JPH0983210A - 超伝導回路および超伝導マイクロ波回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 超伝導体の特性に悪影響を及ぼすことなく外
部回路との安定した接続が可能な超伝導回路を得ること
を目的としており、さらに該回路の構成を用いた超伝導
マイクロ波回路を得ること。 【解決手段】 第１の回路基板の超伝導体で形成された
回路パターンと外部回路基板の回路パターンとの接続部
となる、上記超伝導体で形成された回路パターンを設け
ない接続領域と、上記接続領域とその近傍の隣接する超
伝導体で形成された回路パターン上に亙って設けられた
電極層を備え、上記接続領域において上記第１の回路基
板の超伝導体で形成された回路パターンを上記外部回路
基板の回路パターンに接続した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は主としてマイクロ
波帯、その他ＶＨＦ帯、ＵＨＦ帯、ミリ波帯等で使用さ
れる超伝導回路および該回路を用いたフィルタバンクに
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１５および図１６は、例えばIEEE MTT
-S International Microwave Symposium Dygest,1991に
掲載されている従来の超伝導マイクロ波回路を示すもの
で、図１５は上面図、図１６は断面図である。ここで、
１は誘電体基板、２は超伝導体で成る地導体、３は超伝
導体で成る中心導体を示す。また、５は誘電体基板１の
端部に形成されたAu膜等による膜電極であり、超伝導体
の上側に重なるように形成されている。即ち本従来例
は、誘電体基板１の一方の面に超伝導体で成る地導体２
および中心導体３を形成したコプレーナ線路型マイクロ
波回路を構成したものとなっている。また、図１７およ
び図１８は従来の超伝導マイクロ波回路における外部回
路の接続構造を示している。ここで、８は外部回路の誘
電体基板、９はAuで成る外部回路の地導体、１０は同じ
くAuで成る外部回路の中心導体、１１はAuリボン、１２
はAuリボン１１を膜電極５に密着させるためのAgペース
ト、１３はAuリボン１１を固定するためのリボンボンデ
ィングを行ったリボンボンディング位置を示している。
また、１４は筺体、１５は基板抑え、１６は基板抑え１
５を固定するネジを示している。

【０００３】超伝導マイクロ波回路では多くの場合、回
路を構成した誘電体基板の端部において外部の回路と電
気的な接続を図る必要がある。そこで、外部の回路との
接続は、AuリボンやAuワイヤ等を銀ペーストなどで接着
する、あるいはボンディングする、あるいはハンダ等を
用いて熱を加えて溶着するなどして行われる。しかし、
超伝導体は変質しやすいだけでなく外部からの熱や圧力
に弱い。特に、組成が非常に複雑な酸化物超伝導体など
の高温超伝導体でその傾向は顕著である。このため、超
伝導体に直接AuリボンやAuワイヤ等を接続することは超
伝導体の特性を劣化させ、接触抵抗を増加させてしまう
恐れがある。そこで図１７および図１８のように、外部
回路との接続を要する誘電体基板１端部において、超伝
導体以外の導体で成る膜を超伝導体の上側に形成して２
層またはそれ以上の多層膜部を構成して膜電極５とし、
この膜電極５の上からAuリボンやAuワイヤ等を接続する
ようにしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の超
伝導マイクロ波回路においては、外部回路との接続部に
おいて超伝導体上に重なるように膜電極を設け、銀ペー
ストなどを用いてAuリボンやAuワイヤ等を接続するの
で、下側の超伝導体の特性を劣化させることは少ない。
しかし、超伝導マイクロ波回路は極低温まで冷却された
り、周囲の気圧を変化させたりと環境の変化が激しいた
め、このような外部回路の接続方法では接続部の機械的
な耐久性の点で信頼性に欠けるという問題点がある。

【０００５】翻って、AuリボンやAuワイヤ等をボンディ
ングあるいは半田付け等で接続する接続方法は、銀ペー
ストなどを用いた接続方法と比較すると格段に強固であ
り信頼性も高い。しかし、膜電極下の超伝導体に加わる
圧力や熱は膜電極を備えていない場合と大差ないため、
接続作業の際に超伝導体の特性を劣化させてしまう可能
性が高く、これらの手段で接続するのは容易ではないと
いう問題点がある。

【０００６】この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたもので、超伝導体の特性に悪影響を及ぼすこ
となく外部回路との安定した接続が可能な超伝導回路を
得ることを目的としており、さらに該回路の構成を用い
た超伝導マイクロ波回路を得ることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係わる
超伝導回路は、超伝導体で形成された回路パターンが設
けられた第１の回路基板と、上記第１の回路基板に隣接
配置され、上記超伝導体で形成された回路パターンに接
続して使用する回路パターンが設けられた少なくとも１
つの回路基板から成る外部回路基板とを備えた超伝導回
路において、上記第１の回路基板に設けられ、上記第１
の回路基板の超伝導体で形成された回路パターンと上記
外部回路基板の回路パターンとの接続部となる、上記超
伝導体で形成された回路パターンを設けない接続領域
と、上記接続領域とその近傍の隣接する超伝導体で形成
された回路パターン上に亙って設けられた電極層とを備
え、上記接続領域において上記第１の回路基板の超伝導
体で形成された回路パターンを上記外部回路基板の回路
パターンに接続したものである。

【０００８】請求項２の発明に係わる超伝導回路は、超
伝導体で形成された回路パターンが設けられた第１の回
路基板と、上記第１の回路基板に隣接配置され、上記超
伝導体で形成された回路パターンに接続して使用する回
路パターンが設けられた少なくとも１つの回路基板から
成る外部回路基板と、上記第１の回路基板と上記外部回
路基板が収納された筺体とを備えた超伝導回路におい
て、上記筺体における地導体となる金属部に対向する面
に設けられた、上記第１の回路基板の超伝導体で形成さ
れた地導体の回路パターンと、上記第１の回路基板に設
けられ、上記第１の回路基板の超伝導体で形成された地
導体の回路パターンと上記外部回路基板の地導体の回路
パターンとの接続部となる、上記超伝導体で形成された
回路パターンを設けない接続領域と、上記接続領域とそ
の近傍の隣接する上記超伝導体で形成された地導体の回
路パターン上に亙って設けられた電極層とを備え、上記
接続領域の電極層と上記筺体における地導体となる金属
部とを短絡部材を介して圧接し、上記第１の回路基板の
超伝導体で形成された地導体の回路パターンを上記外部
回路基板の地導体の回路パターンに接続したものであ
る。

【０００９】請求項３の発明に係わる超伝導回路は、請
求項２記載の超伝導回路において、上記第１の回路基板
の上記筺体における地導体となる金属部に対向する面に
設けられた回路パターンが地導体の回路パターンである
場合に、上記電極層を上記第１の回路基板の上記筺体に
おける地導体となる金属部に対向する面全体に亙って設
けたものである。

【００１０】請求項４の発明に係わる超伝導回路は、一
方の面に超伝導体で形成された回路パターンが設けられ
た第１の回路基板と、上記第１の回路基板の他方の面に
対向する面に上記第１の回路基板の回路パターンに係わ
る超伝導体で形成された地導体の回路パターンが設けら
れ、上記第１の回路基板に略平行に配置された第２の回
路基板と、上記第１の回路基板と第２の回路基板に隣接
配置され、上記第１の回路基板と第２の回路基板の超伝
導体で形成された回路パターンに接続して使用する回路
パターンが設けられた少なくとも１つの回路基板から成
る外部回路基板と、上記第１の回路基板の超伝導体で形
成された回路パターンと上記外部回路基板の回路パター
ンとの接続部となる、上記超伝導体で形成された回路パ
ターンを設けない第１の接続領域と、上記第１の接続領
域とその近傍の隣接する超伝導体で形成された回路パタ
ーン上に亙って設けられた第１の電極層と、上記第２の
回路基板の超伝導体で形成された地導体の回路パターン
と、上記第２の回路基板に設けられ、上記第２の回路基
板の超伝導体で形成された地導体の回路パターンと上記
外部回路基板の地導体の回路パターンとの接続部とな
る、上記超伝導体で形成された回路パターンを設けない
第２の接続領域と、上記第２の接続領域とその近傍の隣
接する上記超伝導体で形成された地導体の回路パターン
上に亙って設けられた第２の電極層とを備え、上記第１
の接続領域において上記第１の回路基板の超伝導体で形
成された回路パターンを上記外部回路基板の回路パター
ンに接続し、上記第２の接続領域の第２の電極層と上記
第１の回路基板の他方の面との間に、一端を上記外部回
路基板の地導体の回路パターンに接続した接続部材の他
端を挟み、上記第２の接続領域の第２の電極層に圧接
し、上記第２の回路基板の超伝導体で形成された地導体
の回路パターンを上記外部回路基板の地導体の回路パタ
ーンに接続したものである。

【００１１】請求項５の発明に係わる超伝導マイクロ波
回路は、請求項１、２または３記載の接続領域と電極層
または請求項４記載の第１の接続領域および第２の接続
領域と第１の電極層および第２の電極層のいずれかを備
えて構成したものである。

【００１２】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．この発明による一実施の形態を図１およ
び図２に示す。図１は、誘電体基板１の一方の面に超伝
導体で形成した中心導体３及び地導体２を設けたコプレ
ーナ共振器と外部回路の誘電体基板８の一方の面に外部
回路の地導体９及び外部回路の中心導体１０を設けたコ
プレーナ形の外部回路を筺体１４に納めて接続した超伝
導マイクロ波回路の上面図、図２は図１における断面図
を示しており、５は誘電体基板１の端部に設けられたAu
膜等による膜電極である。また、６は外部回路との接続
のための領域であり、７は超伝導体で成る中心導体３お
よび地導体２の上側にAu膜等による膜電極５が形成され
た多層膜部を示す。また、１０は外部回路の中心導体で
あり、１１はAuリボン、１３はリボンボンディングの位
置、１４は誘電体基板１および外部回路の誘電体基板８
を収める筺体、１５は基板抑え、１６は基板抑えを固定
するネジをそれぞれ示している。

【００１３】前記の共振器は中心導体３を挟んで両側に
地導体２を備えたコプレーナ線路で構成されており、誘
電体基板１の端部２カ所において外部回路と電気的な接
続をする必要がある。このため、前記の２カ所において
中心導体３および地導体２ａ、２ｂのそれぞれについて
Au膜等による膜電極５を設けている。ここで、外部回路
との接続のための領域６としてAu膜等による膜電極５の
みで形成され、膜電極５の下側に超伝導体が配置されな
い領域を設けて、この外部回路との接続のための領域６
において外部回路と連結するAuリボン１１等を取り付け
るようにしたので、超伝導体で成る中心導体３および地
導体２は、Auリボン１１等を取り付ける際に超伝導回路
に加わる圧力や熱等の影響を受けにくくなっている。従
って、ボンディングや半田づけ等といった機械的強度の
大きな手段を用いて外部回路と超伝導回路を接続するこ
とが可能となる。すなわち、前述した従来の例に比較し
て、極低温への冷却や周囲の圧力変化といった環境変化
による回路の切断や接触不良等の少ない、より安定した
超伝導回路を得られる。

【００１４】実施の形態２．この発明による他の実施の
形態を図３、図４および図５を用いて説明する。図３
は、誘電体基板１の一方の面に超伝導体で形成した中心
導体及び第１の地導体２５を備え、さらに他方の面に超
伝導体で形成した第２の地導体２６を備えたコプレーナ
導波路型共振器と外部回路を筺体１４に納めて接続した
超伝導回路の上面図である。また、図４は図３における
断面図を示しており、図５は図３のコプレーナ導波路型
共振器の下面図である。ここで、１は誘電体基板、２５
は第１の地導体、２６は第２の地導体、３は中心導体、
５は誘電体基板１の両面の端部に設けられたAu膜等によ
る膜電極である。また、６は外部回路との接続のための
領域であり、７は超伝導体で成る中心導体３および第１
の地導体２５、第２の地導体２６の上側に膜電極５が形
成された多層膜部を示す。また、８は外部回路の誘電体
基板、９は外部回路の地導体、１０は外部回路の中心導
体であり、１１は中心導体３と第１の地導体２５、及び
誘電体基板１と外部回路の誘電体基板８の下側の面にお
いて第２の地導体２６を外部回路と接続するAuリボン、
１３はリボンボンディングの位置、１４は誘電体基板１
および外部回路の誘電体基板８を収める筺体、１５は基
板抑え、１６は基板抑えを固定するネジをそれぞれ示し
ている。

【００１５】上記の共振器は、誘電体基板１の一方の面
において中心導体３を挟んで両側に第１の地導体２５、
他方の面に第２の地導体２６を備えたコプレーナ導波路
で構成されている。このため、誘電体基板１の両面側に
膜電極５を設けている。ここで、外部回路との接続のた
めの領域を設けて、この外部回路との接続のための領域
６において外部回路と連結するAuリボン等を取り付ける
ようにしており、実施の形態１と同様に、極低温への冷
却や周囲の圧力変化といった環境変化による回路の切断
や接触不良等の少ない、より安定した超伝導コプレーナ
導波路型共振器が得られる。

【００１６】また、図４に示すように第２の地導体２６
を外部回路と接続するAuリボン１１には超伝導体で成る
第２の地導体２６よりも十分に厚いものを使用してお
り、誘電体基板１の上方からの押えつけのみで膜電極５
とAuリボン１１が電気的に接続される構成となってい
る。従って、第２の地導体２６には不要な圧力がかから
ず、超伝導体の特性を劣化させることがない。

【００１７】実施の形態３．この発明による他の実施の
形態を図６、図７および図８を用いて説明する。図６
は、誘電体基板１の一方の面に超伝導体で形成した中心
導体及び第１の地導体２５を備え、さらに他方の面に超
伝導体で形成した第２の地導体２６を備えたコプレーナ
導波路型共振器と外部回路を筺体１４に納めて接続した
超伝導マイクロ波回路の上面図である。また、図７は図
６における断面図を示しており、図８は図６のコプレー
ナ導波路型共振器の下面図である。この実施の形態３で
は、図７、図８に示すように、第２の地導体２６を設け
た面に備えた膜電極５は誘電体基板１の面全体を覆うよ
うに形成したものである。なお、この他の構成は前記実
施の形態２と同様である。

【００１８】以上のように第２の地導体２６を設けた面
に備えた膜電極５が誘電体基板１の面全体を覆うように
形成されているので、膜電極５はパターニングが不要で
ある。従って、実施の形態２の有する効果に加え、実施
の形態２で述べた共振器に比較して簡単に超伝導コプレ
ーナ導波路型共振器が製作できるという効果を奏する。

【００１９】実施の形態４．この発明による他の実施の
形態を図９、図１０および図１１を用いて説明する。図
９は、一方の面に超伝導体で形成した中心導体３と第１
の地導体２５を備えた第１の誘電体基板２７と、一方の
面に第２の地導体２６を備えた第２の誘電体基板２８と
を重ねて成るコプレーナ導波路型共振器と外部回路を筺
体１４に納めて接続した超伝導回路の上面図である。ま
た、図１０は図９における断面図を示しており、また、
図１１は第２の誘電体基板２８の上面図である。ここ
で、２７は第１の誘電体基板、２８は第２の誘電体基
板、２５は第１の誘電体基板２７の一方の面に形成され
た第１の地導体、２６は第２の誘電体基板２８の一方の
面に形成された第２の地導体、３は第１の誘電体基板２
７の一方の面に形成された中心導体、５は第１の誘電体
基板２７および第２の誘電体基板２８の端部に設けられ
たAu膜等による膜電極である。また、６は外部回路との
接続のための領域であり、７は超伝導体で成る中心導体
３および第１の地導体２５、第２の地導体２６の上側に
膜電極５が形成された多層膜部を示す。また、８は外部
回路の誘電体基板、９は外部回路の地導体、１０は外部
回路の中心導体であり、１１は中心導体３と第１の地導
体２５、及び誘電体基板１と外部回路の誘電体基板８の
下側の面において第２の地導体２６を外部回路と接続す
るAuリボン、１３はリボンボンディングの位置、１４は
誘電体基板１および外部回路の誘電体基板８を収める筺
体、１５は基板抑え、１６は基板抑えを固定するネジを
それぞれ示している。

【００２０】外部回路との接続のための領域６として膜
電極５のみで形成され、膜電極５の下側に超伝導体が配
置されない領域を設けて、この外部回路との接続のため
の領域６において外部回路と連結するAuリボン等を取り
付けるようにしており、極低温への冷却や周囲の圧力変
化といった環境変化による回路の切断や接触不良等の少
ない、より安定した超伝導コプレーナ導波路型共振器が
得られる。

【００２１】また、第２の地導体２６を外部回路と接続
するAuリボン１１には超伝導体で成る第２の地導体２６
よりも十分に厚いものを使用しており、誘電体基板１の
上方からの押えつけのみで膜電極５とAuリボン１１が電
気的に接続される構成となっている。従って、第２の地
導体２６には不要な圧力がかからず、超伝導体の特性を
劣化させることがない。

【００２２】さらに、この実施の形態４では、上述のよ
うに中心導体３および第１の地導体２５と第２の地導体
２６とをそれぞれ別々の誘電体基板上に形成しているの
で、１枚の誘電体基板の両面にこれらを形成する場合に
比べて膜形成が容易であり、また、膜質に優れた超伝導
回路のパターンが得易くなる。

【００２３】実施の形態５．この発明による他の実施の
形態の上面図を図１２に示す。ここでは上記実施の形態
１の超伝導回路の構成を適用した超伝導マイクロ波回路
であるフィルタバンクを示している。先端１７を開放ま
たは短絡した主線路１８と、上記先端１７とは反対側の
主線路１８の膜電極５に電磁波を加えることにより生じ
る上記主線路１８上の定在波の電界最大点の近傍に、異
なる共振周波数を有する複数個の共振器１９の中心導体
３の一端を配置し、上記複数個の共振器１９の中心導体
３の他端の近傍の膜電極５にコネクタ２０を接続してい
る。この構造によりコネクタ２０の中心導体２１の圧力
や半田付け時の熱が直接超伝導体に加わらないため、超
伝導特性を損ねることなくフィルタバンクを組み立てる
ことができる。このようなフィルタバンクでは主線路１
８から入射した未知の周波数の電磁波が、共振器１９を
介し、どのコネクタ２０に現れるかで周波数を知ること
ができる機能を持つ。

【００２４】以上のように、この発明の超伝導回路によ
ればフィルタバンクを容易に構成することができ、共振
器１９の損失を非常に小さくできるため、従来では実現
できない高精度の周波数分解能を有するフィルタバンク
が得られる。

【００２５】実施の形態６．この発明による他の実施の
形態を図１３、図１４を用いて説明する。図１３はこの
実施の形態のフィルタバンクの上面図、図１４は図１３
における断面図を示す。この実施の形態のフィルタバン
クは、前記実施の形態５のフィルタバンクにおいて、主
線路１８および複数個の共振器１９を、それぞれ切り放
した別個の誘電体基板１で形成し、各共振器１９の間に
導体の仕切り２２を設けた構成としたものである。

【００２６】なお、上記主線路１８および複数個の共振
器１９の形成においては、各共振器１９の間に導体の仕
切り２２を設置可能であれば良く、例えば図１３に示し
たような、配置された複数の別個の誘電体基板１の輪郭
をその外形とする１個の誘電体基板を用いても良い。

【００２７】以上のように構成したフィルタバンクにお
いては、筺体１４を蓋２３で閉じた場合に発生しやすい
不要な導波管モードの共振を抑制でき、さらに隣り合う
共振器間の結合も抑制することができる。

【００２８】なお、以上の実施の形態では共振器回路お
よびフィルタバンクについて例示して説明したが、本発
明は、上記以外のフィルタ、遅延線、アンテナなどの超
伝導受動回路は勿論のこと、周波数変換器、増幅器など
の超伝導能動回路に適用しても良いことはいうまでもな
い。すなわち、超伝導体を応用したマイクロ波回路等に
総じて適用可能である。

【００２９】

【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、超伝導体で形成された回路パターンを設けない接続
領域と、上記接続領域とその近傍の隣接する超伝導体で
形成された回路パターン上に亙って設けられた電極層と
を備え、上記接続領域において第１の回路基板の超伝導
体で形成された回路パターンを外部回路基板の回路パタ
ーンに接続するので、極低温への冷却や周囲の圧力変化
といった環境変化による回路の切断や接触不良等の少な
い、より安定した超伝導回路を得られる効果がある。

【００３０】また、請求項２の発明によれば、接続領域
の電極層と筺体における地導体となる金属部とを短絡部
材を介して圧接したので、超伝導体で形成した地導体に
不要な圧力がかからず、超伝導体の特性を劣化させるこ
とがないという効果がある。

【００３１】請求項３の発明によれば、電極層のパター
ニングが不要となり、超伝導回路の製作を容易にすると
いう効果を奏する。

【００３２】請求項４の発明によれば、第１の回路基板
の回路パターンに係わる超伝導体で形成された地導体の
回路パターンを、第１の回路基板に略平行に配置された
第２の回路基板に設けたので、１枚の回路基板の両面に
超伝導体で形成された回路パターンを形成する場合に比
べ、膜形成を容易とし、また、膜質に優れた回路パター
ンを容易に得られる効果がある。さらに、第２の接続領
域の第２の電極層と第１の回路基板の他方の面との間
に、一端を外部回路基板の地導体の回路パターンに接続
した接続部材の他端を挟み、上記第２の接続領域の第２
の電極層に圧接したので、第２の回路基板の超伝導体で
形成された地導体に不要な圧力がかからず、超伝導体の
特性を劣化させることがないという効果がある。

【００３３】請求項５の発明によれば、本願の超伝導回
路の接続領域と電極層の構成を備えたマイクロ波超伝導
回路を構成したので、マイクロ波超伝導回路へのコネク
タ接続や他の回路との接続を容易にし、超伝導体の特性
を劣化させることもないため、損失の非常に小さいマイ
クロ波回路を得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１による超伝導回路の
上面図である。

【図２】 この発明の実施の形態１による超伝導回路の
断面図である。

【図３】 この発明の実施の形態２による超伝導回路の
上面図である。

【図４】 この発明の実施の形態２による超伝導回路の
断面図である。

【図５】 この発明の実施の形態２による超伝導回路の
下面図である。

【図６】 この発明の実施の形態３による超伝導回路の
上面図である。

【図７】 この発明の実施の形態３による超伝導回路の
断面図である。

【図８】 この発明の実施の形態３による超伝導回路の
下面図である。

【図９】 この発明の実施の形態４による超伝導回路の
上面図である。

【図１０】 この発明の実施の形態４による超伝導回路
の断面図である。

【図１１】 この発明の実施の形態４による超伝導回路
の下面図である。

【図１２】 この発明の実施の形態５によるフィルタバ
ンクの上面図である。

【図１３】 この発明の実施の形態６によるフィルタバ
ンクの上面図である。

【図１４】 この発明の実施の形態６によるフィルタバ
ンクの断面図である。

【図１５】 従来の超伝導マイクロ波回路の上面図であ
る。

【図１６】 従来の超伝導マイクロ波回路の断面図であ
る。

【図１７】 従来の超伝導マイクロ波回路と外部回路の
接続部の上面図である。

【図１８】 従来の超伝導マイクロ波回路と外部回路の
接続部の断面図である。

【符号の説明】

１ 誘電体基板、２ 地導体、３ 中心導体、５ 膜電
極、６ 外部回路との接続のための領域、７ 多層膜
部、８ 外部回路の誘電体基板、９ 外部回路の地導
体、１０ 外部回路の中心導体、１１ Auリボン、１２
Agペースト、１３ リボンボンディング位置、１４
筺体、１５ 基板抑え、１６ ネジ、１７ 先端、１８
主線路、１９ 共振器、２０ コネクタ、２１ 中心
導体、２２ 仕切り、２３ 蓋、２５ 第１の地導体、
２６ 第２の地導体、２７ 第１の誘電体基板、２８
第２の誘電体基板。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 超伝導体で形成された回路パターンが設
   けられた第１の回路基板と、上記第１の回路基板に隣接
   配置され、上記超伝導体で形成された回路パターンに接
   続して使用する回路パターンが設けられた少なくとも１
   つの回路基板から成る外部回路基板とを備えた超伝導回
   路において、上記第１の回路基板に設けられ、上記第１
   の回路基板の超伝導体で形成された回路パターンと上記
   外部回路基板の回路パターンとの接続部となる、上記超
   伝導体で形成された回路パターンを設けない接続領域
   と、上記接続領域とその近傍の隣接する超伝導体で形成
   された回路パターン上に亙って設けられた電極層とを備
   え、上記接続領域において上記第１の回路基板の超伝導
   体で形成された回路パターンを上記外部回路基板の回路
   パターンに接続したことを特徴とする超伝導回路。
2. 【請求項２】 超伝導体で形成された回路パターンが設
   けられた第１の回路基板と、上記第１の回路基板に隣接
   配置され、上記超伝導体で形成された回路パターンに接
   続して使用する回路パターンが設けられた少なくとも１
   つの回路基板から成る外部回路基板と、上記第１の回路
   基板と上記外部回路基板が収納された筺体とを備えた超
   伝導回路において、上記筺体における地導体となる金属
   部に対向する面に設けられた、上記第１の回路基板の超
   伝導体で形成された地導体の回路パターンと、上記第１
   の回路基板に設けられ、上記第１の回路基板の超伝導体
   で形成された地導体の回路パターンと上記外部回路基板
   の地導体の回路パターンとの接続部となる、上記超伝導
   体で形成された回路パターンを設けない接続領域と、上
   記接続領域とその近傍の隣接する上記超伝導体で形成さ
   れた地導体の回路パターン上に亙って設けられた電極層
   とを備え、上記接続領域の電極層と上記筺体における地
   導体となる金属部とを短絡部材を介して圧接し、上記第
   １の回路基板の超伝導体で形成された地導体の回路パタ
   ーンを上記外部回路基板の地導体の回路パターンに接続
   したことを特徴とする超伝導回路。
3. 【請求項３】 請求項２記載の超伝導回路において、上
   記第１の回路基板の上記筺体における地導体となる金属
   部に対向する面に設けられた回路パターンが地導体の回
   路パターンである場合に、上記電極層を上記第１の回路
   基板の上記筺体における地導体となる金属部に対向する
   面全体に亙って設けたことを特徴とする超伝導回路。
4. 【請求項４】 一方の面に超伝導体で形成された回路パ
   ターンが設けられた第１の回路基板と、上記第１の回路
   基板の他方の面に対向する面に上記第１の回路基板の回
   路パターンに係わる超伝導体で形成された地導体の回路
   パターンが設けられ、上記第１の回路基板に略平行に配
   置された第２の回路基板と、上記第１の回路基板と第２
   の回路基板に隣接配置され、上記第１の回路基板と第２
   の回路基板の超伝導体で形成された回路パターンに接続
   して使用する回路パターンが設けられた少なくとも１つ
   の回路基板から成る外部回路基板と、上記第１の回路基
   板の超伝導体で形成された回路パターンと上記外部回路
   基板の回路パターンとの接続部となる、上記超伝導体で
   形成された回路パターンを設けない第１の接続領域と、
   上記第１の接続領域とその近傍の隣接する超伝導体で形
   成された回路パターン上に亙って設けられた第１の電極
   層と、上記第２の回路基板の超伝導体で形成された地導
   体の回路パターンと、上記第２の回路基板に設けられ、
   上記第２の回路基板の超伝導体で形成された地導体の回
   路パターンと上記外部回路基板の地導体の回路パターン
   との接続部となる、上記超伝導体で形成された回路パタ
   ーンを設けない第２の接続領域と、上記第２の接続領域
   とその近傍の隣接する上記超伝導体で形成された地導体
   の回路パターン上に亙って設けられた第２の電極層とを
   備え、上記第１の接続領域において上記第１の回路基板
   の超伝導体で形成された回路パターンを上記外部回路基
   板の回路パターンに接続し、上記第２の接続領域の第２
   の電極層と上記第１の回路基板の他方の面との間に、一
   端を上記外部回路基板の地導体の回路パターンに接続し
   た接続部材の他端を挟み、上記第２の接続領域の第２の
   電極層に圧接し、上記第２の回路基板の超伝導体で形成
   された地導体の回路パターンを上記外部回路基板の地導
   体の回路パターンに接続したことを特徴とする超伝導回
   路。
5. 【請求項５】 請求項１、２または３記載の接続領域と
   電極層または請求項４記載の第１の接続領域および第２
   の接続領域と第１の電極層および第２の電極層のいずれ
   かを備えて構成したことを特徴とするマイクロ波超伝導
   回路。