを更新して単結晶を引
き上げることを特徴としている（１）。
結晶引き上げ方法は、坩堝内の溶融液から単結晶を引き
上げる単結晶引き上げ方法において、前回バッチの単結
晶の各部位における真円からのずれを求め、該ずれが許
容範囲内に納まると共に、ＯＳＦ密度が小さくなるよ
う、できるだけ速い速度で引き上げられるように前記前
回バッチの引き上げ速度パターンを更新して単結晶を引
き上げることを特徴としている（１）。
【００２２】上記した単結晶引き上げ方法（１）によれ
ば、すでに引き上げられた単結晶Ｓn-1 の最大直径と最
小直径とを測定し、（（最大直径−最小直径）／最小直
径）×１００（％）で表わされる変形率εn-1(Ｌi)を求
め、該変形率εn-1(Ｌi)が許容範囲内に納まると共に、
できるだけ速い速度で引き上げられるように前バッチの
単結晶Ｓn-1 の引き上げ時に用いた引き上げ速度パター
ンｆpn-1（Ｌi)を更新して今回の単結晶Ｓn を引き上げ
ており、所定値に設定した設定変形率εO(Ｌi)、ゲイン
ＧSET(Ｌi)及び感度αSET(Ｌi)と、前記すでに引き上げ
られた単結晶Ｓn-1 の変形率εn-1(Ｌi)とを上記数３に
代入すると、新たに引き上げ速度パターンｆpn（Ｌi)が
設定される。このため、引き上げる単結晶Ｓn の変形率
εn(Ｌi)が設定変形率εO(Ｌi)に近付くように修正され
ると共に、この変形率εn(Ｌi)を満足する最も速い引き
上げ速度パターンｆnp( Ｌi)により単結晶Ｓn が引き上
げられることとなる。この結果、ＯＳＦの密度を減少さ
せると共に、変形率εn(Ｌi)の変動を少なくすることが
でき、歩留りや生産性の向上とコストの削減とを図るこ
とができる。
ば、すでに引き上げられた単結晶Ｓn-1 の最大直径と最
小直径とを測定し、（（最大直径−最小直径）／最小直
径）×１００（％）で表わされる変形率εn-1(Ｌi)を求
め、該変形率εn-1(Ｌi)が許容範囲内に納まると共に、
できるだけ速い速度で引き上げられるように前バッチの
単結晶Ｓn-1 の引き上げ時に用いた引き上げ速度パター
ンｆpn-1（Ｌi)を更新して今回の単結晶Ｓn を引き上げ
ており、所定値に設定した設定変形率εO(Ｌi)、ゲイン
ＧSET(Ｌi)及び感度αSET(Ｌi)と、前記すでに引き上げ
られた単結晶Ｓn-1 の変形率εn-1(Ｌi)とを上記数３に
代入すると、新たに引き上げ速度パターンｆpn（Ｌi)が
設定される。このため、引き上げる単結晶Ｓn の変形率
εn(Ｌi)が設定変形率εO(Ｌi)に近付くように修正され
ると共に、この変形率εn(Ｌi)を満足する最も速い引き
上げ速度パターンｆnp( Ｌi)により単結晶Ｓn が引き上
げられることとなる。この結果、ＯＳＦの密度を減少さ
せると共に、変形率εn(Ｌi)の変動を少なくすることが
でき、歩留りや生産性の向上とコストの削減とを図るこ
とができる。
【００２３】また本発明に係る単結晶の成長方法は、坩
堝内の溶融液から単結晶を引き上げる単結晶引き上げ方
法において、単結晶の引き上げ速度パターンを予め設定
しておき、単結晶の引き上げ中に該単結晶の最大直径と
最小直径とを１次元カメラまたは２次元カメラを用いて
測定し、各部位における真円からのずれを求め、該ずれ
が許容範囲内に納まると共に、ＯＳＦ密度が小さくなる
よう、できるだけ速い速度で引き上げられるように前記
引き上げ速度パターンを順次補正しつつ前記単結晶を引
き上げることを特徴としている（２）。
堝内の溶融液から単結晶を引き上げる単結晶引き上げ方
法において、単結晶の引き上げ速度パターンを予め設定
しておき、単結晶の引き上げ中に該単結晶の最大直径と
最小直径とを１次元カメラまたは２次元カメラを用いて
測定し、各部位における真円からのずれを求め、該ずれ
が許容範囲内に納まると共に、ＯＳＦ密度が小さくなる
よう、できるだけ速い速度で引き上げられるように前記
引き上げ速度パターンを順次補正しつつ前記単結晶を引
き上げることを特徴としている（２）。
【００２４】上記した単結晶引き上げ方法（２）によれ
ば、今回引き上げる単結晶Ｓn の引き上げ速度パターン
ｆpn( Ｌi)を予め求めておき、前記単結晶Ｓn の引き上
げ中に該単結晶Ｓn の最大直径と最小直径とを１次元カ
メラまたは２次元カメラを用いて測定し、（（最大直径
−最小直径）／最小直径）×１００（％）で表わされる
変形率εn(Ｌ1)、εn(Ｌ2)、…を求め、該変形率εn(Ｌ
1)、εn(Ｌ2)、…が許容範囲内に納まると共に、できる
だけ速い速度で引き上げられるように前記引き上げ速度
パターンｆpn( Ｌi)を順次補正して単結晶Ｓn を引き上
げており、所定値に設定した設定変形率εO(Ｌi)、ゲイ
ンＧON( Ｌi)及び感度αON（Ｌi)と、前記単結晶Ｓn の
変形率εn(Ｌ1)、εn(Ｌ2)、…とを上記数５に代入して
ゆくと、順次新たに引き上げ速度パターンｆpn(
Ｌ1)′、ｆpn( Ｌ2)′、…が設定される。このため、引
き上げられる単結晶Ｓn の変形率εn(Ｌ1)、εn(Ｌ2)、
…が設定変形率εO(Ｌi)に一層近付くように修正される
と共に、これらの変形率εn(Ｌ1)、εn(Ｌ2)、…を満足
するそれぞれ最も速い引き上げ速度パターンｆpn(
Ｌ1)′、ｆpn( Ｌ2)′、…により単結晶Ｓn が引き上げ
られることとなる。この結果、ＯＳＦの密度を減少させ
ると共に、変形率εn(Ｌ1)、εn(Ｌ2)、…の変動を一層
少なくすることができ、歩留りや生産性がより向上し、
コストの一層の削減を図ることができる。
ば、今回引き上げる単結晶Ｓn の引き上げ速度パターン
ｆpn( Ｌi)を予め求めておき、前記単結晶Ｓn の引き上
げ中に該単結晶Ｓn の最大直径と最小直径とを１次元カ
メラまたは２次元カメラを用いて測定し、（（最大直径
−最小直径）／最小直径）×１００（％）で表わされる
変形率εn(Ｌ1)、εn(Ｌ2)、…を求め、該変形率εn(Ｌ
1)、εn(Ｌ2)、…が許容範囲内に納まると共に、できる
だけ速い速度で引き上げられるように前記引き上げ速度
パターンｆpn( Ｌi)を順次補正して単結晶Ｓn を引き上
げており、所定値に設定した設定変形率εO(Ｌi)、ゲイ
ンＧON( Ｌi)及び感度αON（Ｌi)と、前記単結晶Ｓn の
変形率εn(Ｌ1)、εn(Ｌ2)、…とを上記数５に代入して
ゆくと、順次新たに引き上げ速度パターンｆpn(
Ｌ1)′、ｆpn( Ｌ2)′、…が設定される。このため、引
き上げられる単結晶Ｓn の変形率εn(Ｌ1)、εn(Ｌ2)、
…が設定変形率εO(Ｌi)に一層近付くように修正される
と共に、これらの変形率εn(Ｌ1)、εn(Ｌ2)、…を満足
するそれぞれ最も速い引き上げ速度パターンｆpn(
Ｌ1)′、ｆpn( Ｌ2)′、…により単結晶Ｓn が引き上げ
られることとなる。この結果、ＯＳＦの密度を減少させ
ると共に、変形率εn(Ｌ1)、εn(Ｌ2)、…の変動を一層
少なくすることができ、歩留りや生産性がより向上し、
コストの一層の削減を図ることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る単結晶引き上
げ方法の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は
実施の形態例１に係る単結晶引き上げ方法に用いられる
装置を模式的に示したブロック図であり、図中１１は容
器を示している。容器１１内の下部には略有底円筒形状
の坩堝１２が配設されており、坩堝１２は駆動装置（図
示せず）により回転させられるようになっている。坩堝
１２の周囲にはこれと同心状にヒータ１３が配設されて
おり、坩堝１２内には例えばシリコン結晶用原料をヒー
タ１３により溶融させた溶融液１４が充填されている。
坩堝１２の中心軸上には引き上げ軸１６が配設されてお
り、引き上げ軸１６下端部には種結晶１６ａが取り付け
られ、引き上げ軸１６上端部側は駆動部１７に接続され
ている。そして種結晶１６ａを溶融液１４の表面に接触
させて駆動部１７を作動させると、引き上げ軸１６が回
転しつつ上昇し、溶融液１４が凝固した単結晶Ｓn が成
長しつつ引き上げられるようになっている。また駆動部
１７は演算処理部１８に接続され、演算処理部１８には
メモリ部１８ａが接続されており、メモリ部１８ａには
上記数３式、前バッチの実績引き上げ速度パターンｆ
pn-1（Ｌi)、設定変形率εO(Ｌi)、感度αSET(Ｌi)、ゲ
インＧSET(Ｌi)及び変形率の計算式（（（最大直径Ｄ
MAX−最小直径ＤMIN ）／最小直径ＤMIN ）×１００
（％））が記憶されている。これら容器１１、坩堝１
２、引き上げ軸１６、駆動部１７、演算処理部１８、メ
モリ部１８ａ等を含んで単結晶引き上げ装置１０が構成
されている。
げ方法の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は
実施の形態例１に係る単結晶引き上げ方法に用いられる
装置を模式的に示したブロック図であり、図中１１は容
器を示している。容器１１内の下部には略有底円筒形状
の坩堝１２が配設されており、坩堝１２は駆動装置（図
示せず）により回転させられるようになっている。坩堝
１２の周囲にはこれと同心状にヒータ１３が配設されて
おり、坩堝１２内には例えばシリコン結晶用原料をヒー
タ１３により溶融させた溶融液１４が充填されている。
坩堝１２の中心軸上には引き上げ軸１６が配設されてお
り、引き上げ軸１６下端部には種結晶１６ａが取り付け
られ、引き上げ軸１６上端部側は駆動部１７に接続され
ている。そして種結晶１６ａを溶融液１４の表面に接触
させて駆動部１７を作動させると、引き上げ軸１６が回
転しつつ上昇し、溶融液１４が凝固した単結晶Ｓn が成
長しつつ引き上げられるようになっている。また駆動部
１７は演算処理部１８に接続され、演算処理部１８には
メモリ部１８ａが接続されており、メモリ部１８ａには
上記数３式、前バッチの実績引き上げ速度パターンｆ
pn-1（Ｌi)、設定変形率εO(Ｌi)、感度αSET(Ｌi)、ゲ
インＧSET(Ｌi)及び変形率の計算式（（（最大直径Ｄ
MAX−最小直径ＤMIN ）／最小直径ＤMIN ）×１００
（％））が記憶されている。これら容器１１、坩堝１
２、引き上げ軸１６、駆動部１７、演算処理部１８、メ
モリ部１８ａ等を含んで単結晶引き上げ装置１０が構成
されている。
【００２６】このように構成された装置１０を用い、坩
堝１２内に充填された溶融液１４から単結晶Ｓn を引き
上げる場合、まず前バッチで引き上げられた単結晶Ｓ
n-1 の直径Ｄを所定引き上げ率Ｌごとに同一面内で複数
カ所測定し、これらの測定値を演算処理部１８に入力す
る。すると演算処理部１８において所定引き上げ率Ｌご
との最大直径ＤMAX 及び最小直径ＤMIN が求められた
後、前記変形率の計算式がメモリ部１８ａから呼び出さ
れ、この式に最大直径ＤMAX 及び最小直径ＤMIN が導入
されて変形率εn-1(Ｌi)が演算される。次に演算処理部
１８において前記数３式等がメモリ部１８ａから呼び出
され、この数３式に実績引き上げ速度パターンｆ
pn-1（Ｌi)、変形率εn-1(Ｌi)等が導入され、今回引き
上げる単結晶Ｓn 用の引き上げ速度パターンｆpn（Ｌi)
が演算される。次に駆動部１７を作動させ、この引き上
げ速度パターンｆpn（Ｌi)に基づき引き上げ軸１６を引
き上げて単結晶Ｓn を成長させる。引き上げ完了後、こ
の引き上げ速度パターンｆpn（Ｌ）は実績引き上げ速度
パターンｆpn-1（Ｌi)としてメモリ部１８ａに記憶され
る。
堝１２内に充填された溶融液１４から単結晶Ｓn を引き
上げる場合、まず前バッチで引き上げられた単結晶Ｓ
n-1 の直径Ｄを所定引き上げ率Ｌごとに同一面内で複数
カ所測定し、これらの測定値を演算処理部１８に入力す
る。すると演算処理部１８において所定引き上げ率Ｌご
との最大直径ＤMAX 及び最小直径ＤMIN が求められた
後、前記変形率の計算式がメモリ部１８ａから呼び出さ
れ、この式に最大直径ＤMAX 及び最小直径ＤMIN が導入
されて変形率εn-1(Ｌi)が演算される。次に演算処理部
１８において前記数３式等がメモリ部１８ａから呼び出
され、この数３式に実績引き上げ速度パターンｆ
pn-1（Ｌi)、変形率εn-1(Ｌi)等が導入され、今回引き
上げる単結晶Ｓn 用の引き上げ速度パターンｆpn（Ｌi)
が演算される。次に駆動部１７を作動させ、この引き上
げ速度パターンｆpn（Ｌi)に基づき引き上げ軸１６を引
き上げて単結晶Ｓn を成長させる。引き上げ完了後、こ
の引き上げ速度パターンｆpn（Ｌ）は実績引き上げ速度
パターンｆpn-1（Ｌi)としてメモリ部１８ａに記憶され
る。
【００２７】上記説明から明らかなように、実施の形態
１に係る単結晶の引き上げ方法では、所定値に設定した
設定変形率εO(Ｌi)、感度αSET(Ｌi)及びゲインＧ
SET(Ｌi)と、前バッチですでに引き上げた単結晶Ｓn-1
の変形率εn-1(Ｌi)とを数３式に代入すると、新たに引
き上げ速度パターンｆpn（Ｌi)が設定される。このた
め、引き上げる単結晶Ｓn の変形率εn(Ｌi)が設定変形
率εO(Ｌi)に近付くように修正されると共に、この変形
率εn(Ｌi)を満足する最も速い引き上げ速度パターンｆ
np（Ｌi)により単結晶Ｓn が引き上げられる。この結
果、ＯＳＦの密度を減少させると共に、変形率εn(Ｌi)
の変動を少なくすることができ、歩留りや生産性の向上
とコストの削減とを図ることができる。
１に係る単結晶の引き上げ方法では、所定値に設定した
設定変形率εO(Ｌi)、感度αSET(Ｌi)及びゲインＧ
SET(Ｌi)と、前バッチですでに引き上げた単結晶Ｓn-1
の変形率εn-1(Ｌi)とを数３式に代入すると、新たに引
き上げ速度パターンｆpn（Ｌi)が設定される。このた
め、引き上げる単結晶Ｓn の変形率εn(Ｌi)が設定変形
率εO(Ｌi)に近付くように修正されると共に、この変形
率εn(Ｌi)を満足する最も速い引き上げ速度パターンｆ
np（Ｌi)により単結晶Ｓn が引き上げられる。この結
果、ＯＳＦの密度を減少させると共に、変形率εn(Ｌi)
の変動を少なくすることができ、歩留りや生産性の向上
とコストの削減とを図ることができる。
【００２８】図２は実施の形態２に係る単結晶引き上げ
方法に用いられる装置を模式的に示したブロック図であ
り、図中１１は容器を示している。容器１１の所定箇所
には石英ガラス製の観測窓１１ａが配設され、観測窓１
１ａを挟んで単結晶Ｓn 下部の外周と対向する所定箇所
には１次元カメラまたは２次元カメラとしての光位置検
出センサ２９が配設されている。光位置検出センサ２９
は演算処理部２８に接続されており、光位置検出センサ
２９で検出された光位置に基づき、演算処理部２８にお
いて複数箇所の直径Ｄ2 が測定され、この中から最大直
径Ｄ2MAX及び最小直径Ｄ2MINが求められるようになって
いる。また演算処理部２８には駆動部１７及びメモリ部
２８ａが接続されており、メモリ２８ａには上記数３、
数５式、前バッチの実績引き上げ速度パターンｆ
pn-1（Ｌi)、設定変形率εO(Ｌi)、感度αSET(Ｌi)、α
ON（Ｌi)、ゲインＧSET(Ｌi)、ＧON( Ｌi)及び変形率の
計算式（（（最大直径ＤMAX −最小直径ＤMIN ）／最小
直径ＤMIN ）×１００（％））が記憶されている。その
他の構成は図１に示したものと同様であるので、ここで
はその構成の詳細な説明は省略することとする。これら
容器１１、坩堝１２、引き上げ軸１６、駆動部１７、演
算処理部２８、メモリ部２８ａ、光位置検出センサ２９
等を含んで単結晶引き上げ装置２０が構成されている。
方法に用いられる装置を模式的に示したブロック図であ
り、図中１１は容器を示している。容器１１の所定箇所
には石英ガラス製の観測窓１１ａが配設され、観測窓１
１ａを挟んで単結晶Ｓn 下部の外周と対向する所定箇所
には１次元カメラまたは２次元カメラとしての光位置検
出センサ２９が配設されている。光位置検出センサ２９
は演算処理部２８に接続されており、光位置検出センサ
２９で検出された光位置に基づき、演算処理部２８にお
いて複数箇所の直径Ｄ2 が測定され、この中から最大直
径Ｄ2MAX及び最小直径Ｄ2MINが求められるようになって
いる。また演算処理部２８には駆動部１７及びメモリ部
２８ａが接続されており、メモリ２８ａには上記数３、
数５式、前バッチの実績引き上げ速度パターンｆ
pn-1（Ｌi)、設定変形率εO(Ｌi)、感度αSET(Ｌi)、α
ON（Ｌi)、ゲインＧSET(Ｌi)、ＧON( Ｌi)及び変形率の
計算式（（（最大直径ＤMAX −最小直径ＤMIN ）／最小
直径ＤMIN ）×１００（％））が記憶されている。その
他の構成は図１に示したものと同様であるので、ここで
はその構成の詳細な説明は省略することとする。これら
容器１１、坩堝１２、引き上げ軸１６、駆動部１７、演
算処理部２８、メモリ部２８ａ、光位置検出センサ２９
等を含んで単結晶引き上げ装置２０が構成されている。
【００２９】このように構成された装置２０を用い、坩
堝１２内に充填された溶融液１４から単結晶Ｓn を引き
上げる場合、実施例１に係る単結晶引き上げ方法の場合
と同様、まず前バッチで引き上げられた単結晶Ｓn-1 の
直径Ｄ1 を所定引き上げ率Ｌごとに同一面内で複数箇所
測定し、これらの測定値を演算処理部２８に入力する。
すると演算処理部２８において所定引き上げ率Ｌごとの
最大直径Ｄ1MAX及び最小直径Ｄ1MINが求められた後、前
記変形率の計算式がメモリ部２８ａから呼び出され、こ
の式に最大直径Ｄ1MAX及び最小直径Ｄ1MINが導入されて
変形率εn-1(Ｌi)が演算される。次に演算処理部２８に
おいて前記数３式等がメモリ部２８ａから呼び出され、
この数３式に実績引き上げ速度パターンｆpn-1（Ｌi)、
変形率εn-1(Ｌi)等が導入され、引き上げ速度パターン
ｆpn（Ｌi)が演算された後、このパターンがメモリ部２
８ａに記憶される。次に駆動部１７を作動させ、引き上
げ速度パターンｆpn（Ｌi)に基づき単結晶Ｓn を回転さ
せつつ引き上げ始める。
堝１２内に充填された溶融液１４から単結晶Ｓn を引き
上げる場合、実施例１に係る単結晶引き上げ方法の場合
と同様、まず前バッチで引き上げられた単結晶Ｓn-1 の
直径Ｄ1 を所定引き上げ率Ｌごとに同一面内で複数箇所
測定し、これらの測定値を演算処理部２８に入力する。
すると演算処理部２８において所定引き上げ率Ｌごとの
最大直径Ｄ1MAX及び最小直径Ｄ1MINが求められた後、前
記変形率の計算式がメモリ部２８ａから呼び出され、こ
の式に最大直径Ｄ1MAX及び最小直径Ｄ1MINが導入されて
変形率εn-1(Ｌi)が演算される。次に演算処理部２８に
おいて前記数３式等がメモリ部２８ａから呼び出され、
この数３式に実績引き上げ速度パターンｆpn-1（Ｌi)、
変形率εn-1(Ｌi)等が導入され、引き上げ速度パターン
ｆpn（Ｌi)が演算された後、このパターンがメモリ部２
８ａに記憶される。次に駆動部１７を作動させ、引き上
げ速度パターンｆpn（Ｌi)に基づき単結晶Ｓn を回転さ
せつつ引き上げ始める。
【００３０】次に引き上げ率がＬ1 のとき、光位置検出
センサ２９を用い、単結晶Ｓn が１回転する間にこの外
周位置を複数回検出し、これらの位置信号を演算処理部
２８に伝送する。するとこれらの位置信号に基づき、演
算処理部２８において単結晶Ｓn の直径Ｄ2 が演算さ
れ、この中から最大直径Ｄ2MAX及び最小直径Ｄ2MINが決
定される。次に演算処理部２８において前記変形率の計
算式がメモリ部２８ａから呼び出され、この式に最大直
径Ｄ2MAX及び最小直径Ｄ2MINが導入されて変形率εn(Ｌ
1)が演算される。次に演算処理部２８において前記数５
式等がメモリ部２８ａから呼び出され、この式に引き上
げ前に設定した引き上げ速度パターンｆpn（Ｌi)、変形
率εn(Ｌ1)等が導入され、引き上げ速度パターンｆ
pn（Ｌi)が補正されて引き上げ速度パターンｆ
pn（Ｌ1)′が求められる。次にこの引き上げ速度パター
ンｆpn（Ｌ1)′に基づき駆動部１７を駆動させて単結晶
Ｓn を引き上げる。同様にして変形率εn(Ｌ2)、εn(Ｌ
3)、…を順次求めてゆき、引き上げ速度パターンｆ
pn（Ｌi)を補正した引き上げ速度パターンｆpn
(Ｌ2)′、ｆpn (Ｌ3)′、…に基づき単結晶Ｓn を引き
上げる。
センサ２９を用い、単結晶Ｓn が１回転する間にこの外
周位置を複数回検出し、これらの位置信号を演算処理部
２８に伝送する。するとこれらの位置信号に基づき、演
算処理部２８において単結晶Ｓn の直径Ｄ2 が演算さ
れ、この中から最大直径Ｄ2MAX及び最小直径Ｄ2MINが決
定される。次に演算処理部２８において前記変形率の計
算式がメモリ部２８ａから呼び出され、この式に最大直
径Ｄ2MAX及び最小直径Ｄ2MINが導入されて変形率εn(Ｌ
1)が演算される。次に演算処理部２８において前記数５
式等がメモリ部２８ａから呼び出され、この式に引き上
げ前に設定した引き上げ速度パターンｆpn（Ｌi)、変形
率εn(Ｌ1)等が導入され、引き上げ速度パターンｆ
pn（Ｌi)が補正されて引き上げ速度パターンｆ
pn（Ｌ1)′が求められる。次にこの引き上げ速度パター
ンｆpn（Ｌ1)′に基づき駆動部１７を駆動させて単結晶
Ｓn を引き上げる。同様にして変形率εn(Ｌ2)、εn(Ｌ
3)、…を順次求めてゆき、引き上げ速度パターンｆ
pn（Ｌi)を補正した引き上げ速度パターンｆpn
(Ｌ2)′、ｆpn (Ｌ3)′、…に基づき単結晶Ｓn を引き
上げる。
【００３１】上記説明から明らかなように、実施の形態
２に係る単結晶の成長方法では、所定値に設定した設定
変形率εO(Ｌi)、感度αON（Ｌi)及びゲインＧON( Ｌi)
と、単結晶Ｓn の変形率εn(Ｌ1)、εn(Ｌ2)、…とを上
記数５式に代入してゆくと、順次新たに引き上げ速度パ
ターンｆpn (Ｌ1)′、ｆpn (Ｌ2)′、…が設定される。
このため、引き上げられる単結晶Ｓn の変形率ε
n(Ｌ1)、εn(Ｌ2)、…が設定変形率εO(Ｌi)に一層近付
くように修正されると共に、これらの変形率εn(Ｌ1)、
εn(Ｌ2)、…を満足するそれぞれ最も速い引き上げ速度
パターンｆpn (Ｌ1)′、ｆpn (Ｌ2)′、…により単結晶
Ｓn が引き上げられる。この結果、ＯＳＦの密度を減少
させると共に、変形率εn(Ｌ1)、εn(Ｌ2)、…の変動を
一層少なくすることができ、歩留りや生産性がより向上
し、コストの一層の削減を図ることができる。
２に係る単結晶の成長方法では、所定値に設定した設定
変形率εO(Ｌi)、感度αON（Ｌi)及びゲインＧON( Ｌi)
と、単結晶Ｓn の変形率εn(Ｌ1)、εn(Ｌ2)、…とを上
記数５式に代入してゆくと、順次新たに引き上げ速度パ
ターンｆpn (Ｌ1)′、ｆpn (Ｌ2)′、…が設定される。
このため、引き上げられる単結晶Ｓn の変形率ε
n(Ｌ1)、εn(Ｌ2)、…が設定変形率εO(Ｌi)に一層近付
くように修正されると共に、これらの変形率εn(Ｌ1)、
εn(Ｌ2)、…を満足するそれぞれ最も速い引き上げ速度
パターンｆpn (Ｌ1)′、ｆpn (Ｌ2)′、…により単結晶
Ｓn が引き上げられる。この結果、ＯＳＦの密度を減少
させると共に、変形率εn(Ｌ1)、εn(Ｌ2)、…の変動を
一層少なくすることができ、歩留りや生産性がより向上
し、コストの一層の削減を図ることができる。
【００３２】
【実施例及び比較例】以下に図１に示した装置を用い、
実施例１に係る単結晶引き上げ方法により単結晶を引き
上げた結果について説明する。引き上げ条件としては、
引き上げ速度設定変更区間を引き上げ率Ｌi にして約１
０〜５０％、制御距離を引き上げ率Ｌi にして約４％と
し、また設定変形率εO(Ｌi)を１．５％、感度αSET(Ｌ
i)を０．０７１、ゲインＧSET(Ｌi)を０．７にそれぞれ
設定した。なお比較例としては、安全係数を加味して比
較的遅い速度で引き上げる従来の単結晶引き上げ方法を
採用した。
実施例１に係る単結晶引き上げ方法により単結晶を引き
上げた結果について説明する。引き上げ条件としては、
引き上げ速度設定変更区間を引き上げ率Ｌi にして約１
０〜５０％、制御距離を引き上げ率Ｌi にして約４％と
し、また設定変形率εO(Ｌi)を１．５％、感度αSET(Ｌ
i)を０．０７１、ゲインＧSET(Ｌi)を０．７にそれぞれ
設定した。なお比較例としては、安全係数を加味して比
較的遅い速度で引き上げる従来の単結晶引き上げ方法を
採用した。
【００３３】図３は実施例１及び比較例に係る引き上げ
方法により単結晶を引き上げた結果を示した図であり、
（ａ）は変形率、（ｂ）はＯＳＦの密度、（ｃ）は引き
上げ速度を示している。図３から明らかなように、比較
例に係る方法により引き上げた場合、単結晶の変形率は
約１．１〜１．４％の範囲で変動しており、また引き上
げ速度が遅く、ＯＳＦの密度が１０〜３７個／ｃｍ2 と
大きくばらついていた。一方、実施例１に係る方法によ
り引き上げた場合、単結晶の変形率は設定変形率εO(Ｌ
i)近傍に制御され、引き上げ速度が比較的に約＋０．０
５ｍｍ／ｍｉｎほど速められ、またＯＳＦの密度は５〜
１７個／ｃｍ2 に減少させることができた。
方法により単結晶を引き上げた結果を示した図であり、
（ａ）は変形率、（ｂ）はＯＳＦの密度、（ｃ）は引き
上げ速度を示している。図３から明らかなように、比較
例に係る方法により引き上げた場合、単結晶の変形率は
約１．１〜１．４％の範囲で変動しており、また引き上
げ速度が遅く、ＯＳＦの密度が１０〜３７個／ｃｍ2 と
大きくばらついていた。一方、実施例１に係る方法によ
り引き上げた場合、単結晶の変形率は設定変形率εO(Ｌ
i)近傍に制御され、引き上げ速度が比較的に約＋０．０
５ｍｍ／ｍｉｎほど速められ、またＯＳＦの密度は５〜
１７個／ｃｍ2 に減少させることができた。
【００３４】以下に図２に示した装置を用い、実施例２
に係る単結晶引き上げ方法により単結晶を引き上げた結
果について説明する。引き上げ条件としては、引き上げ
速度設定変更区間を引き上げ率Ｌi にして約１０〜５０
％とし、また設定変形率εO(Ｌi)を実施例１の場合より
高い１．７％、ゲインＧSET （Ｌi)を０．７、ゲインＧ
ON（Ｌi)を０．３、感度αSET(Ｌi ) 、αON( Ｌi)を各
０．０７１に設定した。また引き上げ速度パターンｆpn
（Ｌi)′は０．１％の引き上げ率Ｌi ごとに求めた。な
お比較例としては、安全係数を加味して比較的遅い速度
で引き上げる従来の単結晶引き上げ方法を採用した。
に係る単結晶引き上げ方法により単結晶を引き上げた結
果について説明する。引き上げ条件としては、引き上げ
速度設定変更区間を引き上げ率Ｌi にして約１０〜５０
％とし、また設定変形率εO(Ｌi)を実施例１の場合より
高い１．７％、ゲインＧSET （Ｌi)を０．７、ゲインＧ
ON（Ｌi)を０．３、感度αSET(Ｌi ) 、αON( Ｌi)を各
０．０７１に設定した。また引き上げ速度パターンｆpn
（Ｌi)′は０．１％の引き上げ率Ｌi ごとに求めた。な
お比較例としては、安全係数を加味して比較的遅い速度
で引き上げる従来の単結晶引き上げ方法を採用した。
【００３５】図４は実施例２及び比較例に係る引き上げ
方法により単結晶を引き上げた結果を示した図であり、
（ａ）は変形率、（ｂ）はＯＳＦの密度、（ｃ）は引き
上げ速度を示している。図４から明らかなように、比較
例に係る方法により引き上げた場合は図３に示した比較
例の場合と同様、変形率は約１．１〜１．４％の範囲で
変動しており、また引き上げ速度が遅く、ＯＳＦの密度
が１０〜３７個／ｃｍ2 と大きくばらついていた。一
方、実施例２に係る方法により引き上げた場合、単結晶
の変形率は設定変形率εO(Ｌi)（１．７％）近傍に制御
され、引き上げ速度が約＋０．０６ｍｍ／ｍｉｎほど速
められ、ＯＳＦの密度は４〜８個／ｃｍ2に減少させる
ことができた。
方法により単結晶を引き上げた結果を示した図であり、
（ａ）は変形率、（ｂ）はＯＳＦの密度、（ｃ）は引き
上げ速度を示している。図４から明らかなように、比較
例に係る方法により引き上げた場合は図３に示した比較
例の場合と同様、変形率は約１．１〜１．４％の範囲で
変動しており、また引き上げ速度が遅く、ＯＳＦの密度
が１０〜３７個／ｃｍ2 と大きくばらついていた。一
方、実施例２に係る方法により引き上げた場合、単結晶
の変形率は設定変形率εO(Ｌi)（１．７％）近傍に制御
され、引き上げ速度が約＋０．０６ｍｍ／ｍｉｎほど速
められ、ＯＳＦの密度は４〜８個／ｃｍ2に減少させる
ことができた。
【図１】本発明に係る実施の形態１の単結晶引き上げ方
法に用いられる装置を模式的に示したブロック図であ
る。
法に用いられる装置を模式的に示したブロック図であ
る。
【図２】実施の形態２に係る単結晶引き上げ方法に用い
られる装置を模式的に示したブロック図である。
られる装置を模式的に示したブロック図である。
【図３】実施例１及び比較例に係る引き上げ方法により
単結晶を引き上げた結果を示した図であり、（ａ）は変
形率、（ｂ）はＯＳＦの密度、（ｃ）は引き上げ速度の
変化を示している。
単結晶を引き上げた結果を示した図であり、（ａ）は変
形率、（ｂ）はＯＳＦの密度、（ｃ）は引き上げ速度の
変化を示している。
【図４】実施例２及び比較例に係る引き上げ方法により
単結晶を引き上げた結果を示した図であり、（ａ）は変
形率、（ｂ）はＯＳＦの密度、（ｃ）は引き上げ速度を
示している。
単結晶を引き上げた結果を示した図であり、（ａ）は変
形率、（ｂ）はＯＳＦの密度、（ｃ）は引き上げ速度を
示している。
１０ 単結晶引き上げ装置 １２ 坩堝 １３ 溶融液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柏原 義之 大阪府大阪市中央区北浜４丁目５番33号 住友金属工業株式会社内 (72)発明者 前田 徳次 佐賀県杵島郡江北町大字上小田2201番地 住友シチックス株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 坩堝内の溶融液から単結晶を引き上げる
単結晶引き上げ方法において、前回バッチの単結晶の各
部位における真円からのずれを求め、該ずれが許容範囲
内に納まると共に、酸化誘起積層欠陥密度が小さくなる
よう、できるだけ速い速度で引き上げられるように前記
前回バッチの引き上げ速度パターンを更新して単結晶を
引き上げることを特徴とする単結晶引き上げ方法。 - 【請求項２】 坩堝内の溶融液から単結晶を引き上げる
単結晶引き上げ方法において、単結晶の引き上げ速度パ
ターンを予め設定しておき、単結晶の引き上げ中に該単
結晶の最大直径と最小直径とを１次元カメラまたは２次
元カメラを用いて測定し、各部位における真円からのず
れを求め、該ずれが許容範囲内に納まると共に、酸化誘
起積層欠陥密度が小さくなるよう、できるだけ速い速度
で引き上げられるように前記引き上げ速度パターンを順
次補正しつつ前記単結晶を引き上げることを特徴とする
単結晶引き上げ方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7253450A JP2979462B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 単結晶引き上げ方法 |
| US09/052,129 US6056819A (en) | 1995-09-29 | 1998-03-31 | Method for pulling a single crystal |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7253450A JP2979462B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 単結晶引き上げ方法 |
| US09/052,129 US6056819A (en) | 1995-09-29 | 1998-03-31 | Method for pulling a single crystal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0987083A true JPH0987083A (ja) | 1997-03-31 |
| JP2979462B2 JP2979462B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=26541204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7253450A Expired - Fee Related JP2979462B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 単結晶引き上げ方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6056819A (ja) |
| JP (1) | JP2979462B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000022201A1 (en) * | 1998-10-14 | 2000-04-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for accurately pulling a crystal |
| US6726764B2 (en) | 2000-02-01 | 2004-04-27 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for controlling growth of a silicon crystal to minimize growth rate and diameter deviations |
| WO2005054549A1 (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | シリコン単結晶の製造システム及びシリコン単結晶の製造方法並びにシリコン単結晶 |
| DE112018001896T5 (de) | 2017-04-05 | 2019-12-19 | Sumco Corporation | Wärmeabschirmbauteil, Einkristall-Ziehvorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristall-Ingots |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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