JPH0969513A - ドライエッチング装置とドライエッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 膜部材をドライエッチングによりパターニン
グする際、単一のエッチングステップで、下地の物質に
対する高選択比と高い異方性とを実現する。 【構成】 反応室に、下地部材であるシリコン酸化膜上
に膜部材であるポリシリコン膜が積層された被エッチン
グ物を設置し、反応室にエッチングガスを導入する。反
応室内の電極に高い異方性エッチングを行い得る程度に
大きな高周波電力を印加して、容量可変型コンデンサ，
インダクタ等を有する自動整合器によりマッチングを合
わせる。次に、コンデンサ値を固定して、異方性の高い
条件でポリシリコン膜をエッチングする。シリコン酸化
膜が露出すると、マッチング条件が変動し、反射電力が
増大する。これにより、投入電力に対する実効電力が低
減して高選択比となる。この状態でオーバーエッチング
を行い、シリコン酸化膜を損傷させることなくエッチン
グを終了する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
装置とその方法に係わり、特にエッチング終了後におけ
るエッチング選択比の向上対策に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、高集積化した半導体デバイス
を実現するための微細加工技術の一翼を担うドライエッ
チング技術については、その改良のために多大の努力が
払われている。ドライエッチングプロセスは、典型的に
は、図４に示すような反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）装置を用いて行われている。同図に示すように、平
行平板型ＲＩＥ装置は、反応室４０１と、該反応室４０
１内に設置された上下の平板型電極４０２とを備え、さ
らに高周波電源４０５，自動整合装置４０６，排気ポン
プ４０８，終点検出装置４１０と、マスフロー４０４を
介して反応室４０１にガスを供給するガス供給装置４１
１とを備えている。反応室４０１内の電極４０２上に
は、エッチングマスクとなるレジストパターンが形成さ
れた半導体基板４０３が設置されており、反応室４０１
内にマスフロー４０４を通じて反応性ガスが導入される
と、上下の電極４０２間に高周波電源４０５から高周波
電力が印加される。このとき、自動整合器４０６でマッ
チングをとりながら、反応性プラズマを生成する。この
プラズマ内で生成される反応性ラジカル及びイオンとが
半導体基板４０３上の被エッチング膜４０７（レジスト
パターンの無い部分の膜）と反応し、反応生成物として
揮発性物質が作られて被エッチング膜４０７が除去され
る。

【０００３】一方、一般的に、ドライエッチング技術に
は、高い寸法加工精度を得るために必要なレジストパタ
ーンにできるだけ近い形状であること（高い異方性）
と、被エッチング膜をエッチングしながら下地の膜を侵
食しないという特性（高い選択比）と、エッチング終了
後のオーバーエッチング時に下地の半導体基板の損傷が
少ないこと（低損傷性）と、短時間でエッチングを終了
させること（量産性）とが同時に要求される。

【０００４】しかし、従来のエッチング技術において、
上記４つの要件のうち高い異方性と高い選択比とを実現
しようとしても、両者はトレードオフの関係にあり同時
に達成することは困難であった。そこで、従来はメイン
のエッチング（第１のエッチングステップ）では異方性
を優先させた条件下で行ない、オーバーエッチング（第
２のエッチングステップ）では選択比を優先させた条件
下でエッチングを行なうというように、エッチング条件
を変えてエッチングを行なっていた。

【０００５】以下、シリコン酸化膜上のポリシリコンを
エッチングする場合を例にとって、エッチングステップ
を２段階に分けるようにした従来のエッチング方法につ
いて、図５（ａ）〜図５（ｃ）を参照しながら説明す
る。

【０００６】図５（ａ）は、エッチング前の半導体基板
の状態を示す断面図である。シリコン基板５０４上にシ
リコン酸化膜５０３をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により堆積し、その
上にＣＶＤ法でポリシリコン膜５０２を堆積する。そし
て、ホトリソグラフィー技術によってフォトレジスト５
０１を用いてマスクパターンを形成する。フォトレジス
ト５０１の開口部が被エッチング部分になる。

【０００７】図５（ｂ）は、第１のエッチングステップ
終了後の半導体基板の断面図である。第１のエッチング
ステップでは、エッチングガスとしてＨＢｒガスとＣｌ
2 ガスとの混合ガスを用い、ＨＢｒ／Ｃ１2 ＝３０／３
０ｓｃｃｍの流量で圧力を１００ｍＴｏｒｒにして、１
３．５６ＭＨｚの高周波電力２００Ｗを印加してポリシ
リコン膜５０２の除去を異方性エッチングにより行な
う。このような高い電力下におけるドライエッチングで
はシリコン酸化膜５０３に対するポリシリコン膜５０２
の選択比はあまり高くないので、シリコン酸化膜５０３
が除去されて下地のシリコン基板５０４の表面が露出す
るのを防止しようとするとポリシリコン膜５０２を十分
にエッチングをすることができない。その結果、同図に
示すように、未エッチング部５０５が発生する。

【０００８】次に、図５（ｃ）は、第２のエッチングス
テップ終了後の半導体基板の断面図である。第２のエッ
チングステップでは、エッチングガスの流量と圧力とは
第１ステップと同じであるが、高周波電力を１５０Ｗに
下げることによって、イオンの衝撃を弱めて第１のエッ
チングステップに比べて５倍程度の高選択比のエッチン
グを実現している。従って十分にオーバーエッチングを
かけることができるので、第１のエッチングステップで
生じた未エッチング部５０５を完全に除去することがで
きる。なお、第１と第２のエッチングステップの切り替
えは、反応における光放出スペクトルの変化をフィルタ
やモノクロメータや光電子増倍管などからなる装置（終
点検出装置）によって検出して、ある特定の吸収曲線が
得られた時に第１のエッチングステップの終了を検出す
ることによって行なっている。

【０００９】以上の一連のエッチングのシーケンスを、
本発明で要点となるマッチングと関連づけて図６に示
す。まず、ステップＳＴ１０１で反応性ガスＨＢｒ／Ｃ
ｌ2 を３０／３０ｓｃｃｍの流量で反応室に導入し、ス
テップＳＴ１０２でガスの圧力を１００ｍＴｏｒｒに安
定させる。次に、ステップＳＴ１０３で高周波電力２０
０Ｗを電極に印加し、ステップＳＴ１０４で自動整合器
中のコンデンサ値を変化させてマッチングを合わせ、ス
テップＳＴ１０５で、この状態でポリシリコン膜をエッ
チングする。そして、ステップＳＴ１０６で上述の終点
を検出すると、第２のエッチングステップを開始する。
ここで、第２のエッチングステップにおけるステップＳ
Ｔ１０７〜ＳＴ１０９間での作業は上記第１のエッチン
グステップにおけるステップＳＴ１０１〜ＳＴ１０３の
作業と同じである。ただし、高周波電力は１５０Ｗに低
減している。第１のエッチングステップが終了した時点
では、半導体基板５０４の上のシリコン酸化膜５０３の
表面が露出しており、そのためにマッチング条件が変動
しているので、ステップＳＴ１１０で再度自動整合器が
マッチング合わせを行なう。そして、ステップＳＴ１１
１ではこの状態でオーバーエッチングを行ない、ステッ
プＳＴ１１２でエッチングを終了する。次に、マッチン
グの動きについて図７を用いて説明する。

【００１０】図７は、上記一連のエッチング中のマッチ
ング曲線を示している。エッチングの際、ドライエッチ
ング装置では、常に高周波電力の印加時には反射電力が
一定の規格値（例えば２Ｗ程度）に収まるように自動的
にコンデンサの値を調節してマッチングをとり、最大実
効電力が投入されるようにしている。同図に示すように
ポリシリコン膜をエッチングしている時にはマッチング
位置はＡ点であるが、ポリシリコン膜が除去されシリコ
ン酸化膜が露出するとマッチング位置はＢ点に移るの
で、自動整合器が自動的にコンデンサ値を変化させて、
マッチングをとる動作をする。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなエッチングステップを２つに分ける方法では正確
に第１のエッチングステップの終了を検出する必要があ
るが、その際、下記のような問題がある。

【００１２】第１に、正確な第１のエッチングステップ
の終了時点を検出するのは困難であり、さらに第１のエ
ッチングステップの終点を検出してからエッチングを止
めるまでに制御の遅れがあるので、下地のシリコン酸化
膜５０３にダメージを与える虞れがある。

【００１３】第２に、上記図６のように同じ手順を繰り
返す２つのエッチングステップを設けること自体、時間
的な無駄が生じる。

【００１４】第３に、第１のエッチングステップの終点
の検出を行うに際し、マスク開口率によって終点検出装
置のプログラム変更が必要なことや終点検出装置のため
に装置のトータルコストが増大する。

【００１５】本発明は、上記問題点に鑑み、２つのエッ
チングステップに分けることなく、従来互いにトレード
オフの関係にあった「高い異方性」と「高選択比」とい
う２つの条件を満たしうるドライエッチングが可能なド
ライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供す
ることを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明が講じた手段は、自動整合装置によってマッ
チングを合わせた後にそのマッチングを固定することが
できる装置または方法を用いてエッチングすることによ
り、高い選択比と高い異方性とを実現することにある。

【００１７】具体的に請求項１が講じた手段は、ドライ
エッチング装置として、下地部材の上に膜部材を積層し
てなる被エッチング物が設置されるチャンバと、上記チ
ャンバ内の一部にプラズマ発生領域を生ぜしめるための
電極と、上記電極に高周波電力を投入するための高周波
電源と、上記高周波電力が投入されたときの反射電力を
検出する反射電力検出手段と、上記高周波電源と上記電
極との間に介設され、投入された高周波電力に対する上
記反射電力の割合を変化させるためのパラメータを有す
る整合用部材と、投入された高周波電力に対する上記反
射電力の割合が所定割合以下に収まるよう上記整合用部
材のパラメータを自動的に調整する自動調整手段と、上
記自動調整手段で整合された上記整合用部材のパラメー
タを固定する固定手段とを設ける構成としたものであ
る。

【００１８】請求項１により、被エッチング物の膜部材
がパターニングされる際、自動調整手段により投入電力
に対する反射電力の割合が規格値以下になるように整合
部材のパラメータが決定されると、固定手段によりその
後は整合用部材のパラメータが固定される。この状態で
被エッチング物の膜部材が除去されて下地部材の表面が
露出すると、整合関係が崩れるので、投入電力は変わら
ないが反射電力が増大する。したがって、実効電力が低
下し、下地部材に対する膜部材の選択比が大きくなるの
で、下地部材のエッチングが抑制される。すなわち、膜
部材をパターニングする際には高い投入電力で高い異方
性を有するエッチングを行うことが可能となり、パター
ニングする膜部材の形状を良好に維持できる。一方、膜
部材の除去が終了した時点では、選択比が高くなること
で下地部材の損傷を抑制することが可能となる。

【００１９】請求項２が講じた手段は、請求項１におい
て、上記整合部材に、インダクタと容量可変型コンデン
サとを直列に接続した回路を設け、上記パラメータを上
記容量可変型コンデンサの容量値としたものである。

【００２０】請求項３が講じた手段は、請求項１又は２
において、上記被エッチング物の膜部材と下地部材との
材質に応じて、上記膜部材に対する上記パラメータの整
合値と上記下地部材に対する上記パラメータの整合値と
の間の間隔を調整する間隔調整手段をさらに設けたもの
である。

【００２１】請求項２又は３により、容量可変型コンデ
ンサの容量値の調整によって被エッチング物からの反射
電力が大きく変わるので、簡素な構成で投入電力と反射
電力との関係を容易に調整することが可能となる。

【００２２】請求項４が講じた手段は、請求項１，２又
は３において、上記被エッチング物の膜部材と下地部材
との組み合わせを、いずれか一方がシリコン酸化膜で他
方がポリシリコン膜、いずれか一方がシリコン酸化膜で
他方がシリコン窒化膜、及びいずれか一方がポリシリコ
ン膜で他方がシリコン窒化膜の組み合わせのうちのいず
れかとしたものである。

【００２３】請求項４により、半導体デバイスで高い頻
度で用いられる各部材の材質の組み合わせに対し、ドラ
イエッチング時における高い異方性と高い選択比とを得
ることができる。

【００２４】請求項５が講じた手段は、高周波電源に整
合用部材を介して接続される電極を反応室内に設け、下
地部材の上に膜部材を積層してなる被エッチング物を上
記反応室内に設置して、上記被エッチング物の上記膜部
材をパターニングするようにしたドライエッチング方法
において、上記反応室内にエッチングガスを導入する第
１の工程と、上記反応室内の一部をプラズマ発生領域と
し、かつ高い異方性が発揮し得る程度に大きな高周波電
力を上記電極に高周波電源から投入する第２の工程と、
上記高周波電力が投入されたときの上記被エッチング物
の膜部材からの反射電力を検出して、上記投入された高
周波電力に対する反射電力が規格値以下になるよう上記
整合部材のパラメータを調整する第３の工程と、上記整
合部材のパラメータを上記第３の工程で調整された値に
固定する第４の工程と、上記被エッチング物の膜部材を
パターニングする第５の工程とを設けた方法である。

【００２５】請求項６が講じた手段は、請求項５におい
て、上記整合部材のパラメータを、容量可変型コンデン
サの容量値とする方法である。

【００２６】請求項７が講じた手段は、請求項５又は６
において、上記被エッチング物の膜部材と下地部材との
材質に応じて、上記膜部材に対するパラメータの整合値
と上記下地部材に対するパラメータの整合値との間の間
隔を調整する方法である。

【００２７】請求項８が講じた手段は、請求項５，６又
は７において、上記第４の工程では、反射電力を上限値
以下に制限する方法である。

【００２８】請求項９が講じた手段は、請求項５，６，
７又は８において、上記被エッチング物の膜部材と下地
部材との組み合わせを、いずれか一方がシリコン酸化膜
で他方がポリシリコン膜、いずれか一方がシリコン酸化
膜で他方がシリコン窒化膜、及びいずれか一方がポリシ
リコン膜で他方がシリコン窒化膜の組み合わせのうちの
いずれかとする方法である。

【００２９】請求項５，６，７又は９により、第３の工
程で大きな投入電力に対する反射電力の割合が規格値以
下になるように整合部材のパラメータが決定されると、
第４の工程で整合用部材のパラメータがそのままの値に
固定される。そして、第５の工程で、高い異方性のドラ
イエッチングにより被エッチング物の膜部材が除去され
る。膜部材の一部が除去されて下地部材の表面が露出す
ると、整合関係が崩れるので、投入電力は変わらないが
反射電力が増大する。したがって、実効電力が低下し、
下地部材に対する膜部材の選択比が大きくなるので、下
地部材のエッチングが抑制される。すなわち、膜部材を
パターニングする際には高い投入電力で高い異方性を有
するエッチングが行われ、パターニングする膜部材の形
状が良好になる。また、膜部材の除去が終了した時点で
は、選択比が高くなることで下地部材の損傷が抑制され
る。

【００３０】また、請求項８により、第５の工程で、反
射電力が上限値以下に制限されるので、高周波電源や整
合部材の特性の劣化が防止されることになる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。

【００３２】図１は、実施形態に係るドライエッチング
装置の構成を概略的に示す図である。 同図に示すよう
に、ドライエッチング装置は、平行平板電極１０７と被
エッチング物とが配置された反応室１０４と、マスフロ
ー１０８を介して反応室１０４にガスを供給するガス供
給装置１０９と、上記電極１０７に１３．５６ＭＨｚの
高周波電力を供給する高周波電源１０１と、容量可変型
コンデンサＣ及びインダクタＬを配置してなる自動整合
器１０２と、ケーブル１０６を介して自動整合器１０２
に接続され自動整合器１０２を制御するための制御コン
ピュータ１０５とからなる。上記被エッチング物は、シ
リコン基板１と、その上の酸化膜２と、さらにその上の
ポリシリコン膜３と、レジストマスク４とからなる。

【００３３】ここで、本実施形態の特徴として、上記制
御コンピュータ１０５と自動整合器１０２を接続したケ
ーブル１０６によって自動整合器１０２がいったんマッ
チングをとると、エッチングが終了するまで容量可変型
コンデンサＣの容量値を一定値に固定することが可能に
なっている。なお、本装置には従来のような終点検出装
置は必要ないので搭載していないが、搭載してもよい。

【００３４】次に、上記ドライエッチング装置を用いて
シリコン酸化膜２上のポリシリコン膜３をエッチング除
去する場合のドライエッチング方法について、図２及び
図３を参照しながら説明する。図２はドライエッチング
工程のシーケンスを示し、図３はドライエッチング工程
におけるマッチング曲線を示す。

【００３５】まず、ステップＳＴ１で反応室１０４にエ
ッチングガスとしてＨＢｒガスとＣｌ2 ガスとの混合ガ
スを、ＨＢｒ／Ｃ１2 の流量比が３０／３０ｓｃｃｍと
なるように導入し、ステップＳＴ２でエッチングガスの
圧力を１００ｍＴｏｒｒに安定させる。次に、ステップ
ＳＴ３で高周波電源１０１を用いて２００Ｗの高周波電
力印加し、ステップＳＴ４で自動整合器１０２によって
容量可変型コンデンサＣの容量値を変化させてマッチン
グをとると、ステップＳＴ５で容量可変型コンデンサＣ
の容量値をそのときの容量値に固定する。このとき、図
３に示すように、反射電力がポリシリコン膜に対するマ
ッチング条件の規格上限である２Ｗ以下に制御され、マ
ッチング位置は例えば同図に示す点Ａの位置（７６．０
ｐＦ程度）である。

【００３６】そして、ステップＳＴ６以下のステップで
は、この状態でプラズマを発生させてシリコン基板上の
ポリシリコン膜３をエッチングする。このエッチングの
過程において、ステップＳＴ７でエッチングが進行して
ポリシリコン膜３が無くなると下地のシリコン酸化膜２
が露出するので、ステップＳＴ８でマッチング条件が変
化する。このとき図３に示すように、シリコン酸化膜２
に対するマッチング位置は点Ｂ付近（７７．０ｐＦ程
度）であるが、容量可変型コンデンサＣの容量値値が固
定されているので、ステップＳＴ９で、反射電力がシリ
コン酸化膜２に対して点Ｃに示す値つまり５０Ｗ程度に
まで増大する。言い換えると、放電に使用される実効電
力が２００Ｗ−５０Ｗ＝１５０Ｗに減少したことにな
り、マッチングがあったときより高選択比のエッチング
になっている。その後、ステップＳＴ１０で、この状態
でさらにオーバーエッチングを行ない、ステップＳＴ１
１でエッチングを終了する。

【００３７】本実施形態では、ドライエッチング工程に
おいて、ポリシリコン膜３のエッチング開始前にポリシ
リコン膜３に対するマッチング位置であるＡ点に自動整
合器１０２の状態が固定される。具体的には、本実施形
態では容量可変型コンデンサＣの容量値が固定される。
したがって、ポリシリコン膜が除去された後、シリコン
酸化膜の表面が露出するとマッチング位置が例えばＢ点
付近に変動するが、コンデンサＣの容量値が固定されて
いるので反射電力が５０Ｗ程度発生するので、実効電力
が大幅に低減する。従って、ポリシリコン膜のエッチン
グ速度に比べてシリコン酸化膜のエッチング速度は極め
て遅くなる（つまり高選択比エッチング条件になる）。
すなわち、実効電力を自動的に低減させることで、選択
比を５倍以上向上させることができる。

【００３８】なお、以上の説明ではシリコン酸化膜上の
ポリシリコン膜のエッチングの場合について述べたが、
シリコン酸化膜上のシリコン窒化膜のエッチングや酸化
膜上のアルミ膜のエッチングの場合など、下地膜と被エ
ッチング膜の材質が他の組み合わせとなる場合にも、同
様の効果を発揮することができる。

【００３９】例えばシリコン窒化膜（Ｓｉ3 Ｎ4 膜）の
場合、ＳｉＯ2 膜の整合容量値との相違を利用して、シ
リコン酸化膜上のシリコン窒化膜をドライエッチングす
る際に、高い選択比と高い異方性とを発揮することがで
きる。

【００４０】なお、上記実施形態においては、反射電力
を規格値以下にするようマッチングさせるための整合用
部材のパラメータを容量可変型コンデンサＣの容量値と
したが、インダクタＬのインダクタンス値あるいは可変
抵抗器を配置してその抵抗値をパラメータとして変化さ
せ、これによりマッチングさせるようにしてもよい。

【００４１】また、ドライエッチングによりパターニン
グしようとする膜部材に対するパラメータ（上記実施形
態では容量可変型コンデンサの容量値）の整合値と下地
部材に対するパラメータの整合値との間の間隔を調整す
る部材を設けてもよい。例えば上記実施形態では、容量
可変型コンデンサに直列に固定容量コンデンサを介設す
ることにより、整合値同士間の間隔（上記実施形態にお
ける図３中の点Ａと点Ｂ）を調整することができる。そ
して、このことにより、反射電力の調整を行うことがで
きる。

【００４２】さらに、ドライエッチングによりパターニ
ングしようとする膜部材に対するパラメータの整合値と
下地部材に対するパラメータの整合値との間の間隔があ
まりに広すぎて、下地部材の表面が露出したときに整合
用部材のパラメータが固定されることで、上記実施形態
における図３中のＣ点における反射電力が大きすぎると
整合用部材等の特性が劣化する虞れがある。そこで、例
えば固定手段によるパラメータの固定を少し緩和しパラ
メータを一定値に固定するのではなく、反射電力の上限
値に対応した所定範囲内で固定することにより、整合用
部材の特性の劣化を有効に防止することができる。

【００４３】

【発明の効果】請求項１のドライエッチング装置によれ
ば、膜部材のエッチングにおける高い異方性と下地部材
に対する高い選択比とを発揮することができ、よって、
簡素な構成でパターニングされる膜部材の形状精度の向
上と下地部材の損傷の防止とを図ることができる。

【００４４】請求項２又は３のドライエッチング装置に
よれば、簡素な構成で投入電力と反射電力との関係を容
易に調整することが可能となる。

【００４５】請求項４のドライエッチング装置によれ
ば、半導体デバイスで最も高い頻度で用いられる各部材
の材質の組み合わせに対し、ドライエッチング時におけ
る高い異方性と高い選択比とを発揮することができる。

【００４６】請求項５，６，７又は９のドライエッチン
グ方法によれば、下地部材上に膜部材が積層された被エ
ッチング物の膜部材をパターニングするようにしたドラ
イエッチング方法において、膜部材をパターニングする
際には高い投入電力で高い異方性を有するエッチングを
行ってパターニングする膜部材の形状を良好に維持しな
がら、膜部材の除去が終了した後の選択比を高くして下
地部材の損傷を抑制することができる。

【００４７】請求項８によれば、整合用部材のパラメー
タを固定する際に反射電力を上限値以下に制限するよう
にしたので、高周波電源や整合部材の特性の劣化を有効
に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態に係るドライエッチング装置の構成を
概略的に示す図である。

【図２】実施形態に係るドライエッチング工程を示すシ
ーケンス図である。

【図３】実施形態におけるエッチング中のコンデンサの
容量値と反射電力との関係を示す特性図である。

【図４】従来例に係るドライエッチング装置の概略構成
を示す図である。

【図５】従来例に係るドライエッチング工程中における
シリコン基板の構造の変化を示す断面図である。

【図６】従来例に係るドライエッチング工程を示すシー
ケンス図である。

【図７】従来例におけるエッチング中のコンデンサの容
量値と反射電力との関係を示す特性図である。

【符号の説明】

１ シリコン基板 ２ シリコン酸化膜 ３ ポリシリコン膜 ４ レジストマスク １０１ 高周波電源 １０２ 自動整合器 １０３ 排気ポンプ １０４ 反応室 １０５ 制御コンピュータ １０６ 接続ケーブル １０７ 電極 １０８ マスフロー １０９ ガス供給装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｅ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下地部材の上に膜部材を積層してなる被
   エッチング物が設置されるチャンバと、 上記チャンバ内の一部にプラズマ発生領域を生ぜしめる
   ための電極と、 上記電極に高周波電力を投入するための高周波電源と、 上記高周波電力が投入されたときの反射電力を検出する
   反射電力検出手段と、 上記高周波電源と上記電極との間に介設され、投入され
   た高周波電力に対する上記反射電力の割合を変化させる
   ためのパラメータを有する整合用部材と、 投入された高周波電力に対する上記反射電力の割合が所
   定割合以下に収まるよう上記整合用部材のパラメータを
   自動的に調整する自動調整手段と、 上記自動調整手段で整合された上記整合用部材のパラメ
   ータを固定する固定手段とを備えたことを特徴とするド
   ライエッチング装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載のドライエッチング装置に
   おいて、 上記整合部材は、インダクタと容量可変型コンデンサと
   を直列に接続した回路を有し、上記パラメータは上記容
   量可変型コンデンサの容量値であることを特徴とするド
   ライエッチング装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載のドライエッチング
   装置において、 上記被エッチング物の膜部材と下地部材との材質に応じ
   て、上記膜部材に対する上記パラメータの整合値と上記
   下地部材に対する上記パラメータの整合値との間の間隔
   を調整する間隔調整手段をさらに備えたことを特徴とす
   るドライエッチング装置。
4. 【請求項４】 請求項１，２又は３記載のドライエッチ
   ング装置において、 上記被エッチング物の膜部材と下地部材との組み合わせ
   は、いずれか一方がシリコン酸化膜で他方がポリシリコ
   ン膜、いずれか一方がシリコン酸化膜で他方がシリコン
   窒化膜、及びいずれか一方がポリシリコン膜で他方がシ
   リコン窒化膜の組み合わせのうちのいずれかであること
   を特徴とするドライエッチング装置。
5. 【請求項５】 高周波電源に整合用部材を介して接続さ
   れる電極を反応室内に設け、下地部材の上に膜部材を積
   層してなる被エッチング物を上記反応室内に設置して、
   上記被エッチング物の上記膜部材をパターニングするよ
   うにしたドライエッチング方法において、 上記反応室内にエッチングガスを導入する第１の工程
   と、 上記反応室内の一部をプラズマ発生領域とし、かつ高い
   異方性が発揮し得る程度に大きな高周波電力を上記電極
   に高周波電源から投入する第２の工程と、 上記高周波電力が投入されたときの上記被エッチング物
   の膜部材からの反射電力を検出して、上記投入された高
   周波電力に対する反射電力が規格値以下になるよう上記
   整合部材のパラメータを調整する第３の工程と、 上記整合部材のパラメータを上記第３の工程で調整され
   た値に固定する第４の工程と、 上記被エッチング物の膜部材をパターニングする第５の
   工程とを備えたことを特徴とするドライエッチング方
   法。
6. 【請求項６】 請求項５記載のドライエッチング方法に
   おいて、 上記整合部材のパラメータは、容量可変型コンデンサの
   容量値であることを特徴とするドライエッチング方法。
7. 【請求項７】 請求項５又は６記載のドライエッチング
   方法において、 上記被エッチング物の膜部材と下地部材との材質に応じ
   て、上記膜部材に対するパラメータの整合値と上記下地
   部材に対するパラメータの整合値との間の間隔を調整す
   ることを特徴とするドライエッチング方法。
8. 【請求項８】 請求項５，６又は７記載のドライエッチ
   ング方法において、 上記第４の工程では、反射電力を上限値以下に制限する
   ことを特徴とするドライエッチング方法。
9. 【請求項９】 請求項５，６，７又は８記載のドライエ
   ッチング方法において、 上記被エッチング物の膜部材と下地部材との組み合わせ
   は、いずれか一方がシリコン酸化膜で他方がポリシリコ
   ン膜、いずれか一方がシリコン酸化膜で他方がシリコン
   窒化膜、及びいずれか一方がポリシリコン膜で他方がシ
   リコン窒化膜の組み合わせのうちのいずれかであること
   を特徴とするドライエッチング方法。