JPH0982671A - 半導体基板の保管方法及び半導体基板の保管装置 - Google Patents
半導体基板の保管方法及び半導体基板の保管装置Info
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- JPH0982671A JPH0982671A JP23815395A JP23815395A JPH0982671A JP H0982671 A JPH0982671 A JP H0982671A JP 23815395 A JP23815395 A JP 23815395A JP 23815395 A JP23815395 A JP 23815395A JP H0982671 A JPH0982671 A JP H0982671A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板の保管及び運搬中において、半導
体基板の自然乾燥を防止できると共に半導体基板の表面
に付着した異物粒子を除去できる上に、運搬に係る重量
負担を軽減する。 【構成】 密閉される保管ボックス１０の内部は連通孔
１１を有する仕切板１２によって上部の基板保管部１０
ａと下部の蒸気発生部１０ｂとに分割されている。基板
保管部１０ａは扉１３により開閉可能であって、該基板
保管部１０ａには半導体基板１４を保持したキャリア１
５が収納されている。蒸気発生部１０ｂに貯溜されてい
る純水１６はヒーター１８により加熱されて水蒸気とな
り、該水蒸気は仕切板１２の連通孔１１から基板保管部
１０ａに供給される。基板保管部１０ａに供給された水
蒸気１９は半導体基板１４の表面で結露して滴となり半
導体基板１４の表面の異物粒子や不純物を洗い流す。
体基板の自然乾燥を防止できると共に半導体基板の表面
に付着した異物粒子を除去できる上に、運搬に係る重量
負担を軽減する。 【構成】 密閉される保管ボックス１０の内部は連通孔
１１を有する仕切板１２によって上部の基板保管部１０
ａと下部の蒸気発生部１０ｂとに分割されている。基板
保管部１０ａは扉１３により開閉可能であって、該基板
保管部１０ａには半導体基板１４を保持したキャリア１
５が収納されている。蒸気発生部１０ｂに貯溜されてい
る純水１６はヒーター１８により加熱されて水蒸気とな
り、該水蒸気は仕切板１２の連通孔１１から基板保管部
１０ａに供給される。基板保管部１０ａに供給された水
蒸気１９は半導体基板１４の表面で結露して滴となり半
導体基板１４の表面の異物粒子や不純物を洗い流す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスを製造
する際に用いられ、半導体基板を一時的に保管する保管
方法及び保管装置に関するものである。
する際に用いられ、半導体基板を一時的に保管する保管
方法及び保管装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの微細化及び高集
積化に伴って、塵埃や異物粒子に起因する半導体デバイ
スの歩留りの低下が大きな問題となってきており、製造
工程において半導体基板を清浄な状態に保つことが重要
になっている。
積化に伴って、塵埃や異物粒子に起因する半導体デバイ
スの歩留りの低下が大きな問題となってきており、製造
工程において半導体基板を清浄な状態に保つことが重要
になっている。
【０００３】また、半導体デバイスの微細化及び高集積
化により、半導体装置の処理装置は、その処理内容に従
って一層細分化され、半導体デバイスを製造する工程は
ますます複雑で且つ多様になってきている。半導体基板
に対する或る処理が完了してから次の処理に着手するま
での間、半導体基板はその表面が不安定な状態で保管さ
れたり、処理装置同士の間を運搬されたりすることが多
くなってきている。
化により、半導体装置の処理装置は、その処理内容に従
って一層細分化され、半導体デバイスを製造する工程は
ますます複雑で且つ多様になってきている。半導体基板
に対する或る処理が完了してから次の処理に着手するま
での間、半導体基板はその表面が不安定な状態で保管さ
れたり、処理装置同士の間を運搬されたりすることが多
くなってきている。
【０００４】水を用いて半導体基板に対して処理を行な
う処理装置の場合について説明すると、半導体基板をそ
の表面が不安定な状態で処理装置（工程）同士の間を運
搬するのは、例えばＲＣＡ洗浄時の酸処理装置からアル
カリ処理装置へ半導体基板を移動する場合（酸処理槽と
アルカリ処理槽とを同一装置内におくと、揮発ガスによ
る化学反応によって塩が生成され、この塩（異物粒子）
が飛散してクリーンルームの清浄状態が汚されるため、
例えば酸処理槽とアルカリ処理槽とは別々の処理装置に
設けられ且つ互いに離れた場所に設置される）や、ＣＭ
Ｐ(Chemical Mechanical Polishing) 処理装置から洗浄
装置へ半導体基板を移動する場合（ＣＭＰ処理装置は、
多量の研磨粒子を使用するためクリーンルームの清浄状
態が汚されるので、特別な場所に設置される）等に生じ
る。このような場合に、次の処理がすぐに着手できない
ときには、半導体基板を待機状態で保管しなければなら
ない。
う処理装置の場合について説明すると、半導体基板をそ
の表面が不安定な状態で処理装置（工程）同士の間を運
搬するのは、例えばＲＣＡ洗浄時の酸処理装置からアル
カリ処理装置へ半導体基板を移動する場合（酸処理槽と
アルカリ処理槽とを同一装置内におくと、揮発ガスによ
る化学反応によって塩が生成され、この塩（異物粒子）
が飛散してクリーンルームの清浄状態が汚されるため、
例えば酸処理槽とアルカリ処理槽とは別々の処理装置に
設けられ且つ互いに離れた場所に設置される）や、ＣＭ
Ｐ(Chemical Mechanical Polishing) 処理装置から洗浄
装置へ半導体基板を移動する場合（ＣＭＰ処理装置は、
多量の研磨粒子を使用するためクリーンルームの清浄状
態が汚されるので、特別な場所に設置される）等に生じ
る。このような場合に、次の処理がすぐに着手できない
ときには、半導体基板を待機状態で保管しなければなら
ない。
【０００５】半導体基板を保管したり運搬したりする場
合、半導体基板が乾燥すると、半導体基板の表面に付着
している異物粒子が固着して取れなくなるので、半導体
基板を乾燥させずに保管したり運搬したりする必要があ
る。
合、半導体基板が乾燥すると、半導体基板の表面に付着
している異物粒子が固着して取れなくなるので、半導体
基板を乾燥させずに保管したり運搬したりする必要があ
る。
【０００６】まず、半導体基板をキャリアに保持して装
置Ａから装置Ｂへ運搬する従来の第１の保管方法につい
て図３（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
置Ａから装置Ｂへ運搬する従来の第１の保管方法につい
て図３（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
【０００７】図３（ａ）に示すように、半導体基板３０
を収納したキャリア３１を装置Ａから取り出した後、キ
ャリア３１を移動し、図３（ｂ）に示すように、純水３
２が貯溜された保管用水槽３３内にキャリア３１を保管
する。その後、装置Ｂが半導体基板３０に対する処理を
開始できるようになると、キャリア３１を保管用水槽３
３から取り出し、装置Ｂ内に収納する。
を収納したキャリア３１を装置Ａから取り出した後、キ
ャリア３１を移動し、図３（ｂ）に示すように、純水３
２が貯溜された保管用水槽３３内にキャリア３１を保管
する。その後、装置Ｂが半導体基板３０に対する処理を
開始できるようになると、キャリア３１を保管用水槽３
３から取り出し、装置Ｂ内に収納する。
【０００８】次に、半導体基板をキャリアに保持して装
置Ａから装置Ｂへ運搬する従来の第２の方法について図
４（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
置Ａから装置Ｂへ運搬する従来の第２の方法について図
４（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
【０００９】図４（ａ）に示すように、半導体基板３０
を収納したキャリア３１を装置Ａから取り出した後、純
水３２が貯溜された運搬用ボックス３４内にキャリア３
１を収納する。その後、図４（ｂ）に示すように、運搬
用ボックス３４を装置Ｂの近傍まで移動し、装置Ｂが半
導体基板３０に対する処理を開始できるようになると、
キャリア３１を運搬用ボックス３４から取り出し、装置
Ｂ内に収納する。
を収納したキャリア３１を装置Ａから取り出した後、純
水３２が貯溜された運搬用ボックス３４内にキャリア３
１を収納する。その後、図４（ｂ）に示すように、運搬
用ボックス３４を装置Ｂの近傍まで移動し、装置Ｂが半
導体基板３０に対する処理を開始できるようになると、
キャリア３１を運搬用ボックス３４から取り出し、装置
Ｂ内に収納する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
第１の保管方法によると、半導体基板３０をその表面が
水に濡れた状態で移動させるため、移動の途中において
半導体基板３０が自然乾燥し、シリコンと水との反応に
より半導体基板３０の表面に染みが発生するという問
題、半導体基板３０の表面に付着している異物粒子が自
然乾燥により半導体基板３０に固着して取れなくなると
いう問題、移動の際に発生する異物粒子やクリーンルー
ム内に浮遊する異物粒子が半導体基板３０に付着すると
いう問題を有している。
第１の保管方法によると、半導体基板３０をその表面が
水に濡れた状態で移動させるため、移動の途中において
半導体基板３０が自然乾燥し、シリコンと水との反応に
より半導体基板３０の表面に染みが発生するという問
題、半導体基板３０の表面に付着している異物粒子が自
然乾燥により半導体基板３０に固着して取れなくなると
いう問題、移動の際に発生する異物粒子やクリーンルー
ム内に浮遊する異物粒子が半導体基板３０に付着すると
いう問題を有している。
【００１１】また、従来の第２の保管方法によると、運
搬用ボックス３４内には半導体基板３０の全体が浸され
るだけの純水３２を貯溜する必要があり、貯溜された純
水３２の重量と運搬用ボックス３４自体の重量との合計
（６インチ半導体基板を５０枚収納する運搬ボックスの
場合で約２０ｋｇ程度の重量である）のものを装置Ａか
ら装置Ｂまで運ばねばならないので、運搬に係る負担が
大きいという問題、半導体基板３０を運搬用ボックス３
４に収納する際に持ち込まれる異物粒子やクリーンルー
ム内に浮遊する異物粒子によって汚染された水を半導体
基板３０の保管及び運搬の途中において交換できないの
で異物粒子が半導体基板３０に付着してしまうという問
題を有している。尚、運搬の際の重量に関する問題は、
半導体基板３０の径が大きくなるに従って、ますます大
きな問題となってくる。
搬用ボックス３４内には半導体基板３０の全体が浸され
るだけの純水３２を貯溜する必要があり、貯溜された純
水３２の重量と運搬用ボックス３４自体の重量との合計
（６インチ半導体基板を５０枚収納する運搬ボックスの
場合で約２０ｋｇ程度の重量である）のものを装置Ａか
ら装置Ｂまで運ばねばならないので、運搬に係る負担が
大きいという問題、半導体基板３０を運搬用ボックス３
４に収納する際に持ち込まれる異物粒子やクリーンルー
ム内に浮遊する異物粒子によって汚染された水を半導体
基板３０の保管及び運搬の途中において交換できないの
で異物粒子が半導体基板３０に付着してしまうという問
題を有している。尚、運搬の際の重量に関する問題は、
半導体基板３０の径が大きくなるに従って、ますます大
きな問題となってくる。
【００１２】前記に鑑み、本発明は、半導体基板の保管
及び運搬中において、半導体基板の自然乾燥を防止でき
ると共に半導体基板の表面に付着した異物粒子を除去で
きる上に、運搬に係る重量負担を軽減することができる
半導体基板の保管方法及び保管装置を提供することを目
的とする。
及び運搬中において、半導体基板の自然乾燥を防止でき
ると共に半導体基板の表面に付着した異物粒子を除去で
きる上に、運搬に係る重量負担を軽減することができる
半導体基板の保管方法及び保管装置を提供することを目
的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、半導体基板の表面に過飽和状態の蒸気を
供給し、該蒸気が液化してなる滴により半導体基板の表
面を洗浄しながら保管するものである。
め、本発明は、半導体基板の表面に過飽和状態の蒸気を
供給し、該蒸気が液化してなる滴により半導体基板の表
面を洗浄しながら保管するものである。
【００１４】請求項１の発明が具体的に講じた解決手段
は、半導体基板の保管方法を、キャリアに保持された半
導体基板に対して蒸気を供給して該半導体基板を過飽和
状態の蒸気中において保持することにより前記半導体基
板の表面に前記蒸気を付着させ、該蒸気が液化してなる
滴により前記半導体基板の表面を洗浄しながら前記半導
体基板を保管する構成とするものである。
は、半導体基板の保管方法を、キャリアに保持された半
導体基板に対して蒸気を供給して該半導体基板を過飽和
状態の蒸気中において保持することにより前記半導体基
板の表面に前記蒸気を付着させ、該蒸気が液化してなる
滴により前記半導体基板の表面を洗浄しながら前記半導
体基板を保管する構成とするものである。
【００１５】請求項１の構成により、半導体基板は過飽
和状態の蒸気中において保持されるので、保管及び運搬
中において半導体基板の表面は自然乾燥しない。また、
半導体基板を純水中に保管する必要がないので、半導体
基板を運搬する際の重量負担が軽減される。また、半導
体基板は過飽和状態の蒸気中において保持されるため、
半導体基板の表面には蒸気が付着し、該蒸気が液化して
なる滴によって半導体基板の表面は洗浄される。
和状態の蒸気中において保持されるので、保管及び運搬
中において半導体基板の表面は自然乾燥しない。また、
半導体基板を純水中に保管する必要がないので、半導体
基板を運搬する際の重量負担が軽減される。また、半導
体基板は過飽和状態の蒸気中において保持されるため、
半導体基板の表面には蒸気が付着し、該蒸気が液化して
なる滴によって半導体基板の表面は洗浄される。
【００１６】請求項２の発明が具体的に講じた解決手段
は、半導体基板の保管装置を、半導体基板を保持したキ
ャリヤを収納する密閉可能な保管ボックスと、前記保管
ボックス内に蒸気を供給して該保管ボックス内を蒸気の
過飽和状態にさせる蒸気供給手段とを備えている構成と
するものである。
は、半導体基板の保管装置を、半導体基板を保持したキ
ャリヤを収納する密閉可能な保管ボックスと、前記保管
ボックス内に蒸気を供給して該保管ボックス内を蒸気の
過飽和状態にさせる蒸気供給手段とを備えている構成と
するものである。
【００１７】請求項２の構成により、半導体基板は過飽
和状態の蒸気中において保持されるので、請求項１の構
成と同様、半導体基板の自然乾燥は起こらず、半導体基
板を運搬する際の重量負担が軽減され、半導体基板の表
面は蒸気が液化してなる滴によって洗浄される。
和状態の蒸気中において保持されるので、請求項１の構
成と同様、半導体基板の自然乾燥は起こらず、半導体基
板を運搬する際の重量負担が軽減され、半導体基板の表
面は蒸気が液化してなる滴によって洗浄される。
【００１８】また、半導体基板は密閉状態の保管ボック
スの内部に保持されるので、保管及び運搬中に半導体基
板の表面に異物粒子が付着したり半導体基板の表面が不
純物に汚染されたりしない。
スの内部に保持されるので、保管及び運搬中に半導体基
板の表面に異物粒子が付着したり半導体基板の表面が不
純物に汚染されたりしない。
【００１９】請求項３の発明は、請求項２の構成に、前
記蒸気供給手段は、貯溜されている液体を加熱して蒸気
を発生させるヒーターからなるという構成を付加するも
のである。
記蒸気供給手段は、貯溜されている液体を加熱して蒸気
を発生させるヒーターからなるという構成を付加するも
のである。
【００２０】請求項４の発明は、請求項３の構成に、前
記保管ボックスは、連通孔を有する仕切板によって、上
部に位置し前記キャリアを保管する基板保管部と、下部
に位置し前記ヒーターと液体を貯溜する液体貯溜部とを
備えた蒸気発生部とに仕切られているという構成を付加
するものである。
記保管ボックスは、連通孔を有する仕切板によって、上
部に位置し前記キャリアを保管する基板保管部と、下部
に位置し前記ヒーターと液体を貯溜する液体貯溜部とを
備えた蒸気発生部とに仕切られているという構成を付加
するものである。
【００２１】請求項５の発明は、請求項２の構成に、前
記蒸気供給手段は、液体を超音波により霧状の微細な液
体粒子に変化させて前記保管ボックス内に供給する加湿
器からなるという構成を付加するものである。
記蒸気供給手段は、液体を超音波により霧状の微細な液
体粒子に変化させて前記保管ボックス内に供給する加湿
器からなるという構成を付加するものである。
【００２２】請求項６の発明は、請求項２の構成に、前
記蒸気供給手段は、液体を圧送するポンプと、該ポンプ
により圧送されてきた液体を霧状の微細な液体粒子に変
化させて前記保管ボックス内に噴射するノズルとからな
るという構成を付加するものである。
記蒸気供給手段は、液体を圧送するポンプと、該ポンプ
により圧送されてきた液体を霧状の微細な液体粒子に変
化させて前記保管ボックス内に噴射するノズルとからな
るという構成を付加するものである。
【００２３】請求項７の発明は、請求項３〜６の構成に
おける液体を純水に限定するものである。
おける液体を純水に限定するものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
半導体基板の保管方法及び保管装置について図面を参照
しながら説明する。
半導体基板の保管方法及び保管装置について図面を参照
しながら説明する。
【００２５】（第１の実施形態）図１は本発明の第１の
実施形態に係る半導体基板の保管装置の断面構造を示し
ており、図１において、１０は内部が密閉される保管ボ
ックスであって、該保管ボックス１０の内部は連通孔１
１を有する仕切板１２によって上部の基板保管部１０ａ
と下部の蒸気発生部１０ｂとに分割されている。基板保
管部１０ａは扉１３により開閉可能であって、該基板保
管部１０ａには半導体基板１４を保持したキャリア１５
が収納される。
実施形態に係る半導体基板の保管装置の断面構造を示し
ており、図１において、１０は内部が密閉される保管ボ
ックスであって、該保管ボックス１０の内部は連通孔１
１を有する仕切板１２によって上部の基板保管部１０ａ
と下部の蒸気発生部１０ｂとに分割されている。基板保
管部１０ａは扉１３により開閉可能であって、該基板保
管部１０ａには半導体基板１４を保持したキャリア１５
が収納される。
【００２６】蒸気発生部１０ｂには純水１６が貯溜され
ていると共に、該純水１６中には電源１７に接続された
ヒーター１８が配置されている。純水１６はヒーター１
８により加熱されて水蒸気を発生し、発生した水蒸気は
仕切板１２の連通孔１１から基板保管部１０ａに供給さ
れる。基板保管部１０ａに供給された水蒸気１９は基板
保管部１０ａ内に充満し、半導体基板１４の表面及び基
板保管部１０ａの壁部に水滴２０となって付着する。
ていると共に、該純水１６中には電源１７に接続された
ヒーター１８が配置されている。純水１６はヒーター１
８により加熱されて水蒸気を発生し、発生した水蒸気は
仕切板１２の連通孔１１から基板保管部１０ａに供給さ
れる。基板保管部１０ａに供給された水蒸気１９は基板
保管部１０ａ内に充満し、半導体基板１４の表面及び基
板保管部１０ａの壁部に水滴２０となって付着する。
【００２７】以下、前記の半導体基板の保管装置を用い
て半導体基板を保管する方法について図２（ａ），
（ｂ）を参照しながら説明する。
て半導体基板を保管する方法について図２（ａ），
（ｂ）を参照しながら説明する。
【００２８】まず、電源１７を作動させてヒーター１８
に通電し、純水１６から水蒸気を発生させる。この場
合、純水１６が沸騰すると、水蒸気が飛び散る恐れがあ
るので、純水１６を９０〜９５℃程度に加熱することが
好ましい。蒸気発生部１０ｂにおいて発生した水蒸気は
仕切板１２の連通孔１１から基板保管部１０ａに供給さ
れるので、基板保管部１０ａは水蒸気１９が過飽和にな
った高湿度雰囲気になる。
に通電し、純水１６から水蒸気を発生させる。この場
合、純水１６が沸騰すると、水蒸気が飛び散る恐れがあ
るので、純水１６を９０〜９５℃程度に加熱することが
好ましい。蒸気発生部１０ｂにおいて発生した水蒸気は
仕切板１２の連通孔１１から基板保管部１０ａに供給さ
れるので、基板保管部１０ａは水蒸気１９が過飽和にな
った高湿度雰囲気になる。
【００２９】この状態で、装置Ａからキャリア１５を取
り出し、保管ボックス１０の扉１３を開けて、図２
（ａ）に示すように、キャリア１５を保管ボックス１０
の基板保管部１０ａに収納した後、扉１３を閉じて基板
保管部１０ａを密閉状態にする。この状態で、図２
（ｂ）に示すように、保管ボックス１０を装置Ａの近傍
から装置Ｂの近傍に移動し、装置Ｂによる処理が開始可
能になるまで待機させる。
り出し、保管ボックス１０の扉１３を開けて、図２
（ａ）に示すように、キャリア１５を保管ボックス１０
の基板保管部１０ａに収納した後、扉１３を閉じて基板
保管部１０ａを密閉状態にする。この状態で、図２
（ｂ）に示すように、保管ボックス１０を装置Ａの近傍
から装置Ｂの近傍に移動し、装置Ｂによる処理が開始可
能になるまで待機させる。
【００３０】移動中及び待機中において、キャリヤ１５
を収納した基板保管部１０ａの内部は水蒸気１９が過飽
和になった高湿度雰囲気になっているので、水蒸気１９
は半導体基板１４上に結露して水滴２０となって半導体
基板１４から流れ落ちながら半導体基板１４に付着した
異物粒子を洗い流す。
を収納した基板保管部１０ａの内部は水蒸気１９が過飽
和になった高湿度雰囲気になっているので、水蒸気１９
は半導体基板１４上に結露して水滴２０となって半導体
基板１４から流れ落ちながら半導体基板１４に付着した
異物粒子を洗い流す。
【００３１】装置Ｂが半導体基板１４に対する処理が可
能になると、保管ボックス１０の扉１３を開けて、キャ
リア１５を保管ボックス１０の基板保管部１０ａから取
り出して装置Ｂに収納する。
能になると、保管ボックス１０の扉１３を開けて、キャ
リア１５を保管ボックス１０の基板保管部１０ａから取
り出して装置Ｂに収納する。
【００３２】以上のように本実施形態によれば、蒸気発
生部１０ｂから供給される水蒸気１９によって、半導体
基板１４の雰囲気は常に高湿度に保たれるので、保管及
び運搬中において半導体基板１４の自然乾燥は起こらな
い。
生部１０ｂから供給される水蒸気１９によって、半導体
基板１４の雰囲気は常に高湿度に保たれるので、保管及
び運搬中において半導体基板１４の自然乾燥は起こらな
い。
【００３３】純水１６は水蒸気発生部１０ｂにのみ貯溜
されており、半導体基板１４を保持したキャリヤ１５の
全体を純水中に浸す必要がないため、保管ボックス１０
の重量が小さくなるので、保管ボックス１０の移動に要
する重量負担は軽減する。
されており、半導体基板１４を保持したキャリヤ１５の
全体を純水中に浸す必要がないため、保管ボックス１０
の重量が小さくなるので、保管ボックス１０の移動に要
する重量負担は軽減する。
【００３４】保管ボックス１０の基板保管部１０ａ内は
高湿度雰囲気に保たれているため、水蒸気１９は半導体
基板１４上で結露して滴として流れ落ちながら、半導体
基板１４上に付着している異物粒子や不純物を洗い流す
ので、半導体基板１４の保管及び運搬中においても半導
体基板１４を洗浄することができる。
高湿度雰囲気に保たれているため、水蒸気１９は半導体
基板１４上で結露して滴として流れ落ちながら、半導体
基板１４上に付着している異物粒子や不純物を洗い流す
ので、半導体基板１４の保管及び運搬中においても半導
体基板１４を洗浄することができる。
【００３５】保管ボックス１０の内部は密閉状態であっ
て、基板保管部１０ａに供給された水蒸気１９は半導体
基板１４上で結露して水滴２０となって仕切板１２の連
通孔１１から蒸気発生部１０ｂに回収されるため、純水
１６は減少しないので、純水１６を補充する必要はな
い。
て、基板保管部１０ａに供給された水蒸気１９は半導体
基板１４上で結露して水滴２０となって仕切板１２の連
通孔１１から蒸気発生部１０ｂに回収されるため、純水
１６は減少しないので、純水１６を補充する必要はな
い。
【００３６】半導体基板１４は密封された保管ボックス
１０内に収納されているので、保管中及び運搬中に異物
粒子が付着したり不純物に汚染されたりすることがな
い。
１０内に収納されているので、保管中及び運搬中に異物
粒子が付着したり不純物に汚染されたりすることがな
い。
【００３７】尚、前記の実施形態においては、蒸気供給
手段として、純水１６、ヒーター１８及び電源１７を用
いたが、これに代えて、純水を超音波により微細な液体
粒子に変化させて供給する加湿器よりなる蒸気供給手段
であってもよいし、又は、純水をポンプにより圧送し、
圧送された液体をノズルから微細な液体粒子として噴射
するポンプとノズルからなる蒸気供給手段であってもよ
い。加湿器やノズル及びポンプよりなる蒸気供給手段を
用いる場合には、微細な液体粒子を保管ボックス１０の
基板保管部１０ａに直接供給することが好ましい。
手段として、純水１６、ヒーター１８及び電源１７を用
いたが、これに代えて、純水を超音波により微細な液体
粒子に変化させて供給する加湿器よりなる蒸気供給手段
であってもよいし、又は、純水をポンプにより圧送し、
圧送された液体をノズルから微細な液体粒子として噴射
するポンプとノズルからなる蒸気供給手段であってもよ
い。加湿器やノズル及びポンプよりなる蒸気供給手段を
用いる場合には、微細な液体粒子を保管ボックス１０の
基板保管部１０ａに直接供給することが好ましい。
【００３８】ヒーター１８により純水１６を加熱して水
蒸気を発生させる場合には、異物粒子や不純物を含まな
い純粋な水蒸気１９を生成できるため、純粋な水蒸気１
９により半導体基板１４を洗浄できるので、半導体基板
１６を極めて清浄な状態で保管することができ、また、
加湿器や、ノズル及びポンプにより微細な液体粒子を供
給する場合には、半導体基板１４が温められることがな
いため、半導体基板１４上で微細な液体粒子が結露して
滴になり易いので、短時間で半導体基板１４を洗浄する
ことができる。
蒸気を発生させる場合には、異物粒子や不純物を含まな
い純粋な水蒸気１９を生成できるため、純粋な水蒸気１
９により半導体基板１４を洗浄できるので、半導体基板
１６を極めて清浄な状態で保管することができ、また、
加湿器や、ノズル及びポンプにより微細な液体粒子を供
給する場合には、半導体基板１４が温められることがな
いため、半導体基板１４上で微細な液体粒子が結露して
滴になり易いので、短時間で半導体基板１４を洗浄する
ことができる。
【００３９】
【発明の効果】請求項１の発明に係る半導体基板の洗浄
方法によると、半導体基板は過飽和状態において保持さ
れるため、保管及び運搬中において半導体基板の自然乾
燥が起こらず、半導体基板の運搬に要する重量負担が軽
減され、蒸気が液化してなる滴によって半導体基板の表
面は洗浄される。
方法によると、半導体基板は過飽和状態において保持さ
れるため、保管及び運搬中において半導体基板の自然乾
燥が起こらず、半導体基板の運搬に要する重量負担が軽
減され、蒸気が液化してなる滴によって半導体基板の表
面は洗浄される。
【００４０】請求項２の発明に係る半導体基板の洗浄装
置によると、請求項１の発明に係る半導体基板の洗浄方
法を確実に実現できると共に、保管及び運搬中に半導体
基板の表面に異物粒子が付着したり半導体基板の表面が
不純物に汚染されたりすることがないので、半導体基板
を清浄な状態で保管することができる。
置によると、請求項１の発明に係る半導体基板の洗浄方
法を確実に実現できると共に、保管及び運搬中に半導体
基板の表面に異物粒子が付着したり半導体基板の表面が
不純物に汚染されたりすることがないので、半導体基板
を清浄な状態で保管することができる。
【００４１】請求項３の発明に係る半導体装置の洗浄装
置によると、液体はヒーターにより加熱されて蒸気にな
るため、異物粒子や不純物を含まない純粋な蒸気を生成
でき、純粋な蒸気よりなる滴によって半導体基板を洗浄
できるので、半導体基板を極めて清浄な状態において保
管することができる。
置によると、液体はヒーターにより加熱されて蒸気にな
るため、異物粒子や不純物を含まない純粋な蒸気を生成
でき、純粋な蒸気よりなる滴によって半導体基板を洗浄
できるので、半導体基板を極めて清浄な状態において保
管することができる。
【００４２】請求項４の発明に係る半導体装置の洗浄装
置によると、保管ボックスの蒸気発生部において発生
し、基板保管部に供給された蒸気は、半導体基板上で結
露して液体の滴となって仕切板の連通孔から蒸気発生部
に回収されるため、保管ボックス内の液体は減少しない
ので、保管ボックス内に液体を補充する必要はない。
置によると、保管ボックスの蒸気発生部において発生
し、基板保管部に供給された蒸気は、半導体基板上で結
露して液体の滴となって仕切板の連通孔から蒸気発生部
に回収されるため、保管ボックス内の液体は減少しない
ので、保管ボックス内に液体を補充する必要はない。
【００４３】請求項５又は６の発明に係る半導体装置の
洗浄装置によると、液体が蒸気ではなく霧状の微細な液
体粒子として供給され、半導体基板が温められることが
ないため、半導体基板上で霧状の微細な液体粒子が速や
かに滴になるので、半導体基板の洗浄に要する時間が短
縮される。
洗浄装置によると、液体が蒸気ではなく霧状の微細な液
体粒子として供給され、半導体基板が温められることが
ないため、半導体基板上で霧状の微細な液体粒子が速や
かに滴になるので、半導体基板の洗浄に要する時間が短
縮される。
【００４４】請求項７の発明に係る半導体装置の洗浄装
置によると、半導体基板の表面に付着している金属イオ
ンが純水に溶け込むので、半導体基板表面の金属イオン
を確実に除去できる。
置によると、半導体基板の表面に付着している金属イオ
ンが純水に溶け込むので、半導体基板表面の金属イオン
を確実に除去できる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体基板の保管装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体基板の保管方
法を示す概略断面図である。
法を示す概略断面図である。
【図３】従来の第１の半導体基板の保管方法を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図４】従来の第２の半導体基板の保管方法を示す概略
断面図である。
断面図である。
１０ 保管ボックス １０ａ 基板保管部 １０ｂ 蒸気発生部 １１ 連通孔 １２ 仕切板 １３ 扉 １４ 半導体基板 １５ キャリア １６ 純水 １７ 電源 １８ ヒーター １９ 水蒸気 ２０ 水滴
Claims (7)
- 【請求項１】 キャリアに保持された半導体基板に対し
て蒸気を供給して該半導体基板を過飽和状態の蒸気中に
おいて保持することにより前記半導体基板の表面に前記
蒸気を付着させ、該蒸気が液化してなる滴により前記半
導体基板の表面を洗浄しながら前記半導体基板を保管す
ることを特徴とする半導体基板の保管方法。 - 【請求項２】 半導体基板を保持したキャリヤを収納す
る密閉可能な保管ボックスと、前記保管ボックス内に蒸
気を供給して該保管ボックス内を蒸気の過飽和状態にさ
せる蒸気供給手段とを備えていることを特徴とする半導
体基板の保管装置。 - 【請求項３】 前記蒸気供給手段は、貯溜されている液
体を加熱して蒸気を発生させるヒーターからなることを
特徴とする請求項２に記載の半導体基板の保管装置。 - 【請求項４】 前記保管ボックスは、連通孔を有する仕
切板によって、上部に位置し前記キャリアを保管する基
板保管部と、下部に位置し前記ヒーターと液体を貯溜す
る液体貯溜部とを備えた蒸気発生部とに仕切られている
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体基板の保管装
置。 - 【請求項５】 前記蒸気供給手段は、液体を超音波によ
り霧状の微細な液体粒子に変化させて前記保管ボックス
内に供給する加湿器からなることを特徴とする請求項２
に記載の半導体基板の保管装置。 - 【請求項６】 前記蒸気供給手段は、液体を圧送するポ
ンプと、該ポンプにより圧送されてきた液体を霧状の微
細な液体粒子に変化させて前記保管ボックス内に噴射す
るノズルとからなることを特徴とする請求項２に記載の
半導体基板の保管装置。 - 【請求項７】 前記液体は純水であることを特徴とする
請求項３〜６のいずれか１項に記載の半導体基板の保管
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23815395A JPH0982671A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 半導体基板の保管方法及び半導体基板の保管装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23815395A JPH0982671A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 半導体基板の保管方法及び半導体基板の保管装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982671A true JPH0982671A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17025991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23815395A Withdrawn JPH0982671A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 半導体基板の保管方法及び半導体基板の保管装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0982671A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104039467A (zh) * | 2012-06-08 | 2014-09-10 | 日本原野株式会社 | 被清洗物的蒸气清洗方法及其装置 |
-
1995
- 1995-09-18 JP JP23815395A patent/JPH0982671A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104039467A (zh) * | 2012-06-08 | 2014-09-10 | 日本原野株式会社 | 被清洗物的蒸气清洗方法及其装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021203 |