CN117294279A - 晶圆级封装的声表面波滤波器及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 122
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 87
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 188
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
本发明提供了一种晶圆级封装的声表面波滤波器及其制造方法，通过在压电衬底上形成钝化层，在钝化层上形成顶盖层，从而形成空腔结构。由此，既可以方便地形成空腔结构，所述钝化层和所述压电衬底以及所述顶盖层能够很好地结合，保持极佳的稳定性，从而能够避免空腔结构的塌陷，提高所形成的晶圆级封装的声表面波滤波器的质量和可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及通信技术领域，特别涉及一种晶圆级封装的声表面波滤波器及其制造方法。
背景技术
随着集成电路工艺的发展，晶圆级封装(Wafer Level Package，WLP)得到的器件面积与芯片的面积几乎相同，可以满足日益发展的微型化、小型化设计需求。目前，很多具有通信功能的电子设备中通常设置有多个声表面波滤波器(Surface Acoustic WaveFilter，SAWF)。而声表面波滤波器需要空腔结构保护叉指换能器(InterdigitalTransducer，IDT)，以确保叉指换能器能够实现滤波功能。目前业内形成空腔结构主要有晶圆级封装(Wafer Level Package，WLP)形式和芯片级封装(Chip Size Package，CSP)形式。
晶圆级封装的声表面波滤波器相较于芯片级封装的声表面波滤波器，工艺复杂度较高，但是相对封装尺寸较小，能够满足当前高集成度的封装要求。此外，现有的晶圆级封装的声表面波滤波器容易发生空腔结构塌陷，造成叉指换能器失效的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆级封装的声表面波滤波器及其制造方法，以解决现有技术中的晶圆级封装的声表面波滤波器容易发生空腔结构塌陷的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆级封装的声表面波滤波器，所述晶圆级封装的声表面波滤波器包括：
压电衬底，所述压电衬底上形成有叉指换能器；
位于所述压电衬底上的钝化层，所述钝化层围绕所述叉指换能器，并暴露出所述叉指换能器的表面；以及，
顶盖层，所述顶盖层位于所述钝化层远离所述压电衬底的一侧，所述顶盖层和所述叉指换能器之间具有间隔，以形成空腔结构。
可选的，在所述的晶圆级封装的声表面波滤波器中，所述晶圆级封装的声表面波滤波器还包括位于所述压电衬底上的导电衬垫，所述导电衬垫和所述叉指换能器位于所述压电衬底的同侧，所述钝化层还暴露出所述导电衬垫。
可选的，在所述的晶圆级封装的声表面波滤波器中，所述钝化层中具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述叉指换能器，所述第二开口暴露出所述导电衬垫；所述顶盖层中具有第三开口，至少部分所述第三开口正对至少部分所述第二开口并暴露出所述导电衬垫。
可选的，在所述的晶圆级封装的声表面波滤波器中，所述晶圆级封装的声表面波滤波器还包括导电柱和焊球，所述导电柱填充在所述第三开口和所述第二开口中并和所述导电衬垫电连接，所述焊球和所述导电柱电连接。
可选的，在所述的晶圆级封装的声表面波滤波器中，所述钝化层中具有第一开口，所述第一开口暴露出所述叉指换能器；所述钝化层相对于所述压电衬底内缩，所述导电衬垫位于所述钝化层远离所述叉指换能器的一侧。
可选的，在所述的晶圆级封装的声表面波滤波器中，所述晶圆级封装的声表面波滤波器还包括再布线结构和焊球，所述再布线结构和所述导电衬垫电连接，所述焊球和所述再布线结构电连接。
可选的，在所述的晶圆级封装的声表面波滤波器中，所述钝化层的材质为氧化物或者氮化物。
可选的，在所述的晶圆级封装的声表面波滤波器中，所述顶盖层为半导体晶圆。
本发明还提供一种晶圆级封装的声表面波滤波器的制造方法，所述晶圆级封装的声表面波滤波器的制造方法包括：
提供压电衬底；
在所述压电衬底上形成钝化层，所述钝化层中具有第一开口；
在所述压电衬底上形成叉指换能器，所述叉指换能器位于所第一开口内；以及，
在所述钝化层上形成顶盖层，所述顶盖层和所述叉指换能器之间具有间隔，以形成空腔结构。
本发明还提供另一种晶圆级封装的声表面波滤波器的制造方法，所述晶圆级封装的声表面波滤波器的制造方法包括：
提供压电衬底；
在所述压电衬底上形成叉指换能器；
在所述压电衬底上形成钝化层，所述钝化层覆盖所述叉指换能器；
刻蚀所述钝化层以形成第一开口，所述第一开口暴露出所述叉指换能器；以及，
在所述钝化层上形成顶盖层，所述顶盖层和所述叉指换能器之间具有间隔，以形成空腔结构。
可选的，在所述的晶圆级封装的声表面波滤波器的制造方法中，所述钝化层的材质为氧化物或者氮化物，所述顶盖层为半导体晶圆。
在本发明提供的晶圆级封装的声表面波滤波器及其制造方法中，通过在压电衬底上形成钝化层，在钝化层上形成顶盖层，从而形成空腔结构。由此，既可以方便地形成空腔结构，所述钝化层和所述压电衬底以及所述顶盖层能够很好地结合，保持极佳的稳定性，从而能够避免空腔结构的塌陷，提高所形成的晶圆级封装的声表面波滤波器的质量和可靠性。
附图说明
图1是本发明实施例的晶圆级封装的声表面波滤波器的制造方法的流程示意图。
图2是本发明实施例提供的压电衬底的剖面示意图，所述压电衬底上形成有钝化层。
图3是本发明实施例提供的钝化层的剖面示意图，所述钝化层中形成有第一开口和第二开口。
图4是本发明实施例提供的形成了叉指换能器后的器件剖面示意图。
图5是本发明实施例提供的形成了顶盖层后的器件剖面示意图。
图6是本发明实施例提供的形成了导电柱后的器件剖面示意图。
图7是本发明实施例提供的形成了焊球后的器件剖面示意图。
图8是本发明实施例的晶圆级封装的声表面波滤波器的制造方法的流程示意图。
图9是本发明实施例提供的压电衬底的剖面示意图，所述压电衬底上形成有叉指换能器。
图10是本发明实施例提供的形成钝化层后的器件剖面示意图，所述钝化层覆盖所述叉指换能器。
图11是本发明实施例提供的晶圆级封装的声表面波滤波器的结构示意图。
其中，附图标记说明如下：
100-压电衬底；110、210-钝化层；112、212-第一开口；114-第二开口；120-叉指换能器；122-导电衬垫；130、230-顶盖层；132、232-空腔结构；134-第三开口；140-导电柱；150-焊球；160-再布线结构。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的晶圆级封装的声表面波滤波器及其制造方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明使用的术语仅仅是出于描述特定实施方式的目的，而非旨在限制本发明。除非本申请文件中另作定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。除非另行指出，“上/上层”和/或“下/下层”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者结构涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者结构及其等同，并不排除其他元件或者结构。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
本发明的核心思想在于，提供一种晶圆级封装的声表面波滤波器及其制造方法，通过在压电衬底上形成钝化层，在钝化层上形成顶盖层，从而形成空腔结构。由此，既可以方便地形成空腔结构，所述钝化层和所述压电衬底以及所述顶盖层能够很好地结合，保持极佳的稳定性，从而能够避免空腔结构的塌陷，提高所形成的晶圆级封装的声表面波滤波器的质量和可靠性。
接下去结合附图和如下实施例对本发明提出的晶圆级封装的声表面波滤波器及其制造方法作进一步描述。
【实施例一】
请参考图1，其为本发明实施例的晶圆级封装的声表面波滤波器的制造方法的流程示意图。如图1所示，在本申请实施例中，所述晶圆级封装的声表面波滤波器的制造方法具体包括如下步骤：
步骤S10：提供压电衬底；
步骤S11：在所述压电衬底上形成钝化层，所述钝化层中具有第一开口；
步骤S12：在所述压电衬底上形成叉指换能器，所述叉指换能器位于所第一开口内；以及，
步骤S13：在所述钝化层上形成顶盖层，所述顶盖层和所述叉指换能器之间具有间隔，以形成空腔结构。
具体的，请参考图2，提供压电衬底100。其中，所述压电衬底100可以是单层结构，也可以是多层层叠结构。在本申请的一实施例中，所述压电衬底100可以仅包括一压电层，所述压电层的材质例如可以为LT(钽酸锂)、LN(铌酸锂)、AlN(氮化铝)、PZT(锆钛酸铅压电陶瓷)或者ZnO(氧化锌)等。在本申请的另一实施例中，所述压电衬底100可以包括压电层，进一步还可以包括衬底层、陷阱层和/或介质层。例如，所述压电衬底100可以包括压电层、衬底层和介质层，其中，所述介质层位于所述衬底层上，所述压电层位于所述介质层上；又如，所述压电衬底100可以包括压电层、衬底层、陷阱层和介质层，其中，所述陷阱层位于所述衬底层上，所述介质层位于所述陷阱层上，所述压电层位于所述介质层上。进一步的，所述衬底层的材质例如可以是硅；所述陷阱层的材质例如可以是多晶硅；所述介质层的材质例如可以是二氧化硅、氮化硅等。
在本申请实施例中，所述压电衬底100上形成有钝化层110，如图2所示，所述钝化层110覆盖所述压电衬底100的表面。其中，所述钝化层110的材质可选为氧化物或者氮化物。进一步的，可以通过涂布或者沉积工艺形成所述钝化层110。在本申请实施例中，所述钝化层110的材质为氧化硅，其通过沉积工艺形成。
相对于现有技术中使用的干膜，所述钝化层110的材质和所述压电衬底100的材质特性更加相近，因而两者之间的结合力更佳。进一步的，现有技术中，压电衬底和干膜材质的腔侧壁之间主要通过材料本身的粘结性这一物理特性结合，而在本申请实施例中，所述压电衬底100和所述钝化层110之间主要通过化学键这一化学特性结合，因而所述钝化层110和所述压电衬底100的结合效果会更佳。此外，在本申请实施例中，通过沉积工艺在所述压电衬底100上形成所述钝化层110，其也可以进一步提高两者之间的结合效果。
请参考图3，接着，刻蚀所述钝化层110，以在所述钝化层110中形成第一开口112。所述第一开口112贯穿所述钝化层110，以暴露出所述压电衬底100。在本申请实施例中，同时还通过所述刻蚀工艺在所述钝化层110中形成第二开口114。所述第二开口114同样贯穿所述钝化层110。在此，形成有一个所述第一开口112以及多个所述第二开口114，其中，所述第一开口112的截面宽度大于所述第二开口114的截面宽度。
具体的，可以先在所述钝化层110上形成光阻层(图中未示出)；接着，通过曝光、显影工艺形成图形化的光阻层；接着，利用所述图形化的光阻层作为掩膜，刻蚀所述钝化层110，以在所述钝化层110中形成所述第一开口112和所述第二开口114，所述第一开口112和所述第二开口114均贯穿所述钝化层110以暴露出所述压电衬底100；然后，剥离所述图形化的光阻层。
如图4所示，在本申请实施例中，接着，在所述压电衬底100上形成叉指换能器120，所述叉指换能器120位于所述第一开口112内。进一步的，还在所述压电衬底100上形成导电衬垫122，所述导电衬垫122位于所述第二开口114内。在此，在所述压电衬底100上形成多个所述导电衬垫122，各所述导电衬垫122对应位于各所述第二开口114内。其中，所述叉指换能器120和所述导电衬垫122同时形成，具体的，可以采用溅射、电镀等工艺形成所述叉指换能器120和所述导电衬垫122。所述叉指换能器120和所述导电衬垫122的材质相同，均为金属，具体例如可以是金、银、铝、铜、钨、钛、镍、金属合金等。
其中，所述叉指换能器120和所述导电衬垫122的厚度小于所述钝化层110的厚度。也即，所述钝化层110的表面高于所述叉指换能器120的表面，同时，还高于所述导电衬垫122的表面。
接着，如图5所示，在所述钝化层110上形成顶盖层130，所述顶盖层130和所述叉指换能器120之间具有间隔，以形成空腔结构132。即在本申请实施例中，所述压电衬底100作为所述空腔结构132的腔底，所述钝化层110作为所述空腔结构132的腔侧壁，所述顶盖层130作为所述空腔结构132的腔顶。由于所述钝化层110能够和所述压电衬底100以及所述顶盖层130很好地结合，从而能够保证所述空腔结构132的稳定性，避免所述空腔结构132塌陷。
可选的，所述顶盖层130为半导体晶圆，其可以通过贴膜的工艺形成于所述钝化层110上。在本申请实施例中，所述顶盖层130为硅片。同样的，相对于现有技术中干膜材质的腔侧壁，所述钝化层110能够和所述顶盖层130很好地相结合。即，所述空腔结构132的腔底、腔侧壁以及腔顶之间具有很好地结合力，从而能够保证所述空腔结构132的稳定性，避免所述空腔结构132塌陷。
如图6所示，在本申请实施例中，进一步的，在所述顶盖层130中形成第三开口134，至少部分的所述第三开口134正对至少部分的所述第二开口114，以暴露出所述导电衬垫122。
其中，所述第三开口134沿着第一方向的截面宽度可以大于、等于或者小于所述第二开口114沿着所述第一方向的截面宽度，所述第一方向为所述压电衬底100的延伸方向。进一步的，可以整个所述第三开口134正对整个或者部分所述第二开口114，此时，所述第三开口134的截面宽度小于或者等于所述第二开口114的截面宽度。也可以部分所述第三开口134正对整个或者部分所述第二开口114，此时，所述第三开口134的截面宽度大于、等于或者小于所述第二开口114的截面宽度。
在此，所述第三开口134的数量和所述第二开口114的数量相对应。具体的，可以采用刻蚀、镭射等工艺形成所述第三开口134，所述第三开口134正对所述第二开口114并贯穿所述顶盖层130。
请继续参考图6，接着，形成导电柱140，所述导电柱140填充所述第三开口134和所述第二开口114中，并和所述导电衬垫122电连接。具体的，可以先在所述第三开口134和所述第二开口114的内壁溅射一种子层(图中未示出)，接着在所述种子层上电镀一金属层(图中未示出)以形成所述导电柱140。
接着，如图7所示，在所述导电柱140上形成焊球150，所述焊球150和所述导电柱140电性连接。具体的，可以采用植球工艺形成所述焊球150。
相应的，本实施例还提供一种晶圆级封装的声表面波滤波器，请继续参考图7，所述晶圆级封装的声表面波滤波器包括：压电衬底100、钝化层110以及顶盖层130。其中，所述压电衬底100上形成有叉指换能器120，所述钝化层110围绕所述叉指换能器120，并暴露出所述叉指换能器120的表面。所述顶盖层130位于所述钝化层110上，且位于所述钝化层110远离所述压电衬底100的一侧，所述顶盖层130和所述叉指换能器120之间具有间隔，以形成空腔结构132。
在本实施例中，所述晶圆级封装的声表面波滤波器还包括位于所述压电衬底100上的导电衬垫122，所述导电衬垫122和所述叉指换能器120位于所述压电衬底100的同侧，所述钝化层110还暴露出所述导电衬垫122。具体的，所述钝化层110中具有第一开口112和第二开口114，所述第一开口112暴露出所述叉指换能器120，所述第二开口114暴露出所述导电衬垫122。进一步的，所述顶盖层130中具有第三开口134，至少部分所述第三开口134正对至少部分所述第二开口114并暴露出所述导电衬垫122。
在本实施例中，所述晶圆级封装的声表面波滤波器还包括导电柱140和焊球150，所述导电柱140填充在所述第三开口134和所述第二开口114中，并和所述导电衬垫122电连接，所述焊球150和所述导电柱140电连接。
在本实施例提供的晶圆级封装的声表面波滤波器及其制造方法中，通过在压电衬底上形成钝化层，在钝化层上形成顶盖层，从而形成空腔结构。由此，既可以方便地形成空腔结构，所述钝化层和所述压电衬底以及所述顶盖层能够很好地结合，保持极佳的稳定性，从而能够避免空腔结构的塌陷，提高所形成的晶圆级封装的声表面波滤波器的质量和可靠性。
【实施例二】
本实施例二和实施例一的差别主要在于钝化层和叉指换能器的形成顺序不同。在实施例一中，先形成钝化层，所述钝化层中具有第一开口，接着形成叉指换能器，所述叉指换能器位于所述第一开口中；而在本实施例二中，先形成叉指换能器，接着形成钝化层，并刻蚀所述钝化层以形成第一开口，所述第一开口暴露出所述叉指换能器。
在本实施例接下去的描述中，主要对于与实施例一相区别的部分加以描述，其中，相同或者相似的部分可以相应参考实施例一，本实施例二对此不再赘述。
具体的，请参考图8，在本实施例二中，所述晶圆级封装的声表面波滤波器的制造方法具体包括如下步骤：
步骤S20：提供压电衬底；
步骤S21：在所述压电衬底上形成叉指换能器；
步骤S22：在所述压电衬底上形成钝化层，所述钝化层覆盖所述叉指换能器；
步骤S23：刻蚀所述钝化层以形成第一开口，所述第一开口暴露出所述叉指换能器；以及，
步骤S24：在所述钝化层上形成顶盖层，所述顶盖层和所述叉指换能器之间具有间隔，以形成空腔结构。
相应的，首先，请参考图9，提供压电衬底100。接着，在所述压电衬底100上形成叉指换能器120，在本申请实施例中，还同时形成导电衬垫122。
接着，如图10所示，在所述压电衬底100上形成钝化层110，所述钝化层110覆盖所述叉指换能器120以及所述导电衬垫122。
接着，可相应参考图4，刻蚀所述钝化层110，以形成第一开口112，所述第一开口112暴露出所述叉指换能器120。在本申请实施例中，同时还形成第二开口114，所述第二开口暴露出所述导电衬垫122。
接着，可相应参考图5至图7，形成顶盖层130，进一步的还可以形成导电柱140以及焊球150等，本实施例不再赘述。
【实施例三】
本实施例三和实施例一或者实施例二的差别主要在于，暴露出导电衬垫的方式以及电连接导电衬垫的方式不同。在本实施例三中，既可以先形成钝化层，所述钝化层中具有第一开口，接着形成叉指换能器，所述叉指换能器位于所述第一开口中；也可以先形成叉指换能器，接着形成钝化层，并刻蚀所述钝化层以形成第一开口，所述第一开口暴露出所述叉指换能器，本实施例三对此不作限定。
在本实施例接下去的描述中，主要对于与实施例一、实施例二相区别的部分加以描述，其中，相同或者相似的部分可以相应参考实施例一、实施例二，本实施例三对此不再赘述。
如图11所示，在本实施例中，所述晶圆级封装的声表面波滤波器包括：压电衬底100，所述压电衬底100上形成有叉指换能器120；位于所述压电衬底100上的钝化层210，所述钝化层210围绕所述叉指换能器120，并暴露出所述叉指换能器120的表面；以及，顶盖层230，所述顶盖层230位于所述钝化层210远离所述压电衬底100的一侧，所述顶盖层230和所述叉指换能器120之间具有间隔，以形成空腔结构232。
在本实施例中，所述钝化层210中具有第一开口212，所述第一开口212暴露出所述叉指换能器120。进一步的，所述钝化层210相对于所述压电衬底100内缩，暴露出位于边缘位置的所述压电衬底100。所述晶圆级封装的声表面波滤波器还包括位于所述压电衬底100上的导电衬垫122，具体的，所述导电衬垫122位于边缘位置的所述压电衬底100上。所述导电衬垫122位于所述钝化层210外侧，即，所述压电衬底122位于所述钝化层210远离所述叉指换能器120的一侧，所述钝化层210暴露出所述导电衬垫122。在本申请实施例中，由于所述导电衬垫122位于所述钝化层210外侧，相应的，不需要在所述钝化层210中形成第二开口以暴露出所述导电衬垫122。
请继续参考图11，在本实施例三中，所述顶盖层230的材质可以为介质材料或者干膜等。所述顶盖层230位于所述钝化层210上，进一步的，所述顶盖层230还可以延伸覆盖所述钝化层230的外侧壁，在此所述外侧壁为所述钝化层230远离所述叉指换能器120的侧壁。此时，至少部分所述导电衬垫122位于覆盖所述钝化层230外侧壁的所述顶盖层230之外，即至少部分所述导电衬垫122位于覆盖所述钝化层230外侧壁的所述顶盖层230远离所述叉指换能器120的一侧，从而所述顶盖层230暴露出至少部分所述导电衬垫122。由于所述顶盖层230包覆在所述钝化层230外侧，即提高了所述空腔结构232的腔侧壁的稳定性和可靠性，从而提高了所述空腔结构232的稳定性。进一步的，还能提高所述顶盖层230和所述钝化层210连接的稳定性和可靠性，即提高腔侧壁和腔顶的连接稳定性和可靠性，从而进一步提高所述空腔结构232的稳定性和可靠性，避免空腔结构塌陷的发生。
在本申请实施例中，所述晶圆级封装的声表面波滤波器还包括再布线结构160和焊球150，所述再布线结构160和所述导电衬垫122电连接，所述焊球150和所述再布线结构160电连接。
具体的，在形成顶盖层230之后，接着可以通过金属层的沉积以及刻蚀工艺形成所述再布线结构160。所述再布线结构160覆盖所述顶盖层230的部分表面，并延伸覆盖所述钝化层230的外侧壁或者覆盖所述钝化层230外侧壁的所述顶盖层230，以及延伸覆盖至少部分所述导电衬垫122，以与所述导电衬垫122电连接。
接着，可以在覆盖所述顶盖层230的所述再布线结构160上通过植球工艺形成所述焊球150，以使得所述焊球150和所述再布线结构160电连接。
综上可见，在本发明提供的晶圆级封装的声表面波滤波器及其制造方法中，通过在压电衬底上形成钝化层，在钝化层上形成顶盖层，从而形成空腔结构。由此，既可以方便地形成空腔结构，所述钝化层和所述压电衬底以及所述顶盖层能够很好地结合，保持极佳的稳定性，从而能够避免空腔结构的塌陷，提高所形成的晶圆级封装的声表面波滤波器的质量和可靠性。
在本申请中，对“一个实施例”、“一些实施例”的提及意味着结合该实施例描述的特征、结构或特性包含在本申请的至少一个实施例、至少一些实施例中。因此，短语“在一个实施例中”、“在一些实施例中”在本申请的各处的出现未必是指同一个或同一些实施例。此外，在一个或多个实施例中，可以任何合适的组合和/或子组合来组合特征、结构或特性。
虽然已经通过示例对本申请的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本申请的范围。本申请的各实施例可以任意组合，而不脱离本申请的精神和范围。本领域的技术人员还应理解，可以对实施例进行多种修改而不脱离本申请的范围和精神。本申请的范围由所附权利要求来限定。
Claims (11)
1.一种晶圆级封装的声表面波滤波器，其特征在于，所述晶圆级封装的声表面波滤波器包括：
压电衬底，所述压电衬底上形成有叉指换能器；
位于所述压电衬底上的钝化层，所述钝化层围绕所述叉指换能器，并暴露出所述叉指换能器的表面；以及，
顶盖层，所述顶盖层位于所述钝化层远离所述压电衬底的一侧，所述顶盖层和所述叉指换能器之间具有间隔，以形成空腔结构。
2.如权利要求1所述的晶圆级封装的声表面波滤波器，其特征在于，所述晶圆级封装的声表面波滤波器还包括位于所述压电衬底上的导电衬垫，所述导电衬垫和所述叉指换能器位于所述压电衬底的同侧，所述钝化层还暴露出所述导电衬垫。
3.如权利要求2所述的晶圆级封装的声表面波滤波器，其特征在于，所述钝化层中具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述叉指换能器，所述第二开口暴露出所述导电衬垫；所述顶盖层中具有第三开口，至少部分所述第三开口正对至少部分所述第二开口并暴露出所述导电衬垫。
4.如权利要求3所述的晶圆级封装的声表面波滤波器，其特征在于，所述晶圆级封装的声表面波滤波器还包括导电柱和焊球，所述导电柱填充在所述第三开口和所述第二开口中并和所述导电衬垫电连接，所述焊球和所述导电柱电连接。
5.如权利要求2所述的晶圆级封装的声表面波滤波器，其特征在于，所述钝化层中具有第一开口，所述第一开口暴露出所述叉指换能器；所述钝化层相对于所述压电衬底内缩，所述导电衬垫位于所述钝化层远离所述叉指换能器的一侧。
6.如权利要求5所述的晶圆级封装的声表面波滤波器，其特征在于，所述晶圆级封装的声表面波滤波器还包括再布线结构和焊球，所述再布线结构和所述导电衬垫电连接，所述焊球和所述再布线结构电连接。
7.如权利要求1～6中任一项所述的晶圆级封装的声表面波滤波器，其特征在于，所述钝化层的材质为氧化物或者氮化物。
8.如权利要求7所述的晶圆级封装的声表面波滤波器，其特征在于，所述顶盖层为半导体晶圆。
9.一种晶圆级封装的声表面波滤波器的制造方法，其特征在于，所述晶圆级封装的声表面波滤波器的制造方法包括：
提供压电衬底；
在所述压电衬底上形成钝化层，所述钝化层中具有第一开口；
在所述压电衬底上形成叉指换能器，所述叉指换能器位于所第一开口内；以及，
在所述钝化层上形成顶盖层，所述顶盖层和所述叉指换能器之间具有间隔，以形成空腔结构。
10.一种晶圆级封装的声表面波滤波器的制造方法，其特征在于，所述晶圆级封装的声表面波滤波器的制造方法包括：
提供压电衬底；
在所述压电衬底上形成叉指换能器；
在所述压电衬底上形成钝化层，所述钝化层覆盖所述叉指换能器；
刻蚀所述钝化层以形成第一开口，所述第一开口暴露出所述叉指换能器；以及，
在所述钝化层上形成顶盖层，所述顶盖层和所述叉指换能器之间具有间隔，以形成空腔结构。
11.如权利要求9或10所述的晶圆级封装的声表面波滤波器的制造方法，其特征在于，所述钝化层的材质为氧化物或者氮化物，所述顶盖层为半导体晶圆。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117294279A true CN117294279A (zh) | 2023-12-26 |
Family
ID=89247811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202311297776.XA Pending CN117294279A (zh) | 2023-10-09 | 2023-10-09 | 晶圆级封装的声表面波滤波器及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117294279A (zh) |
-
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