JPH0969505A - 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 - Google Patents
基板洗浄方法及び基板洗浄装置Info
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- JPH0969505A JPH0969505A JP22532495A JP22532495A JPH0969505A JP H0969505 A JPH0969505 A JP H0969505A JP 22532495 A JP22532495 A JP 22532495A JP 22532495 A JP22532495 A JP 22532495A JP H0969505 A JPH0969505 A JP H0969505A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 気相において洗浄を行う基板洗浄方法に関
し、特に、基板を効率よく洗浄でき、基板に損傷を与え
ない基板洗浄方法及び基板洗浄装置を提供する。 【解決手段】 励起された分子が金属又は有機物質と反
応する有機物を含む雰囲気中において有機物を励起し、
励起された有機物と、基板に付着した金属又は有機物質
とを反応させて揮発性の反応物を生成し、金属又は有機
物質を除去する。
し、特に、基板を効率よく洗浄でき、基板に損傷を与え
ない基板洗浄方法及び基板洗浄装置を提供する。 【解決手段】 励起された分子が金属又は有機物質と反
応する有機物を含む雰囲気中において有機物を励起し、
励起された有機物と、基板に付着した金属又は有機物質
とを反応させて揮発性の反応物を生成し、金属又は有機
物質を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の洗浄方法に
係り、特に、気相において洗浄を行う基板洗浄方法及び
基板洗浄装置に関する。
係り、特に、気相において洗浄を行う基板洗浄方法及び
基板洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年における半導体デバイスの高速化、
高密度化の要求に応えるため、高精度の半導体基板が必
要とされている。半導体基板、半導体装置等の製造プロ
セスにおいては、基板の表面不純物を極力取り除くこと
が要求されている。通常は、アンモニア−過酸化水素−
純水混合液（ＳＣ−１液）、或いは塩酸−過酸化水素−
純水混合液（ＳＣ−２液）を用いた、いわゆるＲＣＡ洗
浄と呼ばれる液相洗浄が主に使用されている。
高密度化の要求に応えるため、高精度の半導体基板が必
要とされている。半導体基板、半導体装置等の製造プロ
セスにおいては、基板の表面不純物を極力取り除くこと
が要求されている。通常は、アンモニア−過酸化水素−
純水混合液（ＳＣ−１液）、或いは塩酸−過酸化水素−
純水混合液（ＳＣ−２液）を用いた、いわゆるＲＣＡ洗
浄と呼ばれる液相洗浄が主に使用されている。
【０００３】ＲＣＡ洗浄では、ＳＣ−１液によるアルカ
リエッチングによって有機性汚れを除去することがで
き、ＳＣ−２液による薬液処理によって表面金属不純物
を除去することができる。これら薬液を用いた従来の基
板洗浄方法では、まず、洗浄すべき基板をＲＣＡ洗浄液
中に浸し、数十分間ボイルして洗浄する。洗浄後、流水
洗浄を数十分間行い、薬液をリンスする。続いて、基板
をスピンドライヤー或いは窒素気流下にて熱乾燥させ
る。
リエッチングによって有機性汚れを除去することがで
き、ＳＣ−２液による薬液処理によって表面金属不純物
を除去することができる。これら薬液を用いた従来の基
板洗浄方法では、まず、洗浄すべき基板をＲＣＡ洗浄液
中に浸し、数十分間ボイルして洗浄する。洗浄後、流水
洗浄を数十分間行い、薬液をリンスする。続いて、基板
をスピンドライヤー或いは窒素気流下にて熱乾燥させ
る。
【０００４】このようにして基板の洗浄が行われてい
た。一方、ＲＣＡ洗浄のような液相洗浄の他に、気相に
よる洗浄方法が注目されている。例えば、プラズマ、イ
オン等による物理的、化学的なエッチングを用いた洗浄
方法や、高エネルギーの紫外線を照射することにより汚
染物を除去する洗浄方法が検討されている。
た。一方、ＲＣＡ洗浄のような液相洗浄の他に、気相に
よる洗浄方法が注目されている。例えば、プラズマ、イ
オン等による物理的、化学的なエッチングを用いた洗浄
方法や、高エネルギーの紫外線を照射することにより汚
染物を除去する洗浄方法が検討されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液相に
おいて行う上記従来の基板洗浄方法では、一連の工程を
行うのに３０分乃至１時間程度の時間が必要であるた
め、スループットが悪いといった問題があった。また、
薬液の組成が変わる毎に別の洗浄ビーカが必要となるた
め、装置構成が複雑化するといった問題があった。
おいて行う上記従来の基板洗浄方法では、一連の工程を
行うのに３０分乃至１時間程度の時間が必要であるた
め、スループットが悪いといった問題があった。また、
薬液の組成が変わる毎に別の洗浄ビーカが必要となるた
め、装置構成が複雑化するといった問題があった。
【０００６】また、上記の基板洗浄方法は液相洗浄であ
るため、基板の洗浄後に行われるプロセス、例えば気相
での成膜プロセスなどとの一貫連続化ができないといっ
た問題があった。また、プラズマ、イオン、又は紫外線
を用いた気相洗浄方法では、基板に損傷を与えたり、又
は有機物しか除去できないといった問題があった。
るため、基板の洗浄後に行われるプロセス、例えば気相
での成膜プロセスなどとの一貫連続化ができないといっ
た問題があった。また、プラズマ、イオン、又は紫外線
を用いた気相洗浄方法では、基板に損傷を与えたり、又
は有機物しか除去できないといった問題があった。
【０００７】本発明の目的は、基板を効率よく洗浄で
き、基板に損傷を与えない基板洗浄方法及び装置、並び
に半導体装置の製造方法を提供することにある。
き、基板に損傷を与えない基板洗浄方法及び装置、並び
に半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、励起された
分子が金属又は有機物質と反応する有機物を含む雰囲気
中において前記有機物を励起し、励起された前記有機物
と、基板に付着した金属又は有機物質とを反応させて揮
発性の反応物を生成し、前記金属又は前記有機物質を除
去することを特徴とする基板洗浄方法によって達成され
る。
分子が金属又は有機物質と反応する有機物を含む雰囲気
中において前記有機物を励起し、励起された前記有機物
と、基板に付着した金属又は有機物質とを反応させて揮
発性の反応物を生成し、前記金属又は前記有機物質を除
去することを特徴とする基板洗浄方法によって達成され
る。
【０００９】また、基板が載置されたチャンバー内に、
励起された分子が金属又は有機物質と反応する有機物を
導入し、前記有機物を励起することにより、前記有機物
と前記基板に付着した金属又は有機物質とを反応させて
揮発性の反応物を生成し、前記チャンバー内を減圧する
ことにより、前記反応物を揮発して前記チャンバー内よ
り排出し、前記基板に付着した前記金属又は前記有機物
質を除去することを特徴とする基板洗浄方法によっても
達成される。
励起された分子が金属又は有機物質と反応する有機物を
導入し、前記有機物を励起することにより、前記有機物
と前記基板に付着した金属又は有機物質とを反応させて
揮発性の反応物を生成し、前記チャンバー内を減圧する
ことにより、前記反応物を揮発して前記チャンバー内よ
り排出し、前記基板に付着した前記金属又は前記有機物
質を除去することを特徴とする基板洗浄方法によっても
達成される。
【００１０】このようにして基板を洗浄することによ
り、液相において行う従来の基板洗浄方法よりもスルー
プットを改善することができる。また、組成が経時変化
する薬液等を用いないので、装置構成を簡略にすること
ができる。また、上記の基板洗浄方法において、前記有
機物は、熱エネルギー、プラズマ、放射線、又は紫外線
の照射のうち少なくともいずれか１つの方法により励起
することが望ましい。
り、液相において行う従来の基板洗浄方法よりもスルー
プットを改善することができる。また、組成が経時変化
する薬液等を用いないので、装置構成を簡略にすること
ができる。また、上記の基板洗浄方法において、前記有
機物は、熱エネルギー、プラズマ、放射線、又は紫外線
の照射のうち少なくともいずれか１つの方法により励起
することが望ましい。
【００１１】また、有機物としてπ結合を有する有機物
を用いれば、エネルギーの低い紫外線照射等により容易
に励起することができるので、基板に損傷を与えること
なく基板を洗浄することができる。また、洗浄する基板
を収容するチャンバーと、前記チャンバー内に、励起さ
れた分子が金属又は有機物質と反応する有機物を導入す
る有機物導入配管と、前記有機物導入配管より導入した
前記有機物を励起する励起機構とを有し、前記基板を洗
浄することを特徴とする基板洗浄装置によっても達成さ
れる。
を用いれば、エネルギーの低い紫外線照射等により容易
に励起することができるので、基板に損傷を与えること
なく基板を洗浄することができる。また、洗浄する基板
を収容するチャンバーと、前記チャンバー内に、励起さ
れた分子が金属又は有機物質と反応する有機物を導入す
る有機物導入配管と、前記有機物導入配管より導入した
前記有機物を励起する励起機構とを有し、前記基板を洗
浄することを特徴とする基板洗浄装置によっても達成さ
れる。
【００１２】このようにして基板洗浄装置を構成すれ
ば、基板に損傷を与えることなく効率よく基板を洗浄す
ることができる。半導体装置の製造工程における洗浄工
程に上記の洗浄方法を用いれば、半導体装置に損傷を与
えることなく基板を洗浄することができる。また、成膜
等の気相プロセスの前処理として用いれば、洗浄工程と
成膜工程とを一貫連続化することができる。
ば、基板に損傷を与えることなく効率よく基板を洗浄す
ることができる。半導体装置の製造工程における洗浄工
程に上記の洗浄方法を用いれば、半導体装置に損傷を与
えることなく基板を洗浄することができる。また、成膜
等の気相プロセスの前処理として用いれば、洗浄工程と
成膜工程とを一貫連続化することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態による基板洗
浄方法及び基板洗浄装置について図１及び図２を用いて
説明する。図１は本実施形態による基板洗浄装置を示す
概略図、図２は本実施形態による基板洗浄方法を説明す
る図である。
浄方法及び基板洗浄装置について図１及び図２を用いて
説明する。図１は本実施形態による基板洗浄装置を示す
概略図、図２は本実施形態による基板洗浄方法を説明す
る図である。
【００１４】本実施形態による基板洗浄装置を図１を用
いて説明する。洗浄処理を行うチャンバー１０には、チ
ャンバー１０内に基板洗浄に用いる有機物を導入する有
機物導入配管１２と、チャンバー１０内を減圧する排気
配管１４とが接続されている。チャンバー１０内には、
洗浄すべき基板１６が載置され、基板１６に対向する場
所には有機物導入配管１２から導入した有機物を励起す
る励起機構１８が設けられている。本実施形態による基
板洗浄装置では、励起機構１８として紫外線ランプが設
けられている。
いて説明する。洗浄処理を行うチャンバー１０には、チ
ャンバー１０内に基板洗浄に用いる有機物を導入する有
機物導入配管１２と、チャンバー１０内を減圧する排気
配管１４とが接続されている。チャンバー１０内には、
洗浄すべき基板１６が載置され、基板１６に対向する場
所には有機物導入配管１２から導入した有機物を励起す
る励起機構１８が設けられている。本実施形態による基
板洗浄装置では、励起機構１８として紫外線ランプが設
けられている。
【００１５】次に、本実施形態による基板洗浄方法を図
２を用いて説明する。まず、洗浄処理をすべき基板１６
を、チャンバー１０内に載置する。ここで、基板１６に
は、例えば、金属不純物２０及び有機不純物２２とが付
着しているものとする（図２（ａ））。次いで、有機物
導入配管１２より、基板洗浄に用いる有機物２４をチャ
ンバー１０内に導入する（図２（ｂ））。有機物２４と
しては、紫外線照射等により容易に励起される有機物、
例えば、π結合を有する有機物が望ましい。π結合を有
する有機物としては、例えば、一般式
２を用いて説明する。まず、洗浄処理をすべき基板１６
を、チャンバー１０内に載置する。ここで、基板１６に
は、例えば、金属不純物２０及び有機不純物２２とが付
着しているものとする（図２（ａ））。次いで、有機物
導入配管１２より、基板洗浄に用いる有機物２４をチャ
ンバー１０内に導入する（図２（ｂ））。有機物２４と
しては、紫外線照射等により容易に励起される有機物、
例えば、π結合を有する有機物が望ましい。π結合を有
する有機物としては、例えば、一般式
【００１６】
【化１】 により表される１，１，１，６，６，６−ヘキサフルオ
ロ−２，４−ヘキサジエンや、一般式
ロ−２，４−ヘキサジエンや、一般式
【００１７】
【化２】 により表される２，２，７，７−テトラメチル−３，５
−オクタジエンや、一般式
−オクタジエンや、一般式
【００１８】
【化３】 により表される１，５−シクロヘキサジエンや、一般式
【００１９】
【化４】 により表されるナフタレンなどを適用することができ
る。なお、π結合を有する有機物であっても、フォトレ
ジスト剤等に用いられる、窒素−窒素多重結合が存在す
る有機物、アジド化合物は好ましくない。アジド化合物
に紫外線を照射すると、有機物の重合がおこり、揮発性
の高い分解物が生成されないからである。
る。なお、π結合を有する有機物であっても、フォトレ
ジスト剤等に用いられる、窒素−窒素多重結合が存在す
る有機物、アジド化合物は好ましくない。アジド化合物
に紫外線を照射すると、有機物の重合がおこり、揮発性
の高い分解物が生成されないからである。
【００２０】チャンバー１０内に有機物２４を導入した
後、励起機構１８により有機物２４を励起する。励起機
構１８により照射した紫外線は、有機物２４により吸収
され、有機物２４のπ結合を励起することができる。有
機物２４のπ結合を励起するためには、紫外線の光エネ
ルギーが最も適している。このようにして励起された有
機物２６は、基板１６上に存在している金属不純物２０
及び有機不純物２２と効果的に反応する（図２
（ｃ））。
後、励起機構１８により有機物２４を励起する。励起機
構１８により照射した紫外線は、有機物２４により吸収
され、有機物２４のπ結合を励起することができる。有
機物２４のπ結合を励起するためには、紫外線の光エネ
ルギーが最も適している。このようにして励起された有
機物２６は、基板１６上に存在している金属不純物２０
及び有機不純物２２と効果的に反応する（図２
（ｃ））。
【００２１】励起された有機物２６と金属不純物２０と
が反応すると、揮発性の高い金属錯体２８が生成され
る。また、励起された有機物２６と有機不純物２２とが
反応すると、有機物が互いを分解し、揮発性の高い分解
物３０が生成される。この後、チャンバー１０内を排気
配管１４より減圧すれば、反応により生成した金属錯体
２８、分解物３０は基板１６より揮発し、チャンバー１
０外に排出される（図２（ｄ））。このようにして、基
板１６の洗浄を行うことができる。
が反応すると、揮発性の高い金属錯体２８が生成され
る。また、励起された有機物２６と有機不純物２２とが
反応すると、有機物が互いを分解し、揮発性の高い分解
物３０が生成される。この後、チャンバー１０内を排気
配管１４より減圧すれば、反応により生成した金属錯体
２８、分解物３０は基板１６より揮発し、チャンバー１
０外に排出される（図２（ｄ））。このようにして、基
板１６の洗浄を行うことができる。
【００２２】なお、上記一連の洗浄工程において、有機
物２４を励起するためには紫外線を照射したが、有機物
２４を励起するために必要とされる光のエネルギーは、
基板１６にダメージを与えるほど強くはないので、洗浄
の際に基板を損傷することはない。また、励起された有
機物は半導体材料とは反応しないため、例えば基板１６
として半導体ウェーハを用いた場合にも、ウェーハを損
傷することはない。
物２４を励起するためには紫外線を照射したが、有機物
２４を励起するために必要とされる光のエネルギーは、
基板１６にダメージを与えるほど強くはないので、洗浄
の際に基板を損傷することはない。また、励起された有
機物は半導体材料とは反応しないため、例えば基板１６
として半導体ウェーハを用いた場合にも、ウェーハを損
傷することはない。
【００２３】このように、本実施形態によれば、紫外線
照射により励起されやすい有機物を用いて基板表面の洗
浄を行うので、基板に損傷を与えることなく基板上の金
属不純物、有機不純物を除去することができる。なお、
上記実施形態では、有機物２４を励起する励起機構１８
として紫外線ランプを用いたが、他の励起手段により有
機物２４を励起してもよい。例えば、α線、β線、γ線
などの放射線であってもよいし、プラズマであってもよ
いし、熱エネルギーであってもよい。
照射により励起されやすい有機物を用いて基板表面の洗
浄を行うので、基板に損傷を与えることなく基板上の金
属不純物、有機不純物を除去することができる。なお、
上記実施形態では、有機物２４を励起する励起機構１８
として紫外線ランプを用いたが、他の励起手段により有
機物２４を励起してもよい。例えば、α線、β線、γ線
などの放射線であってもよいし、プラズマであってもよ
いし、熱エネルギーであってもよい。
【００２４】また、上記実施形態では、基板１６として
半導体ウェーハを例にとって説明したが、半導体ウェー
ハに限定されるものではない。例えば、レチクル、フォ
トマスク、ＬＣＤ基板等であってもよく、その洗浄方法
及び装置等は同様に構成することができる。
半導体ウェーハを例にとって説明したが、半導体ウェー
ハに限定されるものではない。例えば、レチクル、フォ
トマスク、ＬＣＤ基板等であってもよく、その洗浄方法
及び装置等は同様に構成することができる。
【００２５】
【実施例】洗浄すべき半導体ウェーハを載置したチャン
バー内に、π結合を有する有機物として、一般式
バー内に、π結合を有する有機物として、一般式
【００２６】
【化５】 により表される１，１，１，６，６，６−ヘキサフルオ
ロ−２，４−ヘキサジエンを導入した。次いで、水銀ラ
ンプにより発生した紫外光をＵＶミラーにより分光し、
波長２００〜３００ｎｍの紫外光を、導入した有機物に
大気圧下で照射した。その後、チャンバー内の圧力を数
ｍｍＴｏｒｒにまで減圧した。
ロ−２，４−ヘキサジエンを導入した。次いで、水銀ラ
ンプにより発生した紫外光をＵＶミラーにより分光し、
波長２００〜３００ｎｍの紫外光を、導入した有機物に
大気圧下で照射した。その後、チャンバー内の圧力を数
ｍｍＴｏｒｒにまで減圧した。
【００２７】洗浄前と洗浄後において、ウェーハ表面に
付着しているニッケル、銅、鉄等の金属不純物の濃度を
測定したところ、金属不純物濃度を約１／１０にまで減
少することができた。
付着しているニッケル、銅、鉄等の金属不純物の濃度を
測定したところ、金属不純物濃度を約１／１０にまで減
少することができた。
【００２８】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、励起され
た分子が金属又は有機物質と反応する有機物を含む雰囲
気中において有機物を励起し、励起された有機物と、基
板に付着した金属又は有機物質とを反応させて揮発性の
反応物を生成し、金属又は有機物質を除去するので、液
相において行う従来の基板洗浄方法よりもスループット
を改善することができる。
た分子が金属又は有機物質と反応する有機物を含む雰囲
気中において有機物を励起し、励起された有機物と、基
板に付着した金属又は有機物質とを反応させて揮発性の
反応物を生成し、金属又は有機物質を除去するので、液
相において行う従来の基板洗浄方法よりもスループット
を改善することができる。
【００２９】また、組成が経時変化する薬液等を用いな
いので、装置構成を簡略にすることができる。また、基
板が載置されたチャンバー内に、励起された分子が金属
又は有機物質と反応する有機物を導入し、有機物を、励
起手段により励起することにより、基板に付着した金属
又は有機物質と反応させて揮発性の反応物を生成し、チ
ャンバー内を減圧することにより、反応物を揮発して、
チャンバー内より排出することにより、基板に付着した
金属又は有機物質を除去するので、液相において行う従
来の基板洗浄方法よりもスループットを改善することが
できる。
いので、装置構成を簡略にすることができる。また、基
板が載置されたチャンバー内に、励起された分子が金属
又は有機物質と反応する有機物を導入し、有機物を、励
起手段により励起することにより、基板に付着した金属
又は有機物質と反応させて揮発性の反応物を生成し、チ
ャンバー内を減圧することにより、反応物を揮発して、
チャンバー内より排出することにより、基板に付着した
金属又は有機物質を除去するので、液相において行う従
来の基板洗浄方法よりもスループットを改善することが
できる。
【００３０】また、上記の基板洗浄方法において、有機
物としてπ結合を有する有機物を用いれば、エネルギー
の低い紫外線照射等により容易に励起することができる
ので、基板に損傷を与えることなく基板を洗浄すること
ができる。また、洗浄する基板を収容するチャンバー
と、チャンバー内に、励起された分子が金属又は有機物
質と反応する有機物を導入する有機物導入配管と、有機
物導入配管より導入した有機物を励起する励起機構とに
より基板洗浄装置を構成すれば、基板に損傷を与えるこ
となく効率よく基板を洗浄することができる。
物としてπ結合を有する有機物を用いれば、エネルギー
の低い紫外線照射等により容易に励起することができる
ので、基板に損傷を与えることなく基板を洗浄すること
ができる。また、洗浄する基板を収容するチャンバー
と、チャンバー内に、励起された分子が金属又は有機物
質と反応する有機物を導入する有機物導入配管と、有機
物導入配管より導入した有機物を励起する励起機構とに
より基板洗浄装置を構成すれば、基板に損傷を与えるこ
となく効率よく基板を洗浄することができる。
【図１】本発明の一実施形態による基板洗浄装置を示す
概略図である。
概略図である。
【図２】本発明の一実施形態による基板洗浄方法を説明
する図である。
する図である。
１０…チャンバー １２…有機物導入配管 １４…排気配管 １６…基板 １８…励起機構 ２０…金属不純物 ２２…有機不純物 ２４…有機物 ２６…励起された有機物 ２８…金属錯体 ３０…分解物
Claims (5)
- 【請求項１】 励起された分子が金属又は有機物質と反
応する有機物を含む雰囲気中において前記有機物を励起
し、 励起された前記有機物と、基板に付着した金属又は有機
物質とを反応させて揮発性の反応物を生成し、前記金属
又は前記有機物質を除去することを特徴とする基板洗浄
方法。 - 【請求項２】 基板が載置されたチャンバー内に、励起
された分子が金属又は有機物質と反応する有機物を導入
し、 前記有機物を励起することにより、前記有機物と前記基
板に付着した金属又は有機物質とを反応させて揮発性の
反応物を生成し、 前記チャンバー内を減圧することにより、前記反応物を
揮発して前記チャンバー内より排出し、前記基板に付着
した前記金属又は前記有機物質を除去することを特徴と
する基板洗浄方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の基板洗浄方法にお
いて、 熱エネルギー、プラズマ、放射線、又は紫外線の照射の
うち少なくともいずれか１つの方法により前記有機物を
励起することを特徴とする基板洗浄方法。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載の基板洗浄方法にお
いて、 前記有機物は、π結合を有することを特徴とする基板洗
浄方法。 - 【請求項５】 洗浄する基板を収容するチャンバーと、 前記チャンバー内に、励起された分子が金属又は有機物
質と反応する有機物を導入する有機物導入配管と、 前記有機物導入配管より導入した前記有機物を励起する
励起機構とを有し、 前記基板を洗浄することを特徴とする基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22532495A JPH0969505A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22532495A JPH0969505A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969505A true JPH0969505A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=16827576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22532495A Withdrawn JPH0969505A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0969505A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011035119A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
-
1995
- 1995-09-01 JP JP22532495A patent/JPH0969505A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011035119A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021105 |