JPH0974210A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPH0974210A JPH0974210A JP7226673A JP22667395A JPH0974210A JP H0974210 A JPH0974210 A JP H0974210A JP 7226673 A JP7226673 A JP 7226673A JP 22667395 A JP22667395 A JP 22667395A JP H0974210 A JPH0974210 A JP H0974210A
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い変換効率を有し、製造が容易かつ短時間
で製造できるＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池を得る。 【解決手段】 ｎ型ＣｄＳ層３とｐ型ＣｄＴｅ層４から
なるｐｎ接合を有する太陽電池のＣｄＳ層３の形成を、
基板温度３００〜３７０℃、蒸着速度０．１〜１μｍ／
ｍｉｎで行い、低抵抗率、高透過率のＣｄＳ層３を得
る。
で製造できるＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池を得る。 【解決手段】 ｎ型ＣｄＳ層３とｐ型ＣｄＴｅ層４から
なるｐｎ接合を有する太陽電池のＣｄＳ層３の形成を、
基板温度３００〜３７０℃、蒸着速度０．１〜１μｍ／
ｍｉｎで行い、低抵抗率、高透過率のＣｄＳ層３を得
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽光エネルギー
を電気エネルギーに変換するための半導体素子である太
陽電池に関し、特にＣｄＳ薄膜やＣｄＴｅ薄膜を用いて
変換効率を高めるために工夫されたII−VI族化合物半導
体を用いた太陽電池等の光電変換素子の製造方法に関す
る。
を電気エネルギーに変換するための半導体素子である太
陽電池に関し、特にＣｄＳ薄膜やＣｄＴｅ薄膜を用いて
変換効率を高めるために工夫されたII−VI族化合物半導
体を用いた太陽電池等の光電変換素子の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】II−VI族化合物半導体のひとつであるＣ
ｄＴｅの禁制帯は１．５ｅｖであり、太陽光のスペクト
ルに対し適合性が良く、しかも吸収係数が１０4 ｃｍ-1
以上と大きいため光吸収層は薄くてよい。したがってＣ
ｄＴｅを光吸収層に用いた図５に示すような太陽電池が
安価で高効率の太陽電池として期待されている。図５に
おいて、上下は逆に示されているが、ガラス基板１に酸
化錫インジウム（ＩＴＯ）等の透明導電膜２が形成さ
れ、その上にｎ型ＣｄＳ膜３が形成され、その上にｐ型
ＣｄＴｅ膜４が形成され、その上部にＣｕ／Ａｕ等のオ
ーミック電極５が形成されている。透明導電膜にはＡｇ
等の金属によりオーミック電極６が形成されている。ま
た、各オーミック電極５，６にはリード５１，６１が形
成されている。
ｄＴｅの禁制帯は１．５ｅｖであり、太陽光のスペクト
ルに対し適合性が良く、しかも吸収係数が１０4 ｃｍ-1
以上と大きいため光吸収層は薄くてよい。したがってＣ
ｄＴｅを光吸収層に用いた図５に示すような太陽電池が
安価で高効率の太陽電池として期待されている。図５に
おいて、上下は逆に示されているが、ガラス基板１に酸
化錫インジウム（ＩＴＯ）等の透明導電膜２が形成さ
れ、その上にｎ型ＣｄＳ膜３が形成され、その上にｐ型
ＣｄＴｅ膜４が形成され、その上部にＣｕ／Ａｕ等のオ
ーミック電極５が形成されている。透明導電膜にはＡｇ
等の金属によりオーミック電極６が形成されている。ま
た、各オーミック電極５，６にはリード５１，６１が形
成されている。
【０００３】図５に示すＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池は、
従来は以下のような製造工程で製造されていた。つま
り、（１）ガラス基板１上にＩＴＯ等透明導電膜２をス
パッタリング法等を用いて堆積させる、（２）次にｎ型
ＣｄＳ膜３を基板温度２５０℃以下，通常は１５０〜２
００℃で真空蒸着法を用いて、蒸着速度５０ｎｍ／ｍｉ
ｎ以下で堆積させる、（３）ｎ型ＣｄＳ膜３の表面を酸
処理した後、ｐ型ＣｄＴｅ膜を真空蒸着法で堆積する、
（４）そのｐ型ＣｄＴｅ膜を塩化カドミウム（ＣｄＣｌ
2 ）含有メタノール（ＣＨ3 ＯＨ）溶液等の溶液中にデ
ィップし、その後自然乾燥させた後に所定のアニールを
行い、ｐ型ＣｄＴｅ多結晶膜を形成する、（５）ＣｄＴ
ｅ膜表面を所定のエッチング液でエッチングした後で、
Ｃｕ／Ａｕ等を真空蒸着し、さらに空気中等でシンタリ
ングを行い、オーミック電極５を形成する。
従来は以下のような製造工程で製造されていた。つま
り、（１）ガラス基板１上にＩＴＯ等透明導電膜２をス
パッタリング法等を用いて堆積させる、（２）次にｎ型
ＣｄＳ膜３を基板温度２５０℃以下，通常は１５０〜２
００℃で真空蒸着法を用いて、蒸着速度５０ｎｍ／ｍｉ
ｎ以下で堆積させる、（３）ｎ型ＣｄＳ膜３の表面を酸
処理した後、ｐ型ＣｄＴｅ膜を真空蒸着法で堆積する、
（４）そのｐ型ＣｄＴｅ膜を塩化カドミウム（ＣｄＣｌ
2 ）含有メタノール（ＣＨ3 ＯＨ）溶液等の溶液中にデ
ィップし、その後自然乾燥させた後に所定のアニールを
行い、ｐ型ＣｄＴｅ多結晶膜を形成する、（５）ＣｄＴ
ｅ膜表面を所定のエッチング液でエッチングした後で、
Ｃｕ／Ａｕ等を真空蒸着し、さらに空気中等でシンタリ
ングを行い、オーミック電極５を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
によるＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池の製造方法では、蒸着
により堆積し、成長したＣｄＳ膜の抵抗が十分低くなら
ないため開放電圧Ｖｏｃが０．６５〜０．７０Ｖと低
く、また変換効率は７〜８％であり、十分高い変換効率
を有する太陽電池が製造できないという問題点があっ
た。
によるＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池の製造方法では、蒸着
により堆積し、成長したＣｄＳ膜の抵抗が十分低くなら
ないため開放電圧Ｖｏｃが０．６５〜０．７０Ｖと低
く、また変換効率は７〜８％であり、十分高い変換効率
を有する太陽電池が製造できないという問題点があっ
た。
【０００５】またＣｄＳ膜の抵抗を下げるためにはＩｎ
等の不純物のＣｄＳ膜中へのドーピングが必要で、ドー
パントとなる物質の薄膜をＣｄＳ膜の蒸着の後に行いア
ニールを行ったり、ドーピング用蒸着源を別に用意して
同時に蒸着する等の複雑な工程が必要で、手間がかかる
という欠点があった。
等の不純物のＣｄＳ膜中へのドーピングが必要で、ドー
パントとなる物質の薄膜をＣｄＳ膜の蒸着の後に行いア
ニールを行ったり、ドーピング用蒸着源を別に用意して
同時に蒸着する等の複雑な工程が必要で、手間がかかる
という欠点があった。
【０００６】さらに従来技術におけるＣｄＳ膜の成長速
度は５０ｎｍ／ｍｉｎ以下であり、製造工程に要する時
間が長いという問題点があった。
度は５０ｎｍ／ｍｉｎ以下であり、製造工程に要する時
間が長いという問題点があった。
【０００７】上記問題点を鑑み、本発明はドーピングな
しで、簡単に低抵抗のＣｄＳ膜を成長することが可能
で、しかも高い変換効率を有した太陽電池が実現可能な
製造方法を提供することである。
しで、簡単に低抵抗のＣｄＳ膜を成長することが可能
で、しかも高い変換効率を有した太陽電池が実現可能な
製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明による太陽電池の製造方法は、図５に示す
ようなｎ型ＣｄＳ膜３とｐ型ＣｄＴｅ膜４とから成るｐ
ｎ接合を有する太陽電池の製造方法であって、ｎ型Ｃｄ
Ｓ膜３を基板温度３００〜３７０℃、蒸着速度０．１〜
１μｍ／ｍｉｎで真空蒸着する工程を含むことを第１の
特徴とする。好ましくは、基板温度は３５０℃が良い。
め、この発明による太陽電池の製造方法は、図５に示す
ようなｎ型ＣｄＳ膜３とｐ型ＣｄＴｅ膜４とから成るｐ
ｎ接合を有する太陽電池の製造方法であって、ｎ型Ｃｄ
Ｓ膜３を基板温度３００〜３７０℃、蒸着速度０．１〜
１μｍ／ｍｉｎで真空蒸着する工程を含むことを第１の
特徴とする。好ましくは、基板温度は３５０℃が良い。
【０００９】また本発明の第２の特徴は図１（ａ）〜
（ｆ）に示すように、以下の各工程を少なくとも含むこ
とである。すなわち、本発明の第２の特徴における製造
方法は、（イ）図１（ａ）〜（ｂ）に示すように、ガラ
ス基板等の絶縁性透明基板１上にＩＴＯ膜等の透明導電
層２を形成する第１工程、（ロ）図１（ｃ）に示すよう
に、透明導電層２の上部に基板温度３００〜３７０℃、
蒸着速度０．１〜１μｍ／ｍｉｎでｎ型ＣｄＳ膜を真空
蒸着する第２工程、（ハ）図１（ａ）に示すように、ｎ
型ＣｄＳ膜３の上部にｐ型ＣｄＴｅ膜４を形成する第３
工程、を少なくとも行うことである。第２工程における
基板温度は３５０℃が好ましい。第３工程の後は、従来
周知の表面処理、熱処理、メタライゼーション（金属電
極形成）工程を行い最終的には図５に示したような構造
を実現すればよいことはもちろんである。
（ｆ）に示すように、以下の各工程を少なくとも含むこ
とである。すなわち、本発明の第２の特徴における製造
方法は、（イ）図１（ａ）〜（ｂ）に示すように、ガラ
ス基板等の絶縁性透明基板１上にＩＴＯ膜等の透明導電
層２を形成する第１工程、（ロ）図１（ｃ）に示すよう
に、透明導電層２の上部に基板温度３００〜３７０℃、
蒸着速度０．１〜１μｍ／ｍｉｎでｎ型ＣｄＳ膜を真空
蒸着する第２工程、（ハ）図１（ａ）に示すように、ｎ
型ＣｄＳ膜３の上部にｐ型ＣｄＴｅ膜４を形成する第３
工程、を少なくとも行うことである。第２工程における
基板温度は３５０℃が好ましい。第３工程の後は、従来
周知の表面処理、熱処理、メタライゼーション（金属電
極形成）工程を行い最終的には図５に示したような構造
を実現すればよいことはもちろんである。
【００１０】上述した本発明の第１および第２の特徴に
おいて、最も重要なのはｎ型ＣｄＳ膜３の形成方法であ
り、蒸着時の基板温度と、その蒸着速度が最も重要であ
る。この点について以下に説明する。
おいて、最も重要なのはｎ型ＣｄＳ膜３の形成方法であ
り、蒸着時の基板温度と、その蒸着速度が最も重要であ
る。この点について以下に説明する。
【００１１】図２はｎ型ＣｄＳ膜の真空蒸着時の基板温
度とそのＣｄＳ膜の抵抗率の関係を示す。従来の基板温
度２００℃でＣｄＳ膜を成膜すると１０2 Ωｃｍ以上と
高い抵抗率であった。基板温度Ｔsub をさらに高い温度
にして、本発明の基板温度Ｔsub ＝３００〜３７０℃に
すれば抵抗率は５０Ωｃｍ以下となり、特にＴsub ＝３
５０℃にすることで抵抗率を２０Ωｃｍにまで低減でき
ることがわかる。抵抗率５０Ωｃｍ以下がほぼ実用にな
るＣｄＳ膜の抵抗率と言える。
度とそのＣｄＳ膜の抵抗率の関係を示す。従来の基板温
度２００℃でＣｄＳ膜を成膜すると１０2 Ωｃｍ以上と
高い抵抗率であった。基板温度Ｔsub をさらに高い温度
にして、本発明の基板温度Ｔsub ＝３００〜３７０℃に
すれば抵抗率は５０Ωｃｍ以下となり、特にＴsub ＝３
５０℃にすることで抵抗率を２０Ωｃｍにまで低減でき
ることがわかる。抵抗率５０Ωｃｍ以下がほぼ実用にな
るＣｄＳ膜の抵抗率と言える。
【００１２】図２は蒸着速度を０．１μｍ／ｍｉｎと一
定にした場合のデータであるが、Ｔsu b を３５０℃より
も高くし、Ｔsub ＝４００℃とすると再び抵抗率は１０
2 Ωｃｍ以上に増大することがわかる。したがってＴ
sub ＝３５０℃近傍の温度が最適であることがわかる。
定にした場合のデータであるが、Ｔsu b を３５０℃より
も高くし、Ｔsub ＝４００℃とすると再び抵抗率は１０
2 Ωｃｍ以上に増大することがわかる。したがってＴ
sub ＝３５０℃近傍の温度が最適であることがわかる。
【００１３】さらに、ＣｄＳ膜の透過率についても同様
に蒸着時の基板温度および蒸着速度に最適値が存在す
る。図３はｎ型ＣｄＳ膜の透過率の蒸着時の基板温度依
存性を示す。図３の蒸着速度は図２と同じく０．１μｍ
／ｍｉｎである。基板温度を高くすることで、透過率の
立ち上がりが短波長側にシフトしており、基板温度３５
０℃において最も高い透過率が得られることがわかる。
図４に示すように蒸着（成膜）速度が本発明の上限１μ
ｍ／ｍｉｎを超える値とすると開放電圧が低下し、変換
効率が５％以下に低下して好ましくない。また蒸着速度
を０．１μｍ／ｍｉｎ未満とすれば、開放電圧が低下
し、変換効率が８％以下となり好ましくない。したがっ
て、基板温度３００〜３７０℃で０．１〜１μｍ／ｍｉ
ｎの蒸着速度でｎ型ＣｄＳ膜を真空蒸着することにより
変換効率の向上と、製造工程時間の短縮が可能となる。
に蒸着時の基板温度および蒸着速度に最適値が存在す
る。図３はｎ型ＣｄＳ膜の透過率の蒸着時の基板温度依
存性を示す。図３の蒸着速度は図２と同じく０．１μｍ
／ｍｉｎである。基板温度を高くすることで、透過率の
立ち上がりが短波長側にシフトしており、基板温度３５
０℃において最も高い透過率が得られることがわかる。
図４に示すように蒸着（成膜）速度が本発明の上限１μ
ｍ／ｍｉｎを超える値とすると開放電圧が低下し、変換
効率が５％以下に低下して好ましくない。また蒸着速度
を０．１μｍ／ｍｉｎ未満とすれば、開放電圧が低下
し、変換効率が８％以下となり好ましくない。したがっ
て、基板温度３００〜３７０℃で０．１〜１μｍ／ｍｉ
ｎの蒸着速度でｎ型ＣｄＳ膜を真空蒸着することにより
変換効率の向上と、製造工程時間の短縮が可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１（ａ）〜（ｆ）は本発明の実
施の形態に係るＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池の製造工程を
示す図である。本発明の実施の形態においては、 （１）まず図１（ａ）に示すようにガラス基板、たとえ
ばコーニング７０５９基板１を用意し、このガラス基板
１を洗浄した後、スパッタリング法等によりＩＴＯ膜２
を図１（ｂ）に示すようにたとえば２００〜３００ｎｍ
形成する。
施の形態を説明する。図１（ａ）〜（ｆ）は本発明の実
施の形態に係るＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池の製造工程を
示す図である。本発明の実施の形態においては、 （１）まず図１（ａ）に示すようにガラス基板、たとえ
ばコーニング７０５９基板１を用意し、このガラス基板
１を洗浄した後、スパッタリング法等によりＩＴＯ膜２
を図１（ｂ）に示すようにたとえば２００〜３００ｎｍ
形成する。
【００１５】（２）３００℃〜３７０℃、好ましくは３
５０℃の基板温度において、ＩＴＯ膜２の上に、図１
（ｃ）に示すように、真空蒸着法により蒸着速度０．１
〜１μｍ／ｍｉｎでｎ型のＣｄＳ膜３を１００ｎｍ形成
する。この時の蒸着装置はＥＢ蒸着装置等の通常の装置
でよく、蒸着時の圧力は１．３×１０-3Ｐa 〜１．３×
１０-5Ｐa で行えばよい。
５０℃の基板温度において、ＩＴＯ膜２の上に、図１
（ｃ）に示すように、真空蒸着法により蒸着速度０．１
〜１μｍ／ｍｉｎでｎ型のＣｄＳ膜３を１００ｎｍ形成
する。この時の蒸着装置はＥＢ蒸着装置等の通常の装置
でよく、蒸着時の圧力は１．３×１０-3Ｐa 〜１．３×
１０-5Ｐa で行えばよい。
【００１６】（３）続いて、図１（ｄ）に示すように３
５０℃の基板温度において、真空蒸着法によりｐ型のＣ
ｄＴｅ膜４を３〜５μｍ形成する。ＣｄＳ膜３の真空蒸
着とＣｄＴｅ膜４の真空蒸着は同一チャンバー中で連続
的に行えばよい。
５０℃の基板温度において、真空蒸着法によりｐ型のＣ
ｄＴｅ膜４を３〜５μｍ形成する。ＣｄＳ膜３の真空蒸
着とＣｄＴｅ膜４の真空蒸着は同一チャンバー中で連続
的に行えばよい。
【００１７】（４）次に、上記ＣｄＴｅ膜／ＣｄＳ膜を
堆積したガラス基板１を塩化カドミウム（ＣｄＣｌ2 ）
含有メタノール（ＣＨ3 ＯＨ）溶液にディップさせ、自
然乾燥させ図１（ｅ）に示すようにＣｄＣｌ2 層４１を
形成し、Ｎ2 ＋Ｏ2 （４：１）雰囲気中又は空気中で３
８０℃〜４５０℃の間、好ましくは４００℃で１５分間
〜３０分間熱処理をすることによりＣｄＴｅ多結晶膜４
を形成する。ここでディップに用いる溶液はＣＨ3 ＯＨ
が１リットルに対しＣｄＣｌ2 を１．１ｇを攪拌しなが
ら溶かしたもの等を用いればよい。なお、メタノールの
かわりにエタノール（Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ）、あるいはプロパ
ノール（Ｃ3 Ｈ7 ＯＨ）を用いてもよい。
堆積したガラス基板１を塩化カドミウム（ＣｄＣｌ2 ）
含有メタノール（ＣＨ3 ＯＨ）溶液にディップさせ、自
然乾燥させ図１（ｅ）に示すようにＣｄＣｌ2 層４１を
形成し、Ｎ2 ＋Ｏ2 （４：１）雰囲気中又は空気中で３
８０℃〜４５０℃の間、好ましくは４００℃で１５分間
〜３０分間熱処理をすることによりＣｄＴｅ多結晶膜４
を形成する。ここでディップに用いる溶液はＣＨ3 ＯＨ
が１リットルに対しＣｄＣｌ2 を１．１ｇを攪拌しなが
ら溶かしたもの等を用いればよい。なお、メタノールの
かわりにエタノール（Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ）、あるいはプロパ
ノール（Ｃ3 Ｈ7 ＯＨ）を用いてもよい。
【００１８】（５）最後に、ＣｄＴｅ表面をＫ2 Ｃｒ2
Ｏ7 ＋Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏ溶液等の所定のエッチャント
によりスライトエッチングする等の前処理をした後、Ｃ
ｕを５〜１０ｎｍ、代表的には１０ｎｍの厚さに真空蒸
着法等により形成し、その後２００℃以下の基板温度で
３０分〜６０分間熱処理を行う。その後、Ｃｕを除去
し、図１（ｆ）に示すようにＡｕを真空蒸着法等により
１００〜３００ｎｍの厚さに形成し、又、透明導電層２
の上部にはＡｇ等の金属を蒸着し、所定のパターンに形
成し、さらにＨ2 ＋Ｏ2 雰囲気中又は空気中で所定のシ
ンタリングを行う。
Ｏ7 ＋Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏ溶液等の所定のエッチャント
によりスライトエッチングする等の前処理をした後、Ｃ
ｕを５〜１０ｎｍ、代表的には１０ｎｍの厚さに真空蒸
着法等により形成し、その後２００℃以下の基板温度で
３０分〜６０分間熱処理を行う。その後、Ｃｕを除去
し、図１（ｆ）に示すようにＡｕを真空蒸着法等により
１００〜３００ｎｍの厚さに形成し、又、透明導電層２
の上部にはＡｇ等の金属を蒸着し、所定のパターンに形
成し、さらにＨ2 ＋Ｏ2 雰囲気中又は空気中で所定のシ
ンタリングを行う。
【００１９】図４にＣｄＳ膜の蒸着速度（成膜速度）と
開放電圧Ｖoc、変換効率Ｅffの関係を示す。ここで見ら
れるように、従来技術における０．０５μｍ／ｍｉｎの
成膜速度よりも速度を速めることで、開放電圧の向上に
よる変換効率の向上が見られる。これは、ＣｄＳ膜の配
向によるものと考えられる。また成膜速度を１μｍ／ｍ
ｉｎ以上とすると開放電圧Ｖoc、変換効率Ｅffが低下す
ることがわかる。ＣｄＳの成膜速度は０．１〜１［μｍ
／ｍｉｎ］が最適であり、従来よりも数〜数十倍の速さ
で成膜できることから、工程速度を速めることができる
ことがわかる。
開放電圧Ｖoc、変換効率Ｅffの関係を示す。ここで見ら
れるように、従来技術における０．０５μｍ／ｍｉｎの
成膜速度よりも速度を速めることで、開放電圧の向上に
よる変換効率の向上が見られる。これは、ＣｄＳ膜の配
向によるものと考えられる。また成膜速度を１μｍ／ｍ
ｉｎ以上とすると開放電圧Ｖoc、変換効率Ｅffが低下す
ることがわかる。ＣｄＳの成膜速度は０．１〜１［μｍ
／ｍｉｎ］が最適であり、従来よりも数〜数十倍の速さ
で成膜できることから、工程速度を速めることができる
ことがわかる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ド
ーピングなしでも低い抵抗率のＣｄＳ膜を得ることがで
きるため、蒸着工程が簡単，容易となり生産性が向上す
る。
ーピングなしでも低い抵抗率のＣｄＳ膜を得ることがで
きるため、蒸着工程が簡単，容易となり生産性が向上す
る。
【００２１】また本発明によれば、太陽電池の開放電圧
Ｖocが向上し変換効率Ｅffの向上に効果が得られる。
Ｖocが向上し変換効率Ｅffの向上に効果が得られる。
【００２２】さらに本発明によれば、成膜速度が速まる
ことで工程速度も速くなり、太陽電池の生産性が向上す
る。
ことで工程速度も速くなり、太陽電池の生産性が向上す
る。
【図１】本発明の実施の形態に係る太陽電池の製造方法
を説明するための工程断面図である。
を説明するための工程断面図である。
【図２】ＣｄＳ膜蒸着時の基板温度と蒸着されたＣｄＳ
膜の抵抗率の関係を示す図である。
膜の抵抗率の関係を示す図である。
【図３】ＣｄＳ膜蒸着時の基板温度と蒸着されたＣｄＳ
の透過率の関係を示す図である。
の透過率の関係を示す図である。
【図４】ＣｄＳ膜の成膜速度（蒸着速度）と開放電圧、
変換効率との関係を示す図である。
変換効率との関係を示す図である。
【図５】ＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池の断面の概略を示す
模式図である。
模式図である。
１ ガラス基板 ２ 透明導電膜（ＩＴＯ膜） ３ ＣｄＳ膜 ４ ＣｄＴｅ多結晶膜 ５ Ａｕ電極 ６ Ｉｎ電極
Claims (2)
- 【請求項１】 ｎ型ＣｄＳ膜とｐ型ＣｄＴｅ膜とから成
るｐｎ接合を有する太陽電池の製造方法であって、 該ｎ型ＣｄＳ膜を基板温度３００〜３７０℃、蒸着速度
０．１〜１μｍ／ｍｉｎで真空蒸着する工程を含むこと
を特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】 次の各工程を少なくとも含むことを特徴
とする太陽電池の製造方法。 （イ）絶縁性透明基板上に透明導電層を形成する第１工
程、 （ロ）該透明導電層の上部に基板温度３００〜３７０
℃、蒸着速度０．１〜１μｍ／ｍｉｎでｎ型ＣｄＳ膜を
真空蒸着する第２工程、 （ハ）該ｎ型ＣｄＳ膜の上部にｐ型ＣｄＴｅ膜を形成す
る第３工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7226673A JPH0974210A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7226673A JPH0974210A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0974210A true JPH0974210A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16848869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7226673A Pending JPH0974210A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0974210A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012533187A (ja) * | 2009-07-13 | 2012-12-20 | ファースト ソーラー インコーポレイテッド | 太陽電池フロントコンタクトのドーピング |
| WO2014156597A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 光電変換素子用化合物半導体単結晶、光電変換素子、および光電変換素子用化合物半導体単結晶の製造方法 |
| CN117855338A (zh) * | 2024-03-04 | 2024-04-09 | 龙焱能源科技（杭州）有限公司 | 一种曲面薄膜太阳能电池及其制备方法 |
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1995
- 1995-09-04 JP JP7226673A patent/JPH0974210A/ja active Pending
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
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| US9362431B2 (en) | 2013-03-29 | 2016-06-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices, photoelectric conversion device, and production method for compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices |
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