JPH0971881A - 基板表面に凹凸を形成する方法 - Google Patents
基板表面に凹凸を形成する方法Info
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- JPH0971881A JPH0971881A JP7226339A JP22633995A JPH0971881A JP H0971881 A JPH0971881 A JP H0971881A JP 7226339 A JP7226339 A JP 7226339A JP 22633995 A JP22633995 A JP 22633995A JP H0971881 A JPH0971881 A JP H0971881A
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＬＤおよびＤＶＤ等の記
録媒体に必要な基板表面の凹凸を基板に形成する方法を
提供する。 【解決手段】基板表面に金属膜を被覆し、その後フオト
レジストで所定形状に隠ぺいされない金属膜を化学湿式
化学エッチングにより除去し、金属膜を除去した部分の
基板表面に珪フッ化水素酸溶液から二酸化珪素膜を析出
させ、その後フオトレジストを除去する。このとき金属
膜は、その厚み方向のエッチングレートを基板側で大き
くなるようにしておく。
録媒体に必要な基板表面の凹凸を基板に形成する方法を
提供する。 【解決手段】基板表面に金属膜を被覆し、その後フオト
レジストで所定形状に隠ぺいされない金属膜を化学湿式
化学エッチングにより除去し、金属膜を除去した部分の
基板表面に珪フッ化水素酸溶液から二酸化珪素膜を析出
させ、その後フオトレジストを除去する。このとき金属
膜は、その厚み方向のエッチングレートを基板側で大き
くなるようにしておく。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板表面に凹凸を形成
する方法に関し、とりわけＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＬＤお
よびＤＶＤ等の記録メデイアに必要な表面凹凸を好適に
形成する方法に関する。
する方法に関し、とりわけＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＬＤお
よびＤＶＤ等の記録メデイアに必要な表面凹凸を好適に
形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年盛んに市場に投入されているＣＤ−
ＲＯＭやＤＶＤ（デジタルビデオデイスク）に代表され
る記録メデイアには、基板表面に直接微視的な表面凹凸
がその必要に応じた形で形成される。これらの凹凸は種
々な方法で形成されるが、マザー基板などの寸法精度が
要求される基板においては、フオトリソグラフイを用い
た微細加工を基板に行って作成するのが一般的である。
ここで必要な凹凸のパターンのピッチは１〜３μｍ程度
と非常に微小であり、このため紫外線露光や電子ビーム
露光を用いて、必要なパターンをレジストに転写し、そ
の後エッチング等で加工していた。
ＲＯＭやＤＶＤ（デジタルビデオデイスク）に代表され
る記録メデイアには、基板表面に直接微視的な表面凹凸
がその必要に応じた形で形成される。これらの凹凸は種
々な方法で形成されるが、マザー基板などの寸法精度が
要求される基板においては、フオトリソグラフイを用い
た微細加工を基板に行って作成するのが一般的である。
ここで必要な凹凸のパターンのピッチは１〜３μｍ程度
と非常に微小であり、このため紫外線露光や電子ビーム
露光を用いて、必要なパターンをレジストに転写し、そ
の後エッチング等で加工していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術においては、たとえば微細な溝を基板のエッチング
により形成すると、その断面形状は、図１に示すような
カマボコ状になり、Ｖ字型や台形型の断面形状を得るこ
とは非常に困難であった。本発明は、従来技術では困難
であった基板表面のたとえば溝状凹凸の断面をＶ字型や
台形型に制御して形成し得る方法、すなわち高記録密度
メデイア等に要求される表面凹凸形状を容易に形成する
方法を提供することを目的とする。
技術においては、たとえば微細な溝を基板のエッチング
により形成すると、その断面形状は、図１に示すような
カマボコ状になり、Ｖ字型や台形型の断面形状を得るこ
とは非常に困難であった。本発明は、従来技術では困難
であった基板表面のたとえば溝状凹凸の断面をＶ字型や
台形型に制御して形成し得る方法、すなわち高記録密度
メデイア等に要求される表面凹凸形状を容易に形成する
方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板表面に金
属および／または金属酸化物からなる遮蔽膜を被覆し、
前記遮蔽膜表面をフオトレジストで所定形状に隠ぺい
し、隠ぺいされない遮蔽膜の露出部を湿式化学エッチン
グにより除去し、前記遮蔽膜を除去した部分の基板表面
に珪フッ化水素酸溶液を接触させて二酸化珪素膜を析出
させ、その後前記フオトレジストを除去して基板表面に
凹凸を形成する方法であって、前記遮蔽膜は、その厚み
方向のエッチングレートを基板側で大きくなるようにし
たことを特徴とする基板表面に凹凸を形成する方法であ
る。
属および／または金属酸化物からなる遮蔽膜を被覆し、
前記遮蔽膜表面をフオトレジストで所定形状に隠ぺい
し、隠ぺいされない遮蔽膜の露出部を湿式化学エッチン
グにより除去し、前記遮蔽膜を除去した部分の基板表面
に珪フッ化水素酸溶液を接触させて二酸化珪素膜を析出
させ、その後前記フオトレジストを除去して基板表面に
凹凸を形成する方法であって、前記遮蔽膜は、その厚み
方向のエッチングレートを基板側で大きくなるようにし
たことを特徴とする基板表面に凹凸を形成する方法であ
る。
【０００５】本発明に用いることができる遮蔽膜の物質
としては、Ｃｒ、Ｔａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｐｄな
どの金属やＣｒ酸化物、Ｔａ酸化物などの金属酸化物、
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などが例示でき、遮蔽膜
はスパッタリング法、真空蒸着法、熱分解スプレー法な
ど公知の方法で被覆される。遮蔽膜の厚み方向で基板側
でエッチングレートを大きくする方法としては、遮蔽膜
の組成を連続的に厚み方向で変化させるいわゆる傾斜構
造を有するようにする、２層以上からなる積層体構造に
するなどを採用することができる。
としては、Ｃｒ、Ｔａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｐｄな
どの金属やＣｒ酸化物、Ｔａ酸化物などの金属酸化物、
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などが例示でき、遮蔽膜
はスパッタリング法、真空蒸着法、熱分解スプレー法な
ど公知の方法で被覆される。遮蔽膜の厚み方向で基板側
でエッチングレートを大きくする方法としては、遮蔽膜
の組成を連続的に厚み方向で変化させるいわゆる傾斜構
造を有するようにする、２層以上からなる積層体構造に
するなどを採用することができる。
【０００６】本発明に用いられる基板は、石英ガラス、
低アルカリガラス、アルカリパッシベーション処理をし
たソーダライムシリカガラスなどの無機ガラス板、ＰＥ
Ｔ（ポリエチレンテレフタレート）等の樹脂板等があげ
られる。用いる基板は、珪フッ化水素酸による二酸化珪
素の析出工程において、均一かつ密着性よく二酸化珪素
を基板上に析出させるために、その表面は親水性であ
る、または親水性処理を施しておくことが好ましい。
低アルカリガラス、アルカリパッシベーション処理をし
たソーダライムシリカガラスなどの無機ガラス板、ＰＥ
Ｔ（ポリエチレンテレフタレート）等の樹脂板等があげ
られる。用いる基板は、珪フッ化水素酸による二酸化珪
素の析出工程において、均一かつ密着性よく二酸化珪素
を基板上に析出させるために、その表面は親水性であ
る、または親水性処理を施しておくことが好ましい。
【０００７】遮蔽膜のパターニングに用いるエッチング
用レジスト膜は、フオトリソグラフイに通常用いられる
紫外線や電子線感光型のもの、また場合によってはＸ線
感光型のものを用いることができる。ここでのレジスト
膜の成膜方法は、スピンコート法、ロールコーター法、
印刷法等の公知の方法を用いることができる。たとえば
溝状にパターニングするときの遮蔽膜の断面形状は、長
方形型、台形型、三角型、逆三角型（Ｖ字型）などにす
ることができる。これらの形状は遮蔽膜の物質、遮蔽膜
の積層構造を適当に選択し、かつウエットエッチングま
たはドライエッチングを行うときに用いるエッチング液
またはエッチングガスを適当に選択することにより、所
望の断面形状になるようにすることができる。本発明
は、通常経済性と量産性を重視する観点から、遮蔽膜の
エッチング除去は湿式化学エッチングで行うのが好まし
いが、指向性の強いプラズマスパッタ等の異方性エッチ
ングのようなドライエッチングを用いてもよい。
用レジスト膜は、フオトリソグラフイに通常用いられる
紫外線や電子線感光型のもの、また場合によってはＸ線
感光型のものを用いることができる。ここでのレジスト
膜の成膜方法は、スピンコート法、ロールコーター法、
印刷法等の公知の方法を用いることができる。たとえば
溝状にパターニングするときの遮蔽膜の断面形状は、長
方形型、台形型、三角型、逆三角型（Ｖ字型）などにす
ることができる。これらの形状は遮蔽膜の物質、遮蔽膜
の積層構造を適当に選択し、かつウエットエッチングま
たはドライエッチングを行うときに用いるエッチング液
またはエッチングガスを適当に選択することにより、所
望の断面形状になるようにすることができる。本発明
は、通常経済性と量産性を重視する観点から、遮蔽膜の
エッチング除去は湿式化学エッチングで行うのが好まし
いが、指向性の強いプラズマスパッタ等の異方性エッチ
ングのようなドライエッチングを用いてもよい。
【０００８】また、遮蔽膜のパターンエッチングは、遮
蔽膜のパターン線幅がレジストパターン線幅よりやや細
くなるように、すなわち、その膜厚と同じ程度のサイド
エッチングが生じる、いわゆるオーバーエッチングをす
るのがよい。これにより形成される二酸化珪素膜は、遮
蔽膜近傍の膜厚を遮蔽膜全体の膜厚と同じに制御するこ
とができ、得られる基板の表面形状を微視的にも平坦に
することができる。
蔽膜のパターン線幅がレジストパターン線幅よりやや細
くなるように、すなわち、その膜厚と同じ程度のサイド
エッチングが生じる、いわゆるオーバーエッチングをす
るのがよい。これにより形成される二酸化珪素膜は、遮
蔽膜近傍の膜厚を遮蔽膜全体の膜厚と同じに制御するこ
とができ、得られる基板の表面形状を微視的にも平坦に
することができる。
【０００９】本発明においては、遮蔽膜を除去した領域
に析出させる物質は、珪フッ化水素酸を含む溶液から析
出させる二酸化珪素（ＳｉＯ2）が好適に選ばれる。遮
蔽膜が除去された領域に対し選択的に成膜可能なもので
あれば二酸化珪素の他に、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｂ2Ｏ3、
ＣｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5等の電気的絶縁性を持つ金属酸化物
を用いることもできる。
に析出させる物質は、珪フッ化水素酸を含む溶液から析
出させる二酸化珪素（ＳｉＯ2）が好適に選ばれる。遮
蔽膜が除去された領域に対し選択的に成膜可能なもので
あれば二酸化珪素の他に、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｂ2Ｏ3、
ＣｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5等の電気的絶縁性を持つ金属酸化物
を用いることもできる。
【００１０】
【作用】パターニング加工される遮蔽膜の断面はＶ字型
あるいは台形型に形成される。その後露出された基板表
面上に液相中から析出される二酸化珪素は、基板表面お
よびパターニングされた遮蔽膜の壁に密着する。したが
って、パターニングされたフオトレジストと遮蔽膜を除
去すると、残留する二酸化珪素膜は、所定形状にパター
ニングされた遮蔽膜の断面形状を正確に転写された凹凸
形状を有する。
あるいは台形型に形成される。その後露出された基板表
面上に液相中から析出される二酸化珪素は、基板表面お
よびパターニングされた遮蔽膜の壁に密着する。したが
って、パターニングされたフオトレジストと遮蔽膜を除
去すると、残留する二酸化珪素膜は、所定形状にパター
ニングされた遮蔽膜の断面形状を正確に転写された凹凸
形状を有する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。 実施例１ 直径１０ｃｍ 厚さ２ｍｍの石英ガラス円板を基板１と
し、これを洗浄した後にススパッタ成膜により酸化クロ
ム膜を膜厚で１００ｎｍ、さらに金属クロム膜を４００
ｎｍ被覆し、これを合わせて遮蔽膜２とした（図２の
１：遮蔽膜の成膜。次に１μｍの膜厚のフオトレジスト
をスピンコート法で遮蔽膜２上に成膜し、レジスト膜３
を得た。次にこれをオーブン中にて乾燥し、パターニン
グのための所定のパターンを有するフオトマスクを通し
て紫外線露光し、現像液にてレジストを現像した（図２
の２：遮蔽膜のパターニング）。その後クロム用のエッ
チャントを用いて遮蔽膜２のエッチングを行った。この
とき酸化クロム層とクロム層のエッチングレートが異な
るので、遮蔽膜２のパターンの断面形状はＶ字型になる
（図２の３：遮蔽膜パターン断面形状の調整）。このと
き遮蔽膜２の上面から測ったレジスト膜パターン３端部
の張り出しの長さが５００ｎｍとなるように若干のオー
バーエッチングも同時に行った。 ＄ 次にこのパターニングされたレジスト膜３を残したまま
の状態で、珪フッ化水素酸溶液中でのＳｉＯ2の析出
を、レジスト膜の存在する部分の親水性の基板１の表面
及び遮蔽膜側面部に析出させて、遮蔽膜２と同じ膜厚の
ＳｉＯ2膜４を成膜した（図２の４：液相成膜法による
ＳｉＯ2膜の形成）。その後残っているレジスト膜３を
アルカリ剥離液にて剥離し（図２の５：レジストの剥
離）、さらに遮蔽膜２を硝酸セリウムアンモニウムと過
塩素酸の混合水溶液によりエッチング除去して、目的と
したＶ字型断面形状を持つ溝の微細パターンを有する記
録メデイア製造用のマザー基板５を得た。図３（ａ）、
（ｂ）はかくして得られた基板の正面図および平面図で
ある。
し、これを洗浄した後にススパッタ成膜により酸化クロ
ム膜を膜厚で１００ｎｍ、さらに金属クロム膜を４００
ｎｍ被覆し、これを合わせて遮蔽膜２とした（図２の
１：遮蔽膜の成膜。次に１μｍの膜厚のフオトレジスト
をスピンコート法で遮蔽膜２上に成膜し、レジスト膜３
を得た。次にこれをオーブン中にて乾燥し、パターニン
グのための所定のパターンを有するフオトマスクを通し
て紫外線露光し、現像液にてレジストを現像した（図２
の２：遮蔽膜のパターニング）。その後クロム用のエッ
チャントを用いて遮蔽膜２のエッチングを行った。この
とき酸化クロム層とクロム層のエッチングレートが異な
るので、遮蔽膜２のパターンの断面形状はＶ字型になる
（図２の３：遮蔽膜パターン断面形状の調整）。このと
き遮蔽膜２の上面から測ったレジスト膜パターン３端部
の張り出しの長さが５００ｎｍとなるように若干のオー
バーエッチングも同時に行った。 ＄ 次にこのパターニングされたレジスト膜３を残したまま
の状態で、珪フッ化水素酸溶液中でのＳｉＯ2の析出
を、レジスト膜の存在する部分の親水性の基板１の表面
及び遮蔽膜側面部に析出させて、遮蔽膜２と同じ膜厚の
ＳｉＯ2膜４を成膜した（図２の４：液相成膜法による
ＳｉＯ2膜の形成）。その後残っているレジスト膜３を
アルカリ剥離液にて剥離し（図２の５：レジストの剥
離）、さらに遮蔽膜２を硝酸セリウムアンモニウムと過
塩素酸の混合水溶液によりエッチング除去して、目的と
したＶ字型断面形状を持つ溝の微細パターンを有する記
録メデイア製造用のマザー基板５を得た。図３（ａ）、
（ｂ）はかくして得られた基板の正面図および平面図で
ある。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、従来技術では製作が困
難であった溝の断面形状が三角形または台形状の微細凹
凸を基板上に形状することができ、本発明を記録媒体の
製造に用いれば、高記録密度の媒体を容易に製造するこ
とができる。
難であった溝の断面形状が三角形または台形状の微細凹
凸を基板上に形状することができ、本発明を記録媒体の
製造に用いれば、高記録密度の媒体を容易に製造するこ
とができる。
【００１３】
【図１】従来技術により得られる凹凸溝の断面を説明す
るための図
るための図
【図２】本発明の工程図
【図３】本発明で得られた基板の一実施例の正面図およ
び平面図
び平面図
１・・・ガラス円板、２・・・遮蔽膜、３・・・フオト
レジスト、４・・・液相中から析出した二酸化珪素膜、
５・・・本発明の実施により得られた基板
レジスト、４・・・液相中から析出した二酸化珪素膜、
５・・・本発明の実施により得られた基板
Claims (3)
- 【請求項１】基板表面に金属および／または金属酸化物
からなる遮蔽膜を被覆し、前記遮蔽膜表面をフオトレジ
ストで所定形状に隠ぺいし、隠ぺいされない遮蔽膜の露
出部をエッチングにより除去し、前記遮蔽膜を除去した
部分の基板表面に珪フッ化水素酸溶液を接触させて二酸
化珪素膜を析出させ、その後前記フオトレジストを除去
して基板表面に凹凸を形成する方法であって、前記遮蔽
膜は、その厚み方向のエッチングレートを基板側で大き
くなるようにしたことを特徴とする基板表面に凹凸を形
成する方法。 - 【請求項２】前記遮蔽膜は、基板に近い側から記載して
酸化クロム層、金属クロム層の積層構造としたことを特
徴とする請求項１に記載の基板表面に凹凸を形成する方
法。 - 【請求項３】前記フオトレジストが非親水性樹脂からな
ることを特徴とする請求項１または２に記載の基板に凹
凸を形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7226339A JPH0971881A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 基板表面に凹凸を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7226339A JPH0971881A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 基板表面に凹凸を形成する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0971881A true JPH0971881A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16843627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7226339A Pending JPH0971881A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 基板表面に凹凸を形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0971881A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017066381A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 | 紫外線吸収塗料、紫外線吸収膜、光吸収膜、光学素子、光学ユニットおよび光照射装置 |
-
1995
- 1995-09-04 JP JP7226339A patent/JPH0971881A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017066381A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 | 紫外線吸収塗料、紫外線吸収膜、光吸収膜、光学素子、光学ユニットおよび光照射装置 |
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