JPH0973984A - エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法Info
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- JPH0973984A JPH0973984A JP7301637A JP30163795A JPH0973984A JP H0973984 A JPH0973984 A JP H0973984A JP 7301637 A JP7301637 A JP 7301637A JP 30163795 A JP30163795 A JP 30163795A JP H0973984 A JPH0973984 A JP H0973984A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルカリ土類金属チオガレート発光層を有す
るＥＬ素子において、アルカリ土類金属硫化物の成長を
抑止して発光色の純度を高める。 【解決手段】 ガラス基板１上に、ＩＴＯからなる第１
透明電極２が形成され、その上面にＳｉＯＮ（酸窒化珪
素）からなるバッファー層３ａ、ＳｒＴｉＯ3 からなる
絶縁層３、ＳｉＯＮからなるバッファー層３ｂ、発光中
心としてＣｅを添加したＣａＧａ2 Ｓ4 発光層４、Ｓｒ
ＴｉＯ3 からなる絶縁層５、ＩＴＯからなる第２透明電
極６が形成されている。ここで、バッファー層３ｂは発
光層４の結晶化温度において非晶質状態の絶縁材料であ
るため、発光層４の結晶化時にＣａＳの成長を抑制す
る。
るＥＬ素子において、アルカリ土類金属硫化物の成長を
抑止して発光色の純度を高める。 【解決手段】 ガラス基板１上に、ＩＴＯからなる第１
透明電極２が形成され、その上面にＳｉＯＮ（酸窒化珪
素）からなるバッファー層３ａ、ＳｒＴｉＯ3 からなる
絶縁層３、ＳｉＯＮからなるバッファー層３ｂ、発光中
心としてＣｅを添加したＣａＧａ2 Ｓ4 発光層４、Ｓｒ
ＴｉＯ3 からなる絶縁層５、ＩＴＯからなる第２透明電
極６が形成されている。ここで、バッファー層３ｂは発
光層４の結晶化温度において非晶質状態の絶縁材料であ
るため、発光層４の結晶化時にＣａＳの成長を抑制す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば計器類の時
発光型のセグメント表示やマトリクス表示、或いは各種
情報端末機器のディスプレイなどに使用されるエレクト
ロルミネッセンス（以下、ＥＬという）素子およびその
製造方法に関する。
発光型のセグメント表示やマトリクス表示、或いは各種
情報端末機器のディスプレイなどに使用されるエレクト
ロルミネッセンス（以下、ＥＬという）素子およびその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＥＬ素子は、絶縁性基板であるガ
ラス基板上に、光学的に透明なＩＴＯ膜からなる第１電
極、Ｔａ2 Ｏ5 （五酸化タンタル）等からなる第１絶縁
層、発光層、第２絶縁層およびＩＴＯ膜からなる第２電
極を順次積層して形成されている。
ラス基板上に、光学的に透明なＩＴＯ膜からなる第１電
極、Ｔａ2 Ｏ5 （五酸化タンタル）等からなる第１絶縁
層、発光層、第２絶縁層およびＩＴＯ膜からなる第２電
極を順次積層して形成されている。
【０００３】発光層としては、例えばＺｎＳ（硫化亜
鉛）を母体材料とし、発光中心としてＭｎ（マンガン）
やＴｂ（テルビウム）を添加したものや、ＳｒＳ（硫化
ストロンチウム）を母体材料とし、発光中心としてＣｅ
（セリウム）を添加したものが使用される。ＥＬ素子の
発光色は、ＺｎＳ中の添加物の種類によって決まり、例
えば発光中心としてＭｎを添加した場合には黄橙色、Ｔ
ｂを添加した場合には緑色の発光が得られる。また、Ｓ
ｒＳに発光中心としてＣｅを添加した場合には、青緑色
の発光色が得られる。
鉛）を母体材料とし、発光中心としてＭｎ（マンガン）
やＴｂ（テルビウム）を添加したものや、ＳｒＳ（硫化
ストロンチウム）を母体材料とし、発光中心としてＣｅ
（セリウム）を添加したものが使用される。ＥＬ素子の
発光色は、ＺｎＳ中の添加物の種類によって決まり、例
えば発光中心としてＭｎを添加した場合には黄橙色、Ｔ
ｂを添加した場合には緑色の発光が得られる。また、Ｓ
ｒＳに発光中心としてＣｅを添加した場合には、青緑色
の発光色が得られる。
【０００４】フルカラーＥＬ表示器を実現するために
は、赤色、緑色および青色の発光を呈するＥＬ発光層を
形成する必要がある。この中でも青色発光を呈するＥＬ
素子の発光層材料としては、一般にＳｒＳに発光中心と
してＣｅを添加したものが用いられている。しかし、こ
の発光層材料は本来青緑色の発光を呈するので、青色発
光のみを得るためには、発光スペクトルの緑色成分をカ
ットするフィルタを用いる必要がある。
は、赤色、緑色および青色の発光を呈するＥＬ発光層を
形成する必要がある。この中でも青色発光を呈するＥＬ
素子の発光層材料としては、一般にＳｒＳに発光中心と
してＣｅを添加したものが用いられている。しかし、こ
の発光層材料は本来青緑色の発光を呈するので、青色発
光のみを得るためには、発光スペクトルの緑色成分をカ
ットするフィルタを用いる必要がある。
【０００５】これに対し、例えば１９９３年ディスプレ
イ情報学会国際会議技術論文ダイジェストｐ７６１〜７
６４に示されているように、アルカリ土類金属チオガレ
ート（ＭＧａ2 Ｓ4 、Ｍ＝Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）を発光層
の母材とし、発光中心元素としてＣｅを添加したＥＬ素
子では、フィルタを用いることなく青色発光が得られ
る。
イ情報学会国際会議技術論文ダイジェストｐ７６１〜７
６４に示されているように、アルカリ土類金属チオガレ
ート（ＭＧａ2 Ｓ4 、Ｍ＝Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）を発光層
の母材とし、発光中心元素としてＣｅを添加したＥＬ素
子では、フィルタを用いることなく青色発光が得られ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述の論文に示されて
いるように、アルカリ土類金属チオガレートを発光層の
母材とし、発光中心元素としてＣｅを添加したＥＬ素子
の製造工程においては、６００℃以上の高温熱処理が必
要となっている。この発光層の結晶化熱処理工程におい
て、従来のＴａ2 Ｏ5 あるいはＳｉＴｉＯ3 （チタン酸
ストロンチウム）等の絶縁層を発光層の下側に用いた場
合、アルカリ土類金属硫化物（ＣａＳ、ＳｒＳ、Ｂａ
Ｓ）が成長して、ＥＬ発光色が変わってしまうという問
題がある。
いるように、アルカリ土類金属チオガレートを発光層の
母材とし、発光中心元素としてＣｅを添加したＥＬ素子
の製造工程においては、６００℃以上の高温熱処理が必
要となっている。この発光層の結晶化熱処理工程におい
て、従来のＴａ2 Ｏ5 あるいはＳｉＴｉＯ3 （チタン酸
ストロンチウム）等の絶縁層を発光層の下側に用いた場
合、アルカリ土類金属硫化物（ＣａＳ、ＳｒＳ、Ｂａ
Ｓ）が成長して、ＥＬ発光色が変わってしまうという問
題がある。
【０００７】具体的には、Ｃｅを添加したＣａＧａ2 Ｓ
4 （カルシウムチオガレート）の場合、ＣａＧａ
2 Ｓ4 ：Ｃｅ（カルシウムチオガレート：セリウム）発
光層本来の青色発光にＣａＳ：Ｃｅ（硫化カルシウム：
セリウム）の緑色発光が混ざってしまい青色純度を悪く
する。また、Ｃｅを添加したＳｒＧａ2 Ｓ4 （ストロン
チウムチオガレート）の場合には、ＳｒＧａ2 Ｓ4 ：Ｃ
ｅ（ストロンチウムチオガレート：セリウム）発光層本
来の青色発光にＳｒＳ：Ｃｅ（硫化ストロンチウム：セ
リウム）の青緑色発光が混ざり、この場合も青色純度を
悪くする。
4 （カルシウムチオガレート）の場合、ＣａＧａ
2 Ｓ4 ：Ｃｅ（カルシウムチオガレート：セリウム）発
光層本来の青色発光にＣａＳ：Ｃｅ（硫化カルシウム：
セリウム）の緑色発光が混ざってしまい青色純度を悪く
する。また、Ｃｅを添加したＳｒＧａ2 Ｓ4 （ストロン
チウムチオガレート）の場合には、ＳｒＧａ2 Ｓ4 ：Ｃ
ｅ（ストロンチウムチオガレート：セリウム）発光層本
来の青色発光にＳｒＳ：Ｃｅ（硫化ストロンチウム：セ
リウム）の青緑色発光が混ざり、この場合も青色純度を
悪くする。
【０００８】本発明は上記問題に鑑みたもので、アルカ
リ土類金属チオガレート発光層を有するＥＬ素子におい
て、アルカリ土類金属硫化物の成長を抑止して発光色の
純度を高めることを目的とする。
リ土類金属チオガレート発光層を有するＥＬ素子におい
て、アルカリ土類金属硫化物の成長を抑止して発光色の
純度を高めることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、アルカリ
土類金属硫化物の成長が、下地である絶縁層によるもの
であると考えた。従来のＴａ2 Ｏ5 あるいはＳｉＴｉＯ
3 等の絶縁層は、アルカリ土類金属チオガレート発光層
の結晶化温度において結晶質となっている。このため、
発光層の結晶化熱処理時に、下地の絶縁層が結晶質であ
ると、その効果によってアルカリ土類金属硫化物が成長
してしまい、このことによってＥＬ発光色が変わってし
まうことになる。
土類金属硫化物の成長が、下地である絶縁層によるもの
であると考えた。従来のＴａ2 Ｏ5 あるいはＳｉＴｉＯ
3 等の絶縁層は、アルカリ土類金属チオガレート発光層
の結晶化温度において結晶質となっている。このため、
発光層の結晶化熱処理時に、下地の絶縁層が結晶質であ
ると、その効果によってアルカリ土類金属硫化物が成長
してしまい、このことによってＥＬ発光色が変わってし
まうことになる。
【００１０】本発明者等は、このような考察を基に、下
地絶縁層を結晶質とした場合、アルカリ土類金属チオガ
レートとアルカリ土類金属硫化物のうちアルカリ土類金
属硫化物が成長しやすく、下地絶縁層を非晶質とした場
合には、アルカリ土類金属硫化物の成長が抑制され、ア
ルカリ土類金属チオガレートが成長しやすくなることを
確認した（後述する図３参照）。
地絶縁層を結晶質とした場合、アルカリ土類金属チオガ
レートとアルカリ土類金属硫化物のうちアルカリ土類金
属硫化物が成長しやすく、下地絶縁層を非晶質とした場
合には、アルカリ土類金属硫化物の成長が抑制され、ア
ルカリ土類金属チオガレートが成長しやすくなることを
確認した（後述する図３参照）。
【００１１】本発明は上記検討を基になされたものであ
り、請求項１に記載の発明においては、基板（１）上
に、第１電極（２）、第１絶縁層（３、３ａ、３ｂ）、
発光層（４）、第２絶縁層（５）および第２電極（６）
が積層形成されており、少なくとも前記発光層からの光
取り出し側が光学的に透明であるＥＬ素子において、前
記発光層は発光中心が添加されたアルカリ土類金属チオ
ガレート発光層であり、前記第１絶縁層は前記発光層の
結晶化温度において非晶質状態である絶縁材料からなる
バッファ層（３ｂ）を有し、このバッファ層の直上に前
記発光層が形成されていることを特徴としている。
り、請求項１に記載の発明においては、基板（１）上
に、第１電極（２）、第１絶縁層（３、３ａ、３ｂ）、
発光層（４）、第２絶縁層（５）および第２電極（６）
が積層形成されており、少なくとも前記発光層からの光
取り出し側が光学的に透明であるＥＬ素子において、前
記発光層は発光中心が添加されたアルカリ土類金属チオ
ガレート発光層であり、前記第１絶縁層は前記発光層の
結晶化温度において非晶質状態である絶縁材料からなる
バッファ層（３ｂ）を有し、このバッファ層の直上に前
記発光層が形成されていることを特徴としている。
【００１２】請求項２に記載の発明においては、基板
（１）上に、第１電極（２）、第１絶縁層（１３）、発
光層（１４）、第２絶縁層（１５）および第２電極
（６）が積層形成されており、少なくとも前記発光層か
らの光取り出し側が光学的に透明であるＥＬ素子におい
て、前記発光層は発光中心が添加されたアルカリ土類金
属チオガレート発光層であり、前記第１絶縁層は前記発
光層の結晶化温度において非晶質状態である絶縁材料に
て構成されており、前記第１絶縁層の直上に前記発光層
が形成されていることを特徴としている。
（１）上に、第１電極（２）、第１絶縁層（１３）、発
光層（１４）、第２絶縁層（１５）および第２電極
（６）が積層形成されており、少なくとも前記発光層か
らの光取り出し側が光学的に透明であるＥＬ素子におい
て、前記発光層は発光中心が添加されたアルカリ土類金
属チオガレート発光層であり、前記第１絶縁層は前記発
光層の結晶化温度において非晶質状態である絶縁材料に
て構成されており、前記第１絶縁層の直上に前記発光層
が形成されていることを特徴としている。
【００１３】請求項３に記載の発明では、請求項１又は
２に記載のＥＬ素子において、前記絶縁材料は、酸化ア
ルミニウム、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素から選ば
れた少なくとも１つを含むことを特徴としている。請求
項４に記載の発明では、請求項１又は２に記載のＥＬ素
子において、前記絶縁材料は、Ａｌ1-x Ｔｉx ＯY （但
し、０＜ｘ≦０．２）薄膜であることを特徴としてい
る。
２に記載のＥＬ素子において、前記絶縁材料は、酸化ア
ルミニウム、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素から選ば
れた少なくとも１つを含むことを特徴としている。請求
項４に記載の発明では、請求項１又は２に記載のＥＬ素
子において、前記絶縁材料は、Ａｌ1-x Ｔｉx ＯY （但
し、０＜ｘ≦０．２）薄膜であることを特徴としてい
る。
【００１４】請求項５に記載の発明においては、基板
（１）上に、第１電極（２）、第１絶縁層（３、３ａ、
３ｂ、１３）、発光層（４、１４）、第２絶縁層（５、
１５）および第２電極（６）を積層形成する工程を有
し、少なくとも前記発光層からの光取り出し側を光学的
に透明としたＥＬ素子の製造方法において、前記発光層
を形成する工程は、発光中心が添加されたアルカリ土類
金属チオガレート発光層を前記第１絶縁層の上に非晶質
状態で成膜した後、熱処理して結晶化させるものであ
り、前記第１絶縁層を形成する工程は、少なくとも表面
部分において、前記成膜した発光層の熱処理時にアルカ
リ土類金属硫化物の成長を抑制する絶縁材料を形成する
ものであることを特徴としている。
（１）上に、第１電極（２）、第１絶縁層（３、３ａ、
３ｂ、１３）、発光層（４、１４）、第２絶縁層（５、
１５）および第２電極（６）を積層形成する工程を有
し、少なくとも前記発光層からの光取り出し側を光学的
に透明としたＥＬ素子の製造方法において、前記発光層
を形成する工程は、発光中心が添加されたアルカリ土類
金属チオガレート発光層を前記第１絶縁層の上に非晶質
状態で成膜した後、熱処理して結晶化させるものであ
り、前記第１絶縁層を形成する工程は、少なくとも表面
部分において、前記成膜した発光層の熱処理時にアルカ
リ土類金属硫化物の成長を抑制する絶縁材料を形成する
ものであることを特徴としている。
【００１５】請求項６に記載の発明では、請求項５に記
載のＥＬ素子の製造方法において、前記絶縁材料とし
て、前記発光層の熱処理温度において非晶質状態である
材料を用いることを特徴としている。請求項７に記載の
発明においては、基板（１）上に第１電極（２）を形成
する工程と、この第１電極上に第１絶縁層（３、３ａ、
３ｂ）を形成する工程と、発光中心が添加されたアルカ
リ土類金属チオガレート発光層（４）を前記第１絶縁層
上に非晶質状態で成膜した後、熱処理して結晶化させる
工程と、前記アルカリ土類金属チオガレート発光層の上
に、第２絶縁層（５）および第２電極（６）を積層形成
する工程とを有し、前記第１絶縁層を形成する工程は、
前記発光層の熱処理時において非晶質状態である絶縁材
料からなるバッファ層（３ｂ）を表面に形成する工程を
有することを特徴としている。
載のＥＬ素子の製造方法において、前記絶縁材料とし
て、前記発光層の熱処理温度において非晶質状態である
材料を用いることを特徴としている。請求項７に記載の
発明においては、基板（１）上に第１電極（２）を形成
する工程と、この第１電極上に第１絶縁層（３、３ａ、
３ｂ）を形成する工程と、発光中心が添加されたアルカ
リ土類金属チオガレート発光層（４）を前記第１絶縁層
上に非晶質状態で成膜した後、熱処理して結晶化させる
工程と、前記アルカリ土類金属チオガレート発光層の上
に、第２絶縁層（５）および第２電極（６）を積層形成
する工程とを有し、前記第１絶縁層を形成する工程は、
前記発光層の熱処理時において非晶質状態である絶縁材
料からなるバッファ層（３ｂ）を表面に形成する工程を
有することを特徴としている。
【００１６】請求項８に記載の発明においては、基板
（１）上に第１電極（２）を形成する工程と、この第１
電極上に第１絶縁層（１３）を形成する工程と、発光中
心が添加されたアルカリ土類金属チオガレート発光層
（１４）を前記第１絶縁層上に非晶質状態で成膜した
後、熱処理して結晶化させる工程と、前記アルカリ土類
金属チオガレート発光層の上に、第２絶縁層（１５）お
よび第２電極（６）を積層形成する工程とを有し、前記
第１絶縁層を形成する工程は、前記発光層の熱処理時に
おいて非晶質状態である絶縁材料からなる絶縁層を形成
する工程であることを特徴としている。
（１）上に第１電極（２）を形成する工程と、この第１
電極上に第１絶縁層（１３）を形成する工程と、発光中
心が添加されたアルカリ土類金属チオガレート発光層
（１４）を前記第１絶縁層上に非晶質状態で成膜した
後、熱処理して結晶化させる工程と、前記アルカリ土類
金属チオガレート発光層の上に、第２絶縁層（１５）お
よび第２電極（６）を積層形成する工程とを有し、前記
第１絶縁層を形成する工程は、前記発光層の熱処理時に
おいて非晶質状態である絶縁材料からなる絶縁層を形成
する工程であることを特徴としている。
【００１７】請求項９に記載の発明では、請求項５乃至
８のいずれか１つに記載の発明において、前記絶縁材料
は、Ａｌ1-x Ｔｉx ＯY （但し、０＜ｘ≦０．２）薄膜
であることを特徴としている。請求項１０に記載の発明
では、請求項５乃至９のいずれか１つに記載のＥＬ素子
に製造方法において、前記発光層の熱処理温度が６１０
℃以上であることを特徴としている。
８のいずれか１つに記載の発明において、前記絶縁材料
は、Ａｌ1-x Ｔｉx ＯY （但し、０＜ｘ≦０．２）薄膜
であることを特徴としている。請求項１０に記載の発明
では、請求項５乃至９のいずれか１つに記載のＥＬ素子
に製造方法において、前記発光層の熱処理温度が６１０
℃以上であることを特徴としている。
【００１８】なお、上記各手段のカッコ内の符号は、後
述する実施例記載の具体的手段との対応関係を示すもの
である。
述する実施例記載の具体的手段との対応関係を示すもの
である。
【００１９】
【発明の作用効果】請求項１乃至４に記載の発明によれ
ば、アルカリ土類金属チオガレート発光層が、絶縁材料
からなる絶縁層（請求項１ではバッファ層、請求項２で
は第１絶縁層）上に形成されており、この絶縁層は発光
層の結晶化温度において非晶質状態のものである。従っ
て、発光層を結晶化させる時にアルカリ土類金属硫化物
の成長が抑制されるため、その発光色の純度を高めるこ
とができる。
ば、アルカリ土類金属チオガレート発光層が、絶縁材料
からなる絶縁層（請求項１ではバッファ層、請求項２で
は第１絶縁層）上に形成されており、この絶縁層は発光
層の結晶化温度において非晶質状態のものである。従っ
て、発光層を結晶化させる時にアルカリ土類金属硫化物
の成長が抑制されるため、その発光色の純度を高めるこ
とができる。
【００２０】請求項５乃至１０に記載の発明によれば、
そのようなＥＬ素子を製造することができる。なお、絶
縁材料としてＡｌ1-x Ｔｉx ＯY （但し、０＜ｘ≦０．
２）薄膜を用い、それを単層の第１絶縁層とした場合に
は、誘電率が非常に高いため、ＥＬ素子を低電圧駆動す
ることができる。
そのようなＥＬ素子を製造することができる。なお、絶
縁材料としてＡｌ1-x Ｔｉx ＯY （但し、０＜ｘ≦０．
２）薄膜を用い、それを単層の第１絶縁層とした場合に
は、誘電率が非常に高いため、ＥＬ素子を低電圧駆動す
ることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。 （第１実施形態）図１は本発明の第１実施形態に係る薄
膜ＥＬ素子１０の断面を示した模式図である。なお、図
１のＥＬ素子１０では、上下の矢印方向から光を取り出
している。
について説明する。 （第１実施形態）図１は本発明の第１実施形態に係る薄
膜ＥＬ素子１０の断面を示した模式図である。なお、図
１のＥＬ素子１０では、上下の矢印方向から光を取り出
している。
【００２２】ＥＬ素子１０は、絶縁性基板であるガラス
基板１上に、光学的に透明なＩＴＯからなる第１透明電
極２が形成され、その上面に光学的に透明なＳｉＯＮ
（酸窒化珪素）からなるバッファー層３ａ、ＳｒＴｉＯ
3 からなる絶縁層３、ＳｉＯＮからなるバッファー層３
ｂ、発光中心としてＣｅを添加したＣａＧａ2 Ｓ4 の多
結晶からなる発光層４、ＳｒＴｉＯ3 からなる絶縁層
５、ＩＴＯからなる第２透明電極６が形成されている。
なお、この第１実施形態においては、バッファー層３
ａ、絶縁層３、バッファー層３ｂにて第１絶縁層を構成
し、絶縁層５にて第２絶縁層を構成している。
基板１上に、光学的に透明なＩＴＯからなる第１透明電
極２が形成され、その上面に光学的に透明なＳｉＯＮ
（酸窒化珪素）からなるバッファー層３ａ、ＳｒＴｉＯ
3 からなる絶縁層３、ＳｉＯＮからなるバッファー層３
ｂ、発光中心としてＣｅを添加したＣａＧａ2 Ｓ4 の多
結晶からなる発光層４、ＳｒＴｉＯ3 からなる絶縁層
５、ＩＴＯからなる第２透明電極６が形成されている。
なお、この第１実施形態においては、バッファー層３
ａ、絶縁層３、バッファー層３ｂにて第１絶縁層を構成
し、絶縁層５にて第２絶縁層を構成している。
【００２３】各層の膜厚は、透明電極２、６がそれぞれ
３００ｎｍ、絶縁層３、５がそれぞれ６００ｎｍ、バッ
ファー層３ａ、３ｂがそれぞれ５０ｎｍ、発光層４が６
００ｎｍである。なお、これら各層の膜厚は、ガラス基
板１の中央の部分を基準として述べてある。次に、上述
の薄膜ＥＬ素子１０の製造方法を以下に述べる。
３００ｎｍ、絶縁層３、５がそれぞれ６００ｎｍ、バッ
ファー層３ａ、３ｂがそれぞれ５０ｎｍ、発光層４が６
００ｎｍである。なお、これら各層の膜厚は、ガラス基
板１の中央の部分を基準として述べてある。次に、上述
の薄膜ＥＬ素子１０の製造方法を以下に述べる。
【００２４】まず、ガラス基板１上にＩＴＯからなる第
１透明電極２をスパッタ法で成膜する。次に、第１透明
電極２上に、ＳｉＯＮからなるバッファー層３ａをスパ
ッタ法により形成する。さらに、その上にＳｒＴｉＯ3
からなる絶縁層３をスパッタ法により形成する。具体的
には、ガラス基板１の温度を一定に保持し、スパッタ装
置内にＡｒとＯ2 （酸素）の混合ガスを導入し、スパッ
タターゲットにＳｒＴｉＯ3 焼結体を用いて１ｋＷの高
周波電力で成膜を行う。
１透明電極２をスパッタ法で成膜する。次に、第１透明
電極２上に、ＳｉＯＮからなるバッファー層３ａをスパ
ッタ法により形成する。さらに、その上にＳｒＴｉＯ3
からなる絶縁層３をスパッタ法により形成する。具体的
には、ガラス基板１の温度を一定に保持し、スパッタ装
置内にＡｒとＯ2 （酸素）の混合ガスを導入し、スパッ
タターゲットにＳｒＴｉＯ3 焼結体を用いて１ｋＷの高
周波電力で成膜を行う。
【００２５】このとき、バッファー層３ａを形成したこ
とによって、第１透明電極２のＩＴＯと絶縁層３のＳｒ
ＴｉＯ3 間の拡散による第１透明電極２の抵抗上昇、黒
化を防止することができる。絶縁層３の別の形成方法と
してゾルゲル法を用いてもよい。具体的には、Ｓｒ（ス
トロンチウム）の材料としてナフテン酸スロトンチウ
ム、Ｔｉ（チタン）の材料として（Ｃ4 Ｈ9 Ｏ）4 Ｔｉ
（ブトキシチタン）を用いて、それぞれＣ4 Ｈ 9 ＯＨ
（ブタノール）で１０％に希釈した溶液を混合後、ガラ
ス基板上に塗布し、乾燥後４５０℃で焼成することによ
って、透明なＳｒＴｉＯ3 絶縁層３が形成できる。
とによって、第１透明電極２のＩＴＯと絶縁層３のＳｒ
ＴｉＯ3 間の拡散による第１透明電極２の抵抗上昇、黒
化を防止することができる。絶縁層３の別の形成方法と
してゾルゲル法を用いてもよい。具体的には、Ｓｒ（ス
トロンチウム）の材料としてナフテン酸スロトンチウ
ム、Ｔｉ（チタン）の材料として（Ｃ4 Ｈ9 Ｏ）4 Ｔｉ
（ブトキシチタン）を用いて、それぞれＣ4 Ｈ 9 ＯＨ
（ブタノール）で１０％に希釈した溶液を混合後、ガラ
ス基板上に塗布し、乾燥後４５０℃で焼成することによ
って、透明なＳｒＴｉＯ3 絶縁層３が形成できる。
【００２６】次に、上記絶縁層３上に、バッファー層３
ａと同様の方法でＳｉＯＮからなるバッファー層３ｂを
形成する。その上に、ＣａＧａ2 Ｓ4 を母体材料とし、
発光中心としてＣｅを添加したＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発
光層４をスパッタ法を用いて形成する。具体的には、上
記ガラス基板１を３００℃の一定温度に保持し、成膜室
内にＡｒに２０ｍｏｌ％の割合でＨ2 Ｓ（硫化水素）を
混合したガスを導入し、３００Ｗの高周波電力で成膜を
行う。このとき、スパッタターゲットには、Ｃｅを添加
したＣａＧａ2 Ｓ4焼結体を用いる。
ａと同様の方法でＳｉＯＮからなるバッファー層３ｂを
形成する。その上に、ＣａＧａ2 Ｓ4 を母体材料とし、
発光中心としてＣｅを添加したＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発
光層４をスパッタ法を用いて形成する。具体的には、上
記ガラス基板１を３００℃の一定温度に保持し、成膜室
内にＡｒに２０ｍｏｌ％の割合でＨ2 Ｓ（硫化水素）を
混合したガスを導入し、３００Ｗの高周波電力で成膜を
行う。このとき、スパッタターゲットには、Ｃｅを添加
したＣａＧａ2 Ｓ4焼結体を用いる。
【００２７】次に、発光層４を、２０ｍｏｌ％の割合で
Ｈ2 Ｓを含むＡｒ雰囲気中で、６５０℃の結晶化温度で
５分間熱処理する。この結果、上記スパッタ成膜直後に
は非晶質で発光を示さなかったＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発
光層４が、結晶化し、発光を示すようになる。なお、こ
の結晶化熱処理工程において、第１透明電極２をガラス
マスクで固定し、第１透明電極２が露出しないようにマ
スキングする。このことによって、第１透明電極２のＩ
ＴＯとＨ2 Ｓの反応を防ぐことができる。また、この熱
処理時においても、バッファー層３ａによって第１透明
電極２ー絶縁層３間の拡散を防止することができる。
Ｈ2 Ｓを含むＡｒ雰囲気中で、６５０℃の結晶化温度で
５分間熱処理する。この結果、上記スパッタ成膜直後に
は非晶質で発光を示さなかったＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発
光層４が、結晶化し、発光を示すようになる。なお、こ
の結晶化熱処理工程において、第１透明電極２をガラス
マスクで固定し、第１透明電極２が露出しないようにマ
スキングする。このことによって、第１透明電極２のＩ
ＴＯとＨ2 Ｓの反応を防ぐことができる。また、この熱
処理時においても、バッファー層３ａによって第１透明
電極２ー絶縁層３間の拡散を防止することができる。
【００２８】次に、上記発光層４上に、ＳｒＴｉＯ3 か
らなる絶縁層５を上述の絶縁層３と同様の方法で形成す
る。そして、ＩＴＯからなる第２透明電極６を、上述の
第１透明電極２と同様の方法により、絶縁層５上に形成
する。上記した製造方法において、バッファー層３ｂ
は、発光層４の結晶化熱処理時にＣａＳが成長するのを
抑制している。このことをＸ線回折スペクトルにより説
明する。
らなる絶縁層５を上述の絶縁層３と同様の方法で形成す
る。そして、ＩＴＯからなる第２透明電極６を、上述の
第１透明電極２と同様の方法により、絶縁層５上に形成
する。上記した製造方法において、バッファー層３ｂ
は、発光層４の結晶化熱処理時にＣａＳが成長するのを
抑制している。このことをＸ線回折スペクトルにより説
明する。
【００２９】図２に、バッファ層３ｂを形成せずに発光
層４を結晶化させた場合のＸ線回折スペクトルを示す。
ＳｒＴｉＯ3 絶縁層３のピークが見られるが、同時にＣ
ａＳのピークも見られる。これに対し、バッファ層３ｂ
を形成した本実施形態におけるＸ線回折スペクトルで
は、図３に示すように、ＣａＳのピークが見られず、Ｃ
ａＧａ2 Ｓ4 のピークが見られる。
層４を結晶化させた場合のＸ線回折スペクトルを示す。
ＳｒＴｉＯ3 絶縁層３のピークが見られるが、同時にＣ
ａＳのピークも見られる。これに対し、バッファ層３ｂ
を形成した本実施形態におけるＸ線回折スペクトルで
は、図３に示すように、ＣａＳのピークが見られず、Ｃ
ａＧａ2 Ｓ4 のピークが見られる。
【００３０】なお、バッファー層３ａ、３ｂとしては、
ＳｉＯＮの他に、Ａｌ2 Ｏ3 （酸化アルミニウム）、Ｓ
ｉＯ2 （酸化珪素）、ＳｉＮ（窒化珪素）を用いること
ができる。 （第２実施形態）図４に本発明の第２実施形態に係るＥ
Ｌ素子１０の断面模式構成を示す。
ＳｉＯＮの他に、Ａｌ2 Ｏ3 （酸化アルミニウム）、Ｓ
ｉＯ2 （酸化珪素）、ＳｉＮ（窒化珪素）を用いること
ができる。 （第２実施形態）図４に本発明の第２実施形態に係るＥ
Ｌ素子１０の断面模式構成を示す。
【００３１】この第２実施形態においては、バッファー
層３ａ、３ｂをなくし絶縁層１３、１５をＳｉＯＮで形
成するとともに、Ｃｅを発光中心として添加したＳｒＧ
ａＳ 4 にて発光層１４を構成している。この第２実施形
態におけるＥＬ素子１０の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板１上にＩＴＯからなる第１電極２、お
よびＳｉＯＮからなる第１絶縁層１３をスパッタ法によ
り形成する。
層３ａ、３ｂをなくし絶縁層１３、１５をＳｉＯＮで形
成するとともに、Ｃｅを発光中心として添加したＳｒＧ
ａＳ 4 にて発光層１４を構成している。この第２実施形
態におけるＥＬ素子１０の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板１上にＩＴＯからなる第１電極２、お
よびＳｉＯＮからなる第１絶縁層１３をスパッタ法によ
り形成する。
【００３２】次に、第１絶縁層１３上に、ＳｒＧａＳ4
を発光母材とし、発光中心としてＣｅを添加したＳｒＧ
ａＳ4 ：Ｃｅ発光層１４を、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相
成長）法により形成する。具体的には、ガラス基板１を
５５０℃の一定温度に保持し、成膜室内を減圧雰囲気下
にした後、Ａｒをキャリアガスに用いてＳｒ（Ｃ11Ｈ20
Ｏ2 ）2 （ジピバロイルメタン化ストロンチウム）と、
同様にＡｒキャリアガスを用いてＧａ（Ｃ 2 Ｈ5 ）
3 （トリエチルガリウム）、またＡｒガスで希釈したＨ
2 Ｓを成膜室に導入する。さらに、発光中心元素を添加
するために、Ａｒキャリアガス中にＣｅ（Ｃ11Ｈ
20Ｏ2 ）3 （ジピバイロイルメタン化セリウム）を蒸発
させ、これを成膜室に供給する。そして、これらの原料
ガスを反応及び熱分解させることによって、ＳｒＧａＳ
4 ：Ｃｅ発光層１４を形成する。この時も、透明電極と
Ｈ2 Ｓの反応を防止するために、成膜時に第１透明電極
２が露出しないガラスマスクを用いる。
を発光母材とし、発光中心としてＣｅを添加したＳｒＧ
ａＳ4 ：Ｃｅ発光層１４を、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相
成長）法により形成する。具体的には、ガラス基板１を
５５０℃の一定温度に保持し、成膜室内を減圧雰囲気下
にした後、Ａｒをキャリアガスに用いてＳｒ（Ｃ11Ｈ20
Ｏ2 ）2 （ジピバロイルメタン化ストロンチウム）と、
同様にＡｒキャリアガスを用いてＧａ（Ｃ 2 Ｈ5 ）
3 （トリエチルガリウム）、またＡｒガスで希釈したＨ
2 Ｓを成膜室に導入する。さらに、発光中心元素を添加
するために、Ａｒキャリアガス中にＣｅ（Ｃ11Ｈ
20Ｏ2 ）3 （ジピバイロイルメタン化セリウム）を蒸発
させ、これを成膜室に供給する。そして、これらの原料
ガスを反応及び熱分解させることによって、ＳｒＧａＳ
4 ：Ｃｅ発光層１４を形成する。この時も、透明電極と
Ｈ2 Ｓの反応を防止するために、成膜時に第１透明電極
２が露出しないガラスマスクを用いる。
【００３３】次に、発光層１４上に、ＳｉＯＮからなる
第２絶縁層１５を第１絶縁層１３と同様の方法で形成す
る。そして、ＩＴＯ膜からなる第２透明電極６を、第１
透明電極２と同様の方法で形成する。この第２実施形態
の場合、第１絶縁層１３をＳｉＯＮで形成しているか
ら、第１実施形態のように、バッファー層３ｂを設けな
くても、第１絶縁層１３のみで、ＳｒＳの成長を防止す
ることができるので、絶縁層を薄くすることができ、さ
らに駆動電圧を低くすることができるという効果を有す
る。
第２絶縁層１５を第１絶縁層１３と同様の方法で形成す
る。そして、ＩＴＯ膜からなる第２透明電極６を、第１
透明電極２と同様の方法で形成する。この第２実施形態
の場合、第１絶縁層１３をＳｉＯＮで形成しているか
ら、第１実施形態のように、バッファー層３ｂを設けな
くても、第１絶縁層１３のみで、ＳｒＳの成長を防止す
ることができるので、絶縁層を薄くすることができ、さ
らに駆動電圧を低くすることができるという効果を有す
る。
【００３４】なお、この第２実施形態における各層の膜
厚は、第１、第２透明電極２、６がそれぞれ３００ｎ
ｍ、第１、第２絶縁層１３、１５がそれぞれ１５０ｎ
ｍ、発光層１４が６００ｎｍである。 （第３実施形態）この第３実施形態は、上記第１実施形
態における第１絶縁層を、Ａｌ1-x Ｔｉ x ＯY で表され
る薄膜にて形成したものである。
厚は、第１、第２透明電極２、６がそれぞれ３００ｎ
ｍ、第１、第２絶縁層１３、１５がそれぞれ１５０ｎ
ｍ、発光層１４が６００ｎｍである。 （第３実施形態）この第３実施形態は、上記第１実施形
態における第１絶縁層を、Ａｌ1-x Ｔｉ x ＯY で表され
る薄膜にて形成したものである。
【００３５】このものの製造方法について説明する。ガ
ラス基板１上にＩＴＯからなる第１透明電極を形成した
後、原子層エピタキシャル法（ＡＬＥ法）を用いて、ア
ルミニウムに対するチタンの割合が１０％になるよう
に、Ａｌ1-x Ｔｉx ＯY 薄膜を形成する。具体的には、
ガラス基板１を原子層エピタキシャル装置内において基
板温度を４００℃に保持し、第１のステップとして、ア
ルミニウムの材料ガスとしてＡｌ（ＣＨ3 ）3 （トリメ
チルアルミニウム）、チタンの材料ガスとしてＴｉ（ｉ
−ＯＣ3 Ｈ7 ）4 （テトライソプロポキシチタン）をそ
れぞれＡｒをキャリアガスとして装置内に導入する。こ
の時、それぞれの材料ガスの蒸気量を調整することによ
って、アルミニウムに対するチタンの割合を１０％にす
る。
ラス基板１上にＩＴＯからなる第１透明電極を形成した
後、原子層エピタキシャル法（ＡＬＥ法）を用いて、ア
ルミニウムに対するチタンの割合が１０％になるよう
に、Ａｌ1-x Ｔｉx ＯY 薄膜を形成する。具体的には、
ガラス基板１を原子層エピタキシャル装置内において基
板温度を４００℃に保持し、第１のステップとして、ア
ルミニウムの材料ガスとしてＡｌ（ＣＨ3 ）3 （トリメ
チルアルミニウム）、チタンの材料ガスとしてＴｉ（ｉ
−ＯＣ3 Ｈ7 ）4 （テトライソプロポキシチタン）をそ
れぞれＡｒをキャリアガスとして装置内に導入する。こ
の時、それぞれの材料ガスの蒸気量を調整することによ
って、アルミニウムに対するチタンの割合を１０％にす
る。
【００３６】第２のステップとして、アルミニウムとチ
タンの供給を停止し、Ａｒのみを装置内に導入した後に
Ｏ2 を装置内に導入する。そのＯ2 の導入を停止し、Ａ
ｒのみを導入した後に第１のステップに戻り、これらの
ステップを繰り返すことにより、Ａｌ1-x Ｔｉx ＯY 薄
膜を形成する。この後は、第１実施形態と同様に、Ｃａ
Ｇａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層４を形成し、６５０℃の結晶化
温度で５分間熱処理してＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層４
を結晶化し、その上にＳｒＴｉＯ3 からなる第２絶縁層
５および第２透明電極６を形成する。
タンの供給を停止し、Ａｒのみを装置内に導入した後に
Ｏ2 を装置内に導入する。そのＯ2 の導入を停止し、Ａ
ｒのみを導入した後に第１のステップに戻り、これらの
ステップを繰り返すことにより、Ａｌ1-x Ｔｉx ＯY 薄
膜を形成する。この後は、第１実施形態と同様に、Ｃａ
Ｇａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層４を形成し、６５０℃の結晶化
温度で５分間熱処理してＣａＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ発光層４
を結晶化し、その上にＳｒＴｉＯ3 からなる第２絶縁層
５および第２透明電極６を形成する。
【００３７】上記のようにして形成されたＡｌ1-x Ｔｉ
x ＯY 薄膜は、発光層４の結晶化熱処理時に結晶化して
おらず、第１実施形態と同様、Ｘ線回折スペクトルを用
いて調べたところ、ＣａＳの成長を抑制していることが
確認できた。また、本実施形態により作成されたＥＬ素
子の発光特性を評価したところ、発光色のＣＩＥ色度座
標は（０．１４，０．１９）となり、青色純度の良い発
光色が得られた。
x ＯY 薄膜は、発光層４の結晶化熱処理時に結晶化して
おらず、第１実施形態と同様、Ｘ線回折スペクトルを用
いて調べたところ、ＣａＳの成長を抑制していることが
確認できた。また、本実施形態により作成されたＥＬ素
子の発光特性を評価したところ、発光色のＣＩＥ色度座
標は（０．１４，０．１９）となり、青色純度の良い発
光色が得られた。
【００３８】図５（ａ）（ｂ）に、Ａｌ1-x Ｔｉx ＯY
薄膜のアルミニウムに対するチタンの割合を変化させた
時のＣＩＥ色度座標のＸ、Ｙ値を示す。この図から、Ａ
ｌ1- x Ｔｉx ＯY 薄膜におけるｘの範囲が０．２以下の
場合には、青色純度が良好であることが分かる。また、
ｘの範囲が０．２を超える領域では、青色純度が低下し
ている。これは、発光層４の結晶化熱処理時にＡｌ1-x
Ｔｉx ＯY 薄膜が結晶化し、発光層中にＣａＳが生成さ
れているためである。
薄膜のアルミニウムに対するチタンの割合を変化させた
時のＣＩＥ色度座標のＸ、Ｙ値を示す。この図から、Ａ
ｌ1- x Ｔｉx ＯY 薄膜におけるｘの範囲が０．２以下の
場合には、青色純度が良好であることが分かる。また、
ｘの範囲が０．２を超える領域では、青色純度が低下し
ている。これは、発光層４の結晶化熱処理時にＡｌ1-x
Ｔｉx ＯY 薄膜が結晶化し、発光層中にＣａＳが生成さ
れているためである。
【００３９】なお、Ａｌ1-x Ｔｉx ＯY 薄膜は、第１実
施形態のようにバッファ層３ｂとして用いることもでき
るが、Ａｌ1-x Ｔｉx ＯY 薄膜の誘電率が第２実施形態
のＳｉＯＮに比べて１桁以上も高いため、上記実施形態
に示すように単層で第１絶縁層を形成すれば、ＥＬ素子
を第２実施形態よりもさらに低電圧で駆動することがで
きる。
施形態のようにバッファ層３ｂとして用いることもでき
るが、Ａｌ1-x Ｔｉx ＯY 薄膜の誘電率が第２実施形態
のＳｉＯＮに比べて１桁以上も高いため、上記実施形態
に示すように単層で第１絶縁層を形成すれば、ＥＬ素子
を第２実施形態よりもさらに低電圧で駆動することがで
きる。
【００４０】また、上記した種々の実施形態では、発光
層４の結晶化温度を６５０℃としたが、６１０℃以上で
あれば、高輝度のＥＬ素子を得ることができる。
層４の結晶化温度を６５０℃としたが、６１０℃以上で
あれば、高輝度のＥＬ素子を得ることができる。
【図１】本発明の第１実施形態に係るＥＬ素子１０の断
面を示した模式図である。
面を示した模式図である。
【図２】バッファ層を形成しない場合のＸ線回折スペク
トルを示す図である。
トルを示す図である。
【図３】バッファ層を形成した場合のＸ線回折スペクト
ルを示す図である。
ルを示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係るＥＬ素子１０の断
面を示した模式図である。
面を示した模式図である。
【図５】Ａｌ1-x Ｔｉx ＯY 薄膜のアルミニウムに対す
るチタンの割合を変化させた時のＣＩＥ色度座標値を示
す図である。
るチタンの割合を変化させた時のＣＩＥ色度座標値を示
す図である。
１…ガラス基板、２…第１透明電極、３…絶縁層、３
ａ、３ｂ…バッファ層、４…発光層、５…第２絶縁層、
６…第２透明電極。
ａ、３ｂ…バッファ層、４…発光層、５…第２絶縁層、
６…第２透明電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 服部 正 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上に、第１電極、第１絶縁層、発光
層、第２絶縁層および第２電極が積層形成されており、
少なくとも前記発光層からの光取り出し側が光学的に透
明であるエレクトロルミネッセンス素子において、 前記発光層は発光中心が添加されたアルカリ土類金属チ
オガレート発光層であり、前記第１絶縁層は前記発光層
の結晶化温度において非晶質状態である絶縁材料からな
るバッファ層を有し、このバッファ層の直上に前記発光
層が形成されていることを特徴とするエレクトロルミネ
ッセンス素子。 - 【請求項２】 基板上に、第１電極、第１絶縁層、発光
層、第２絶縁層および第２電極が積層形成されており、
少なくとも前記発光層からの光取り出し側が光学的に透
明であるエレクトロルミネッセンス素子において、 前記発光層は発光中心が添加されたアルカリ土類金属チ
オガレート発光層であり、前記第１絶縁層は前記発光層
の結晶化温度において非晶質状態である絶縁材料にて構
成されており、前記第１絶縁層の直上に前記発光層が形
成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセン
ス素子。 - 【請求項３】 前記絶縁材料は、酸化アルミニウム、窒
化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素から選ばれた少なくとも
１つを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のエ
レクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項４】 前記絶縁材料は、Ａｌ1-x Ｔｉx Ｏ
Y （但し、０＜ｘ≦０．２）薄膜であることを特徴とす
る請求項１又は２に記載のエレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項５】 基板上に、第１電極、第１絶縁層、発光
層、第２絶縁層および第２電極を積層形成する工程を有
し、少なくとも前記発光層からの光取り出し側を光学的
に透明としたエレクトロルミネッセンス素子の製造方法
において、 前記発光層を形成する工程は、発光中心が添加されたア
ルカリ土類金属チオガレート発光層を前記第１絶縁層の
上に非晶質状態で成膜した後、熱処理して結晶化させる
ものであり、 前記第１絶縁層を形成する工程は、少なくとも表面部分
において、前記成膜した発光層の熱処理時にアルカリ土
類金属硫化物の成長を抑制する絶縁材料を形成するもの
であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子
の製造方法。 - 【請求項６】 前記絶縁材料として、前記発光層の熱処
理温度において非晶質状態である材料を用いることを特
徴とする請求項５に記載のエレクトロルミネッセンス素
子の製造方法。 - 【請求項７】 基板上に第１電極を形成する工程と、 この第１電極上に第１絶縁層を形成する工程と、 発光中心が添加されたアルカリ土類金属チオガレート発
光層を前記第１絶縁層上に非晶質状態で成膜した後、熱
処理して結晶化させる工程と、 前記アルカリ土類金属チオガレート発光層の上に、第２
絶縁層および第２電極を積層形成する工程とを有し、 前記第１絶縁層を形成する工程は、前記発光層の熱処理
時において非晶質状態である絶縁材料からなるバッファ
層を表面に形成する工程を有することを特徴とするエレ
クトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項８】 基板上に第１電極を形成する工程と、 この第１電極上に第１絶縁層を形成する工程と、 発光中心が添加されたアルカリ土類金属チオガレート発
光層を前記第１絶縁層上に非晶質状態で成膜した後、熱
処理して結晶化させる工程と、 前記アルカリ土類金属チオガレート発光層の上に、第２
絶縁層および第２電極を積層形成する工程とを有し、 前記第１絶縁層を形成する工程は、前記発光層の熱処理
時において非晶質状態である絶縁材料からなる絶縁層を
形成する工程であることを特徴とするエレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記絶縁材料は、Ａｌ1-x Ｔｉx Ｏ
Y （但し、０＜ｘ≦０．２）薄膜であることを特徴とす
る請求項５乃至８のいずれか１つに記載のエレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記発光層の熱処理温度が６１０℃以
上であることを特徴とする請求項５乃至９のいずれか１
つに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7301637A JPH0973984A (ja) | 1995-07-03 | 1995-11-20 | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16733295 | 1995-07-03 | ||
| JP7-167332 | 1995-07-03 | ||
| JP7301637A JPH0973984A (ja) | 1995-07-03 | 1995-11-20 | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0973984A true JPH0973984A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=26491406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7301637A Pending JPH0973984A (ja) | 1995-07-03 | 1995-11-20 | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0973984A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246180A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Tdk Corp | Ｅｌ素子 |
-
1995
- 1995-11-20 JP JP7301637A patent/JPH0973984A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246180A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Tdk Corp | Ｅｌ素子 |
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