JPH0962062A - 接触帯電装置および画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 帯電ローラが含有する水分量を、非接触／光
学式検知手段により検知し、その水分量に応じて常時最
適な帯電電圧を帯電ローラに印加する。 【解決手段】 接触帯電装置を持つ画像形成装置におい
て、接触帯電部材表面の対向位置、または像担持体非接
触域に配置され、発光波長の異なる複数の発光部と、受
光部で構成する水分検知装置を備え、該受光出力の異な
る受光光波長を比較計算し、この値を予め設定したテ−
ブル値と対比することにより水分量の判断を行い、水分
量の値をもとに接触帯電部材への電圧印加手段を制御す
る。前記検出装置には検出用反射光以外の光の侵入によ
る影響を防止する手段を備え、又検出領域の清掃手段を
備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、接触帯電部材を用
いる帯電装置およびそれを用いる画像形成装置に関し、
特に、帯電部材の湿り状態を検知して接触帯電部材への
印加電圧を最適に制御する技術に関する。この種の帯電
装置は、複写機，ＦＡＸ，レーザプリンタ等、電子写真
装置に使用される。

【０００２】

【従来の技術】電子写真装置において、感光体等の電荷
担持体表面を帯電処理する帯電装置としては従来よりコ
ロナ放電装置が広く使用されきたが、コロナ放電発生の
ためには高電圧電源（４〜８ｋｖ）が必要であり、また
コロナ放電に起因するオゾン発生、それに伴う装置部品
の劣化、オゾンの吸収／分解フィルタの必要性、帯電／
電力効率が低い、等の問題を避ける為、接触帯電装置が
使用されるようになってきた。 接触帯電装置は、電圧
を印加した帯電部材を感光体等の電荷担持体表面に接触
させて帯電処理を行うもので、帯電電源電圧が低圧でよ
く、従ってオゾンの発生も少ない等の長所を有してい
る。

【０００３】一般的な接触帯電装置の帯電ローラ１０２
の構成を図１０に示す。感光体１０１を帯電するため、
帯電電源２０７から帯電用電圧が帯電ロ−ラ１０２の芯
金２０１に印加される。この電圧は、芯金２０１，導電
層２０２，表面層２０３を経由して感光体１０１に供給
され、感光体１０１表面を帯電する。帯電ローラ１０２
の導電層２０２は、感光体１０１との連れ廻りで回転さ
せる必要から弾性を必要とし、一般的に導電性ゴム材が
用いられる。

【０００４】この種の帯電ロ−ラ１０２を使用して感光
体１０１の帯電処理を行なう場合、その使用環境により
導電層２０２（導電性ゴム材）の電気伝導性が変化する
ので、使用環境が変化した時には、この部分を経由する
帯電電圧に対し影響を与える。すなわち、高温高湿下で
は導電層２０２（導電性ゴム材）の電気伝導度は大きく
なるので、帯電用印加電圧２０７は相対的に低くて良
く、低温低湿下では電気伝導度は小さくなるので帯電用
印加電圧は相対的に高くする必要がある。

【０００５】一般に温度と湿度は連動して変化するの
で、温度に応じて帯電ロ−ラ印加電圧を制御し、最適化
するというのが従来技術の思想であった。例えば、特平
４−１８６３８１公報には、帯電ロ−ラの表面層温度を
検出するセンサを設け、このセンサの検出温度によって
帯電ロ−ラに印加する電圧を制御する方法が開示されて
いる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、同一温度でも
湿度が異なる環境下においては、帯電ロ−ラ（導電性ゴ
ム材）の電気伝導性が変化するので、この部分を経由す
る感光体への帯電電圧にも変化が生ずる。すなわち、温
度検知のみによる帯電用印加電圧の最適化制御は大まか
なものにならざるを得ない。これは同一温度下でも、そ
の帯電ローラの吸湿履歴によって（即ち水分量によっ
て）電気伝導性が異なるからである。この問題を解決す
るためには、帯電ロ−ラそのものの水分を直接検知し、
この値に基ずき、帯電用印加電圧の最適化制御を行えば
よい。

【０００７】このような目的に使用される水分量検知手
段に関し、従来は抵抗式水分率計などの接触検知式の湿
度センサで帯電ローラの水分量を検知するという提案，
湿度センサで帯電ローラの周囲湿度を検知して電圧印加
を最適化するという提案、あるいは、光学式水分量検知
手段が使用されていた。しかし、接触検知式では、帯電
ローラ表面への当接圧の制御又は当接位置と画像形成域
の分離等を工夫しないと、画像形成への不具合が容易に
類推され、また、湿度センサによる方法では、周囲湿度
が急激に変化したとき（例えば、冷房機の運転を開始し
たとか、部屋の窓を開けたとか）に対応できない（周囲
湿度の変化に対して帯電ロ−ラの含水量の変化は遅
い）。また従来使用されていた光学式水分量検知手段
は、発光部（光源）と受光部を設け、発光部側又は受光
部側のどちらかに、異なる波長を通すフィルターを設け
たペアで構成するか、あるいは発光部、受光部は単数構
成であるが、計測ごとに所望のフィルターに交換を行な
う構成にするかの何れかであった。

【０００８】計測ごとにフィルターの交換をする方法
は、計測に時間がかかるという欠点を有し検知装置の小
型化に不向きであるし、また、発光部と受光部からなる
ペアの検知装置を検知波長毎に設ける構成では、ペアで
部品構成する必要があるので部品数の増加によるコスト
高となり、また装置の小型化に不向きである。尚、光学
式水分量検知装置を使用した場合、その使用波長が可視
光領域であるため、受光部に不要な光が侵入する可能性
が高く、正確な検知を行うことが難かしいと言う問題が
ある。

【０００９】次に画像形成装置が黒色の記録媒体を感光
体上に吸着させて画像形成を行う電子写真装置で、黒色
トナ−を感光体上に静電吸着させて行う場合を考えてみ
る。この時感光体クリ−ニング装置が無ければ、画像形
成を繰り返えし行ううちに感光体上の残留トナ−が帯電
ロ−ラ接触域に運ばれ帯電ロ−ラに付着し、帯電ロ−ラ
が黒色化してしまう。通常、電子写真装置には感光体ク
リ−ニング装置があり、残留トナ−を次の画像形成行程
に送らないようにしているが、残留トナ−の完全な除去
が行えず、現在の技術の限界として、感光体クリ−ニン
グ装置では粒径１μｍ以下の微粉トナ−の通過を防止で
きていない。しかし帯電性能に関しては微粉トナ−によ
って表面を覆われても、電気伝導性の変化はわずかであ
り、よほど長期にわたって無交換で使用しない限り、帯
電性能が劣化することはない。すなわち、特に帯電ロ−
ラ清掃手段を持つ必要はない。ところが、光学式水分量
検知装置を帯電ロ−ラの含水量検出のために塔載する場
合には、問題が生じてしまう。すなわち微粉トナ−によ
る帯電ロ−ラ表面の黒色化は、初期と経時での反射光量
の大幅な減少を意味し、初期設定の受光出力のままでは
水分量の誤検知につながる恐れがある。

【００１０】本発明は、接触帯電部材が含有する水分量
の変動による電荷担持体の帯電電位の変動を抑制するこ
とを第１の目的とし、接触帯電部材が含有する水分量を
検出するための光学式水分量検知装置を簡易な構成で接
触帯電装置に塔載可能なサイズ及び検知速度のものとす
ることを第２の目的とし、電荷担持体の帯電電位の変動
の抑制精度を高くすることを第３の目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】

（１）本発明の接触帯電装置は、電荷担持体に接触し該
電荷担持体を帯電する接触帯電部材；前記接触帯電部材
に波長が異なる光を照射する発光器および接触帯電部材
が反射した光を検出する受光器；該受光器が検出した前
記異なる光のレベルの相対関係より接触帯電部材の水分
量を検出する湿度検出手段；前記電荷担持体の水分量対
応の、該水分量において電荷担持体を実質上一定に帯電
するために前記接触帯電部材に印加すべき電圧デ−タを
格納したメモリ手段； 前記湿度検出手段が検出した水
分量に対応する電圧デ−タを前記メモリ手段から読み出
す手段；および、読み出された電圧デ−タが指定する電
圧を前記接触帯電部材に印加する帯電電源；を備える。

【００１２】

【発明の実施の形態】

（２）本発明のもう１つの態様の接触帯電装置は、電荷
担持体に接触し該電荷担持体を帯電する接触帯電部材；
前記接触帯電部材に波長が異なる光を照射する発光器お
よび接触帯電部材が反射した光を検出する受光器；該受
光器が検出した前記異なる光のレベル比を検出する湿度
検出手段；前記電荷担持体の前記レベル比対応の、該レ
ベル比において電荷担持体を実質上一定に帯電するため
に前記接触帯電部材に印加すべき電圧デ−タを格納した
メモリ手段；前記湿度検出手段が検出したレベル比に対
応する電圧デ−タを前記メモリ手段から読み出す手段；
および、読み出された電圧デ−タが指定する電圧を前記
接触帯電部材に印加する帯電電源；を備える。

【００１３】（３）上記（１）又は（２）の接触帯電装
置において、発光器は実質上波長０．８μｍに強度ピ−
クがある光を照射する第１発光器および実質上波長１．
４５μｍに強度ピ−クがある光を照射する第２発光器を
含み、受光器は波長０．８μｍおよび１．４５μｍに光
電変換感度がある１つの光電変換器である。

【００１４】（４）上記（１）又は（２）の接触帯電装
置は、少くとも接触帯電部材表面の、発光器が照射した
光の反射光を受光器が検出する位置を清掃するクリ−ニ
ング手段を備える。

【００１５】（５）本発明の画像形成装置は、感光体；
該感光体に接触し感光体を帯電する接触帯電部材；前記
感光体の帯電面に画像光を投射する露光手段；前記感光
体の前記画像光の投射により形成された静電潜像を現像
する現像手段； 前記感光体の前記現像により形成され
た顕像を記録媒体に転写する転写手段；前記接触帯電部
材に波長が異なる光を照射する発光器および接触帯電部
材が反射した光を検出する受光器；制御手段が指定する
電圧を前記接触帯電部材に印加する帯電電源；前記接触
帯電部材の水分量対応の、該水分量において感光体を実
質上一定に帯電するために前記接触帯電部材に印加すべ
き電圧デ−タを格納したメモリ手段；前記受光器が検出
した前記異なる光のレベルの相対関係より接触帯電部材
の水分量を検出し、検出した水分量に対応する電圧デ−
タを前記メモリ手段から読み出し、前記帯電電源に該電
圧デ−タ対応の電圧の印加を指定する制御手段；を備え
る。

【００１６】（６）本発明のも１つの態様の画像形成装
置は、感光体；該感光体に接触し感光体を帯電する接触
帯電部材；前記感光体の帯電面に画像光を投射する露光
手段；前記感光体の前記画像光の投射により形成された
静電潜像を現像する現像手段； 前記感光体の前記現像
により形成された顕像を記録媒体に転写する転写手段；
前記接触帯電部材に波長が異なる光を照射する発光器お
よび接触帯電部材が反射した光を検出する受光器；制御
手段が指定する電圧を前記接触帯電部材に印加する帯電
電源；レベル比対応の、該レベル比において感光体を実
質上一定に帯電するために前記接触帯電部材に印加すべ
き電圧デ−タを格納したメモリ手段；前記受光器が検出
した前記異なる光のレベル比を検出し、検出したレベル
比に対応する電圧デ−タを前記メモリ手段から読み出
し、前記帯電電源に該電圧デ−タ対応の電圧の印加を指
定する制御手段；を備える。

【００１７】（７）上記（５）又は（６）の画像形成装
置は、更に、転写を終えた感光体面に光を照射して除電
する除電装置を備え、制御手段は、除電装置が光非照射
の間に前記検出を実行する。

【００１８】（８）上記（５）又は（６）の画像形成装
置において、制御手段は、露光手段が画像光非投射の間
に前記検出を実行する。

【００１９】（９）上記（５）又は（６）の画像形成装
置において、制御手段は、画像形成装置に電源が投入さ
れた直後に前記検出を実行し、感光体を帯電するとき、
前記メモリ手段から電圧デ−タを読み出して帯電電源に
該電圧デ−タ対応の電圧の印加を指定する。

【００２０】（１０）上記（５），（６）又は（９）の
画像形成装置において、制御手段は、指定数の画像形成
を終了した後に前記検出を実行し、次回に感光体を帯電
するとき、前記メモリ手段から電圧デ−タを読み出して
帯電電源に該電圧デ−タ対応の電圧の印加を指定する。

【００２１】（１１）上記（５）又は（６）の画像形成
装置において、接触帯電部材表面の、発光器が照射した
光の反射光を受光器が検出する位置は、感光体の画像形
成領域に対応する領域の外である。

【００２２】（１２）上記（５）又は（６）の画像形成
装置は、発光器と露光手段の間に、相互間の光の侵入を
防止する遮光体を備える。

【００２３】（１３）上記（５），（６）又は（１２）
の画像形成装置は、更に、転写を終えた感光体面に光を
照射して除電する除電装置、ならびに、この除電装置と
発光器の間に、相互間の光の侵入を防止する遮光体、を
備える。

【００２４】

【実施例】

−第１実施例− 図１に、本発明の画像形成装置の第１実施例を示し、図
２には図１に示す帯電ロ−ラ１０２を拡大して示し、図
３には図１に示す画像形成機構の動作を制御するコント
ロ−ラＣと湿度検出用のセンサＤおよび帯電電源２０７
との組合せ関係を示す。まず図１を参照すると、図１に
おいて、１０１は静電潜像が形成される感光体ドラム
（電荷担持体）、１０２は感光体ドラム１０１に接触し
て帯電処理する帯電ロ−ラ（接触帯電部材）、１０３は
画像光を感光体ドラム１０１に投射する露光装置、１０
４は感光体ドラム１０１の静電潜像にトナ−を付着させ
る現像装置、１０５は給紙部（図示せず）から搬送され
る記録紙を感光体ドラム１０１の画像（トナ−像）とタ
イミングをとって搬送するレジストロ−ラ、１０６は感
光体ドラム１０１上のトナ−像を記録紙に転写処理する
転写チャ−ジャ、１０７は感光体ドラム１０１表面に密
着した記録紙を分離する分離チャ−ジャ、１０８は感光
体ドラム１０１表面の残留トナ−を除去し回収するクリ
−ニング装置、１０９は感光体ドラム１０１の残留電位
を除去し初期レベルに回復させるためのクエンチングラ
ンプ（除電装置）である。なお、図１では電子写真プロ
セスにおいて通常必要な他の機能ユニットは省略してあ
る。

【００２５】以上のように構成された電子写真装置にお
ける基本的な作像動作について説明する。感光体ドラム
１０１の表面を、該感光体ドラム１０１に接触された帯
電ロ−ラ１０２に対してＤＣ電圧を帯電電源２０７より
給電することによって一様に高電位に帯電する。その直
後、感光体ドラム１０１面に露光装置１０３が画像光を
投射すると、画像光が照射された部分は電位が低下す
る。画像光は、画像の黒／白に応じた光量の分布である
ため、画像光の照射によって感光体ドラム１０１面に記
録画像に対応する電位分布、すなわち、静電潜像が形成
される。静電潜像が形成された部分が現像装置１０４を
通過すると、その電位の高低に応じてトナ−が付着し、
静電潜像を可視像化したトナ−像が形成される。トナ−
像が形成された部分に所定のタイミングでレジストロ−
ラ１０５により記録紙が搬送され、上記トナ−像に重な
る。このトナ−像が転写チャ−ジャ１０６によって記録
紙に転写された後、該記録紙は感光体ドラム１０１から
分離チャ−ジャ１０７により分離される。分離された記
録紙は搬送経路を通って搬送される。次いで、定着ユニ
ット（図示せず）によって熱定着された後、機外に排出
される。

【００２６】また、上記転写処理終了後、感光体ドラム
１０１の表面はクリ−ニング装置１０８によりクリ−ニ
ング処理され、さらにクエンチングランプ１０９により
残留電荷が消去され、次回の作像処理に備える。なお、
上記の電子写真装置において、通常のコロナ放電式の帯
電チャ−ジャの代わりに、帯電ロ−ラ１０２を用いてい
るので、そのオゾン発生は帯電チャ−ジャに比べて４０
〜６０％程低減される。また、これよりさらにオゾンガ
ス発生の低減を図りたい場合は、転写チャ−ジャ１０６
の代わりに転写ベルトや転写ロ−ラを用いるとよい。

【００２７】上述の画像形成処理のための各種要素の動
作（オン／オフ）タイミングは、コントロ−ラＣが制御
する。

【００２８】次に上記帯電ロ−ラ１０２とその帯電系の
構成を、図２を参照して説明する。図２において、２０
１は芯金であり、例えば、ＳＵＳ（ステンレス鋼）材、
鉄鋼＋メッキ処理材、Ａｌ（アルミ棒）材等の導電性の
材質を用いる。この芯金２０１には中間層２０２と表面
層２０３が設けられている。この中間層２０２は、肉厚
１〜４ｍｍ程度のエピクロルヒドリンゴムのような中抵
抗弾性体、あるいはシリコンゴム、エチエンプロピレン
ゴム、ニトリルゴム、ノルボ−ネンゴム等の合成ゴムを
用い、これらの合成ゴムの中に導電性粉末（例えば、カ
−ボンブラックや金属粉末等）を混入した組成物によっ
て形成する。また、これらの特性としては、体積抵抗が
１０⁵Ω・ｃｍ以下、好ましくは１０³Ω・ｃｍ以下、ゴ
ム硬度（ＪＩＡ・Ａ）２０〜４５度、好ましくは２５〜
４０度が共通に挙げられる。また、中間層２０２の外周
面には表面層２０３が層厚３〜２５μｍ、好ましくは
４．５〜１２μｍ以下の材料で形成される。表面層２０
３の材質としては、エピクロルヒドリンゴムとルミフロ
ンおよびシリカを分散混入させた合金材質、あるいはル
ミフロンに酸化スズを分散混入したもの、あるいはナイ
ロン，セルロ−ス等を用いる。

【００２９】また、上記表面層２０３の体積抵抗は１０
⁵〜１０¹³Ω・ｃｍ以下、好ましくは１０⁶〜１０¹²Ω・
ｃｍがよい。さらに、中間層２０２〜表面層２０３まで
の体積抵抗は１０⁶〜１０¹²Ω・ｃｍ程度の導電性を有
することが望ましい。また芯金２０１の両端部分は、軸
受２０４が遊嵌されており、回転自在に支持されてい
る。さらに、この軸受２０４はスプリング２０５で付勢
され、帯電ロ−ラ１０２を感光体ドラム１０１に対し所
定の圧力で圧接させている。なお、この帯電ロ−ラ１０
２および感光体ドラム１０１への圧接機構は、これに限
定されるものではなく、感光体ドラム１０１に帯電ロ−
ラ１０２を接触させ、感光体ドラム１０１の駆動力が帯
電ロ−ラ１０２との摩擦によって帯電ロ−ラ１０２を連
れ回りさせる構成であれば他の機構であってもよい。ま
た、帯電ロ−ラ１０２の一方の端面には、給電リセプタ
クル２０６を接触するように設け、この給電リセプタク
ル２０６には電圧を印加するための電源２０７が接続さ
れている。使用に応じて表面が汚染される可能性がある
場合には、帯電ロ−ラ１０２に接触させてロ−ラ表面の
付着物を除去するためにロ−ラ清掃部材（１１０：図８
（ａ））を設けてもよい。以上の構成において、帯電ロ
−ラ１０２には、制御手段Ｃによって印加電圧最適制御
及び帯電電圧印加タイミングを制御された帯電電源２０
７からの電圧が、給電リセプタクル２０６を介して芯金
２０１に給電される。この給電により芯金２０１→中間
層２０２→表面層２０３→感光体ドラム１０１へと電流
が流れ、感光体ドラム１０１が帯電される。なお、給電
方式についても、上記のような電流経路が得られるもの
であれば、特にこの形態に限定するものではない。例え
ば、電源２０７がスプリング２０５に接続され、軸受２
０４を導電性部材で構成してもよい。前述のように、中
間層２０２を構成する材料（導電性ゴム材）の電気伝導
性が周囲環境により変化する為、周囲環境が変化した時
には上記経路で流れる電流に影響を与え、帯電ロ−ラ１
０２の帯電電圧にも影響を与える。

【００３０】本発明では、光学式の帯電ロ−ラ水分検知
装置Ｄを、図２（あるいは図８の（ｂ））のように帯電
ロ−ラ１０２の対向位置に非接触で設定するか、または
図６に示すように帯電ロ−ラ１０２のエッジ部、すなわ
ち感光体ドラムとの非接触域に設定する。該水分検知装
置Ｄにより帯電ロ−ラの水分量を直接検知し、検知した
水分検出信号に基ずき、制御部Ｃで帯電用電源の電圧制
御を行ない、帯電ロ−ラ芯金２０１への印加電圧を最適
化する。第１実施例では、図２に示すように、感光体１
０１の画像形成領域に対応する帯電ロ−ラ１０２の画像
域の外側の非画像域の周面に、水分検知装置Ｄを対向さ
せている。

【００３１】帯電ロ−ラ１０２の表面色について説明す
る。本発明で用いるの水分検知装置Ｄでは、帯電ロ−ラ
１０２からの反射光を用いているので、帯電ロ−ラ表面
の色の濃淡に合わせて発光出力を調整（濃色ほど出力
大）して受光出力を制御信号として処理可能な値にする
必要がある。この時帯電ロ−ラ表面色が黒色であると、
適当な受光出力を得るためには発光出力を著しく大きく
する必要があり、装置の大型化、高コスト化を生じ、
又、水分量検知感度の低い検知装置になってしまう。

【００３２】帯電ロ−ラ１０２においては、前述のよう
に表面層２０３の層厚が薄く、また材質はいずれも透明
である為、その下層である中間層２０２の色が表面色と
して現われる。例えば、エピクロルヒドリンゴムの場
合、黄土色であり通常の発光出力の制御可能範囲内で制
御信号として処理可能な受光出力を得ることができる。
これ以外の帯電ローラの表面色においては反射率に差が
あるので、ローラ種によって検知装置の発光部及び受光
部の出力調整をすることで制御信号として処理可能な値
に設定する。第１実施例においては帯電ロ−ラ１０２の
表面色は黄土色である。

【００３３】図３を参照する。水分検知装置Ｄは、２個
の発光器ＤｅＡ，ＤｅＢと、帯電ローラ表面層２０３か
ら反射されてくる反射光を受光し、受光レベル対応の電
気信号を発生する受光器Ｄｒから構成され、帯電ローラ
表面に対向して非接触で配置してある。

【００３４】図５の（ａ）に、発光器ＤｅＡ，ＤｅＢの
発光強度分布および受光器Ｄｒの受光感度（分光感度）
を示す。帯電ローラ１０２を照射する第１発光器ＤｅＡ
の発光Ａは、波長０．８μｍに強度ピ−クを示し、同じ
く帯電ローラ１０２を照射する第２発光器ＤｅＢの発光
Ｂは、波長１．４５μｍに強度ピ−クを示す。発光Ａは
比較波長として用いるものであり、この目的から第１発
光器ＤｅＡは、波長０．４〜０．８μｍに強度ピークを
示す他の発光器でもよい。

【００３５】帯電ロ−ラ表面層２０３からの反射光は、
発光部の法線上の１０〜４０度の位置に配置してある受
光器Ｄｒに入射する。受光器Ｄｒの光電変換感度は、
０．７〜１．７μｍにあり、受光器Ｄｒに入射した反射
光は、増幅回路Ｇで信号処理（レベル校正）されてコン
トロ−ラＣに与えられる。コントロ−ラＣは、Ａ／Ｄ変
換して読込む。

【００３６】比較波長帯（発光Ａ）は帯電ローラ１０２
の水分量に対して感度（反射光強度変化）がほとんどな
いのに対して、１．４５μｍ（発光Ｂ）は水の吸収スペ
クトルとしての感度が大きい。すなわち帯電ローラ１０
２の水分量が多いときには水によって、１．４５μｍの
波長光は吸収されるので比較値Ａ／Ｂ（発光Ａの反射光
強度／発光Ｂの反射光強度）は大きくなる。すなわち、
Ａ／Ｂが帯電ローラ１０２表面の水分量に対応する。水
分量とＡ／Ｂとの関係を図５の（ｂ）に示す。この図５
の（ｂ）に示す水分率とＡ／Ｂの関係を示すグラフは、
実際に使用されている画像形成装置に、本発明の検知装
置を塔載したときの検知値と電圧印加値との対応関係を
示したものである。すなわち、水分量（率）が異なる帯
電ローラに対して、感光体ドラムに対する帯電電位を所
定の一定値にするための電圧印加値と、水分検知値をあ
らかじめ測定してグラフ化したもので、このグラフに相
等する数値テ−ブルを電圧印加条件としてコントロ−ラ
Ｃ内のメモリに記憶（格納）している。グラフからもわ
かるように帯電ローラの水分率が大きいとき、比較値Ａ
／Ｂは上記の原理より大きな値として検知され、そのと
きは帯電ローラの電気伝導度が大きいと認識されて電圧
印加値を小さ目に更新して出力される。

【００３７】図５の（ｂ）には、Ａ／Ｂと帯電ロ−ラ１
０２の表面の水分率との関係、ならびに、該水分率にお
いて感光体１０１を所定電位（一定電位）に均一に帯電
するに必要な、帯電ロ−ラ１０２に印加すべき帯電電圧
を示したが、Ａ／Ｂと水分率とは実質上比例（リニア）
関係にあるので、第１実施例では、図５の（ｂ）に示す
Ａ／Ｂ，水分率および帯電ロ−ラ１０２に印加すべき電
圧、の３者の関係から、Ａ／Ｂと帯電ロ−ラ１０２に印
加すべき電圧、の２者の関係を求めた。この２者の関係
を図５の（ｃ）に示す。そして、Ａ／Ｂの各値に対応す
る帯電ロ−ラ１０２に印加すべき電圧をコントロ−ラＣ
の内部メモリに格納している。すなわちＡ／Ｂをアドレ
スとして該Ａ／Ｂに対応する電圧デ−タをメモリに格納
している。

【００３８】なお、水分率はＡ／Ｂの関数であるので、
本発明には、コントロ−ラＣにおいて、発光Ａと発光Ｂ
の受光器Ｄｒによる検出レベルに基づいて水分率を算出
し、コントロ−ラＣ内にメモリには、図５の（ｂ）に示
す水分率をアドレスとしてそれに対応する電圧デ−タを
格納しておいて、コントロ−ラは水分率を算出するとメ
モリをアクセスして該水分率対応の電圧デ−タを読み出
す態様もある。この態様では、後述のコントロ−ラＣの
処理動作説明において、Ａ／Ｂ算出を水分率の算出と読
み替え、Ａ／Ｂ対応の電圧デ−タの読出しを水分率対応
の電圧デ−タの読出しと読み替えればよいので、詳細な
説明は省略する。

【００３９】再度第１実施例の説明に戻ると、コントロ
−ラＣは、Ａ／Ｂ算出が必要なときに、水分検知装置Ｄ
の第２発光器ＤｅＢの点灯動作を行い、これを装置Ｄに
指示する信号に同期して受光器Ｄｒの光電変換信号（増
幅器Ｇで校正されたアナログ電圧）のデジタル変換を行
い、得たデータＢが設定値と実質上合致するかをチェッ
クして、デ−タＢが設定値より大きい値を示すときには
増幅器Ｇのゲインを１ステップ下げ、デ−タＢが設定値
より小さい値を示すときには増幅器Ｇのゲインを１ステ
ップ上げる。そして第２発光器ＤｅＢの点灯動作を行
い、これを装置Ｄに指示する信号に同期して受光器Ｄｒ
の光電変換信号のデジタル変換を行う。デ−タＢが設定
値に実質上合致すると、そのときのデ−タＢをコントロ
−ラＣの内部メモリに格納し、増幅器Ｇのゲイン調整を
終了する。次に、第１発光器ＤｅＡの点灯動作を行い、
これを装置Ｄに指示する信号に同期して受光器Ｄｒの光
電変換信号のデジタル変換を行い、得たデータＡはコン
トロ−ラＣの内部メモリに格納する。コントロ−ラＣは
次に、Ａ／Ｂを算出し、これを内部メモリに格納する。

【００４０】なお、増幅器Ｇのゲイン調整精度（ゲイン
分解能）が高い場合には、Ａ／前記設定値を算出する。
すなわち、ＡをＡ／Ｂ算出デ−タとする（１／前記設定
値が定数又は係数となるため）。

【００４１】図４に、コントロ−ラＣの制御動作を示
す。まず図４の（ａ）に示すメインル−チンを参照して
コントロ−ラＣの制御動作の概要を説明すると、装置電
源が投入されコントロ−ラＣに正規電圧が印加されると
コントロ−ラＣは、「初期設定処理」を実行する（ステ
ップ１および２）。以下カッコ内においては、ステップ
という語を省略してステップ番号符号のみを記す。「初
期設定処理」（２）で、コントロ−ラＣは内部メモリに
割り当てたレジスタ，カウンタ，タイマ等を初期化しあ
るいは初期値を設定し、コントロ−ラＣがオン／オフタ
イミング制御をする装置要素に対する出力（指示信号）
をオフ指定のものに設定する。

【００４２】次にコントロ−ラＣは、「水分量検知」
（３）を実行する。この「水分量検知」（３）の内容
は、図４の（ｂ）を参照して後述する。次に図示しない
原稿圧板の開閉をチェックして（４）、原稿圧板が原稿
押え位置にあると、「原稿サイズ検知」（５）を実行
し、画像形成スタ−ト入力（スタ−トＳＷのオン）を待
つ。画像形成スタ−ト入力を待っている間は、所定周期
で「水分量検知」（３）を繰返し実行する。

【００４３】画像形成スタ−ト入力があると、原稿サイ
ズ，記録サイズ指定および又は画像形成倍率指定に対応
した所要用紙（記録紙）サイズを決定し、決定したサイ
ズの用紙を収納したカセット（図示せず）を給紙に定め
る（７）。次にコントロ−ラＣは、画像形成を開始し
（８）、「帯電電位制御」（９）を実行し、指定枚数の
画像形成（複写）を実行する。指定枚数の画像形成を終
了するとエンドサイクルを設定し（１１）、画像形成ス
タ−ト入力待ちに戻り、エンドサイクルが終了すると、
そこでエンドサイクルのためにオンにしていた要素をオ
フとし、画像形成スタ−ト入力を待つ。このスタ−ト入
力を待っている間、前述のように、「水分量検知」
（３）を所定周期で繰返す。

【００４４】図４の（ｂ）を参照して「水分量検知」
（３）の内容を説明する。ここでコントロ−ラＣは、ま
ず「増幅器Ｇのゲイン調整」（２１）を実行する。すな
わち、水分量検知装置Ｄの第２の発光器ＤｅＢを点灯し
て、増幅器Ｇの出力信号（電圧）をデジタル変換して読
込み、読込んだデ−タＢが設定値より大きいと増幅器Ｇ
のゲインを１ステップ小さく、設定値より小さいと１ス
テップ大きいく変更し、そして増幅器Ｇの出力信号をデ
ジタル変換して読込み、再度設定値と比較してゲイン変
更をする。読込んだデ−タＢが設定値と実質上等しくな
ると、該デ−タＢをレジスタＢに書込む。コントロ−ラ
Ｃは次に、第２の発光器ＤｅＢを消灯し（２２）、第１
の発光器ＤｅＡを点灯して（２３）、増幅器Ｇの出力信
号をデジタル変換して読込み、読込んだデ−タＡをレジ
スタＡに書込む（２４）。そして第１の発光器ＤｅＡを
消灯し（２５）、レジスタＢおよびＡのデ−タＢとＡが
表わす値の比Ａ／Ｂを算出して、レジスタＡ／Ｂに書込
む（２６）。

【００４５】図４の（ｃ）を参照して、「帯電電位制
御」（９）の内容を説明する。ここでコントロ−ラＣ
は、レジスタＡ／Ｂのデ−タＡ／Ｂを読み出して（３
１）、設定範囲（図５の（ｃ）の斜線領域、すなわち
５．５３／１００以上、５．７０／１００以下）内であ
るかをチェックする（３２）。

【００４６】設定範囲内にあると、前回値レジスタＡp
／Ｂpのデ−タＡp／Ｂpとデ−タＡ／Ｂとの差が所定値
未満であるかをチェックして、所定値未満であると、デ
−タＡ／Ｂを前回値レジスタＡp／Ｂpに書込み、かつ、
デ−タＡ／Ｂをアドレスとして、図５の（ｃ）に示す帯
電ロ−ラ印加電圧を格納したテ−ブル（コントロ−ラＣ
の内部ＲＯＭの一領域）より帯電ロ−ラ印加電圧デ−タ
を読込出して、すなわちＡ／Ｂ対応の帯電電圧デ−タＶ
Ｃを読出して、これを帯電電圧レジスタＶＣに書込み、
デ−タＶＣをアナログ電圧（帯電電圧指示信号）に変換
して帯電電源２０７に与える。帯電電源２０７は、該ア
ナログ電圧に実質上比例する帯電電圧を帯電ロ−ラ１０
２に印加する（３３，３４）。前回値レジスタＡp／Ｂp
のデ−タＡp／Ｂpとデ−タＡ／Ｂとの差が所定値未満で
あるかをチェックしたとき所定値以上であると、水分量
検出エラ−の可能性が高いので、帯電電圧レジスタＶＣ
のデ−タＶＣを読み出し、アナログ電圧（帯電電圧指示
信号）に変換して帯電電源２０７に与える（３３，３
５）。すなわち、最新の水分量検出に基づいて算出した
Ａ／Ｂを無視して、前回出力した帯電電圧を今回も出力
する。

【００４７】以上に説明したコントロ−ラＣの制御動作
により、上述の第１実施例では、画像形成スタ−ト入力
を待っている間、すなわち画像形成を行なわないタイミ
ングつまり、露光装置１０３が画像光を投射せずしかも
除電装置１０９が除電光を照射しない期間に行なわれ、
水分量検出時に受光器Ｄｒに、画像光や除電光が入るこ
とがなく、水分量検出が正確である。また、露光装置１
０３が画像光を投射する露光期間には水分量検出が行な
われないので、発光器ＤｅＡ，ＤｅＢの発光Ａ，Ｂが画
像露光を乱すこともない。

【００４８】−第２実施例− 水分検知装置Ｄの設置に関する他の形態の一実施例を図
６に示す。図６の（ａ）は帯電ロ−ラ１０２の端部のテ
−パ面に第１および第２の発光器ＤｅＡ，ＤｅＢの発光
Ａ，Ｂを照射し、該テ−パ面の反射光を受光器Ｄｒで検
出するようにした。他の構造および機能は、上述の第１
実施例と同じである。この第２実施例の変形例では、図
５の（ｂ）に示すように、反射用ミラ−Ｍを使用して帯
電ロ−ラ１０２の端部テ−パ面に発光Ａ，Ｂを照射す
る。この場合水分検知装置Ｄをロ−ラ１０２の上方に配
置しうる利点がある。

【００４９】帯電ロ−ラ１０２は、ロ−ラ両端を剪断し
て製造するが、その際、剪断跡の処理のため、両端をテ
−パ加工するのが一般的である。このテ−パ面は感光体
に非接触で、かつ、外部に露出している面であるので、
水分量検知領域として利用するのに好適である。

【００５０】帯電ロ−ラ自体、コンパクトな構成を目的
として製造されているので、一般的にロ−ラ径はφ１０
ｍｍ〜φ２０ｍｍ程度であり、このためテ−パ面も１〜
２ｍｍ幅が限度である。したがって接触式の検知装置で
は、当該検出面積が小さすぎて安定した接触状態を保つ
のが難かしく、搭載は非常に困難であるが、第２実施例
に示すように設置すればテ−パ面を検知領域として使用
することができる。帯電ロ−ラ１０２の端部テ−パ面を
検知領域として使用する理由は、感光体１０１との接触
面の対向領域を検知領域とした場合、非画像域と言えど
も全くトナ−汚れによる黒色化が無いとは言えないの
で、これを避ける為である。第２実施例によれば、端部
シ−ル破損等による非画像部へのトナ−付着が不意に発
生しても、帯電ロ−ラ１０２の水分量検知が正常に行え
る。

【００５１】−第３実施例− 本発明は、水分検知装置Ｄにより帯電ロ−ラ１０２の電
気伝導度を変化させる因子である水分量を直接検知する
ので大きな効果を生むが、検知装置Ｄが帯電ロ−ラ１０
２からの反射光を受光器Ｄｒで検知する構成であるの
で、外部からのフレア光が侵入すると誤検知につながる
恐れがある。特に比較波長帯である発光Ａは０．４〜
０．８μｍの可視領域であり、この領域に対して感度を
持つ受光素子Ｄｒを用いているが（この領域の発光素子
および受光素子が安価で商品搭載に適している）、電子
写真装置の場合、帯電装置の前後工程にそれぞれ除電装
置（電位の前歴の消去）と露光装置（画像情報の書き込
み）がありそれぞれ電位消去に可視光を使用しており
（感光体の感度が一般に０．５〜０．９μｍの領域なの
で、感光体電位の消去には可視光が必要である）、これ
は水分検知装置Ｄと同一スペクトクル領域の為、誤検知
の可能性は特に高いと言える。

【００５２】そこで第３実施例では、図７の（ａ）に示
すように、クエンチングランプ（除電装置）１０９と検
知装置Ｄの間に遮光部材Ｒｑを設け、また、露光装置１
０３が投射する潜像形成用の画像光と検知装置Ｄの間に
遮光部材Ｒｉを設けて、それぞれフレア光が検知装置Ｄ
の方向に侵入することを防止している。遮光部材Ｒｑ，
Ｒｉとしては透光性のないものがよく、黒塗装したＳＥ
ＣＣ，ＳＵＳ，Ａｌ等の金属や、ポリカ−ボネイト等の
樹脂でやはり黒塗装したものが望ましい。

【００５３】クエンチングランプ１０９と検知装置Ｄの
間、及び露光装置１０３が投射する画像光と検知装置Ｄ
の間の遮光は、図７の（ｂ）に示すように、検知装置Ｄ
の上下流を覆うケ−ス状遮光板Ｒａにしてもよい。

【００５４】−第４実施例− 第４実施例を図８に示す。この第４実施例では、帯電ロ
−ラ１０２の表面をクリ−ニングする清掃部材１１０を
備えた。尚、第４実施例では、検知装置Ｄを帯電ロ−ラ
１０２の略中央に配置したが、他装置との位置関係にお
いて、清掃部材１１０が同じ対応域に配置可能であれ
ば、他の配置にしても性能上問題ない。

【００５５】帯電ロ−ラ清掃による経時品質維持の効果
を検証するため、３種のロ−ラ清掃部材１１０と清掃部
材無しの状態にある画像形成装置それぞれで、連続動作
試験を行い正常動作する寿命を調べた。

【００５６】図９に示す検証方法を参照されたい。パッ
ト部材３０１及びエメリペ−パ４０１はロ−ラ清掃効果
が高いが、反面、押圧されていることもあって、ロ−ラ
研磨作用も生じる。検知領域のみの清掃であると、研磨
の有／無で表面状態に差が生じ、帯電ムラが生じる可能
もあるので、画像域全域で行うのが望ましい。また、毛
ブラシ５０１はロ−ラ清掃効果が３０１，４０１に劣る
もののロ−ラ表面に対する負荷が小さく、検知領域のみ
の当接でよい。これら清掃部材の選択は、ロ−ラ材質の
強度，目標寿命，目標コストに応じて選択すればよい。

【００５７】 （１）試験条件 感光体 ：ＯＰＣ 感光体線速 ：１２０ｍｍ／ｓｅｃ 帯電ロ−ラ ：φ１４×３００ 基準印加電圧 ：−１６００ｖ／水分率２４％ 通紙サイズ ：Ａ４ 現像方式 ：乾式２成分 クリ−ニング方式 ：カウンタブレ−ド 試験環境（温示／相対湿度）：１０℃／１５％ ２３℃／６５％ ３０℃／９０％ をランダムに５００００枚ごとに切り替えてい く。

【００５８】

【表１】

【００５９】ロ−ラ表面強度によっては、水準１，２，
３の優劣は逆転すると考えられる。いずれにせよ、水準
１，２，３はいずれも清掃部材なしの水準４よりも長寿
命効果があることがわかる。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように、接触帯電部材の非
画像部領域において、帯電ローラ表面と対向位置に配置
した水分検知装置により、水分量を非接触による方法で
直接検知し、検知した水分量に応じて感光体への帯電印
加電圧条件を制御／更新しているので、帯電ローラの吸
湿履歴によらず帯電電位を一定にすることが出来、又、
水の吸収スペクトル波長帯の受光部と比較波長帯の受光
部を共通とする構成にしているので、帯電ローラを用い
た接触帯電装置に塔載可能なサイズ及び検知速度を達成
している。

【００６１】非接触／光学式水分量検知装置であるの
で、帯電ローラテ−パ面に１ｍｍ幅程度の検知領域があ
れば十分であり、かつ、光を用いることで、検知装置の
配置自由度を高め、結果的に装置全体の小型化が可能と
なる。また、テ−パ面は、感光体に非接触であるので、
端部シ−ル等の破損による端部クリ−ニング不良に起因
より、感光体非画像部に黒スジ等の汚染が発生しても、
検知領域にその原因となるトナ−が付着して黒色化する
ことはなく、検知の際に影響を受けることはない。 遮
光部材により像担持体を露光除電する除電装置からのフ
レア光の侵入を防止しているので、検知装置の受光検知
に誤検知が生じることがなく、画像形成タイミングの制
約を設けることなく水分量検知を行なうことができる。

【００６２】遮光部材により像担持体に画像情報を光書
き込みする潜像形成装置からのフレア光の侵入を防止し
ているので、検知装置の受光検知に誤検知が生じること
がなく、画像形成タイミングの制約を設けることなく水
分量検知を行なうことができる。

【００６３】除電装置の除電露光に対する遮光部材を設
けなくとも、フレア光の影響を受けることを防止する制
御を達成したので、検知装置の受光検知に誤検知が生じ
ることがない。

【００６４】前記潜像形成装置の画像光に対する遮光部
材を設けなくとも、フレア光の影響を受けることを防止
する制御を達成したので、検知装置の受光検知に誤検知
が生じることがない。

【００６５】検知装置の検知領域を清掃する清掃部材を
備えたことで、経時での検知領域の黒色化を防止し、水
分量誤検知による帯電ローラへの印加電圧の誤制御の可
能性をなくしている。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施例の電子写真装置の主要構
成を示すブロック図である。

【図２】 図１に示す帯電ロ−ラ１０２の拡大正面図で
ある。

【図３】 図１に示す帯電ロ−ラ１０２，水分検知装置
Ｄおよび帯電電源とコントロ−ラＣの組合せを示すブロ
ック図であり、帯電ロ−ラ１０２は横断面を示す。

【図４】 図３に示すコントロ−ラＣの制御動作を示す
フロ−チャ−トである。

【図５】 （ａ）は図１に示す水分検知装置Ｄの受光器
および発光器の分光感度を示すグラフであり、（ｂ）は
水分検知装置Ｄの検出値に基づいたレベル比Ａ／Ｂ，帯
電ロ−ラ１０２の水分率およびそれに対応して帯電ロ−
ラ１０２に印加すべき帯電電圧の関係を示すグラフであ
り、（ｃ）は水分検知装置Ｄの検出値に基づいたレベル
比Ａ／Ｂとそれに対応して帯電ロ−ラ１０２に印加すべ
き帯電電圧の関係を示すグラフである。

【図６】 （ａ）は第２実施例の、帯電ロ−ラ１０２に
対する水分検出装置Ｄの配置位置を示す斜視図であり、
（ｂ）は第２実施例の変形例の、帯電ロ−ラ１０２に対
する水分検出装置Ｄの配置位置を示す斜視図である。

【図７】 （ａ）は第３実施例の、水分検知装置Ｄに対
する遮光板Ｒｑ，Ｒｉの配置位置を示す側面図であり、
（ｂ）は第３実施例の変形例の、水分検知装置Ｄに対す
る遮光板Ｒａの配置位置を示す側面図である。

【図８】 （ａ）は第４実施例の、帯電ロ−ラ１０２に
対する清掃手段２０１の設置を示す側面図であり、
（ｂ）は（ａ）に示す帯電ロ−ラ１０２の拡大正面図で
ある。

【図９】 図８に示す清掃手段２０１の効果を検証する
態様を示す斜視図および側面図である。

【図１０】 従来の一般的な接触帯電装置を示す横断面
図である。

【符号の説明】

１０１：感光体ドラム １０２：帯電ロ−ラ １０３：画像光 １０４：現像装置 １０５：レジストロ−ラ １０６：転写チャ−ジ
ャ １０７：分離チャ−ジャ １０８：クリ−ニング
装置 １０９：クエンチングランプ １１０：帯電ロ−ラ清
掃部材 ２０１：芯金 ２０２：中間層（導電
層） ２０３：表面層 ２０４：軸受 ２０５：スプリング ２０６：給電リセプタ
クル ２０７：帯電用電源 Ｃ：コントロ−ラ Ｄ：水分量検知装置 Ｇ：増幅器 Ｍ：ミラ− Ｒｑ：対クエンチング
ランプ遮光板 Ｒｉ：対画像光遮光板 Ｒａ：遮光板

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成８年３月１２日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５７】 （１）試験条件 感光体 ：ＯＰＣ 感光体線速 ：１２０ｍｍ／ｓｅｃ 帯電ロ−ラ ：φ１４×３００ 基準印加電圧 ：−１６００ｖ／水分率０．２％ 通紙サイズ ：Ａ４ 現像方式 ：乾式２成分 クリ−ニング方式 ：カウンタブレ−ド 試験環境（温示／相対湿度）：１０℃／１５％ ２３℃／６５％ ３０℃／９０％ をランダムに５００００枚ごとに切り替えてい く。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田 淵 健 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電荷担持体に接触し該電荷担持体を帯電す
   る接触帯電部材；前記接触帯電部材に波長が異なる光を
   照射する発光器および接触帯電部材が反射した光を検出
   する受光器；該受光器が検出した前記異なる光のレベル
   の相対関係より接触帯電部材の水分量を検出する湿度検
   出手段；前記電荷担持体の水分量対応の、該水分量にお
   いて電荷担持体を実質上一定に帯電するために前記接触
   帯電部材に印加すべき電圧デ−タを格納したメモリ手
   段； 前記湿度検出手段が検出した水分量に対応する電
   圧デ−タを前記メモリ手段から読み出す手段；および、 読み出された電圧デ−タが指定する電圧を前記接触帯電
   部材に印加する帯電電源；を備える接触帯電装置。
2. 【請求項２】電荷担持体に接触し該電荷担持体を帯電す
   る接触帯電部材；前記接触帯電部材に波長が異なる光を
   照射する発光器および接触帯電部材が反射した光を検出
   する受光器；該受光器が検出した前記異なる光のレベル
   比を検出する湿度検出手段；前記電荷担持体の前記レベ
   ル比対応の、該レベル比において電荷担持体を実質上一
   定に帯電するために前記接触帯電部材に印加すべき電圧
   デ−タを格納したメモリ手段；前記湿度検出手段が検出
   したレベル比に対応する電圧デ−タを前記メモリ手段か
   ら読み出す手段；および、 読み出された電圧デ−タが指定する電圧を前記接触帯電
   部材に印加する帯電電源；を備える接触帯電装置。
3. 【請求項３】発光器は実質上波長０．８μｍに強度ピ−
   クがある光を照射する第１発光器および実質上波長１．
   ４５μｍに強度ピ−クがある光を照射する第２発光器を
   含み、受光器は波長０．８μｍおよび１．４５μｍに光
   電変換感度がある１つの光電変換器である、請求項１又
   は請求項２記載の接触帯電装置。
4. 【請求項４】少くとも接触帯電部材表面の、発光器が照
   射した光の反射光を受光器が検出する位置を清掃するク
   リ−ニング手段を備える、請求項１又は請求項２記載の
   接触帯電装置。
5. 【請求項５】感光体；該感光体に接触し感光体を帯電す
   る接触帯電部材；前記感光体の帯電面に画像光を投射す
   る露光手段；前記感光体の前記画像光の投射により形成
   された静電潜像を現像する現像手段； 前記感光体の前
   記現像により形成された顕像を記録媒体に転写する転写
   手段；前記接触帯電部材に波長が異なる光を照射する発
   光器および接触帯電部材が反射した光を検出する受光
   器；制御手段が指定する電圧を前記接触帯電部材に印加
   する帯電電源；前記接触帯電部材の水分量対応の、該水
   分量において感光体を実質上一定に帯電するために前記
   接触帯電部材に印加すべき電圧デ−タを格納したメモリ
   手段；前記受光器が検出した前記異なる光のレベルの相
   対関係より接触帯電部材の水分量を検出し、検出した水
   分量に対応する電圧デ−タを前記メモリ手段から読み出
   し、前記帯電電源に該電圧デ−タ対応の電圧の印加を指
   定する制御手段；を備える画像形成装置。
6. 【請求項６】感光体；該感光体に接触し感光体を帯電す
   る接触帯電部材；前記感光体の帯電面に画像光を投射す
   る露光手段；前記感光体の前記画像光の投射により形成
   された静電潜像を現像する現像手段； 前記感光体の前
   記現像により形成された顕像を記録媒体に転写する転写
   手段；前記接触帯電部材に波長が異なる光を照射する発
   光器および接触帯電部材が反射した光を検出する受光
   器；制御手段が指定する電圧を前記接触帯電部材に印加
   する帯電電源；レベル比対応の、該レベル比において感
   光体を実質上一定に帯電するために前記接触帯電部材に
   印加すべき電圧デ−タを格納したメモリ手段；前記受光
   器が検出した前記異なる光のレベル比を検出し、検出し
   たレベル比に対応する電圧デ−タを前記メモリ手段から
   読み出し、前記帯電電源に該電圧デ−タ対応の電圧の印
   加を指定する制御手段；を備える画像形成装置。
7. 【請求項７】画像形成装置は更に、転写を終えた感光体
   面に光を照射して除電する除電装置を備え、制御手段
   は、除電装置が光非照射の間に前記検出を実行する、請
   求項５又は請求項６記載の画像形成装置。
8. 【請求項８】制御手段は、露光手段が画像光非投射の間
   に前記検出を実行する、請求項５又は請求項６記載の画
   像形成装置。
9. 【請求項９】制御手段は、画像形成装置に電源が投入さ
   れた直後に前記検出を実行し、感光体を帯電するとき、
   前記メモリ手段から電圧デ−タを読み出して帯電電源に
   該電圧デ−タ対応の電圧の印加を指定する、請求項５又
   は請求項６記載の画像形成装置。
10. 【請求項１０】制御手段は、指定数の画像形成を終了し
    た後に前記検出を実行し、次回に感光体を帯電すると
    き、前記メモリ手段から電圧デ−タを読み出して帯電電
    源に該電圧デ−タ対応の電圧の印加を指定する、請求項
    ５，請求項６又は請求項９記載の画像形成装置。
11. 【請求項１１】接触帯電部材表面の、発光器が照射した
    光の反射光を受光器が検出する位置は、感光体の画像形
    成領域に対応する領域の外である、請求項５又は請求項
    ６記載の画像形成装置。
12. 【請求項１２】発光器と露光手段の間に、相互間の光の
    侵入を防止する遮光体を備えた、請求項５又は請求項６
    記載の画像形成装置。
13. 【請求項１３】画像形成装置は更に、転写を終えた感光
    体面に光を照射して除電する除電装置、ならびに、この
    除電装置と発光器の間に、相互間の光の侵入を防止する
    遮光体、を備えた、請求項５，請求項６又は請求項１２
    記載の画像形成装置。