JPH098334A - 可変容量ダイオード装置 - Google Patents
可変容量ダイオード装置Info
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- JPH098334A JPH098334A JP18080595A JP18080595A JPH098334A JP H098334 A JPH098334 A JP H098334A JP 18080595 A JP18080595 A JP 18080595A JP 18080595 A JP18080595 A JP 18080595A JP H098334 A JPH098334 A JP H098334A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ段階で容量値の補正が可能であり、厳
しい規格を容易に満たせるようにする。 【構成】 主容量を得る第１の可変容量ダイオード１０
Ａの独立電極３によって、補正用の第２の可変容量ダイ
オード１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄを該可変容量ダイオード
１０Ａに並列接続可能にしてあり、可変容量ダイオード
１０Ａの容量値を大きな値に補正することができる。
しい規格を容易に満たせるようにする。 【構成】 主容量を得る第１の可変容量ダイオード１０
Ａの独立電極３によって、補正用の第２の可変容量ダイ
オード１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄを該可変容量ダイオード
１０Ａに並列接続可能にしてあり、可変容量ダイオード
１０Ａの容量値を大きな値に補正することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特性のばらつきを小さ
くし、厳しい規格を満たすことのできる可変容量ダイオ
ード装置に関する。
くし、厳しい規格を満たすことのできる可変容量ダイオ
ード装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の市場では、可変容量ダイオード装
置は移動体通信機等の高い周波数で使用される分野への
需要が拡大している。この分野で使用される可変容量ダ
イオード装置は、最大容量が数ＰＦ程度であり、容量値
のばらつきが小さいものが要求される。この分野におけ
る可変容量ダイオード装置は、容量値が小さいので可変
容量ダイオードを形成するチップの面積を小さくでき、
同じウエハから多数のチップが製造できることにおいて
有利である。
置は移動体通信機等の高い周波数で使用される分野への
需要が拡大している。この分野で使用される可変容量ダ
イオード装置は、最大容量が数ＰＦ程度であり、容量値
のばらつきが小さいものが要求される。この分野におけ
る可変容量ダイオード装置は、容量値が小さいので可変
容量ダイオードを形成するチップの面積を小さくでき、
同じウエハから多数のチップが製造できることにおいて
有利である。
【０００３】しかし、容量の規格が厳しいことによる歩
留りの低下が顕著である。容量値のばらつきは、現在の
技術レベルでは製造工程で管理しきれない製造条件の変
化に起因するものと、可変容量ダイオードが形成される
チップ部分のウエハ内の位置の違いに起因するものがあ
る。ウエハ内の容量値のばらつき、つまり後者について
はほぼ満足する状態まで小さくすることが可能である。
しかし、前者の製造条件の変化に起因するばらつきは、
製造技術の進歩が必要であるから、にわかに改善するこ
とは難しい。このような場合、主にウエハ段階での抜取
り検査による選別が行われるが、不合格になったウエハ
の可変容量ダイオードの容量値を補正することが難しい
ので、不合格のウエハは廃棄されることになり無駄が非
常に多くなる。
留りの低下が顕著である。容量値のばらつきは、現在の
技術レベルでは製造工程で管理しきれない製造条件の変
化に起因するものと、可変容量ダイオードが形成される
チップ部分のウエハ内の位置の違いに起因するものがあ
る。ウエハ内の容量値のばらつき、つまり後者について
はほぼ満足する状態まで小さくすることが可能である。
しかし、前者の製造条件の変化に起因するばらつきは、
製造技術の進歩が必要であるから、にわかに改善するこ
とは難しい。このような場合、主にウエハ段階での抜取
り検査による選別が行われるが、不合格になったウエハ
の可変容量ダイオードの容量値を補正することが難しい
ので、不合格のウエハは廃棄されることになり無駄が非
常に多くなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ウエ
ハ段階での容量値の補正が可能であり、厳しい規格を容
易に満たすことのできる可変容量ダイオード装置を提供
することにある。
ハ段階での容量値の補正が可能であり、厳しい規格を容
易に満たすことのできる可変容量ダイオード装置を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の可変容量ダイオ
ード装置は、同じ半導体のチップ内に主容量を得る第１
の可変容量ダイオードと補正用の容量を得る第２の可変
容量ダイオードを形成してあり、チップ内の片側主表面
には第１と第２の可変容量ダイオードを形成する第１導
電形の領域に接続する共通電極、残りの主表面には第１
の可変容量ダイオードを形成する第２導電形の領域に接
続する独立電極が、第２の可変容量ダイオードを形成す
る第２導電形の領域に接続できるように形成してあるこ
とを特徴とする。
ード装置は、同じ半導体のチップ内に主容量を得る第１
の可変容量ダイオードと補正用の容量を得る第２の可変
容量ダイオードを形成してあり、チップ内の片側主表面
には第１と第２の可変容量ダイオードを形成する第１導
電形の領域に接続する共通電極、残りの主表面には第１
の可変容量ダイオードを形成する第２導電形の領域に接
続する独立電極が、第２の可変容量ダイオードを形成す
る第２導電形の領域に接続できるように形成してあるこ
とを特徴とする。
【０００６】
【作用】主容量を得る第１の可変容量ダイオードの独立
電極によって補正用の第２の可変容量ダイオードを該第
１の可変容量ダイオードに並列接続可能にしてあり、第
１の可変容量ダイオードの容量値を大きな値に補正する
ことができる。
電極によって補正用の第２の可変容量ダイオードを該第
１の可変容量ダイオードに並列接続可能にしてあり、第
１の可変容量ダイオードの容量値を大きな値に補正する
ことができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の可変容量ダイオード装置の実
施例を図１と図２を参照しながら説明する。図１は図２
のＡ−Ａ断面図、図２は平面図である。図１と図２にお
いて、シリコンからなる半導体のチップ２は金属片１に
支持されている。チップ２は導電形がＮ++形の基板８上
にＮ- 形のエピタキシャル層７が形成され、エピタキシ
ャル層７内に主容量を得る第１の可変容量ダイオード１
０Ａ、補正用の容量を得る３個の第２の可変容量ダイオ
ード１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄが形成されている。
施例を図１と図２を参照しながら説明する。図１は図２
のＡ−Ａ断面図、図２は平面図である。図１と図２にお
いて、シリコンからなる半導体のチップ２は金属片１に
支持されている。チップ２は導電形がＮ++形の基板８上
にＮ- 形のエピタキシャル層７が形成され、エピタキシ
ャル層７内に主容量を得る第１の可変容量ダイオード１
０Ａ、補正用の容量を得る３個の第２の可変容量ダイオ
ード１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄが形成されている。
【０００８】可変容量ダイオード１０Ａは、導電形がＰ
++形の拡散領域５Ａ、Ｎ+ 形の拡散領域６Ａ、拡散領域
５Ａと拡散領域６Ａによって形成されるＰＮ接合４Ａか
らなる。可変容量ダイオード１０Ｂは、Ｐ++形の拡散領
域５Ｂ、Ｎ+ 形の拡散領域６Ｂ、拡散領域５Ｂと拡散領
域６Ｂによって形成されるＰＮ接合４Ｂからなる。可変
容量ダイオード１０Ｃは、Ｐ++形の拡散領域５Ｃ、Ｎ+
形の拡散領域６Ｃ、拡散領域５Ｃと拡散領域６Ｃによっ
て形成されるＰＮ接合４Ｃからなる。また、可変容量ダ
イオード１０Ｄは、Ｐ++形の拡散領域５Ｄ、Ｎ+ 形の拡
散領域６Ｄ、拡散領域５Ｄと拡散領域６Ｄによって形成
されるＰＮ接合４Ｄからなる。
++形の拡散領域５Ａ、Ｎ+ 形の拡散領域６Ａ、拡散領域
５Ａと拡散領域６Ａによって形成されるＰＮ接合４Ａか
らなる。可変容量ダイオード１０Ｂは、Ｐ++形の拡散領
域５Ｂ、Ｎ+ 形の拡散領域６Ｂ、拡散領域５Ｂと拡散領
域６Ｂによって形成されるＰＮ接合４Ｂからなる。可変
容量ダイオード１０Ｃは、Ｐ++形の拡散領域５Ｃ、Ｎ+
形の拡散領域６Ｃ、拡散領域５Ｃと拡散領域６Ｃによっ
て形成されるＰＮ接合４Ｃからなる。また、可変容量ダ
イオード１０Ｄは、Ｐ++形の拡散領域５Ｄ、Ｎ+ 形の拡
散領域６Ｄ、拡散領域５Ｄと拡散領域６Ｄによって形成
されるＰＮ接合４Ｄからなる。
【０００９】ＰＮ接合の面積は、ＰＮ接合４Ａが最も広
く、ＰＮ接合４Ｂ、４Ｃが次に広く、ＰＮ接合４Ｄが最
も狭い。このことにより、可変容量ダイオード１０Ａの
容量が最も大きく、可変容量ダイオード１０Ｂ、１０
Ｃ、可変容量ダイオード１０Ｄの順で小さくなる。拡散
領域５Ａ、５Ｂの表面には、アルミニウムからなる独立
電極３が接触している。
く、ＰＮ接合４Ｂ、４Ｃが次に広く、ＰＮ接合４Ｄが最
も狭い。このことにより、可変容量ダイオード１０Ａの
容量が最も大きく、可変容量ダイオード１０Ｂ、１０
Ｃ、可変容量ダイオード１０Ｄの順で小さくなる。拡散
領域５Ａ、５Ｂの表面には、アルミニウムからなる独立
電極３が接触している。
【００１０】この独立電極３は、可変容量ダイオード１
０Ａのアノード電極に本来相当するが、可変容量ダイオ
ード１０Ｂの拡散領域５Ｂに接続することにより、該可
変容量ダイオード１０Ｂの独立電極であるアノード電極
とも接続しており、可変容量ダイオード１０Ｂを可変容
量ダイオード１０Ａに並列接続する役割をする。なお、
可変容量ダイオード１０Ｃ、１０Ｄを形成する拡散領域
５Ｃ、５Ｄも絶縁膜９を介して独立電極３の下側に配置
されており、絶縁膜９に窓孔を必要に応じて設けること
により独立電極３に接続可能にしてある。このようにす
れば、独立電極３の平面的な形状と大きさは他の可変容
量ダイオードとの接続状態によって変える必要がなく、
常に同じでよいので都合がよい。
０Ａのアノード電極に本来相当するが、可変容量ダイオ
ード１０Ｂの拡散領域５Ｂに接続することにより、該可
変容量ダイオード１０Ｂの独立電極であるアノード電極
とも接続しており、可変容量ダイオード１０Ｂを可変容
量ダイオード１０Ａに並列接続する役割をする。なお、
可変容量ダイオード１０Ｃ、１０Ｄを形成する拡散領域
５Ｃ、５Ｄも絶縁膜９を介して独立電極３の下側に配置
されており、絶縁膜９に窓孔を必要に応じて設けること
により独立電極３に接続可能にしてある。このようにす
れば、独立電極３の平面的な形状と大きさは他の可変容
量ダイオードとの接続状態によって変える必要がなく、
常に同じでよいので都合がよい。
【００１１】独立電極３の形成されているチップ２の片
側主表面は絶縁膜９で被われているが、対向する主表面
には共通電極１３が形成されている。共通電極１３は基
板８、エピタキシャル層７を介して拡散領域６Ａ、６
Ｂ、６Ｃ、６Ｄに接続する。この共通電極１３はチップ
２に形成された可変容量ダイオード１０Ａ、１０Ｂ、１
０Ｃ、１０Ｄのカソード電極を共通接続した電極に相当
し、金属片１と共晶合金を形成した状態で該金属片１に
固着されている。そして、独立電極３はリード１４によ
って端子１１に接続される。このように構成された可変
容量ダイオード装置は通常樹脂封止されるが、端子１１
は金属片１と一体に形成された端子１２と共に硬化した
樹脂の外部に露呈し、可変容量ダイオード装置としては
並列接続された可変容量ダイオード１０Ａ、１０Ｂの容
量値が得られる。
側主表面は絶縁膜９で被われているが、対向する主表面
には共通電極１３が形成されている。共通電極１３は基
板８、エピタキシャル層７を介して拡散領域６Ａ、６
Ｂ、６Ｃ、６Ｄに接続する。この共通電極１３はチップ
２に形成された可変容量ダイオード１０Ａ、１０Ｂ、１
０Ｃ、１０Ｄのカソード電極を共通接続した電極に相当
し、金属片１と共晶合金を形成した状態で該金属片１に
固着されている。そして、独立電極３はリード１４によ
って端子１１に接続される。このように構成された可変
容量ダイオード装置は通常樹脂封止されるが、端子１１
は金属片１と一体に形成された端子１２と共に硬化した
樹脂の外部に露呈し、可変容量ダイオード装置としては
並列接続された可変容量ダイオード１０Ａ、１０Ｂの容
量値が得られる。
【００１２】次にこのように構成された可変容量ダイオ
ード装置の製造方法を説明する。ウエハのチップ部分に
主容量を得る可変容量ダイオード１０Ａ、補正用の容量
を得る可変容量ダイオード１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄを同
じマスクを用いて同時に形成する。これは公知の手法を
用いればよく、特に説明を要しない。ただし、独立電極
３だけは後で形成する。また、モニター用ウエハを用意
し、そのウエハのチップ部分には同じ可変容量ダイオー
ドを独立電極３を含めて形成する。そして、モニター用
ウエハの主容量を得る可変容量ダイオード１０Ａの容量
値を検査する。この検査は抜取り検査によって通常行わ
れる。
ード装置の製造方法を説明する。ウエハのチップ部分に
主容量を得る可変容量ダイオード１０Ａ、補正用の容量
を得る可変容量ダイオード１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄを同
じマスクを用いて同時に形成する。これは公知の手法を
用いればよく、特に説明を要しない。ただし、独立電極
３だけは後で形成する。また、モニター用ウエハを用意
し、そのウエハのチップ部分には同じ可変容量ダイオー
ドを独立電極３を含めて形成する。そして、モニター用
ウエハの主容量を得る可変容量ダイオード１０Ａの容量
値を検査する。この検査は抜取り検査によって通常行わ
れる。
【００１３】可変容量ダイオード１０Ａと補正用の容量
を得る可変容量ダイオード１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄとの
接続の必要性は、この検査結果によって決定される。可
変容量ダイオード１０Ａの容量値が設定された規格内に
あれば、拡散領域５Ａを被う絶縁膜９だけに窓孔を設け
て、独立電極３を形成する。また、可変容量ダイオード
１０Ａの容量値が設定された規格よりも小さい場合に
は、補正用の容量を得る可変容量ダイオード５Ｂ、５
Ｃ、５Ｄを被う絶縁膜９にも必要に応じて窓孔を設け
て、独立電極３を形成する。
を得る可変容量ダイオード１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄとの
接続の必要性は、この検査結果によって決定される。可
変容量ダイオード１０Ａの容量値が設定された規格内に
あれば、拡散領域５Ａを被う絶縁膜９だけに窓孔を設け
て、独立電極３を形成する。また、可変容量ダイオード
１０Ａの容量値が設定された規格よりも小さい場合に
は、補正用の容量を得る可変容量ダイオード５Ｂ、５
Ｃ、５Ｄを被う絶縁膜９にも必要に応じて窓孔を設け
て、独立電極３を形成する。
【００１４】これらはモニター用ウエハと相関をとるこ
とのできるウエハ全体で行われる。図１の場合には、拡
散領域５Ｂを被う絶縁膜９に窓孔を設け、独立電極３は
拡散領域５Ａと拡散領域５Ｂに接触することにより、可
変容量ダイオード１０Ａに補正用の容量を得る一つの可
変容量ダイオード１０Ｂが並列接続している。次に、ウ
エハのチップ部分を切断分離してチップ２を得る。そし
て、金属片１にチップ２を固着し、リード１４によって
独立電極３を端子１１に接続し、全体を樹脂封止するこ
とにより可変容量ダイオード装置は完成する。
とのできるウエハ全体で行われる。図１の場合には、拡
散領域５Ｂを被う絶縁膜９に窓孔を設け、独立電極３は
拡散領域５Ａと拡散領域５Ｂに接触することにより、可
変容量ダイオード１０Ａに補正用の容量を得る一つの可
変容量ダイオード１０Ｂが並列接続している。次に、ウ
エハのチップ部分を切断分離してチップ２を得る。そし
て、金属片１にチップ２を固着し、リード１４によって
独立電極３を端子１１に接続し、全体を樹脂封止するこ
とにより可変容量ダイオード装置は完成する。
【００１５】図３と図４は本発明の可変容量ダイオード
装置の他の実施例を示しており、図３は図４のＢ−Ｂ断
面図、図４は平面図である。チップ２２は、基板２８上
に形成されたエピタキシャル層２７内に主容量を得る第
１の可変容量ダイオード２０Ａと補正用の容量を得る１
個の第２の可変容量ダイオード２０Ｂが形成されてい
る。
装置の他の実施例を示しており、図３は図４のＢ−Ｂ断
面図、図４は平面図である。チップ２２は、基板２８上
に形成されたエピタキシャル層２７内に主容量を得る第
１の可変容量ダイオード２０Ａと補正用の容量を得る１
個の第２の可変容量ダイオード２０Ｂが形成されてい
る。
【００１６】可変容量ダイオード２０Ａは、導電形がＰ
++形の拡散領域２５Ａ、Ｎ+ 形の拡散領域２６Ａ、拡散
領域２５Ａと拡散領域２６Ａによって形成されるＰＮ接
合２４Ａからなる。可変容量ダイオード２０Ｂは、導電
形がＰ++形の拡散領域２５Ｂ、Ｎ+ 形の拡散領域２６
Ｂ、拡散領域２５Ｂと拡散領域２６Ｂによって形成され
るＰＮ接合２４Ｂからなる。
++形の拡散領域２５Ａ、Ｎ+ 形の拡散領域２６Ａ、拡散
領域２５Ａと拡散領域２６Ａによって形成されるＰＮ接
合２４Ａからなる。可変容量ダイオード２０Ｂは、導電
形がＰ++形の拡散領域２５Ｂ、Ｎ+ 形の拡散領域２６
Ｂ、拡散領域２５Ｂと拡散領域２６Ｂによって形成され
るＰＮ接合２４Ｂからなる。
【００１７】可変容量ダイオード２０Ｂの領域は可変容
量ダイオード２０Ａを囲むように配置されており、また
ＰＮ接合２４ＢはＰＮ接合２４Ａよりも浅い位置に形成
されている。独立電極２３は拡散領域２５Ａ、２５Ｂに
接続し、また、リード３３により端子３１に接続され外
部に導出される。２１はチップ２２の固着される金属片
であり、３２は金属片２１と一体に形成された端子であ
る。また、２９は絶縁膜、３０は共通電極である。
量ダイオード２０Ａを囲むように配置されており、また
ＰＮ接合２４ＢはＰＮ接合２４Ａよりも浅い位置に形成
されている。独立電極２３は拡散領域２５Ａ、２５Ｂに
接続し、また、リード３３により端子３１に接続され外
部に導出される。２１はチップ２２の固着される金属片
であり、３２は金属片２１と一体に形成された端子であ
る。また、２９は絶縁膜、３０は共通電極である。
【００１８】このような可変容量ダイオード装置は、主
容量を得る第１の可変容量ダイオードと補正用の容量を
得る第２の可変容量ダイオードのＰＮ接合の上下の位置
と拡散領域の深さを異ならせてある。したがって、可変
容量ダイオード２０Ａと可変容量ダイオード２０Ｂで
は、電圧に対する容量の変化の勾配が異なり、可変容量
ダイオード２０Ａの容量の変化の勾配を補正することが
できる。主容量を得る第１の可変容量ダイオードと補正
用の容量を得る第２の可変容量ダイオードの平面的なパ
ターンの形状や数は、このように種々変化させることが
できる。
容量を得る第１の可変容量ダイオードと補正用の容量を
得る第２の可変容量ダイオードのＰＮ接合の上下の位置
と拡散領域の深さを異ならせてある。したがって、可変
容量ダイオード２０Ａと可変容量ダイオード２０Ｂで
は、電圧に対する容量の変化の勾配が異なり、可変容量
ダイオード２０Ａの容量の変化の勾配を補正することが
できる。主容量を得る第１の可変容量ダイオードと補正
用の容量を得る第２の可変容量ダイオードの平面的なパ
ターンの形状や数は、このように種々変化させることが
できる。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように本発明の可変容量ダイ
オード装置は、同じチップに主容量を得る第１の可変容
量ダイオードと補正用の容量を得る第２の可変容量ダイ
オードを形成してあり、第１の可変容量ダイオードに第
２の可変容量ダイオードを必要に応じて並列接続でき
る。そして、第１の可変容量ダイオードの容量値を大き
い値に補正することができる。
オード装置は、同じチップに主容量を得る第１の可変容
量ダイオードと補正用の容量を得る第２の可変容量ダイ
オードを形成してあり、第１の可変容量ダイオードに第
２の可変容量ダイオードを必要に応じて並列接続でき
る。そして、第１の可変容量ダイオードの容量値を大き
い値に補正することができる。
【００２０】したがって、製造途中の製造条件の変化に
よって、主容量を得る第１の可変容量ダイオードの容量
値が設計どおりにならないでばらつくことがあっても、
第１の可変容量ダイオードの独立電極を形成する段階で
容量値を補正することにより、厳しい規格を容易に満た
すことができる。無論、本発明の可変容量ダイオード装
置の構成はどのような周波数で使用される場合にも応用
できるので、極めて実用的である。
よって、主容量を得る第１の可変容量ダイオードの容量
値が設計どおりにならないでばらつくことがあっても、
第１の可変容量ダイオードの独立電極を形成する段階で
容量値を補正することにより、厳しい規格を容易に満た
すことができる。無論、本発明の可変容量ダイオード装
置の構成はどのような周波数で使用される場合にも応用
できるので、極めて実用的である。
【図１】 本発明の可変容量ダイオード装置の実施例を
示す図２のＡ−Ａ断面図である。
示す図２のＡ−Ａ断面図である。
【図２】 図１の平面図である。
【図３】 本発明の可変容量ダイオード装置の他の実施
例を示す図４のＢ−Ｂ断面図である。
例を示す図４のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】 図３の平面図である。
１ 金属片 ２ チップ ３ 独立電極 ５Ａ 拡散領域
Claims (6)
- 【請求項１】 同じ半導体のチップ内に主容量を得る第
１の可変容量ダイオードと補正用の容量を得る第２の可
変容量ダイオードを形成してあり、チップ内の片側主表
面には第１と第２の可変容量ダイオードを形成する第１
導電形の領域に接続する共通電極、残りの主表面には第
１の可変容量ダイオードを形成する第２導電形の領域に
接続する独立電極が、第２の可変容量ダイオードを形成
する第２導電形の領域に接続可能に形成してあることを
特徴とする可変容量ダイオード装置。 - 【請求項２】 同じ半導体のチップ内に主容量を得る第
１の可変容量ダイオードと補正用の容量を得る第２の可
変容量ダイオードを形成してあり、チップ内の片側主表
面には第１と第２の可変容量ダイオードを形成する第１
導電形の領域に接続する共通電極、残りの主表面には第
１の可変容量ダイオードを形成する第２導電形の領域に
接続する独立電極を形成してあり、第２の可変容量ダイ
オードを形成する第２導電形の領域を独立電極の下側に
配置することにより、該独立電極が第２の可変容量ダイ
オードを形成する第２導電形の領域に接続可能にしてあ
ることを特徴とする可変容量ダイオード装置。 - 【請求項３】 同じ半導体のチップ内に主容量を得る第
１の可変容量ダイオードと補正用の容量を得る第２の可
変容量ダイオードを形成してあり、チップ内の片側主表
面には第１と第２の可変容量ダイオードを形成する第１
導電形の領域に接続する共通電極、残りの主表面には第
１の可変容量ダイオードを形成する第２導電形の領域に
接続する独立電極が形成してあることを特徴とする可変
容量ダイオード装置。 - 【請求項４】 同じ半導体のチップ内に主容量を得る第
１の可変容量ダイオードと補正用の容量を得る第２の可
変容量ダイオードを形成してあり、チップ内の片側主表
面には第１と第２の可変容量ダイオードを形成する第１
導電形の領域に接続する共通電極、残りの主表面には第
１の可変容量ダイオードを形成する第２導電形の領域に
接続する独立電極を形成してあり、第２の可変容量ダイ
オードを形成する第２導電形の領域が該独立電極の下側
に配置されていることを特徴とする可変容量ダイオード
装置。 - 【請求項５】 同じ半導体のチップ内に主容量を得る第
１の可変容量ダイオードと補正用の容量を得る第２の可
変容量ダイオードを形成してあり、チップ内の片側主表
面には第１と第２の可変容量ダイオードを形成する第１
導電形の領域に接続する共通電極、残りの主表面には第
１の可変容量ダイオードを形成する第２導電形の領域に
接続する独立電極が、その下側に配置された第２の可変
容量ダイオードを形成する第２導電形の領域に接続した
状態で形成してあることを特徴とする可変容量ダイオー
ド装置。 - 【請求項６】 第２の可変容量ダイオードは複数形成し
てある請求項１から請求項５までのいずれかの可変容量
ダイオード装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18080595A JPH098334A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 可変容量ダイオード装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18080595A JPH098334A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 可変容量ダイオード装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098334A true JPH098334A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=16089662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18080595A Pending JPH098334A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 可変容量ダイオード装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098334A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117238974A (zh) * | 2023-09-21 | 2023-12-15 | 扬州国宇电子有限公司 | 一种等差式多环区的超突变变容二极管及其制备方法 |
-
1995
- 1995-06-23 JP JP18080595A patent/JPH098334A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117238974A (zh) * | 2023-09-21 | 2023-12-15 | 扬州国宇电子有限公司 | 一种等差式多环区的超突变变容二极管及其制备方法 |
| CN117238974B (zh) * | 2023-09-21 | 2024-06-07 | 扬州国宇电子有限公司 | 一种等差式多环区的超突变变容二极管及其制备方法 |
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