JPH098091A - エレクトロマイグレーション評価用ｔｅｇ - Google Patents
エレクトロマイグレーション評価用ｔｅｇInfo
- Publication number
- JPH098091A JPH098091A JP14922295A JP14922295A JPH098091A JP H098091 A JPH098091 A JP H098091A JP 14922295 A JP14922295 A JP 14922295A JP 14922295 A JP14922295 A JP 14922295A JP H098091 A JPH098091 A JP H098091A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- electromigration
- evaluation
- teg
- pad
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Testing Relating To Insulation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】配線部の評価を正確に行なう。
【構成】パッド２を、評価用の配線１以下の幅で格子状
に形成する。
に形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエレクトロマイグレーシ
ョン評価用のＴＥＧ（テストエレメントグループ）に関
し、特に配線の両端に接続されたパッド部の形状に関す
る。
ョン評価用のＴＥＧ（テストエレメントグループ）に関
し、特に配線の両端に接続されたパッド部の形状に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロマイグレーションは配線の断
線等の原因となる為、製品に用いられる配線についてエ
レクトロマイグレーションの評価が実施されている。従
来のエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧは、図２
に示すように、評価用の配線１の両端に、外部接続を行
うためのいわゆるパッド２Ａを設けており、このパッド
２Ａ間に電流を印加することにより、エレクトロマイグ
レーション評価を行っている。また、その際のパッド２
Ａは通常配線１と同材質の導電体であり、外部と接続し
易いように配線部に対して広面積を有しているため、特
にアルミニウム系の配線では、Ａｌ粒子（グレイン）３
が多く含まれていることとなり、それだけ粒子界面（粒
界）４も多く存在する。
線等の原因となる為、製品に用いられる配線についてエ
レクトロマイグレーションの評価が実施されている。従
来のエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧは、図２
に示すように、評価用の配線１の両端に、外部接続を行
うためのいわゆるパッド２Ａを設けており、このパッド
２Ａ間に電流を印加することにより、エレクトロマイグ
レーション評価を行っている。また、その際のパッド２
Ａは通常配線１と同材質の導電体であり、外部と接続し
易いように配線部に対して広面積を有しているため、特
にアルミニウム系の配線では、Ａｌ粒子（グレイン）３
が多く含まれていることとなり、それだけ粒子界面（粒
界）４も多く存在する。
【０００３】尚、評価試験は製品と同じ状態で行なわれ
る為、配線やパッドの形成されたチップはパッケージ内
に封止される場合が多い。
る為、配線やパッドの形成されたチップはパッケージ内
に封止される場合が多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来のエレクトロ
マイグレーション評価用ＴＥＧ、特にアルミニウム系の
配線ではパッド部に評価用の配線よりも多くの粒界が存
在しているが、エレクトロマイグレーション現象は粒界
において発生確率が高い。通常のエレクトロマイグレー
ション評価用ＴＥＧでは、パッド間に定電流を印加する
ため、評価用の配線の方がパッド部に比べて電流密度が
大きくなり、先に故障する。しかし、評価用配線の幅が
グレインサイズ以下（例えば８μｍ以下）に細い、いわ
ゆるバンブー（ｂａｍｂｏｏ）構造となった場合、エレ
クトロマイグレーションによる寿命が評価用の配線では
延び、先にパッド部で故障が発生してしまうため、配線
部の正しい評価ができないという問題点があった。
マイグレーション評価用ＴＥＧ、特にアルミニウム系の
配線ではパッド部に評価用の配線よりも多くの粒界が存
在しているが、エレクトロマイグレーション現象は粒界
において発生確率が高い。通常のエレクトロマイグレー
ション評価用ＴＥＧでは、パッド間に定電流を印加する
ため、評価用の配線の方がパッド部に比べて電流密度が
大きくなり、先に故障する。しかし、評価用配線の幅が
グレインサイズ以下（例えば８μｍ以下）に細い、いわ
ゆるバンブー（ｂａｍｂｏｏ）構造となった場合、エレ
クトロマイグレーションによる寿命が評価用の配線では
延び、先にパッド部で故障が発生してしまうため、配線
部の正しい評価ができないという問題点があった。
【０００５】本発明の目的は、配線の評価を正確に行う
ことのできるエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧ
を提供することにある。
ことのできるエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧ
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のエレクトロマイ
グレーション評価用ＴＥＧは、シリコン基板上に形成さ
れた金属膜からなる評価用の配線と、この配線の両端部
に形成され配線と同一金属からなるパッドとを有するエ
レクトロマイグレーション評価用ＴＥＧにおいて、前記
パッドは前記配線より狭い幅の金属膜により格子状に形
成されていることを特徴とするものである。
グレーション評価用ＴＥＧは、シリコン基板上に形成さ
れた金属膜からなる評価用の配線と、この配線の両端部
に形成され配線と同一金属からなるパッドとを有するエ
レクトロマイグレーション評価用ＴＥＧにおいて、前記
パッドは前記配線より狭い幅の金属膜により格子状に形
成されていることを特徴とするものである。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例のエレクトロマイグレーシ
ョン評価用ＴＥＧの上面図である。
る。図１は本発明の一実施例のエレクトロマイグレーシ
ョン評価用ＴＥＧの上面図である。
【０００８】図１においてエレクトロマイグレーション
評価用ＴＥＧは、シリコン基板上に酸化膜等の絶縁膜を
介して（実際の製品と同様の構造が用いられる）、Ａｌ
膜からなる評価用の配線１と、この配線１の両端部に形
成されたＡｌ膜からなるパッド２とから構成されている
が、特にこのパッド２は、配線１より狭い幅のＡｌ膜に
より格子状に形成されている。例えば配線１の幅が８μ
ｍの場合パッド２の格子の幅は６μｍ以下にしてある。
評価用ＴＥＧは、シリコン基板上に酸化膜等の絶縁膜を
介して（実際の製品と同様の構造が用いられる）、Ａｌ
膜からなる評価用の配線１と、この配線１の両端部に形
成されたＡｌ膜からなるパッド２とから構成されている
が、特にこのパッド２は、配線１より狭い幅のＡｌ膜に
より格子状に形成されている。例えば配線１の幅が８μ
ｍの場合パッド２の格子の幅は６μｍ以下にしてある。
【０００９】このように構成された実施例においては、
パッド２を構成するＡｌ膜の幅は配線１の幅より狭い
為、電流印加等の評価試験を行った場合、エレクトロマ
イグレーションによる故障の発生は配線１より遅く寿命
は長くなる。従って配線１の評価を確実に行うことがで
きる。尚、格子を構成するＡｌ膜の間隔は可能な限り狭
くすることにより、プロービングや他の配線との接続を
容易にすることができる。
パッド２を構成するＡｌ膜の幅は配線１の幅より狭い
為、電流印加等の評価試験を行った場合、エレクトロマ
イグレーションによる故障の発生は配線１より遅く寿命
は長くなる。従って配線１の評価を確実に行うことがで
きる。尚、格子を構成するＡｌ膜の間隔は可能な限り狭
くすることにより、プロービングや他の配線との接続を
容易にすることができる。
【００１０】又上記実施例においては金属膜としてＡｌ
膜を用いた場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、ＳｉやＣｕを含むＡｌ合金膜やＡｕ膜で
あってもよいことは勿論である。
膜を用いた場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、ＳｉやＣｕを含むＡｌ合金膜やＡｕ膜で
あってもよいことは勿論である。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、エレクト
ロマイグレーション評価用ＴＥＧのパッド部を評価用の
配線以下の幅で格子状に形成したため、配線部分がバン
プー構造となってもパッド部で先に故障が発生すること
はなく、正確な配線の評価が行なえるという効果を有す
る。
ロマイグレーション評価用ＴＥＧのパッド部を評価用の
配線以下の幅で格子状に形成したため、配線部分がバン
プー構造となってもパッド部で先に故障が発生すること
はなく、正確な配線の評価が行なえるという効果を有す
る。
【図１】本発明の一実施例の上面図。
【図２】従来の一般的なエレクトロマイグレーション評
価用ＴＥＧの上面図。
価用ＴＥＧの上面図。
１ 配線 ２，２Ａ パッド ３ Ａｌ粒子（グレイン） ４ 粒子界面（粒界）
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン基板上に形成された金属膜から
なる評価用の配線と、この配線の両端部に形成され配線
と同一金属からなるパッドとを有するエレクトロマイグ
レーション評価用ＴＥＧにおいて、前記パッドは前記配
線より狭い幅の金属膜により格子状に形成されているこ
とを特徴とするエレクトロマイグレーション評価用ＴＥ
Ｇ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14922295A JP2666774B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | エレクトロマイグレーション評価用ｔｅｇ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14922295A JP2666774B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | エレクトロマイグレーション評価用ｔｅｇ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098091A true JPH098091A (ja) | 1997-01-10 |
| JP2666774B2 JP2666774B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=15470535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14922295A Expired - Lifetime JP2666774B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | エレクトロマイグレーション評価用ｔｅｇ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2666774B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6091080A (en) * | 1997-06-27 | 2000-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Evaluation method for wirings of semiconductor device |
| KR100390809B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2003-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 일렉트로마이그레이션에 대한 테스트패턴 |
| CN103962680A (zh) * | 2014-04-13 | 2014-08-06 | 北京工业大学 | 钎焊接头电迁移实验装置 |
-
1995
- 1995-06-15 JP JP14922295A patent/JP2666774B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6091080A (en) * | 1997-06-27 | 2000-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Evaluation method for wirings of semiconductor device |
| KR100390809B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2003-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 일렉트로마이그레이션에 대한 테스트패턴 |
| CN103962680A (zh) * | 2014-04-13 | 2014-08-06 | 北京工业大学 | 钎焊接头电迁移实验装置 |
| CN103962680B (zh) * | 2014-04-13 | 2016-01-13 | 北京工业大学 | 钎焊接头电迁移实验装置以及搭建方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2666774B2 (ja) | 1997-10-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970527 |