JPH05299377A - エッチング装置およびエッチング方法 - Google Patents
エッチング装置およびエッチング方法Info
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- JPH05299377A JPH05299377A JP10675892A JP10675892A JPH05299377A JP H05299377 A JPH05299377 A JP H05299377A JP 10675892 A JP10675892 A JP 10675892A JP 10675892 A JP10675892 A JP 10675892A JP H05299377 A JPH05299377 A JP H05299377A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、高段差部分を有する下地膜上に、
形成される被エッチング膜のオーバエッチング時に被エ
ッチング膜がサイドエッチングされるのを有効に防止す
ることを目的とする。 【構成】 本発明は上記目的を達成するため、エッチン
グ装置内にＳｉの供給源となるＳｉ片９を設けるように
構成している。
形成される被エッチング膜のオーバエッチング時に被エ
ッチング膜がサイドエッチングされるのを有効に防止す
ることを目的とする。 【構成】 本発明は上記目的を達成するため、エッチン
グ装置内にＳｉの供給源となるＳｉ片９を設けるように
構成している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、エッチング装置およ
びエッチング方法に関し、特に、被エッチング膜を異方
的にエッチングするエッチング装置およびエッチング方
法に関する。
びエッチング方法に関し、特に、被エッチング膜を異方
的にエッチングするエッチング装置およびエッチング方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、被エッチング膜を異方的にエッチ
ングする装置として、反応性イオンエッチング（Ｒｅａ
ｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）装置が
知られている。図２１は、従来のＲＩＥ装置を示した断
面構造図である。図２１を参照して、従来のＲＩＥ装置
は、エッチング室であるプロセスチャンバ１０１と、プ
ロセスチャンバ１０１内の上方に設置された上部電極１
０２と、プロセスチャンバ１０１内の下方に絶縁物１０
４を介して設置された下部電極１０３と、下部電極１０
３に容量結合用コンデンサ１０５を介して電気的に接続
され、プロセスチャンバ１０１の外部に設置されたＲＦ
（高周波）電源１０６と、プロセスチャンバ１０１内に
プロセスガスを供給するためのプロセスガス供給口１０
７と、排気ガスを排気するための排気口１０８とを備え
ている。下部電極１０３の表面上にはウェハ１０９が設
置されている。下部電極１０３と上部電極１０２との間
に位置する領域にプラズマ１１０が発生される。
ングする装置として、反応性イオンエッチング（Ｒｅａ
ｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）装置が
知られている。図２１は、従来のＲＩＥ装置を示した断
面構造図である。図２１を参照して、従来のＲＩＥ装置
は、エッチング室であるプロセスチャンバ１０１と、プ
ロセスチャンバ１０１内の上方に設置された上部電極１
０２と、プロセスチャンバ１０１内の下方に絶縁物１０
４を介して設置された下部電極１０３と、下部電極１０
３に容量結合用コンデンサ１０５を介して電気的に接続
され、プロセスチャンバ１０１の外部に設置されたＲＦ
（高周波）電源１０６と、プロセスチャンバ１０１内に
プロセスガスを供給するためのプロセスガス供給口１０
７と、排気ガスを排気するための排気口１０８とを備え
ている。下部電極１０３の表面上にはウェハ１０９が設
置されている。下部電極１０３と上部電極１０２との間
に位置する領域にプラズマ１１０が発生される。
【０００３】この従来のＲＩＥ装置の動作としては、プ
ロセスガス供給口１０７からプロセスガスを一定流量供
給し、所定の圧力の下でプラズマ１１０を発生させる。
このプラズマ１１０の発生によって生成されたイオンに
よって、シリコンウェハ１０９上の被エッチング膜（図
示せず）をエッチングする。その後、プロセスガスや生
成された反応生成物などの排気ガスを排気口１０８から
排気する。
ロセスガス供給口１０７からプロセスガスを一定流量供
給し、所定の圧力の下でプラズマ１１０を発生させる。
このプラズマ１１０の発生によって生成されたイオンに
よって、シリコンウェハ１０９上の被エッチング膜（図
示せず）をエッチングする。その後、プロセスガスや生
成された反応生成物などの排気ガスを排気口１０８から
排気する。
【０００４】図２２ないし図２６は、図２１に示した従
来のＲＩＥ装置を用いてエッチングを行なうプロセス
（第１工程〜第５工程）を説明するための断面構造図で
ある。図２１および図２２〜図２６を参照して、次に従
来のＲＩＥ装置を用いたエッチングプロセスについて説
明する。
来のＲＩＥ装置を用いてエッチングを行なうプロセス
（第１工程〜第５工程）を説明するための断面構造図で
ある。図２１および図２２〜図２６を参照して、次に従
来のＲＩＥ装置を用いたエッチングプロセスについて説
明する。
【０００５】まず、図２２に示すように、下層シリコン
酸化膜１１１上にＣＶＤ法を用いてポリシリコン膜１１
２を形成する。ポリシリコン膜１１２上に上層シリコン
酸化膜層（図示せず）を形成した後、その上層シリコン
酸化膜層（図示せず）上の所定領域にリソグラフィー技
術を用いてレジストパターン１１４を形成する。レジス
トパターン１１４をマスクとして上層シリコン酸化膜層
（図示せず）を異方性エッチングすることによって、上
層シリコン酸化膜１１３を形成する。
酸化膜１１１上にＣＶＤ法を用いてポリシリコン膜１１
２を形成する。ポリシリコン膜１１２上に上層シリコン
酸化膜層（図示せず）を形成した後、その上層シリコン
酸化膜層（図示せず）上の所定領域にリソグラフィー技
術を用いてレジストパターン１１４を形成する。レジス
トパターン１１４をマスクとして上層シリコン酸化膜層
（図示せず）を異方性エッチングすることによって、上
層シリコン酸化膜１１３を形成する。
【０００６】次に、図２３に示すように、レジストパタ
ーン１１４（図２２参照）を除去する。この状態の下層
シリコン酸化膜１１１、ポリシリコン膜１１２および上
層シリコン酸化膜１１３をその表面に有するシリコンウ
ェハ１０９（図２１参照）を図２１に示したＲＩＥ装置
内に設置する。
ーン１１４（図２２参照）を除去する。この状態の下層
シリコン酸化膜１１１、ポリシリコン膜１１２および上
層シリコン酸化膜１１３をその表面に有するシリコンウ
ェハ１０９（図２１参照）を図２１に示したＲＩＥ装置
内に設置する。
【０００７】次に、図２４に示すように、ＲＩＥ装置
（図２１参照）内でシリコンウェハ１０９（図２１参
照）の上表面部に形成されたポリシリコン膜１１２を上
層シリコン酸化膜１１３をマスクとして異方的にエッチ
ングする。このポリシリコン膜１１２のエッチングの際
に上層シリコン酸化膜１１３およびポリシリコン膜１１
２の側壁部分には側壁保護膜１１５が形成される。この
側壁保護膜１１５は、ポリシリコン膜１１２のうちのエ
ッチングされている部分からのシリコンの供給によって
形成される。
（図２１参照）内でシリコンウェハ１０９（図２１参
照）の上表面部に形成されたポリシリコン膜１１２を上
層シリコン酸化膜１１３をマスクとして異方的にエッチ
ングする。このポリシリコン膜１１２のエッチングの際
に上層シリコン酸化膜１１３およびポリシリコン膜１１
２の側壁部分には側壁保護膜１１５が形成される。この
側壁保護膜１１５は、ポリシリコン膜１１２のうちのエ
ッチングされている部分からのシリコンの供給によって
形成される。
【０００８】次に、図２５に示すように、ポリシリコン
膜１１２の膜厚分が完全に削れるまでエッチングする。
この状態では、パターニングされたポリシリコン膜１１
２の側壁部分は完全に側壁保護膜１１５によって覆われ
ている。
膜１１２の膜厚分が完全に削れるまでエッチングする。
この状態では、パターニングされたポリシリコン膜１１
２の側壁部分は完全に側壁保護膜１１５によって覆われ
ている。
【０００９】次に、図２６に示すように、たとえば下層
シリコン酸化膜１１１が高段差部分（図示せず）を有す
る場合にその高段差部分の側壁部に形成された膜厚の厚
いポリシリコン膜１１２を除去するため、ポリシリコン
膜１１２をさらに異方性エッチングする。
シリコン酸化膜１１１が高段差部分（図示せず）を有す
る場合にその高段差部分の側壁部に形成された膜厚の厚
いポリシリコン膜１１２を除去するため、ポリシリコン
膜１１２をさらに異方性エッチングする。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図２６に示す
ように、段差部分の側壁部に位置するポリシリコン膜１
１２（図示せず）を除去するための異方性エッチング
は、平坦部分に形成されるポリシリコン膜１１２（図２
６参照）にとってはオーバエッチングになる。このオー
バエッチングによって、ポリシリコン膜１１２の側壁保
護膜１１５が徐々に削られる。すなわち、オーバエッチ
ング時には側壁保護膜１１５となるシリコンの供給源が
著しく減少し、このため側壁保護膜１１５が徐々に削ら
れる。この結果、パターニングされたポリシリコン膜１
１２の側壁部分が露出し、その露出したポリシリコン膜
１１２の側壁部分がサイドエッチングされることにな
る。その結果、ポリシリコン膜１１２の側壁部下方がノ
ッチ状（切込状）になる。
ように、段差部分の側壁部に位置するポリシリコン膜１
１２（図示せず）を除去するための異方性エッチング
は、平坦部分に形成されるポリシリコン膜１１２（図２
６参照）にとってはオーバエッチングになる。このオー
バエッチングによって、ポリシリコン膜１１２の側壁保
護膜１１５が徐々に削られる。すなわち、オーバエッチ
ング時には側壁保護膜１１５となるシリコンの供給源が
著しく減少し、このため側壁保護膜１１５が徐々に削ら
れる。この結果、パターニングされたポリシリコン膜１
１２の側壁部分が露出し、その露出したポリシリコン膜
１１２の側壁部分がサイドエッチングされることにな
る。その結果、ポリシリコン膜１１２の側壁部下方がノ
ッチ状（切込状）になる。
【００１１】このように、従来では、下地膜である下層
シリコン酸化膜１１１が高段差部分を有する場合におい
て、その高段差部分の側壁部上に形成される膜厚の厚い
被エッチング膜（ポリシリコン膜１１２）をエッチング
するために、オーバエッチングを行なうと、図２６に示
したように、ポリシリコン膜１１２の側壁部下方がサイ
ドエッチングされてしまうという問題点があった。この
結果、高段差部分上に形成される被エッチング膜を設計
通りにパターン加工することは困難であった。
シリコン酸化膜１１１が高段差部分を有する場合におい
て、その高段差部分の側壁部上に形成される膜厚の厚い
被エッチング膜（ポリシリコン膜１１２）をエッチング
するために、オーバエッチングを行なうと、図２６に示
したように、ポリシリコン膜１１２の側壁部下方がサイ
ドエッチングされてしまうという問題点があった。この
結果、高段差部分上に形成される被エッチング膜を設計
通りにパターン加工することは困難であった。
【００１２】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、請求項１および２に記載の発明
の目的は、高段差部分を有する下地膜上に形成される被
エッチング膜を異方性エッチングしてパターニングする
際にも、パターニングされた被エッチング膜がサイドエ
ッチングされるのを有効に防止することが可能なエッチ
ング装置を提供することを目的とする。
ためになされたもので、請求項１および２に記載の発明
の目的は、高段差部分を有する下地膜上に形成される被
エッチング膜を異方性エッチングしてパターニングする
際にも、パターニングされた被エッチング膜がサイドエ
ッチングされるのを有効に防止することが可能なエッチ
ング装置を提供することを目的とする。
【００１３】請求項３に記載の発明の目的は、高段差部
分を有する下地膜上に形成される被エッチング膜を異方
性エッチングしてパターニングする際に、パターニング
された被エッチング膜がサイドエッチングされるのを有
効に防止し得るエッチング方法を提供することを目的と
する。
分を有する下地膜上に形成される被エッチング膜を異方
性エッチングしてパターニングする際に、パターニング
された被エッチング膜がサイドエッチングされるのを有
効に防止し得るエッチング方法を提供することを目的と
する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１におけるエッチ
ング装置は、エッチング室内に充填された供給ガスをプ
ラズマ放電させることによって被エッチング物をエッチ
ングするエッチング装置であって、エッチング室内の所
定位置にシリコンを含むシリコン供給材を備えている。
ング装置は、エッチング室内に充填された供給ガスをプ
ラズマ放電させることによって被エッチング物をエッチ
ングするエッチング装置であって、エッチング室内の所
定位置にシリコンを含むシリコン供給材を備えている。
【００１５】請求項２におけるエッチング装置は、エッ
チング室内に充填された供給ガスをプラズマ放電させる
ことによって被エッチング物をエッチングするエッチン
グ装置であって、エッチング室内の所定位置に設けられ
た第１電極と、エッチング室内で第１電極と所定の間隔
を隔てて対向するように設けられた第２電極と、エッチ
ング室内に高周波を供給するための高周波供給手段と、
第１電極と第２電極との間に位置する領域に設けられ、
ウェハのおもて表面とうら表面とが露出するようにウェ
ハを保持するためのウェハ保持手段とを備えている。
チング室内に充填された供給ガスをプラズマ放電させる
ことによって被エッチング物をエッチングするエッチン
グ装置であって、エッチング室内の所定位置に設けられ
た第１電極と、エッチング室内で第１電極と所定の間隔
を隔てて対向するように設けられた第２電極と、エッチ
ング室内に高周波を供給するための高周波供給手段と、
第１電極と第２電極との間に位置する領域に設けられ、
ウェハのおもて表面とうら表面とが露出するようにウェ
ハを保持するためのウェハ保持手段とを備えている。
【００１６】請求項３におけるエッチング方法は、シリ
コンを含む被エッチング膜を異方的にエッチングするエ
ッチング方法であって、下地膜上に被エッチング膜を形
成する工程と、被エッチング膜の上方の所定領域にシリ
コンを含むシリコン供給膜を形成する工程と、被エッチ
ング膜を被エッチング膜の膜厚分だけ異方的にエッチン
グする工程と、さらに、被エッチング膜を異方的にオー
バエッチングする工程とを備え、少なくとも被エッチン
グ膜のオーバエッチングの際にシリコン供給膜をマスク
としてエッチングすることにより被エッチング膜の側壁
部分にシリコン供給膜からシリコンを供給して側壁絶縁
膜を形成する。
コンを含む被エッチング膜を異方的にエッチングするエ
ッチング方法であって、下地膜上に被エッチング膜を形
成する工程と、被エッチング膜の上方の所定領域にシリ
コンを含むシリコン供給膜を形成する工程と、被エッチ
ング膜を被エッチング膜の膜厚分だけ異方的にエッチン
グする工程と、さらに、被エッチング膜を異方的にオー
バエッチングする工程とを備え、少なくとも被エッチン
グ膜のオーバエッチングの際にシリコン供給膜をマスク
としてエッチングすることにより被エッチング膜の側壁
部分にシリコン供給膜からシリコンを供給して側壁絶縁
膜を形成する。
【００１７】
【作用】請求項１に係るエッチング装置では、エッチン
グ室内の所定位置にシリコンを含むシリコン供給材が設
けられているので、高段差部分を有する下地膜上に形成
された被エッチング膜を異方的にエッチングしてさらに
オーバエッチングする際に、被エッチング膜の側壁部分
にシリコン供給材からシリコンが供給されて側壁保護膜
が形成され続けるので、従来のように被エッチング膜の
オーバエッチング時に被エッチング膜の側壁部分に形成
される側壁保護膜が削れられてなくなるのが有効に防止
される。
グ室内の所定位置にシリコンを含むシリコン供給材が設
けられているので、高段差部分を有する下地膜上に形成
された被エッチング膜を異方的にエッチングしてさらに
オーバエッチングする際に、被エッチング膜の側壁部分
にシリコン供給材からシリコンが供給されて側壁保護膜
が形成され続けるので、従来のように被エッチング膜の
オーバエッチング時に被エッチング膜の側壁部分に形成
される側壁保護膜が削れられてなくなるのが有効に防止
される。
【００１８】請求項２に係るエッチング装置では、第１
電極と第２電極との間に位置する領域にウェハのおもて
表面とうら表面とが露出するようにウェハを保持するた
めのウェハ保持手段が設けられているので、高段差部分
を有する下地膜が形成されさらにその上に被エッチング
膜が形成されたウェハを保持して異方的にエッチングし
さらにオーバエッチングする際に、ウェハのうら表面も
エッチングされてウェハのうら表面のシリコンが被エッ
チング膜の側壁部分に供給される。これにより、被エッ
チング膜のオーバエッチングの際に被エッチング膜の側
壁部分に形成された側壁保護膜が削られて被エッチング
膜の側壁部分が露出されるのが有効に防止される。
電極と第２電極との間に位置する領域にウェハのおもて
表面とうら表面とが露出するようにウェハを保持するた
めのウェハ保持手段が設けられているので、高段差部分
を有する下地膜が形成されさらにその上に被エッチング
膜が形成されたウェハを保持して異方的にエッチングし
さらにオーバエッチングする際に、ウェハのうら表面も
エッチングされてウェハのうら表面のシリコンが被エッ
チング膜の側壁部分に供給される。これにより、被エッ
チング膜のオーバエッチングの際に被エッチング膜の側
壁部分に形成された側壁保護膜が削られて被エッチング
膜の側壁部分が露出されるのが有効に防止される。
【００１９】請求項３に係るエッチング方法では、下地
膜上に被エッチング膜が形成され、その被エッチング膜
の上方の所定領域にシリコンを含むシリコン供給膜が形
成され、被エッチング膜がその膜厚分だけ異方的にエッ
チングされ、さらに被エッチング膜が異方的にオーバエ
ッチングされ、少なくともその被エッチング膜をオーバ
エッチングする際にシリコン供給膜をマスクとしてエッ
チングすることにより被エッチング膜の側壁部分にシリ
コン供給膜からシリコンが供給されて側壁保護膜が形成
されるので、被エッチング膜のオーバエッチング時に被
エッチング膜の側壁部分に位置する側壁保護膜が削られ
て被エッチング膜の側壁部分が露出されるのが有効に防
止される。
膜上に被エッチング膜が形成され、その被エッチング膜
の上方の所定領域にシリコンを含むシリコン供給膜が形
成され、被エッチング膜がその膜厚分だけ異方的にエッ
チングされ、さらに被エッチング膜が異方的にオーバエ
ッチングされ、少なくともその被エッチング膜をオーバ
エッチングする際にシリコン供給膜をマスクとしてエッ
チングすることにより被エッチング膜の側壁部分にシリ
コン供給膜からシリコンが供給されて側壁保護膜が形成
されるので、被エッチング膜のオーバエッチング時に被
エッチング膜の側壁部分に位置する側壁保護膜が削られ
て被エッチング膜の側壁部分が露出されるのが有効に防
止される。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００２１】図１は、本発明の一実施例によるカソード
カップリング型のＲＩＥ装置を示した断面構造図であ
る。図１を参照して、この第１実施例のＲＩＥ装置は、
エッチング室であるプロセスチャンバ１と、プロセスチ
ャンバ１内の上方に設置された上部電極２と、上部電極
２に対して所定の間隔を隔てて対向するように設けら
れ、プロセスチャンバ１に絶縁物４を介して設置された
下部電極３と、下部電極３に容量結合用コンデンサ５を
介して電気的に接続された一定電力のＲＦ（高周波）電
源６と、プロセスチャンバ１内にプロセスガスを供給す
るためのプロセスガス供給口７と、プロセスチャンバ１
内の排気ガスを排気するための排気口８と、プロセスチ
ャンバ１内の側壁部分に電気的に浮いた状態で配置され
たシリコン（Ｓｉ）供給用のＳｉ片９とを備えている。
下部電極３の表面上にはシリコンウェハ１０が固定的に
保持されている。
カップリング型のＲＩＥ装置を示した断面構造図であ
る。図１を参照して、この第１実施例のＲＩＥ装置は、
エッチング室であるプロセスチャンバ１と、プロセスチ
ャンバ１内の上方に設置された上部電極２と、上部電極
２に対して所定の間隔を隔てて対向するように設けら
れ、プロセスチャンバ１に絶縁物４を介して設置された
下部電極３と、下部電極３に容量結合用コンデンサ５を
介して電気的に接続された一定電力のＲＦ（高周波）電
源６と、プロセスチャンバ１内にプロセスガスを供給す
るためのプロセスガス供給口７と、プロセスチャンバ１
内の排気ガスを排気するための排気口８と、プロセスチ
ャンバ１内の側壁部分に電気的に浮いた状態で配置され
たシリコン（Ｓｉ）供給用のＳｉ片９とを備えている。
下部電極３の表面上にはシリコンウェハ１０が固定的に
保持されている。
【００２２】本実施例のＲＩＥ装置の動作としては、ま
ず、プロセスガス供給口７からプロセスガスをプロセス
チャンバ１内に導入する。プロセスチャンバ１内を指定
した圧力にしてプラズマを発生させる。そのプラズマの
発生によって生成されたイオンにより異方性エッチング
を行なう。その後、プロセスガスや生成された反応生成
物などの排気ガスを排気口８から排気する。
ず、プロセスガス供給口７からプロセスガスをプロセス
チャンバ１内に導入する。プロセスチャンバ１内を指定
した圧力にしてプラズマを発生させる。そのプラズマの
発生によって生成されたイオンにより異方性エッチング
を行なう。その後、プロセスガスや生成された反応生成
物などの排気ガスを排気口８から排気する。
【００２３】図２〜図４は、図１に示した第１実施例の
ＲＩＥ装置を用いてエッチングする際のプロセスを説明
するための断面構造図である。図１および図２〜図４を
参照して、次に本実施例のエッチング装置によるエッチ
ングプロセスについて説明する。
ＲＩＥ装置を用いてエッチングする際のプロセスを説明
するための断面構造図である。図１および図２〜図４を
参照して、次に本実施例のエッチング装置によるエッチ
ングプロセスについて説明する。
【００２４】まず、図２に示すように、下層シリコン酸
化膜２１上にポリシリコン膜２２が形成されるとともに
そのポリシリコン膜２２上の所定領域に上層シリコン酸
化膜２３が形成された構造を有するシリコンウェハ１０
（図１参照）を図１に示したＲＩＥ装置の下部電極３
（図１参照）上に固定的に保持する。
化膜２１上にポリシリコン膜２２が形成されるとともに
そのポリシリコン膜２２上の所定領域に上層シリコン酸
化膜２３が形成された構造を有するシリコンウェハ１０
（図１参照）を図１に示したＲＩＥ装置の下部電極３
（図１参照）上に固定的に保持する。
【００２５】次に、図３に示すように、図１に示したＲ
ＩＥ装置を用いて上層シリコン酸化膜２３をマスクとし
てポリシリコン膜２２を異方的にエッチングする。
ＩＥ装置を用いて上層シリコン酸化膜２３をマスクとし
てポリシリコン膜２２を異方的にエッチングする。
【００２６】次に、図４に示すように、さらに異方性エ
ッチングを行なってポリシリコン膜２２の膜厚分を除去
する。その後、下層シリコン酸化膜２１が高段差部分を
有する場合において、その高段差部分の側壁部分上に形
成されたポリシリコン膜２２の残余部分を除去するた
め、オーバエッチングを行なう。この、メインエッチン
グおよびオーバエッチングの過程において、プロセスチ
ャンバ１内のＳｉ片９は気相中に自然に形成される電位
勾配によるイオン加速衝突によって化学的にエッチング
される。これにより、Ｓｉ片９からポリシリコン膜２２
の側壁部分にＳｉが供給される。その結果、ポリシリコ
ン膜２２のオーバエッチング中にもポリシリコン膜２２
の側壁部分にＳｉが十分に供給されてポリシリコン膜２
２の側壁部分にＳｉ系反応生成物による側壁保護膜１５
が堆積し続ける。これにより、高段差部分を有する下地
膜上に形成されるポリシリコン膜２２を異方性エッチン
グしてさらにオーバエッチングする際に、従来のように
シリコン（Ｓｉ）の供給不足から側壁保護膜２５が削ら
れてさらにポリシリコン膜２２がサイドエッチングされ
ることを有効に防止することができる。
ッチングを行なってポリシリコン膜２２の膜厚分を除去
する。その後、下層シリコン酸化膜２１が高段差部分を
有する場合において、その高段差部分の側壁部分上に形
成されたポリシリコン膜２２の残余部分を除去するた
め、オーバエッチングを行なう。この、メインエッチン
グおよびオーバエッチングの過程において、プロセスチ
ャンバ１内のＳｉ片９は気相中に自然に形成される電位
勾配によるイオン加速衝突によって化学的にエッチング
される。これにより、Ｓｉ片９からポリシリコン膜２２
の側壁部分にＳｉが供給される。その結果、ポリシリコ
ン膜２２のオーバエッチング中にもポリシリコン膜２２
の側壁部分にＳｉが十分に供給されてポリシリコン膜２
２の側壁部分にＳｉ系反応生成物による側壁保護膜１５
が堆積し続ける。これにより、高段差部分を有する下地
膜上に形成されるポリシリコン膜２２を異方性エッチン
グしてさらにオーバエッチングする際に、従来のように
シリコン（Ｓｉ）の供給不足から側壁保護膜２５が削ら
れてさらにポリシリコン膜２２がサイドエッチングされ
ることを有効に防止することができる。
【００２７】図５は、本発明の第２実施例によるカソー
ドカップリング型のＲＩＥ装置を示した断面構造図であ
る。図５を参照して、この第２実施例のＲＩＥ装置で
は、図１に示した第１実施例のＲＩＥ装置と異なり、シ
リコン供給用のＳｉ片９を下部電極（ウェハステージ）
３上に配置するように構成する。これにより、Ｓｉ片９
がシリコンウェハ１０と同電位の状態になる。この結
果、この第２実施例では、Ｓｉ片９上方の気相中にシリ
コンウェハ１０の上方とほぼ同じ電位勾配が形成され、
それによるイオン加速衝突によって下部電極３上のＳｉ
片９が化学的にエッチングされる。このエッチングによ
って、シリコンウェハ１０上の被エッチング膜のオーバ
エッチング時に、Ｓｉ片９からシリコンが被エッチング
膜の側壁部分に供給される。これにより、被エッチング
膜のオーバエッチング時にも被エッチング膜の側壁部分
にはＳｉ片９からのＳｉ系反応生成物による側壁保護膜
１５（図４参照）が堆積し続ける。この結果、従来のよ
うに被エッチング膜のオーバエッチング時にＳｉの供給
不足から被エッチング膜の側壁部分に位置する側壁保護
膜が削られて被エッチング膜の側壁部分がサイドエッチ
ングされるのが有効に防止される。したがって、この第
２実施例においても、高段差部分を有する下地膜上に形
成される被エッチング膜を異方性エッチングした後さら
にその高段差部分に位置する被エッチング膜の残余部分
を除去するために被エッチング膜をオーバエッチングす
る際にも、被エッチング膜の側壁部分がサイドエッチン
グされることなく、設計通りにパターン加工を行なうこ
とができる。
ドカップリング型のＲＩＥ装置を示した断面構造図であ
る。図５を参照して、この第２実施例のＲＩＥ装置で
は、図１に示した第１実施例のＲＩＥ装置と異なり、シ
リコン供給用のＳｉ片９を下部電極（ウェハステージ）
３上に配置するように構成する。これにより、Ｓｉ片９
がシリコンウェハ１０と同電位の状態になる。この結
果、この第２実施例では、Ｓｉ片９上方の気相中にシリ
コンウェハ１０の上方とほぼ同じ電位勾配が形成され、
それによるイオン加速衝突によって下部電極３上のＳｉ
片９が化学的にエッチングされる。このエッチングによ
って、シリコンウェハ１０上の被エッチング膜のオーバ
エッチング時に、Ｓｉ片９からシリコンが被エッチング
膜の側壁部分に供給される。これにより、被エッチング
膜のオーバエッチング時にも被エッチング膜の側壁部分
にはＳｉ片９からのＳｉ系反応生成物による側壁保護膜
１５（図４参照）が堆積し続ける。この結果、従来のよ
うに被エッチング膜のオーバエッチング時にＳｉの供給
不足から被エッチング膜の側壁部分に位置する側壁保護
膜が削られて被エッチング膜の側壁部分がサイドエッチ
ングされるのが有効に防止される。したがって、この第
２実施例においても、高段差部分を有する下地膜上に形
成される被エッチング膜を異方性エッチングした後さら
にその高段差部分に位置する被エッチング膜の残余部分
を除去するために被エッチング膜をオーバエッチングす
る際にも、被エッチング膜の側壁部分がサイドエッチン
グされることなく、設計通りにパターン加工を行なうこ
とができる。
【００２８】図６は、本発明の第３実施例によるカソー
ドカップリング型のＲＩＥ装置を示した断面構造図であ
る。図６を参照して、この第３実施例では、Ｓｉ供給用
のＳｉ片９が電極１２上に配置されている。そして、そ
の電極１２は、外部に設置された可変式ＤＣ電源１３に
電気的に接続されている。このように構成することによ
り、Ｓｉ片９の電位を可変式ＤＣ電源１３によって所定
の値に設定することができる。具体的には、図３に示し
たメインエッチングの過程ではＳｉ片９に与える電位を
プラズマ電位またはアース電位に設定する。そして、メ
インエッチングを経て、ポリシリコン膜２２の膜厚分が
除去された時点をプラズマ発光量の違いの変化などを検
知することにより検出する。そして、この検出に基づい
て可変式ＤＣ電源１３からＳｉ片９に与える電位を連続
的または段階的にマイナス（例えば−２０〜−３０Ｖ）
に下げる。そして、図４に示したようなオーバエッチン
グを行なっている間は、その低下したマイナスの電位を
維持するように制御する。これにより、図４に示したよ
うなオーバエッチング中は、低い値に（マイナス）設定
されたＳｉ片９の電位とプラズマ１１中の電位との電位
勾配によってイオンが加速されてＳｉ片９が化学的にエ
ッチングされる。この結果、図４に示した工程におい
て、Ｓｉ片９からポリシリコン膜２２の側壁部分にＳｉ
が供給され続ける。これにより、側壁保護膜２５が堆積
され続けるため、従来のようにポリシリコン膜２２のオ
ーバエッチング時にＳｉの供給不足から側壁保護膜２５
が削られてポリシリコン膜２２がサイドエッチングされ
ることが有効に防止される。したがって、本実施例にお
いても、高段差部を有する下地膜上に被エッチング膜で
あるポリシリコン膜２２が形成されている場合に、その
ポリシリコン膜２２をオーバエッチングしたとしても、
オーバエッチング時にポリシリコン膜２２の側壁部分が
サイドエッチングされるのが有効に防止され、設計通り
のパターン形状を得ることができる。
ドカップリング型のＲＩＥ装置を示した断面構造図であ
る。図６を参照して、この第３実施例では、Ｓｉ供給用
のＳｉ片９が電極１２上に配置されている。そして、そ
の電極１２は、外部に設置された可変式ＤＣ電源１３に
電気的に接続されている。このように構成することによ
り、Ｓｉ片９の電位を可変式ＤＣ電源１３によって所定
の値に設定することができる。具体的には、図３に示し
たメインエッチングの過程ではＳｉ片９に与える電位を
プラズマ電位またはアース電位に設定する。そして、メ
インエッチングを経て、ポリシリコン膜２２の膜厚分が
除去された時点をプラズマ発光量の違いの変化などを検
知することにより検出する。そして、この検出に基づい
て可変式ＤＣ電源１３からＳｉ片９に与える電位を連続
的または段階的にマイナス（例えば−２０〜−３０Ｖ）
に下げる。そして、図４に示したようなオーバエッチン
グを行なっている間は、その低下したマイナスの電位を
維持するように制御する。これにより、図４に示したよ
うなオーバエッチング中は、低い値に（マイナス）設定
されたＳｉ片９の電位とプラズマ１１中の電位との電位
勾配によってイオンが加速されてＳｉ片９が化学的にエ
ッチングされる。この結果、図４に示した工程におい
て、Ｓｉ片９からポリシリコン膜２２の側壁部分にＳｉ
が供給され続ける。これにより、側壁保護膜２５が堆積
され続けるため、従来のようにポリシリコン膜２２のオ
ーバエッチング時にＳｉの供給不足から側壁保護膜２５
が削られてポリシリコン膜２２がサイドエッチングされ
ることが有効に防止される。したがって、本実施例にお
いても、高段差部を有する下地膜上に被エッチング膜で
あるポリシリコン膜２２が形成されている場合に、その
ポリシリコン膜２２をオーバエッチングしたとしても、
オーバエッチング時にポリシリコン膜２２の側壁部分が
サイドエッチングされるのが有効に防止され、設計通り
のパターン形状を得ることができる。
【００２９】図７は、本発明の第４実施例によるカソー
ドカップリング型のＲＩＥ装置を示した断面構造図であ
る。図７を参照して、この第４実施例では、Ｓｉ供給用
のＳｉ片９をプロセスチャンバ１の側面部分に配置し、
さらにＳｉ片９をプラズマ１１から遮蔽するように可動
式遮蔽板１４が設けられている。
ドカップリング型のＲＩＥ装置を示した断面構造図であ
る。図７を参照して、この第４実施例では、Ｓｉ供給用
のＳｉ片９をプロセスチャンバ１の側面部分に配置し、
さらにＳｉ片９をプラズマ１１から遮蔽するように可動
式遮蔽板１４が設けられている。
【００３０】図８は、図７に示した第４実施例の動作を
説明するための断面構造図である。図２〜図４、図７お
よび図８を用いて、次に第４実施例のエッチング装置の
動作について説明する。
説明するための断面構造図である。図２〜図４、図７お
よび図８を用いて、次に第４実施例のエッチング装置の
動作について説明する。
【００３１】まず、図２に示した状態の下層シリコン酸
化膜２１、ポリシリコン膜２２および上層シリコン酸化
膜２３をその表面に有するシリコンウェハ１０をプロセ
スチャンバ１内の下部電極３上に保持する。そして、プ
ロセスガスをプロセスガス供給口７からプロセスチャン
バ１内に導入し、プロセスチャンバ１内を所定の圧力に
保持する。そしてプラズマ１１を発生させる。この状態
で、可動式遮蔽板１４は、Ｓｉ片９をプラズマ１１から
遮蔽するような位置にある（図７参照）。この後、図３
に示したように、上層シリコン膜２３をマスクとしてポ
リシリコン膜２２を異方的にエッチングする。すなわ
ち、プラズマ１１（図７参照）の発生によって生成され
たイオンにより、ポリシリコン膜２２（図３参照）を異
方的にエッチングする。そして、ポリシリコン膜２２の
膜厚分が除去された時点をプラズマ発光量の違いの変化
として検出する。この検出に基づいて図８に示すよう
に、可動式遮蔽板１４が下方向に移動する。これによ
り、Ｓｉ片９の表面がプラズマにさらされた状態とな
る。
化膜２１、ポリシリコン膜２２および上層シリコン酸化
膜２３をその表面に有するシリコンウェハ１０をプロセ
スチャンバ１内の下部電極３上に保持する。そして、プ
ロセスガスをプロセスガス供給口７からプロセスチャン
バ１内に導入し、プロセスチャンバ１内を所定の圧力に
保持する。そしてプラズマ１１を発生させる。この状態
で、可動式遮蔽板１４は、Ｓｉ片９をプラズマ１１から
遮蔽するような位置にある（図７参照）。この後、図３
に示したように、上層シリコン膜２３をマスクとしてポ
リシリコン膜２２を異方的にエッチングする。すなわ
ち、プラズマ１１（図７参照）の発生によって生成され
たイオンにより、ポリシリコン膜２２（図３参照）を異
方的にエッチングする。そして、ポリシリコン膜２２の
膜厚分が除去された時点をプラズマ発光量の違いの変化
として検出する。この検出に基づいて図８に示すよう
に、可動式遮蔽板１４が下方向に移動する。これによ
り、Ｓｉ片９の表面がプラズマにさらされた状態とな
る。
【００３２】この状態から、図４に示したようなオーバ
エッチングを行なう。すなわち、ポリシリコン膜２２の
オーバエッチング中に、Ｓｉ片９は、気相中の電位勾配
によるイオンの加速衝突によって化学的にエッチングさ
れる。このエッチングによって、Ｓｉ片９からＳｉがオ
ーバエッチング中のポリシリコン膜２２の側壁部分に供
給される。これにより、ポリシリコン膜２２のオーバエ
ッチング中は、ポリシリコン膜２２の側壁部分に側壁保
護膜２５が堆積され続ける。この結果、従来のようにポ
リシリコン膜２２のオーバエッチング中に側壁保護膜２
５が削られてポリシリコン膜２２がサイドエッチングさ
れることが有効に防止される。この結果、高段差部分を
有する下地膜（下層シリコン酸化膜２１）上に被エッチ
ング膜であるポリシリコン膜２２を形成した場合に、そ
の高段差部分の側壁に位置するポリシリコン膜２２をオ
ーバエッチングする際に、ポリシリコン膜２２の側壁が
サイドエッチングされるのが有効に防止され、設計通り
のパターニング形状を形成することができる。
エッチングを行なう。すなわち、ポリシリコン膜２２の
オーバエッチング中に、Ｓｉ片９は、気相中の電位勾配
によるイオンの加速衝突によって化学的にエッチングさ
れる。このエッチングによって、Ｓｉ片９からＳｉがオ
ーバエッチング中のポリシリコン膜２２の側壁部分に供
給される。これにより、ポリシリコン膜２２のオーバエ
ッチング中は、ポリシリコン膜２２の側壁部分に側壁保
護膜２５が堆積され続ける。この結果、従来のようにポ
リシリコン膜２２のオーバエッチング中に側壁保護膜２
５が削られてポリシリコン膜２２がサイドエッチングさ
れることが有効に防止される。この結果、高段差部分を
有する下地膜（下層シリコン酸化膜２１）上に被エッチ
ング膜であるポリシリコン膜２２を形成した場合に、そ
の高段差部分の側壁に位置するポリシリコン膜２２をオ
ーバエッチングする際に、ポリシリコン膜２２の側壁が
サイドエッチングされるのが有効に防止され、設計通り
のパターニング形状を形成することができる。
【００３３】図９は、本発明の第５実施例による平行平
板型のＲＩＥ装置を示した断面構造図である。図９を参
照して、この第５実施例では、プロセスガスを供給する
ために２つのプロセスガス供給口７ａおよび７ｂが設け
られており、また、排気ガスを排気するために２つの排
気口８ａおよび８ｂが設けられている。プロセスチャン
バ１内の上部には、第１対向電極３１が設置されてお
り、プロセスチャンバ１の下方には、第２対向電極３２
が絶縁物４を介して設置されている。そして、シリコン
ウェハ１０をそのおもて表面とうら表面とが露出するよ
うに保持するためのクランプリング３０が絶縁物４を介
してプロセスチャンバ１の下方に取付けられている。す
なわち、クランプリング３０は、保持するシリコンウェ
ハ１０が第１対向電極３１と第２対向電極３２との間に
位置するように取付けられている。第２対向電極３２に
は、容量結合用コンデンサ５を介してＲＦ電源６が電気
的に接続されている。図１０は、図９に示したクランプ
リング３０の平面位置を説明するための概略平面図であ
る。図１０を参照して、クランプリング３０は、プロセ
スチャンバ１内に、プロセスチャンバ１とほぼ同心円上
になるように形成されている。
板型のＲＩＥ装置を示した断面構造図である。図９を参
照して、この第５実施例では、プロセスガスを供給する
ために２つのプロセスガス供給口７ａおよび７ｂが設け
られており、また、排気ガスを排気するために２つの排
気口８ａおよび８ｂが設けられている。プロセスチャン
バ１内の上部には、第１対向電極３１が設置されてお
り、プロセスチャンバ１の下方には、第２対向電極３２
が絶縁物４を介して設置されている。そして、シリコン
ウェハ１０をそのおもて表面とうら表面とが露出するよ
うに保持するためのクランプリング３０が絶縁物４を介
してプロセスチャンバ１の下方に取付けられている。す
なわち、クランプリング３０は、保持するシリコンウェ
ハ１０が第１対向電極３１と第２対向電極３２との間に
位置するように取付けられている。第２対向電極３２に
は、容量結合用コンデンサ５を介してＲＦ電源６が電気
的に接続されている。図１０は、図９に示したクランプ
リング３０の平面位置を説明するための概略平面図であ
る。図１０を参照して、クランプリング３０は、プロセ
スチャンバ１内に、プロセスチャンバ１とほぼ同心円上
になるように形成されている。
【００３４】つまり、第５実施例では、シリコンウェハ
１０のおもて表面とうら表面とを露出させた形でシリコ
ンウェハ１０を保持できるクランプリング３０を設ける
ように構成している。また、シリコンウェハ１０は、電
気的に浮遊状態になるように保持されている。
１０のおもて表面とうら表面とを露出させた形でシリコ
ンウェハ１０を保持できるクランプリング３０を設ける
ように構成している。また、シリコンウェハ１０は、電
気的に浮遊状態になるように保持されている。
【００３５】図２〜図４、図９および図１０を参照し
て、次にこの第５実施例のエッチング装置の動作につい
て説明する。
て、次にこの第５実施例のエッチング装置の動作につい
て説明する。
【００３６】まず、図２に示した下層シリコン酸化膜２
１、ポリシリコン膜２２および上層シリコン酸化膜２３
をそのおもて表面に有するシリコンウェハ１０を、図９
に示した第５実施例のエッチング装置内のクランプリン
グ３０によって保持する。ここで、シリコンウェハ１０
は、そのおもて表面が上向きになるように保持されてい
る。この状態で、プロセスガスをプロセスガス供給口７
ａおよび７ｂから供給する。そして、プロセスチャンバ
１内を所定の圧力に保持する。第１対向電極３１および
第２対向電極３２間にＲＦ電源６によるＲＦパワーを投
入する。これによって、シリコンウェハ１０の上方およ
び下方にプラズマ１１を発生させる。そして、プラズマ
１１の発生によって生成されたイオンによってシリコン
ウェハ１０のおもて表面に形成されたポリシリコン膜２
２（図３参照）をエッチングするとともに、シリコンウ
ェハ１０のうら表面をもエッチングする。このシリコン
ウェハ１０のうら表面のエッチングによって、うら表面
のＳｉがシリコンウェハ１０のおもて表面に回り込む。
そして、そのＳｉがポリシリコン膜２２の側壁部分に供
給される。このシリコンウェハ１０のうら表面からのＳ
ｉの供給によって、ポリシリコン膜２２がオーバエッチ
ングされている間も、ポリシリコン膜２２の側壁部分に
Ｓｉが供給され続ける。これにより、ポリシリコン膜２
２のオーバエッチング中に、ポリシリコン膜２２の側壁
部分に側壁保護膜２５が堆積し続ける。この結果、ポリ
シリコン膜２２のオーバエッチング中に従来のようにポ
リシリコン膜２２の側壁に位置する側壁保護膜２５が削
られてさらにポリシリコン膜２２の側壁部分がサイドエ
ッチングされるのが有効に防止できる。したがって、高
段差部分を有する下地膜上にポリシリコン膜２２が形成
された場合に、その高段差部分に位置するポリシリコン
膜２２を除去するためにオーバエッチングを行なったと
しても、従来のようにポリシリコン膜２２がサイドエッ
チングされるのが有効に防止され、設計パターン通りの
パターン形状を得ることができる。
１、ポリシリコン膜２２および上層シリコン酸化膜２３
をそのおもて表面に有するシリコンウェハ１０を、図９
に示した第５実施例のエッチング装置内のクランプリン
グ３０によって保持する。ここで、シリコンウェハ１０
は、そのおもて表面が上向きになるように保持されてい
る。この状態で、プロセスガスをプロセスガス供給口７
ａおよび７ｂから供給する。そして、プロセスチャンバ
１内を所定の圧力に保持する。第１対向電極３１および
第２対向電極３２間にＲＦ電源６によるＲＦパワーを投
入する。これによって、シリコンウェハ１０の上方およ
び下方にプラズマ１１を発生させる。そして、プラズマ
１１の発生によって生成されたイオンによってシリコン
ウェハ１０のおもて表面に形成されたポリシリコン膜２
２（図３参照）をエッチングするとともに、シリコンウ
ェハ１０のうら表面をもエッチングする。このシリコン
ウェハ１０のうら表面のエッチングによって、うら表面
のＳｉがシリコンウェハ１０のおもて表面に回り込む。
そして、そのＳｉがポリシリコン膜２２の側壁部分に供
給される。このシリコンウェハ１０のうら表面からのＳ
ｉの供給によって、ポリシリコン膜２２がオーバエッチ
ングされている間も、ポリシリコン膜２２の側壁部分に
Ｓｉが供給され続ける。これにより、ポリシリコン膜２
２のオーバエッチング中に、ポリシリコン膜２２の側壁
部分に側壁保護膜２５が堆積し続ける。この結果、ポリ
シリコン膜２２のオーバエッチング中に従来のようにポ
リシリコン膜２２の側壁に位置する側壁保護膜２５が削
られてさらにポリシリコン膜２２の側壁部分がサイドエ
ッチングされるのが有効に防止できる。したがって、高
段差部分を有する下地膜上にポリシリコン膜２２が形成
された場合に、その高段差部分に位置するポリシリコン
膜２２を除去するためにオーバエッチングを行なったと
しても、従来のようにポリシリコン膜２２がサイドエッ
チングされるのが有効に防止され、設計パターン通りの
パターン形状を得ることができる。
【００３７】図１１は、本発明の第６実施例による平行
平板型のＲＩＥ装置を示した断面構造図である。図１２
は、図１１に示した第６実施例のＲＩＥ装置のクランプ
リングの平面位置を説明するための概略平面図である。
図１１および図１２を参照して、この第６実施例では、
図９に示した第５実施例と同様に、シリコンウェハ１０
を、そのおもて表面とうら表面とが露出するようにクラ
ンプリング３０によって保持する。そしてこの第６実施
例では、第５実施例と異なり、クランプリング３０に
は、プロセスチャンバ１の外部に設けられたＲＦ電源６
が容量結合用コンデンサ５を介して電気的に接続されて
いる。すなわち、この第６実施例では、第５実施例と異
なり、シリコンウェハ１０には所定の電位が与えられ
る。第１対向電極３１および第２対向電極３２は、とも
に接地されている。
平板型のＲＩＥ装置を示した断面構造図である。図１２
は、図１１に示した第６実施例のＲＩＥ装置のクランプ
リングの平面位置を説明するための概略平面図である。
図１１および図１２を参照して、この第６実施例では、
図９に示した第５実施例と同様に、シリコンウェハ１０
を、そのおもて表面とうら表面とが露出するようにクラ
ンプリング３０によって保持する。そしてこの第６実施
例では、第５実施例と異なり、クランプリング３０に
は、プロセスチャンバ１の外部に設けられたＲＦ電源６
が容量結合用コンデンサ５を介して電気的に接続されて
いる。すなわち、この第６実施例では、第５実施例と異
なり、シリコンウェハ１０には所定の電位が与えられ
る。第１対向電極３１および第２対向電極３２は、とも
に接地されている。
【００３８】図２〜図４、図１１および図１２を参照し
て、次に第６実施例のエッチング装置の動作について説
明する。まず、図２に示した下層シリコン酸化膜２１、
ポリシリコン膜２２および上層シリコン酸化膜２３をそ
のおもて表面に有するシリコンウェハ１０（図１１参
照）をエッチング装置内のクランプリング３０によって
保持する。ここで、シリコンウェハ１０は、そのおもて
表面が上方に向くように保持される。そして、プロセス
ガス供給口７ａおよび７ｂからプロセスガスを供給す
る。プロセスチャンバ１内の圧力を所定の圧力に保持す
る。ＲＦ電源６から容量結合用コンデンサ５を介してク
ランプリング３０にＲＦパワーを導入する。これによ
り、シリコンウェハ１０の上方および下方にプラズマ１
１を発生させる。このプラズマ１１の発生によって生成
されたイオンによりシリコンウェハ１０のおもて表面と
うら表面とがエッチングされる。
て、次に第６実施例のエッチング装置の動作について説
明する。まず、図２に示した下層シリコン酸化膜２１、
ポリシリコン膜２２および上層シリコン酸化膜２３をそ
のおもて表面に有するシリコンウェハ１０（図１１参
照）をエッチング装置内のクランプリング３０によって
保持する。ここで、シリコンウェハ１０は、そのおもて
表面が上方に向くように保持される。そして、プロセス
ガス供給口７ａおよび７ｂからプロセスガスを供給す
る。プロセスチャンバ１内の圧力を所定の圧力に保持す
る。ＲＦ電源６から容量結合用コンデンサ５を介してク
ランプリング３０にＲＦパワーを導入する。これによ
り、シリコンウェハ１０の上方および下方にプラズマ１
１を発生させる。このプラズマ１１の発生によって生成
されたイオンによりシリコンウェハ１０のおもて表面と
うら表面とがエッチングされる。
【００３９】すなわち、図３に示すように、シリコンウ
ェハ１０のおもて表面上に形成されたポリシリコン膜２
２が上層シリコン酸化膜２３をマスクとしてエッチング
されるとともに、シリコンウェハ１０のうら表面（図１
１参照）のＳｉも同時にエッチングされる。このシリコ
ンウェハ１０のうら表面のＳｉのエッチングによって、
Ｓｉがおもて表面のポリシリコン膜２２（図３および図
４参照）の側壁部分に供給される。したがって、図４に
示したようなポリシリコン膜２２のオーバエッチング中
にも、Ｓｉが供給され続ける。これにより、ポリシリコ
ン膜２２のオーバエッチング中に、ポリシリコン膜２２
の側壁部分に側壁保護膜２５が堆積され続ける。この結
果、従来のようにポリシリコン膜２２のオーバエッチン
グ中にＳｉの供給不足から側壁保護膜２５が削られてポ
リシリコン膜２２がサイドエッチングされるのが有効に
防止される。これにより、高段差部分（図示せず）を有
する下層シリコン酸化膜２１上にポリシリコン膜２２が
形成された場合に、高段差部分に位置するポリシリコン
膜２２を除去するためにポリシリコン膜２２をオーバエ
ッチングする際に、ポリシリコン膜２２がサイドエッチ
ングされるのが防止され、設計通りのパターン加工を行
なうことができる。なお、第１〜第６実施例では、ＲＩ
Ｅ装置についての適用例を示したが、本発明はこれに限
らず、たとえば、ＥＣＲエッチング装置やヘリコン波に
よってプラズマを発生させるエッチング装置にも適用可
能である。
ェハ１０のおもて表面上に形成されたポリシリコン膜２
２が上層シリコン酸化膜２３をマスクとしてエッチング
されるとともに、シリコンウェハ１０のうら表面（図１
１参照）のＳｉも同時にエッチングされる。このシリコ
ンウェハ１０のうら表面のＳｉのエッチングによって、
Ｓｉがおもて表面のポリシリコン膜２２（図３および図
４参照）の側壁部分に供給される。したがって、図４に
示したようなポリシリコン膜２２のオーバエッチング中
にも、Ｓｉが供給され続ける。これにより、ポリシリコ
ン膜２２のオーバエッチング中に、ポリシリコン膜２２
の側壁部分に側壁保護膜２５が堆積され続ける。この結
果、従来のようにポリシリコン膜２２のオーバエッチン
グ中にＳｉの供給不足から側壁保護膜２５が削られてポ
リシリコン膜２２がサイドエッチングされるのが有効に
防止される。これにより、高段差部分（図示せず）を有
する下層シリコン酸化膜２１上にポリシリコン膜２２が
形成された場合に、高段差部分に位置するポリシリコン
膜２２を除去するためにポリシリコン膜２２をオーバエ
ッチングする際に、ポリシリコン膜２２がサイドエッチ
ングされるのが防止され、設計通りのパターン加工を行
なうことができる。なお、第１〜第６実施例では、ＲＩ
Ｅ装置についての適用例を示したが、本発明はこれに限
らず、たとえば、ＥＣＲエッチング装置やヘリコン波に
よってプラズマを発生させるエッチング装置にも適用可
能である。
【００４０】図１３〜図１６は、本発明のエッチング方
法の第１実施例を説明するための断面構造図である。図
１３〜図１６を参照して、この第１実施例のエッチング
方法について説明する。
法の第１実施例を説明するための断面構造図である。図
１３〜図１６を参照して、この第１実施例のエッチング
方法について説明する。
【００４１】まず、図１３に示すように、高段差部分
（図示せず）を有する下地シリコン酸化膜４１上にポリ
シリコン膜４２を形成する。ポリシリコン膜４２上に上
層シリコン酸化膜層（図示せず）およびシリコン供給膜
層（図示せず）を形成する。シリコン供給膜層（図示せ
ず）上の所定領域に写真製版技術を用いてレジスト４４
を形成する。レジスト４４をマスクとしてドライエッチ
ング法を用いてパターニングすることによりシリコン供
給膜４６および上層シリコン酸化膜４３を形成する。
（図示せず）を有する下地シリコン酸化膜４１上にポリ
シリコン膜４２を形成する。ポリシリコン膜４２上に上
層シリコン酸化膜層（図示せず）およびシリコン供給膜
層（図示せず）を形成する。シリコン供給膜層（図示せ
ず）上の所定領域に写真製版技術を用いてレジスト４４
を形成する。レジスト４４をマスクとしてドライエッチ
ング法を用いてパターニングすることによりシリコン供
給膜４６および上層シリコン酸化膜４３を形成する。
【００４２】次に、図１４に示すように、レジスト４４
をマスクとしてさらに被エッチング膜であるポリシリコ
ン膜４２を異方性エッチングする。この異方性エッチン
グは、Ｃｌ2 ガスまたはＨＢｒガスに、Ｏ2 またはＮ2
を微量添加したガス系を用いる。ポリシリコン膜４２の
膜厚が残存している間は、ポリシリコン膜４２自身がＳ
ｉの供給源となる。すなわち、ポリシリコン膜４２のエ
ッチングによってポリシリコン膜４２、上層シリコン酸
化膜４３およびシリコン供給膜４６の側壁部分にＳｉが
供給される。これにより、ポリシリコン膜４２、上層シ
リコン酸化膜４３およびシリコン供給膜４６の側壁部分
に側壁保護膜４５が形成される。
をマスクとしてさらに被エッチング膜であるポリシリコ
ン膜４２を異方性エッチングする。この異方性エッチン
グは、Ｃｌ2 ガスまたはＨＢｒガスに、Ｏ2 またはＮ2
を微量添加したガス系を用いる。ポリシリコン膜４２の
膜厚が残存している間は、ポリシリコン膜４２自身がＳ
ｉの供給源となる。すなわち、ポリシリコン膜４２のエ
ッチングによってポリシリコン膜４２、上層シリコン酸
化膜４３およびシリコン供給膜４６の側壁部分にＳｉが
供給される。これにより、ポリシリコン膜４２、上層シ
リコン酸化膜４３およびシリコン供給膜４６の側壁部分
に側壁保護膜４５が形成される。
【００４３】次に、図１５に示すように、ポリシリコン
膜４２のエッチングされている部分の膜厚が完全になく
なる前に、レジスト４４（図１４参照）を除去する。こ
のレジスト４４の除去は、Ｏ2 ガスなどを用いて行な
う。そして、今度はシリコン供給膜４６をマスクとし
て、ポリシリコン膜４２をさらにエッチングする。この
シリコン供給膜４６のエッチングによって、ポリシリコ
ン膜４２のエッチングされる部分の膜厚が完全になくな
った後にも、ポリシリコン膜４２の側壁部分にはＳｉが
供給され続ける。すなわち、ポリシリコン膜４２をオー
バエッチングしている間も、シリコン供給膜４６からポ
リシリコン膜４２の側壁部分にＳｉが供給され続ける。
これにより、ポリシリコン膜４２の側壁部分には側壁保
護膜４５が堆積され続ける。この結果、ポリシリコン膜
４２のオーバエッチングを終了した後の形状は、図１６
に示したような形状となる。すなわち、ポリシリコン膜
４２のオーバエッチングが終了した後にも、ポリシリコ
ン膜４２の側壁部分には側壁保護膜４５が残存してお
り、ポリシリコン膜４２の側壁部分がサイドエッチング
されるのが有効に防止される。
膜４２のエッチングされている部分の膜厚が完全になく
なる前に、レジスト４４（図１４参照）を除去する。こ
のレジスト４４の除去は、Ｏ2 ガスなどを用いて行な
う。そして、今度はシリコン供給膜４６をマスクとし
て、ポリシリコン膜４２をさらにエッチングする。この
シリコン供給膜４６のエッチングによって、ポリシリコ
ン膜４２のエッチングされる部分の膜厚が完全になくな
った後にも、ポリシリコン膜４２の側壁部分にはＳｉが
供給され続ける。すなわち、ポリシリコン膜４２をオー
バエッチングしている間も、シリコン供給膜４６からポ
リシリコン膜４２の側壁部分にＳｉが供給され続ける。
これにより、ポリシリコン膜４２の側壁部分には側壁保
護膜４５が堆積され続ける。この結果、ポリシリコン膜
４２のオーバエッチングを終了した後の形状は、図１６
に示したような形状となる。すなわち、ポリシリコン膜
４２のオーバエッチングが終了した後にも、ポリシリコ
ン膜４２の側壁部分には側壁保護膜４５が残存してお
り、ポリシリコン膜４２の側壁部分がサイドエッチング
されるのが有効に防止される。
【００４４】このようにこの第１実施例のエッチング方
法では、ポリシリコン膜４２のオーバエッチング中にシ
リコン供給膜４６からポリシリコン膜４２の側壁部分に
Ｓｉが供給されるため、ポリシリコン膜４２の側壁部分
の側壁保護膜４５が削られてポリシリコン膜４２がサイ
ドエッチングされるのが有効に防止される。この結果、
高段差部分（図示せず）を有する下層シリコン酸化膜４
１上に被エッチング膜であるポリシリコン膜４２が形成
されている場合に、高段差部分に位置するポリシリコン
膜４２を除去するためにポリシリコン膜４２をオーバエ
ッチングする際に、ポリシリコン膜４２の側壁部分の側
壁保護膜４５が削られてポリシリコン膜４２の側壁部分
がサイドエッチングされるのが有効に防止され、設計寸
法通りのパターン加工を行なうことができる。
法では、ポリシリコン膜４２のオーバエッチング中にシ
リコン供給膜４６からポリシリコン膜４２の側壁部分に
Ｓｉが供給されるため、ポリシリコン膜４２の側壁部分
の側壁保護膜４５が削られてポリシリコン膜４２がサイ
ドエッチングされるのが有効に防止される。この結果、
高段差部分（図示せず）を有する下層シリコン酸化膜４
１上に被エッチング膜であるポリシリコン膜４２が形成
されている場合に、高段差部分に位置するポリシリコン
膜４２を除去するためにポリシリコン膜４２をオーバエ
ッチングする際に、ポリシリコン膜４２の側壁部分の側
壁保護膜４５が削られてポリシリコン膜４２の側壁部分
がサイドエッチングされるのが有効に防止され、設計寸
法通りのパターン加工を行なうことができる。
【００４５】図１７〜図２０は、本発明のエッチング方
法の第２実施例を説明するための断面構造図である。図
１７〜図２０を参照して、この第２実施例のエッチング
方法について説明する。
法の第２実施例を説明するための断面構造図である。図
１７〜図２０を参照して、この第２実施例のエッチング
方法について説明する。
【００４６】まず、図１７に示すように、高段差部分
（図示せず）を有する下層シリコン酸化膜５１上にポリ
シリコン膜５２を形成する。ポリシリコン膜５２上に上
層シリコン酸化膜層（図示せず）およびシリコン供給膜
層（図示せず）を形成する。ここで、シリコン供給膜層
は図１３に示した第１実施例のシリコン供給膜４６の膜
厚よりもその厚みが厚くなるように形成する。シリコン
供給膜層（図示せず）上の所定領域にフォトリソグラフ
ィー法を用いてレジスト５４を形成する。レジスト５４
をマスクとして異方性エッチングすることにより、シリ
コン供給膜５６および上層シリコン酸化膜５３を形成す
る。
（図示せず）を有する下層シリコン酸化膜５１上にポリ
シリコン膜５２を形成する。ポリシリコン膜５２上に上
層シリコン酸化膜層（図示せず）およびシリコン供給膜
層（図示せず）を形成する。ここで、シリコン供給膜層
は図１３に示した第１実施例のシリコン供給膜４６の膜
厚よりもその厚みが厚くなるように形成する。シリコン
供給膜層（図示せず）上の所定領域にフォトリソグラフ
ィー法を用いてレジスト５４を形成する。レジスト５４
をマスクとして異方性エッチングすることにより、シリ
コン供給膜５６および上層シリコン酸化膜５３を形成す
る。
【００４７】次に、図１８に示すように、レジスト５４
（図１７参照）を除去する。次に、図１９に示すよう
に、シリコン供給膜５６をマスクとしてポリシリコン膜
５２を異方性エッチングする。このポリシリコン膜５２
のエッチング中に、エッチングされているポリシリコン
膜５２およびシリコン供給膜５６の両方からポリシリコ
ン膜５２、上層シリコン酸化膜５３およびシリコン供給
膜５６の側壁部分にＳｉが供給される。これにより、ポ
リシリコン膜５２、上層シリコン酸化膜５３およびシリ
コン供給膜５６の側壁部分に側壁保護膜５５が形成され
る。さらにポリシリコン膜５２のエッチングを行なって
オーバエッチングを行なう際には、シリコン供給膜５６
からポリシリコン膜５２の側壁部分にＳｉが供給され
る。したがって、ポリシリコン膜５２のオーバエッチン
グ中にも、ポリシリコン膜５２の側壁部分には側壁保護
膜５５が堆積され続ける。この結果、最終的に得られる
形状は図２０に示すような形状となる。すなわち、ポリ
シリコン膜５２のオーバエッチングが終了した後にも、
ポリシリコン膜５２の側壁部分には側壁保護膜５５が形
成されており、ポリシリコン膜５２の側壁部分が従来の
ようにサイドエッチングされるのが防止される。このよ
うに、この第２実施例のエッチング方法においても、高
段差部分（図示せず）を有する下層シリコン酸化膜５１
上に被エッチング膜であるポリシリコン膜５２が形成さ
れた場合に、高段差部分に位置するポリシリコン膜５２
を除去するためにポリシリコン膜５２のオーバエッチン
グをする際に、Ｓｉの供給不足からポリシリコン膜５２
の両側壁部分に位置する側壁保護膜５５が削られてポリ
シリコン膜５２がサイドエッチングされるのが有効に防
止され、この結果設計寸法通りのパターン加工を行なう
ことができる。
（図１７参照）を除去する。次に、図１９に示すよう
に、シリコン供給膜５６をマスクとしてポリシリコン膜
５２を異方性エッチングする。このポリシリコン膜５２
のエッチング中に、エッチングされているポリシリコン
膜５２およびシリコン供給膜５６の両方からポリシリコ
ン膜５２、上層シリコン酸化膜５３およびシリコン供給
膜５６の側壁部分にＳｉが供給される。これにより、ポ
リシリコン膜５２、上層シリコン酸化膜５３およびシリ
コン供給膜５６の側壁部分に側壁保護膜５５が形成され
る。さらにポリシリコン膜５２のエッチングを行なって
オーバエッチングを行なう際には、シリコン供給膜５６
からポリシリコン膜５２の側壁部分にＳｉが供給され
る。したがって、ポリシリコン膜５２のオーバエッチン
グ中にも、ポリシリコン膜５２の側壁部分には側壁保護
膜５５が堆積され続ける。この結果、最終的に得られる
形状は図２０に示すような形状となる。すなわち、ポリ
シリコン膜５２のオーバエッチングが終了した後にも、
ポリシリコン膜５２の側壁部分には側壁保護膜５５が形
成されており、ポリシリコン膜５２の側壁部分が従来の
ようにサイドエッチングされるのが防止される。このよ
うに、この第２実施例のエッチング方法においても、高
段差部分（図示せず）を有する下層シリコン酸化膜５１
上に被エッチング膜であるポリシリコン膜５２が形成さ
れた場合に、高段差部分に位置するポリシリコン膜５２
を除去するためにポリシリコン膜５２のオーバエッチン
グをする際に、Ｓｉの供給不足からポリシリコン膜５２
の両側壁部分に位置する側壁保護膜５５が削られてポリ
シリコン膜５２がサイドエッチングされるのが有効に防
止され、この結果設計寸法通りのパターン加工を行なう
ことができる。
【００４８】
【発明の効果】請求項１に係るエッチング装置では、エ
ッチング室内の所定位置にシリコンを含むシリコン供給
材を設けることにより、被エッチング物のオーバエッチ
ング中にそのシリコン供給材からシリコンが被エッチン
グ物の側壁部分に供給されるので、被エッチング物のオ
ーバエッチング中にも被エッチング物の側壁保護膜が削
られて被エッチング物がサイドエッチングされるのが有
効に防止される。この結果、高段差部分を有する下地膜
上に被エッチング物が形成されている場合にその高段差
部分に位置する被エッチング物を除去するために被エッ
チング物をオーバエッチングする際に、被エッチング物
がサイドエッチングされるのが有効に防止され、設計寸
法通りのパターン加工を行なうことができる。
ッチング室内の所定位置にシリコンを含むシリコン供給
材を設けることにより、被エッチング物のオーバエッチ
ング中にそのシリコン供給材からシリコンが被エッチン
グ物の側壁部分に供給されるので、被エッチング物のオ
ーバエッチング中にも被エッチング物の側壁保護膜が削
られて被エッチング物がサイドエッチングされるのが有
効に防止される。この結果、高段差部分を有する下地膜
上に被エッチング物が形成されている場合にその高段差
部分に位置する被エッチング物を除去するために被エッ
チング物をオーバエッチングする際に、被エッチング物
がサイドエッチングされるのが有効に防止され、設計寸
法通りのパターン加工を行なうことができる。
【００４９】請求項２に係るエッチング装置では、第１
電極と第２電極との間に位置する領域にウェハのおもて
表面とうら表面とが露出するようにウェハを保持するた
めのウェハ保持手段を設けることにより、ウェハのおも
て表面上に被エッチング物が形成されている場合に、そ
の被エッチング物をエッチングする際にウェハのうら表
面も同時にエッチングされて、そのうら表面のシリコン
がおもて表面の被エッチング物の側壁部分に供給され
る。これにより、高段差部分を有する下地膜上に被エッ
チング物が形成されている場合にその高段差部分に位置
する被エッチング物を除去するために被エッチング物を
オーバエッチングする際にも、被エッチング物の側壁部
分には側壁保護膜が堆積され続けるので、被エッチング
物の側壁部分がサイドエッチングされるのが有効に防止
され、設計寸法通りのパターン加工を行なうことができ
る。
電極と第２電極との間に位置する領域にウェハのおもて
表面とうら表面とが露出するようにウェハを保持するた
めのウェハ保持手段を設けることにより、ウェハのおも
て表面上に被エッチング物が形成されている場合に、そ
の被エッチング物をエッチングする際にウェハのうら表
面も同時にエッチングされて、そのうら表面のシリコン
がおもて表面の被エッチング物の側壁部分に供給され
る。これにより、高段差部分を有する下地膜上に被エッ
チング物が形成されている場合にその高段差部分に位置
する被エッチング物を除去するために被エッチング物を
オーバエッチングする際にも、被エッチング物の側壁部
分には側壁保護膜が堆積され続けるので、被エッチング
物の側壁部分がサイドエッチングされるのが有効に防止
され、設計寸法通りのパターン加工を行なうことができ
る。
【００５０】請求項３に係るエッチング方法では、下地
膜上に被エッチング膜を形成し、被エッチング膜の上方
の所定領域にシリコンを含むシリコン供給膜を形成し、
被エッチング膜を被エッチング膜の膜厚分だけ異方的に
エッチングし、さらに被エッチング膜を異方的にオーバ
エッチングし、少なくとも被エッチング膜のオーバエッ
チングの際にシリコン供給膜をマスクとしてエッチング
することにより被エッチング膜の側壁部分にシリコン供
給膜からシリコンを供給して側壁保護膜を形成すること
により、被エッチング膜のオーバエッチング中にシリコ
ンの供給不足から側壁保護膜が削られて被エッチング膜
がサイドエッチングされるのが有効に防止される。この
結果、高段差部分を有する下地膜上に被エッチング膜が
形成された場合に高段差部分に位置する被エッチング膜
を除去するために被エッチング膜をオーバエッチングす
る際にも、被エッチング膜がサイドエッチングされるこ
とがなく設計寸法通りのパターン加工を行なうことがで
きる。
膜上に被エッチング膜を形成し、被エッチング膜の上方
の所定領域にシリコンを含むシリコン供給膜を形成し、
被エッチング膜を被エッチング膜の膜厚分だけ異方的に
エッチングし、さらに被エッチング膜を異方的にオーバ
エッチングし、少なくとも被エッチング膜のオーバエッ
チングの際にシリコン供給膜をマスクとしてエッチング
することにより被エッチング膜の側壁部分にシリコン供
給膜からシリコンを供給して側壁保護膜を形成すること
により、被エッチング膜のオーバエッチング中にシリコ
ンの供給不足から側壁保護膜が削られて被エッチング膜
がサイドエッチングされるのが有効に防止される。この
結果、高段差部分を有する下地膜上に被エッチング膜が
形成された場合に高段差部分に位置する被エッチング膜
を除去するために被エッチング膜をオーバエッチングす
る際にも、被エッチング膜がサイドエッチングされるこ
とがなく設計寸法通りのパターン加工を行なうことがで
きる。
【図１】本発明の一実施例によるカソードカップリング
型のＲＩＥ装置を示した断面構造図である。
型のＲＩＥ装置を示した断面構造図である。
【図２】図１に示した第１実施例のエッチング方法を用
いたエッチングプロセスの第１工程を説明するための断
面構造図である。
いたエッチングプロセスの第１工程を説明するための断
面構造図である。
【図３】図１に示した第１実施例のエッチング方法を用
いたエッチングプロセスの第２工程を説明するための断
面構造図である。
いたエッチングプロセスの第２工程を説明するための断
面構造図である。
【図４】図１に示した第１実施例のエッチング方法を用
いたエッチングプロセスの第３工程を説明するための断
面構造図である。
いたエッチングプロセスの第３工程を説明するための断
面構造図である。
【図５】本発明の第２実施例によるカソードカップリン
グ型のＲＩＥ装置を示した断面構造図である。
グ型のＲＩＥ装置を示した断面構造図である。
【図６】本発明の第３実施例によるカソードカップリン
グ型のＲＩＥ装置を示した断面構造図である。
グ型のＲＩＥ装置を示した断面構造図である。
【図７】本発明の第４実施例によるカソードカップリン
グ型のＲＩＥ装置を示した断面構造図である。
グ型のＲＩＥ装置を示した断面構造図である。
【図８】図７に示した第４実施例のＲＩＥ装置の動作を
説明するための断面構造図である。
説明するための断面構造図である。
【図９】本発明の第５実施例による平行平板型のＲＩＥ
装置を示した断面構造図である。
装置を示した断面構造図である。
【図１０】図９に示したＲＩＥ装置のクランプリングの
平面位置を示した概略平面図である。
平面位置を示した概略平面図である。
【図１１】本発明の第６実施例による平行平板型のＲＩ
Ｅ装置を示した断面構造図である。
Ｅ装置を示した断面構造図である。
【図１２】図１１に示した第６実施例のＲＩＥ装置のク
ランプリングの平面位置を示した概略平面図である。
ランプリングの平面位置を示した概略平面図である。
【図１３】本発明のエッチング方法の第１実施例の第１
工程を説明するための断面構造図である。
工程を説明するための断面構造図である。
【図１４】本発明のエッチング方法の第１実施例の第２
工程を説明するための断面構造図である。
工程を説明するための断面構造図である。
【図１５】本発明のエッチング方法の第１実施例の第３
工程を説明するための断面構造図である。
工程を説明するための断面構造図である。
【図１６】本発明のエッチング方法の第１実施例の第４
工程を説明するための断面構造図である。
工程を説明するための断面構造図である。
【図１７】本発明のエッチング方法の第２実施例の第１
工程を説明するための断面構造図である。
工程を説明するための断面構造図である。
【図１８】本発明のエッチング方法の第２実施例の第２
工程を説明するための断面構造図である。
工程を説明するための断面構造図である。
【図１９】本発明のエッチング方法の第２実施例の第３
工程を説明するための断面構造図である。
工程を説明するための断面構造図である。
【図２０】本発明のエッチング方法の第２実施例の第４
工程を説明するための断面構造図である。
工程を説明するための断面構造図である。
【図２１】従来のカソードカップリング型のＲＩＥ装置
を示した断面構造図である。
を示した断面構造図である。
【図２２】図２１に示した従来のＲＩＥ装置を用いたエ
ッチングプロセスの第１工程を説明するための断面構造
図である。
ッチングプロセスの第１工程を説明するための断面構造
図である。
【図２３】図２１に示した従来のＲＩＥ装置を用いたエ
ッチングプロセスの第２工程を説明するための断面構造
図である。
ッチングプロセスの第２工程を説明するための断面構造
図である。
【図２４】図２１に示した従来のＲＩＥ装置を用いたエ
ッチングプロセスの第３工程を説明するための断面構造
図である。
ッチングプロセスの第３工程を説明するための断面構造
図である。
【図２５】図２１に示した従来のＲＩＥ装置を用いたエ
ッチングプロセスの第４工程を説明するための断面構造
図である。
ッチングプロセスの第４工程を説明するための断面構造
図である。
【図２６】図２１に示した従来のＲＩＥ装置を用いたエ
ッチングプロセスの第５工程を説明するための断面構造
図である。
ッチングプロセスの第５工程を説明するための断面構造
図である。
１：プロセスチャンバ ２：上部電極 ３：下部電極 ４：絶縁物 ５：容量結合用コンデンサ ６：ＲＦ（高周波）電源 ７：プロセスガス供給口 ８：排気口 ９：Ｓｉ片 １０：シリコンウェハ １１：プラズマ １２：電極 １３：可変式ＤＣ電源 １４：可動式遮蔽板 ２１：下層シリコン酸化膜 ２２：ポリシリコン膜 ２３：上層シリコン膜 ２４：側壁保護膜 ３０：クランプリング ３１：第１対向電極 ３２：第２対向電極 ４１：下層シリコン酸化膜 ４２：ポリシリコン膜 ４３：上層シリコン酸化膜 ４４：レジスト ４５：側壁保護膜 ４６：シリコン供給膜 ５１：下層シリコン酸化膜 ５２：ポリシリコン膜 ５３：上層シリコン酸化膜 ５４：レジスト ５５：側壁保護膜 ５６：シリコン供給膜 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (3)
- 【請求項１】 エッチング室内に充填された供給ガスを
プラズマ放電させることによって被エッチング物をエッ
チングするエッチング装置であって、 前記エッチング室内の所定位置にシリコンを含むシリコ
ン供給材を備えた、エッチング装置。 - 【請求項２】 エッチング室内に充填された供給ガスを
プラズマ放電させることによって被エッチング物をエッ
チングするエッチング装置であって、 前記エッチング室内の所定位置に設けられた第１電極
と、 前記エッチング室内で前記第１電極と所定の間隔を隔て
て対向するように設けられた第２電極と、 前記エッチング室内に高周波を供給するための高周波供
給手段と、 前記第１電極と第２電極との間に位置する領域に設けら
れ、ウェハのおもて表面とうら表面とが露出するように
前記ウェハを保持するためのウェハ保持手段とを備え
た、エッチング装置。 - 【請求項３】 シリコンを含む被エッチング膜を異方的
にエッチングするエッチング方法であって、 下地膜上に前記被エッチング膜を形成する工程と、 前記被エッチング膜の上方の所定領域にシリコンを含む
シリコン供給膜を形成する工程と、 前記被エッチング膜を前記被エッチング膜の膜厚分だけ
異方的にエッチングする工程と、 さらに、前記被エッチング膜を異方的にオーバエッチン
グする工程とを備え、 少なくとも前記被エッチング膜のオーバエッチングの際
に前記シリコン供給膜をマスクとしてエッチングするこ
とにより、前記被エッチング膜の側壁部分に前記シリコ
ン供給膜からシリコンを供給して側壁絶縁膜を形成す
る、エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10675892A JPH05299377A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | エッチング装置およびエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10675892A JPH05299377A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | エッチング装置およびエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299377A true JPH05299377A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14441818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10675892A Withdrawn JPH05299377A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | エッチング装置およびエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299377A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6927173B2 (en) | 1996-04-26 | 2005-08-09 | Renesas Technology Corp. | Plasma processing method |
| JP2010521808A (ja) * | 2007-03-16 | 2010-06-24 | ソースル シーオー エルティディー | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
1992
- 1992-04-24 JP JP10675892A patent/JPH05299377A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6927173B2 (en) | 1996-04-26 | 2005-08-09 | Renesas Technology Corp. | Plasma processing method |
| KR100511803B1 (ko) * | 1996-04-26 | 2005-11-16 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 반도체장치의제조방법 |
| JP2010521808A (ja) * | 2007-03-16 | 2010-06-24 | ソースル シーオー エルティディー | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US8888950B2 (en) | 2007-03-16 | 2014-11-18 | Charm Engineering Co., Ltd. | Apparatus for plasma processing and method for plasma processing |
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