JPH0979096A - デューティ駆動式制御弁の制御装置 - Google Patents
デューティ駆動式制御弁の制御装置Info
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- JPH0979096A JPH0979096A JP23675495A JP23675495A JPH0979096A JP H0979096 A JPH0979096 A JP H0979096A JP 23675495 A JP23675495 A JP 23675495A JP 23675495 A JP23675495 A JP 23675495A JP H0979096 A JPH0979096 A JP H0979096A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】デューティ駆動式制御弁の抵抗値弁変化に対処
する。 【解決手段】基本デューティ比ＥＶＤＵＴＢが所定範囲
内にあるときに、電磁コイルの電流値Ｉを基準電流値Ｉ
0 と比較して、補正係数ＫＥＶＩを算出し、該補正係数
ＫＥＶＩを用いてデューティ比を補正する。
する。 【解決手段】基本デューティ比ＥＶＤＵＴＢが所定範囲
内にあるときに、電磁コイルの電流値Ｉを基準電流値Ｉ
0 と比較して、補正係数ＫＥＶＩを算出し、該補正係数
ＫＥＶＩを用いてデューティ比を補正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、内燃機関の蒸発燃
料処理装置のパージ制御弁等に用いられるデューティ駆
動式制御弁の制御装置に関し、特に温度変化等で電気抵
抗値の変化により制御弁の開度が変化するのを補正する
技術に関する。
料処理装置のパージ制御弁等に用いられるデューティ駆
動式制御弁の制御装置に関し、特に温度変化等で電気抵
抗値の変化により制御弁の開度が変化するのを補正する
技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の内燃機関の蒸発燃料処理装置で
は、燃料タンク等で発生する蒸発燃料をキャニスタに一
時的に吸着し、該吸着した蒸発燃料を所定の機関運転条
件で離脱させてパージ用空気と混合したパージ混合気
を、パージ制御弁で流量制御しつつ機関の吸気系へ吸引
処理することによって、蒸発燃料の外気への蒸散を防止
するようにしている。
は、燃料タンク等で発生する蒸発燃料をキャニスタに一
時的に吸着し、該吸着した蒸発燃料を所定の機関運転条
件で離脱させてパージ用空気と混合したパージ混合気
を、パージ制御弁で流量制御しつつ機関の吸気系へ吸引
処理することによって、蒸発燃料の外気への蒸散を防止
するようにしている。
【０００３】前記パージ制御弁として、通電を周期的に
ＯＮ−ＯＦＦさせ、該ＯＮ−ＯＦＦの時間割合であるデ
ューティ比を制御することにより開度制御されるデュー
ティ駆動式制御弁が用いられることが多い。
ＯＮ−ＯＦＦさせ、該ＯＮ−ＯＦＦの時間割合であるデ
ューティ比を制御することにより開度制御されるデュー
ティ駆動式制御弁が用いられることが多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電磁駆動式
の制御弁においては、温度変化により制御弁の電気抵抗
が変化することにより、駆動電圧に対する駆動電流が変
化する。特に立ち上がり性能の変化が大きいため、ＯＮ
−ＯＦＦを繰り返すデューティ駆動式の制御弁では前記
温度変化による駆動電流の変化の影響が大きく、制御弁
の駆動電圧に対する開度特性が変化してしまう。
の制御弁においては、温度変化により制御弁の電気抵抗
が変化することにより、駆動電圧に対する駆動電流が変
化する。特に立ち上がり性能の変化が大きいため、ＯＮ
−ＯＦＦを繰り返すデューティ駆動式の制御弁では前記
温度変化による駆動電流の変化の影響が大きく、制御弁
の駆動電圧に対する開度特性が変化してしまう。
【０００５】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
なされたもので、電気抵抗変化に対して適正にデューテ
ィ比が補正されるようにして、開度特性を一定に維持で
きるようにしたデューティ駆動式制御弁の制御装置を提
供することを目的とする。
なされたもので、電気抵抗変化に対して適正にデューテ
ィ比が補正されるようにして、開度特性を一定に維持で
きるようにしたデューティ駆動式制御弁の制御装置を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このため、請求項１に係
る発明は図１に示すように、通電を周期的にＯＮ−ＯＦ
Ｆさせ、該ＯＮ−ＯＦＦの時間割合であるデューティ比
を制御することにより開度制御されるデューティ駆動式
制御弁の制御装置において、前記デューティ駆動式制御
弁の電流値を検出する電流値検出手段と、検出された電
流値に基づいて前記制御弁のデューティ比を補正するデ
ューティ比補正手段と、を含んで構成したことを特徴と
する。
る発明は図１に示すように、通電を周期的にＯＮ−ＯＦ
Ｆさせ、該ＯＮ−ＯＦＦの時間割合であるデューティ比
を制御することにより開度制御されるデューティ駆動式
制御弁の制御装置において、前記デューティ駆動式制御
弁の電流値を検出する電流値検出手段と、検出された電
流値に基づいて前記制御弁のデューティ比を補正するデ
ューティ比補正手段と、を含んで構成したことを特徴と
する。
【０００７】このようにすれば、制御弁の電気抵抗値が
温度状態によって変化するが、電流値を検出することに
より、該電気抵抗値の変化を推定でき、それによってデ
ューティ比を補正することで、平均駆動電流を一定とし
て開度特性を一定に維持できる。また、請求項２に係る
発明は、前記電流値検出手段は、制御弁の通電ＯＮ時に
電流値が略飽和状態に達した段階での電流値を検出する
ことを特徴とする。
温度状態によって変化するが、電流値を検出することに
より、該電気抵抗値の変化を推定でき、それによってデ
ューティ比を補正することで、平均駆動電流を一定とし
て開度特性を一定に維持できる。また、請求項２に係る
発明は、前記電流値検出手段は、制御弁の通電ＯＮ時に
電流値が略飽和状態に達した段階での電流値を検出する
ことを特徴とする。
【０００８】このようにすれば、略飽和状態に達した定
常に近い状態での電流値は、制御弁の電気抵抗値を良好
に反映した値となっているので、該電流値に基づいてデ
ューティ比を補正することにより、高い補正精度を得る
ことができる。また、請求項３に係る発明は、制御弁の
通電ＯＦＦ時に制御弁に微弱な暗電流を流しておき、前
記電流値検出手段は、前記ＯＦＦ時の暗電流の電流値を
検出することを特徴とする。
常に近い状態での電流値は、制御弁の電気抵抗値を良好
に反映した値となっているので、該電流値に基づいてデ
ューティ比を補正することにより、高い補正精度を得る
ことができる。また、請求項３に係る発明は、制御弁の
通電ＯＦＦ時に制御弁に微弱な暗電流を流しておき、前
記電流値検出手段は、前記ＯＦＦ時の暗電流の電流値を
検出することを特徴とする。
【０００９】このようにすれば、ＯＦＦ時に略定常状態
で流れる暗電流の電流値は、制御弁の電気抵抗値を良好
に反映した値となっているので、該電流値に基づいてデ
ューティ比を補正することにより、高い補正精度を得る
ことができる。また、請求項４に係る発明は、図２に示
すように、通電を周期的にＯＮ−ＯＦＦさせ、該ＯＮ−
ＯＦＦの時間割合であるデューティ比を制御することに
より開度制御されるデューティ駆動式制御弁の制御装置
において、前記デューティ駆動式制御弁の電流値を検出
する電流値検出手段と、前記制御弁の通電ＯＮ後の電流
値の立ち上がり速度を算出する電流立ち上がり速度算出
手段と、検出された電流の立ち上がり速度に基づいて前
記制御弁のデューティ比を補正するデューティ比補正手
段と、を含んで構成したことを特徴とする。
で流れる暗電流の電流値は、制御弁の電気抵抗値を良好
に反映した値となっているので、該電流値に基づいてデ
ューティ比を補正することにより、高い補正精度を得る
ことができる。また、請求項４に係る発明は、図２に示
すように、通電を周期的にＯＮ−ＯＦＦさせ、該ＯＮ−
ＯＦＦの時間割合であるデューティ比を制御することに
より開度制御されるデューティ駆動式制御弁の制御装置
において、前記デューティ駆動式制御弁の電流値を検出
する電流値検出手段と、前記制御弁の通電ＯＮ後の電流
値の立ち上がり速度を算出する電流立ち上がり速度算出
手段と、検出された電流の立ち上がり速度に基づいて前
記制御弁のデューティ比を補正するデューティ比補正手
段と、を含んで構成したことを特徴とする。
【００１０】このようにすれば、制御弁の通電電流の立
ち上がり速度も制御弁の電気抵抗値を良好に反映した値
となっているので、該電流の立ち上がり速度に基づいて
デューティ比を補正することにより、高い補正精度を得
ることができる。
ち上がり速度も制御弁の電気抵抗値を良好に反映した値
となっているので、該電流の立ち上がり速度に基づいて
デューティ比を補正することにより、高い補正精度を得
ることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。一実施形態のシステム構成を示す図３において、
図示しない内燃機関の蒸発燃料処理装置のパージ通路に
介装されてパージ流量を制御するデューティ駆動式のパ
ージ制御弁の電磁コイル１が制御装置２の出力端子に接
続され、周期的にＯＮ−ＯＦＦを繰り返しＯＮ−ＯＦＦ
の時間割合 (デューティ比) が可変に制御されるデュー
ティ信号によって駆動されるようになっている。
する。一実施形態のシステム構成を示す図３において、
図示しない内燃機関の蒸発燃料処理装置のパージ通路に
介装されてパージ流量を制御するデューティ駆動式のパ
ージ制御弁の電磁コイル１が制御装置２の出力端子に接
続され、周期的にＯＮ−ＯＦＦを繰り返しＯＮ−ＯＦＦ
の時間割合 (デューティ比) が可変に制御されるデュー
ティ信号によって駆動されるようになっている。
【００１２】制御装置２の内部回路を説明すると、ＣＰ
Ｕ21のＰＷＭ端子から出力されたデューティ信号が駆動
トランジスタ22のベースに出力され、パージ制御弁の電
磁コイル１が通電駆動される。該電磁コイル１の電流値
を検出するための抵抗23の端子電圧が電流検出回路24に
出力され、該電流検出回路24で検出された電流の検出値
がピークホールド回路25に出力される。ピークホールド
回路25は、電流の検出値の最大値をピークホールドし、
その値を前記ＣＰＵ21に出力する。
Ｕ21のＰＷＭ端子から出力されたデューティ信号が駆動
トランジスタ22のベースに出力され、パージ制御弁の電
磁コイル１が通電駆動される。該電磁コイル１の電流値
を検出するための抵抗23の端子電圧が電流検出回路24に
出力され、該電流検出回路24で検出された電流の検出値
がピークホールド回路25に出力される。ピークホールド
回路25は、電流の検出値の最大値をピークホールドし、
その値を前記ＣＰＵ21に出力する。
【００１３】前記ピークホールド回路25は、ＣＰＵ21か
らのクリア信号により所定のタイミングでクリアされ
る。ＣＰＵ21は、前記電流のピークホールド値に基づい
て、パージ制御弁の電気抵抗値を推定して前記デューテ
ィ信号のデューティ比を補正する。第１の実施形態にお
けるデューティ比の補正ルーチンを、図４のフローチャ
ートにしたがって説明する。
らのクリア信号により所定のタイミングでクリアされ
る。ＣＰＵ21は、前記電流のピークホールド値に基づい
て、パージ制御弁の電気抵抗値を推定して前記デューテ
ィ信号のデューティ比を補正する。第１の実施形態にお
けるデューティ比の補正ルーチンを、図４のフローチャ
ートにしたがって説明する。
【００１４】ステップ (図ではＳと記す。以下同様) １
では、初期化を行う。ステップ２では、機関の運転状態
に基づいたパージ流量Ｑに見合ったパージ制御弁の基本
のデューティ比 (ＯＮデューティ時間) ＥＶＢＴＩを図
５に示すような特性に基づいて設定する。ステップ３で
は、機関始動後、初めてか否かを判定する。
では、初期化を行う。ステップ２では、機関の運転状態
に基づいたパージ流量Ｑに見合ったパージ制御弁の基本
のデューティ比 (ＯＮデューティ時間) ＥＶＢＴＩを図
５に示すような特性に基づいて設定する。ステップ３で
は、機関始動後、初めてか否かを判定する。
【００１５】初めてである場合は、ステップ４へ進み、
後述する学習によって学習される最新の学習値ＫＥＶＩ
をメモリから読み出し、デューティ比の補正係数ＫＬＥ
ＡＲＮとして設定した後、ステップ８へ進む。また、ス
テップ３で初めてでないと判定された場合は、ステップ
５へ進み、前記基本デューティ比ＥＶＤＵＴＢが、下限
値ＥＶＤＵＴＬから上限値ＥＶＤＵＴＨまでの所定の範
囲内の学習領域にあるか否かを判定する。
後述する学習によって学習される最新の学習値ＫＥＶＩ
をメモリから読み出し、デューティ比の補正係数ＫＬＥ
ＡＲＮとして設定した後、ステップ８へ進む。また、ス
テップ３で初めてでないと判定された場合は、ステップ
５へ進み、前記基本デューティ比ＥＶＤＵＴＢが、下限
値ＥＶＤＵＴＬから上限値ＥＶＤＵＴＨまでの所定の範
囲内の学習領域にあるか否かを判定する。
【００１６】即ち、図６に示すように、上記領域では、
飽和状態での電流値Ｉとパージ流量Ｑとが略比例関係に
あるため、基本デューティ比ＥＶＤＵＴＢが該学習領域
にあるときに、後述するデューティ比の補正学習を行う
ことにより、精度の高い学習が行える。そして、前記学
習領域外にある場合には、前記ステップ４へ進み、今回
の学習を行うことなく、それまでに学習されている最新
の学習値ＫＥＶＩをデューティ比の補正係数ＫＬＥＡＲ
Ｎとして初期の補正を行う。
飽和状態での電流値Ｉとパージ流量Ｑとが略比例関係に
あるため、基本デューティ比ＥＶＤＵＴＢが該学習領域
にあるときに、後述するデューティ比の補正学習を行う
ことにより、精度の高い学習が行える。そして、前記学
習領域外にある場合には、前記ステップ４へ進み、今回
の学習を行うことなく、それまでに学習されている最新
の学習値ＫＥＶＩをデューティ比の補正係数ＫＬＥＡＲ
Ｎとして初期の補正を行う。
【００１７】ステップ５で所定範囲内にあると判定され
た場合は、ステップ６へ進んで前記電流検出回路24で検
出されピークホールド回路25でピークホールドされた飽
和状態での電流値Ｉと基準電流値Ｉ0 とに基づいて、次
式によりデューティ比の補正係数ＫＥＶＩを設定する。
ここで、飽和状態における電流値の検出は、ＯＮとなっ
てからの時間を計測し、該計測時間が設定されているデ
ューティ比 (ＯＮ時間) より少し短い時間を経過したと
きの電流値を検出するようにすればよい。
た場合は、ステップ６へ進んで前記電流検出回路24で検
出されピークホールド回路25でピークホールドされた飽
和状態での電流値Ｉと基準電流値Ｉ0 とに基づいて、次
式によりデューティ比の補正係数ＫＥＶＩを設定する。
ここで、飽和状態における電流値の検出は、ＯＮとなっ
てからの時間を計測し、該計測時間が設定されているデ
ューティ比 (ＯＮ時間) より少し短い時間を経過したと
きの電流値を検出するようにすればよい。
【００１８】ＫＥＶＩ＝ (Ｉ0 −Ｉ) ／Ｉ0 ステップ７では、前記補正係数ＫＥＶＩを学習値として
記憶しておく。このようにして、ステップ４で読み出さ
れ、又はステップ６で設定された前記補正係数ＫＬＥＡ
ＲＮを用いて、ステップ８において、前記基本デューテ
ィ比ＥＶＤＵＴＢを補正することによって、最終的にデ
ューティ比 (ＯＮデューティ時間) ＥＶＤＵＴＹを、次
式のように設定する。
記憶しておく。このようにして、ステップ４で読み出さ
れ、又はステップ６で設定された前記補正係数ＫＬＥＡ
ＲＮを用いて、ステップ８において、前記基本デューテ
ィ比ＥＶＤＵＴＢを補正することによって、最終的にデ
ューティ比 (ＯＮデューティ時間) ＥＶＤＵＴＹを、次
式のように設定する。
【００１９】 ＥＶＤＵＴＹ＝ＥＶＤＵＴＢ (１＋ＫＥＶＩ) このようにすれば、図７に示すように、温度変化で制御
弁１の電気抵抗値が変化して飽和状態での電流値Ｉが基
準電流値Ｉ0 に対してずれを生じても、前記補正係数Ｋ
ＥＶＩでデューティ比を補正することにより、基準電流
値Ｉ0 に元のデューティ比 (ＯＮデューティ時間) ＥＶ
ＤＵＴＢを乗じて得られる所望の通電量と、実際の電流
値Ｉに補正されたデューティ比ＥＶＤＵＴＹを乗じて得
られる通電量とが等しく設定され、かつ、該通電量とパ
ージ流量とが比例関係にある領域なので、流量は適正値
に補正されることとなる。
弁１の電気抵抗値が変化して飽和状態での電流値Ｉが基
準電流値Ｉ0 に対してずれを生じても、前記補正係数Ｋ
ＥＶＩでデューティ比を補正することにより、基準電流
値Ｉ0 に元のデューティ比 (ＯＮデューティ時間) ＥＶ
ＤＵＴＢを乗じて得られる所望の通電量と、実際の電流
値Ｉに補正されたデューティ比ＥＶＤＵＴＹを乗じて得
られる通電量とが等しく設定され、かつ、該通電量とパ
ージ流量とが比例関係にある領域なので、流量は適正値
に補正されることとなる。
【００２０】次に、第３の実施形態について説明する。
本実施形態では、パージ制御弁へのデューティのＯＦＦ
時に電磁コイルがＯＮしない程度の微弱な暗電流を流し
ておき、該暗電流の電流値を検出し、該検出値に基づい
てパージ制御弁の電気抵抗値を推定してデューティ比を
補正するようにしたものでる。図８は、本実施形態のシ
ステム構成を示す。
本実施形態では、パージ制御弁へのデューティのＯＦＦ
時に電磁コイルがＯＮしない程度の微弱な暗電流を流し
ておき、該暗電流の電流値を検出し、該検出値に基づい
てパージ制御弁の電気抵抗値を推定してデューティ比を
補正するようにしたものでる。図８は、本実施形態のシ
ステム構成を示す。
【００２１】パージ制御弁の電磁コイル１の下流側に抵
抗値の大きなプルダウン抵抗31を接続することによっ
て、トランジスタ32のＯＦＦ時、つまり、デューティＯ
ＦＦ時に暗電流を流し、該暗電流に比例的に発生する電
磁コイル１の端子間電圧Ｖａを差動増幅器33により増幅
し、ＣＰＵ34でＡ／Ｄ変換して、暗電流の電流値として
検出する。
抗値の大きなプルダウン抵抗31を接続することによっ
て、トランジスタ32のＯＦＦ時、つまり、デューティＯ
ＦＦ時に暗電流を流し、該暗電流に比例的に発生する電
磁コイル１の端子間電圧Ｖａを差動増幅器33により増幅
し、ＣＰＵ34でＡ／Ｄ変換して、暗電流の電流値として
検出する。
【００２２】本実施形態のデューティ比補正ルーチン
を、図９のフローチャートに従って説明する。ステップ
21〜ステップ24については、図４のステップ１〜ステッ
プ４と同様である。ステップ25では、暗電流の検出学習
を行うべき学習領域であるか否かを、判定する。具体的
には、ＯＦＦデューティ時間が所定時間以上あって暗電
流の電流値が定常状態となるように、基本デューティ比
ＥＶＢＴＹが下限値ＤＵＴＹＬ以上で上限値ＤＵＴＹＨ
以下の範囲を学習領域として設定し、この範囲にあるか
否かを判定する。
を、図９のフローチャートに従って説明する。ステップ
21〜ステップ24については、図４のステップ１〜ステッ
プ４と同様である。ステップ25では、暗電流の検出学習
を行うべき学習領域であるか否かを、判定する。具体的
には、ＯＦＦデューティ時間が所定時間以上あって暗電
流の電流値が定常状態となるように、基本デューティ比
ＥＶＢＴＹが下限値ＤＵＴＹＬ以上で上限値ＤＵＴＹＨ
以下の範囲を学習領域として設定し、この範囲にあるか
否かを判定する。
【００２３】学習領域外にあるときは、ステップ24へ進
んで最新の学習値ＫＬＥＡＮを補正係数ＫＥＶＩとして
セットした後、ステップ29へ進む。ステップ25で、学習
領域内にあると判定されたときには、ステップ26へ進ん
でデューティがＯＮからＯＦＦに切り換わってから所定
時間ＴＩＭＥを経過するのを待ってからステップ27へ進
む。
んで最新の学習値ＫＬＥＡＮを補正係数ＫＥＶＩとして
セットした後、ステップ29へ進む。ステップ25で、学習
領域内にあると判定されたときには、ステップ26へ進ん
でデューティがＯＮからＯＦＦに切り換わってから所定
時間ＴＩＭＥを経過するのを待ってからステップ27へ進
む。
【００２４】ステップ27では、前記電磁コイル１の端子
間電圧Ｖａと基準電圧Ｖ0 とに基づいて次式により、デ
ューティ比の補正係数ＫＥＶＩを算出する。 ＫＥＶＩ＝ (Ｖ0 −Ｖａ) ／Ｖ0 ステップ28では、前記補正係数ＫＥＶＩを学習値とし
て、記憶する。ステップ29では、最終的なデューティ比
ＥＶＤＵＴＹを前記補正係数ＫＥＶＩを用いて次式によ
り補正する。
間電圧Ｖａと基準電圧Ｖ0 とに基づいて次式により、デ
ューティ比の補正係数ＫＥＶＩを算出する。 ＫＥＶＩ＝ (Ｖ0 −Ｖａ) ／Ｖ0 ステップ28では、前記補正係数ＫＥＶＩを学習値とし
て、記憶する。ステップ29では、最終的なデューティ比
ＥＶＤＵＴＹを前記補正係数ＫＥＶＩを用いて次式によ
り補正する。
【００２５】 ＥＶＤＵＴＹ＝ＥＶＤＵＴＢ・ (１＋ＫＥＶＩ) このようにすれば、暗電流を表す端子間電圧Ｖａは、電
磁コイル１の抵抗値に反比例的に発生するので、前記の
ようにしてデューティ比を補正係数で補正することによ
り、第１の実施形態の場合と同様に通電量が補正され、
以てパージ流量を適正に補正することができる。
磁コイル１の抵抗値に反比例的に発生するので、前記の
ようにしてデューティ比を補正係数で補正することによ
り、第１の実施形態の場合と同様に通電量が補正され、
以てパージ流量を適正に補正することができる。
【００２６】また、図10に示すように、デューティがＯ
ＦＦとなってから暗電流が定常状態となるまでの時定数
が、ＯＮから飽和状態となるまでの時定数に比較して十
分小さいので、第１の実施形態に比較して学習可能な領
域を十分大きく確保することができる。次に、第３の実
施形態について説明する。本実施形態では、電流値が飽
和状態となる前には、パージ制御弁１への通電ＯＮ後の
電流に立ち上がり速度を算出し、該立ち上がり速度に基
づいて電磁コイルの抵抗値を推定して、デューティ比を
補正するようにしたものである。システム構成について
は図３に示した第１の実施形態と同様である。
ＦＦとなってから暗電流が定常状態となるまでの時定数
が、ＯＮから飽和状態となるまでの時定数に比較して十
分小さいので、第１の実施形態に比較して学習可能な領
域を十分大きく確保することができる。次に、第３の実
施形態について説明する。本実施形態では、電流値が飽
和状態となる前には、パージ制御弁１への通電ＯＮ後の
電流に立ち上がり速度を算出し、該立ち上がり速度に基
づいて電磁コイルの抵抗値を推定して、デューティ比を
補正するようにしたものである。システム構成について
は図３に示した第１の実施形態と同様である。
【００２７】本実施形態のデューティ比補正ルーチン
を、図11のフローチャートに従って説明する。ステップ
31〜ステップ34については、図４のステップ１〜ステッ
プ４と同様である。ステップ35では、基本デューティＥ
ＶＤＵＴＢが、電流値が飽和状態となるデューティ値Ｅ
ＶＤＵＴＳ以上か否かを判定する。
を、図11のフローチャートに従って説明する。ステップ
31〜ステップ34については、図４のステップ１〜ステッ
プ４と同様である。ステップ35では、基本デューティＥ
ＶＤＵＴＢが、電流値が飽和状態となるデューティ値Ｅ
ＶＤＵＴＳ以上か否かを判定する。
【００２８】そして、ＥＶＤＵＴＳ以上のときは、ステ
ップ36→ステップ39，40へ進んで、第１の実施形態と同
様にして、補正係数ＫＥＶＩを設定し、学習値ＫＬＥＡ
ＲＮとして記憶した後、デューティ比を補正する。一
方、ステップ35で、基本デューティＥＶＤＵＴＢが、デ
ューティ値ＥＶＤＵＴＳ未満の未飽和状態であると判定
された場合には、ステップ37へ進み次のようにして電磁
コイル１のインダクタンスＬを推定する。
ップ36→ステップ39，40へ進んで、第１の実施形態と同
様にして、補正係数ＫＥＶＩを設定し、学習値ＫＬＥＡ
ＲＮとして記憶した後、デューティ比を補正する。一
方、ステップ35で、基本デューティＥＶＤＵＴＢが、デ
ューティ値ＥＶＤＵＴＳ未満の未飽和状態であると判定
された場合には、ステップ37へ進み次のようにして電磁
コイル１のインダクタンスＬを推定する。
【００２９】即ち、通電ＯＮ後、所定時間Ｔ1 経過時の
電流値Ｉ1 と、それより後の所定時間Ｔ2 経過後の電流
値Ｉ2 とを検出し、１／Ｌ∝ (Ｉ2 −Ｉ1 ) ／ (Ｔ2 −
Ｔ1) の関係より、インダクタンスＬを推定する。次い
でステップ38へ進み、補正係数ＫＥＶＩを以下にように
して算出する。 Ｉ＝ＶB ／ (Ｒ＋ＲS ) ・｛１−ｅ-(R+Rs)t/L｝の関係
から、Ｔ2 時の電磁コイル１の抵抗ＲS を次式により求
める。
電流値Ｉ1 と、それより後の所定時間Ｔ2 経過後の電流
値Ｉ2 とを検出し、１／Ｌ∝ (Ｉ2 −Ｉ1 ) ／ (Ｔ2 −
Ｔ1) の関係より、インダクタンスＬを推定する。次い
でステップ38へ進み、補正係数ＫＥＶＩを以下にように
して算出する。 Ｉ＝ＶB ／ (Ｒ＋ＲS ) ・｛１−ｅ-(R+Rs)t/L｝の関係
から、Ｔ2 時の電磁コイル１の抵抗ＲS を次式により求
める。
【００３０】ＲS ＝ＶB ／Ｉ2 −Ｔ2 ／Ｌ−Ｒ そして、前記Ｔ2 時の抵抗ＲS と基準抵抗ＲSOとから、
次式により、補正係数ＫＥＶＩを求める。 ＫＥＶＩ＝ (ＲS −ＲSO) ／ＲSO 以下、ステップ39，40へ進んで、補正係数ＫＥＶＩを設
定し、学習値ＫＬＥＡＲＮとして記憶した後、デューテ
ィ比を補正する。
次式により、補正係数ＫＥＶＩを求める。 ＫＥＶＩ＝ (ＲS −ＲSO) ／ＲSO 以下、ステップ39，40へ進んで、補正係数ＫＥＶＩを設
定し、学習値ＫＬＥＡＲＮとして記憶した後、デューテ
ィ比を補正する。
【００３１】このようにすれば、図12に示すように、通
電ＯＮ後電流が立ち上がっている時の電磁コイル１のイ
ンダクタンスＬの影響がある時には、該インダクタンス
Ｌを推定しつつ抵抗値を推定して設定した補正係数ＫＥ
ＩＶに基づいてデューティ比を適正に補正することがで
き、デューティ比の全領域にわたって学習を行いつつ、
流量補正を行うことができる。
電ＯＮ後電流が立ち上がっている時の電磁コイル１のイ
ンダクタンスＬの影響がある時には、該インダクタンス
Ｌを推定しつつ抵抗値を推定して設定した補正係数ＫＥ
ＩＶに基づいてデューティ比を適正に補正することがで
き、デューティ比の全領域にわたって学習を行いつつ、
流量補正を行うことができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明してきたように請求項１に係る
発明によれば、制御弁の電流値を検出することにより、
温度変化による電気抵抗値の変化を推定でき、それによ
ってデューティ比を補正することで、平均駆動電流を一
定として開度特性を一定に維持できる。
発明によれば、制御弁の電流値を検出することにより、
温度変化による電気抵抗値の変化を推定でき、それによ
ってデューティ比を補正することで、平均駆動電流を一
定として開度特性を一定に維持できる。
【００３３】また、請求項２に係る発明によれば、制御
弁の電気抵抗値を良好に反映した略飽和状態に達した定
常に近い状態での電流値に基づいてデューティ比を補正
することにより、高い補正精度を得ることができる。ま
た、請求項３に係る発明によれば、制御弁の電気抵抗値
を良好に反映したＯＦＦ時に略定常状態で流れる暗電流
の電流値に基づいてデューティ比を補正することによ
り、高い補正精度を得ることができる。
弁の電気抵抗値を良好に反映した略飽和状態に達した定
常に近い状態での電流値に基づいてデューティ比を補正
することにより、高い補正精度を得ることができる。ま
た、請求項３に係る発明によれば、制御弁の電気抵抗値
を良好に反映したＯＦＦ時に略定常状態で流れる暗電流
の電流値に基づいてデューティ比を補正することによ
り、高い補正精度を得ることができる。
【００３４】また、請求項４に係る発明によれば、制御
弁の電気抵抗値を良好に反映した制御弁の通電電流の立
ち上がり速度に基づいてデューティ比を補正することに
より、高い補正精度を得ることができる。
弁の電気抵抗値を良好に反映した制御弁の通電電流の立
ち上がり速度に基づいてデューティ比を補正することに
より、高い補正精度を得ることができる。
【図１】請求項１に係る発明の構成・機能を示すブロッ
ク図。
ク図。
【図２】請求項４に係る発明の構成・機能を示すブロッ
ク図。
ク図。
【図３】本発明の一実施形態のシステム構成を示す図。
【図４】同上実施形態のデューティ比補正ルーチンを示
すフローチャート。
すフローチャート。
【図５】パージ流量と基本デューティ比との関係を示す
図。
図。
【図６】同上実施形態の電流値検出の学習領域を示す
図。
図。
【図７】電流値と補正されたデューティ比との関係を示
す図。
す図。
【図８】本発明の第２の実施形態のシステム構成を示す
図。
図。
【図９】同上実施形態のデューティ比補正ルーチンを示
すフローチャート。
すフローチャート。
【図10】同じく電流値の学習流域を示す図。
【図11】同上実施形態のデューティ比補正ルーチンを示
すフローチャート。
すフローチャート。
【図12】同上実施形態の電流値検出の学習領域を示す
図。
図。
１ 電磁コイル ２ 制御装置 21 ＣＰＵ 22 トランジスタ 23 電流検出用抵抗 24 電流検出回路 25 ピークホールド回路 31 プルダウン抵抗 32 トランジスタ 33 差動増幅器 34 ＣＰＵ
Claims (4)
- 【請求項１】通電を周期的にＯＮ−ＯＦＦさせ、該ＯＮ
−ＯＦＦの時間割合であるデューティ比を制御すること
により開度制御されるデューティ駆動式制御弁の制御装
置において、 前記デューティ駆動式制御弁の電流値を検出する電流値
検出手段と、 検出された電流値に基づいて前記制御弁のデューティ比
を補正するデューティ比補正手段と、 を含んで構成したことを特徴とするデューティ駆動式制
御弁の制御装置。 - 【請求項２】前記電流値検出手段は、制御弁の通電ＯＮ
時に電流値が略飽和状態に達した段階での電流値を検出
することを特徴とする請求項１に記載のデューティ駆動
式制御弁の制御装置。 - 【請求項３】制御弁の通電ＯＦＦ時に制御弁に微弱な暗
電流を流しておき、 前記電流値検出手段は、前記通電ＯＦＦ時の暗電流の電
流値を検出することを特徴とする請求項１に記載のデュ
ーティ駆動式制御弁の制御装置。 - 【請求項４】通電を周期的にＯＮ−ＯＦＦさせ、該ＯＮ
−ＯＦＦの時間割合であるデューティ比を制御すること
により開度制御されるデューティ駆動式制御弁の制御装
置において、 前記デューティ駆動式制御弁の通電電流値を検出する電
流値検出手段と、 前記制御弁の通電ＯＮ後の電流値の立ち上がり速度を算
出する電流立ち上がり速度算出手段と、 検出された電流の立ち上がり速度に基づいて前記制御弁
のデューティ比を補正するデューティ比補正手段と、 を含んで構成したことを特徴とするデューティ駆動式制
御弁の制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23675495A JPH0979096A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | デューティ駆動式制御弁の制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23675495A JPH0979096A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | デューティ駆動式制御弁の制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0979096A true JPH0979096A (ja) | 1997-03-25 |
Family
ID=17005302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23675495A Pending JPH0979096A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | デューティ駆動式制御弁の制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0979096A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8109256B2 (en) * | 2008-11-17 | 2012-02-07 | GM Global Technology Operations LLC | Solenoid current control with direct forward prediction and iterative backward state estimation |
| WO2018230231A1 (ja) * | 2017-06-13 | 2018-12-20 | 愛三工業株式会社 | 蒸発燃料処理装置及び制御装置 |
| US20210038061A1 (en) * | 2018-04-24 | 2021-02-11 | Olympus Corporation | Insufflation device and method of controlling insufflation device |
-
1995
- 1995-09-14 JP JP23675495A patent/JPH0979096A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8109256B2 (en) * | 2008-11-17 | 2012-02-07 | GM Global Technology Operations LLC | Solenoid current control with direct forward prediction and iterative backward state estimation |
| WO2018230231A1 (ja) * | 2017-06-13 | 2018-12-20 | 愛三工業株式会社 | 蒸発燃料処理装置及び制御装置 |
| JP2019002304A (ja) * | 2017-06-13 | 2019-01-10 | 愛三工業株式会社 | 蒸発燃料処理装置及び制御装置 |
| US11118538B2 (en) | 2017-06-13 | 2021-09-14 | Aisan Kogyo Kabushiki Kaisha | Evaporated fuel processing device and control device |
| US20210038061A1 (en) * | 2018-04-24 | 2021-02-11 | Olympus Corporation | Insufflation device and method of controlling insufflation device |
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