JPH098068A - ダイボンディング方法及びその装置 - Google Patents

ダイボンディング方法及びその装置

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JPH098068A
JPH098068A JP15725995A JP15725995A JPH098068A JP H098068 A JPH098068 A JP H098068A JP 15725995 A JP15725995 A JP 15725995A JP 15725995 A JP15725995 A JP 15725995A JP H098068 A JPH098068 A JP H098068A
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chip
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体チップの特性区分毎の分類が高品質を
確保しながら容易に行え、所望特性の半導体装置を効率
よく生産することができるダイボンディング方法及びそ
の装置を提供する。 【構成】 半導体ウエハ21上の特性区分された半導体
チップ25aをピックアップ位置53からピックアップ
部38によりチップ仮置き部37の仮置き位置60に移
送し、さらにフレーム搬送部31のダイボンディング位
置48に位置するリードフレーム41の所定部位にダイ
ボンディングするように構成されていると共に、チップ
仮置き部37が同一半導体ウエハ21でのリードフレー
ム搭載の際に生じた端数の半導体チップ25aを回動体
57に特性区分毎に保持するようになっているので、半
導体ウエハ21毎に発生する端数の半導体チップ25a
も効率よくダイボンディングすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハに形成さ
れた半導体素子の特性分類されたウエハ単位の特性情報
を基に、各半導体素子を区分しながらリードフレームに
搭載するダイボンディング方法及びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、リードフレームへの半導体チップ
(以下、チップと記す)のダイボンディングは次のよう
にして行われていた。先ず半導体ウエハ(以下、ウエハ
と記す)は、ウエハリングに保持されると共にロット番
号及びウエハ番号などの情報が書き込まれたバーコード
が付与される。そしてウエハに形成された個々のチップ
について特性検査が行われ、各チップの特性区分や良品
以外のチップへの不良マークの施しが行われるか、ある
いは良否結果がロット単位で記憶媒体、例えばフロッピ
ーディスク(以下、FDと記す)またはホストコンピュ
ータ(以下、H/Cと記す)等に記憶される。
【0003】その後、ダイシング工程で個々のチップに
分割されウエハリングに保持された状態でリングカセッ
トにロット単位でまとめられ、ダイボンダに供給され
る。
【0004】そして、次のダイボンダ工程ではダイボン
ダに供給されたウエハの各チップについて、特性検査の
良否結果を基に不良マークを認識するか、バーコードと
照合してFDから情報を読み出し、個々のウエハの良品
チップのみを選別して取り出し、リードフレームに銀ペ
ーストを介してダイボンディングが行われていた。な
お、リードフレームにチップをダイボンディングしたも
のは、この後ワイヤボンディングやモールド、めっき、
トリム・フォームの各後工程を経、さらにテスト評価工
程やマーク、パック等の工程を経ることによって半導体
装置として完成される。
【0005】しかし、特に動作電圧、消費電力、スピー
ドなどの特性についての区分が必要なメモリ分野では、
こうした特性区分をするために組み立てた後のテスト評
価工程で特性選別をする必要があった。しかしながら、
他の組み立て工程の設備に対しかなり高額となるテスト
評価工程のテスト評価設備では、特性選別のためのテス
ト評価時間はメモリ容量に比例するため、メモリの大容
量化に伴ってテスト評価工程の設備費用ばかりが増大し
て投資効率が著しく低下する問題があった。
【0006】また、製品組み立ての最終工程に近い製品
完成直前のテスト評価工程で選別を実施することから、
市場ニーズの高い特性を有する製品の半導体装置であっ
ても、これと異なる特性を有する半導体装置も同時に製
造することになる。このため、市場ニーズの高い特性を
有する半導体装置の完成までに要する製造期間が長くな
ってしまい、また、異なる特性を有する要求外製品の在
庫が増えるなどして生産効率が低いものとなっていた。
【0007】そして、これらの問題等を解決するために
ダイボンディングの工程より前の工程で事前に特性分類
を行い、そのウエハ単位での良品情報のみならず個々の
特性情報(以下、ウエハマップ)に基づいて必要な特性
のチップを選別して分割生産する生産方法が考えられ、
現在、ダイボンディング方法と移し換え方法の2つの方
法が提案されている。
【0008】以下、これら2つの方法について、図6及
び図7を参照して説明する。図6はダイボンディング方
法を説明するための概略の構成図であり、図7は移し換
え方法を説明するための概略の構成図である。
【0009】先ず、第1の方法である「ダイボンディン
グ方法」について図6により説明する。これに用いるダ
イボンダ1はウエハマップ機能を有しており、この機能
により所望の特性区分のチップ2のみを選別してピック
アップし、リードフレーム3にダイボンディングする方
法である。
【0010】すなわち、前工程で作成されたウエハマッ
プデータは、図中のウエハリング4に保持されたウエハ
5のチップ2に記されたA,B,C記号に相当し、各ウ
エハ5毎のチップ特性と位置情報(配列情報)が格納さ
れたFD6、または上位のH/C7によりダイボンダ1
に入力され、ウエハリング4のバーコード8と照合され
て必要な特性のチップ2のみの配列情報を得る。
【0011】そして他の不要な特性のチップ2及び不良
のチップ2を認識することなく効率よくチップ2a,2
b,2cをピックアップし、各特性A,B,Cの区分毎
に対応するリードフレーム3a,3b,3cにダイボン
ディングする。そして、同一特性区分のチップ2a,2
b,2cがダイボンディングされたリードフレーム3
a,3b,3cを各特性A,B,C毎の収納マガジン9
a,9b,9cに収納する。その後、所望の特性を有す
る半導体装置の組み立てを要する際に、所望の特性区分
の収納マガジン9からリードフレーム3を取り出して組
み立てを行う。
【0012】このような従来のダイボンディング方法
は、ダイボンダ1にウエハマップ機能を付加するだけの
最も単純な方法であり、さらに以下に説明する2つの方
式が考えられる。
【0013】第1の方式は各ウエハリング4から特性A
→特性B→特性Cの各チップ2a,2b,2cを順にと
り出すものであり、第2の方式は複数のウエハリング4
が収納された1つのリングカセット内の同一特性、例え
ば特性Aのチップ2aのみ、あるいは特性Bのチップ2
bのみをまとめて取り出すものである。
【0014】例えば特性区分が特性Aと特性Bの2分類
だけの場合で説明すると、第1の方式では、図示しない
リングカセットから一枚目のウエハリング4を取り出
し、まず特性Aのチップ2aのみをピックアップしてリ
ードフレーム3aに順次ダイボンディングして、収納マ
ガジン9aに収納していくが、最後のリードフレーム3
aにおいて所定のチップ搭載数に満たない端数フレーム
(又は端数チップ)が発生する場合がある。
【0015】しかし製品を区別して流す意味から、この
端数フレームは収納マガジン9aに収納した上で新たに
特性Bのチップ2bの収納マガジン9bと交換し、この
交換した収納マガジン9bのマガジン段数についても1
段目にリセットする必要があった。
【0016】続いて一枚目のウエハリング4に残った特
性Bのチップ2bを順次ダイボンディングし、一枚目の
ウエハリング4の全てのチップ2のダイボンディングが
終了したら、この一枚目のウエハリング4をリングカセ
ットに収納する。そして、新たな2枚目のウエハリング
4を取り出し、再び特性Aのチップ2aよりダイボンデ
ィングする。
【0017】この場合においても同様に、特性Bのチッ
プ2bがダイボンディングされたリードフレーム3bの
うちの最後の端数フレームを収納マガジン9bに収納し
た後、再び特性Aのチップ2aの収納マガジン9aに交
換し、マガジン段数を前回のマガジン段数に合わせる作
業が必要であった。
【0018】このようにウエハリング単位で順次特性区
分を行うと、1つのウエハ当たりの特性分類数だけ端数
フレームが発生する。つまり、例えば1リングカセット
24枚のウエハ5についてそれぞれn分類する場合、最
大(24×n)枚の端数フレームが発生すること、及び
同様回数だけ収納マガジン9の交換とマガジン段数の調
整動作が必要で、材料ロスの面でも装置稼動率面でも大
きな障害があった。
【0019】また第2の方式では、リングカセットに収
納された全てのウエハリング4について、先ず特性Aの
チップ2aのみを取り出し、特性Aのチップ2aが全て
取り終えたら、収納マガジン9aを次の収納マガジン9
bに交換し、再びウエハリング4について特性Bのチッ
プ2bをダイボンディングする方式である。しかし、こ
の場合ウエハリング4をリングカセットから特性分類数
(n回)だけ取り出し・収納動作を繰り返す必要があ
り、次の問題があった。
【0020】すなわち、(1)チップ2がメモリのよう
に大型のものではウエハ5当たりのチップ数が少なく、
ダイボンディング時間に占めるウエハリング4の取り出
し・収納動作の割合が大きくなり、このような分類を行
うことで装置稼動率が著しく低下する。例えば大型チッ
プのメモリの場合、概算では特性区分が3分類で約20
%以上低下する。また(2)ウエハリング4の供給・取
り出し動作に際し、ピックアップのために必要なチップ
間隔を得るためダイシングテープの拡張動作がある。こ
の拡張動作の繰り返しによりチップ間隔が変化し、チッ
プ2の切断面相互の干渉などによる欠け、割れ等の品
質、信頼性が低下する等の欠点があった。
【0021】次に第2の方法である「移し換え方法」に
ついて図7により説明する。この移し換え方法はリード
フレーム3へチップ2をダイボンディングする前に、事
前にチップ2を同一特性毎に区分して移し換えておく方
法である。
【0022】先ず、上記のダイボンディング方法と同様
に、FD6に格納されたウエハマップと照合しながらリ
ングカセットに収納された全てのウエハリング4につい
て、移し換え装置10で各特性A,B,Cの区分毎にチ
ップ2a,2b,2cを対応するウエハリング11a,
11b,11cに移し換える。その後、所望の特性を有
する半導体装置の組み立てを要する際に、ウエハリング
11a,11b,11cのうちの所望の特性区分のウエ
ハリング11を取り出し、ダイボンダ12を使用してチ
ップ2をピックアップし、図示しないリードフレームに
ダイボンディングして組み立てを行う。
【0023】しかしながら、上記の移し換え方法による
ダイボンディングにおいてもダイボンダ12は何等制約
を受けるものではないが、次のような問題がある。
【0024】すなわち、(1)ダイボンダ12によって
ダイボンディングする前に、リングカセットのウエハリ
ング4からチップ2a,2b,2cを各特性区分毎のウ
エハリング11a,11b,11cに移し換える工程が
1つ増えることになり、このための設備や付帯工程、さ
らに治工具や材料が新たに必要になる。例えば治工具で
は移し換えるためのウエハリング11、また付帯工程で
は図示しないテープ張り機などで、これらを保有し、設
置するためのスペース増はいうまでもない。また、
(2)工程が増えることでチップ2a,2b,2cのハ
ンドリング(ピックアップ)回数が増え、このためチッ
プ2a,2b,2cにダメージが加わる虞があり、品質
上の問題が残る。さらに、(3)チップ2a,2b,2
cはウエハリング11a,11b,11cのテープに接
着した状態での保管が前提となり、保管スペースや経時
変化の面から保管日数に限界がある。
【0025】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の状
況に鑑みて本発明はなされたもので、その目的とすると
ころは半導体チップの特性区分毎の分類が高品質を確保
しながら容易に行え、また所望の特性の半導体装置を不
要な在庫等を増加させることなく効率よく生産すること
ができ、さらにテスト評価設備等の高額な設備の稼動率
が向上し生産性効率が向上するダイボンディング方法及
びその装置を提供することにある。
【0026】
【課題を解決するための手段】本発明のダイボンディン
グ方法及びその装置は、ダイシングされた半導体ウエハ
から半導体素子特性に応じ複数の特性区分に分類された
半導体チップを、該特性区分毎にピックアップしてリー
ドフレームにダイボンディングした後、半導体チップが
搭載されたリードフレームを特性区分毎の専用マガジン
に収納するダイボンディング方法において、半導体ウエ
ハから分類された半導体チップを特性区分毎にピックア
ップして特性区分毎のリードフレームにダイボンディン
グする過程で、1枚の半導体ウエハの同一特性区分の半
導体チップをリードフレームに搭載した際に生じる端数
の半導体チップを、特性区分毎に一時仮置きし、新たな
半導体ウエハでの同一特性区分の半導体チップをリード
フレームに搭載する際に、前の半導体ウエハにて一時仮
置きした端数の半導体チップをリードフレームに搭載す
るようにしたことを特徴とする方法であり、また、特性
区分された半導体チップをピックアップ位置に位置させ
るよう半導体ウエハを保持するウエハ保持手段と、ピッ
クアップ位置に位置する半導体チップを取り上げて移送
するチップ移送手段と、このチップ移送手段で移送され
た半導体チップを仮置き位置で支持する仮置き手段と、
仮置き位置に支持された半導体チップをダイボンディン
グ位置の該半導体チップの特性区分に対応するリードフ
レームの所定部位にダイボンディングして送り出すフレ
ーム搬送手段と、このフレーム搬送手段から送り出され
たリードフレームを半導体チップの特性区分毎の専用マ
ガジンに収納するフレーム収納手段とを備えると共に、
仮置き手段が、半導体ウエハの同一特性区分の半導体チ
ップをリードフレームに搭載した際に生じる端数の半導
体チップを特性区分毎に保持するよう構成されているこ
とを特徴とするものであり、さらに、仮置き手段は、ピ
ックアップ位置とダイボンディング位置の間に設けられ
た回動体を備え、該回動体の外表面に回動方向に複数の
半導体チップを吸着保持するものであることを特徴とす
るものであり、さらに、仮置き手段は、少なくとも
[(特性区分の分類数)×(リードフレームへの半導体
チップ搭載数−1)]の半導体チップを保持可能に構成
されていることを特徴とするものである。
【0027】
【作用】上記のように構成されたダイボンディング方法
及びその装置は、ダイボンディング方法が分類された半
導体チップを特性区分毎にピックアップしてリードフレ
ームにダイボンディングする過程において、1枚の半導
体ウエハでリードフレーム搭載時に生じた同一特性区分
の端数の半導体チップを特性区分毎に一時仮置きしてお
き、新たな半導体ウエハの半導体チップをリードフレー
ムに搭載する際に、前の半導体ウエハにて一時仮置きし
た端数の半導体チップをリードフレームに搭載し、新た
に生じた端数の半導体チップを特性区分毎に一時仮置き
するようにしており、またダイボンディング装置が半導
体ウエハ上の特性区分された半導体チップをピックアッ
プ位置からチップ移送手段で仮置き手段の仮置き位置に
移送し、さらにフレーム搬送手段のダイボンディング位
置に位置するリードフレームの所定部位にダイボンディ
ングするように構成されていると共に、仮置き手段が同
一半導体ウエハでのリードフレーム搭載の際に生じた端
数の半導体チップを特性区分毎に保持するようになって
いるので、半導体ウエハのリードフレームに搭載できず
に残った端数の半導体チップを特性区分毎に一時仮置く
ことにより、一部半導体チップが搭載されないリードフ
レームを作ることなく、そして1回だけの半導体ウエハ
の取り替え操作で半導体ウエハ毎に発生する端数の半導
体チップも効率よくダイボンディングすることができ
る。
【0028】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1乃至図5を参
照して説明する。図1はダイボンディング装置の概略構
成を示す平面図であり、図2は要部の斜視図であり、図
3はウエハリングの斜視図であり、図4はリングカセッ
トの斜視図であり、図5は半導体チップがダイボンディ
ングされたリードフレームの側面図である。
【0029】図1乃至図5において、21は複数の半導
体素子が形成された半導体ウエハ(以下、ウエハと記
す)であり、22はダイシングテープ23が裏面に貼付
されたウエハ21を保持するウエハリングであり、ウエ
ハリング22に保持されたウエハ21には製造ロット番
号及びウエハ番号などの情報が書き込まれたバーコード
24が付与されており、ウエハ21はダイシング工程で
個々の半導体素子でなる半導体チップ(以下、チップと
記す)25に分割されている。また26はリングカセッ
トで、これにはウエハ21がロット単位、例えば最大2
4枚程度の範囲でウエハリング22に保持されて収納さ
れている。
【0030】一方、27はダイボンディング装置で、フ
レームローダ28及びフレームフィーダ29、フレーム
アンローダ30を備えるフレーム搬送部31と、ウエハ
ローダ32及びリング搬送レール33、このリング搬送
レール33に併設されたバーコードリーダ34、ウエハ
リングホルダ35を備えるウエハ搬送部36と、チップ
仮置き部37とを有し、さらにピックアップ部38と、
ボンディングヘッド39と、ディスペンスヘッド40と
を有して構成されている。
【0031】フレームローダ28は、積み重ねてストッ
クされたリードフレーム41を1枚づつ順次ローディン
グアーム42により吸着・分離して送り出しガイド43
位置まで移送し、フレームフィーダ29に送り出すよう
になっている。
【0032】またフレームフィーダ29は、リードフレ
ーム41を図示しない送り機構で1枚づつガイド44に
沿って移動させるようになっていて、ディスペンス位置
45でXYテーブルを有するディスペンスヘッド40か
らリードフレーム41に複数形成されたアイランド46
に銀ペースト47が順次供給され、さらにダイボンディ
ング位置48で、チップ25がXYテーブルを有するボ
ンディングヘッド39によりチップ仮置き部37からリ
ードフレーム41のアイランド46に移し換えられ、ダ
イボンディングされる。Pはボンディングヘッド39に
よってチップ仮置き部37からリードフレーム41に移
されるチップ25の軌跡である。そして全てのアイラン
ド46にチップ25がダイボンディングされたリードフ
レーム41はフレームアンローダ30に送り出される。
【0033】フレームアンローダ30は、チップ25の
特性分類数分に応じたマガジン49、例えば特性A,B
の2分類に対しては専用マガジン49a,49bを収納
するものであって、フレームフィーダ29から搬送され
る所定特性のチップ25がダイボンディングされたリー
ドフレーム41が収納できるように、専用マガジン49
a,49bの位置がそれぞれ上下方向に独立して駆動さ
れると共に、矢印Qの方向に移動するように構成されて
いる。なお、図1は特性Aの半導体チップ25aがダイ
ボンディングされたリードフレーム41aを、専用マガ
ジン49aに収納するような状態となっている。
【0034】さらにウエハ搬送部36は、ウエハローダ
32にセットされたリングカセット26からウエハ21
を保持したウエハリング22を、順次リング搬送レール
33を介してウエハリングホルダ35に送り出すように
構成されている。そしてリング搬送レール33に併設さ
れたバーコードリーダ34により、ウエハリングホルダ
35に送り込まれたウエハ21の製造ロット番号及びウ
エハ番号などの情報が読み取られ、図示しない制御部に
出力され記憶される。またウエハリングホルダ35は図
示しないX−Y−θテーブルを持ち、ウエハ21が所定
の位置となるようXY方向と共に回転方向が調節できる
るように構成されている。
【0035】また、フレーム搬送部31のフレームフィ
ーダ29とウエハ搬送部36のウエハリングホルダ35
の間には、ピックアップ部38とチップ仮置き部37が
設けられている。ピックアップ部38はピックアップア
ーム51の先端にピックアップヘッド52を設けてな
り、ウエハリングホルダ35に保持されているウエハ2
1上からピックアップ位置53でチップ25をピックア
ップヘッド52で1個づつ取り上げ、ピックアップアー
ム51を矢印Rに示すように回転動作させてチップ仮置
き部37に移し換えるようになっている。なお、54は
ピックアップ位置53の直上に固定された認識カメラで
あり、Sはピックアップ部38により移し換えられるチ
ップ25の軌跡を示す。
【0036】チップ仮置き部37は、パルスモータ55
により駆動ベルト56を介して矢印Tの方向に間欠的に
回動する回動軸方向の長さが短い多角柱体状の回動体5
7を有してなり、この回動体57には多数の吸着板58
が設けられている。吸着板58には図示しない吸引源に
連通する吸引口59が開口しており、ピックアップ部3
8によって仮置き位置60に位置する吸着板58に移さ
れたチップ25を回動体57を回動させながら1個づつ
吸引保持し、多数のチップ25が回動体57にストック
できるようになっている。チップ25は、ボンディング
ヘッド39で移し換えられる前に仮置き位置60に併設
された図示しないゲージング機構で位置と回転方向が矯
正されるようになっている。
【0037】そして、上記のように構成されたダイボン
ディング装置によるダイボンディングは次のように行わ
れる。先ず、ウエハ21はウエハリング22に保持され
バーコード24が付与される。ウエハ21に形成された
個々のチップ25について特性検査が行われて良否と特
性A,Bの区分がなされ、この区分や良否結果等及び各
チップ25a,25bの位置情報(配列情報)や製造ロ
ット番号及びウエハ番号と共にロット単位で、例えばフ
ロッピーディスク(以下、FDと記す)もしくはホスト
コンピュータ(以下、H/Cと記す)等の記憶媒体に記
憶される。
【0038】その後、ダイシングによって個々のチップ
25a,bに分割され、さらにウエハリング22に保持
された状態でリングカセット26にロット単位でまとめ
られ、ウエハローダ32にセットされ、以下の各工程が
順に実施される。
【0039】最初にウエハ取り出し工程で、ウエハロー
ダ32にセットされたリングカセット26からウエハ2
1を保持した1枚目のウエハリング22を、図示しない
機構でリング搬送レール33上に取り出す。
【0040】続くバーコード読取り工程で、リング搬送
レール33上に取り出されたウエハリング22につい
て、バーコードリーダ34によるウエハ21の製造ロッ
ト番号及びウエハ番号などの情報が読み取られて制御部
に記憶され、ウエハリング22はウエハリングホルダ3
5に送り込まれる。
【0041】続いてウエハセット・拡張工程で、ウエハ
リングホルダ35に送り込まれ挿入されたウエハリング
22について図示しない機構でダイシングテープ23の
拡張が行われ、これによってダイシングによって個々に
分割されているチップ25相互間に所定のチップ間隔が
確保される。
【0042】次にウエハアライメント工程で、ウエハ2
1上の複数のチップ25a,25bが所定の位置、方向
となるようピックアップ位置53直上の認識カメラ54
による認識を行い、X−Y−θテーブルを移動させなが
ら拡張によって相互の間隔が確保されたチップ25の実
際の間隔と回転量を補正する。そして、ダイシングする
前に予め特性検査が行われて良否と特性A,Bの区分が
なされ、FDまたはH/Cに記憶されているマップデー
タの特性区分と配列情報を基に、例えば必要特性Aのチ
ップの配列情報のみを取り出し、チップ25aの最初に
ピックアップするものを選択し、その位置認識を行う。
【0043】続くピックアップ工程で、最初にピックア
ップするチップ25aの裏面をダイシングテープ23を
介し、図示しない突き上げ機構による突き上げ動作で1
個づつ分離し、分離と同時にピックアップ部38のピッ
クアップヘッド52でチップ25aを吸着する。そして
ピックアップアーム51を回動し、仮置き位置60に位
置するチップ仮置き部37の回動体57の吸着板58に
ピックアップしたチップ25aを移し換え、吸引口59
による吸引によって保持する。
【0044】一方、フレーム搬送部31では先ずフレー
ム供給工程で、フレームローダ28のローディングアー
ム42により積み重ねてストックされているリードフレ
ーム41を1枚づつ吸着・分離しガイド43位置まで移
送し、フレームフィーダ29に送り出す。
【0045】次のディスペンス工程で、フレームフィー
ダ29のガイド44に沿ってリードフレーム41を図示
しない送り機構でアイランド46をディスペンス位置4
5まで送った後、ディスペンスヘッド40でアイランド
46に銀ペースト47を供給し、以降繰り返し送り動作
と銀ペースト47の供給を行う。
【0046】続いてボンディング工程で、チップ仮置き
部37の吸着板58に吸引保持されているチップ25a
を、ゲージング機構で位置修正した後ボンディングヘッ
ド39によって吸着して取り上げ、リードフレーム41
aのダイボンディング位置48に位置するアイランド4
6に銀ペースと47を介してダイボンディングする。こ
のボンディング工程をリードフレーム41aをアイラン
ド46が1つづつ順にダイボンディング位置48に位置
するように送って繰り返し、リードフレーム41aの全
てのアイランド46にチップ25aを搭載させる。
【0047】その後、フレーム収納工程で、全てのアイ
ランド46にチップ25aが搭載されたリードフレーム
41aを、フレームアンローダ30の特性Aの専用マガ
ジン49aに順次収納していく。
【0048】以上の各工程を、1枚目のウエハ21のF
DまたはH/Cに記憶されているマップデータ等をもと
に特性Aのチップ25aの総数を制御部で演算し、演算
結果によりリードフレーム41aの全アイランド46に
チップ25aが搭載できる範囲で実行する。そしてフレ
ームのアイランド数に満たない特性Aの端数のチップ2
5aが生じた段階で、回動体57をパルスモータ55に
よる駆動で回動させ、仮置き位置60に位置する吸着板
58を1ピッチづつ替えながら吸着板58にチップ25
aを1個づつ吸引保持し、ウエハ21の端数となった特
性Aのチップ25aの全てを回動体57にストックす
る。
【0049】次にマガジン切り替え工程で、フレームア
ンローダ30のマガジン49を特性B用の専用マガジン
49bに切り替える。さらにチップ仮置き部37の回動
体57を1ピッチ回動させて、仮置き位置60に空の吸
着板58を位置させる。
【0050】続いて1枚目のウエハ21に残っている特
性Bのチップbのダイボンディングを、特性Aのチップ
25aにおける場合と同様に、マップデータの特性区分
と配列情報を基に行う。すなわち、先頭チップ25bを
特性Aの場合と同様にピックアップして仮置き位置60
の吸着板58に載せ、位置修正を行ってボンディングヘ
ッド39により取り上げ、リードフレーム41bのダイ
ボンディング位置48のアイランド46に搭載し、その
後リードフレーム41bへのチップbの搭載を継続す
る。そしてチップbを搭載したリードフレーム41bを
フレームアンローダ30の特性Bの専用マガジン49b
に順次収納していく。
【0051】また特性Aのチップ25aの場合と同様に
特性Bのチップ25bに端数が生じた段階で、回動体5
7をパルスモータ55による駆動で回動させ、仮置き位
置60に位置する吸着板58を1ピッチづつ替えながら
吸着板58にチップ25bを1個づつ吸引保持し、ウエ
ハ21の端数となった特性Bのチップ25bの全てを回
動体57にストックし、このストックの終了時点でフレ
ームアンローダ30を特性A用の専用マガジン49aに
切り替えて1枚目のウエハ21からの分類はすべて完了
する。
【0052】次にウエハ収納工程で、ウエハ21からの
分類をすべて完了したウエハリング22をウエハローダ
32に収納し、新たに2枚目のウエハ21をウエハロー
ダ32から取り出して、1枚目と同様の工程を経るよう
にしてリードフレーム41aへのチップ25aのダイボ
ンディングを行う。この時、先ず始めにチップ仮置き部
37にストックした端数のチップ25aを、仮置き位置
60からパルスモータ55を順次回動させながら図示し
ないゲージング機構でチップ位置を修正後、ボンディン
グヘッド39でピックアップしてダイボンディングを行
う。
【0053】こうして端数のチップ25aのピックアッ
プが全て完了したら、次にピックアップ位置53のチッ
プ25aをピックアップしてダイボンディングを行う。
そして先に途中までリードフレーム41aを収納した特
性A用の専用マガジン49aに、再び順次連続して収納
動作を行うものである。この場合の専用マガジン49a
は前回収納した段数で保持したままとなっているため、
切り替え時点で段数の調整は不要である。
【0054】以下同様に、特性Bのチップ25bにおい
ても先ずチップ仮置き部37にストックした端数のチッ
プ25bを、仮置き位置60からピックアップしてダイ
ボンディングを行い、その後、ピックアップ位置53か
らピックアップしてボンディングを行い、特性Bの専用
マガジン49bに順次収納していくものである。
【0055】つまり、通常のボンディング工程ではチッ
プ仮置き部37の回動体57は停止した状態で、端数の
チップ25a,25bが発生したときにのみ吸着して回
転し収納するよう動作し、各ウエハ21からのチップ2
5a,25bの移し換えが終了時点ではチップ仮置き部
37には(分類数n×端数チップ数)だけのチップ25
が仮置きされる。なお、回動体57の仮置き収納数は最
大で[特性区分の分類数×(リードフレームへのチップ
搭載数−1)]だけあればよく、必要により回動体57
の仮置き収納数を少なくすると共に多列に設け、回動体
57を小型にしてもよい。
【0056】以上の通り構成することで、特性A及び特
性Bの分類数に対応した専用マガジン49a,49を切
り替えることができ、またリードフレーム41a,41
bの搭載チップ数に満たない端数のチップ25a,25
bをピックアップして順次チップ仮置き部37に仮置き
しておくことができ、ウエハ21毎に発生する端数のチ
ップ25a,25bを効率よくダイボンディングするこ
とができる。
【0057】また、各ウエハは1回の取り出し・収納動
作のみで済み、ダイシングテープ23の伸縮動作を繰り
返さなくてよいため、欠けや割れ等のチップダメージを
生じる虞が減少し、品質上の心配が低減する。
【0058】同様に各ウエハは1回の取り出し・収納動
作のみで済むため時間短縮ができ、装置稼動率が大幅に
向上する。また、チップ25a,25bを予め特性A及
び特性Bの専用のウエハリングに移し換える必要がない
ため、これに伴う付帯工程、治工具、材料が不要でハン
ドリング増加に伴う品質低下がない。
【0059】なお、上記実施例ではウエハ21からのチ
ップ25a,25bの移し換えを特性Aから特性B、そ
して再び特性Aから特性Bと分類順番がAB→ABとな
るようにしたが、特性Aから特性Bと移し換えた後、逆
に特性Bから特性Aと分類順番がAB→BAとしてアン
ローダ30におけるマガジン49のチェンジ回数を減ら
してもよい。また端数のチップ25a,25bのダイボ
ンディングを行う場合、チップ仮置き部37から優先的
にピックアップしたが、先にウエハ21側のピックアッ
プ位置53からピックアップして最後にチップ仮置き部
37よりピックアップしても何等問題はない。
【0060】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、半導体チップの特性区分毎の分類が高品質を確
保しながら容易に行え、また不要な半導体装置の在庫等
を増加させることなく所望の半導体装置を効率よく生産
することができ、さらにテスト評価設備等の高額な設備
の稼動率が向上し設備投資が削減できるなどの生産性効
率が向上する等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の概略構成を示す平面図であ
る。
【図2】本発明の一実施例における要部の斜視図であ
る。
【図3】本発明の一実施例に係るウエハリングの斜視図
である。
【図4】本発明の一実施例に係るリングカセットの斜視
図である。
【図5】本発明の一実施例に係る半導体チップがダイボ
ンディングされたリードフレームの側面図である。
【図6】従来技術のダイボンディング方法を説明するた
めの概略の構成図である。
【図7】従来技術の移し換え方法を説明するための概略
の構成図である。
【符号の説明】
21…半導体ウエハ 25,25a,25b…半導体チップ 29…フレームフィーダ 31…フレーム搬送部 35…ウエハリングホルダ 36…ウエハ搬送部 37…チップ仮置き部 38…ピックアップ部 41,41a,41b…リードフレーム 48…ダイボンディング位置 49a,49b…専用マガジン 51…ピックアップアーム 52…ピックアップヘッド 53…ピックアップ位置 57…回動体 58…吸着板 59…吸引口 60…仮置き位置

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ダイシングされた半導体ウエハから半導
    体素子特性に応じ複数の特性区分に分類された半導体チ
    ップを、該特性区分毎にピックアップしてリードフレー
    ムにダイボンディングした後、前記半導体チップが搭載
    された前記リードフレームを特性区分毎の専用マガジン
    に収納するダイボンディング方法において、前記半導体
    ウエハから分類された前記半導体チップを特性区分毎に
    ピックアップして特性区分毎の前記リードフレームにダ
    イボンディングする過程で、1枚の半導体ウエハの同一
    特性区分の半導体チップをリードフレームに搭載した際
    に生じる端数の半導体チップを、特性区分毎に一時仮置
    きし、新たな半導体ウエハでの同一特性区分の半導体チ
    ップをリードフレームに搭載する際に、前の半導体ウエ
    ハにて一時仮置きした前記端数の半導体チップをリード
    フレームに搭載するようにしたことを特徴とするダイボ
    ンディング方法。
  2. 【請求項2】 特性区分された半導体チップをピックア
    ップ位置に位置させるよう半導体ウエハを保持するウエ
    ハ保持手段と、前記ピックアップ位置に位置する前記半
    導体チップを取り上げて移送するチップ移送手段と、こ
    のチップ移送手段で移送された前記半導体チップを仮置
    き位置で支持する仮置き手段と、前記仮置き位置に支持
    された前記半導体チップをダイボンディング位置の該半
    導体チップの特性区分に対応するリードフレームの所定
    部位にダイボンディングして送り出すフレーム搬送手段
    と、このフレーム搬送手段から送り出された前記リード
    フレームを前記半導体チップの特性区分毎の専用マガジ
    ンに収納するフレーム収納手段とを備えると共に、前記
    仮置き手段が、前記半導体ウエハの同一特性区分の前記
    半導体チップを前記リードフレームに搭載した際に生じ
    る端数の前記半導体チップを特性区分毎に保持するよう
    構成されていることを特徴とするダイボンディング装
    置。
  3. 【請求項3】 仮置き手段は、ピックアップ位置とダイ
    ボンディング位置の間に設けられた回動体を備え、該回
    動体の外表面に回動方向に複数の半導体チップを吸着保
    持するものであることを特徴とする請求項2記載のダイ
    ボンディング装置。
  4. 【請求項4】 仮置き手段は、少なくとも[(特性区分
    の分類数)×(リードフレームへの半導体チップ搭載数
    −1)]の半導体チップを保持可能に構成されているこ
    とを特徴とする請求項2もしくは請求項3記載のダイボ
    ンディング装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100550049B1 (ko) * 1997-12-07 2006-10-04 언액시스 인터내셔널 트레이딩 엘티디 앞뒤로 움직이는 칩 그리퍼를 가진 반도체 배치장치
JP2012192573A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Ricoh Co Ltd 液滴吐出ヘッドの製造装置、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置、及び印刷装置
JP2013065711A (ja) * 2011-09-16 2013-04-11 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd ダイボンダ及びボンディング方法
JP2013135228A (ja) * 2011-12-23 2013-07-08 Samsung Electronics Co Ltd 半導体チップボンディング装置
JP2015228532A (ja) * 2015-09-24 2015-12-17 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法
CN106971967A (zh) * 2017-04-25 2017-07-21 中山英达思迅智能科技有限公司 一种智能管控扩晶机及其工艺流程
WO2017164252A1 (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 株式会社新川 ボンディング装置及びボンディング方法
JP2020068281A (ja) * 2018-10-24 2020-04-30 キヤノンマシナリー株式会社 マガジン装置、搬送装置、搬送方法、ダイボンダ、およびボンディング方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102326940B1 (ko) * 2018-10-29 2021-11-17 조인호 택배물품 자동수취함

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100550049B1 (ko) * 1997-12-07 2006-10-04 언액시스 인터내셔널 트레이딩 엘티디 앞뒤로 움직이는 칩 그리퍼를 가진 반도체 배치장치
JP2012192573A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Ricoh Co Ltd 液滴吐出ヘッドの製造装置、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置、及び印刷装置
US10096526B2 (en) 2011-09-16 2018-10-09 Fasford Technology Co., Ltd. Die bonder and bonding method
JP2013065711A (ja) * 2011-09-16 2013-04-11 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd ダイボンダ及びボンディング方法
JP2013135228A (ja) * 2011-12-23 2013-07-08 Samsung Electronics Co Ltd 半導体チップボンディング装置
US9704732B2 (en) 2011-12-23 2017-07-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatuses for bonding semiconductor chips
US10083846B2 (en) 2011-12-23 2018-09-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatuses for bonding semiconductor chips
US10629461B2 (en) 2011-12-23 2020-04-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatuses for bonding semiconductor chips
JP2015228532A (ja) * 2015-09-24 2015-12-17 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法
WO2017164252A1 (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 株式会社新川 ボンディング装置及びボンディング方法
CN109196628A (zh) * 2016-03-22 2019-01-11 株式会社新川 接合装置及接合方法
JPWO2017164252A1 (ja) * 2016-03-22 2019-01-24 株式会社新川 ボンディング装置及びボンディング方法
TWI656593B (zh) * 2016-03-22 2019-04-11 日商新川股份有限公司 接合裝置及接合方法
CN106971967A (zh) * 2017-04-25 2017-07-21 中山英达思迅智能科技有限公司 一种智能管控扩晶机及其工艺流程
JP2020068281A (ja) * 2018-10-24 2020-04-30 キヤノンマシナリー株式会社 マガジン装置、搬送装置、搬送方法、ダイボンダ、およびボンディング方法

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