JPH098596A - チップ状弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents
チップ状弾性表面波装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH098596A JPH098596A JP17388595A JP17388595A JPH098596A JP H098596 A JPH098596 A JP H098596A JP 17388595 A JP17388595 A JP 17388595A JP 17388595 A JP17388595 A JP 17388595A JP H098596 A JPH098596 A JP H098596A
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- acoustic wave
- surface acoustic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】弾性表面波装置のパッケージによる小形化の限
界をとり除くとともに、原価の低減を図る。 【構成】圧電基板１上に形成された弾性表面波素子電極
２の交差指電極部を囲む金属製の囲い３を設ける。その
上から金属箔３を溶着し、さらにポリイミド樹脂素子４
を形成させ、隙間を封止樹脂６で封止して、中空部７を
気密封止した。
界をとり除くとともに、原価の低減を図る。 【構成】圧電基板１上に形成された弾性表面波素子電極
２の交差指電極部を囲む金属製の囲い３を設ける。その
上から金属箔３を溶着し、さらにポリイミド樹脂素子４
を形成させ、隙間を封止樹脂６で封止して、中空部７を
気密封止した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波が励振され
る電極側の機能面に励振を妨げない自由空間の中空部が
形成された弾性表面波装置及びその製造方法に関するも
のである。
る電極側の機能面に励振を妨げない自由空間の中空部が
形成された弾性表面波装置及びその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】例えは、弾性表面波共振子，弾性表面波
フィルタ等は励振する電極側機能面に自由空間を確保
し、かつ、気密封止するため、セラミック等のパッケー
ジを用いて溶接により封止している。図５は表面実装波
形パッケージに収容された従来の弾性表面波装置の断面
図である。図において、１０は弾性表面波素子、１１は
セラミックパッケージ、１２はキャップ、１３はボンデ
ィングワイヤ、１４は中空部である。
フィルタ等は励振する電極側機能面に自由空間を確保
し、かつ、気密封止するため、セラミック等のパッケー
ジを用いて溶接により封止している。図５は表面実装波
形パッケージに収容された従来の弾性表面波装置の断面
図である。図において、１０は弾性表面波素子、１１は
セラミックパッケージ、１２はキャップ、１３はボンデ
ィングワイヤ、１４は中空部である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のセラミ
ックパッケージ等は高価なため、部品としてのコストの
大きな割合を占めている。また、図５のような表面実装
パッケージの場合、１つのパッケージに弾性表面波素子
１０を１チップ格納するため、小型化するにはパッケー
ジ１１の大きさにより限界があった。高さについてはボ
ンディングワイヤ１３とキャップ１２とが接触しないよ
う、中空部１４が必要なこと、またパッケージ１１の底
部の厚さのため、薄型化にも制約があった。一方、チッ
プ状の弾性表面波素子１０を他のＩＣ回路等と同一基板
上に搭載し同時に樹脂封止するには、そのままでは、樹
脂が励振する電極表面に触れるため、弾性表面波装置と
しての所望の電気的特性が得られないという問題があっ
た。
ックパッケージ等は高価なため、部品としてのコストの
大きな割合を占めている。また、図５のような表面実装
パッケージの場合、１つのパッケージに弾性表面波素子
１０を１チップ格納するため、小型化するにはパッケー
ジ１１の大きさにより限界があった。高さについてはボ
ンディングワイヤ１３とキャップ１２とが接触しないよ
う、中空部１４が必要なこと、またパッケージ１１の底
部の厚さのため、薄型化にも制約があった。一方、チッ
プ状の弾性表面波素子１０を他のＩＣ回路等と同一基板
上に搭載し同時に樹脂封止するには、そのままでは、樹
脂が励振する電極表面に触れるため、弾性表面波装置と
しての所望の電気的特性が得られないという問題があっ
た。
【０００４】本発明の目的は、従来技術の問題点となる
高価なパッケージを使用せずに、弾性表面波素子等の表
面波が励振する電極面に中空部を設け、かつ、気密封止
して、小型，薄型化できるようにしたチップ状弾性表面
波装置及びその製造方法を提供することにある。
高価なパッケージを使用せずに、弾性表面波素子等の表
面波が励振する電極面に中空部を設け、かつ、気密封止
して、小型，薄型化できるようにしたチップ状弾性表面
波装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のチップ状弾性表
面波装置は、圧電基板と、該圧電基板上に形成され交差
指電極部と端子電極部とからなる弾性表面波素子電極
と、前記端子電極部が外側になり前記交差指電極部を囲
み該交差指電極部の上側に中空部を形成するように前記
圧電基板上に設けられた金属製の囲いと、該囲いの上面
から前記中空部を覆って超音波溶着された金属箔と、該
金属箔の上面に設けられたポリイミド樹脂層とを備えた
ことを特徴とするものである。さらに、前記弾性表面波
素子電極および前記囲いは金で形成され、前記金属箔は
アルミニュウムで形成されたことを特徴とし、または、
前記弾性表面波素子電極および前記囲いはアルミニュウ
ムで形成され、前記金属箔は金で形成されたことを特徴
とするものである。
面波装置は、圧電基板と、該圧電基板上に形成され交差
指電極部と端子電極部とからなる弾性表面波素子電極
と、前記端子電極部が外側になり前記交差指電極部を囲
み該交差指電極部の上側に中空部を形成するように前記
圧電基板上に設けられた金属製の囲いと、該囲いの上面
から前記中空部を覆って超音波溶着された金属箔と、該
金属箔の上面に設けられたポリイミド樹脂層とを備えた
ことを特徴とするものである。さらに、前記弾性表面波
素子電極および前記囲いは金で形成され、前記金属箔は
アルミニュウムで形成されたことを特徴とし、または、
前記弾性表面波素子電極および前記囲いはアルミニュウ
ムで形成され、前記金属箔は金で形成されたことを特徴
とするものである。
【０００６】そして、その製造方法は、ウエハ状の圧電
基板上に交差指電極部と端子電極部とからなる弾性表面
波素子電極を多数形成する素子形成工程と、前記端子電
極部が外側になり前記交差指電極部を囲み該交差指電極
部の上側に中空部を形成する金属製の囲いを形成させる
囲い形成工程と、該囲いの上面から金属箔を載せ中空部
を覆って該囲いに超音波溶着する金属箔形成工程と、該
金属箔の上面に感光性ポリイミド樹脂を塗布してポリイ
ミド樹脂層を形成したのち前記囲いの外周で囲まれた部
分を残して他の部分を除去するポリイミド層形成工程
と、該ポリイミド層の周囲に露出している前記金属箔を
ウエットエッチングによって除去する金属箔除去工程
と、前記囲いの前記端子電極部分の切れ目を封止用樹脂
で封止し前記中空部を気密封止する樹脂封止工程と、ウ
エハ状の圧電基板上に形成された多数の弾性表面波素子
を分離してチップ状弾性表面波装置を得るダイシング工
程とが備えられたことを特徴とするものである。
基板上に交差指電極部と端子電極部とからなる弾性表面
波素子電極を多数形成する素子形成工程と、前記端子電
極部が外側になり前記交差指電極部を囲み該交差指電極
部の上側に中空部を形成する金属製の囲いを形成させる
囲い形成工程と、該囲いの上面から金属箔を載せ中空部
を覆って該囲いに超音波溶着する金属箔形成工程と、該
金属箔の上面に感光性ポリイミド樹脂を塗布してポリイ
ミド樹脂層を形成したのち前記囲いの外周で囲まれた部
分を残して他の部分を除去するポリイミド層形成工程
と、該ポリイミド層の周囲に露出している前記金属箔を
ウエットエッチングによって除去する金属箔除去工程
と、前記囲いの前記端子電極部分の切れ目を封止用樹脂
で封止し前記中空部を気密封止する樹脂封止工程と、ウ
エハ状の圧電基板上に形成された多数の弾性表面波素子
を分離してチップ状弾性表面波装置を得るダイシング工
程とが備えられたことを特徴とするものである。
【０００７】
【実施例】まず、本発明のチップ状弾性表面波装置の製
造方法について説明する。図１，図２は本発明の製造方
法を説明する製造工程順の平面図（Ａ）〜（Ｇ）とそれ
ぞれ対応するＸＸ’断面図（ａ）〜（ｇ）である。図に
おいて、１は圧電基板であり、一枚のウエハ状の圧電基
板に多数の弾性表面波素子を作り込み、最終のダイシン
グ工程で切断分割されるチップの大きさで図示してあ
る。２は弾性表面波素子電極（ＳＡＷ電極）であり、交
差指電極部分と端子電極部分とからなる。図の平面図
（Ａ）〜（Ｅ）では交差指電極部分の詳細図示を省略し
た。３は囲い、４は金属箔、５は感光性ポリイミド樹脂
層、６は封止用樹脂、７は中空部である。
造方法について説明する。図１，図２は本発明の製造方
法を説明する製造工程順の平面図（Ａ）〜（Ｇ）とそれ
ぞれ対応するＸＸ’断面図（ａ）〜（ｇ）である。図に
おいて、１は圧電基板であり、一枚のウエハ状の圧電基
板に多数の弾性表面波素子を作り込み、最終のダイシン
グ工程で切断分割されるチップの大きさで図示してあ
る。２は弾性表面波素子電極（ＳＡＷ電極）であり、交
差指電極部分と端子電極部分とからなる。図の平面図
（Ａ）〜（Ｅ）では交差指電極部分の詳細図示を省略し
た。３は囲い、４は金属箔、５は感光性ポリイミド樹脂
層、６は封止用樹脂、７は中空部である。
【０００８】図３，図４は本発明の実施例を示す製造フ
ローチャートであり、（１）〜（２６）は工程番号を示
す。以下、図１，図２の構造と、図３，図４の工程とを
対比しながら説明する。まず、ＳＡＷ素子作成工程
（１）〜（９）によって（Ａ）（ａ）のように圧電基板
１上に金（Ａｕ）のＳＡＷ電極２を形成する。次に、囲
い形成工程（１０）〜（１６）によって、（Ｂ）（ｂ）
のように金（Ａｕ）の囲い３を形成する。この囲い３
は、図に示すようにＳＡＷ電極２の交差指電極部と端子
部（ボンディングパッド）との間の接続部分に僅かな間
隙を設け、（ｂ）のようにＳＡＷ電極２の膜厚より厚く
（高く）する。
ローチャートであり、（１）〜（２６）は工程番号を示
す。以下、図１，図２の構造と、図３，図４の工程とを
対比しながら説明する。まず、ＳＡＷ素子作成工程
（１）〜（９）によって（Ａ）（ａ）のように圧電基板
１上に金（Ａｕ）のＳＡＷ電極２を形成する。次に、囲
い形成工程（１０）〜（１６）によって、（Ｂ）（ｂ）
のように金（Ａｕ）の囲い３を形成する。この囲い３
は、図に示すようにＳＡＷ電極２の交差指電極部と端子
部（ボンディングパッド）との間の接続部分に僅かな間
隙を設け、（ｂ）のようにＳＡＷ電極２の膜厚より厚く
（高く）する。
【０００９】次に、工程（１７）で、例えば、アルミ箔
などの金属箔４を囲い３の上に一様に張った状態で載
せ、工程（１８）で超音波溶着して（Ｃ）（ｃ）図のよ
うにする。
などの金属箔４を囲い３の上に一様に張った状態で載
せ、工程（１８）で超音波溶着して（Ｃ）（ｃ）図のよ
うにする。
【００１０】次に、図４のポリイミド層形成工程（１
９）〜（２３）の工程（１９）で、金属箔４の上に感光
性ボリイミド樹脂を図２（Ｄ）（ｄ）のように塗布し、
プリベーク工程（２０）、露光工程（２１）、現像工程
（２２）、ポストベーク工程（２３）によってポリイミ
ド層を形成するとともに、図２（Ｅ）（ｅ）のようにＳ
ＡＷ電極２のボンディングパッド部分の内側、例えば、
囲い３の外側で囲まれた面を残して周囲のポリイミド層
を除去する。
９）〜（２３）の工程（１９）で、金属箔４の上に感光
性ボリイミド樹脂を図２（Ｄ）（ｄ）のように塗布し、
プリベーク工程（２０）、露光工程（２１）、現像工程
（２２）、ポストベーク工程（２３）によってポリイミ
ド層を形成するとともに、図２（Ｅ）（ｅ）のようにＳ
ＡＷ電極２のボンディングパッド部分の内側、例えば、
囲い３の外側で囲まれた面を残して周囲のポリイミド層
を除去する。
【００１１】次に、ウエハエッチング工程（２４）で周
囲の金属箔４を取り除いて（Ｆ）（ｆ）のようにする。
次に、樹脂封止工程（２５）で（Ｇ）（ｇ）のようにボ
ンディングパッド部分の囲い３の切れ目を封止用樹脂６
で封止したのち、ダイシング工程（２６）でチップ状に
切断分割する。
囲の金属箔４を取り除いて（Ｆ）（ｆ）のようにする。
次に、樹脂封止工程（２５）で（Ｇ）（ｇ）のようにボ
ンディングパッド部分の囲い３の切れ目を封止用樹脂６
で封止したのち、ダイシング工程（２６）でチップ状に
切断分割する。
【００１２】図２（Ｇ）及び（ｇ）は上述の製造方法で
作られた本発明によるチップ状弾性表面波装置の平面図
とＸＸ’断面図であり、ＳＡＷ電極２の交差指電極部分
に中空部７が形成されて機密封止され、端子電極（ボン
ディングパッド部）が露出した弾性表面波装置が実現さ
れる。
作られた本発明によるチップ状弾性表面波装置の平面図
とＸＸ’断面図であり、ＳＡＷ電極２の交差指電極部分
に中空部７が形成されて機密封止され、端子電極（ボン
ディングパッド部）が露出した弾性表面波装置が実現さ
れる。
【００１３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、ウエハ単位のバッチ処理が可能であるため、従来
のチップ毎のパッケージの組み込み工程，パッケージ封
止工程，ダイボンディング工程が不要となり、工数低減
によるコストダウンが図られる。また、高価で大型なパ
ッケージを使用する必要がないため、ＳＡＷデバイスを
小型，薄型にすることが可能であり、機器の小型化，薄
型化，低コスト化に貢献できるという実用上極めて大き
い効果がある。
れば、ウエハ単位のバッチ処理が可能であるため、従来
のチップ毎のパッケージの組み込み工程，パッケージ封
止工程，ダイボンディング工程が不要となり、工数低減
によるコストダウンが図られる。また、高価で大型なパ
ッケージを使用する必要がないため、ＳＡＷデバイスを
小型，薄型にすることが可能であり、機器の小型化，薄
型化，低コスト化に貢献できるという実用上極めて大き
い効果がある。
【図１】本発明の製造方法の前半工程における構造例図
である。
である。
【図２】本発明の製造方法の後半工程における構造例図
である。
である。
【図３】本発明の製造フローチャート（前半）である。
【図４】本発明の製造フローチャート（後半）である。
【図５】従来の弾性表面波装置の構造例図である。
１ 圧電基板 ２ ＳＡＷ電極 ３ 囲い ４ 金属箔 ５ ポリイミド樹脂層 ６ 封止用樹脂 ７ 中空部 １０ ＳＡＷ素子 １１ セラミックパッケージ １２ キャップ １３ ボンディングワイヤ １４ 中空部
Claims (4)
- 【請求項１】 圧電基板と、該圧電基板上に形成され交
差指電極部と端子電極部とからなる弾性表面波素子電極
と、前記端子電極部が外側になり前記交差指電極部を囲
み該交差指電極部の上側に中空部を形成するように前記
圧電基板上に設けられた金属製の囲いと、該囲いの上面
から前記中空部を覆って超音波溶着された金属箔と、該
金属箔の上面に設けられたポリイミド樹脂層とを備え、
前記中空部が気密封止されたチップ状弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記弾性表面波素子電極および前記囲い
は金で形成され、前記金属箔はアルミニュウムで形成さ
れたことを特徴とする請求項１記載のチップ状弾性表面
波装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の弾性表面波素子電極およ
び前記囲いはアルミニュウムで形成され、前記金属箔は
金で形成されたことを特徴とする請求項１記載のチップ
状弾性表面波装置。 - 【請求項４】 ウエハ状の圧電基板上に交差指電極部と
端子電極部とからなる弾性表面波素子電極を多数形成す
る素子形成工程と、 前記端子電極部が外側になり前記交差指電極部を囲み該
交差指電極部の上側に中空部を形成する金属製の囲いを
形成させる囲い形成工程と、 該囲いの上面から金属箔を載せ中空部を覆って該囲いに
超音波溶着する金属箔形成工程と、 該金属箔の上面に感光性ポリイミド樹脂を塗布してポリ
イミド樹脂層を形成したのち前記囲いの外周で囲まれた
部分を残して他の部分を除去するポリイミド層形成工程
と、 該ポリイミド層の周囲に露出している前記金属箔をウエ
ットエッチングによって除去する金属箔除去工程と、 前記囲いの前記端子電極部分の切れ目を封止用樹脂で封
止し前記中空部を気密封止する樹脂封止工程と、 ウエハ状の圧電基板上に形成された多数の弾性表面波素
子を分離してチップ状弾性表面波装置を得るダイシング
工程とが備えられたチップ状弾性表面波装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17388595A JPH098596A (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | チップ状弾性表面波装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17388595A JPH098596A (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | チップ状弾性表面波装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098596A true JPH098596A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15968920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17388595A Pending JPH098596A (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | チップ状弾性表面波装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098596A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999043084A1 (de) * | 1998-02-18 | 1999-08-26 | Epcos Ag | Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements, insbesondere eines mit akustischen oberflächenwellen arbeitenden ofw-bauelements |
| WO2006020744A2 (en) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Tessera, Inc. | Structure and method of forming capped chips |
-
1995
- 1995-06-19 JP JP17388595A patent/JPH098596A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999043084A1 (de) * | 1998-02-18 | 1999-08-26 | Epcos Ag | Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements, insbesondere eines mit akustischen oberflächenwellen arbeitenden ofw-bauelements |
| US6722030B1 (en) | 1998-02-18 | 2004-04-20 | Epcos Ag | Process for manufacturing an electronic component, in particular a surface-wave component working with acoustic surface waves |
| WO2006020744A2 (en) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Tessera, Inc. | Structure and method of forming capped chips |
| WO2006020744A3 (en) * | 2004-08-12 | 2006-06-08 | Tessera Inc | Structure and method of forming capped chips |
| US7351641B2 (en) | 2004-08-12 | 2008-04-01 | Tessera, Inc. | Structure and method of forming capped chips |
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