JPH0979930A - 半導体センサ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体センサ装置及びその製造方法Info
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- JPH0979930A JPH0979930A JP23737595A JP23737595A JPH0979930A JP H0979930 A JPH0979930 A JP H0979930A JP 23737595 A JP23737595 A JP 23737595A JP 23737595 A JP23737595 A JP 23737595A JP H0979930 A JPH0979930 A JP H0979930A
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- sensor
- semiconductor substrate
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】所望の応答特性を自由に設定可能とする。
【解決手段】センサ本体１は、薄膜のダイアフラム部２
と、ダイアフラム部２を支持する矩形枠状の台座部３
と、検知素子であるピエゾ抵抗（図示せず）とを半導体
基板により形成している。台座部３の底面にはＶ形の溝
４が形成されており、この溝４がリーク孔５となる。し
たがって、半導体製造プロセスを用いてリーク孔５を形
成することができるから、リーク孔５の径及び長さを容
易に調節することができる。その結果、圧力変化を検出
する場合の応答特性を自由に設定することができる。
と、ダイアフラム部２を支持する矩形枠状の台座部３
と、検知素子であるピエゾ抵抗（図示せず）とを半導体
基板により形成している。台座部３の底面にはＶ形の溝
４が形成されており、この溝４がリーク孔５となる。し
たがって、半導体製造プロセスを用いてリーク孔５を形
成することができるから、リーク孔５の径及び長さを容
易に調節することができる。その結果、圧力変化を検出
する場合の応答特性を自由に設定することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体を用いて圧
力や温度を検出する半導体センサ装置、特に圧力や温度
の時間変化を検出するのに適した半導体センサ装置及び
その製造方法に関するものである。
力や温度を検出する半導体センサ装置、特に圧力や温度
の時間変化を検出するのに適した半導体センサ装置及び
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、雰囲気温度の時間変化を検出
する温度変化検出器が火災警報器に用いられている。図
６は、従来の温度変化検出器を示す断面図であって、熱
伝導度の高い金属等で気密に形成された密閉容器１４
と、密閉容器１４の内部（以下、「気室」と呼ぶ）１４
ａと通じる金属製のベローフラム１８と、気室１４ａ内
の空気膨張に応じてベローフラム１８に取着された接点
１９に接離する端子２０と、密閉容器１４が取り付けら
れて内部にベローフラム１８等が納装されるハウジング
１５と、ハウジング１５より気室１４ａ内に突出するよ
うに溶接された金属製の細管２１とを備え、この細管２
１には気室１４ａの内外に通じるリーク孔２１ａが設け
てある。すなわち、上記温度変化検出器においては、雰
囲気温度の上昇に伴う気室１４ａ内の空気膨張をベロー
フラム１８の変形として検出するのであるが、リーク孔
２１ａが設けてあるために雰囲気温度の急激な変化に対
しては気室１４ａ内の空気がリーク孔２１ａを通して漏
れることがなく、ベローフラム１８が温度上昇に応じて
変形し、接点１９が端子２０に接触して上記温度変化を
検出することができ、一方、緩慢な温度変化に対しては
気室１４ａ内の空気がリーク孔２１ａを通して外へ漏れ
るためにベローフラム１８は変形せず、上記緩慢な温度
変化は検出しないのである。
する温度変化検出器が火災警報器に用いられている。図
６は、従来の温度変化検出器を示す断面図であって、熱
伝導度の高い金属等で気密に形成された密閉容器１４
と、密閉容器１４の内部（以下、「気室」と呼ぶ）１４
ａと通じる金属製のベローフラム１８と、気室１４ａ内
の空気膨張に応じてベローフラム１８に取着された接点
１９に接離する端子２０と、密閉容器１４が取り付けら
れて内部にベローフラム１８等が納装されるハウジング
１５と、ハウジング１５より気室１４ａ内に突出するよ
うに溶接された金属製の細管２１とを備え、この細管２
１には気室１４ａの内外に通じるリーク孔２１ａが設け
てある。すなわち、上記温度変化検出器においては、雰
囲気温度の上昇に伴う気室１４ａ内の空気膨張をベロー
フラム１８の変形として検出するのであるが、リーク孔
２１ａが設けてあるために雰囲気温度の急激な変化に対
しては気室１４ａ内の空気がリーク孔２１ａを通して漏
れることがなく、ベローフラム１８が温度上昇に応じて
変形し、接点１９が端子２０に接触して上記温度変化を
検出することができ、一方、緩慢な温度変化に対しては
気室１４ａ内の空気がリーク孔２１ａを通して外へ漏れ
るためにベローフラム１８は変形せず、上記緩慢な温度
変化は検出しないのである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の温度変化検
出器においては、リーク孔２１ａの断面積と長さ、すな
わち細管２１の内径と長さとで雰囲気温度の変化に対す
る応答特性が調節されていたが、細管２１の内径を細く
することは技術的に困難であり、所望の応答特性を得る
ことが難しいという問題があった。
出器においては、リーク孔２１ａの断面積と長さ、すな
わち細管２１の内径と長さとで雰囲気温度の変化に対す
る応答特性が調節されていたが、細管２１の内径を細く
することは技術的に困難であり、所望の応答特性を得る
ことが難しいという問題があった。
【０００４】本発明は上記問題に鑑みて為されたもので
あり、その目的とするところは、所望の応答特性を自由
に設定することができる半導体センサ装置及びその製造
方法を提供することにある。
あり、その目的とするところは、所望の応答特性を自由
に設定することができる半導体センサ装置及びその製造
方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
目的を達成するために、薄膜のダイアフラム部と、この
ダイアフラム部を支持する台座部と、圧力によるダイア
フラム部の歪みを検知する検知素子とを半導体基板に形
成して成るセンサ本体を備え、ダイアフラム部を挟んだ
センサ本体の内側と外側とをつなぐリーク孔を台座部に
設けて成るから、応答特性を調節するためのリーク孔を
半導体製造プロセスを用いて形成することができ、リー
ク孔の径や長さを比較的に自由に設定することができ
る。
目的を達成するために、薄膜のダイアフラム部と、この
ダイアフラム部を支持する台座部と、圧力によるダイア
フラム部の歪みを検知する検知素子とを半導体基板に形
成して成るセンサ本体を備え、ダイアフラム部を挟んだ
センサ本体の内側と外側とをつなぐリーク孔を台座部に
設けて成るから、応答特性を調節するためのリーク孔を
半導体製造プロセスを用いて形成することができ、リー
ク孔の径や長さを比較的に自由に設定することができ
る。
【０００６】請求項２の発明は、薄膜のダイアフラム部
と、このダイアフラム部を支持する台座部と、圧力によ
るダイアフラム部の歪みを検知する検知素子とを半導体
基板に形成して成るセンサ本体を備え、ダイアフラム部
を挟んだセンサ本体の内側と外側とをつなぐリーク孔を
台座部に設けて成る半導体センサ装置の製造方法であっ
て、半導体基板を異方性エッチングすることによりセン
サ本体のダイアフラム部と台座部とを形成するから、多
数のセンサ本体を同時に形成することができる。
と、このダイアフラム部を支持する台座部と、圧力によ
るダイアフラム部の歪みを検知する検知素子とを半導体
基板に形成して成るセンサ本体を備え、ダイアフラム部
を挟んだセンサ本体の内側と外側とをつなぐリーク孔を
台座部に設けて成る半導体センサ装置の製造方法であっ
て、半導体基板を異方性エッチングすることによりセン
サ本体のダイアフラム部と台座部とを形成するから、多
数のセンサ本体を同時に形成することができる。
【０００７】請求項３の発明は、薄膜のダイアフラム部
と、このダイアフラム部を支持する台座部と、圧力によ
るダイアフラム部の歪みを検知する検知素子とを半導体
基板に形成して成るセンサ本体を備え、ダイアフラム部
を挟んだセンサ本体の内側と外側とをつなぐリーク孔を
台座部に設けて成る半導体センサ装置の製造方法であっ
て、リーク孔となる溝を第１の半導体基板に形成する行
程と、この第１の半導体基板に第２の半導体基板を接合
する行程と、第２の半導体基板に薄膜のダイアフラム部
及び検知素子を形成する行程とを有するから、センサ本
体の台座部に容易にリーク孔を形成することができる。
と、このダイアフラム部を支持する台座部と、圧力によ
るダイアフラム部の歪みを検知する検知素子とを半導体
基板に形成して成るセンサ本体を備え、ダイアフラム部
を挟んだセンサ本体の内側と外側とをつなぐリーク孔を
台座部に設けて成る半導体センサ装置の製造方法であっ
て、リーク孔となる溝を第１の半導体基板に形成する行
程と、この第１の半導体基板に第２の半導体基板を接合
する行程と、第２の半導体基板に薄膜のダイアフラム部
及び検知素子を形成する行程とを有するから、センサ本
体の台座部に容易にリーク孔を形成することができる。
【０００８】請求項４の発明は、請求項１の発明におい
て、外部温度に応じて内部の気体の圧力が変化する密閉
容器をセンサ本体に取着し、密閉容器内部の気体の圧力
をセンサ本体にて検出して成るから、外部温度に対する
応答特性を自由に設定することができる。
て、外部温度に応じて内部の気体の圧力が変化する密閉
容器をセンサ本体に取着し、密閉容器内部の気体の圧力
をセンサ本体にて検出して成るから、外部温度に対する
応答特性を自由に設定することができる。
【０００９】
（実施形態１）図１は、本発明の第１の実施形態を示す
側面断面図である。本実施形態は、圧力の変化を検出す
る半導体センサ装置であって、後述するセンサ本体１が
気密に納装される合成樹脂製のハウジング１０と、ハウ
ジング１０の底面より突設された導入管１１とを備え、
導入孔１２の導入口１２ａをセンサ本体１にて塞ぐこと
により、導入管１１に形成された導入孔１２からハウジ
ング１０内に導入された外部の流体（例えば、空気等の
気体）の圧力をセンサ本体１が有するダイアフラム部２
の歪みとして検出し、圧力の変化の大きさを検出するた
めに、センサ本体１にはリーク孔５（後述する）が設け
てある。なお、導入管１１は可撓性を有する材料にて形
成された所謂フレキシブルホースであってもよい。
側面断面図である。本実施形態は、圧力の変化を検出す
る半導体センサ装置であって、後述するセンサ本体１が
気密に納装される合成樹脂製のハウジング１０と、ハウ
ジング１０の底面より突設された導入管１１とを備え、
導入孔１２の導入口１２ａをセンサ本体１にて塞ぐこと
により、導入管１１に形成された導入孔１２からハウジ
ング１０内に導入された外部の流体（例えば、空気等の
気体）の圧力をセンサ本体１が有するダイアフラム部２
の歪みとして検出し、圧力の変化の大きさを検出するた
めに、センサ本体１にはリーク孔５（後述する）が設け
てある。なお、導入管１１は可撓性を有する材料にて形
成された所謂フレキシブルホースであってもよい。
【００１０】図２はセンサ本体１を底面側から見た斜視
図であって、薄膜のダイアフラム部２と、このダイアフ
ラム部２を支持する矩形枠状の台座部３と、ダイアフラ
ム部２の表面側に不純物を拡散して形成された検知素子
たるピエゾ抵抗（図示せず）とを備えている。台座部３
の底面にはＶ形の溝４が形成してあって、この溝４が、
センサ本体１の台座部２に囲まれた凹所Ａとセンサ本体
１の外とを通じるリーク孔５となる。すなわち、センサ
本体１は、図１に示すように上記凹所Ａをハウジング１
０内の導入口１２ａに対向させるようにして台座部３が
ハウジング１０の内壁面に接着固定されるから、導入孔
１２より導入される流体の圧力変化が小さい場合には流
体がリーク孔５を通してハウジング１０内に漏れてダイ
アフラム部２はあまり歪むことがなく、一方、上記流体
の圧力変化が大きい場合には流体がリーク孔５を通して
漏れないために流体の圧力変化に応じてダイアフラム部
２が歪み、その歪みをピエゾ抵抗の抵抗値変化として検
出することができるのである。ここで、ダイアフラム部
２の歪みを検出する構成は従来周知であって、例えば、
ダイアフラム部２の表面に形成した４個のピエゾ抵抗を
ブリッジ接続し、このブリッジの両端に電圧を印加する
ことで圧力変化に対応した出力電圧を得るようにすれば
よい。
図であって、薄膜のダイアフラム部２と、このダイアフ
ラム部２を支持する矩形枠状の台座部３と、ダイアフラ
ム部２の表面側に不純物を拡散して形成された検知素子
たるピエゾ抵抗（図示せず）とを備えている。台座部３
の底面にはＶ形の溝４が形成してあって、この溝４が、
センサ本体１の台座部２に囲まれた凹所Ａとセンサ本体
１の外とを通じるリーク孔５となる。すなわち、センサ
本体１は、図１に示すように上記凹所Ａをハウジング１
０内の導入口１２ａに対向させるようにして台座部３が
ハウジング１０の内壁面に接着固定されるから、導入孔
１２より導入される流体の圧力変化が小さい場合には流
体がリーク孔５を通してハウジング１０内に漏れてダイ
アフラム部２はあまり歪むことがなく、一方、上記流体
の圧力変化が大きい場合には流体がリーク孔５を通して
漏れないために流体の圧力変化に応じてダイアフラム部
２が歪み、その歪みをピエゾ抵抗の抵抗値変化として検
出することができるのである。ここで、ダイアフラム部
２の歪みを検出する構成は従来周知であって、例えば、
ダイアフラム部２の表面に形成した４個のピエゾ抵抗を
ブリッジ接続し、このブリッジの両端に電圧を印加する
ことで圧力変化に対応した出力電圧を得るようにすれば
よい。
【００１１】ところで、上記センサ本体１は以下のよう
にして製造される。まず、両面を鏡面に研磨した半導体
基板（シリコンウェハ）の一方の主面（表面）に不純物
拡散などの方法を用いてピエゾ抵抗となる拡散抵抗を形
成した後、他方の主面（底面）にフォトレジストによっ
て凹所ＡとＶ形の溝４を形成するためのパターンを形成
し、苛性カリ（ＫＯＨ）による異方性エッチングを行っ
て凹所Ａと溝４を形成する。その結果、この凹所Ａの底
部が薄膜のダイアフラム部２となり、凹所Ａの周囲が台
座部３と成るのである。上記センサ本体１は１枚の半導
体基板上に同一のものを多数同時に形成することができ
るから、センサ本体１の生産性は従来の機械式のものに
比べて充分に向上させることができる。半導体基板に形
成された多数のセンサ本体１をダイヤモンド切断機によ
って切断して分離し、個々のセンサ本体１（チップ）を
形成する。そして、このセンサ本体１を上記ハウジング
１０の内壁面に接着固定し、図示しない外部端子とセン
サ本体１のピエゾ抵抗とを金線（図示せず）にて電気的
に接続することで半導体センサ装置（圧力変化検出器）
が完成する。
にして製造される。まず、両面を鏡面に研磨した半導体
基板（シリコンウェハ）の一方の主面（表面）に不純物
拡散などの方法を用いてピエゾ抵抗となる拡散抵抗を形
成した後、他方の主面（底面）にフォトレジストによっ
て凹所ＡとＶ形の溝４を形成するためのパターンを形成
し、苛性カリ（ＫＯＨ）による異方性エッチングを行っ
て凹所Ａと溝４を形成する。その結果、この凹所Ａの底
部が薄膜のダイアフラム部２となり、凹所Ａの周囲が台
座部３と成るのである。上記センサ本体１は１枚の半導
体基板上に同一のものを多数同時に形成することができ
るから、センサ本体１の生産性は従来の機械式のものに
比べて充分に向上させることができる。半導体基板に形
成された多数のセンサ本体１をダイヤモンド切断機によ
って切断して分離し、個々のセンサ本体１（チップ）を
形成する。そして、このセンサ本体１を上記ハウジング
１０の内壁面に接着固定し、図示しない外部端子とセン
サ本体１のピエゾ抵抗とを金線（図示せず）にて電気的
に接続することで半導体センサ装置（圧力変化検出器）
が完成する。
【００１２】上記構成によれば、圧力変化を検出する場
合の応答特性を調節するためのリーク孔５を半導体製造
プロセスを用いてセンサ本体１の台座部３に形成したの
で、溝４の深さや長さは容易に調節が可能であり、リー
ク孔の径や長さを比較的に自由に設定することができ、
その結果、圧力変化に対する応答特性を自由に設定する
ことができる。
合の応答特性を調節するためのリーク孔５を半導体製造
プロセスを用いてセンサ本体１の台座部３に形成したの
で、溝４の深さや長さは容易に調節が可能であり、リー
ク孔の径や長さを比較的に自由に設定することができ、
その結果、圧力変化に対する応答特性を自由に設定する
ことができる。
【００１３】（実施形態２）図３は本発明の第２の実施
形態におけるセンサ本体１を底面側から見た斜視図を示
し、センサ本体１の台座部３の底面に対して、３つの辺
に跨がってＶ形の溝４’を形成している点に特徴があ
り、その他の構成等については実施形態１と共通であ
る。
形態におけるセンサ本体１を底面側から見た斜視図を示
し、センサ本体１の台座部３の底面に対して、３つの辺
に跨がってＶ形の溝４’を形成している点に特徴があ
り、その他の構成等については実施形態１と共通であ
る。
【００１４】上記構成によれば、実施形態１に比較して
リーク孔５の長さを長くすることができ、圧力の時間的
な変化の割合が小さい場合に対しての検出感度をアップ
することができる。 （実施形態３）図４は本発明の第３の実施形態における
センサ本体１を底面側から見た斜視図を示し、リーク孔
５を台座部３の底面ではなく、台座部３の表面側（ダイ
アフラム部２側）に設けた点に特徴がある。但し、その
他の構成等については実施形態１と共通であるから説明
は省略する。
リーク孔５の長さを長くすることができ、圧力の時間的
な変化の割合が小さい場合に対しての検出感度をアップ
することができる。 （実施形態３）図４は本発明の第３の実施形態における
センサ本体１を底面側から見た斜視図を示し、リーク孔
５を台座部３の底面ではなく、台座部３の表面側（ダイ
アフラム部２側）に設けた点に特徴がある。但し、その
他の構成等については実施形態１と共通であるから説明
は省略する。
【００１５】本実施形態におけるセンサ本体１は以下の
ようにして形成される。すなわち、第１の半導体基板
（シリコンウェハ）の表面を酸化し、その一方の主面
（表面）にＶ形の溝６を苛性カリを用いた異方性エッチ
ングにより形成した後、第２の半導体基板を第１の半導
体基板の表面側に密着させ、両基板の密着面に直流電流
を流すことで２枚の半導体基板を接合する。さらに、接
合後に第２の半導体基板を機械研磨することで所望の厚
さとし、その表面（研磨面）に不純物を拡散してピエゾ
抵抗を形成するとともに、第１の半導体基板側に実施形
態１と同様に凹所Ａを形成して薄膜のダイアフラム部
２、台座部３が形成される。その後の組立行程は実施形
態１と共通である。
ようにして形成される。すなわち、第１の半導体基板
（シリコンウェハ）の表面を酸化し、その一方の主面
（表面）にＶ形の溝６を苛性カリを用いた異方性エッチ
ングにより形成した後、第２の半導体基板を第１の半導
体基板の表面側に密着させ、両基板の密着面に直流電流
を流すことで２枚の半導体基板を接合する。さらに、接
合後に第２の半導体基板を機械研磨することで所望の厚
さとし、その表面（研磨面）に不純物を拡散してピエゾ
抵抗を形成するとともに、第１の半導体基板側に実施形
態１と同様に凹所Ａを形成して薄膜のダイアフラム部
２、台座部３が形成される。その後の組立行程は実施形
態１と共通である。
【００１６】本実施形態では、２枚の半導体基板を接合
することでセンサ本体１を形成するようにしたため、接
合面に設けた溝６によってリーク孔５を形成することが
でき、センサ本体１の台座部３の任意の箇所に容易にリ
ーク孔５を形成することができるという利点がある。 （実施形態４）図５は本発明の第４の実施形態を示す側
面断面図である。本実施形態は、従来例で説明した温度
変化検出器と同様に、気室１４ａ内の空気膨張による圧
力変化によって雰囲気温度の変化を検出する半導体セン
サ装置であって、従来例におけるベローフラム１８の代
わりに実施形態１にて説明したセンサ本体１を用いて圧
力変化（温度変化）を検出する点に特徴がある。
することでセンサ本体１を形成するようにしたため、接
合面に設けた溝６によってリーク孔５を形成することが
でき、センサ本体１の台座部３の任意の箇所に容易にリ
ーク孔５を形成することができるという利点がある。 （実施形態４）図５は本発明の第４の実施形態を示す側
面断面図である。本実施形態は、従来例で説明した温度
変化検出器と同様に、気室１４ａ内の空気膨張による圧
力変化によって雰囲気温度の変化を検出する半導体セン
サ装置であって、従来例におけるベローフラム１８の代
わりに実施形態１にて説明したセンサ本体１を用いて圧
力変化（温度変化）を検出する点に特徴がある。
【００１７】銅製の密閉容器１４には挿通孔１６が開口
させてあり、密閉容器１４が取り付けられたハウジング
１５内には、上記挿通孔１６を塞ぐようにして挿通孔１
６の周囲にセンサ本体１の台座部３の底面が接着固定さ
れている。したがって、密閉容器１４の気室１４ａ内の
気体が雰囲気温度の上昇に応じて膨張するとセンサ本体
１のダイアフラム部２が歪み、従来例と同様に雰囲気温
度の変化を気室１４ａ内の気体の圧力変化として検出す
ることができるのである。ここで、センサ本体１にはリ
ーク孔５が設けてあるため、雰囲気温度の時間的な温度
変化が緩慢な場合はリーク孔５から気体が漏れてダイア
フラム部２は歪まず、上記温度変化が急激な場合にリー
ク孔５から気体が漏れずにダイアフラム部２が歪み、セ
ンサ本体１により温度変化を検出することができるので
ある。
させてあり、密閉容器１４が取り付けられたハウジング
１５内には、上記挿通孔１６を塞ぐようにして挿通孔１
６の周囲にセンサ本体１の台座部３の底面が接着固定さ
れている。したがって、密閉容器１４の気室１４ａ内の
気体が雰囲気温度の上昇に応じて膨張するとセンサ本体
１のダイアフラム部２が歪み、従来例と同様に雰囲気温
度の変化を気室１４ａ内の気体の圧力変化として検出す
ることができるのである。ここで、センサ本体１にはリ
ーク孔５が設けてあるため、雰囲気温度の時間的な温度
変化が緩慢な場合はリーク孔５から気体が漏れてダイア
フラム部２は歪まず、上記温度変化が急激な場合にリー
ク孔５から気体が漏れずにダイアフラム部２が歪み、セ
ンサ本体１により温度変化を検出することができるので
ある。
【００１８】本実施形態によれば、温度変化に対する応
答特性を調節するリーク孔５は半導体製造プロセスを用
いて形成されるため、リーク孔５の径や長さが自由に且
つ容易に設定することができ、その結果、温度変化検出
器としての半導体センサ装置の応答特性を自由に設定す
ることができる。
答特性を調節するリーク孔５は半導体製造プロセスを用
いて形成されるため、リーク孔５の径や長さが自由に且
つ容易に設定することができ、その結果、温度変化検出
器としての半導体センサ装置の応答特性を自由に設定す
ることができる。
【００１９】
【発明の効果】請求項１の発明は、薄膜のダイアフラム
部と、このダイアフラム部を支持する台座部と、圧力に
よるダイアフラム部の歪みを検知する検知素子とを半導
体基板に形成して成るセンサ本体を備え、ダイアフラム
部を挟んだセンサ本体の内側と外側とをつなぐリーク孔
を台座部に設けて成るので、応答特性を調節するための
リーク孔を半導体製造プロセスを用いて形成することが
でき、リーク孔の径や長さを比較的に自由に設定するこ
とができ、その結果、圧力変化に対する応答特性を自由
に設定することができるという効果がある。
部と、このダイアフラム部を支持する台座部と、圧力に
よるダイアフラム部の歪みを検知する検知素子とを半導
体基板に形成して成るセンサ本体を備え、ダイアフラム
部を挟んだセンサ本体の内側と外側とをつなぐリーク孔
を台座部に設けて成るので、応答特性を調節するための
リーク孔を半導体製造プロセスを用いて形成することが
でき、リーク孔の径や長さを比較的に自由に設定するこ
とができ、その結果、圧力変化に対する応答特性を自由
に設定することができるという効果がある。
【００２０】請求項２の発明は、薄膜のダイアフラム部
と、このダイアフラム部を支持する台座部と、圧力によ
るダイアフラム部の歪みを検知する検知素子とを半導体
基板に形成して成るセンサ本体を備え、ダイアフラム部
を挟んだセンサ本体の内側と外側とをつなぐリーク孔を
台座部に設けて成る半導体センサ装置の製造方法であっ
て、半導体基板を異方性エッチングすることによりセン
サ本体のダイアフラム部と台座部とを形成するから、多
数のセンサ本体を同時に形成することができ、生産性の
向上が図れるという効果がある。
と、このダイアフラム部を支持する台座部と、圧力によ
るダイアフラム部の歪みを検知する検知素子とを半導体
基板に形成して成るセンサ本体を備え、ダイアフラム部
を挟んだセンサ本体の内側と外側とをつなぐリーク孔を
台座部に設けて成る半導体センサ装置の製造方法であっ
て、半導体基板を異方性エッチングすることによりセン
サ本体のダイアフラム部と台座部とを形成するから、多
数のセンサ本体を同時に形成することができ、生産性の
向上が図れるという効果がある。
【００２１】請求項３の発明は、薄膜のダイアフラム部
と、このダイアフラム部を支持する台座部と、圧力によ
るダイアフラム部の歪みを検知する検知素子とを半導体
基板に形成して成るセンサ本体を備え、ダイアフラム部
を挟んだセンサ本体の内側と外側とをつなぐリーク孔を
台座部に設けて成る半導体センサ装置の製造方法であっ
て、リーク孔となる溝を第１の半導体基板に形成する行
程と、この第１の半導体基板に第２の半導体基板を接合
する行程と、第２の半導体基板に薄膜のダイアフラム部
及び検知素子を形成する行程とを有するから、センサ本
体の台座部に容易にリーク孔を形成することができると
いう効果がある。
と、このダイアフラム部を支持する台座部と、圧力によ
るダイアフラム部の歪みを検知する検知素子とを半導体
基板に形成して成るセンサ本体を備え、ダイアフラム部
を挟んだセンサ本体の内側と外側とをつなぐリーク孔を
台座部に設けて成る半導体センサ装置の製造方法であっ
て、リーク孔となる溝を第１の半導体基板に形成する行
程と、この第１の半導体基板に第２の半導体基板を接合
する行程と、第２の半導体基板に薄膜のダイアフラム部
及び検知素子を形成する行程とを有するから、センサ本
体の台座部に容易にリーク孔を形成することができると
いう効果がある。
【００２２】請求項４の発明は、外部温度に応じて内部
の気体の圧力が変化する密閉容器をセンサ本体に取着
し、密閉容器内部の気体の圧力をセンサ本体にて検出し
て成るから、外部温度に対する応答特性を自由に設定す
ることができるという効果がある。
の気体の圧力が変化する密閉容器をセンサ本体に取着
し、密閉容器内部の気体の圧力をセンサ本体にて検出し
て成るから、外部温度に対する応答特性を自由に設定す
ることができるという効果がある。
【図１】実施形態１を示す側面断面図である。
【図２】同上におけるセンサ本体を示す外観斜視図であ
る。
る。
【図３】実施形態２におけるセンサ本体を示す外観斜視
図である。
図である。
【図４】実施形態３におけるセンサ本体を示す外観斜視
図である。
図である。
【図５】実施形態４を示す側面断面図である。
【図６】従来例を示す側面断面図である。
１ センサ本体 ２ ダイアフラム部 ３ 台座部 ４ 溝 ５ リーク孔 １０ ハウジング １１ 導入管 １２ 導入孔
Claims (4)
- 【請求項１】 薄膜のダイアフラム部と、このダイアフ
ラム部を支持する台座部と、圧力によるダイアフラム部
の歪みを検知する検知素子とを半導体基板に形成して成
るセンサ本体を備え、ダイアフラム部を挟んだセンサ本
体の内側と外側とをつなぐリーク孔を台座部に設けて成
ることを特徴とする半導体センサ装置。 - 【請求項２】 薄膜のダイアフラム部と、このダイアフ
ラム部を支持する台座部と、圧力によるダイアフラム部
の歪みを検知する検知素子とを半導体基板に形成して成
るセンサ本体を備え、ダイアフラム部を挟んだセンサ本
体の内側と外側とをつなぐリーク孔を台座部に設けて成
る半導体センサ装置の製造方法であって、半導体基板を
異方性エッチングすることによりセンサ本体のダイアフ
ラム部と台座部とを形成することを特徴とする半導体セ
ンサ装置の製造方法。 - 【請求項３】 薄膜のダイアフラム部と、このダイアフ
ラム部を支持する台座部と、圧力によるダイアフラム部
の歪みを検知する検知素子とを半導体基板に形成して成
るセンサ本体を備え、ダイアフラム部を挟んだセンサ本
体の内側と外側とをつなぐリーク孔を台座部に設けて成
る半導体センサ装置の製造方法であって、リーク孔とな
る溝を第１の半導体基板に形成する行程と、この第１の
半導体基板に第２の半導体基板を接合する行程と、第２
の半導体基板に薄膜のダイアフラム部及び検知素子を形
成する行程とを有することを特徴とする半導体センサ装
置の製造方法。 - 【請求項４】 外部温度に応じて内部の気体の圧力が変
化する密閉容器をセンサ本体に取着し、密閉容器内部の
気体の圧力をセンサ本体にて検出して成ることを特徴と
する請求項１記載の半導体センサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23737595A JPH0979930A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 半導体センサ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23737595A JPH0979930A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 半導体センサ装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0979930A true JPH0979930A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17014461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23737595A Withdrawn JPH0979930A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 半導体センサ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0979930A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9269884B2 (en) | 2012-05-21 | 2016-02-23 | Seiko Epson Corporation | Ultrasonic transducer, ultrasonic probe, and ultrasonic examination device |
-
1995
- 1995-09-14 JP JP23737595A patent/JPH0979930A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9269884B2 (en) | 2012-05-21 | 2016-02-23 | Seiko Epson Corporation | Ultrasonic transducer, ultrasonic probe, and ultrasonic examination device |
| US9561527B2 (en) | 2012-05-21 | 2017-02-07 | Seiko Epson Corporation | Ultrasonic transducer, ultrasonic probe, and ultrasonic examination device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021203 |