JP2003229630A - レーザダイオードモジュール - Google Patents
レーザダイオードモジュールInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ出力との充分な線形対応を保持した、
受光素子（フォトダイオード）の出力モニタ機能を維持
する。 【解決手段】 本発明のレーザダイオードモジュール
は、レーザダイオード素子１と、該レーザダイオード素
子１の前方に配置されレーザダイオード素子１の前面か
ら出射された前面光８を反射する単レンズ４等の光学素
子と、レーザダイオード素子１の後方であってレーザダ
イオード素子１を含む光学系の光軸６からずれた位置に
配置され光学素子による反射光を受光するフォトダイオ
ード２とを備える。
受光素子（フォトダイオード）の出力モニタ機能を維持
する。 【解決手段】 本発明のレーザダイオードモジュール
は、レーザダイオード素子１と、該レーザダイオード素
子１の前方に配置されレーザダイオード素子１の前面か
ら出射された前面光８を反射する単レンズ４等の光学素
子と、レーザダイオード素子１の後方であってレーザダ
イオード素子１を含む光学系の光軸６からずれた位置に
配置され光学素子による反射光を受光するフォトダイオ
ード２とを備える。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザダイ
オード等のレーザダイオード素子からの光出力をモニタ
するフォトダイオード（ＰＤ：Photodiode）等の受光素
子を備えたレーザダイオードモジュールに関する。
オード等のレーザダイオード素子からの光出力をモニタ
するフォトダイオード（ＰＤ：Photodiode）等の受光素
子を備えたレーザダイオードモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】図１０は、フォトダイオードを備えたレ
ーザダイオードモジュールの構成図である。通常のレー
ザダイオードモジュールは、図１０に示すように、レー
ザダイオード（ＬＤ：Laser Diode）素子１と、フォト
ダイオード２と、レンズ４と、カバーガラス１０と、偏
光子１１と、フィルタ１２とを備える。なお、図１０に
おいて５は、光ファイバ端部である。
ーザダイオードモジュールの構成図である。通常のレー
ザダイオードモジュールは、図１０に示すように、レー
ザダイオード（ＬＤ：Laser Diode）素子１と、フォト
ダイオード２と、レンズ４と、カバーガラス１０と、偏
光子１１と、フィルタ１２とを備える。なお、図１０に
おいて５は、光ファイバ端部である。
【０００３】図１０に示す従来例では、フォトダイオー
ド２をレーザダイオード素子１の背面側の光軸６上に配
置し、レーザダイオード素子１の背面光７をフォトダイ
オード２で受光し、レーザダイオード１の出力をモニタ
している。
ド２をレーザダイオード素子１の背面側の光軸６上に配
置し、レーザダイオード素子１の背面光７をフォトダイ
オード２で受光し、レーザダイオード１の出力をモニタ
している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ファイバアンプ励起用
光源として用いられるポンプレーザ（波長９８０ｎｍや
１４８０ｎｍ）では、光出力が大きいため、フォトダイ
オード２のモニタ電流値が飽和したり、フォトダイオー
ド２のドライバの駆動範囲を超える場合がある。
光源として用いられるポンプレーザ（波長９８０ｎｍや
１４８０ｎｍ）では、光出力が大きいため、フォトダイ
オード２のモニタ電流値が飽和したり、フォトダイオー
ド２のドライバの駆動範囲を超える場合がある。
【０００５】また、より正確にレーザ出力をモニタする
ために、レーザモジュール内部状態（レーザ発振状態）
の影響を受ける背面光７ではなく、レーザダイオード素
子１の前面光８の反射光９や散乱光をフォトダイオード
２に取り込みたいという要求もある。
ために、レーザモジュール内部状態（レーザ発振状態）
の影響を受ける背面光７ではなく、レーザダイオード素
子１の前面光８の反射光９や散乱光をフォトダイオード
２に取り込みたいという要求もある。
【０００６】さらに、レーザダイオード素子１の両端面
と反射素子（たとえば光ファイバ内に形成されたファイ
バグレーティング）とで構成されるレーザ共振器（上記
のファイバグレーティングを用いた複合共振器）におい
て、環境変化や注入電流変化によりレーザダイオード素
子１のゲイン特性が変化してファイバグレーティングが
効果を失うと、レーザダイオード素子１の前面と背面の
出力比が変化してしまう。
と反射素子（たとえば光ファイバ内に形成されたファイ
バグレーティング）とで構成されるレーザ共振器（上記
のファイバグレーティングを用いた複合共振器）におい
て、環境変化や注入電流変化によりレーザダイオード素
子１のゲイン特性が変化してファイバグレーティングが
効果を失うと、レーザダイオード素子１の前面と背面の
出力比が変化してしまう。
【０００７】そのため、背面光７のみを受光するフォト
ダイオード２の配置では、フォトダイオード２はレーザ
出力との線形対応機能を失い、出力モニタ機能を果たせ
なくなるという問題があった。
ダイオード２の配置では、フォトダイオード２はレーザ
出力との線形対応機能を失い、出力モニタ機能を果たせ
なくなるという問題があった。
【０００８】また、前面光８の反射光９のみではフォト
ダイオード２の信号強度が不足し、Ｓ／Ｎ比の悪化より
制御性が劣化することも考えられる。
ダイオード２の信号強度が不足し、Ｓ／Ｎ比の悪化より
制御性が劣化することも考えられる。
【０００９】本発明は上記の課題を解決するためになさ
れたものである。本発明の目的は、レーザ出力（前面
光）との充分な線形対応を保持した受光素子の出力モニ
タ機能を維持することにある。
れたものである。本発明の目的は、レーザ出力（前面
光）との充分な線形対応を保持した受光素子の出力モニ
タ機能を維持することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係るレーザダイ
オードモジュールは、レーザダイオード素子と、該レー
ザダイオード素子の前方に配置されレーザダイオード素
子の前面から出射された前面光を反射する光学素子と、
レーザダイオード素子の後方であってレーザダイオード
素子を含む光学系の光軸からずれた位置に配置され光学
素子による反射光を受光する受光素子とを備える。
オードモジュールは、レーザダイオード素子と、該レー
ザダイオード素子の前方に配置されレーザダイオード素
子の前面から出射された前面光を反射する光学素子と、
レーザダイオード素子の後方であってレーザダイオード
素子を含む光学系の光軸からずれた位置に配置され光学
素子による反射光を受光する受光素子とを備える。
【００１１】上記の位置に受光素子を配置することによ
り、レーザダイオード素子の前面から出射された前面光
の反射光を受光素子で受光することができる。それによ
り、レーザ出力を正確にモニタすることができる。
り、レーザダイオード素子の前面から出射された前面光
の反射光を受光素子で受光することができる。それによ
り、レーザ出力を正確にモニタすることができる。
【００１２】上記レーザダイオードモジュールは、好ま
しくは、レーザダイオード素子とともにレーザ共振器を
構成する反射素子を備える。それにより、複合共振器に
おいて外部フィードバックが効果を失い共振条件が変化
した場合にも、前面光のモニタを主に行うため、レーザ
出力との線形対応機能を保持することができる。
しくは、レーザダイオード素子とともにレーザ共振器を
構成する反射素子を備える。それにより、複合共振器に
おいて外部フィードバックが効果を失い共振条件が変化
した場合にも、前面光のモニタを主に行うため、レーザ
出力との線形対応機能を保持することができる。
【００１３】レーザダイオード素子は背面から背面光を
放射する。この場合、受光素子は、前面光と背面光との
双方を受光する位置に配置される。好ましくは、受光素
子が受光する全受光量における前面光の反射光の割合
を、全受光量における背面光の割合よりも大きくする。
より具体的には、光学素子からの反射光を、受光素子の
全受光量の６０％以上とする。それにより、前面光の部
分反射のみでは受光素子が受ける信号強度が不足してＳ
／Ｎ比の悪化をもたらすという事態を回避することがで
きる。
放射する。この場合、受光素子は、前面光と背面光との
双方を受光する位置に配置される。好ましくは、受光素
子が受光する全受光量における前面光の反射光の割合
を、全受光量における背面光の割合よりも大きくする。
より具体的には、光学素子からの反射光を、受光素子の
全受光量の６０％以上とする。それにより、前面光の部
分反射のみでは受光素子が受ける信号強度が不足してＳ
／Ｎ比の悪化をもたらすという事態を回避することがで
きる。
【００１４】受光素子の上記光軸からのずれ量を、背面
光のビームスポットサイズよりも小さくすることが好ま
しい。それにより、受光素子が前面光と背面光との双方
を受光することができ、上記の効果が得られる。
光のビームスポットサイズよりも小さくすることが好ま
しい。それにより、受光素子が前面光と背面光との双方
を受光することができ、上記の効果が得られる。
【００１５】本発明に係るレーザダイオードモジュール
は、他の局面では、レーザダイオード素子と、レーザダ
イオード素子の前方に配置されレーザダイオード素子の
前面から出射された前面光を反射する光学素子と、光学
素子の後方であってレーザダイオード素子を含む光学系
の光軸からずれた位置に配置され光学素子による反射光
を受光する受光素子と、レーザダイオード素子とともに
レーザ共振器を構成する反射素子とを備える。
は、他の局面では、レーザダイオード素子と、レーザダ
イオード素子の前方に配置されレーザダイオード素子の
前面から出射された前面光を反射する光学素子と、光学
素子の後方であってレーザダイオード素子を含む光学系
の光軸からずれた位置に配置され光学素子による反射光
を受光する受光素子と、レーザダイオード素子とともに
レーザ共振器を構成する反射素子とを備える。
【００１６】上記光学素子の反射率は、０．５％以上１
０％以下であることが好ましい。それにより、光学素子
による前面光の反射光の光量を所望の値とすることがで
き、該反射光を受光素子で受光することができる。
０％以下であることが好ましい。それにより、光学素子
による前面光の反射光の光量を所望の値とすることがで
き、該反射光を受光素子で受光することができる。
【００１７】上記光学素子を光軸に対し傾斜させて反射
光を受光素子に受光させるようにしてもよい。それによ
り、上記反射光をレーザダイオード素子に戻り難くしな
がら、反射光を受光素子で受光することができる。
光を受光素子に受光させるようにしてもよい。それによ
り、上記反射光をレーザダイオード素子に戻り難くしな
がら、反射光を受光素子で受光することができる。
【００１８】上記受光素子の受光部形状を、反射光のビ
ーム遠視野像に合わせた形状とすることが好ましい。そ
れにより、受光素子の受光量を増大することができる。
ーム遠視野像に合わせた形状とすることが好ましい。そ
れにより、受光素子の受光量を増大することができる。
【００１９】上記レーザダイオード素子および光学素子
をフォトニックバンドギャップ構造をもつフォトニック
結晶で覆い、光学素子の反射面から受光素子に至る経路
にフォトニックバンドギャップ構造の線状欠陥で構成さ
れる導波路を設けることが好ましい。それにより、光学
素子の反射光を効率的に受光素子に導くことができる。
をフォトニックバンドギャップ構造をもつフォトニック
結晶で覆い、光学素子の反射面から受光素子に至る経路
にフォトニックバンドギャップ構造の線状欠陥で構成さ
れる導波路を設けることが好ましい。それにより、光学
素子の反射光を効率的に受光素子に導くことができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図９を用いて、本発
明の実施の形態について説明する。
明の実施の形態について説明する。
【００２１】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１におけるレーザダイオードモジュールの概略構成
図である。図１に示すように、本発明のレーザダイオー
ドモジュールは、発光素子としてのレーザダイオード素
子１と、受光素子としてのフォトダイオード２と、結合
光学系３とを備える。
形態１におけるレーザダイオードモジュールの概略構成
図である。図１に示すように、本発明のレーザダイオー
ドモジュールは、発光素子としてのレーザダイオード素
子１と、受光素子としてのフォトダイオード２と、結合
光学系３とを備える。
【００２２】レーザダイオード素子１は、前面から前面
光（レーザ出射光）８を出射し、背面からも背面光（レ
ーザ漏れ光）７を放射する。フォトダイオード２は、レ
ーザダイオード素子１の後方であってレーザダイオード
素子１を含む光学系の光軸６からずれた位置に配置され
る。
光（レーザ出射光）８を出射し、背面からも背面光（レ
ーザ漏れ光）７を放射する。フォトダイオード２は、レ
ーザダイオード素子１の後方であってレーザダイオード
素子１を含む光学系の光軸６からずれた位置に配置され
る。
【００２３】結合光学系３は、レーザダイオード素子１
の前方に配置され、単レンズ４と、光ファイバ端部５等
の光学素子とを含む。この結合光学系３に含まれる光学
素子により、前面光８は反射される。フォトダイオード
２は、上記の単レンズ４、光ファイバ端部５をも含む上
記の光学系の光軸６からずれた位置に配置されることと
なる。
の前方に配置され、単レンズ４と、光ファイバ端部５等
の光学素子とを含む。この結合光学系３に含まれる光学
素子により、前面光８は反射される。フォトダイオード
２は、上記の単レンズ４、光ファイバ端部５をも含む上
記の光学系の光軸６からずれた位置に配置されることと
なる。
【００２４】本配置とすることにより、レーザダイオー
ド素子１の背面から放射される背面光７の主成分がフォ
トダイオード２に入射するのを回避することができる。
他方、単レンズ（光学素子）４により前面光８は反射さ
れ、反射光（典型的には部分反射光）９は、レーザダイ
オードの広がり角を伴って反射するので、光軸６からず
れて配置されたフォトダイオード２にもその一部が受光
される。つまり、本実施の形態１では、フォトダイオー
ド２は、レーザダイオード素子１の背面光７よりも多く
の量の前面光８の反射光９を受光することとなる。
ド素子１の背面から放射される背面光７の主成分がフォ
トダイオード２に入射するのを回避することができる。
他方、単レンズ（光学素子）４により前面光８は反射さ
れ、反射光（典型的には部分反射光）９は、レーザダイ
オードの広がり角を伴って反射するので、光軸６からず
れて配置されたフォトダイオード２にもその一部が受光
される。つまり、本実施の形態１では、フォトダイオー
ド２は、レーザダイオード素子１の背面光７よりも多く
の量の前面光８の反射光９を受光することとなる。
【００２５】この結果、レーザ出射光である前面光８に
対する線形な対応関係を損なう虞のあるレーザダイオー
ド素子１の不安定性の影響や、ゲイン飽和等の影響を受
けない反射光９をモニタできるため、フォトダイオード
２により正確な出力モニタを行える。
対する線形な対応関係を損なう虞のあるレーザダイオー
ド素子１の不安定性の影響や、ゲイン飽和等の影響を受
けない反射光９をモニタできるため、フォトダイオード
２により正確な出力モニタを行える。
【００２６】また、ファイバアンプ励起用レーザダイオ
ードなど高出力レーザダイオードでは、背面光７を直接
フォトダイオード２で受光することによるフォトダイオ
ード２の出力の飽和を避ける、あるいは逆にフォトダイ
オード２のダイナミックレンジを小さくできるという効
果が得られる。
ードなど高出力レーザダイオードでは、背面光７を直接
フォトダイオード２で受光することによるフォトダイオ
ード２の出力の飽和を避ける、あるいは逆にフォトダイ
オード２のダイナミックレンジを小さくできるという効
果が得られる。
【００２７】さらに、前面光８の反射光９を主としてモ
ニタできるため、外部に反射点を設けるレーザ共振器
（たとえばファイバグレーティングを用いた複合共振
器）における、外部フィードバック効果が変化した際の
影響を受けないという効果も得られる。
ニタできるため、外部に反射点を設けるレーザ共振器
（たとえばファイバグレーティングを用いた複合共振
器）における、外部フィードバック効果が変化した際の
影響を受けないという効果も得られる。
【００２８】（実施の形態２）次に、本発明の実施の形
態２について説明する。図２は、本実施の形態２のレー
ザダイオードモジュールの概略構成図である。
態２について説明する。図２は、本実施の形態２のレー
ザダイオードモジュールの概略構成図である。
【００２９】図２に示すように、本実施の形態２では、
レーザダイオード素子１と単レンズ４との間にカバーガ
ラス１０を挿入している。それ以外の構成については、
実施の形態１とほぼ同様である。
レーザダイオード素子１と単レンズ４との間にカバーガ
ラス１０を挿入している。それ以外の構成については、
実施の形態１とほぼ同様である。
【００３０】単レンズ４、カバーガラス１０の端面反射
率によりフォトダイオード２の受光量に対する反射光９
の寄与度が異なるが、一般的な場合として両者の端面反
射率は、同程度と考えてよい。この場合、レーザダイオ
ード素子１のレーザ出射端部およびフォトダイオード２
からの距離が、単レンズ４に比較してカバーガラス１０
の方が近いこと、および一般に単レンズ４の反射面はレ
ーザダイオード素子１側に凸形状のため、フォトダイオ
ード２へ入射する反射光９は、カバーガラス１０からの
成分が主となる。
率によりフォトダイオード２の受光量に対する反射光９
の寄与度が異なるが、一般的な場合として両者の端面反
射率は、同程度と考えてよい。この場合、レーザダイオ
ード素子１のレーザ出射端部およびフォトダイオード２
からの距離が、単レンズ４に比較してカバーガラス１０
の方が近いこと、および一般に単レンズ４の反射面はレ
ーザダイオード素子１側に凸形状のため、フォトダイオ
ード２へ入射する反射光９は、カバーガラス１０からの
成分が主となる。
【００３１】このようにカバーガラス１０を挿入した場
合にも、実施の形態１の場合と同様に反射光９をフォト
ダイオード２で受光することができ、実施の形態１の場
合と同様の効果が得られる。
合にも、実施の形態１の場合と同様に反射光９をフォト
ダイオード２で受光することができ、実施の形態１の場
合と同様の効果が得られる。
【００３２】（実施の形態３）次に、本発明の実施の形
態３について説明する。図３は、本実施の形態３におけ
るレーザダイオードモジュールの概略構成図である。
態３について説明する。図３は、本実施の形態３におけ
るレーザダイオードモジュールの概略構成図である。
【００３３】通常、光ファイバ端部５の傾斜角は、光フ
ァイバ端部５に反射した反射光がレーザダイオード素子
１やフォトダイオード２に影響しないように大きな傾斜
角（８度程度）に設定されている。
ァイバ端部５に反射した反射光がレーザダイオード素子
１やフォトダイオード２に影響しないように大きな傾斜
角（８度程度）に設定されている。
【００３４】しかし、本実施の形態３では、光ファイバ
端部５の傾斜角θを小さく（たとえば０．５度〜８度程
度）とする。それにより、図３に示すように、光ファイ
バ端部５に反射した反射光９の一部を単レンズ４を通し
てフォトダイオード２に入射させることができる。
端部５の傾斜角θを小さく（たとえば０．５度〜８度程
度）とする。それにより、図３に示すように、光ファイ
バ端部５に反射した反射光９の一部を単レンズ４を通し
てフォトダイオード２に入射させることができる。
【００３５】単レンズ４と光ファイバ端部５が同程度の
端面反射率を有するか、あるいは光エネルギー密度の高
くなる光ファイバ端部５にはコートをしないため光ファ
イバ端部５の反射率が単レンズ４のそれよりも相対的に
高反射率となることが一般的である。また、光ファイバ
端部５からの反射光のスポットサイズは、レーザダイオ
ード素子１のレーザ出射口近傍で出射光とほぼ同じスポ
ットサイズに戻ると考えてよい。
端面反射率を有するか、あるいは光エネルギー密度の高
くなる光ファイバ端部５にはコートをしないため光ファ
イバ端部５の反射率が単レンズ４のそれよりも相対的に
高反射率となることが一般的である。また、光ファイバ
端部５からの反射光のスポットサイズは、レーザダイオ
ード素子１のレーザ出射口近傍で出射光とほぼ同じスポ
ットサイズに戻ると考えてよい。
【００３６】したがって、フォトダイオード２の位置等
を適切に調節することにより、フォトダイオード２へ入
射する光の主成分を、光ファイバ端部５に反射した反射
光９とすることができる。
を適切に調節することにより、フォトダイオード２へ入
射する光の主成分を、光ファイバ端部５に反射した反射
光９とすることができる。
【００３７】本実施の形態の場合にも、実施の形態１の
場合と同様の効果が得られる。それに加え、光ファイバ
端部５の反射光９を利用することにより、光ファイバ外
部へのレーザ出力取り出し効率に影響する結合光学系３
を変化させることなく、光ファイバ端部５の傾斜角度を
変化させることでフォトダイオード２への反射光９の寄
与を独立に適切に調整できる。
場合と同様の効果が得られる。それに加え、光ファイバ
端部５の反射光９を利用することにより、光ファイバ外
部へのレーザ出力取り出し効率に影響する結合光学系３
を変化させることなく、光ファイバ端部５の傾斜角度を
変化させることでフォトダイオード２への反射光９の寄
与を独立に適切に調整できる。
【００３８】（実施の形態４）次に、本発明の実施の形
態４について説明する。図４は、本実施の形態４におけ
るレーザダイオードモジュールの概略構成図である。
態４について説明する。図４は、本実施の形態４におけ
るレーザダイオードモジュールの概略構成図である。
【００３９】本実施の形態４では、図４に示すように、
モジュールを構成する光学部品として偏光子１１、フィ
ルタ１２等を設置している。それにより、実施の形態２
と同様の効果が得られる。
モジュールを構成する光学部品として偏光子１１、フィ
ルタ１２等を設置している。それにより、実施の形態２
と同様の効果が得られる。
【００４０】なお、偏光子１１、フィルタ１２等を単レ
ンズ４と光ファイバ端部５間に挿入した場合には反射光
９へのこれらの影響は小さいが、偏光子１１、フィルタ
１２等をレーザダイオード素子１と単レンズ４間に挿入
した場合には反射光９への偏光子１１、フィルタ１２等
の挿入光学素子の影響は相対的に大きくなる。しかし、
この挿入光学素子は反射光９に悪影響を及ぼすものでは
なく、いずれの場合も本質的には実施の形態２と同様の
効果が得られる。
ンズ４と光ファイバ端部５間に挿入した場合には反射光
９へのこれらの影響は小さいが、偏光子１１、フィルタ
１２等をレーザダイオード素子１と単レンズ４間に挿入
した場合には反射光９への偏光子１１、フィルタ１２等
の挿入光学素子の影響は相対的に大きくなる。しかし、
この挿入光学素子は反射光９に悪影響を及ぼすものでは
なく、いずれの場合も本質的には実施の形態２と同様の
効果が得られる。
【００４１】また、偏光子１１、フィルタ１２等を図
１，３等に示す他の実施の形態におけるレーザダイオー
ドモジュールに組み込んでもよい。これまでの実施の形
態では単レンズを用いていたが、組合せレンズ等の複数
のレンズを用いてもよく、またその他の光学部品を挿入
して同様の効果を得ることも可能である。
１，３等に示す他の実施の形態におけるレーザダイオー
ドモジュールに組み込んでもよい。これまでの実施の形
態では単レンズを用いていたが、組合せレンズ等の複数
のレンズを用いてもよく、またその他の光学部品を挿入
して同様の効果を得ることも可能である。
【００４２】（実施の形態５）次に、本発明の実施の形
態５について説明する。図５は、本実施の形態５におけ
るレーザダイオードモジュールの概略構成図である。
態５について説明する。図５は、本実施の形態５におけ
るレーザダイオードモジュールの概略構成図である。
【００４３】本実施の形態５では、図１〜４のレーザダ
イオードモジュールの光ファイバ内部にファイバグレー
ティング１３を設け、レーザダイオード素子１の両端面
とファイバグレーティング１３とで複合共振器を構成す
る。
イオードモジュールの光ファイバ内部にファイバグレー
ティング１３を設け、レーザダイオード素子１の両端面
とファイバグレーティング１３とで複合共振器を構成す
る。
【００４４】ファイバグレーティング１３は帯域フィル
タなので、駆動電流や環境温度の変化によるゲイン中心
波長の変位あるいは発振条件変化が生じる。それによ
り、共振器は、ファイバグレーティング１３の影響の大
きい複合共振器状態と、ファイバグレーティング１３の
影響のない単純共振器状態との間で変化する。
タなので、駆動電流や環境温度の変化によるゲイン中心
波長の変位あるいは発振条件変化が生じる。それによ
り、共振器は、ファイバグレーティング１３の影響の大
きい複合共振器状態と、ファイバグレーティング１３の
影響のない単純共振器状態との間で変化する。
【００４５】なお、ファイバグレーティング１３以外の
構成は実施の形態１〜４と同様であるので、各実施の形
態と同様の効果が得られる。
構成は実施の形態１〜４と同様であるので、各実施の形
態と同様の効果が得られる。
【００４６】環境変化等により放射光である背面光７
は、レーザ出射光である前面光８に対し線形対応しなく
なるので、前面光８を正確に反映する反射光９をモニタ
することで、正確な出力モニタを実現できる。
は、レーザ出射光である前面光８に対し線形対応しなく
なるので、前面光８を正確に反映する反射光９をモニタ
することで、正確な出力モニタを実現できる。
【００４７】また、ファイバアンプ励起用レーザダイオ
ードなど高出力レーザダイオードでは、背面光７を直接
フォトダイオード２で受光することによるフォトダイオ
ード２の出力の飽和を避ける、あるいは逆にフォトダイ
オード２のダイナミックレンジを小さくできるという効
果も得られる。
ードなど高出力レーザダイオードでは、背面光７を直接
フォトダイオード２で受光することによるフォトダイオ
ード２の出力の飽和を避ける、あるいは逆にフォトダイ
オード２のダイナミックレンジを小さくできるという効
果も得られる。
【００４８】さらに、外部に反射点を設けるレーザ共振
器（たとえば上記のファイバグレーティング１３を用い
た複合共振器）における、外部フィードバック効果が変
化した際の影響を受けないという効果も得られる。
器（たとえば上記のファイバグレーティング１３を用い
た複合共振器）における、外部フィードバック効果が変
化した際の影響を受けないという効果も得られる。
【００４９】なお、モジュールを構成する光学部品とし
て偏光子１１、フィルタ１２等を設置してもよい。この
場合にも同様の効果が得られる。
て偏光子１１、フィルタ１２等を設置してもよい。この
場合にも同様の効果が得られる。
【００５０】（実施の形態６）次に、本発明の実施の形
態６について説明する。一般にレーザダイオードモジュ
ールで使用する出射光はできるだけ効率的に外部に取り
出したいので、反射光９を反射する光学部品（光学素
子）の反射率が１％以下となるように無反射コートを光
学部品に施すことが多い。
態６について説明する。一般にレーザダイオードモジュ
ールで使用する出射光はできるだけ効率的に外部に取り
出したいので、反射光９を反射する光学部品（光学素
子）の反射率が１％以下となるように無反射コートを光
学部品に施すことが多い。
【００５１】この場合、わずかに残る1％以下の反射率
による反射光９をフォトダイオード２で受光することに
なる。また、フォトダイオード２では光のスポットサイ
ズも拡大しているため、フォトダイオード２で受光する
反射光９の強度が低くなりすぎ、Ｓ／Ｎ比が悪化する場
合が考えられる。
による反射光９をフォトダイオード２で受光することに
なる。また、フォトダイオード２では光のスポットサイ
ズも拡大しているため、フォトダイオード２で受光する
反射光９の強度が低くなりすぎ、Ｓ／Ｎ比が悪化する場
合が考えられる。
【００５２】そこで、本実施の形態では、フォトダイオ
ード２の光軸６からのｘ方向のずれ量Ｌ（図５参照）と
ｙ方向のずれ量（図示せず）の少なくとも一方を、背面
光７のビームスポットサイズよりも小さくして、反射光
９に加えて前面光８に対する線形対応を損なわない範囲
で部分的に背面光７をフォトダイオード２で受光するこ
ととする。
ード２の光軸６からのｘ方向のずれ量Ｌ（図５参照）と
ｙ方向のずれ量（図示せず）の少なくとも一方を、背面
光７のビームスポットサイズよりも小さくして、反射光
９に加えて前面光８に対する線形対応を損なわない範囲
で部分的に背面光７をフォトダイオード２で受光するこ
ととする。
【００５３】たとえば、背面光７のレーザダイオード１
の後端面におけるビームスポットサイズが２μｍ×０．
６μｍでかつレーザダイオード１とフォトダイオード２
の距離が７００μｍ程度であるような場合に、ｘ方向に
５０μｍ、ｙ方向に４００μｍフォトダイオード２を光
軸６からずらせる。
の後端面におけるビームスポットサイズが２μｍ×０．
６μｍでかつレーザダイオード１とフォトダイオード２
の距離が７００μｍ程度であるような場合に、ｘ方向に
５０μｍ、ｙ方向に４００μｍフォトダイオード２を光
軸６からずらせる。
【００５４】それにより、フォトダイオード２によって
背面光７と前面光８をともに受光することができ、フォ
トダイオード２の受光量を増加させることができる。そ
の結果、Ｓ／Ｎ比を向上することができ、制御性を向上
することができる。
背面光７と前面光８をともに受光することができ、フォ
トダイオード２の受光量を増加させることができる。そ
の結果、Ｓ／Ｎ比を向上することができ、制御性を向上
することができる。
【００５５】また、上記ずれ量を調節することで、前面
光成分と背面光成分を適切な比率に保つことができる。
好ましくは、フォトダイオード２が受光する全受光量に
おける前面光成分の割合が背面光成分の割合よりも高い
（背面光成分がたとえば６０％以上）となるようにｘ，
ｙ方向のずれ量を調節する。それにより、線形な出力モ
ニタを実現することができる。
光成分と背面光成分を適切な比率に保つことができる。
好ましくは、フォトダイオード２が受光する全受光量に
おける前面光成分の割合が背面光成分の割合よりも高い
（背面光成分がたとえば６０％以上）となるようにｘ，
ｙ方向のずれ量を調節する。それにより、線形な出力モ
ニタを実現することができる。
【００５６】（実施の形態７）次に、本発明の実施の形
態７について説明する。図６は、本実施の形態７におけ
るレーザダイオードモジュールの概略構成図である。
態７について説明する。図６は、本実施の形態７におけ
るレーザダイオードモジュールの概略構成図である。
【００５７】図６に示すように、本実施の形態７では、
フォトダイオード２をレーザダイオード素子１に対して
Ｚ軸方向後方ではなくＺ軸方向同等位置、あるいはフォ
トダイオード２をレーザダイオード素子１よりもＺ軸方
向前方に配置する。
フォトダイオード２をレーザダイオード素子１に対して
Ｚ軸方向後方ではなくＺ軸方向同等位置、あるいはフォ
トダイオード２をレーザダイオード素子１よりもＺ軸方
向前方に配置する。
【００５８】それにより、フォトダイオード２を単レン
ズ４等の光学部品に近づけることができ、反射光９の強
度低下を補償することができる。その結果、Ｓ／Ｎ比を
向上することができる。
ズ４等の光学部品に近づけることができ、反射光９の強
度低下を補償することができる。その結果、Ｓ／Ｎ比を
向上することができる。
【００５９】（実施の形態８）次に、本発明の実施の形
態８について説明する。本実施の形態８は、反射光９の
光量が少なくなることに起因する問題を解決するために
なされたものである。
態８について説明する。本実施の形態８は、反射光９の
光量が少なくなることに起因する問題を解決するために
なされたものである。
【００６０】前面光８の動作範囲およびフォトダイオー
ド２の受光感度の範囲で、反射光９を反射する光学部品
の反射率を０．５％以上１０％以下の範囲内の適当な値
となるように光学部品にコーティングを施す。
ド２の受光感度の範囲で、反射光９を反射する光学部品
の反射率を０．５％以上１０％以下の範囲内の適当な値
となるように光学部品にコーティングを施す。
【００６１】具体的には、図７に示すように、単レンズ
４に被覆層１６を形成する。この被覆層１６は、たとえ
ばＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の誘電体で構成され、波長λ程
度の厚みを有する。それにより、反射率を数％程度とす
ることができる。
４に被覆層１６を形成する。この被覆層１６は、たとえ
ばＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の誘電体で構成され、波長λ程
度の厚みを有する。それにより、反射率を数％程度とす
ることができる。
【００６２】同様に、光ファイバ端部５、カバーガラス
１０、偏光子１１、フィルタ１２等の表面にコーティン
グを施し、これらの光学部品の反射率を所望の値となる
ように調節してもよい。
１０、偏光子１１、フィルタ１２等の表面にコーティン
グを施し、これらの光学部品の反射率を所望の値となる
ように調節してもよい。
【００６３】また、上記光学部品自体を、０．５％以上
１０％以下の反射率となるような材質で構成してもよ
い。たとえば、上記光学部品を、屈折率２％以下の一般
的なガラス材料で構成する。
１０％以下の反射率となるような材質で構成してもよ
い。たとえば、上記光学部品を、屈折率２％以下の一般
的なガラス材料で構成する。
【００６４】本実施の形態８の場合も、光学部品に反射
する反射光９の光量を増大することができ、フォトダイ
オード２の受光量を増加させることができる。それによ
り、Ｓ／Ｎ比を向上することができる。
する反射光９の光量を増大することができ、フォトダイ
オード２の受光量を増加させることができる。それによ
り、Ｓ／Ｎ比を向上することができる。
【００６５】（実施の形態９）次に、本発明の実施の形
態９について説明する。図８は、本実施の形態９におけ
るレーザダイオードモジュールの概略構成図である。
態９について説明する。図８は、本実施の形態９におけ
るレーザダイオードモジュールの概略構成図である。
【００６６】本実施の形態９では、前面光８を反射する
光学部品を光軸６に対し傾斜配置し、フォトダイオード
２による反射光９の受光量を最適化している。図８に示
す例では、カバーガラス１０を角度θ１だけ光軸６と垂
直方向から傾斜させている。傾斜角度θ１は、たとえば
０度〜４５度程度である。
光学部品を光軸６に対し傾斜配置し、フォトダイオード
２による反射光９の受光量を最適化している。図８に示
す例では、カバーガラス１０を角度θ１だけ光軸６と垂
直方向から傾斜させている。傾斜角度θ１は、たとえば
０度〜４５度程度である。
【００６７】それにより、反射光９をフォトダイオード
２における所望の部分に確実に照射することができ、フ
ォトダイオード２による反射光９の受光量を最適化する
ことができる。その結果、フォトダイオード２の受光量
を増加させることができ、Ｓ／Ｎ比を向上することがで
きる。
２における所望の部分に確実に照射することができ、フ
ォトダイオード２による反射光９の受光量を最適化する
ことができる。その結果、フォトダイオード２の受光量
を増加させることができ、Ｓ／Ｎ比を向上することがで
きる。
【００６８】なお、偏光子１１、フィルタ１２等の他の
光学部品を傾斜配置してもよい。また、光学部品の傾斜
面を光軸６に対し傾斜させて反射光９をフォトダイオー
ド２に受光させるようにしてもよい。
光学部品を傾斜配置してもよい。また、光学部品の傾斜
面を光軸６に対し傾斜させて反射光９をフォトダイオー
ド２に受光させるようにしてもよい。
【００６９】（実施の形態１０）次に、本発明の実施の
形態１０について説明する。本実施の形態１０では、フ
ォトダイオード２の受光部形状を、反射光９を効率的に
受光できるように最適化する。すなわち、レーザダイオ
ードビームパターンに応じてフォトダイオード２の受光
部形状を選定する。より詳しくは、フォトダイオード２
の受光部形状を反射光９のビーム遠視野像に合わせる。
形態１０について説明する。本実施の形態１０では、フ
ォトダイオード２の受光部形状を、反射光９を効率的に
受光できるように最適化する。すなわち、レーザダイオ
ードビームパターンに応じてフォトダイオード２の受光
部形状を選定する。より詳しくは、フォトダイオード２
の受光部形状を反射光９のビーム遠視野像に合わせる。
【００７０】たとえば、レーザダイオードビームパター
ンでは比較的一般的に見られるｘ，ｙ方向のサイズが異
なる楕円形状の反射光９の場合、フォトダイオード２の
受光部形状を楕円形状、あるいは上記楕円の長軸および
短軸と同等の長さの長辺と短辺もつ長方形（楕円に近い
形状）とする。この場合も、フォトダイオード２の受光
量を増加させることができ、Ｓ／Ｎ比を向上することが
できる。
ンでは比較的一般的に見られるｘ，ｙ方向のサイズが異
なる楕円形状の反射光９の場合、フォトダイオード２の
受光部形状を楕円形状、あるいは上記楕円の長軸および
短軸と同等の長さの長辺と短辺もつ長方形（楕円に近い
形状）とする。この場合も、フォトダイオード２の受光
量を増加させることができ、Ｓ／Ｎ比を向上することが
できる。
【００７１】（実施の形態１１）次に、本発明の実施の
形態１１について説明する。図９は、本実施の形態１１
におけるレーザダイオードモジュールの概略構成図であ
る。
形態１１について説明する。図９は、本実施の形態１１
におけるレーザダイオードモジュールの概略構成図であ
る。
【００７２】本実施の形態１１では、レーザダイオード
素子１の周囲にフォトニックバンドギャップ（ＰＢＧ）
（光の禁制帯）構造をもつＰＢＧ結晶１４を配置し、光
ファイバ端部５、カバーガラス１０、偏光子１１、フィ
ルタ１２等の光学素子からフォトダイオード２までの経
路にＰＢＧ構造の線状欠陥１５を導入している。かかる
線状欠陥１５を設けるには、一様に形成されたフォトニ
ック結晶周期構造を導波構造の部分のみ除去すればよ
い。このとき、ＰＢＧ結晶１４の周期構造は、レーザダ
イオード素子１の発光波長がＰＢＧ帯域に一致するよう
に決める。
素子１の周囲にフォトニックバンドギャップ（ＰＢＧ）
（光の禁制帯）構造をもつＰＢＧ結晶１４を配置し、光
ファイバ端部５、カバーガラス１０、偏光子１１、フィ
ルタ１２等の光学素子からフォトダイオード２までの経
路にＰＢＧ構造の線状欠陥１５を導入している。かかる
線状欠陥１５を設けるには、一様に形成されたフォトニ
ック結晶周期構造を導波構造の部分のみ除去すればよ
い。このとき、ＰＢＧ結晶１４の周期構造は、レーザダ
イオード素子１の発光波長がＰＢＧ帯域に一致するよう
に決める。
【００７３】このように構成することで、ＰＢＧ構造の
特性より、反射光９は、ＰＢＧ構造内の線状欠陥１５の
みで導波される。つまり、線状欠陥１５が、反射光９の
導波路として機能することになる。
特性より、反射光９は、ＰＢＧ構造内の線状欠陥１５の
みで導波される。つまり、線状欠陥１５が、反射光９の
導波路として機能することになる。
【００７４】その結果、少なくとも１つ以上の光学素子
からの反射光９が、原理上ロスなくフォトダイオード２
へ導波される。したがって、フォトダイオード２の受光
量を増加させることができ、Ｓ／Ｎ比を向上することが
できる。
からの反射光９が、原理上ロスなくフォトダイオード２
へ導波される。したがって、フォトダイオード２の受光
量を増加させることができ、Ｓ／Ｎ比を向上することが
できる。
【００７５】以上のように本発明の実施の形態について
説明を行なったが、各実施の形態の特徴を適宜組み合わ
せることも当初から予定されている。
説明を行なったが、各実施の形態の特徴を適宜組み合わ
せることも当初から予定されている。
【００７６】また、今回開示した実施の形態はすべての
点で例示であって制限的なものではないと考えられるべ
きである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示さ
れ、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべ
ての変更が含まれる。
点で例示であって制限的なものではないと考えられるべ
きである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示さ
れ、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべ
ての変更が含まれる。
【００７７】
【発明の効果】本発明によれば、主にレーザダイオード
素子の前面から出射される前面光の反射光を受光素子に
より受光できるので、レーザ出力を正確にモニタするこ
とができる。それにより、レーザ出力との充分な線形対
応を保持した受光素子の出力モニタ機能を維持すること
ができる。
素子の前面から出射される前面光の反射光を受光素子に
より受光できるので、レーザ出力を正確にモニタするこ
とができる。それにより、レーザ出力との充分な線形対
応を保持した受光素子の出力モニタ機能を維持すること
ができる。
【００７８】また、受光素子にレーザダイオード素子の
背面光をも受光させる等の受光素子の受光量を増大させ
る工夫を施すことにより、受光素子の信号強度が不足し
てＳ／Ｎ比が悪化することを抑制でき、受光素子の制御
性の劣化を回避することができる。
背面光をも受光させる等の受光素子の受光量を増大させ
る工夫を施すことにより、受光素子の信号強度が不足し
てＳ／Ｎ比が悪化することを抑制でき、受光素子の制御
性の劣化を回避することができる。
【図１】 本発明の実施の形態１におけるレーザダイオ
ードモジュールの概略構成図である。
ードモジュールの概略構成図である。
【図２】 本発明の実施の形態２におけるレーザダイオ
ードモジュールの概略構成図である。
ードモジュールの概略構成図である。
【図３】 本発明の実施の形態３におけるレーザダイオ
ードモジュールの概略構成図である。
ードモジュールの概略構成図である。
【図４】 本発明の実施の形態４におけるレーザダイオ
ードモジュールの概略構成図である。
ードモジュールの概略構成図である。
【図５】 本発明の実施の形態５におけるレーザダイオ
ードモジュールの概略構成図である。
ードモジュールの概略構成図である。
【図６】 本発明の実施の形態７におけるレーザダイオ
ードモジュールの概略構成図である。
ードモジュールの概略構成図である。
【図７】 本発明の実施の形態８における単レンズ４の
断面図である。
断面図である。
【図８】 本発明の実施の形態９におけるレーザダイオ
ードモジュールの概略構成図である。
ードモジュールの概略構成図である。
【図９】 本発明の実施の形態１１におけるレーザダイ
オードモジュールの概略構成図である。
オードモジュールの概略構成図である。
【図１０】 従来のレーザダイオードモジュールの概略
構成図である。
構成図である。
１ レーザダイオード素子、２ フォトダイオード、３
結合光学系、４ 単レンズ、５ 光ファイバ端部、６
光軸、７ 背面光、８ 前面光、９ 反射光、１０
カバーガラス、１１ 偏光子、１２ フィルタ、１３
ファイバグレーティング、１４ ＰＢＧ結晶、１５ 線
状欠陥、１６ 被覆層。
結合光学系、４ 単レンズ、５ 光ファイバ端部、６
光軸、７ 背面光、８ 前面光、９ 反射光、１０
カバーガラス、１１ 偏光子、１２ フィルタ、１３
ファイバグレーティング、１４ ＰＢＧ結晶、１５ 線
状欠陥、１６ 被覆層。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 田村 智只
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA03 BA12 CA10 CA13
DA03 DA04 DA05 DA06
5F073 AB27 AB28 BA03 EA27 EA29
FA02 FA30
5F088 AA01 BA20 BB01 JA03 JA11
JA12 JA14 JA20 LA01
Claims (9)
- 【請求項１】 レーザダイオード素子と、 前記レーザダイオード素子の前方に配置され、前記レー
ザダイオード素子の前面から出射された前面光を反射す
る光学素子と、 前記レーザダイオード素子の後方であって前記レーザダ
イオード素子を含む光学系の光軸からずれた位置に配置
され、前記光学素子による反射光を受光する受光素子
と、を備えた、レーザダイオードモジュール。 - 【請求項２】 前記レーザダイオードモジュールは、前
記レーザダイオード素子とともにレーザ共振器を構成す
る反射素子を備えた、請求項１に記載のレーザダイオー
ドモジュール。 - 【請求項３】 前記レーザダイオード素子は背面から背
面光を放射し、 前記受光素子は、前記前面光と前記背面光との双方を受
光する位置に配置される、請求項１または請求項２に記
載のレーザダイオードモジュール。 - 【請求項４】 前記受光素子の前記光軸からのずれ量
を、前記背面光のビームスポットサイズよりも小さくす
る、請求項３に記載のレーザダイオードモジュール。 - 【請求項５】 レーザダイオード素子と、 前記レーザダイオード素子の前方に配置され、前記レー
ザダイオード素子の前面から出射された前面光を反射す
る光学素子と、 前記光学素子の後方であって前記レーザダイオード素子
を含む光学系の光軸からずれた位置に配置され、前記光
学素子による反射光を受光する受光素子と、 前記レーザダイオード素子とともにレーザ共振器を構成
する反射素子と、を備えた、レーザダイオードモジュー
ル。 - 【請求項６】 前記光学素子の反射率が、０．５％以上
１０％以下である、請求項１から請求項５のいずれかに
記載のレーザダイオードモジュール。 - 【請求項７】 前記光学素子を前記光軸に対し傾斜させ
て前記反射光を受光素子に受光させるようにした、請求
項１から請求項６のいずれかに記載のレーザダイオード
モジュール。 - 【請求項８】 前記受光素子の受光部形状を、前記反射
光のビーム遠視野像に合わせた形状とする、請求項１か
ら請求項７のいずれかに記載のレーザダイオードモジュ
ール。 - 【請求項９】 前記レーザダイオード素子および前記光
学素子をフォトニックバンドギャップ構造をもつフォト
ニック結晶で覆い、 前記光学素子の反射面から前記受光素子に至る経路に前
記フォトニックバンドギャップ構造の線状欠陥で構成さ
れる導波路を設けた、請求項１から請求項８のいずれか
に記載のレーザダイオードモジュール。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002027073A JP2003229630A (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | レーザダイオードモジュール |
| US10/194,225 US6865197B2 (en) | 2002-02-04 | 2002-07-15 | Laser diode module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002027073A JP2003229630A (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | レーザダイオードモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003229630A true JP2003229630A (ja) | 2003-08-15 |
Family
ID=27654614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002027073A Pending JP2003229630A (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | レーザダイオードモジュール |
Country Status (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2019057539A (ja) * | 2017-09-19 | 2019-04-11 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積素子 |
Families Citing this family (5)
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|---|---|---|---|---|
| JP2004153149A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光モジュール |
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| JP2008276007A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Fujifilm Corp | 光デバイス及び露光装置 |
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Family Cites Families (17)
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|---|---|---|---|---|
| JPS63116487A (ja) | 1986-11-05 | 1988-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
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| US5555334A (en) * | 1993-10-07 | 1996-09-10 | Hitachi, Ltd. | Optical transmission and receiving module and optical communication system using the same |
| JPH07140501A (ja) | 1993-11-16 | 1995-06-02 | Asahi Glass Co Ltd | 高調波発生装置 |
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| JPH09251120A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
| JP3489323B2 (ja) * | 1996-03-25 | 2004-01-19 | 三菱電機株式会社 | レーザダイオードモジユール、集光部品並びに光結合方法 |
| JPH1010372A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Alps Electric Co Ltd | Ｌｄモジュール |
| JP3206536B2 (ja) * | 1997-02-21 | 2001-09-10 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
| US6332721B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-12-25 | Mitsubishi Chemical Corp. | Laser diode module |
| US6243508B1 (en) * | 1999-06-01 | 2001-06-05 | Picolight Incorporated | Electro-opto-mechanical assembly for coupling a light source or receiver to an optical waveguide |
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| US6650667B2 (en) * | 2000-05-16 | 2003-11-18 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus, semiconductor laser module, optical transmitter and wavelength division multiplexing communication system |
| US6665323B2 (en) * | 2000-11-17 | 2003-12-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser module constituted by optically coupling optical fiber having fiber grating and laser diode |
| JP4190775B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2008-12-03 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 波長安定化半導体レーザモジュール |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019057539A (ja) * | 2017-09-19 | 2019-04-11 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積素子 |
| WO2019065162A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
| JPWO2019065162A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2020-10-22 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
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