JPH0980266A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
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- JPH0980266A JPH0980266A JP7230238A JP23023895A JPH0980266A JP H0980266 A JPH0980266 A JP H0980266A JP 7230238 A JP7230238 A JP 7230238A JP 23023895 A JP23023895 A JP 23023895A JP H0980266 A JPH0980266 A JP H0980266A
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- lens
- carrier
- semiconductor laser
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/4237—Welding
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度変化による半導体レーザとレンズ間の光
軸ずれを抑制し、光出力の変動を小さくすること。 【解決手段】 半導体レーザモジュールは半導体レーザ
をパッケージ内に収容した半導体レーザアセンブリと、
半導体レーザアセンブリのパッケージに溶接固定された
レンズアセンブリと、レンズアセンブリに溶接固定され
たファイバアセンブリとから構成される。半導体レーザ
アセンブリはパッケージに固定されたベースと、ベース
に固定されたキャリアを含んでおり、半導体レーザがキ
ャリア上に搭載されている。レンズアセンブリのレンズ
ホルダはベースの上面より下方の部分の複数箇所でパッ
ケージにスポット溶接されている。
軸ずれを抑制し、光出力の変動を小さくすること。 【解決手段】 半導体レーザモジュールは半導体レーザ
をパッケージ内に収容した半導体レーザアセンブリと、
半導体レーザアセンブリのパッケージに溶接固定された
レンズアセンブリと、レンズアセンブリに溶接固定され
たファイバアセンブリとから構成される。半導体レーザ
アセンブリはパッケージに固定されたベースと、ベース
に固定されたキャリアを含んでおり、半導体レーザがキ
ャリア上に搭載されている。レンズアセンブリのレンズ
ホルダはベースの上面より下方の部分の複数箇所でパッ
ケージにスポット溶接されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ（レー
ザダイオード）と光ファイバとを光学的に結合してなる
半導体レーザモジュールに関する。
ザダイオード）と光ファイバとを光学的に結合してなる
半導体レーザモジュールに関する。
【０００２】光ファイバを伝送路として使用する光通信
システムにおいては、半導体レーザの出射光を光ファイ
バ内に導入するために、半導体レーザと光ファイバ入射
端面とを所定の位置関係で固定し、これらの間に集光用
のレンズを設けてなる半導体レーザモジュールが使用さ
れる。
システムにおいては、半導体レーザの出射光を光ファイ
バ内に導入するために、半導体レーザと光ファイバ入射
端面とを所定の位置関係で固定し、これらの間に集光用
のレンズを設けてなる半導体レーザモジュールが使用さ
れる。
【０００３】この種の半導体レーザモジュールにおいて
は、構成部品相互間の位置関係が直接的に光結合効率に
影響を及ぼすから、各構成部品は１μｍ以下という極め
て高い精度で位置決めされることが要求される。また、
長期間この位置決め精度が維持されることが要求され
る。
は、構成部品相互間の位置関係が直接的に光結合効率に
影響を及ぼすから、各構成部品は１μｍ以下という極め
て高い精度で位置決めされることが要求される。また、
長期間この位置決め精度が維持されることが要求され
る。
【０００４】
【従来の技術】一般的な半導体レーザモジュールは、半
導体レーザチップを有する半導体レーザアセンブリと、
この半導体レーザアセンブリに溶接固定されたレンズア
センブリと、レンズアセンブリに溶接固定されたファイ
バアセンブリとから構成される。
導体レーザチップを有する半導体レーザアセンブリと、
この半導体レーザアセンブリに溶接固定されたレンズア
センブリと、レンズアセンブリに溶接固定されたファイ
バアセンブリとから構成される。
【０００５】半導体レーザチップはキャリア上に搭載さ
れ、キャリアはベース上に搭載され、ベースは透過窓を
有するパッケージ内でパッケージに搭載固定されてい
る。レンズアセンブリはレンズホルダと、レンズホルダ
内に圧入されたレンズとを含んでおり、光軸合わせをし
た後半導体レーザアセンブリにスポット溶接される。
れ、キャリアはベース上に搭載され、ベースは透過窓を
有するパッケージ内でパッケージに搭載固定されてい
る。レンズアセンブリはレンズホルダと、レンズホルダ
内に圧入されたレンズとを含んでおり、光軸合わせをし
た後半導体レーザアセンブリにスポット溶接される。
【０００６】ファイバアセンブリはホルダと、ホルダ内
に挿入固定されたフェルールと、フェルール内に挿入固
定された光ファイバとを含んでおり、光軸合わせをした
後レンズアセンブリにスポット溶接される。
に挿入固定されたフェルールと、フェルール内に挿入固
定された光ファイバとを含んでおり、光軸合わせをした
後レンズアセンブリにスポット溶接される。
【０００７】各アセンブリが光軸合わせをした後互いに
溶接固定されているため、キャリア上の半導体レーザチ
ップから出射したレーザビームはレンズアセンブリ内の
レンズにより光ファイバに結合される。
溶接固定されているため、キャリア上の半導体レーザチ
ップから出射したレーザビームはレンズアセンブリ内の
レンズにより光ファイバに結合される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体レーザ
モジュールに使用される各部材はその特性及び製造性の
ため、或いはパッケージ内の機密性を保持するため、線
膨張係数が異なる異種金属で構成されている。例えば、
半導体レーザアセンブリのパッケージ及びベースは６×
１０-6の線膨張係数を有するコバールから形成されてい
る。
モジュールに使用される各部材はその特性及び製造性の
ため、或いはパッケージ内の機密性を保持するため、線
膨張係数が異なる異種金属で構成されている。例えば、
半導体レーザアセンブリのパッケージ及びベースは６×
１０-6の線膨張係数を有するコバールから形成されてい
る。
【０００９】一方、半導体レーザアセンブリのキャリア
は１８×１０-6の線膨張係数を有する銅から形成されて
おり、レンズアセンブリのレンズホルダ及びファイバア
センブリのホルダは１９×１０-6の線膨張係数を有する
ステンレス鋼から形成されている。
は１８×１０-6の線膨張係数を有する銅から形成されて
おり、レンズアセンブリのレンズホルダ及びファイバア
センブリのホルダは１９×１０-6の線膨張係数を有する
ステンレス鋼から形成されている。
【００１０】このように半導体レーザモジュールは、線
膨張係数が互いに異なる異種金属で組み立てられている
ため、温度変化時に各部材の熱膨張の差により位置関係
がずれ、光軸ずれを発生させる。その結果、半導体レー
ザモジュールの光出力が変動することになる。
膨張係数が互いに異なる異種金属で組み立てられている
ため、温度変化時に各部材の熱膨張の差により位置関係
がずれ、光軸ずれを発生させる。その結果、半導体レー
ザモジュールの光出力が変動することになる。
【００１１】よって本発明の目的は温度変化による半導
体レーザとレンズ間の光軸ずれを抑制し、光出力の変動
を小さくできる半導体レーザモジュールを提供すること
である。
体レーザとレンズ間の光軸ずれを抑制し、光出力の変動
を小さくできる半導体レーザモジュールを提供すること
である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によると、透過窓
を有するパッケージと、該パッケージ内でパッケージに
搭載固定されたベースと、該ベース上に搭載固定された
キャリアと、該キャリア上に搭載された半導体レーザと
を含んだ半導体レーザアセンブリと；レンズホルダと、
該レンズホルダ内に圧入されたレンズとを含み、前記パ
ッケージに溶接固定されたレンズアセンブリと；ホルダ
と、該ホルダ内に挿入固定されたフェルールと、該フェ
ルール内に挿入固定された光ファイバとを含み、前記レ
ンズアセンブリに溶接固定されたファイバアセンブリと
を具備し；前記レンズホルダは前記ベースの上面より下
方の部分の複数個所で前記パッケージにスポット溶接さ
れていることを特徴とする半導体レーザモジュールが提
供される。
を有するパッケージと、該パッケージ内でパッケージに
搭載固定されたベースと、該ベース上に搭載固定された
キャリアと、該キャリア上に搭載された半導体レーザと
を含んだ半導体レーザアセンブリと；レンズホルダと、
該レンズホルダ内に圧入されたレンズとを含み、前記パ
ッケージに溶接固定されたレンズアセンブリと；ホルダ
と、該ホルダ内に挿入固定されたフェルールと、該フェ
ルール内に挿入固定された光ファイバとを含み、前記レ
ンズアセンブリに溶接固定されたファイバアセンブリと
を具備し；前記レンズホルダは前記ベースの上面より下
方の部分の複数個所で前記パッケージにスポット溶接さ
れていることを特徴とする半導体レーザモジュールが提
供される。
【００１３】レンズホルダがベースの上面より下方の部
分の複数箇所でパッケージにスポット溶接されているた
め、レンズホルダとキャリアの線膨張係数が等しけれ
ば、温度変化に対してレンズホルダとキャリアとは同じ
動きをするので、半導体レーザとレンズとの間の光軸ず
れは発生しない。
分の複数箇所でパッケージにスポット溶接されているた
め、レンズホルダとキャリアの線膨張係数が等しけれ
ば、温度変化に対してレンズホルダとキャリアとは同じ
動きをするので、半導体レーザとレンズとの間の光軸ず
れは発生しない。
【００１４】本発明の他の側面によると、透過窓を有す
るパッケージと、該パッケージ内でパッケージに搭載固
定されたベースと、該ベース上に搭載固定されたキャリ
アと、該キャリア上に搭載された半導体レーザとを含ん
だ半導体レーザアセンブリと；複数のスリットを有する
レンズホルダと、該レンズホルダ内に圧入されたレンズ
とを含み、前記パッケージに溶接固定されたレンズアセ
ンブリと；ホルダと、該ホルダ内に挿入固定されたフェ
ルールと、該フェルール内に挿入固定された光ファイバ
とを含み、前記レンズアセンブリに溶接固定されたファ
イバアセンブリとを具備したことを特徴とする半導体レ
ーザモジュールが提供される。
るパッケージと、該パッケージ内でパッケージに搭載固
定されたベースと、該ベース上に搭載固定されたキャリ
アと、該キャリア上に搭載された半導体レーザとを含ん
だ半導体レーザアセンブリと；複数のスリットを有する
レンズホルダと、該レンズホルダ内に圧入されたレンズ
とを含み、前記パッケージに溶接固定されたレンズアセ
ンブリと；ホルダと、該ホルダ内に挿入固定されたフェ
ルールと、該フェルール内に挿入固定された光ファイバ
とを含み、前記レンズアセンブリに溶接固定されたファ
イバアセンブリとを具備したことを特徴とする半導体レ
ーザモジュールが提供される。
【００１５】レンズホルダはパッケージに溶接固定され
ているため、温度上昇時の熱膨張はパッケージと概略同
一に抑えられる。しかし、レンズホルダにスリットが形
成されているため、スリットの下側のレンズホルダの熱
膨張はパッケージに規制されずに自由となる。このた
め、レンズはキャリアと概略同一条件で動くので、半導
体レーザとレンズとの光軸ずれが生じることはない。
ているため、温度上昇時の熱膨張はパッケージと概略同
一に抑えられる。しかし、レンズホルダにスリットが形
成されているため、スリットの下側のレンズホルダの熱
膨張はパッケージに規制されずに自由となる。このた
め、レンズはキャリアと概略同一条件で動くので、半導
体レーザとレンズとの光軸ずれが生じることはない。
【００１６】本発明の更に他の側面によると、透過窓を
有するパッケージと、該パッケージ内でパッケージに搭
載固定されたベースと、該ベース上に搭載固定されたキ
ャリアと、該キャリア上に搭載された半導体レーザとを
含んだ半導体レーザアセンブリと；レンズホルダと、該
レンズホルダ内に圧入されたレンズとを含み、前記パッ
ケージに溶接固定されたレンズアセンブリと；ホルダ
と、該ホルダ内に挿入固定されたフェルールと、該フェ
ルール内に挿入固定された光ファイバとを含み、前記レ
ンズアセンブリに溶接固定されたファイバアセンブリと
を具備し；前記キャリア、前記ベース及び前記パッケー
ジの線膨張係数をそれぞれα１，α２及びα３とし、前
記キャリア及び前記ベースの垂直方向の厚さ高さをそれ
ぞれＬ１及びＬ２とするとき；Ｌ１（α１−α２）＝Ｌ
２（α３−α２）の関係を満足することを特徴とする光
半導体モジュールが提供される。
有するパッケージと、該パッケージ内でパッケージに搭
載固定されたベースと、該ベース上に搭載固定されたキ
ャリアと、該キャリア上に搭載された半導体レーザとを
含んだ半導体レーザアセンブリと；レンズホルダと、該
レンズホルダ内に圧入されたレンズとを含み、前記パッ
ケージに溶接固定されたレンズアセンブリと；ホルダ
と、該ホルダ内に挿入固定されたフェルールと、該フェ
ルール内に挿入固定された光ファイバとを含み、前記レ
ンズアセンブリに溶接固定されたファイバアセンブリと
を具備し；前記キャリア、前記ベース及び前記パッケー
ジの線膨張係数をそれぞれα１，α２及びα３とし、前
記キャリア及び前記ベースの垂直方向の厚さ高さをそれ
ぞれＬ１及びＬ２とするとき；Ｌ１（α１−α２）＝Ｌ
２（α３−α２）の関係を満足することを特徴とする光
半導体モジュールが提供される。
【００１７】上述した関係式を満たすようにキャリア、
ベース及びパッケージの線膨張係数並びにキャリア及び
ベースの厚さをそれぞれ選択すると、温度変化が起こっ
ても半導体レーザからのビーム出射位置を常に一定に保
つことができるため、温度変化による光出力の変動を抑
制することができる。
ベース及びパッケージの線膨張係数並びにキャリア及び
ベースの厚さをそれぞれ選択すると、温度変化が起こっ
ても半導体レーザからのビーム出射位置を常に一定に保
つことができるため、温度変化による光出力の変動を抑
制することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１を参照すると、本発明第１実
施形態の半導体レーザモジュールの断面図が示されてい
る。半導体レーザアセンブリ２のパッケージ４は開口１
６を有しており、この開口１６中にサファイヤ等からな
る透過窓１８が設けられている。パッケージ４はＦｅ５
４％，Ｎｉ２９％，Ｃｏ１７％の組成を有するコバール
（商品名）から形成されており、６×１０-6の線膨張係
数を有している。
施形態の半導体レーザモジュールの断面図が示されてい
る。半導体レーザアセンブリ２のパッケージ４は開口１
６を有しており、この開口１６中にサファイヤ等からな
る透過窓１８が設けられている。パッケージ４はＦｅ５
４％，Ｎｉ２９％，Ｃｏ１７％の組成を有するコバール
（商品名）から形成されており、６×１０-6の線膨張係
数を有している。
【００１９】パッケージ４の底面上にはコバールからな
るベース６がレーザ溶接により固定されている。ベース
６上には銅からなるレーザダイオードキャリア（ＬＤキ
ャリア）８が溶接により固定されている。銅は１８×１
０-6の線膨張係数を有している。
るベース６がレーザ溶接により固定されている。ベース
６上には銅からなるレーザダイオードキャリア（ＬＤキ
ャリア）８が溶接により固定されている。銅は１８×１
０-6の線膨張係数を有している。
【００２０】ベース６上には更に、フォトダイオードキ
ャリア（ＰＤキャリア）１２が固定されている。ＰＤキ
ャリア１２はセラミックから形成され、セラミック表面
をメタライズした後ベース６に半田付けされている。
ャリア（ＰＤキャリア）１２が固定されている。ＰＤキ
ャリア１２はセラミックから形成され、セラミック表面
をメタライズした後ベース６に半田付けされている。
【００２１】ＬＤキャリア８上には半導体レーザチップ
又はレーザダイオードチップ（ＬＤチップ）１０がボン
ディングにより固定されている。ＰＤキャリア１２の側
面にはフォトダイオード１４がボンディングにより固定
されている。パッケージ４には図示しないカバーが溶接
され、パッケージ４内を密封している。
又はレーザダイオードチップ（ＬＤチップ）１０がボン
ディングにより固定されている。ＰＤキャリア１２の側
面にはフォトダイオード１４がボンディングにより固定
されている。パッケージ４には図示しないカバーが溶接
され、パッケージ４内を密封している。
【００２２】符号２０はレンズアセンブリを示してお
り、ステンレス鋼からなる円筒状レンズホルダ２２のボ
ア２３中にレンズ２４が圧入されている。ステンレス鋼
は１９×１０-6の線膨張係数を有している。
り、ステンレス鋼からなる円筒状レンズホルダ２２のボ
ア２３中にレンズ２４が圧入されている。ステンレス鋼
は１９×１０-6の線膨張係数を有している。
【００２３】半導体レーザアセンブリ２とレンズアセン
ブリ２０の光軸合わせをした後、後に詳細に説明する方
法によりレンズアセンブリ２０のレンズホルダ２２が半
導体レーザアセンブリ２のパッケージ４に溶接固定され
る。
ブリ２０の光軸合わせをした後、後に詳細に説明する方
法によりレンズアセンブリ２０のレンズホルダ２２が半
導体レーザアセンブリ２のパッケージ４に溶接固定され
る。
【００２４】符号２６はファイバアセンブリを示してお
り、光ファイバ２８の挿入固定されたフェルール３０が
ホルダ３２のボア３３中に挿入され、レーザ溶接により
固定されている。
り、光ファイバ２８の挿入固定されたフェルール３０が
ホルダ３２のボア３３中に挿入され、レーザ溶接により
固定されている。
【００２５】ホルダ３２はレンズホルダ２２と同様にス
テンレス鋼から形成される。ファイバアセンブリ２６は
ＬＤチップ１０からのレーザビームが光ファイバ２８に
最適に結合するように光軸調整された後、レンズアセン
ブリ２０に溶接される。
テンレス鋼から形成される。ファイバアセンブリ２６は
ＬＤチップ１０からのレーザビームが光ファイバ２８に
最適に結合するように光軸調整された後、レンズアセン
ブリ２０に溶接される。
【００２６】しかして、ＬＤチップ１０から出射したレ
ーザビームは透過窓１８を透過し、レンズアセンブリ２
０のレンズ２４によりファイバアセンブリ２６内の光フ
ァイバ２８へ結合される。一方、フォトダイオード１４
によりＬＤチップ１０からのレーザビームを受光し、Ｌ
Ｄチップ１０の出力パワーをフィードバック制御する。
ーザビームは透過窓１８を透過し、レンズアセンブリ２
０のレンズ２４によりファイバアセンブリ２６内の光フ
ァイバ２８へ結合される。一方、フォトダイオード１４
によりＬＤチップ１０からのレーザビームを受光し、Ｌ
Ｄチップ１０の出力パワーをフィードバック制御する。
【００２７】上述したように、半導体レーザモジュール
は異なる金属を使用して組み立てられているため、温度
変化時に各部材の熱膨張の差により各部材間の位置関係
がずれることになる。
は異なる金属を使用して組み立てられているため、温度
変化時に各部材の熱膨張の差により各部材間の位置関係
がずれることになる。
【００２８】そのため、０°ＣにてＬＤチップ１０から
出射したレーザビームの光ファイバ２８に対する最適結
合が取れているとすると、７０°ＣではＬＤチップ１０
とレンズ２４との間のＹ軸方向のずれ量は０．８μｍ程
度になる。
出射したレーザビームの光ファイバ２８に対する最適結
合が取れているとすると、７０°ＣではＬＤチップ１０
とレンズ２４との間のＹ軸方向のずれ量は０．８μｍ程
度になる。
【００２９】図２にＬＤチップとレンズ間のＹ軸方向の
光軸ずれと挿入損失の関係を示す。この図より０°Ｃ〜
７０°Ｃの温度変化に対して光出力は約３ｄＢ落ちるこ
とになる。
光軸ずれと挿入損失の関係を示す。この図より０°Ｃ〜
７０°Ｃの温度変化に対して光出力は約３ｄＢ落ちるこ
とになる。
【００３０】温度変化に起因する光出力の変化は、ＬＤ
キャリア８とパッケージ４の線膨張係数が異なることに
より発生している。ここで、熱膨張によるＹ軸方向の軸
ずれを起こさないためには、ＬＤチップ８の移動量に対
してレンズ２４の移動量を同じにするような固定方法を
採用することにより、ＬＤキャリア８とパッケージ４の
線膨張係数の差による光軸ずれをキャンセルすることが
できる。
キャリア８とパッケージ４の線膨張係数が異なることに
より発生している。ここで、熱膨張によるＹ軸方向の軸
ずれを起こさないためには、ＬＤチップ８の移動量に対
してレンズ２４の移動量を同じにするような固定方法を
採用することにより、ＬＤキャリア８とパッケージ４の
線膨張係数の差による光軸ずれをキャンセルすることが
できる。
【００３１】図３を参照すると、従来のパッケージに対
するレンズアセンブリの固定構造の一部断面図が示され
ている。この固定構造によると、レンズホルダ２２の全
周に渡り複数箇所３４でパッケージ４に対してレーザに
よりスポット溶接している。
するレンズアセンブリの固定構造の一部断面図が示され
ている。この固定構造によると、レンズホルダ２２の全
周に渡り複数箇所３４でパッケージ４に対してレーザに
よりスポット溶接している。
【００３２】図３において、ＬＤチップ１０の移動量＝
パッケージ４底面部の熱膨張量（Ａ）＋ベース６の熱膨
張量（Ｂ）＋ＬＤキャリア８の熱膨張量（Ｃ）と表せ
る。また、レンズ２４の移動量＝パッケージ４側面の熱
膨張量（Ｄ）＋レンズアセンブリ２０の熱膨張量（Ｅ）
と表せる。
パッケージ４底面部の熱膨張量（Ａ）＋ベース６の熱膨
張量（Ｂ）＋ＬＤキャリア８の熱膨張量（Ｃ）と表せ
る。また、レンズ２４の移動量＝パッケージ４側面の熱
膨張量（Ｄ）＋レンズアセンブリ２０の熱膨張量（Ｅ）
と表せる。
【００３３】温度が変化したときの、ＬＤチップ１０か
ら出射されるレーザビームとレンズアセンブリ２０のＹ
軸方向の光軸ずれを防止するためには、ＬＤチップ１０
の移動量＝レンズ２４の移動量とすればよい。
ら出射されるレーザビームとレンズアセンブリ２０のＹ
軸方向の光軸ずれを防止するためには、ＬＤチップ１０
の移動量＝レンズ２４の移動量とすればよい。
【００３４】パッケージ４とベース６はコバールから形
成されているため、Ａ＋Ｂ＝Ｄの関係が成り立つ。そこ
で、Ｃ＝Ｅとなるようにレンズアセンブリ２０をパッケ
ージ４に固定すればよい。
成されているため、Ａ＋Ｂ＝Ｄの関係が成り立つ。そこ
で、Ｃ＝Ｅとなるようにレンズアセンブリ２０をパッケ
ージ４に固定すればよい。
【００３５】図３に示した従来の固定構造では、レンズ
アセンブリ２０のレンズホルダ２２は、レンズホルダ２
２の全周に渡り複数箇所３４でレーザ溶接されているた
め、熱変化に対してレーザ溶接固定が均一ならば、レン
ズホルダ２２はパッケージ４と同量の移動（Ｄ′）す
る。
アセンブリ２０のレンズホルダ２２は、レンズホルダ２
２の全周に渡り複数箇所３４でレーザ溶接されているた
め、熱変化に対してレーザ溶接固定が均一ならば、レン
ズホルダ２２はパッケージ４と同量の移動（Ｄ′）す
る。
【００３６】そこで図４及び図５に示すように、パッケ
ージ４とレンズホルダ２２の固定箇所を半導体レーザア
センブリ２のベース６の上面の位置より下のみに限定す
る。即ち図５に最もよく示されるように、レンズホルダ
２２の外周をベース６の上面の延長線３５より下の位置
の複数箇所３６でパッケージ４にレーザスポット溶接す
る。
ージ４とレンズホルダ２２の固定箇所を半導体レーザア
センブリ２のベース６の上面の位置より下のみに限定す
る。即ち図５に最もよく示されるように、レンズホルダ
２２の外周をベース６の上面の延長線３５より下の位置
の複数箇所３６でパッケージ４にレーザスポット溶接す
る。
【００３７】ＬＤキャリア８は銅から形成されレンズホ
ルダ２２はステンレス鋼から形成されており、両者の線
膨張係数はほとんど等しいので、上述したようにレンズ
ホルダ２２をパッケージ４に対して固定すると、ＬＤキ
ャリア８とレンズホルダ２２は温度変化に対して同じ動
きをするので光軸ずれは発生しない（Ｃ＝Ｅ）。
ルダ２２はステンレス鋼から形成されており、両者の線
膨張係数はほとんど等しいので、上述したようにレンズ
ホルダ２２をパッケージ４に対して固定すると、ＬＤキ
ャリア８とレンズホルダ２２は温度変化に対して同じ動
きをするので光軸ずれは発生しない（Ｃ＝Ｅ）。
【００３８】また、ＬＤキャリア８が銅以外の材料から
形成されている場合には、その熱膨張量に合わせてレン
ズアセンブリ２０の固定箇所を換えることにより、光軸
ずれを少なくすることができる。
形成されている場合には、その熱膨張量に合わせてレン
ズアセンブリ２０の固定箇所を換えることにより、光軸
ずれを少なくすることができる。
【００３９】これを一歩進めると、レンズホルダ２２の
固定箇所によりレンズアセンブリ２０の温度特性を任意
にコントロールすることができる。本実施形態による
と、７０°Ｃの温度変化があったときのＹ軸変位量を約
０．３μｍに抑えることができ、挿入損失は約０．７ｄ
Ｂ程度となる。
固定箇所によりレンズアセンブリ２０の温度特性を任意
にコントロールすることができる。本実施形態による
と、７０°Ｃの温度変化があったときのＹ軸変位量を約
０．３μｍに抑えることができ、挿入損失は約０．７ｄ
Ｂ程度となる。
【００４０】図６及び図７を参照すると、本発明第２実
施形態の固定構造が示されている。本実施形態は、パッ
ケージ４とレンズホルダ２２の固定箇所をベース６の上
面の位置以下だけでなくベース上面の位置より上方の複
数箇所３８で弱い固定強度で固定する。この弱い固定は
レーザ溶接のレーザパワー及び時間を調節することによ
り達成することができる。
施形態の固定構造が示されている。本実施形態は、パッ
ケージ４とレンズホルダ２２の固定箇所をベース６の上
面の位置以下だけでなくベース上面の位置より上方の複
数箇所３８で弱い固定強度で固定する。この弱い固定は
レーザ溶接のレーザパワー及び時間を調節することによ
り達成することができる。
【００４１】このようにレンズホルダ２２の固定箇所３
８は弱い強度で固定されているため、レンズホルダ２２
はパッケージ４の熱膨張に拘束されずに温度変化に対し
てある程度自由に熱膨張できる。
８は弱い強度で固定されているため、レンズホルダ２２
はパッケージ４の熱膨張に拘束されずに温度変化に対し
てある程度自由に熱膨張できる。
【００４２】その結果、レンズアセンブリ２０の熱膨張
による移動量をＬＤキャリア８の熱膨張による移動量と
概略一致させることができる。更に、パッケージ４とレ
ンズアセンブリ２０の間の固定強度を第１実施形態に比
較して強くすることができる。
による移動量をＬＤキャリア８の熱膨張による移動量と
概略一致させることができる。更に、パッケージ４とレ
ンズアセンブリ２０の間の固定強度を第１実施形態に比
較して強くすることができる。
【００４３】図８を参照すると、第１実施形態の変形例
正面図が示されている。図８に示すように、レンズアセ
ンブリ２０のレンズホルダ２２の外周部に目盛４０が設
けられている。これにより、容易にレンズホルダ２２の
固定箇所を選択することができる。
正面図が示されている。図８に示すように、レンズアセ
ンブリ２０のレンズホルダ２２の外周部に目盛４０が設
けられている。これにより、容易にレンズホルダ２２の
固定箇所を選択することができる。
【００４４】図９（Ａ）及び図（Ｂ）を参照すると、本
発明第３実施形態のレンズアセンブリ２０Ａが示されて
いる。図９乃至図１３に示した第３乃至第６実施形態は
レンズホルダに特殊な加工を施すことによりレンズの光
軸ずれを防止するようにしたものであり、半導体レーザ
アセンブリ及びファイバアセンブリの構造は従来と同様
である。
発明第３実施形態のレンズアセンブリ２０Ａが示されて
いる。図９乃至図１３に示した第３乃至第６実施形態は
レンズホルダに特殊な加工を施すことによりレンズの光
軸ずれを防止するようにしたものであり、半導体レーザ
アセンブリ及びファイバアセンブリの構造は従来と同様
である。
【００４５】図９（Ａ）に示すように、レンズホルダ２
２の外周上に配置された４個のレーザ溶接点４６のうち
上方の２個のレーザ溶接点４６の下方に横方向に伸長す
る一対のスリット４２，４４を形成する。
２の外周上に配置された４個のレーザ溶接点４６のうち
上方の２個のレーザ溶接点４６の下方に横方向に伸長す
る一対のスリット４２，４４を形成する。
【００４６】レンズホルダ２２の外周のレーザ溶接点４
６はパッケージにレーザ溶接されているため、パッケー
ジの熱膨張量と概略同一に規制されるが、一対の横方向
スリット４２，４４が形成されているため、レーザ溶接
点４６から離れたレンズホルダ２２は自由に熱膨張する
ことができる。
６はパッケージにレーザ溶接されているため、パッケー
ジの熱膨張量と概略同一に規制されるが、一対の横方向
スリット４２，４４が形成されているため、レーザ溶接
点４６から離れたレンズホルダ２２は自由に熱膨張する
ことができる。
【００４７】これにより、レンズ２４はＬＤキャリアと
概略同一量Ｙ軸方向に熱膨張により移動するため、ＬＤ
チップとレンズ２４との光軸ずれは生じない。その結
果、温度変化による半導体レーザモジュールからの光出
力の変動を小さく抑えることができる。
概略同一量Ｙ軸方向に熱膨張により移動するため、ＬＤ
チップとレンズ２４との光軸ずれは生じない。その結
果、温度変化による半導体レーザモジュールからの光出
力の変動を小さく抑えることができる。
【００４８】図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）を参照する
と、本発明第４実施形態のレンズアセンブリ２０Ｂが示
されている。本実施形態では、レンズホルダ２２の外周
面に一対の軸方向の切り欠き４８，５０が形成されてい
る。
と、本発明第４実施形態のレンズアセンブリ２０Ｂが示
されている。本実施形態では、レンズホルダ２２の外周
面に一対の軸方向の切り欠き４８，５０が形成されてい
る。
【００４９】切り欠き４８，５０は４個のレーザ溶接点
５２のうち上方の２つのレーザ溶接点５２のすぐ下方に
形成されている。このようにレンズホルダ２２に切り欠
き５０，５２を形成しても上述した第３実施形態と同様
にレンズ２４はＬＤキャリアと概略同一条件で移動する
ため、ＬＤチップとレンズ２４の光軸ずれが生じること
はない。
５２のうち上方の２つのレーザ溶接点５２のすぐ下方に
形成されている。このようにレンズホルダ２２に切り欠
き５０，５２を形成しても上述した第３実施形態と同様
にレンズ２４はＬＤキャリアと概略同一条件で移動する
ため、ＬＤチップとレンズ２４の光軸ずれが生じること
はない。
【００５０】図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）を参照する
と、本発明第５実施形態のレンズアセンブリ２０Ｃが示
されている。本実施形態は、レンズホルダ２２に一対の
切り欠き５４，５６を図１０（Ａ）及び図１１（Ｂ）に
示した第４実施形態の切り欠きと反対方向から形成した
ものである。
と、本発明第５実施形態のレンズアセンブリ２０Ｃが示
されている。本実施形態は、レンズホルダ２２に一対の
切り欠き５４，５６を図１０（Ａ）及び図１１（Ｂ）に
示した第４実施形態の切り欠きと反対方向から形成した
ものである。
【００５１】そして、４個のレーザ溶接点５８のうち、
上方の２つのレーザ溶接点５８は切り欠き５４，５６の
底部、即ちレンズホルダ２２の薄肉部に配置する。この
ようにレンズホルダ２２の薄肉部をパッケージにレーザ
溶接することにより、レンズホルダ２２はパッケージに
規制されることなく熱膨張しやすくなり、ＬＤチップと
レンズ２４との光軸ずれを抑制することができる。
上方の２つのレーザ溶接点５８は切り欠き５４，５６の
底部、即ちレンズホルダ２２の薄肉部に配置する。この
ようにレンズホルダ２２の薄肉部をパッケージにレーザ
溶接することにより、レンズホルダ２２はパッケージに
規制されることなく熱膨張しやすくなり、ＬＤチップと
レンズ２４との光軸ずれを抑制することができる。
【００５２】図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）を参照する
と、本発明第６実施形態のレンズアセンブリ２０Ｄが示
されている。本実施形態は上方の２個の溶接点６４の近
傍に一対の縦方向スリット６０，６２を形成したもので
ある。
と、本発明第６実施形態のレンズアセンブリ２０Ｄが示
されている。本実施形態は上方の２個の溶接点６４の近
傍に一対の縦方向スリット６０，６２を形成したもので
ある。
【００５３】縦方向スリット６０，６２により、溶接点
６４から離れたレンズホルダ２２の自由な熱膨張が許容
されるため、レンズ２４はＬＤキャリアと概略同一条件
でＹ軸方向に移動する。これにより、ＬＤチップとレン
ズ２４との光軸ずれを抑制することができる。
６４から離れたレンズホルダ２２の自由な熱膨張が許容
されるため、レンズ２４はＬＤキャリアと概略同一条件
でＹ軸方向に移動する。これにより、ＬＤチップとレン
ズ２４との光軸ずれを抑制することができる。
【００５４】図１３を参照すると、本発明第７実施形態
の半導体レーザモジュールの断面図が示されている。上
述した第１実施形態と実質上同一構成部分については同
一符号を付し、重複を避けるためその説明を省略する。
の半導体レーザモジュールの断面図が示されている。上
述した第１実施形態と実質上同一構成部分については同
一符号を付し、重複を避けるためその説明を省略する。
【００５５】半導体レーザアセンブリ２Ａはパッケージ
４にカバー５を溶接することにより、その内部が密閉さ
れている。本実施形態のＬＤキャリア８は銅から形成さ
れているが、ベース６６はＦｅ６４％，Ｎｉ３５．５％
の合金であるインバーから形成されている。インバーは
２×１０-6の線膨張係数を有している。
４にカバー５を溶接することにより、その内部が密閉さ
れている。本実施形態のＬＤキャリア８は銅から形成さ
れているが、ベース６６はＦｅ６４％，Ｎｉ３５．５％
の合金であるインバーから形成されている。インバーは
２×１０-6の線膨張係数を有している。
【００５６】ＬＤチップ１０の単位温度当たりの出射ビ
ームの位置変動量ΔＳは、ＬＤキャリア８、ベース６６
及びパッケージ４の線膨張係数をそれぞれα１，α２及
びα３とし、ＬＤキャリア８及びベース６６の垂直方向
の厚さをそれぞれＬ１，Ｌ２とすると次式で与えられ
る。
ームの位置変動量ΔＳは、ＬＤキャリア８、ベース６６
及びパッケージ４の線膨張係数をそれぞれα１，α２及
びα３とし、ＬＤキャリア８及びベース６６の垂直方向
の厚さをそれぞれＬ１，Ｌ２とすると次式で与えられ
る。
【００５７】 ΔＳ＝Ｌ１α１＋Ｌ２α２−（Ｌ１＋Ｌ２）α３ ＝Ｌ１（α１−α３）−Ｌ２（α３−α２） よって、ΔＳ＝０、即ち、Ｌ１（α１−α３）＝Ｌ２
（α３−α２）を満足するように各パラメータを決めて
やれば、光結合効率の良好なる半導体レーザモジュール
の温度特性を得ることができる。
（α３−α２）を満足するように各パラメータを決めて
やれば、光結合効率の良好なる半導体レーザモジュール
の温度特性を得ることができる。
【００５８】銅から形成されたＬＤキャリア８の線膨張
係数は１８×１０-6、インバーから形成されたベース６
６の線膨張係数は２×１０-6、コバールから形成された
パッケージ４の線膨張係数は６×１０-6であるので、上
述した式を満足させるためには、Ｌ１／Ｌ２＝１／３と
なる。
係数は１８×１０-6、インバーから形成されたベース６
６の線膨張係数は２×１０-6、コバールから形成された
パッケージ４の線膨張係数は６×１０-6であるので、上
述した式を満足させるためには、Ｌ１／Ｌ２＝１／３と
なる。
【００５９】図１４を参照すると、本発明第８実施形態
の半導体レーザモジュールの断面図が示されている。本
実施形態の半導体レーザアセンブリ２Ｂは倒立したＬ形
状ベース６８を使用する。
の半導体レーザモジュールの断面図が示されている。本
実施形態の半導体レーザアセンブリ２Ｂは倒立したＬ形
状ベース６８を使用する。
【００６０】即ち、鉄から形成された倒立Ｌ形状ベース
６８をパッケージ４に溶接固定し、倒立Ｌ形状ベース６
８の下面にＬＤキャリア８を固定し、ＬＤキャリア８の
下面にＬＤチップ１０を固定する。
６８をパッケージ４に溶接固定し、倒立Ｌ形状ベース６
８の下面にＬＤキャリア８を固定し、ＬＤキャリア８の
下面にＬＤチップ１０を固定する。
【００６１】ＬＤチップ８、倒立Ｌ形状ベース６８及び
パッケージ４の線膨張係数をそれぞれα１，α２，α３
とし、ＬＤキャリア８の垂直方向の厚さをＬ１、パッケ
ージ４の内側底面からＬＤキャリア搭載面までの倒立Ｌ
形状ベース６８の長さをＬ２とすると、ＬＤチップ１０
の単位温度当たりの出射ビームの位置変動量ΔＳは次式
で与えられる。
パッケージ４の線膨張係数をそれぞれα１，α２，α３
とし、ＬＤキャリア８の垂直方向の厚さをＬ１、パッケ
ージ４の内側底面からＬＤキャリア搭載面までの倒立Ｌ
形状ベース６８の長さをＬ２とすると、ＬＤチップ１０
の単位温度当たりの出射ビームの位置変動量ΔＳは次式
で与えられる。
【００６２】 ΔＳ＝Ｌ２α２−Ｌ１α１−（Ｌ２−Ｌ１）α３ ＝Ｌ２（α２−α３）−Ｌ１（α１−α３） よって、ΔＳ＝０、即ち、Ｌ２（α２−α３）＝Ｌ１
（α１−α３）を満足するように各パラメータを決めて
やれば、光結合効率の良好なる半導体レーザモジュール
の温度特性を得ることができる。
（α１−α３）を満足するように各パラメータを決めて
やれば、光結合効率の良好なる半導体レーザモジュール
の温度特性を得ることができる。
【００６３】銅から形成されたＬＤキャリア８の線膨張
係数は１８×１０-6であり、鉄から形成された倒立Ｌ形
状ベース６８の線膨張係数は１２×１０-6であり、コバ
ールから形成されたパッケージ４の線膨張係数は６×１
０-6であるので、上式を満足させるためには、Ｌ１／Ｌ
２＝１／２となる。
係数は１８×１０-6であり、鉄から形成された倒立Ｌ形
状ベース６８の線膨張係数は１２×１０-6であり、コバ
ールから形成されたパッケージ４の線膨張係数は６×１
０-6であるので、上式を満足させるためには、Ｌ１／Ｌ
２＝１／２となる。
【００６４】図１５を参照すると、本発明第９実施形態
の半導体レーザモジュールの断面図が示されている。本
実施形態はパッケージ４と同じ線膨張係数を有する図示
されたような倒立Ｌ形状ホルダ７０を使用する。
の半導体レーザモジュールの断面図が示されている。本
実施形態はパッケージ４と同じ線膨張係数を有する図示
されたような倒立Ｌ形状ホルダ７０を使用する。
【００６５】即ち、倒立Ｌ形状ホルダ７０をパッケージ
４に溶接固定し、倒立Ｌ形状ホルダ７０の下面にベース
７２を溶接固定し、ベース７２の下面にＬＤキャリア８
を溶接固定する。そして、ＬＤキャリア８の下面にＬＤ
チップ１０を固定する。
４に溶接固定し、倒立Ｌ形状ホルダ７０の下面にベース
７２を溶接固定し、ベース７２の下面にＬＤキャリア８
を溶接固定する。そして、ＬＤキャリア８の下面にＬＤ
チップ１０を固定する。
【００６６】ＬＤキャリア８、ベース７２及びパッケー
ジ４の線膨張係数をそれぞれα１，α２，α３とし、Ｌ
Ｄキャリア８及びベース７２の垂直方向の厚さをＬ１，
Ｌ２とすると、ＬＤチップ１０の単位温度当たりの出射
ビームの位置変動量ΔＳは次式で与えられる。
ジ４の線膨張係数をそれぞれα１，α２，α３とし、Ｌ
Ｄキャリア８及びベース７２の垂直方向の厚さをＬ１，
Ｌ２とすると、ＬＤチップ１０の単位温度当たりの出射
ビームの位置変動量ΔＳは次式で与えられる。
【００６７】 ΔＳ＝Ｌ１α１＋Ｌ２α２−（Ｌ１＋Ｌ２）α３ よって、ΔＳ＝０、即ち、Ｌ１（α１−α３）＝Ｌ２
（α３−α２）を満足するように各パラメータを決めて
やれば、光結合効率の良好なる半導体レーザモジュール
の温度特性を得ることができる。
（α３−α２）を満足するように各パラメータを決めて
やれば、光結合効率の良好なる半導体レーザモジュール
の温度特性を得ることができる。
【００６８】銅から形成されたＬＤキャリア８は１８×
１０-6の線膨張係数を有し、インバーから形成されたベ
ース７２は２×１０-6の線膨張係数を有し、コバールか
ら形成されたパッケージ４及びホルダ７０は６×１０-6
の線膨張係数を有しているので、上式を満足させるため
には、Ｌ１／Ｌ２＝１／３となる。
１０-6の線膨張係数を有し、インバーから形成されたベ
ース７２は２×１０-6の線膨張係数を有し、コバールか
ら形成されたパッケージ４及びホルダ７０は６×１０-6
の線膨張係数を有しているので、上式を満足させるため
には、Ｌ１／Ｌ２＝１／３となる。
【００６９】
【発明の効果】本発明は以上詳述したように構成したの
で、温度変化に起因する半導体レーザとレンズ間の光軸
ずれを抑制することができ、これにより光出力の変動を
小さくできるという効果を奏する。
で、温度変化に起因する半導体レーザとレンズ間の光軸
ずれを抑制することができ、これにより光出力の変動を
小さくできるという効果を奏する。
【図１】本発明第１実施形態断面図である。
【図２】光軸ずれと挿入損失の関係を示す図である。
【図３】レンズアセンブリの全周の複数箇所をパッケー
ジにレーザ溶接固定した場合の一部断面図である。
ジにレーザ溶接固定した場合の一部断面図である。
【図４】本発明第１実施形態の固定構造を採用した一部
断面図である。
断面図である。
【図５】図４の右側面図である。
【図６】本発明第２実施形態の固定構造を採用した一部
断面図である。
断面図である。
【図７】図６の右側面図である。
【図８】第１実施形態の変形例正面図である。
【図９】第３実施形態のレンズアセンブリを示す図であ
る。
る。
【図１０】第４実施形態のレンズアセンブリを示す図で
ある。
ある。
【図１１】第５実施形態のレンズアセンブリを示す図で
ある。
ある。
【図１２】第６実施形態のレンズアセンブリを示す図で
ある。
ある。
【図１３】本発明第７実施形態の断面図である。
【図１４】本発明第８実施形態の断面図である。
【図１５】本発明第９実施形態の断面図である。
２ 半導体レーザアセンブリ ４ パッケージ ６ ベース ８ ＬＤキャリア １０ ＬＤチップ ２０ レンズアセンブリ ２２ レンズホルダ ２４ レンズ ２６ ファイバアセンブリ ２８ 光ファイバ
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 俊一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 曽根辻 昇 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 小宮山 学 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (14)
- 【請求項１】 透過窓を有するパッケージと、該パッケ
ージ内でパッケージに搭載固定されたベースと、該ベー
ス上に搭載固定されたキャリアと、該キャリア上に搭載
された半導体レーザとを含んだ半導体レーザアセンブリ
と；レンズホルダと、該レンズホルダ内に圧入されたレ
ンズとを含み、前記パッケージに溶接固定されたレンズ
アセンブリと；ホルダと、該ホルダ内に挿入固定された
フェルールと、該フェルール内に挿入固定された光ファ
イバとを含み、前記レンズアセンブリに溶接固定された
ファイバアセンブリとを具備し；前記レンズホルダは前
記ベースの上面より下方の部分の複数個所で前記パッケ
ージにスポット溶接されていることを特徴とする半導体
レーザモジュール。 - 【請求項２】 前記レンズホルダは前記ベースの上面よ
り上方の部分でも付加的に弱い強度でスポット溶接され
ている請求項１記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項３】 前記レンズホルダは外周部に目盛を有す
る円筒形状をしている請求項１記載の半導体レーザモジ
ュール。 - 【請求項４】 透過窓を有するパッケージと、該パッケ
ージ内でパッケージに搭載固定されたベースと、該ベー
ス上に搭載固定されたキャリアと、該キャリア上に搭載
された半導体レーザとを含んだ半導体レーザアセンブリ
と；複数のスリットを有するレンズホルダと、該レンズ
ホルダ内に圧入されたレンズとを含み、前記パッケージ
に溶接固定されたレンズアセンブリと；ホルダと、該ホ
ルダ内に挿入固定されたフェルールと、該フェルール内
に挿入固定された光ファイバとを含み、前記レンズアセ
ンブリに溶接固定されたファイバアセンブリとを具備し
たことを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 【請求項５】 前記スリットは前記レンズホルダの水平
中心線より上方部分に外周面から互いに概略対向するよ
うに横方向に伸長するように形成された一対の横方向ス
リットから構成される請求項４記載の半導体レーザモジ
ュール。 - 【請求項６】 前記スリットは前記レンズホルダの水平
中心線より上方部分に外周面から縦方向に伸長するよう
に形成された一対の縦方向スリットから構成される請求
項４記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項７】 透過窓を有するパッケージと、該パッケ
ージ内でパッケージに搭載固定されたベースと、該ベー
ス上に搭載固定されたキャリアと、該キャリア上に搭載
された半導体レーザとを含んだ半導体レーザアセンブリ
と；水平中心線より上方部分の外周に形成された複数の
軸方向の切り欠きを有するレンズホルダと、該レンズホ
ルダ内に圧入されたレンズとを含み、前記パッケージに
溶接固定されたレンズアセンブリと；ホルダと、該ホル
ダ内に挿入固定されたフェルールと、該フェルール内に
挿入固定された光ファイバとを含み、前記レンズアセン
ブリに溶接固定されたファイバアセンブリとを具備した
ことを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 【請求項８】 前記軸方向の切り欠きは前記ファイバア
センブリ側からレンズホルダの薄肉部を残すように形成
されており、前記レンズホルダの水平中心線より下側部
分の外周と前記薄肉部とが前記パッケージにスポット溶
接されている請求項７記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項９】 透過窓を有するパッケージと、該パッケ
ージ内でパッケージに搭載固定されたベースと、該ベー
ス上に搭載固定されたキャリアと、該キャリア上に搭載
された半導体レーザとを含んだ半導体レーザアセンブリ
と；レンズホルダと、該レンズホルダ内に圧入されたレ
ンズとを含み、前記パッケージに溶接固定されたレンズ
アセンブリと；ホルダと、該ホルダ内に挿入固定された
フェルールと、該フェルール内に挿入固定された光ファ
イバとを含み、前記レンズアセンブリに溶接固定された
ファイバアセンブリとを具備し；前記キャリア、前記ベ
ース及び前記パッケージの線膨張係数をそれぞれα１，
α２及びα３とし、前記キャリア及び前記ベースの垂直
方向の厚さをそれぞれＬ１及びＬ２とするとき； Ｌ１（α１−α３）＝Ｌ２（α３−α２） の関係を満足することを特徴とする半導体レーザモジュ
ール。 - 【請求項１０】 前記キャリア、前記ベース及び前記パ
ッケージをそれぞれ銅、インバー及びコバールから形成
し、Ｌ１／Ｌ２＝１／３とした請求項９記載の半導体レ
ーザモジュール。 - 【請求項１１】 透過窓を有するパッケージと、該パッ
ケージ内でパッケージに搭載固定された倒立Ｌ形状ベー
スと、該倒立Ｌ形状ベースの下面に搭載固定されたキャ
リアと、該キャリアの下面に搭載された半導体レーザと
を含んだ半導体レーザアセンブリと；レンズホルダと、
該レンズホルダ内に圧入されたレンズとを含み、前記パ
ッケージに溶接固定されたレンズアセンブリと；ホルダ
と、該ホルダ内に挿入固定されたフェルールと、該フェ
ルール内に挿入固定された光ファイバとを含み、前記レ
ンズアセンブリに溶接固定されたファイバアセンブリと
を具備し；前記キャリア、前記ベース及び前記パッケー
ジの線膨張係数をそれぞれα１，α２及びα３とし、前
記キャリアの垂直方向の厚さをＬ１、前記倒立Ｌ形状ベ
ースの前記パッケージの内側底面から前記キャリアの上
面までの距離をＬ２とするとき； Ｌ２（α２−α３）＝Ｌ１（α１−α３） の関係を満足することを特徴とする半導体レーザモジュ
ール。 - 【請求項１２】 前記キャリア、前記倒立Ｌ形状ベース
及び前記パッケージをそれぞれ銅、鉄及びコバールから
形成し、Ｌ１／Ｌ２＝１／２とした請求項１１記載の半
導体レーザモジュール。 - 【請求項１３】 透過窓を有するパッケージと、該パッ
ケージ内でパッケージに搭載固定されたパッケージと同
一の線膨張係数を有する倒立Ｌ形状ホルダと、該倒立Ｌ
形状ホルダの下面に固定されたベースと、該ベースの下
面に固定されたキャリアと、該キャリアの下面に固定さ
れた半導体レーザとを含んだ半導体レーザアセンブリ
と；レンズホルダと、該レンズホルダ内に圧入されたレ
ンズとを含み、前記パッケージに溶接固定されたレンズ
アセンブリと；ホルダと、該ホルダ内に挿入固定された
フェルールと、該フェルール内に挿入固定された光ファ
イバとを含み、前記レンズアセンブリに溶接固定された
ファイバアセンブリとを具備し；前記キャリア、前記ベ
ース及び前記パッケージの線膨張係数をそれぞれα１，
α２及びα３とし、前記キャリア及び前記ベースの垂直
方向の厚さをそれぞれＬ１及びＬ２とするとき； Ｌ１（α１−α３）＝Ｌ２（α３−α２） の関係を満足することを特徴とする半導体レーザモジュ
ール。 - 【請求項１４】 前記キャリア、前記ベース、前記ホル
ダ及び前記パッケージをそれぞれ銅、インバー、コバー
ル及びコバールとから形成し、Ｌ１／Ｌ２＝１／３とし
た請求項１３記載の半導体レーザモジュール。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230238A JPH0980266A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 半導体レーザモジュール |
| US08/621,092 US5751877A (en) | 1995-09-07 | 1996-03-22 | Semiconductor laser module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230238A JPH0980266A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0980266A true JPH0980266A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=16904701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7230238A Withdrawn JPH0980266A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5751877A (ja) |
| JP (1) | JPH0980266A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0901027A2 (en) * | 1997-09-04 | 1999-03-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical parts assembling method and the optical parts |
Families Citing this family (31)
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