JPH0981055A - 発光ダイオードのリフレクター及びその製造方法 - Google Patents
発光ダイオードのリフレクター及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0981055A JPH0981055A JP23695995A JP23695995A JPH0981055A JP H0981055 A JPH0981055 A JP H0981055A JP 23695995 A JP23695995 A JP 23695995A JP 23695995 A JP23695995 A JP 23695995A JP H0981055 A JPH0981055 A JP H0981055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflector
- emitting diode
- light emitting
- tio
- polycarbonate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光ダイオードのリフレクター及びその製造
方法を提供する。 【解決手段】 約65%〜75%のポリカーボネート、
5%〜15%のPBT、15%〜25%のTiO2 、
0.008%〜0.016%のカーボン粉(成分はカー
ボン粉2%〜6%と滑石粉94%〜98%)からなる材
料を機械方式で均一に混合した後に、約270℃の温度
で射出して成型する。この製造方法により、光度が高
い、光が漏れない、ゴム沈澱がないという製品を得るこ
とができる。
方法を提供する。 【解決手段】 約65%〜75%のポリカーボネート、
5%〜15%のPBT、15%〜25%のTiO2 、
0.008%〜0.016%のカーボン粉(成分はカー
ボン粉2%〜6%と滑石粉94%〜98%)からなる材
料を機械方式で均一に混合した後に、約270℃の温度
で射出して成型する。この製造方法により、光度が高
い、光が漏れない、ゴム沈澱がないという製品を得るこ
とができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオードのリ
フレクター及びその製造方法に関する。特に、いろいろ
な電子製品(例えば、計算機、時計など)に用いられる
デジタルタイプのディスプレー用の発光ダイオードのリ
フレクター及びその製造方法に関する。
フレクター及びその製造方法に関する。特に、いろいろ
な電子製品(例えば、計算機、時計など)に用いられる
デジタルタイプのディスプレー用の発光ダイオードのリ
フレクター及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ポリカーボネートにTiO2 を加えたも
のを発光ダイオードのリフレクターの主な材料として産
業上利用している。一方、パッケージの中におけるエポ
キシ樹脂はポリカーボネートにとって、“PC−ATT
ACK”という現象が起こるので、TiO2 がリフレク
ターから放出されて、ゴムの沈澱問題を生じる。また、
溶融指数(MI)を射出の最大限に至るまで降下できな
いので、TiO2 の量を増すことは不可能である。その
ようにできないので、材料の流速が遅く、射出成型も難
しくなり、光の漏れ、光度の不足、スポットライトなど
問題の適切な改善が出来ない。リフレクターの別の製造
方法について、例えば、NORYL+TiO2 またはP
BT+TiO2 +ガラスファイバーまたはポリカーボネ
ート+ガラスファイバーまたはPBT+TiO2 などの
方式でも、光度差異、低い反射率、ゴムの沈澱、弯曲変
形、高い原価、などの問題を有するので、これらも完全
な製造方法とは言えない。
のを発光ダイオードのリフレクターの主な材料として産
業上利用している。一方、パッケージの中におけるエポ
キシ樹脂はポリカーボネートにとって、“PC−ATT
ACK”という現象が起こるので、TiO2 がリフレク
ターから放出されて、ゴムの沈澱問題を生じる。また、
溶融指数(MI)を射出の最大限に至るまで降下できな
いので、TiO2 の量を増すことは不可能である。その
ようにできないので、材料の流速が遅く、射出成型も難
しくなり、光の漏れ、光度の不足、スポットライトなど
問題の適切な改善が出来ない。リフレクターの別の製造
方法について、例えば、NORYL+TiO2 またはP
BT+TiO2 +ガラスファイバーまたはポリカーボネ
ート+ガラスファイバーまたはPBT+TiO2 などの
方式でも、光度差異、低い反射率、ゴムの沈澱、弯曲変
形、高い原価、などの問題を有するので、これらも完全
な製造方法とは言えない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】したがって、発明者が
従来の欠点に鑑みて、従来の製造方法を分析し、ポリカ
ーボネート+TiO2 を主な材料としてついに、本発明
の発光ダイオードのリフレクター及びその製造方法を開
発するに至り、その遮光性能及び反射率が高いのみなら
ず、ゴムの沈澱の問題も解決された。
従来の欠点に鑑みて、従来の製造方法を分析し、ポリカ
ーボネート+TiO2 を主な材料としてついに、本発明
の発光ダイオードのリフレクター及びその製造方法を開
発するに至り、その遮光性能及び反射率が高いのみなら
ず、ゴムの沈澱の問題も解決された。
【0004】知られているように、TiO2 を増すと、
材料の遮光性質及び反射率が増加し、光度も高くなる
が、TiO2 の溶融指数が高く、流速が遅いため、製品
の射出成型が不完全である。更に、TiO2 が多すぎる
と、“PC−ATTACK”という現象により、ゴムの
沈澱もさらに顕著となる。それ故に、従来は成分の中
に、9〜13%のTiO2 しか使用できなかった。
材料の遮光性質及び反射率が増加し、光度も高くなる
が、TiO2 の溶融指数が高く、流速が遅いため、製品
の射出成型が不完全である。更に、TiO2 が多すぎる
と、“PC−ATTACK”という現象により、ゴムの
沈澱もさらに顕著となる。それ故に、従来は成分の中
に、9〜13%のTiO2 しか使用できなかった。
【0005】
【課題を解決するための手段】これに鑑みて、発明者は
溶融指数及び溶媒中の耐久性の高い材料を添加し、前述
した欠点を解決することを意図した。実験により、PB
Tを添加すれば、前述した欠点が明らかに改善できる事
が証明されている。結局、TiO2 の量は20%まで増
加しうる。PBTは抗化学性が高く、溶融指数が大き
く、ポリカーボネートと比重が接近した樹脂であり、ポ
リカーボネートと両立できるので、PBTを添加する
と、材料のMI値が向上すると共に、TiO2 の包容能
力により、ゴム沈澱の問題もなくなり、TiO2 の増加
により、材料の遮光性質及び反射率も大幅に高まる。な
お、カーボンの添加は光の漏れを防ぐ目的に役立つ。
溶融指数及び溶媒中の耐久性の高い材料を添加し、前述
した欠点を解決することを意図した。実験により、PB
Tを添加すれば、前述した欠点が明らかに改善できる事
が証明されている。結局、TiO2 の量は20%まで増
加しうる。PBTは抗化学性が高く、溶融指数が大き
く、ポリカーボネートと比重が接近した樹脂であり、ポ
リカーボネートと両立できるので、PBTを添加する
と、材料のMI値が向上すると共に、TiO2 の包容能
力により、ゴム沈澱の問題もなくなり、TiO2 の増加
により、材料の遮光性質及び反射率も大幅に高まる。な
お、カーボンの添加は光の漏れを防ぐ目的に役立つ。
【0006】本発明の発光ダイオードのリフレクター及
びその製造方法の製造プロセスは以下のようになる:
1.65%〜75%のポリカーボネート、5%〜15%
のPBT、15%〜25%のTiO2 、0.008%〜
0.016%のカーボン粉(成分はカーボン粉2%〜6
%+滑石粉94%〜98%)などの材料を機械方式で均
一に混合する。2.約270℃の温度で射出して成型す
る。
びその製造方法の製造プロセスは以下のようになる:
1.65%〜75%のポリカーボネート、5%〜15%
のPBT、15%〜25%のTiO2 、0.008%〜
0.016%のカーボン粉(成分はカーボン粉2%〜6
%+滑石粉94%〜98%)などの材料を機械方式で均
一に混合する。2.約270℃の温度で射出して成型す
る。
【0007】
【発明の実施の形態】以下に、さらに、図面を参照し
て、本発明の発光ダイオードのリフレクター及びその製
造方法の構造を詳細に説明する。図面に示すように、リ
フレクター1、チップ2、エポキシ樹脂の保護層3など
の部品を含む。
て、本発明の発光ダイオードのリフレクター及びその製
造方法の構造を詳細に説明する。図面に示すように、リ
フレクター1、チップ2、エポキシ樹脂の保護層3など
の部品を含む。
【0008】本発明の発光ダイオードのリフレクター及
びその製造方法を従来の製品と比較するために、以下
に、種々の測定及び実験結果に従って説明する。
びその製造方法を従来の製品と比較するために、以下
に、種々の測定及び実験結果に従って説明する。
【0009】
【表1】
【0010】
【表2】
【0011】次は製品の応用測定である。
【0012】
【表3】
【0013】
【表4】
【0014】
【表5】
【0015】
【表6】
【0016】
【表7】
【0017】測定の結果により、回収されたポリカーボ
ネートの白色の程度は、ほぼ影響されない。しかも、耐
衝撃性質が調合する量を変えることで制御されるので、
回収する事が可能である。 製品の別の応用測定: 1.脱落測定 長さ3Mの#600テープを本発明の製品の表面に貼り
付け、指の力で押してから引き裂いても、脱落現象が起
こらなかった。 2.溶媒中の耐久性の測定 本発明の製品をそれぞれFreon及びTMSなどの溶
液に浸け、超音波により、10分間の振動をさせても、
裂け目または腐食という現象が見られなかった。 3.信頼性のテスト 本発明の製品を次の条件で振動させた。 A.85±5℃ 10分間⇒−35±5℃ 10分間⇒
85±5℃ 10分間⇒35±5℃ (50回) テストの結果は裂け目など欠陥が生じなかった。 B.75℃ 1時間/25℃ 12分間/−35℃ 1
時間/25℃ 12分間(60回)⇒85℃ 1時間/
−40℃ 1時間(32回)⇒25℃ 温度、90〜9
5%RH 温度240時間 テストの結果はどんな欠陥も生じなかった。
ネートの白色の程度は、ほぼ影響されない。しかも、耐
衝撃性質が調合する量を変えることで制御されるので、
回収する事が可能である。 製品の別の応用測定: 1.脱落測定 長さ3Mの#600テープを本発明の製品の表面に貼り
付け、指の力で押してから引き裂いても、脱落現象が起
こらなかった。 2.溶媒中の耐久性の測定 本発明の製品をそれぞれFreon及びTMSなどの溶
液に浸け、超音波により、10分間の振動をさせても、
裂け目または腐食という現象が見られなかった。 3.信頼性のテスト 本発明の製品を次の条件で振動させた。 A.85±5℃ 10分間⇒−35±5℃ 10分間⇒
85±5℃ 10分間⇒35±5℃ (50回) テストの結果は裂け目など欠陥が生じなかった。 B.75℃ 1時間/25℃ 12分間/−35℃ 1
時間/25℃ 12分間(60回)⇒85℃ 1時間/
−40℃ 1時間(32回)⇒25℃ 温度、90〜9
5%RH 温度240時間 テストの結果はどんな欠陥も生じなかった。
【0018】
【発明の効果】本発明の発光ダイオードのリフレクター
及びその製造方法の利点は以下のとおりである: 1.製品の遮光性質及び反射率が向上するので光度は従
来のPC樹脂またはNORYL材質の光度より、10〜
20%高まる。 2.遮光性質つまり光抵抗効果がよいばかりでなく、カ
ーボンを添加する事もできるので、材質からもたらされ
る光漏れ問題を完全に防ぐことが可能である。 3.光度が向上すると、材料の混合プロセスにも、拡散
剤を入れるので、スポットライトとしての光度不足とい
う現象も解決される。 4.材料の溶融指数が高くなるので、TiO2 の両立性
が向上され、ゴムの沈澱問題が生じない。 5.従来の製造プロセスでは、ゴムの沈澱を解決するた
めに必要とした、100℃の状態に12時間、焼きつけ
るという段階を省く事が出来るので、出荷の時間が短縮
されると同時に、生産数量も向上される。 6.本発明に使用した材料の価格は安価なためにコスト
を低下できる。
及びその製造方法の利点は以下のとおりである: 1.製品の遮光性質及び反射率が向上するので光度は従
来のPC樹脂またはNORYL材質の光度より、10〜
20%高まる。 2.遮光性質つまり光抵抗効果がよいばかりでなく、カ
ーボンを添加する事もできるので、材質からもたらされ
る光漏れ問題を完全に防ぐことが可能である。 3.光度が向上すると、材料の混合プロセスにも、拡散
剤を入れるので、スポットライトとしての光度不足とい
う現象も解決される。 4.材料の溶融指数が高くなるので、TiO2 の両立性
が向上され、ゴムの沈澱問題が生じない。 5.従来の製造プロセスでは、ゴムの沈澱を解決するた
めに必要とした、100℃の状態に12時間、焼きつけ
るという段階を省く事が出来るので、出荷の時間が短縮
されると同時に、生産数量も向上される。 6.本発明に使用した材料の価格は安価なためにコスト
を低下できる。
【0019】以上述べた内容は本発明を説明する理想的
な実施例の一つだけであり、本発明になんらの形式の制
限をするものではない。そのために、発明と同じ精神
で、どんな改善及び変更もすべて本発明の保護される領
域に含まれる。
な実施例の一つだけであり、本発明になんらの形式の制
限をするものではない。そのために、発明と同じ精神
で、どんな改善及び変更もすべて本発明の保護される領
域に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のLEDのリフレクターの第1の説明図
である。
である。
【図2】本発明のLEDのリフレクターの第2の説明図
である。
である。
【図3】図2のLEDのリフレクター製品を部分加工に
より切断した後の部分断面図である。
より切断した後の部分断面図である。
1 リフレクター 2 チップ 3 保護層
Claims (3)
- 【請求項1】 約65%〜75%のポリカーボネート、
5%〜15%のPBT、15%〜25%のTiO2 、
0.008%〜0.016%のカーボン粉(成分はカー
ボン粉2%〜6%と滑石粉94%〜98%)からなる材
料を機械方式により均一に混合した後に270℃+5℃
の温度で射出して成型する発光ダイオードのリフレクタ
ー用の製造方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の方法により製造される発
光ダイオードのリフレクター。 - 【請求項3】 射出成型の温度が270℃である請求項
1記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23695995A JPH0981055A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 発光ダイオードのリフレクター及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23695995A JPH0981055A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 発光ダイオードのリフレクター及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0981055A true JPH0981055A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17008307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23695995A Pending JPH0981055A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 発光ダイオードのリフレクター及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0981055A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7709568B2 (en) | 2002-10-15 | 2010-05-04 | Solvay Advanced Polymers, Llc | Anti-yellowing polycondensation polymer compositions and articles |
-
1995
- 1995-09-14 JP JP23695995A patent/JPH0981055A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7709568B2 (en) | 2002-10-15 | 2010-05-04 | Solvay Advanced Polymers, Llc | Anti-yellowing polycondensation polymer compositions and articles |
US7989531B2 (en) | 2002-10-15 | 2011-08-02 | Solvay Advanced Polymers, Llc | Anti-yellowing polycondensation polymer compositions and articles |
JP4864323B2 (ja) * | 2002-10-15 | 2012-02-01 | ソルヴェイ アドバンスド ポリマーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 抗黄変性重縮合ポリマー組成物及び製品 |
EP1554762B2 (en) † | 2002-10-15 | 2014-04-30 | Solvay Specialty Polymers USA, LLC. | Anti-yellowing polycondensation polymer compositions and articles |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3393247B2 (ja) | 光学装置およびその製造方法 | |
JP5682497B2 (ja) | 表面実装型発光装置の製造方法及びリフレクター基板 | |
KR940008334B1 (ko) | 다중몰드형 반도체장치 및 그 제조방법 | |
US3924246A (en) | Ultraviolet-transmitting window | |
US7901785B2 (en) | Resin composition for sealing light-emitting device and lamp | |
US20110176573A1 (en) | Silicone Leaded Chip Carrier | |
CN104097375A (zh) | 用于显示装置的窗和包括该窗的显示装置 | |
JP2001261367A (ja) | 透明樹脂用ガラスフィラー | |
JPH0981055A (ja) | 発光ダイオードのリフレクター及びその製造方法 | |
JP2874420B2 (ja) | 樹脂封止電子部品 | |
JPH02225580A (ja) | 等倍光センサーの保護ガラス板用接着剤 | |
JPH0529663A (ja) | 光半導体装置およびその樹脂封止方法 | |
JPH01248546A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
KR20030093247A (ko) | 반도체 장치 조립용 마스크 시트 및 반도체 장치 조립 방법 | |
CN1511341A (zh) | 填胶组合物 | |
JPH05183075A (ja) | 光半導体装置 | |
JPH09214111A (ja) | 電子回路基板 | |
JP2826019B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JPS60217303A (ja) | ホログラム封止体 | |
JPS61145202A (ja) | 紫外線硬化性樹脂組成物 | |
JP2000086746A (ja) | 紫外線硬化型樹脂組成物 | |
JPH0690027A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JPH0345911A (ja) | 光ファイバー分岐カプラー用筺体 | |
CN116469902A (zh) | 影像传感器模块的制造方法 | |
JPH02237139A (ja) | 電子部品封止成形物 |