JPH0959255A - ナフタレン誘導体、その製法及びその合成中間体 - Google Patents

ナフタレン誘導体、その製法及びその合成中間体

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JPH0959255A
JPH0959255A JP15276196A JP15276196A JPH0959255A JP H0959255 A JPH0959255 A JP H0959255A JP 15276196 A JP15276196 A JP 15276196A JP 15276196 A JP15276196 A JP 15276196A JP H0959255 A JPH0959255 A JP H0959255A
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Tatsuzo Ukita
辰三 浮田
Ichiro Ikezawa
一郎 池沢
Shinsuke Yamagata
伸介 山縣
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Abstract

(57)【要約】 【課題】優れた気管支収縮抑制作用を示すため、喘息の
予防・治療剤として有用であるナフタレン誘導体を提供
するものである。 【解決手段】 一般式〔I〕 【化40】 (但し、R1 及びR2 は同一又は異なって水素原子又は
保護されていてもよい水酸基を表し、R3 及びR4 のい
ずれか一方が、保護されていてもよい水酸基置換メチル
基、他方が水素原子、低級アルキル基又は保護されてい
てもよい水酸基置換メチル基であることを表し、R5
びR6 は同一又は異なって、水素原子、置換されていて
もよい低級アルキル基、置換されていてもよいフェニル
基又は保護されていてもよいアミノ基を表すか、あるい
は互いに末端で結合して隣接する窒素原子とともに置換
されていてもよい複素環式基を形成していることを表
す。)で示されるナフタレン誘導体又はその薬理的に許
容し得る塩。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は抗喘息作用を有する
新規ナフタレン誘導体及びその合成中間体に関する。
【0002】
【従来の技術】1位に含窒素複素6員環式基を有するナ
フタレン誘導体としては、1−(5−メチル−2(1
H)−ピリドン−3−イル)ナフタレンが公知であるが
〔ブレチン・オブ・ザ・ケミカル・ソサイエティー・オ
ブ・ジャパン(BULLETINOF THE CHE
MICAL SOCIETY OF JAPAN),V
ol.41,165−167(1968)〕、この化合
物は薬理活性を含めいかなる用途も知られていない。ま
た、特開平5−229987号公報には、1−[N−
(2−メトキシエチル)−2(1H)−ピリドン−4−
イル]−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−
ジエトキシナフタレン等の化合物に抗喘息作用があるこ
とが記載されているが、本願の目的化合物の如きナフタ
レン骨格の1位置換基上のピリジン環が非置換又は置換
アミノ基で置換された化合物は記載されていない。
【0003】一方、細胞内セカンドメッセンジャーであ
るcAMPやcGMPは、ホスホジエステラーゼ(PD
E)により分解され不活性化する。PDEは生体内の組
織に広く分布し、PDE阻害剤は該PDEを阻害するこ
とにより細胞内のcAMPやcGMPの濃度を上昇さ
せ、種々の薬理作用を有することが知られている。
【0004】例えば、血管平滑筋や気管支平滑筋におい
ては弛緩作用、心臓においては陽性変力及び変時作用を
引き起こす。又、中枢においてはcAMP増加に伴う中
枢機能の調整、即ち抗うつ作用、記憶・学習機能を改善
する。その他に血小板においては凝集抑制、炎症細胞に
おいては活性化抑制作用を、又脂肪細胞においては脂肪
分解作用を示す〔C.D.Nicholson et
al.,Trendsin Pharmacol.,1
2,19(1991)〕。
【0005】従って、PDEを阻害する薬剤は種々の疾
病、即ち、気管支喘息、血栓症、うつ病、脳血管閉塞後
の中枢機能低下症、脳血管痴呆症、アルツハイマー型痴
呆症、各種炎症、肥満症及び心不全などの治療薬として
有効であると考えられている。
【0006】一方、従来から多数の抗喘息薬が知られて
いるが、既存の薬剤は、気管支収縮の抑制効果が充分で
なく或いは心臓等に対する副作用との分離が充分でない
等の難点があり、さらに新たな薬剤の開発が求められて
いる。
【0007】テオフィリンは代表的なPDE阻害剤とし
て従来より喘息症の治療に用いられてきた。しかし本薬
剤のPDE阻害作用が非特異的なために、気管支平滑筋
弛緩作用以外に強心作用や中枢作用を有し、その為副作
用が常に問題とされている。そこでPDEのアイソザイ
ムの中でも、特に気管支平滑筋及び炎症細胞に多く存在
するIV型に対して特異的に阻害作用を有する薬剤の開
発が望まれている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、優れた気管
支収縮抑制作用及び/又は選択的ホスホジエステラーゼ
IV(PDE IV)阻害作用を有し、抗喘息薬として
有用な新規ナフタレン誘導体を提供するものである。ま
た、本発明は、このような新規ナフタレン誘導体の製法
及びその合成中間体をも提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は一般式〔I〕
【0010】
【化19】
【0011】(但し、R1 及びR2 は同一又は異なって
水素原子又は保護されていてもよい水酸基を表し、R3
及びR4 はいずれか一方が保護されていてもよい水酸基
置換メチル基であり、他方が水素原子、低級アルキル基
又は保護されていてもよい水酸基置換メチル基であるこ
とを表し、R5 及びR6 は同一又は異なって、水素原
子、置換されていてもよい低級アルキル基、置換されて
いてもよいフェニル基又は保護されていてもよいアミノ
基を表すか、あるいは互いに末端で結合して隣接する窒
素原子とともに置換されていてもよい複素環式基を形成
していることを表す。)で示される新規ナフタレン誘導
体及びその薬理的に許容し得る塩を提供するものであ
る。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の目的化合物〔I〕又はそ
の塩は、強い気管支収縮抑制作用を有し喘息の予防・治
療剤として有用な医薬化合物である。例えば当該目的物
〔I〕は、抗原誘発気管支収縮抑制効果がテオフィリン
より強力である等、気管支収縮の抑制効果が強く、かつ
心臓等に対する副作用を示さないという特長を有する。
【0013】本発明の目的化合物〔I〕におけるR5
びR6 が互いに末端で結合して隣接する窒素原子ととも
に形成される複素環式基としては、当該窒素原子以外に
さらに窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれるヘ
テロ原子を含有していてもよい単環式、双環式又は三環
式複素環式基があげられる。
【0014】このような複素環式基としては、ピリジル
基、キノリル基、イソキノリル基、シクロペンタ〔b〕
ピリジル基、ピロ〔2,3−b〕ピリジル基、イミダゾ
〔4,5−b〕ピリジル基、ピリド〔2,3−d〕チア
ゾリル基、ピリド〔2,3−d〕オキサゾリル基、ナフ
チリジニル基、キノキサリニル基、フタラジニル基、キ
ナゾリニル基、インドリル基、ピリダジニル基、アゼピ
ニル基、アゼチジル基、イソインドリル基、ピロリル
基、ベンゾアゼピニル基、フェナントリジニル基、ベン
ゾチアジニル基、ベンゾイミダゾリニル基、ピラジニル
基、モルホリノ基が挙げられ、これらの複素環式基は部
分的もしくは全て水素化されていてもよい。
【0015】本発明の目的化合物〔I〕におけるR5
び/又はR6 の低級アルキル基及びフェニル基上の置換
しうる基としては、水酸基、モノもしくはジヒドロキシ
低級アルキル基等が挙げられる。
【0016】アミノ基の保護基としてはアミノ基の保護
基となりうるものであればよく、低級アルカノイルアミ
ノ基、フェニル低級アルコキシカルボニル基等が挙げら
れる。
【0017】本発明の目的化合物〔I〕において、R1
及び/又はR2 が保護された水酸基である場合、当該水
酸基の保護基としては、薬理的に許容し得る水酸基の保
護基であればいかなるものであってもよい。例えば、置
換基を有していてもよい低級アルカノイル基、置換基を
有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよ
いシクロアルキル基等をあげることができる。好ましく
は、アルキル基とりわけ低級アルキル基があげられる。
【0018】また、本発明の目的化合物〔I〕におい
て、R3 及び/又はR4 が保護された水酸基置換メチル
基である場合、当該水酸基の保護基としては、薬理的に
許容し得る水酸基の保護基であればいかなるものであっ
てもよい。この様な保護基の具体例としては、生体内で
加水分解によって分解し、かつ有害な副生成物を生じな
いもの、例えば、置換基を有していてもよい低級アルカ
ノイル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換
基を有していてもよい低級アルコキシカルボニル基、置
換基を有していてもよいシクロアルキル基等をあげるこ
とができる。
【0019】ここで、置換基を有していてもよい低級ア
ルカノイル基としては、保護されていてもよいアミノ
基、カルボキシル基、低級アルコキシカルボニル基、水
酸基及び低級アルコキシ基から選ばれる1〜2個の基で
置換されていてもよい低級アルカノイル基が挙げられ、
置換基を有していてもよいアルキル基としては、低級ア
ルコキシカルボニル基、低級アルコキシ基、アリール基
及び低級アルキル基置換ピペラジニルカルボニル基から
選ばれる基で置換されていてもよいアルキル基が挙げら
れる。ここで、アリール基としては、フェニル基、低級
アルコキシフェニル基、ナフチル基等があげられる。
【0020】さらに、低級アルカノイル基に置換しうる
保護されたアミノ基における保護基としては、アミノ基
の保護基となりうるものであればよく、例えば、アセチ
ル基、プロピオニル基等の低級アルカノイル基、低級ア
ルコキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル等
のフェニル低級アルコキシカルボニル基等のアシル基が
挙げられる。
【0021】一方、上記複素環式基は、置換基を有して
いてもよく、かかる置換基としては、例えば、(1)低
級アルケニル基;(2)低級アルキニル基;(3)低級
アルキルチオ基;(4)シクロアルキル基;(5)トリ
フルオロメチル基;(6)シアノ基;(7)テトラゾリ
ル基;(8)ホルミル基;(9)アミノ基;(10)モ
ルホリノ基、モノシクロアルキル基置換アミノ基、ピリ
ジル基、イミダゾリル基、ピペリジル基又はピロリジニ
ル基で低級アルキル基部分が置換されていてもよいモノ
−もしくはジ−低級アルキルアミノ基;(11)ピリジ
ル基;(12)モルホリノ基;(13)低級アルキル基
置換トリアゾリル基;(14)ビス(ヒドロキシ低級ア
ルキル)アミノカルボニル基;(15)ビス(トリ低級
アルキルシリルオキシ低級アルキル)アミノカルボニル
基;(16)モルホリノカルボニル基;(17)低級ア
ルキル基置換ピペラジニルカルボニル基;(18)ヒド
ロキシ低級アルキル基置換ピペラジニルカルボニル基;
(19)トリ低級アルキルシリルオキシ低級アルキル基
置換ピペラジニルカルボニル基;(20)低級アルコキ
シカルボニル基;(21)カルボキシル基;(22)モ
ルホリノ基もしくはピリジル基で置換されていてもよい
低級アルキル基;(23)ピペリジル基、ピリジル基、
水酸基又は低級アルコキシ基で置換されていてもよい低
級アルコキシ基;(24)オキソ基;(25)水酸基;
(26)ピリミジニル基;(27)ジ低級アルキルアミ
ノ基又はハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル
基;(28)ハロゲン原子;(29)ニトロ基;(3
0)イミダゾリル基;及び(31)低級アルキレンジオ
キシ基が挙げられる。これらの置換基は同一又は異なっ
て2個以上複素環式基上に置換していてもよい。
【0022】置換された複素環式基のうちでも、少なく
ともオキソ基、水酸基又はアミノ基で置換された複素環
式基、とりわけ少なくともオキソ基で置換された複素環
式基が薬効上好ましい。少なくともオキソ基で置換され
た複素環式基は、部分構造式
【0023】
【化20】
【0024】等があげられる。
【0025】本発明の目的物〔I〕の具体例としては、
5 及びR6 が互いに末端で結合して隣接する窒素原子
とともに複素環式基を形成しており、かつ複素環式基が
(1)モルホリノ基、モノシクロアルキル基置換アミノ
基、ピリジル基、イミダゾリル基、ピペリジノ基又はピ
ロリジニル基で低級アルキル基部分が置換されていても
よいモノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ基;ピリジ
ル基;モルホリノ基;低級アルキル基置換トリアゾリル
基;ビス(ヒドロキシ低級アルキル)アミノカルボニル
基;ビス(トリ低級アルキルシリルオキシ低級アルキ
ル)アミノカルボニル基;モルホリノカルボニル基;低
級アルキル基置換ピペラジニルカルボニル基;ヒドロキ
シ低級アルキル基置換ピペラジニルカルボニル基;トリ
低級アルキルシリルオキシ低級アルキル基置換ピペラジ
ニルカルボニル基;低級アルコキシカルボニル基;カル
ボキシル基;低級アルキル基;水酸基もしくは低級アル
コキシ基で置換されていてもよい低級アルコキシ基;及
び水酸基から選ばれる基で置換されていてもよいオキソ
基(又はヒドロキシ基)置換ジヒドロ(又はテトラヒド
ロ)キノリル基、(2)オキソ基(又はヒドロキシ基)
置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)キノキサリニル基、
(3)モルホリノ基置換低級アルキル基;ピペリジル
基、ピリジル基又は低級アルコキシ基で置換されていて
もよい低級アルコキシ基;及び水酸基から選ばれる基で
置換されていてもよいオキソ基(又はヒドロキシ基)置
換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)イソキノリル基、
(4)ピリジル基で置換されていてもよい低級アルキル
基;ピリミジニル基;低級アルコキシ基;ピリジル基;
イミダゾリル基;ジ低級アルキルアミノ基又はハロゲン
原子で置換されていてもよいフェニル基;及び水酸基か
ら選ばれる基で置換されていてもよいオキソ基(又はヒ
ドロキシ基)置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)フタラ
ジニル基、(5)ハロゲン原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、ニトロ基、ピリジル基及びイミダゾリル
基から選ばれる基で置換されていてもよいオキソ基(又
はヒドロキシ基)置換ジヒドロ(又はヘキサヒドロ)ピ
リジル基、(6)オキソ基(又はヒドロキシ基)置換ジ
ヒドロ(又はテトラヒドロ)ナフチリジニル基、(7)
オキソ基(又はヒドロキシ基)置換ヘキサヒドロキノリ
ル基、(8)オキソ基(又はヒドロキシ基)置換ジヒド
ロインドリル基、(9)オキソ基(又はヒドロキシ基)
置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)ベンゾアゼピニル
基、(10)ジヒドロ(又はテトラヒドロ)イソキノリ
ル基、(11)オキソ基(又はヒドロキシ基)置換ジヒ
ドロ(又はテトラヒドロ)ベンゾチアジニル基、(1
2)低級アルキル基及び/又はオキソ基で置換されてい
てもよいオキソ基(又はヒドロキシ基)置換ジヒドロ
(又はテトラヒドロ)キナゾリニル基、(13)オキソ
基(又はヒドロキシ基)置換ジヒドロベンゾイミダゾリ
ニル基、(14)オキソ基(又はヒドロキシ基)置換ジ
ヒドロフェナントリジニル基、(15)低級アルキル基
で置換されていてもよいオキソ基(又はヒドロキシ基)
置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)ピロリル基、(1
6)ヘキサヒドロキシピラジニル基、(17)低級アル
キレンジオキシ基置換ヘキサヒドロピリジル基又は(1
8)モルホリノ基である化合物が挙げられる。
【0026】オキソ基(又はヒドロキシ基)置換ジヒド
ロ(又はテトラヒドロ)キノリル基は具体的には、オキ
ソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)キノリル基又は
ヒドロキシ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)キノリ
ル基であり、より具体的にはオキソ基置換ジヒドロキノ
リル基、オキソ基置換テトラヒドロキノリル基、ヒドロ
キシ基置換ジヒドロキノリル基又はヒドロキシ基置換テ
トラヒドロキノリル基;オキソ基(又はヒドロキシ基)
置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)キノキサリニル基は
具体的には、オキソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒド
ロ)キノキサリニル基又はヒドロキシ基置換ジヒドロ
(又はテトラヒドロ)キノキサリニル基であり、より具
体的にはオキソ基置換ジヒドロキノキサリニル基、オキ
ソ基置換テトラヒドロキノキサリニル基、ヒドロキシ基
置換ジヒドロキノキサリニル基又はヒドロキシ基置換テ
トラヒドロキノキサリニル基;オキソ基(又はヒドロキ
シ基)置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)イソキノリル
基は、オキソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)イソ
キノリル基又はヒドロキシ基置換ジヒドロ(又はテトラ
ヒドロ)イソキノリル基であり、より具体的にはオキソ
基置換ジヒドロイソキノリル基、オキソ基置換テトラヒ
ドロイソキノリル基、ヒドロキシ基置換ジヒドロイソキ
ノリル基又はヒドロキシ基置換テトラヒドロイソキノリ
ル基;オキソ基(又はヒドロキシ基)置換ジヒドロ(又
はテトラヒドロ)フタラジニル基は、オキソ基置換ジヒ
ドロ(又はテトラヒドロ)フタラジニル基又はヒドロキ
シ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)フタラジニル基
であり、より具体的にはオキソ基置換ジヒドロフタラジ
ニル基、オキソ基置換テトラヒドロフタラジニル基、ヒ
ドロキシ基置換ジヒドロフタラジニル基又はヒドロキシ
基置換テトラヒドロフタラジニル基;オキソ基(又はヒ
ドロキシ基)置換ジヒドロ(又はヘキサヒドロ)ピリジ
ル基は、オキソ基置換ジヒドロ(又はヘキサヒドロ)ピ
リジル基又はヒドロキシ基置換ジヒドロ(又はヘキサヒ
ドロ)ピリジル基であり、より具体的にはオキソ基置換
ジヒドロピリジル基、オキソ基置換ヘキサヒドロピリジ
ル基、ヒドロキシ基置換ジヒドロピリジル基又はヒドロ
キシ基置換ヘキサヒドロピリジル基;オキソ基(又はヒ
ドロキシ基)置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)ナフチ
リジニル基は、オキソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒド
ロ)ナフチリジニル基又はヒドロキシ基置換ジヒドロ
(又はテトラヒドロ)ナフチリジニル基であり、より具
体的にはオキソ基置換ジヒドロナフチリジニル基、オキ
ソ基置換テトラヒドロナフチリジニル基、ヒドロキシ基
置換ジヒドロナフチリジニル基又はヒドロキシ基置換テ
トラヒドロナフチリジニル基;オキソ基(又はヒドロキ
シ基)置換ヘキサヒドロキノリル基は、オキソ基置換ヘ
キサヒドロキノリル基又はヒドロキシ基置換ヘキサヒド
ロキノリル基;オキソ基(又はヒドロキシ基)置換ジヒ
ドロインドリル基は、オキソ基置換ジヒドロインドリル
基又はヒドロキシ基置換ジヒドロインドリル基;オキソ
基(又はヒドロキシ基)置換ジヒドロ(又はテトラヒド
ロ)ベンゾアゼピニル基は、オキソ基置換ジヒドロ(又
はテトラヒドロ)ベンゾアゼピニル基又はヒドロキシ基
置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)ベンゾアゼピニル基
であり、より具体的にはオキソ基置換ジヒドロベンゾア
ゼピニル基、オキソ基置換テトラヒドロベンゾアゼピニ
ル基、ヒドロキシ基置換ジヒドロベンゾアゼピニル基又
はヒドロキシ基置換テトラヒドロベンゾアゼピニル基;
ジヒドロ(又はテトラヒドロ)イソキノリル基は、ジヒ
ドロイソキノリル基又はテトラヒドロイソキノリル基;
オキソ基(又はヒドロキシ基)置換ジヒドロ(又はテト
ラヒドロ)ベンゾチアジニル基は、オキソ基置換ジヒド
ロ(又はテトラヒドロ)ベンゾチアジニル基又はヒドロ
キシ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)ベンゾチアジ
ニル基であり、より具体的にはオキソ基置換ジヒドロベ
ンゾチアジニル基、オキソ基置換テトラヒドロベンゾチ
アジニル基、ヒドロキシ基置換ジヒドロベンゾチアジニ
ル基又はヒドロキシ基置換テトラヒドロベンゾチアジニ
ル基;オキソ基(又はヒドロキシ基)置換ジヒドロ(又
はテトラヒドロ)キナゾリニル基は、オキソ基置換ジヒ
ドロ(又はテトラヒドロ)キナゾリニル基又はヒドロキ
シ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)キナゾリニル基
であり、より具体的にはオキソ基置換ジヒドロキナゾリ
ニル基、オキソ基置換テトラヒドロキナゾリニル基、ヒ
ドロキシ基置換ジヒドロキナゾリニル基又はヒドロキシ
基置換テトラヒドロキナゾリニル基;オキソ基(又はヒ
ドロキシ基)置換ジヒドロベンゾイミダゾリニル基は、
オキソ基置換ジヒドロベンゾイミダゾリニル基又はヒド
ロキシ基置換ジヒドロベンゾイミダゾリニル基;オキソ
基(又はヒドロキシ基)置換ジヒドロフェナントリジニ
ル基は、オキソ基置換ジヒドロフェナントリジニル基又
はヒドロキシ基置換ジヒドロフェナントリジニル基;オ
キソ基(又はヒドロキシ基)置換ジヒドロ(又はテトラ
ヒドロ)ピロリル基は、オキソ基置換ジヒドロ(又はテ
トラヒドロ)ピロリル基又はヒドロキシ基置換ジヒドロ
(又はテトラヒドロ)ピロリル基であり、より具体的に
はオキソ基置換ジヒドロピロリル基、オキソ基置換テト
ラヒドロピロリル基、ヒドロキシ基置換ジヒドロピロリ
ル基又はヒドロキシ基置換テトラヒドロピロリル基を各
々示している。
【0027】本発明の目的化合物〔I〕の具体例のう
ち、好ましい化合物としては、R5 及びR6 が互いに末
端で結合して隣接する窒素原子とともに形成される複素
環式基が、(1)オキソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒ
ドロ)キノリル基又はヒドロキシ基置換ジヒドロ(又は
テトラヒドロ)キノリル基、(2)オキソ基置換ジヒド
ロ(又はテトラヒドロ)キノキサリニル基、(3)オキ
ソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)イソキノリル
基、(4)オキソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)
フタラジニル基、(5)オキソ基置換ジヒドロ(又はヘ
キサヒドロ)ピリジル基、(6)オキソ基置換ジヒドロ
(又はテトラヒドロ)ナフチリジニル基、(7)オキソ
基置換ヘキサヒドロキノリル基、(8)オキソ基置換ジ
ヒドロインドリル基、(9)オキソ基置換ジヒドロ(又
はテトラヒドロ)ベンゾアゼピニル基、(10)ジヒド
ロ(又はテトラヒドロ)イソキノリル基、(11)オキ
ソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)ベンゾチアジニ
ル基、(12)オキソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒド
ロ)キナゾリニル基、(13)オキソ基置換ジヒドロベ
ンゾイミダゾリニル基、(14)オキソ基置換ジヒドロ
フェナントリジニル基、(15)オキソ基置換ジヒドロ
(又はテトラヒドロ)ピロリル基、(16)ヘキサヒド
ロキシピラジニル基、(17)低級アルキレンジオキシ
基置換ヘキサヒドロピリジル基又は(18)モルホリノ
基である化合物が挙げられる。
【0028】特に好ましい例としてはR5 及びR6 が互
いに末端で結合して隣接する窒素原子とともに形成され
る複素環式基が、(1)オキソ基置換ジヒドロ(又はテ
トラヒドロ)キノリル基又はヒドロキシ基置換テトラヒ
ドロキノリル基、(2)オキソ基置換ジヒドロキノキサ
リニル基、(3)オキソ基置換ジヒドロイソキノリル
基、(4)オキソ基置換ジヒドロフタラジニル基、
(5)オキソ基置換ジヒドロ(又はヘキサヒドロ)ピリ
ジル基、(6)オキソ基置換ジヒドロナフチリジニル
基、(7)オキソ基置換ヘキサヒドロキノリル基、
(8)オキソ基置換ジヒドロインドリル基、(9)オキ
ソ基置換ジヒドロベンゾアゼピニル基、(10)テトラ
ヒドロイソキノリル基、(11)オキソ基置換テトラヒ
ドロベンゾチアジニル基、(12)オキソ基置換ジヒド
ロ(又はテトラヒドロ)キナゾリニル基、(13)オキ
ソ基置換ジヒドロベンゾイミダゾリニル基、(14)オ
キソ基置換ジヒドロフェナントリジニル基、(15)オ
キソ基置換テトラヒドロピロリル基、(16)ヘキサヒ
ドロキシピラジニル基、(17)低級アルキレンジオキ
シ基置換ヘキサヒドロピリジル基又は(18)モルホリ
ノ基である化合物が挙げられる。
【0029】本発明の目的化合物〔I〕のうち、薬効上
好ましい化合物としては、R5 及びR6 が互いに末端で
結合して隣接する窒素原子とともに形成される置換され
ていてもよい複素環式基が、(1)モルホリノ基、モノ
シクロアルキル基置換アミノ基、ピリジル基、イミダゾ
リル基、ピペリジノ基又はピロリジニル基で低級アルキ
ル基部分が置換されているモノ−もしくはジ−低級アル
キルアミノ基;ピリジル基;モルホリノ基;低級アルキ
ル基置換トリアゾリル基;低級アルキル基置換ピペラジ
ニルカルボニル基;低級アルコキシカルボニル基;低級
アルキル基;水酸基;及び水酸基もしくは低級アルコキ
シ基で置換されていてもよい低級アルコキシ基から選ば
れる基で置換されていてもよいオキソ基置換ジヒドロ
(又はテトラヒドロ)キノリル基又はヒドロキシ基置換
テトラヒドロキノリル基、(2)オキソ基置換ジヒドロ
キノキサリニル基、(3)モルホリノ基置換低級アルキ
ル基;ピペリジル基、ピリジル基又は低級アルコキシ基
で置換されていてもよい低級アルコキシ基;及び水酸基
から選ばれる基で置換されていてもよいオキソ基置換ジ
ヒドロイソキノリル基、(4)ピリジル基置換低級アル
キル基;ピリミジニル基;低級アルコキシ基;ピリジル
基;イミダゾリル基;及びジ低級アルキルアミノ基置換
フェニル基から選ばれる基で置換されていてもよいオキ
ソ基置換ジヒドロフタラジニル基、(5)低級アルキル
基;低級アルコキシ基;ピリジル基;及びイミダゾリル
基から選ばれる基で置換されているオキソ基置換ジヒド
ロピリジル基、(6)オキソ基置換ジヒドロナフチリジ
ニル基、(7)オキソ基置換ヘキサヒドロキノリル基、
(8)オキソ基置換ジヒドロインドリル基、(9)オキ
ソ基置換テトラヒドロベンゾチアジニル基、(10)低
級アルキル基及びオキソ基で置換されていてもよいオキ
ソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)キナゾリニル
基、(11)オキソ基置換ジヒドロベンゾイミダゾリニ
ル基又は(12)オキソ基置換ジヒドロフェナントリジ
ニル基である化合物が挙げられる。
【0030】本発明の目的化合物〔I〕のうち、より薬
効上好ましい化合物としては、R5及びR6 が互いに末
端で結合して隣接する窒素原子とともに形成される複素
環式基が、(1)モルホリノ基、ピリジル基、イミダゾ
リル基、ピペリジノ基又はピロリジニル基で低級アルキ
ル基部分が置換されているモノ−もしくはジ−低級アル
キルアミノ基;ピリジル基;モルホリノ基;低級アルキ
ル基置換トリアゾリル基;低級アルキル基;及び水酸基
もしくは低級アルコキシ基で置換されていてもよい低級
アルコキシ基から選ばれる基で置換されていてもよいオ
キソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)キノリル基又
はヒドロキシ基置換テトラヒドロキノリル基、(2)オ
キソ基置換ジヒドロキノキサリニル基、(3)モルホリ
ノ基置換低級アルキル基;ピペリジル基もしくは低級ア
ルコキシ基で置換されている低級アルコキシ基;及び水
酸基から選ばれる基で置換されていてもよいオキソ基置
換ジヒドロイソキノリル基、(4)ピリジル基置換低級
アルキル基、ピリミジニル基、ピリジル基、イミダゾリ
ル基及び低級アルコキシ基から選ばれる基で置換されて
いてもよいオキソ基置換ジヒドロフタラジニル基、
(5)低級アルキル基、低級アルコキシ基、ピリジル基
及びイミダゾリル基から選ばれる基で置換されているオ
キソ基置換ジヒドロピリジル基、(6)オキソ基置換テ
トラヒドロベンゾチアジニル基又は(7)低級アルキル
基及びオキソ基で置換されていてもよいオキソ基置換ジ
ヒドロ(又はテトラヒドロ)キナゾリニル基である化合
物が挙げられる。
【0031】このうち、薬効上さらに好ましい化合物と
しては、R5 及びR6 が互いに末端で結合して隣接する
窒素原子とともに形成される複素環式基が、(1)モル
ホリノ基、ピリジル基、イミダゾリル基又はピペリジノ
基で低級アルキル基部分が置換されているモノ−もしく
はジ−低級アルキルアミノ基;ピリジル基;モルホリノ
基;低級アルキル基置換トリアゾリル基;及び低級アル
コキシ基又は水酸基で置換されている低級アルコキシ基
から選ばれる基で置換されていてもよいオキソ基置換ジ
ヒドロキノリル基又はヒドロキシ基置換テトラヒドロキ
ノリル基、(2)モルホリノ基置換低級アルキル基;ピ
ペリジノ基もしくは低級アルコキシ基で置換されている
低級アルコキシ基;及び水酸基から選ばれる基で置換さ
れていてもよいオキソ基置換ジヒドロイソキノリル基、
(3)ピリジル基置換低級アルキル基、ピリミジニル
基、ピリジル基、イミダゾリル基及び低級アルコキシ基
から選ばれる基で置換されていてもよいオキソ基置換ジ
ヒドロフタラジニル基、(4)低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、ピリジル基及びイミダゾリル基から選ばれ
る基で置換されているオキソ基置換ジヒドロピリジル基
又は(5)低級アルキル基及びオキソ基で置換されてい
てもよいオキソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)キ
ナゾリニル基である化合物が挙げられる。
【0032】このうち、薬効上とりわけ好ましい化合物
としては、R5 及びR6 が互いに末端で結合して隣接す
る窒素原子とともに形成される複素環式基が、(1)モ
ルホリノ基、ピリジル基、イミダゾリル基又はピペリジ
ノ基で低級アルキル基部分が置換されているモノ−もし
くはジ−低級アルキルアミノ基;ピリジル基;モルホリ
ノ基;低級アルキル基置換トリアゾリル基;及び低級ア
ルコキシ基又は水酸基で置換されている低級アルコキシ
基から選ばれる基で置換されていてもよいオキソ基置換
ジヒドロキノリル基、(2)モルホリノ基置換低級アル
キル基及びピペリジル基置換低級アルコキシ基から選ば
れる基で置換されていてもよいオキソ基置換ジヒドロイ
ソキノリル基、(3)ピリジル基置換低級アルキル基、
ピリミジニル基、ピリジル基、イミダゾリル基及び低級
アルコキシ基から選ばれる基で置換されていてもよいオ
キソ基置換ジヒドロフタラジニル基又は(4)低級アル
キル基、低級アルコキシ基及びイミダゾリル基から選ば
れる基で置換されているオキソ基置換ジヒドロピリジル
基である化合物が挙げられる。
【0033】本発明の目的化合物〔I〕のうち、他の薬
効上好ましい化合物としては、R5及びR6 が互いに末
端で結合して隣接する窒素原子とともに形成される複素
環式基が、(1)モルホリノ基、モノシクロアルキル基
置換アミノ基、ピリジル基、イミダゾリル基又はピペリ
ジノ基で低級アルキル基部分が置換されているモノ−も
しくはジ−低級アルキルアミノ基;ピリジル基;モルホ
リノ基;低級アルキル基置換ピペラジニルカルボニル
基;低級アルコキシカルボニル基;低級アルキル基;水
酸基;及び水酸基もしくは低級アルコキシ基で置換され
ていてもよい低級アルコキシ基から選ばれる基で置換さ
れていてもよいオキソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒド
ロ)キノリル基又はヒドロキシ基置換テトラヒドロキノ
リル基、(2)モルホリノ基置換低級アルキル基;ピペ
リジノ基、ピリジル基又は低級アルコキシ基で置換され
ている低級アルコキシ基から選ばれる基で置換されてい
てもよいオキソ基置換ジヒドロイソキノリル基、(3)
ピリジル基置換低級アルキル基;ピリミジニル基;低級
アルコキシ基;ピリジル基;イミダゾリル基;及びジ低
級アルキルアミノ基置換フェニル基から選ばれる基で置
換されていてもよいオキソ基置換ジヒドロフタラジニル
基、(4)ピリジル基で置換されているオキソ基置換ジ
ヒドロピリジル基、(5)オキソ基置換ジヒドロナフチ
リジニル基、(6)オキソ基置換ヘキサヒドロキノリル
基、(7)オキソ基置換ジヒドロインドリル基、(8)
オキソ基置換テトラヒドロベンゾチアジニル基、(9)
低級アルキル基及びオキソ基で置換されていてもよいオ
キソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)キナゾリニル
基、(10)オキソ基置換ジヒドロベンゾイミダゾリニ
ル基又は(11)オキソ基置換ジヒドロフェナントリジ
ニル基である化合物が挙げられる。
【0034】このうち、薬効上より好ましい化合物とし
ては、R5 及びR6 が互いに末端で結合して隣接する窒
素原子とともに形成される複素環式基が、(1)モルホ
リノ基、イミダゾリル基又はピリジル基で低級アルキル
基部分が置換されているモノ−もしくはジ−低級アルキ
ルアミノ基;モルホリノ基;及び低級アルキル基から選
ばれる基で置換されていてもよいオキソ基置換ジヒドロ
(又はテトラヒドロ)キノリル基、(2)モルホリノ基
置換低級アルキル基;ピリジル基又は低級アルコキシ基
で置換されている低級アルコキシ基から選ばれる基で置
換されていてもよいオキソ基置換ジヒドロイソキノリル
基、(3)ピリジル基置換低級アルキル基;低級アルコ
キシ基;ピリジル基;及びジ低級アルキルアミノ基置換
フェニル基から選ばれる基で置換されているオキソ基置
換ジヒドロフタラジニル基又は(4)オキソ基置換ジヒ
ドロフェナントリジニル基である化合物が挙げられる。
【0035】このうち、薬効上とりわけ好ましい化合物
としては、R5 及びR6 が互いに末端で結合して隣接す
る窒素原子とともに形成される複素環式基が、(1)ピ
リジル基で低級アルキル基部分が置換されているモノ−
もしくはジ−低級アルキルアミノ基;モルホリノ基;及
び低級アルキル基から選ばれる基で置換されていてもよ
いオキソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)キノリル
基、(2)モルホリノ基置換低級アルキル基;ピリジル
基又は低級アルコキシ基で置換されている低級アルコキ
シ基から選ばれる基で置換されていてもよいオキソ基置
換ジヒドロイソキノリル基、(3)ピリジル基置換低級
アルキル基;低級アルコキシ基;ピリジル基;及びジ低
級アルキルアミノ基置換フェニル基から選ばれる基で置
換されているオキソ基置換ジヒドロフタラジニル基又は
(4)オキソ基置換ジヒドロフェナントリジニル基であ
る化合物が挙げられる。
【0036】また、他の薬効上好ましい化合物として
は、R5 及びR6 が互いに末端で結合して隣接する窒素
原子とともに形成される置換されていてもよい複素環式
基が、(1)モルホリノ基、イミダゾリル基又はピリジ
ル基で低級アルキル基部分が置換されているモノ−もし
くはジ−低級アルキルアミノ基;モルホリノ基;及び低
級アルキル基から選ばれる基で置換されていてもよいオ
キソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)キノリル基、
(2)モルホリノ基置換低級アルキル基;及び低級アル
コキシ基置換低級アルコキシ基から選ばれる基で置換さ
れているオキソ基置換ジヒドロイソキノリル基、(3)
ピリジル基置換低級アルキル基;低級アルコキシ基;及
びピリジル基から選ばれる基で置換されているオキソ基
置換ジヒドロフタラジニル基である化合物が挙げられ
る。
【0037】更に、他の薬効上好ましい化合物として
は、R5 及びR6 が互いに末端で結合して隣接する窒素
原子と共に形成される複素環式基が、式
【0038】
【化21】
【0039】(但し、R91、R92及びR93は同一又は異
なって水素原子、水酸基、低級アルコシキシ基、ピリジ
ル基で置換されていてもよい低級アルキル基、ジ低級ア
ルキルアミノ基又はハロゲン原子で置換されていてもよ
いフェニル基、ピリジル基、ピリミジニル基又はイミダ
ゾリル基を表す。)で示される基である化合物(以下、
化合物〔I−a〕と称する)が挙げられる。
【0040】このうち、薬効上好ましい化合物として
は、R91、R92及びR93は同一又は異なって水素原子、
低級アルコシキシ基、ピリジル基置換低級アルキル基、
ジ低級アルキルアミノ基置換フェニル基又はピリジル基
である化合物が挙げられる。
【0041】本発明の目的化合物〔I〕のこれら薬効上
好ましい例のうち、R1 及びR2 が同一又は異なって低
級アルコキシ基、R3 及びR4 が水酸基置換メチル基で
ある化合物が好ましい。
【0042】本発明の目的化合物〔I〕には、不斉炭素
に基づく光学活性体が存在しうるが、本発明はこれらの
光学異性体及びその混合物のいずれをも含むものであ
る。
【0043】本発明の目的化合物〔I〕は、遊離の形で
も、また、薬理的に許容し得る塩の形でも医薬用途に使
用することができる。かかる薬理的に許容し得る塩とし
ては、例えば塩酸塩、硫酸塩又は臭化水素酸塩の如き無
機酸塩、酢酸塩、フマル酸塩、シュウ酸塩、メタンスル
ホン酸塩又はマレイン酸塩の如き有機酸塩などがあげら
れる。また、カルボキシル基等の置換基を有する場合に
は塩基性塩(例えばナトリウム塩、カリウム塩等のアル
カリ金属塩又はカルシウム塩の如きアルカリ土類金属
塩)としても用いることができる。
【0044】従って、目的化合物〔I〕及びその塩は、
その分子内塩、付加物、溶媒和物あるいは水和物等をい
ずれも含むものと解釈されるべきである。
【0045】本発明の目的化合物〔I〕もしくはその塩
は経口的にも非経口的にも投与することができ、また、
常法により例えば、錠剤、顆粒剤、カプセル剤、散剤、
注射剤、吸入剤のような適宜の医薬製剤として用いるこ
とができる。
【0046】本発明の目的化合物〔I〕又はその薬理的
に許容し得る塩の投与量は、投与方法、患者の年令、体
重、状態によっても異なるが、通常、1日当り約0.0
01〜10mg/kg、とりわけ約0.003〜3mg
/kg程度とするのが好ましい。
【0047】本発明によれば、目的化合物〔I〕は、下
記〔A法〕〜〔C法〕によって製造することができる。
【0048】〔A法〕本発明の目的化合物〔I〕は、一
般式〔II〕
【0049】
【化22】
【0050】(但し、R11及びR21は同一又は異なって
水素原子又は保護されていてもよい水酸基、R31及びR
41はいずれか一方が、保護されていてもよい水酸基置換
メチル基、他方が水素原子、低級アルキル基又は保護さ
れていてもよい水酸基置換メチル基であることを表し、
Xはハロゲン原子を表す。)で示される化合物と一般式
〔III〕
【0051】
【化23】
【0052】(但し、記号は前記と同一意味を有す
る。)で示される含窒素化合物とを反応させ、R11及び
/又はR21が保護された水酸基であり、R31及び/又は
41が保護された水酸基置換メチル基である場合は、所
望により当該水酸基の保護基の種類に応じ、全てあるい
は選択的に当該保護基を除去し、要すれば6位及び/又
は7位のヒドロキシ部位あるいは2位及び/又は3位の
ヒドロキシメチル部位を再び保護し、さらに要すれば全
てのヒドロキシ部位あるいはヒドロキシメチル部位を保
護して製造することができる。
【0053】〔B法〕本発明の目的化合物のうち、一般
【0054】
【化24】
【0055】(但し、R51及びR61は互いに末端で結合
して隣接する窒素原子とともに少なくともオキソ基で置
換された複素環式基を形成していることを表し、他の記
号は前記と同一意味を有する。)で示される化合物は、
一般式〔IV〕
【0056】
【化25】
【0057】(但し、記号は前記と同一意味を有す
る。)で示される化合物と一般式〔V〕
【0058】
【化26】
【0059】(但し、R52及びR62は互いに末端で結合
して隣接する窒素原子とともに少なくともハロゲン原子
で置換された複素環式基を形成していることを表す。)
で示されるハロゲノ含窒素化合物とを反応させ、R11
び/又はR21が保護された水酸基であり、R31及び/又
はR41が保護された水酸基置換メチル基である場合は、
所望により当該水酸基の保護基の種類に応じ、全てある
いは選択的に当該保護基を除去し、要すれば6位及び/
又は7位のヒドロキシ部位あるいは2位及び/又は3位
のヒドロキシメチル部位を再び保護し、さらに要すれば
全てのヒドロキシ部位あるいはヒドロキシメチル部位を
保護して製造することができる。
【0060】〔C法〕本発明の目的化合物のうち、一般
【0061】
【化27】
【0062】(但し、R53及びR63は同一又は異なっ
て、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換
されていてもよいフェニル基又は保護されていてもよい
アミノ基を表すか、あるいは互いに末端で結合して隣接
する窒素原子とともに還元反応に安定な置換されていて
もよい複素環式基を形成していることを表し、他の記号
は前記と同一意味を有する。)で示される化合物は、一
般式〔VI〕
【0063】
【化28】
【0064】(但し、R7 及びR8 のいずれか一方が遊
離の又はエステル化されたカルボキシル基、他方が水素
原子、低級アルキル基、あるいは遊離の又はエステル化
されたカルボキシル基を表し、他の記号は前記と同一意
味を有する。)で示される化合物又はその分子内酸無水
物を還元反応に付し、R11及び/又はR21が保護された
水酸基である場合は、所望により当該保護基を除去し、
要すれば6位及び/又は7位のヒドロキシ部位あるいは
2位及び/又は3位のヒドロキシメチル部位を再び保護
し、さらに要すれば全てのヒドロキシ部位あるいはヒド
ロキシメチル部位を保護して製造することができる。
【0065】これら〔A法〕〜〔C法〕は以下のように
して実施することができる。
【0066】〔A法〕化合物〔II〕と含窒素化合物
〔III〕との反応は、塩基及び銅触媒の存在下、適当
な溶媒中で実施することができる。塩基としては、水素
化アルカリ金属、炭酸アルカリ金属等を、銅触媒として
は、ヨウ化銅(I)、臭化銅(I)、銅粉(0)、酸化
銅(I)、臭化銅(II)等を好適に用いることができ
る。また、溶媒としては、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド、ジメチルアセトアミド、トルエン、
キシレン等を適宜用いることができる。本反応は、80
℃〜160℃、とりわけ120℃〜150℃で好適に進
行する。
【0067】〔B法〕化合物〔IV〕とハロゲノ含窒素
化合物〔V〕との反応は、酸触媒の存在又は非存在下、
適当な溶媒中で実施することができる。酸触媒として
は、臭化水素、塩化水素、酢酸等を、溶媒としては、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、トルエ
ン、キシレン、メシチレン、ジ、トリもしくはテトラク
ロロエタン等を適宜用いることができる。本反応は、8
0℃〜160℃、とりわけ110℃〜150℃で好適に
進行する。
【0068】〔C法〕化合物〔VI〕又はその分子内酸
無水物の還元反応は、適当な還元剤を用い、溶媒中で実
施することができる。化合物〔VI〕において、エステ
ル化されたカルボキシル基は、還元反応によりヒドロキ
シメチル基に変換しうるものであればよく、例えば低級
アルコキシカルボニル基などがあげられる。還元剤とし
ては、R7 及びR8 の種類に応じ適宜選択すればよい。
例えば、R7 及びR8 がエステル化されたカルボキシル
基である場合には、金属水素化物、例えば、水素化リチ
ウムアルミニウム、水素化ビス(メトキシエトキシ)ア
ルミニウムナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム等、と
りわけ水素化ホウ素ナトリウムを好適に使用することが
できる。この反応は適当な溶媒、例えばテトラヒドロフ
ラン、エーテルの如きエーテル系溶媒と低級アルカノー
ルとの混合溶媒中、加熱下で好適に実施することができ
る。一方、R7 及び/又はR8 が遊離のカルボキシル基
である場合には、例えば水素化リチウムアルミニウム等
を好適に使用することができる。さらに化合物〔VI〕
の分子内酸無水物はR7 及びR8 が遊離のカルボキシル
基である化合物〔VI〕を分子内脱水反応に付して調製
することができ、その還元反応は、R7 及び/又はR8
が遊離のカルボキシル基である場合と同様の条件下に実
施することができる。これらの反応は適当な溶媒、例え
ばテトラヒドロフラン、エーテル、ジオキサンの如きエ
ーテル系溶媒中、冷却下で、好適に実施することができ
る。
【0069】上記〔A法〕及び〔B法〕においてR11
び/又はR21が保護された水酸基、R31及び/又はR41
が保護された水酸基置換メチル基である場合、生成物か
らの当該保護基の除去は、保護基の種類に応じて、常法
に従って加水分解、酸処理、還元等の通常の方法で実施
することができる。さらに上記〔A法〕〜〔C法〕にお
いて6位及び/又は7位ヒドロキシ部、2位及び/又は
3位ヒドロキシメチル部の保護は、常法に従い、各生成
物と基R1 及びR2 、基R3 及びR4 の保護基に対応す
る低級アルカン酸又はシクロアルカン酸の酸無水物、酸
ハライド又は低級アルコキシカルボニル基で置換されて
いてもよい低級アルキルハライド又は保護されていても
よいカルボキシル基置換低級アルキルスルホネート等と
を縮合反応させて実施することができる。反応は、塩基
(トリエチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジ
ン、水素化ナトリウム、ヘキサメチルホスホリックトリ
アミド等)の存在下、適当な溶媒(塩化メチレン、テト
ラヒドロフラン等)中又は無溶媒で好適に実施できる。
又、各生成物と基R1 及びR2 、基R3 及びR4 の保護
基に対応する保護されていてもよいアミノ基置換低級ア
ルキルカルボン酸等とを反応させて実施することができ
る。反応は、縮合剤(ジシクロヘキシルカルボジイミ
ド、水溶性カルボジイミド誘導体)の存在下、適当な溶
媒(ジメチルホルムアミド、塩化メチレン、クロロホル
ム)中好適に実施できる。この場合、3位のヒドロキシ
メチル部は、2位のヒドロキシメチル部よりも反応性が
高いため、生成物1モルに対し、低級アルカン酸の酸無
水物、酸ハライド又は低級アルキルハライドを等モル使
用すると、3位ヒドロキシメチル部のみが保護された目
的物が主に生成し、2モル以上使用すると、2位と3位
がともに保護された目的物を得ることができる。又、カ
ルボキシル基及び/又はアミノ基の保護基としては、慣
用のカルボキシル基及び/又はアミノ基の保護基を用い
ることができ、常法によって除去することができる。
【0070】本発明の目的物〔I〕は、上記の如くして
得られる目的物を他の目的物へ相互変換することによっ
ても製造することができる。このような目的物間の相互
変換反応としては、その化合物が有する置換基の種類に
応じ、適宜選択すればよいが、例えば次の如く実施する
ことができる。
【0071】化合物〔I−a〕は、一般式〔I〕におい
て、対応するR5 が水素原子であり、R6 がアミノ基で
ある化合物(以下、化合物〔I−b〕と称する)又はそ
の塩と一般式〔VII〕
【0072】
【化29】
【0073】(但し、記号は前記と同一意味を有す
る。)で示されるカルボン酸誘導体又はその塩と反応さ
せることにより製造することができる。
【0074】更に、一般式〔I−a〕においてR91が水
酸基である化合物〔I−a’〕は化合物〔I−b〕又は
その塩と一般式〔VIII〕
【0075】
【化30】
【0076】(但し、記号は前記と同一意味を有す
る。)で示される酸無水物化合物と反応させることによ
り製造することができる。
【0077】これら反応は適当な溶媒(例えば、低級ア
ルカノール、エチレングリコール、ジオキサン、トルエ
ン等)中で、実施することができ、100〜140℃で
好適に進行する。
【0078】なお、本発明の原料化合物〔II〕は新規
化合物であり、例えば、一般式〔IX〕
【0079】
【化31】
【0080】(但し、記号は前記と同一意味を有す
る。)で示されるベンズアルデヒド化合物を、ハロゲン
(臭素等)で処理し、得られる6−ハロゲノベンズアル
デヒド化合物を、酸触媒(例えば、強酸性樹脂等)の存
在下オルトギ酸メチルと反応させ、次いで塩基(n−ブ
チルリチウム等)の存在下一般式〔X〕
【0081】
【化32】
【0082】(但し、記号は前記と同一意味を有す
る。)で示されるアルデヒド化合物と反応させ、さらに
生成物を一般式〔XI〕
【0083】
【化33】
【0084】(但し、R71及びR81はいずれか一方がエ
ステル化されたカルボキシル基、他方が水素原子、低級
アルキル基又はエステル化されたカルボキシル基である
ことを表す。)で示されるオレフィン化合物と縮合反応
させて一般式〔XII〕
【0085】
【化34】
【0086】(但し、記号は前記と同一意味を有す
る。)で示される化合物とし、これを還元剤(水素化ホ
ウ素アルカリ金属、水素化ビス(メトキシエトキシ)ア
ルミニウムナトリウム等)で還元して製造することがで
きる。
【0087】また、原料化合物〔II〕は、化合物
〔X〕に代えて一般式〔XIII〕
【0088】
【化35】
【0089】で示される化合物を用いて上記と同様にし
て化合物〔XII〕に対応する一般式〔XIV〕
【0090】
【化36】
【0091】(但し、記号は前記と同一意味を有す
る。)で示される化合物とし、これを酸化剤(メタクロ
ロ過安息香酸、カリウムパーオキシスルフェート(2K
HSO5・KHSO4・K2SO4)、過酸化水素等)で酸
化して一般式〔XV〕
【0092】
【化37】
【0093】(但し、記号は前記と同一意味を有す
る。)で示される化合物とし、これをハロゲン化剤(オ
キシ塩化リン、オキシ臭化リン等)で処理して化合物
〔XII〕とし、さらに還元剤(水素化ホウ素アルカリ
金属、水素化ビス(メトキシエトキシ)アルミニウムナ
トリウム等)で還元して製造することもできる。
【0094】また、一般式〔XIV〕においてR71
エステル化されたカルボキシル基であり、R81 が水素
原子である化合物は、一般式〔XIII〕で示される化
合物と、カルボキシル基が常用の保護基(例えば、te
rt−ブチル基、ベンジル基等)で保護されたアクリル
酸とを反応させ、更に生成物のカルボキシル基の保護基
を慣用の方法により、脱保護して得られる一般式
【0095】
【化38】
【0096】で示される化合物を、更に一般式〔IX〕
で示されるベンズアルデヒド化合物を無水酢酸及び酢酸
ナトリウム、あるいは三酸化硫黄及びN,N−ジメチル
ホルムアミドと反応させ、一般式〔XVI〕
【0097】
【化39】
【0098】(但し、記号は前記と同一意味を有す
る。)で示される化合物とし、これを酸触媒(例えば、
酢酸−塩酸混液、塩化アルミニウム等)で処理してナフ
タレン化合物に変換した後、ナフタレン環3位のカルボ
キシル基を慣用の方法によりエステル化して製造するこ
とができる。
【0099】本発明の原料化合物〔IV〕は、例えば、
化合物〔XIV〕を還元剤(例えば水素化ビス(メトキ
シエトキシ)アルミニウムナトリウム)で還元し、得ら
れた2,3−ビス(ヒドロキシメチル)化合物の水酸基
を保護したのちに酸化剤(例えばメタクロロ過安息香
酸)で酸化し、さらに所望により生成物から水酸基の保
護基を除去して製造することができる。
【0100】さらに、化合物〔VI〕も新規化合物であ
り、例えば化合物〔XII〕と含窒素化合物〔III〕
とを、化合物〔II〕と含窒素化合物〔III〕との反
応と同様の条件下に反応させることにより製造すること
ができる。また、化合物〔VI〕は、化合物〔XV〕と
ハロゲノ含窒素化合物〔V〕とを、化合物〔IV〕とハ
ロゲノ含窒素化合物〔V〕との反応と同様の条件下に反
応させることにより製造することもできる。
【0101】なお、本発明において、アルキル基として
は、炭素数1〜16、とりわけ炭素数1〜8の直鎖状又
は分岐鎖状のものが挙げられ、低級アルキル基及び低級
アルコキシ基としては炭素数1〜6、とりわけ1〜4の
ものが挙げられる。又、低級アルケニル基、低級アルキ
ニル基、低級アルキレンジオキシ基、低級アルカノイル
基としては炭素数2〜7、とりわけ2〜5の直鎖状又は
分岐鎖状のものが挙げられる。更に、シクロアルキル基
としては炭素数3〜8、とりわけ3〜6のものが挙げら
れる。ハロゲン原子としては、塩素、臭素、フッ素又は
ヨウ素が挙げられる。
【0102】
【実施例】以下に実施例を掲載して、本発明を更に詳細
に説明するが、これにより発明を限定するものではな
い。また、上記例示の方法で合成される化合物、並びに
同様の製法による本発明一般式〔I〕の化合物をまとめ
て下記第1〜14表に具体的に示す。
【0103】
【表1】
【0104】
【表2】
【0105】
【表3】
【0106】
【表4】
【0107】
【表5】
【0108】
【表6】
【0109】
【表7】
【0110】
【表8】
【0111】
【表9】
【0112】
【表10】
【0113】
【表11】
【0114】
【表12】
【0115】
【表13】
【0116】
【表14】
【0117】
【表15】
【0118】
【表16】
【0119】
【表17】
【0120】
【表18】
【0121】
【表19】
【0122】
【表20】
【0123】
【表21】
【0124】
【表22】
【0125】
【表23】
【0126】
【表24】
【0127】
【表25】
【0128】実施例 1 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(アセトキシメチ
ル)−6,7−ジエトキシナフタレンのN−オキシド
3.5g及び1−クロロイソキノリン1.26gのメシ
チレン30ml懸濁液を150〜160℃で加熱撹拌す
る。反応後溶媒を留去し、残渣に塩化メチレン及び炭酸
水素ナトリウム水溶液を加え、塩化メチレン層を分取す
る。塩化メチレン層を洗浄、乾燥後溶媒を留去し、残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶媒;クロロ
ホルム:アセトン=30:1)で精製して第1表記載の
1−〔2−(1−オキソ−1,2−ジヒドロイソキノリ
ン−2−イル)−4−ピリジル〕−2,3−ビス(アセ
トキシメチル)−6,7−ジエトキシナフタレン1.8
5gを得る。
【0129】m.p. 90−93℃ 実施例 2 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(アセトキシメチ
ル)−6,7−ジメトキシナフタレンのN−オキシド
2.13g及び2−クロロキノリン1.64gのジメチ
ルホルムアミド5ml懸濁液に塩化水素−ジオキサン溶
液を数滴注ぎ、120〜130℃で加熱撹拌する。反応
後溶媒を留去し、残渣に塩化メチレン及び炭酸水素ナト
リウム水溶液を加え、塩化メチレン層を分取する。得ら
れた塩化メチレン層を洗浄、乾燥後溶媒を留去し残渣を
得た。得られた残渣に、氷冷下にてピリジン5ml及び
無水酢酸1.0mlを加え、室温にて2時間撹拌する。
反応後溶媒を留去し、残渣に酢酸エチル及び水を加え、
酢酸エチル層を分取する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後
溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー(溶媒;クロロホルム:アセトン=5:1)で精製
して第1表記載の1−〔2−(2−オキソ−1,2−ジ
ヒドロキノリン−1−イル)−4−ピリジル〕−2,3
−ビス(アセトキシメチル)−6,7−ジメトキシナフ
タレン1.20gを得る。
【0130】m.p. 181−184℃ 実施例 3 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(アセトキシメチ
ル)−6,7−ジメトキシナフタレンのN−オキシド
3.5g及び2−クロロ−5−ニトロピリジン13.0
gのキシレン30ml懸濁液に、臭化水素−酢酸溶液を
数滴注ぎ、140〜150℃で加熱撹拌する。反応後溶
媒を留去し、残渣にクロロホルム及び炭酸水素ナトリウ
ム水溶液を加え、クロロホルム層を分取する。クロロホ
ルム層を洗浄、乾燥後溶媒を留去し、残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー(溶媒;クロロホルム:アセ
トン=50:1)で精製して第1表記載の1−〔2−
(2−オキソ−1,2−ジヒドロ−5−ニトロピリジン
−1−イル)−4−ピリジル〕−2,3−ビス(アセト
キシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレン1.83
gを得る。
【0131】m.p. 81−84℃ 実施例 4 1−〔2−(1−オキソ−1,2−ジヒドロイソキノリ
ン−2−イル)−4−ピリジル〕−2,3−ビス(アセ
トキシメチル)−6,7−ジエトキシナフタレン1.8
4gのメタノール50ml溶液に、氷冷下にナトリウム
メトキシド0.52gを加える。室温で2時間半撹拌
し、さらに氷冷下にナトリウムメトキシド0.17gを
加え、室温で1時間撹拌する。反応混合物に氷冷下に酢
酸0.74mlを加え、溶媒を留去する。残渣に塩化メ
チレン及び炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、塩化メチ
レン層を分取する。塩化メチレン層を洗浄、乾燥後溶媒
を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(溶媒;クロロホルム:エタノール=25:1)で精製
して第1表記載の1−〔2−(1−オキソ−1,2−ジ
ヒドロイソキノリン−2−イル)−4−ピリジル〕−
2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジエトキ
シナフタレン0.95gを得る。
【0132】m.p. 131−134℃ 実施例 5 1−〔2−(2−オキソ−1,2−ジヒドロ−5−ニト
ロピリジン−1−イル)−4−ピリジル〕−2,3−ビ
ス(アセトキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレ
ン1.83gのメタノール50ml溶液に、氷冷下にナ
トリウムメトキシド0.72gを加える。室温で1時間
撹拌する。反応混合物に氷冷下に酢酸0.8mlを加
え、溶媒を留去する。残渣にクロロホルム及び炭酸水素
ナトリウム水溶液を加え、クロロホルム層を分取する。
クロロホルム層を洗浄、乾燥後溶媒を留去し、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー(溶媒;クロロホル
ム:アセトン=3:1)で精製後、酢酸エチルにて結晶
化し第1表記載の1−〔2−(2−オキソ−1,2−ジ
ヒドロ−5−ニトロピリジン−1−イル)−4−ピリジ
ル〕−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジ
メトキシナフタレン0.81gを得る。
【0133】m.p. 248−251℃(分解) 実施例 6 (1)1−(2−ブロモ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタ
レン15.0gのテトラヒドロフラン150ml懸濁液
に水素化ホウ素ナトリウム6.16gを加え加熱還流す
る。該加熱還流下の混合物にメタノール60ml及びテ
トラヒドロフラン60mlの混液を5時間かけて滴下す
る。反応終了後、溶媒を留去し、残渣に塩化メチレン及
び炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、塩化メチレン層を
分取する。塩化メチレン層を洗浄、乾燥後溶媒を留去
し、残渣をイソプロピルエーテルで結晶化して1−(2
−ブロモ−4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒドロキシ
メチル)−6,7−ジメトキシナフタレン11.86g
を得る。
【0134】m.p. 177−179℃ (2)2−ヒドロキシキノキサリン2.92gのジメチ
ルホルムアミド20ml溶液を窒素雰囲気下氷冷し、6
0%水素化ナトリウム0.78gを加え、室温で15分
間撹拌する。ついで該混合物にヨウ化銅(I)4.19
gを加え、120℃で15分間撹拌する。該混合物を室
温に戻し、1−(2−ブロモ−4−ピリジル)−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフ
タレン2.02gを加え、120℃で5時間撹拌する。
反応終了後酢酸エチル及びアンモニア水を加え、酢酸エ
チル層を分取する。酢酸エチル層をろ過後、洗浄、乾燥
し、溶媒を留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー(溶媒;クロロホルム:メタノール=20:
1)で精製して第2表記載の1−〔2−(2−オキソ−
1,2−ジヒドロキノキサリン−1−イル)−4−ピリ
ジル〕−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−
ジメトキシナフタレン450mgを得る。
【0135】m.p. 158−165℃(分解) 実施例 7 2−ヒドロキシ−4−〔2−(1−ピペリジノ)エチ
ル〕アミノキノリン3.26gのジメチルホルムアミド
10ml溶液を窒素雰囲気下氷冷し、60%水素化ナト
リウム0.48gを加え、室温で15分間撹拌する。つ
いで該混合物にヨウ化銅(I)2.29gを加え、12
0℃で30分間撹拌する。該混合物を室温に戻し、1−
(2−ブロモ−4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒドロ
キシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレン2.43
gを加え、120℃で5時間撹拌する。反応終了後酢酸
エチル及びアンモニア水を加え、酢酸エチル層を分取す
る。酢酸エチル層をろ過後、洗浄、乾燥し、溶媒を留去
する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶
媒;クロロホルム:メタノール=6:1)で精製後、塩
化水素−ジオキサン溶液を数滴注ぎ、結晶化させ、さら
に洗浄後乾燥させ、第2表記載の1−{2−〔2−オキ
ソ−4−〔2−(1−ピペリジノ)エチル〕アミノ−
1,2−ジヒドロキノリン−1−イル〕−4−ピリジ
ル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジ
メトキシナフタレン・塩酸塩210mgを得る。
【0136】m.p. >220℃ 実施例 8〜57 1−(2−ブロモ−4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒ
ドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレンと対
応含窒素化合物〔III〕とを実施例6−(2)もしく
は実施例7と同様に処理して第1〜2表記載の化合物を
得る。
【0137】実施例 58 (1)1−(2−ブロモ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6−エトキシ−7−メトキ
シナフタレンを実施例6−(1)と同様に処理して1−
(2−ブロモ−4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒドロ
キシメチル)−6−エトキシ−7−メトキシナフタレン
を得る。
【0138】m.p. 156−157℃ (2)本品と対応含窒素化合物〔III〕とを実施例7
と同様に処理して第3表記載の1−{2−〔4−(3−
ピリジル)−1(2H)−フタラジノン−2−イル〕ピ
リジン−4−イル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチ
ル)−6−エトキシ−7−メトキシナフタレン・塩酸塩
を得る。
【0139】m.p. 215−218℃(分解) (3)1−{2−〔4−(3−ピリジル)−1(2H)
−フタラジノン−2−イル〕ピリジン−4−イル}−
2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6−エトキシ−7
−メトキシナフタレン・硫酸塩 m.p. >250℃ (4)1−{2−〔4−(3−ピリジル)−1(2H)
−フタラジノン−2−イル〕ピリジン−4−イル}−
2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6−エトキシ−7
−メトキシナフタレン・メタンスルホン酸塩 m.p. 205−215℃(分解) 実施例 59〜60 (1)1−(2−ブロモ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)ナフタレンを実施例6−
(1)と同様に処理して1−(2−ブロモ−4−ピリジ
ル)−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)ナフタレンを
得る。
【0140】m.p. 108−109℃ (2)本品と対応含窒素化合物〔III〕とを実施例6
−(2)もしくは実施例7と同様に処理して第3表記載
の化合物を得る。
【0141】実施例 61〜62 (1)1−(2−ブロモ−5−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタ
レンを実施例6−(1)と同様に処理して1−(2−ブ
ロモ−5−ピリジル)−2,3−ビス(ヒドロキシメチ
ル)−6,7−ジメトキシナフタレンを得る。
【0142】m.p. 185−186℃(分解) (2)本品と対応含窒素化合物〔III〕とを実施例6
−(2)もしくは実施例7と同様に処理して第4表記載
の化合物を得る。
【0143】実施例 63 (1)1−(2−ブロモ−6−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタ
レン715mgのテトラヒドロフラン20ml懸濁液に
水素化ホウ素リチウム174mgを加え加熱還流する。
該加熱還流下の混合物にメタノール2.2ml及びテト
ラヒドロフラン10mlの混液を2時間かけて滴下す
る。反応終了後、溶媒を留去し、残渣に酢酸エチル及び
水を加え、酢酸エチル層を分取する。酢酸エチル層を洗
浄、乾燥後溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(溶媒;クロロホルム:メタノール=1
5:1)で精製して1−(2−ブロモ−6−ピリジル)
−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメト
キシナフタレン505mgを得る。
【0144】m.p. 107−108℃ (2)1−(2−ブロモ−6−ピリジル)−2,3−ビ
ス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレ
ンと対応含窒素化合物〔III〕とを実施例6−(2)
と同様に処理して第5表記載の1−〔2−(2−オキソ
−1,2−ジヒドロキノリン−1−イル)ピリジン−6
−イル〕−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7
−ジメトキシナフタレンを得る。
【0145】m.p. 142−143℃ 実施例 64 1−(2−ブロモ−4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒ
ドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレンとフ
タルイミドのカリウム塩とを実施例6−(2)と同様に
処理して1−(2−フタルイミド−4−ピリジル)−
2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキ
シナフタレンの加水分解物である第6表記載の1−(2
−アミノ−4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒドロキシ
メチル)−6,7−ジメトキシナフタレンを得る。
【0146】m.p. 99−103℃ 実施例 65 1−(2−ブロモ−4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒ
ドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレンと2
−オキソベンゾオキサゾリジンとを実施例6−(2)と
同様に処理して1−〔2−(2−オキソベンゾオキサゾ
リジン−3−イル)−4−ピリジル〕−2,3−ビス
(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレン
の加水分解物である第6表記載の1−〔2−(2−ヒド
ロキシフェニル)アミノ−4−ピリジル〕−2,3−ビ
ス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレ
ンを得る。
【0147】m.p. 90−93℃ 実施例 66 (1)1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシ
カルボニル)−6,7−ジメトキシナフタレンのN−オ
キシド1.99gのトルエン10ml懸濁液に2−クロ
ロキノリン3.27gを加える。ついで30%臭化水素
−酢酸溶液5滴を加え15時間加熱還流する。溶媒留去
後、残渣に水及び塩化メチレンを加え、ついで炭酸水素
ナトリウム水溶液を加えてpH8に調整する。塩化メチ
レンで抽出後、洗浄、乾燥し、溶媒を留去する。残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶媒;クロロホ
ルム:アセトン=4:1)で精製して1−〔2−(2−
オキソ−1,2−ジヒドロキノリン−1−イル)−4−
ピリジル〕−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−
6,7−ジメトキシナフタレン2.60gを得る。
【0148】m.p. >230℃ (2)1−〔2−(2−オキソ−1,2−ジヒドロキノ
リン−1−イル)−4−ピリジル〕−2,3−ビス(メ
トキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタレン2
00mgのテトラヒドロフラン懸濁液に、水素化ホウ素
ナトリウム36mgを加え加熱還流する。該加熱還流下
の混合物にメタノール0.3mlを1時間かけて滴下す
る。該混合物を室温に戻し、水素化ホウ素ナトリウム3
6mgを加え、加熱還流下にメタノール0.3mlを1
時間かけて滴下する。反応終了後、反応混合物に塩化メ
チレン及び希塩酸を加え、塩化メチレン層を分取する。
塩化メチレン層を洗浄、乾燥後溶媒を留去し、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー(溶媒;クロロホル
ム:メタノール=20:1)で精製して第6表記載の1
−〔2−(2−オキソ−1,2−ジヒドロキノリン−1
−イル)−4−ピリジル〕−2,3−ビス(ヒドロキシ
メチル)−6,7−ジメトキシナフタレン90mgを得
る。
【0149】m.p. >230℃(酢酸エチルから再
結晶) 実施例 67 (1)1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシ
カルボニル)−6,7−ジメトキシナフタレンのN−オ
キシドと4−〔3−(1−イミダゾリル)プロピル〕ア
ミノ−2−クロロキノリンとを実施例66−(1)と同
様に処理して下記第15表記載の1−{2−〔2−オキ
ソ−4−〔3−(1−イミダゾリル)プロピル〕アミノ
−1,2−ジヒドロキノリン−1−イル〕−4−ピリジ
ル}−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−6,7−
ジメトキシナフタレンを得る。
【0150】m.p. 142−148℃ (2)本品2.2gのテトラヒドロフラン懸濁液に、水
素化ホウ素ナトリウム640mgを加え加熱還流する。
該加熱還流下の混合物にメタノール5.4ml及びテト
ラヒドロフラン6mlの混液を2時間かけて滴下する。
該混合物を室温に戻し、水素化ホウ素ナトリウム400
mgを加え、加熱還流下にメタノール3.4mlを0.
5時間かけて滴下する。反応終了後、反応混合物に氷冷
下、水酸化ナトリウム水溶液及び塩化メチレンを加え、
塩化メチレン層を分取する。塩化メチレン層を洗浄、乾
燥後溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー(溶媒;クロロホルム:メタノール=2:1)
で精製後、ジオキサン/メタノール溶液に溶解し、塩化
水素−ジオキサン溶液を0.29ml加えて結晶化さ
せ、さらに洗浄後乾燥させ、第6表記載の1−{2−
〔2−オキソ−4−〔3−(1−イミダゾリル)プロピ
ル〕アミノ−1,2−ジヒドロキノリン−1−イル〕−
4−ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−
6,7−ジメトキシナフタレン・塩酸塩90mgを得
る。
【0151】m.p. >220℃ 実施例 68〜72 (1)1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシ
カルボニル)−6,7−ジメトキシ(又はジエトキシ)
ナフタレンのN−オキシドと対応ハロゲノ含窒素化合物
〔V〕とを実施例66−(1)と同様に処理して下記第
15表記載の化合物を得る。
【0152】
【表26】
【0153】(2)上記(1)で得られた生成物を実施
例66−(2)と同様に処理して第6表記載の化合物を
得る。
【0154】実施例 73 (1)1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシ
カルボニル)−6,7−ジメトキシナフタレンのN−オ
キシドと2−クロロ−4−ベンジルオキシカルボニルメ
トキシキノリンとを実施例66−(1)と同様に処理し
て1−〔2−(2−オキソ−4−ベンジルオキシカルボ
ニルメトキシ−1,2−ジヒドロキノリン−1−イル)
−4−ピリジル〕−2,3−ビス(メトキシカルボニ
ル)−6,7−ジメトキシナフタレンを得る。
【0155】m.p. 186−189℃ (2)上記(1)で得られた生成物を実施例66−
(2)と同様に処理して第6表記載の1−{2−〔2−
オキソ−4−(2−ヒドロキシエトキシ)−1,2−ジ
ヒドロキノリン−1−イル〕−4−ピリジル}−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフ
タレンを得る。
【0156】m.p. 100−110℃(分解) 実施例 74 (1)1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシ
カルボニル)−6,7−ジメトキシナフタレンのN−オ
キシドと2−クロロ−4−モルホリノカルボニルキノリ
ンとを実施例66−(1)と同様に処理して1−〔2−
(2−オキソ−4−モルホリノカルボニル−1,2−ジ
ヒドロキノリン−1−イル)−4−ピリジル〕−2,3
−ビス(メトキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナ
フタレンを得る。
【0157】m.p. 247−249℃ (2)上記(1)で得られた生成物を実施例66−
(2)と同様に処理して第6表記載の1−{2−〔2−
(1−ヒドロキシメチル−3−ヒドロキシプロピル)フ
ェニルアミノ〕−4−ピリジル}−2,3−ビス(ヒド
ロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレンを得
る。
【0158】m.p. 204−207℃ 実施例 75〜81 (1)1−(2−ブロモ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタ
レンと対応含窒素化合物〔III〕とを実施例6−
(2)と同様に処理して下記第16表記載の化合物を得
る。
【0159】
【表27】
【0160】(2)上記(1)で得られた生成物を実施
例66−(2)と同様に処理して第6〜7表記載の化合
物を得る。
【0161】実施例 82 (1)1−(2−ブロモ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタ
レンと4−ヒドロキシキノリンとを実施例6−(2)と
同様に処理して1−〔2−(4−オキソ−1,4−ジヒ
ドロキノリン−1−イル)−4−ピリジル〕−2,3−
ビス(メトキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナフ
タレンを得る。
【0162】m.p. 264−266℃(分解) (2)上記(1)で得られた生成物を実施例66−
(2)と同様に処理して第7表記載の1−〔2−(4−
ヒドロキシ−1,2,3,4−テトラヒドロキノリン−
1−イル)−4−ピリジル〕−2,3−ビス(ヒドロキ
シメチル)−6,7−ジメトキシナフタレンを得る。
【0163】m.p. 90−94℃ 実施例 83 (1)1−(2−ブロモ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタ
レンと5−メチル−2−オキソピロリジンとを実施例6
−(2)と同様に処理して1−〔2−(5−メチル−2
−オキソピロリジン−1−イル)−4−ピリジル〕−
2,3−ビス(メトキシカルボニル)−6,7−ジメト
キシナフタレンを得る。
【0164】m.p. 184−186℃ (2)上記(1)で得られた生成物を実施例66−
(2)と同様に処理して第7表記載の1−〔2−(1−
メチル−4−ヒドロキシブチル)アミノ−4−ピリジ
ル〕−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジ
メトキシナフタレンを得る。
【0165】m.p. 57−61℃ 実施例 84 (1)1−(2−ブロモ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタ
レンと2−オキソ−1,2,3,4−テトラヒドロキノ
リンとを実施例6−(2)と同様に処理して1−〔2−
(2−オキソ−1,2,3,4−テトラヒドロキノリン
−1−イル)−4−ピリジル〕−2,3−ビス(メトキ
シカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタレンを得
る。
【0166】m.p. 229−233℃ (2)上記(1)で得られた生成物を実施例66−
(2)と同様に処理して第7表記載の1−{2−〔2−
(3−ヒドロキシプロピル)フェニル〕アミノ−4−ピ
リジル〕−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7
−ジメトキシナフタレンを得る。
【0167】m.p. 156−158℃ 実施例 85 1−〔2−(2−オキソ−4−メトキシメトキシ−1,
2−ジヒドロキノリン−1−イル)−4−ピリジル〕−
2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキ
シナフタレン1.39gをジオキサン10ml及びメタ
ノール5mlの混液に溶解し、該溶液に2N塩酸2ml
を加える。この溶液を50℃に加温し、7時間撹拌後、
溶媒を留去する。残渣にクロロホルム及び水を加え、ク
ロロホルム層を分取し、洗浄、乾燥後溶媒を留去する。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶媒;ク
ロロホルム:メタノール=10:1)で精製して第7表
記載の1−〔2−(2−オキソ−4−ヒドロキシ−1,
2−ジヒドロキノリン−1−イル)−4−ピリジル〕−
2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキ
シナフタレン0.79gを得る。
【0168】m.p. 160−170℃ 実施例 86 1−〔2−(1−オキソ−5−メトキシメトキシ−1,
2−ジヒドロイソキノリン−2−イル)−4−ピリジ
ル〕−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジ
メトキシナフタレンを実施例85と同様に処理して第7
表記載の1−〔2−(1−オキソ−5−ヒドロキシ−
1,2−ジヒドロキノリン−2−イル)−4−ピリジ
ル〕−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジ
メトキシナフタレンを得る。
【0169】m.p. 138−140℃ 実施例 87 1−〔2−(2−オキソ−4−tert−ブトキシカル
ボニル−1,2−ジヒドロキノリン−1−イル)−4−
ピリジル〕−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,
7−ジメトキシナフタレン0.96gを氷冷下に4Nの
塩化水素−ジオキサン溶液25mlに加え、室温で1晩
撹拌する。溶媒留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー(溶媒;クロロホルム:メタノール:酢酸
=90:10:3)で精製し、酢酸エチルで結晶化して
第7表記載の1−〔2−(2−オキソ−4−カルボキシ
−1,2−ジヒドロキノリン−1−イル)−4−ピリジ
ル〕−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジ
メトキシナフタレン0.41gを得る。
【0170】m.p. >250℃ 実施例 88 1−{2−〔2−オキソ−4−ビス(2−tert−ブ
チルジメチルシリルオキシエチル)アミノカルボニル−
1,2−ジヒドロキノリン−1−イル〕−4−ピリジ
ル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジ
メトキシナフタレン1.9gのテトラヒドロフラン20
ml溶液に、氷冷下にフッ化テトラブチルアンモニウム
のテトラヒドロフラン溶液(1.0M)2.8mlを加
え、室温で1時間撹拌する。反応終了後、溶媒を留去
し、塩化メチレン及び炭酸水素ナトリウム水溶液を加
え、塩化メチレン層を分取する。塩化メチレン層を洗
浄、乾燥後溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(溶媒;クロロホルム:メタノール=1
0:1〜5:1)で精製し、エーテルで粉末化して第7
表記載の1−{2−〔2−オキソ−4−ビス(2−ヒド
ロキシエチル)アミノカルボニル−1,2−ジヒドロキ
ノリン−1−イル〕−4−ピリジル}−2,3−ビス
(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレン
0.68gを得る。
【0171】m.p. 65−68℃ 実施例 89 1−{2−〔2−オキソ−4−〔4−(2−t−ブチル
ジメチルシリルオキシエチル)ピペラジン−1−イル〕
カルボニル−1,2−ジヒドロキノリン−1−イル〕−
4−ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−
6,7−ジメトキシナフタレンを実施例88と同様に処
理して第7表記載の1−{2−〔2−オキソ−4−〔4
−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン−1−イル〕カ
ルボニル−1,2−ジヒドロキノリン−1−イル〕−4
−ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−
6,7−ジメトキシナフタレン得る。
【0172】m.p. 150−153℃ 実施例 90〜92 1−〔2−(2−オキソ−1,2−ジヒドロキノリン−
1−イル)−4−ピリジル〕−2,3−ビス(ヒドロキ
シメチル)−6,7−ジメトキシナフタレン3.1gの
ジメチルホルムアミド10ml溶液を、tert−ブト
キシカルボニルグリシン2.1g及びカルボニルジイミ
ダゾール2.14gのジメチルホルムアミド5ml溶液
を30分間撹拌したものに加え、室温で一晩撹拌する。
残渣に酢酸エチル及び水を加え、酢酸エチル層を分取す
る。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後溶媒を留去し、残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶媒;クロロホ
ルム:メタノール=20:1)で精製して第8表記載の
1−〔2−(2−オキソ−1,2−ジヒドロキノリン−
1−イル)−4−ピリジル〕−2−(tert−ブトキ
シカルボニルアミノメチルカルボニルオキシメチル)−
3−ヒドロキシメチル−6,7−ジメトキシナフタレン
0.8g(実施例90)、1−〔2−(2−オキソ−
1,2−ジヒドロキノリン−1−イル)−4−ピリジ
ル〕−2−ヒドロキシメチル−3−(tert−ブトキ
シカルボニルアミノメチルカルボニルオキシメチル)−
6,7−ジメトキシナフタレン1.2g(実施例91)
及び1−〔2−(2−オキソ−1,2−ジヒドロキノリ
ン−1−イル)−4−ピリジル〕−2,3−ビス(te
rt−ブトキシカルボニルアミノメチルカルボニルオキ
シメチル)−6,7−ジメトキシナフタレン0.47g
(実施例92)を得る。
【0173】 (実施例90)m.p. 120−122℃ (実施例91)m.p. 136−138℃ (実施例92)油状物 実施例 93 1−〔2−(2−オキソ−1,2−ジヒドロキノリン−
1−イル)−4−ピリジル〕−2−ヒドロキシメチル−
3−(tert−ブトキシカルボニルアミノメチルカル
ボニルオキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレン
700mgにトリフルオロ酢酸5mlを加えて溶解し室
温にて1時間撹拌する。反応終了後、溶媒を留去し、メ
タノール及び15%塩化水素−メタノール溶液20ml
を加えた。溶媒を留去し、残渣をエーテルで粉末化して
第8表記載の1−〔2−(2−オキソ−1,2−ジヒド
ロキノリン−1−イル)−4−ピリジル〕−2−ヒドロ
キシメチル−3−アミノメチルカルボニルオキシメチル
−6,7−ジメトキシナフタレン・塩酸塩510mgを
得る。
【0174】m.p. 126−128℃(分解) 実施例 94 1−〔2−(2−オキソ−1,2−ジヒドロキノリン−
1−イル)−4−ピリジル〕−2−(tert−ブトキ
シカルボニルアミノメチルカルボニルオキシメチル)−
3−ヒドロキシメチル−6,7−ジメトキシナフタレン
を実施例93と同様に処理して第8表記載の1−〔2−
(2−オキソ−1,2−ジヒドロキノリン−1−イル)
−4−ピリジル〕−2−アミノメチルカルボニルオキシ
メチル−3−ヒドロキシメチル−6,7−ジメトキシナ
フタレン・塩酸塩を得る。
【0175】m.p. 146−149℃(分解) 実施例 95 1−〔2−(2−オキソ−1,2−ジヒドロキノリン−
1−イル)−4−ピリジル〕−2,3−ビス(tert
−ブトキシカルボニルアミノメチルカルボニルオキシメ
チル)−6,7−ジメトキシナフタレンを実施例93と
同様に処理して第8表記載の1−〔2−(2−オキソ−
1,2−ジヒドロキノリン−1−イル)−4−ピリジ
ル〕−2,3−ビス(アミノメチルカルボニルオキシメ
チル)−6,7−ジメトキシナフタレン・2塩酸塩を得
る。
【0176】m.p. 165−168℃(分解) 実施例 96〜97 1−〔2−(2−オキソ−1,2−ジヒドロキノリン−
1−イル)−4−ピリジル〕−2,3−ビス(ヒドロキ
シメチル)−6,7−ジメトキシナフタレン468mg
のジメチルホルムアミド5ml溶液に、水素化ナトリウ
ム60mgを加え30分間撹拌する。該溶液を氷冷下に
付し、エチルブロモアセテート0.17mlを滴下し一
晩撹拌する。残渣に酢酸エチル及び水を加え、酢酸エチ
ル層を分取する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後溶媒を留
去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶
媒;クロロホルム:アセトン=5:1)で精製して第8
表記載の1−〔2−(2−オキソ−1,2−ジヒドロキ
ノリン−1−イル)−4−ピリジル〕−2−エトキシカ
ルボニルメトキシメチル−3−ヒドロキシメチル−6,
7−ジメトキシナフタレン70mg(実施例96)、1
−〔2−(2−オキソ−1,2−ジヒドロキノリン−1
−イル)−4−ピリジル〕−2−ヒドロキシメチル−3
−エトキシカルボニルメトキシメチル−6,7−ジメト
キシナフタレン120mg(実施例97)を得る。
【0177】 (実施例96)m.p. 190−192℃ (実施例97)m.p. 124−126℃ 実施例 98 1−〔2−(2−オキソ−1,2−ジヒドロキノリン−
1−イル)−4−ピリジル〕−2−ヒドロキシメチル−
3−エトキシカルボニルメトキシメチル−6,7−ジメ
トキシナフタレン200mgのテトラヒドロフラン5m
l溶液に1規定水酸化ナトリウム溶液0.36mlを加
え撹拌する。該溶液に更にメタノール5mlを加え20
分間加熱還流する。反応液を室温まで冷却し1規定塩酸
0.36mlを加えpH約4にする。反応液にクロロホ
ルムを加え、クロロホルム層を分取する。クロロホルム
層を洗浄、乾燥後溶媒を留去し、精製することなく残渣
に塩化メチレン5mlを加えジシクロヘキシルカルボジ
イミド83mg及び1−ハイドロキシベンゾトリアゾー
ル61mgを加え室温にて30分間撹拌する。該溶液に
1−メチルピペラジン50mgを加え一晩撹拌する。反
応液を水洗後、溶媒を留去しシリカゲルカラムクロマト
グラフィー(溶媒;クロロホルム:メタノール=10:
1)で精製して第8表記載の1−〔2−(2−オキソ−
1,2−ジヒドロキノリン−1−イル)−4−ピリジ
ル〕−2−ヒドロキシメチル−3−(4−メチルピペラ
ジン−1−イル)カルボニルメトキシメチル−6,7−
ジメトキシナフタレン150mgを得る。
【0178】m.p. 100−102℃ 実施例 99 (1)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタ
レンを実施例6−(1)と同様に処理して1−(2−ク
ロロ−4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒドロキシメチ
ル)−6,7−ジメトキシナフタレンを得る。
【0179】(2)1−(2−クロロ−4−ピリジル)
−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメト
キシナフタレン2.0g及びピペラジンの混合物を13
0℃で90分間撹拌する。該混合物を室温に戻し、反応
終了後塩化メチレン及び水を加え、塩化メチレン層を分
取する。溶媒を留去し、残渣をエタノールに溶解後、4
規定塩化水素−ジオキサン溶液2.8mlを加え塩酸塩
とし、溶媒留去後、エタノールで結晶化し、第8表記載
の1−〔2−(1−ピペラジニル)−4−ピリジル〕−
2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキ
シナフタレン・2塩酸塩1.57gを得る。
【0180】m.p. >250℃ 実施例 100〜101 1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒ
ドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレンと対
応含窒素化合物〔III〕とを実施例99(2)と同様
に処理して第9表記載の化合物を得る。
【0181】実施例 102 1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒ
ドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレン1.
8g及び1,4−ジオキサ−8−アザスピロ[4,5]
デカンの混合物を140℃で18時間撹拌する。該混合
物を室温に戻し、反応終了後クロロホルム及び水を加
え、クロロホルム層を分取する。溶媒を留去し、残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶媒;クロロホ
ルム:アセトン=5:1)で精製し、第8表記載の1−
〔2−(1,4−ジオキサ−8−アザスピロ[4,5]
デシ−8−イル)ピリジン−4−イル〕−2,3−ビス
(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレン
1.54g(収率;62%)を得る。
【0182】m.p. 100−103℃ 実施例 103 1−[2−(1,4−ジオキサ−8−アザスピロ[4,
5]デカ−8−イル)ピリジン−4−イル]−2,3−
ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタ
レン1.40gと70%過塩素酸3.62ml、テトラ
ヒドロフラン15ml及び水10mlの混合物を室温に
て3日間撹拌する。反応終了後、クロロホルム及び水を
加え、クロロホルム層を分取する。溶媒を留去し、残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶媒;クロロ
ホルム:アセトン=2:1)で精製後、クロロホルムに
溶解し、4規定塩化水素−ジオキサン溶液を加え溶媒留
去して第9表記載の1−〔2−(4−オキソ−1−ピペ
リジニル)−4−ピリジル〕−2,3−ビス(ヒドロキ
シメチル)−6,7−ジメトキシナフタレン・塩酸塩8
28mgを得る。
【0183】m.p.>250℃ 実施例104 (1)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6−メトキシ−7−エトキ
シナフタレンを実施例6−(1)と同様に処理して1−
(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒドロ
キシメチル)−6−メトキシ−7−エトキシナフタレン
を得る。
【0184】m.p. 123−126℃ (2)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(ヒドロキシメチル)−6−メトキシ−7−エトキシ
ナフタレン16.0gのヒドラジン水和物50ml懸濁
液を4時間加熱還流する。該加熱還流下の混合物を室温
まで戻し、水を加え結晶を濾過する。結晶を水にて洗
浄、乾燥して1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−
2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6−メトキシ−7
−エトキシナフタレン14.5gを得る。
【0185】m.p. 197−200℃ (3)1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−6−メトキシ−7−エト
キシナフタレン2.0g、(2−カルボキシフェニル)
−(3−ピリジル)ケトン1.35g及びエチレングリ
コール5mlの混合物を2時間加熱還流する。該加熱還
流下の混合物を室温まで戻し、塩化メチレン及び水を加
え、塩化メチレン層を分取する。塩化メチレン層を洗
浄、乾燥後溶媒を留去し、クロロホルムにて結晶化す
る。析出物をクロロホルム−メタノール混液にて溶解
し、その後、4規定塩化水素−ジオキサン溶液0.67
mlを加え第10表記載の1−{2−〔4−(3−ピリ
ジル)−1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4−
ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6−
メトキシ−7−エトキシナフタレン・塩酸塩1.43g
を得る。
【0186】m.p. 211−215℃(分解) 実施例105 (1)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6,7−ジエトキシナフタ
レンを実施例6−(1)と同様に処理して1−(2−ク
ロロ−4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒドロキシメチ
ル)−6,7−ジエトキシナフタレンを得る。
【0187】m.p. 148−150℃ (2)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジエトキシナフタレ
ンを実施例104−(2)と同様に処理して1−(2−
ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒドロキ
シメチル)−6,7−ジエトキシナフタレンを得る。
【0188】m.p. 225−230℃(分解) (3)1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジエトキシナフ
タレンを実施例104−(3)と同様に処理して第10
表記載の1−{2−〔4−(3−ピリジル)−1(2
H)−フタラジノン−2−イル〕−4−ピリジル}−
2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジエトキ
シナフタレン・塩酸塩を得る。
【0189】m.p. 207−211℃(分解) 実施例 106〜107 (1)1−(2−ブロモ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレ
ンを実施例104−(2)と同様に処理して1−(2−
ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒドロキ
シメチル)−6,7−ジメトキシナフタレンを得る。
【0190】m.p.214−220℃ (2)1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフ
タレンと対応カルボン酸誘導体〔VII〕を実施例10
4−(3)と同様に処理して第10表記載の化合物を得
る。
【0191】実施例 108 1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3−ビス
(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレン
2.0g、無水フタル酸0.92g及びエチレングリコ
ール10mlの混合物を130℃で2時間加熱撹拌す
る。該加熱下の混合物を室温まで戻し、塩化メチレン及
び水を加え、塩化メチレン層を分取する。塩化メチレン
層を洗浄、乾燥後溶媒を留去し、エタノールにて結晶化
する。このことにより、第10表記載の1−〔2−(4
−ヒドロキシ−1(2H)−フタラジノン−2−イル)
−4−ピリジル〕−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)
−6,7−ジメトキシナフタレン1.68g(収率;6
1%)を得る。
【0192】m.p. >250℃ 実施例 109 1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3−ビス
(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレン
2.0g及び酢酸20mlの混合物を室温で96時間撹
拌する。反応終了後塩化メチレン及び炭酸カリウム水溶
液を加え、塩化メチレン層を分取する。塩化メチレン層
から溶媒を留去し、クロロホルムで結晶化し、第10表
記載の1−〔2−(2−アセチルヒドラジノ)ピリジン
−4−イル〕−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−
6,7−ジメトキシナフタレン0.84gを得る。
【0193】m.p. 154−156℃ 実施例 110〜111 (1)1−(2−ブロモ−4−ピリジル)−2−メトキ
シカルボニル−3−メチル−6,7−ジメトキシナフタ
レンを実施例6−(1)と同様に処理して1−(2−ブ
ロモ−4−ピリジル)−2−ヒドロキシメチル−3−メ
チル−6,7−ジメトキシナフタレンを得る。
【0194】m.p. 106−108℃ (2)本品と対応含窒素化合物〔III〕とを実施例6
−(2)と同様に処理して第11表記載の化合物を得
る。
【0195】実施例 112〜114 (1)1−(2−ブロモ−4−ピリジル)−2−メトキ
シカルボニル−6,7−ジメトキシナフタレンを実施例
6−(1)と同様に処理して1−(2−ブロモ−4−ピ
リジル)−2−ヒドロキシメチル−6,7−ジメトキシ
ナフタレンを得る。
【0196】m.p. 150−153℃ (2)本品と対応含窒素化合物〔III〕とを実施例6
−(2)もしくは実施例7と同様に処理して第11表記
載の化合物を得る。
【0197】実施例 115 (1)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6−ベンジルオキシ−7−
メトキシナフタレンを実施例6−(1)と同様に処理し
て1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビス
(ヒドロキシメチル)−6−ベンジルオキシ−7−メト
キシナフタレンを得る。
【0198】m.p. 215−217℃(分解) (2)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(ヒドロキシメチル)−6−ベンジルオキシ−7−メ
トキシナフタレンを実施例104−(2)と同様に処理
して1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3−
ビス(ヒドロキシメチル)−6−ベンジルオキシ−7−
メトキシナフタレンを得る。
【0199】m.p. 155−157℃ (3)1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−6−ベンジルオキシ−7
−メトキシナフタレンを実施例104−(3)と同様に
処理して第12表記載の1−{2−〔4−(3−ピリジ
ル)−1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4−ピ
リジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6−ベ
ンジルオキシ−7−メトキシナフタレン・塩酸塩を得
る。
【0200】m.p. 219−221℃(分解) 実施例 116 1−{2−〔4−(3−ピリジル)−1(2H)−フタ
ラジノン−2−イル〕−4−ピリジル}−2,3−ビス
(ヒドロキシメチル)−6−ベンジルオキシ−7−メト
キシナフタレン0.73gのジクロロメタン(10m
l)溶液に、氷冷下、無水酢酸0.7ml及びトリエチ
ルアミン1.3mlを滴下して室温にて終夜撹拌する。
ジクロロメタンで希釈し、水洗、乾燥後、溶媒を留去す
る。残渣の酢酸(50ml)溶液に10%パラジウム−
カーボン(Pd−C)0.1gを加え、Parr還元装
置を用いて室温で終夜中圧接触還元する。触媒をろ去
後、ろ液を減圧濃縮し、得られる残渣をメタノール(1
0ml)に溶解する。得られたメタノール溶液に、氷冷
下、ナトリウムメトキシド0.2gを加える。室温で3
時間撹拌後、反応混合物に氷冷下、希塩酸を加え、溶媒
を減圧留去する。残渣に水を加え、ジクロロメタン抽出
する。抽出液を洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、残渣を酢
酸エチルにて結晶化後、4規定塩化水素−酢酸エチル溶
液を加えて、第12表記載の1−{2−〔4−(3−ピ
リジル)−1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4
−ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6
−ヒドロキシ−7−メトキシナフタレン・塩酸塩0.1
5g(収率25%)を得る。
【0201】m.p. >270℃ 実施例 117 (1)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6−ベンジルオキシ−7−
メトキシナフタレン6.6gの酢酸−ジオキサン(1:
1)1000ml混合懸濁液に10%パラジウム−カー
ボン(Pd−C)2gを加え、Parr還元装置を用い
て室温で終夜中圧接触還元する。更に、酢酸−ジオキサ
ン混液(1000ml)加え、10%パラジウム−カー
ボン(Pd−C)2gを加え、同様にParr還元装置
を用いて室温で約18時間中圧接触還元する。触媒をろ
去後、ろ液を減圧濃縮し、得られる残渣をエタノールで
結晶化することにより、1−(2−クロロ−4−ピリジ
ル)−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−6−ヒド
ロキシ−7−メトキシナフタレン3.35g(収率62
%)を得る。
【0202】m.p. 231−233℃(分解) (2)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6−ヒドロキシ−7−メト
キシナフタレン3.34gのジメチルホルムアミド15
0ml溶液に、氷冷下、水素化ナトリウム0.4gを加
え室温で30分間撹拌する。該溶液に臭化シクロペンタ
ン1.8mlを滴下し、80℃で一晩撹拌する。更に1
30℃に昇温し2時間撹拌後、残渣にクロロホルム及び
水を加え、クロロホルム層を分取する。クロロホルム層
を洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、残渣をエタノールで結
晶化することにより、1−(2−クロロ−4−ピリジ
ル)−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−6−シク
ロペンチルオキシ−7−メトキシナフタレン1.24g
(収率32%)を得る。
【0203】m.p. 179−181℃ (3)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6−シクロペンチルオキシ
−7−メトキシナフタレンを実施例6−(1)と同様に
処理して1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−
ビス(ヒドロキシメチル)−6−シクロペンチルオキシ
−7−メトキシナフタレンを得る。
【0204】m.p. 200−201℃ (4)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(ヒドロキシメチル)−6−シクロペンチルオキシ−
7−メトキシナフタレンを実施例104−(2)と同様
に処理して1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−
2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6−シクロペンチ
ルオキシ−7−メトキシナフタレンを得る。
【0205】m.p. 127−130℃ (5)1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−6−シクロペンチルオキ
シ−7−メトキシナフタレンを実施例104−(3)と
同様に処理して第12表記載の1−{2−〔4−(3−
ピリジル)−1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−
4−ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−
6−シクロペンチルオキシ−7−メトキシナフタレン・
塩酸塩を得る。
【0206】m.p. 215−217℃(分解) 実施例 118 (1)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6−イソプロピルオキシ−
7−メトキシナフタレンを実施例6−(1)と同様に処
理して1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(ヒドロキシメチル)−6−イソプロピルオキシ−7
−メトキシナフタレンを得る。
【0207】m.p. 129−131℃ (2)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(ヒドロキシメチル)−6−イソプロピルオキシ−7
−メトキシナフタレンを実施例104−(2)と同様に
処理して1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,
3−ビス(ヒドロキシメチル)−6−イソプロピルオキ
シ−7−メトキシナフタレンを得る。
【0208】m.p. 128−131℃ (3)1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−6−イソプロピルオキシ
−7−メトキシナフタレンを実施例104−(3)と同
様に処理して第12表記載の1−{2−〔4−(3−ピ
リジル)−1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4
−ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6
−イソプロピルオキシ−7−メトキシナフタレン・塩酸
塩を得る。
【0209】m.p. 203−206℃(分解) 実施例 119 (1)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6−ブトキシ−7−メトキ
シナフタレンを実施例6−(1)と同様に処理して1−
(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒドロ
キシメチル)−6−ブトキシ−7−メトキシナフタレン
を得る。
【0210】m.p. 93−97℃ (2)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(ヒドロキシメチル)−6−ブトキシ−7−メトキシ
ナフタレンを実施例104−(2)と同様に処理して1
−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3−ビス
(ヒドロキシメチル)−6−ブトキシ−7−メトキシナ
フタレンを得る。
【0211】m.p. 93−97℃ (3)1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−6−ブトキシ−7−メト
キシナフタレンを実施例104−(3)と同様に処理し
て第12表記載の1−{2−〔4−(3−ピリジル)−
1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4−ピリジ
ル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6−ブトキ
シ−7−メトキシナフタレン・塩酸塩を得る。
【0212】m.p. 198−201℃(分解) 実施例 120 (1)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6−オクチルオキシ−7−
メトキシナフタレンを実施例6−(1)と同様に処理し
て1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビス
(ヒドロキシメチル)−6−オクチルオキシ−7−メト
キシナフタレンを得る。
【0213】m.p. 98−102℃ (2)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(ヒドロキシメチル)−6−オクチルオキシ−7−メ
トキシナフタレンを実施例104−(2)と同様に処理
して1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3−
ビス(ヒドロキシメチル)−6−オクチルオキシ−7−
メトキシナフタレンを得る。
【0214】m.p. 98−102℃ (3)1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−6−オクチルオキシ−7
−メトキシナフタレンを実施例104−(3)と同様に
処理して第12表記載の1−{2−〔4−(3−ピリジ
ル)−1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4−ピ
リジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6−オ
クチルオキシ−7−メトキシナフタレン・塩酸塩を得
る。
【0215】m.p. 190−193℃(分解) 実施例 121 (1)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレ
ンを実施例104−(2)と同様に処理して、1−(2
−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒドロ
キシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレンを得た
後、本品と対応原料化合物〔VII〕とを実施例104
−(3)と同様に処理して、1−{2−〔4−(3−ピ
リジル)−1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4
−ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−
6,7−ジメトキシナフタレンの粗精製物(75.5
g)を得る。当該粗精製物のクロロホルム−メタノール
(3:1)(700ml)溶液を活性炭3.7gにて活
性炭処理後、クロロホルム−メタノール(3:1)(3
00ml)で洗浄する。当該溶液に2規定塩酸69ml
を加えた後、溶媒留去し、エタノール(150ml)に
て2回共沸し、溶媒を留去する。析出物をろ取、エタノ
ール(200ml)にて洗浄後、50℃にて終夜送風乾
燥し、1−{2−〔4−(3−ピリジル)−1(2H)
−フタラジノン−2−イル〕−4−ピリジル}−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフ
タレン・塩酸塩84gを得る。本品のクロロホルム−メ
タノール(3:1)(1000ml)溶液に炭酸カリウ
ム水溶液(水300ml中炭酸カリウム23g)を加え
て洗浄し、有機層を乾燥後、溶媒を結晶物が析出しない
程度留去する。エタノール300ml加え、更にクロロ
ホルム及びメタノールを留去する。再度、エタノール
(300ml)を加え、溶媒を一部留去する。析出物を
ろ取しエタノール(300ml)で洗浄、50℃で終夜
送風乾燥し、第12表記載の1−{2−〔4−(3−ピ
リジル)−1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4
−ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−
6,7−ジメトキシナフタレン66.6g(収率85
%)を得る。
【0216】m.p. 269−270℃ (2)1−{2−〔4−(3−ピリジル)−1(2H)
−フタラジノン−2−イル〕−4−ピリジル}−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフ
タレン・硫酸塩 m.p. >260℃ 実施例 122 (1)1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジエトキシナフ
タレンと対応原料化合物〔VII〕とを実施例104−
(3)と同様に処理して、1−{2−〔4−(3−ピリ
ジル)−1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4−
ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,
7−ジエトキシナフタレンの粗生成物(6.5g)を得
る。本品に室温下、エタノール−水(33ml−13m
l)混液を加え懸濁化する。当該懸濁液に35%塩酸
(2.2ml)を滴下し溶解後、50〜55℃に昇温
し、活性炭(1.3g)にて処理後、活性炭をろ別し、
エタノール−水(13ml−7ml)で洗浄する。当該
溶液を45〜50℃まで加温し、水酸化ナトリウム水溶
液(水13ml中水酸化ナトリウム1g)を滴下し55
〜60℃で3時間撹拌後、無水物を接種する。室温にて
終夜撹拌した後氷冷し、析出物をろ取、50%エタノー
ル(13ml)で洗浄、50℃にて終夜送風乾燥するこ
とにより、第12表記載の1−{2−〔4−(3−ピリ
ジル)−1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4−
ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,
7−ジエトキシナフタレン5.6g(収率86%)を得
る。
【0217】m.p. 222℃ (2)1−{2−〔4−(3−ピリジル)−1(2H)
−フタラジノン−2−イル〕−4−ピリジル}−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジエトキシナフ
タレン・硫酸塩 m.p. >220℃ (3)1−{2−〔4−(3−ピリジル)−1(2H)
−フタラジノン−2−イル〕−4−ピリジル}−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジエトキシナフ
タレン・メタンスルホン酸塩 m.p. 160−163℃(分解) 実施例 123 1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−2,3−ビス
(ヒドロキシメチル)−6,7−ジエトキシナフタレン
を実施例104−(3)と同様に処理して、1−{2−
〔4−(3−ピリジル)−1(2H)−フタラジノン−
2−イル〕−4−ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロキ
シメチル)−6,7−ジエトキシナフタレンの粗精製物
(7.0g)を得た後、エタノール−水(35ml−1
4ml)混液を加え、室温下懸濁化する。当該懸濁液に
35%塩酸(2.3ml)を滴下し溶解後、50〜55
℃に昇温し、活性炭(1.4g)にて活性炭処理後、エ
タノール−水(14ml−7ml)で洗浄する。当該溶
液を35℃まで加温し、水酸化ナトリウム水溶液(水1
4ml中水酸化ナトリウム1.1g)を滴下し、二水和
物を接種する。氷冷下1時間撹拌した後、析出物をろ
取、50%エタノール(14ml)で洗浄、50℃にて
終夜送風乾燥することにより、第12表記載の1−{2
−〔4−(3−ピリジル)−1(2H)−フタラジノン
−2−イル〕−4−ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロ
キシメチル)−6,7−ジエトキシナフタレン・二水和
物6.4g(収率86%)を得る。
【0218】m.p. 141℃(141℃で融解し、
昇温することにより無水物化し結晶析出。222−22
3℃で再度融解) 実施例 124 (1)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−3−メトキ
シカルボニル−6,7−ジメトキシナフタレンを実施例
6−(1)と同様に処理して1−(2−クロロ−4−ピ
リジル)−3−ヒドロキシメチル−6,7−ジメトキシ
ナフタレンを得る。
【0219】m.p. 115−118℃ (2)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−3−ヒドロ
キシメチル−6,7−ジメトキシナフタレンを実施例1
04−(2)と同様に処理して1−(2−ヒドラジノ−
4−ピリジル)−3−ヒドロキシメチル−6,7−ジメ
トキシナフタレンを得る。
【0220】m.p. 139−144℃ (3)1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−3−ヒ
ドロキシメチル−6,7−ジメトキシナフタレンを実施
例104−(3)と同様に処理して第13表記載の1−
{2−〔4−(3−ピリジル)−1(2H)−フタラジ
ノン−2−イル〕−4−ピリジル}−3−ヒドロキシメ
チル−6,7−ジメトキシナフタレン・塩酸塩を得る。
【0221】m.p. >250℃ 実施例125 (1)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−3−カルボ
キシ−6,7−ジエトキシナフタレンのテトラヒドロフ
ラン50ml懸濁液に窒素雰囲気下、5℃以下で水素化
ビス(メトキシエトキシ)アルミニウムナトリウム2
9.4ml(70%トルエン溶液)とテトラヒドロフラ
ン20ml混合溶液を滴下し、同温で1時間反応する。
反応終了後、メタノール12mlを加え、次いで6.2
5規定水酸化ナトリウム水溶液48mlを加え、50℃
で1時間撹拌した。テトラヒドロフラン層を分取した
後、水層に塩化メチレンを加え、抽出した後、塩化メチ
レン層を分取する。有機層を合わせた後、溶媒を留去
し、再び塩化メチレンで抽出し、洗浄、乾燥後溶媒を留
去し、残査をシリカゲルクロマトグラフィー(溶媒;ク
ロロホルム:酢酸エチル=4:1)で精製後、ジエチル
エーテルで結晶化し、1−(2−クロロ−4−ピリジ
ル)−3−ヒドロキシメチル−6,7−ジエトキシナフ
タレン3.94gを得る。
【0222】m.p. 135−137℃ (2)1−(2−クロロ−4−ピリジル)−3−ヒドロ
キシメチル−6,7−ジエトキシナフタレン3.90g
のヒドラジン水和物17.8ml懸濁液を9時間加熱還
流する。該加熱還流下の混合物を室温で10分間撹拌
し、氷冷下で10分間撹拌し、塩化メチレン及び水を加
え、塩化メチレン層を分取する。塩化メチレン層を洗
浄、乾燥後溶媒を留去し、残査をエタノール20mlに
加温溶解後、一夜放冷撹拌して1−(2−ヒドラジノ−
4−ピリジル)−3−ヒドロキシメチル−6,7−ジエ
トキシナフタレン3.19gを得る。
【0223】m.p. 147−149℃ (3)1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−3−ヒ
ドロキシメチル−6,7−ジエトキシナフタレン1.0
6gを実施例104−(3)と同様に処理して、第14
表記載の1−{2−〔4−(3−ピリジル)−1(2
H)−フタラジノン−2−イル〕−4−ピリジル}−3
−ヒドロキシメチル−6,7−ジエトキシナフタレン・
塩酸塩1.45gを得る。
【0224】m.p. 197−201℃(分解) 実施例126 1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−3−ヒドロキ
シメチル−6,7−ジエトキシナフタレン177mg、
1−カルボキシ−2−フェニルカルボニルベンゼン19
1mg及びエチレングリコール1mlを用いて、実施例
104−(3)と同様の操作により、第14表記載の1
−〔2−(4−フェニル−1(2H)−フタラジノン−
2−イル)−4−ピリジル〕−3−ヒドロキシメチル−
6,7−ジエトキシナフタレン206mgを得る。
【0225】m.p. 203−204℃ 実施例127 1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−3−ヒドロキ
シメチル−6,7−ジエトキシナフタレン177mg、
1−カルボキシ−2−(4−クロロフェニルカルボニ
ル)ベンゼン137mg及びエチレングリコール1ml
を用いて、実施例104−(3)と同様の操作により、
第14表記載の1−{2−〔4−(4−クロロフェニ
ル)−1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4−ピ
リジル}−3−ヒドロキシメチル−6,7−ジエトキシ
ナフタレン247mgを得る。
【0226】m.p. 223−225℃ 実施例128 1−(2−ヒドラジノ−4−ピリジル)−3−ヒドロキ
シメチル−6,7−ジエトキシナフタレン177mg、
1−カルボキシ−2−メチルカルボニルベンゼン86m
g及びエチレングリコール1mlを用いて、実施例10
4−(3)と同様の操作により、第14表記載の1−
〔2−(4−メチル−1(2H)−フタラジノン−2−
イル)−4−ピリジル〕−3−ヒドロキシメチル−6,
7−ジエトキシナフタレン211mgを得る。
【0227】m.p. 220−221℃ 参考例 1 (1)3,4−ジメトキシベンズアルデヒド398.8
gを酢酸1.8リットルに溶解し室温で臭素136ml
を4時間かけて滴下する。終夜撹拌した後再び臭素60
mlをゆっくり滴下し終夜撹拌する。反応液を水7リッ
トルに加え、析出晶をろ取し、水洗して得られた結晶を
クロロホルム2リットルに溶解する。該クロロホルム溶
液を洗浄、乾燥後濃縮し、ジイソプロピルエーテルで結
晶化して6−ブロモ−3,4−ジメトキシベンズアルデ
ヒド470gを無色結晶として得る。
【0228】m.p. 144−146℃ (2)6−ブロモ−3,4−ジメトキシベンズアルデヒ
ド470gをメタノール600mlに懸濁させ、オルト
ギ酸メチル1025mlとIRA−120(H+型)1
0gを加え1時間加熱還流する。室温に戻し不溶物をろ
別してろ液を減圧濃縮し、得られた残渣をエーテルに溶
解する。洗浄、乾燥し、エーテルを留去後減圧蒸留して
主留(133−138℃/1Torr)として6−ブロ
モ−3,4−ジメトキシベンズアルデヒドジメチルアセ
タール522gを得る。
【0229】参考例 2 3,4−ジエトキシベンズアルデヒドを参考例1と同様
に処理して6−ブロモ−3,4−ジエトキシベンズアル
デヒドジメチルアセタールを得る。
【0230】b.p. 145−150℃/1Torr 参考例 3 3−メトキシ−4−エトキシベンズアルデヒドを参考例
1と同様に処理して6−ブロモ−3ーメトキシ−4−エ
トキシベンズアルデヒドジメチルアセタールを得る。
【0231】b.p.160−162℃/2Torr 参考例 4 ベンズアルデヒドを参考例1と同様に処理して2−ブロ
モベンズアルデヒドジメチルアセタールを得る。
【0232】b.p.90−100℃/1Torr 参考例 5 3−エトキシ−4−メトキシベンズアルデヒドを参考例
1と同様に処理して6−ブロモ−3−エトキシ−4−メ
トキシベンズアルデヒドジメチルアセタールを得る。
【0233】b.p.170−175℃/3Torr 参考例 6 6−ブロモ−3,4−ジメトキシベンズアルデヒドジメ
チルアセタール20gのテトラヒドロフラン100ml
溶液を−60℃に冷却し窒素雰囲気下でn−ブチルリチ
ウムのヘキサン溶液(1.6M)45.1mlを20分
間で滴下する。同温で30分間反応させた後4−ホルミ
ルピリジン7.36gのテトラヒドロフラン50ml溶
液を20分間で滴下する。1時間反応させた後反応液に
水、酢酸エチル200mlを加えて酢酸エチル層を分取
し、洗浄、乾燥後、酢酸エチルを留去して3,4−ジメ
トキシ−6−(4−ピリジル)ヒドロキシメチルベンズ
アルデヒドジメチルアセタール15.4gを得る。
【0234】m.p. 130−133℃ 参考例 7 6−ブロモ−3,4−ジエトキシベンズアルデヒドジメ
チルアセタールを参考例6と同様に処理して3,4−ジ
エトキシ−6−(4−ピリジル)ヒドロキシメチルベン
ズアルデヒドジメチルアセタールを得る。
【0235】m.p. 108−109℃ 参考例 8 6−ブロモ−3−メトキシ−4−エトキシベンズアルデ
ヒドジメチルアセタールを参考例6と同様に処理して3
−メトキシ−4−エトキシ−6−(4−ピリジル)ヒド
ロキシメチルベンズアルデヒドジメチルアセタールを得
る。
【0236】m.p.125−127℃ 参考例 9 2−ブロモベンズアルデヒドジメチルアセタールを参考
例6と同様に処理して6−(4−ピリジル)ヒドロキシ
メチルベンズアルデヒドジメチルアセタールを得る。
【0237】m.p.115−116℃ 参考例 10 6−ブロモ−3−エトキシ−4−メトキシベンズアルデ
ヒドジメチルアセタールを参考例6と同様に処理して3
−エトキシ−4−メトキシ−6−(4−ピリジル)ヒド
ロキシメチルベンズアルデヒドジメチルアセタールを得
る。
【0238】m.p.114−115℃ 参考例 11 6−ブロモ−3,4−ジメトキシベンズアルデヒドジメ
チルアセタールと2−ブロモ−4−ホルミルピリジンを
参考例6と同様に処理して3,4−ジメトキシ−6−
(2−ブロモ−4−ピリジル)ヒドロキシメチルベンズ
アルデヒドジメチルアセタールを油状物として得る。
【0239】参考例 12 6−ブロモ−3,4−ジメトキシベンズアルデヒドジメ
チルアセタールと2−ホルミルピリジンを参考例6と同
様に処理して3,4−ジメトキシ−6−(2−ピリジ
ル)ヒドロキシメチルベンズアルデヒドジメチルアセタ
ールを油状物として得る。
【0240】参考例 13 6−ブロモ−3,4−ジメトキシベンズアルデヒドジメ
チルアセタールと3−ホルミルピリジンを参考例6と同
様に処理して3,4−ジメトキシ−6−(3−ピリジ
ル)ヒドロキシメチルベンズアルデヒドジメチルアセタ
ールを油状物として得る。
【0241】参考例 14 3,4−ジメトキシ−6−(4−ピリジル)ヒドロキシ
メチルベンズアルデヒドジメチルアセタール18.4g
の酢酸50ml−トルエン50ml溶液にマレイン酸ジ
メチル8.64mlを加え1時間加熱還流する。メタン
スルホン酸9.33mlを加えディーン・スターク装置
を用いて生成する水を除去しながら8時間加熱還流す
る。室温にもどし反応液を濃縮し、得られた残渣をクロ
ロホルムに溶解し、炭酸カリウム水溶液を加えてpH8
に調整する。該溶液をクロロホルム抽出し、洗浄、乾燥
後濃縮して得られた残渣をエーテルから結晶化して1−
(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボニ
ル)−6,7−ジメトキシナフタレン13.5gを得
る。
【0242】m.p. 204−206℃ 参考例 15 3,4−ジエトキシ−6−(4−ピリジル)ヒドロキシ
メチルベンズアルデヒドジメチルアセタールを参考例1
4と同様に処理して1−(4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6,7−ジエトキシナフタ
レンを得る。
【0243】m.p. 149−150℃ 参考例 16 3−メトキシ−4−エトキシ−6−(4−ピリジル)ヒ
ドロキシメチルベンズアルデヒドジメチルアセタールを
参考例14と同様に処理して1−(4−ピリジル)−
2,3−ビス(メトキシカルボニル)−6−メトキシ−
7−エトキシナフタレンを得る。
【0244】m.p.195−197℃ 参考例 17 6−(4−ピリジル)ヒドロキシメチルベンズアルデヒ
ドジメチルアセタールを参考例14と同様に処理して1
−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボニ
ル)ナフタレンを得る。
【0245】m.p.197−198℃ 参考例 18 3−エトキシ−4−メトキシ−6−(4−ピリジル)ヒ
ドロキシメチルベンズアルデヒドジメチルアセタールを
参考例14と同様に処理して1−(4−ピリジル)−
2,3−ビス(メトキシカルボニル)−6−エトキシ−
7−メトキシナフタレンを得る。
【0246】m.p.188−189℃ 参考例 19 3,4−ジメトキシ−6−(2−ピリジル)ヒドロキシ
メチルベンズアルデヒドジメチルアセタールを参考例1
4と同様に処理して1−(2−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタ
レンを得る。
【0247】m.p. 163−165℃ 参考例 20 3,4−ジメトキシ−6−(3−ピリジル)ヒドロキシ
メチルベンズアルデヒドジメチルアセタールを参考例1
4と同様に処理して1−(3−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタ
レンを得る。
【0248】m.p. 95−96℃ 参考例 21 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6,7−ジメトキシナフタレン5gの塩化メチ
レン溶液300mlに氷冷下メタクロロ過安息香酸8.
1gを加え、室温に戻し終夜撹拌する。反応液を洗浄、
乾燥後濃縮して1−(4−ピリジル)−2,3−ビス
(メトキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタレ
ンのN−オキシド15.0gを結晶として得る。
【0249】m.p. 237−239℃ 参考例 22 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6,7−ジエトキシナフタレンを参考例21と
同様に処理して1−(4−ピリジル)−2,3−ビス
(メトキシカルボニル)−6,7−ジエトキシナフタレ
ンのN−オキシドを得る。
【0250】m.p. 177−178℃ 参考例 23 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−メトキシ−7−エトキシナフタレンを参考
例21と同様に処理して1−(4−ピリジル)−2,3
−ビス(メトキシカルボニル)−6−メトキシ−7−エ
トキシナフタレンのN−オキシドを得る。
【0251】m.p.>220℃ 参考例 24 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)ナフタレンを参考例21と同様に処理して1−
(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボニ
ル)ナフタレンのN−オキシドを得る。
【0252】m.p.215−218℃ 参考例 25 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−エトキシ−7−メトキシナフタレンを参考
例21と同様に処理して1−(4−ピリジル)−2,3
−ビス(メトキシカルボニル)−6−エトキシ−7−メ
トキシナフタレンのN−オキシドを得る。
【0253】m.p.230−231℃ 参考例 26 1−(2−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6,7−ジメトキシナフタレンを参考例21と
同様に処理して1−(2−ピリジル)−2,3−ビス
(メトキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタレ
ンのN−オキシドを得る。
【0254】m.p.173−175℃ 参考例 27 1−(3−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6,7−ジメトキシナフタレンを参考例21と
同様に処理して1−(3−ピリジル)−2,3−ビス
(メトキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタレ
ンのN−オキシドを得る。
【0255】m.p.185−186℃(分解) 参考例 28 テトラヒドロフラン25mlに水素化ビス(メトキシエ
トキシ)アルミニウムナトリウムのトルエン溶液(3.
4M)18.0mlを加え、−10℃に冷却する。そこ
へ1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカル
ボニル)−6,7−ジエトキシナフタレン10.0gの
テトラヒドロフラン懸濁液25mlを15分間で滴下す
る。反応液を昇温し、氷冷下で1.5時間撹拌した後、
15%水酸化ナトリウム水溶液3.7mlを加える。反
応混合物に水及び塩化メチレンを加え、不溶物をろ去す
る。ろ液を塩化メチレン抽出し、抽出液を洗浄、乾燥
後、濃縮して1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒ
ドロキシメチル)−6,7−ジエトキシナフタレン7.
89gを得る。
【0256】m.p. 159−161℃ 参考例 29 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6,7−ジメトキシナフタレンを参考例28と
同様に処理して1−(4−ピリジル)−2,3−ビス
(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレン
を得る。
【0257】m.p.135−138℃ 参考例 30 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒドロキシメチ
ル)−6,7−ジエトキシナフタレン20.0gを塩化
メチレン200mlに溶解し、氷冷下に無水酢酸46.
6g及びトリエチルアミン57.4gを滴下して室温で
終夜撹拌する。塩化メチレンで希釈後水洗し、乾燥後濃
縮して残渣を酢酸エチル−ヘキサン混液より再結晶して
1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(アセトキシメチ
ル)−6,7−ジエトキシナフタレン22.4gを得
る。
【0258】m.p. 115−116℃ 参考例 31 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(ヒドロキシメチ
ル)−6,7−ジメトキシナフタレンを参考例30と同
様に処理して1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(ア
セトキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレンを得
る。
【0259】m.p.165−167℃ 参考例 32 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(アセトキシメチ
ル)−6,7−ジエトキシナフタレン22.4gの塩化
メチレン100ml溶液に室温でメタクロロ過安息香酸
19.0gを加え終夜撹拌する。反応液を洗浄、乾燥後
濃縮し、残渣をエーテルより結晶化して1−(4−ピリ
ジル)−2,3−ビス(アセトキシメチル)−6,7−
ジエトキシナフタレンのN−オキシド20.8gを得
る。
【0260】m.p. 158−159℃ 参考例 33 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(アセトキシメチ
ル)−6,7−ジメトキシナフタレンを参考例32と同
様に処理して1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(ア
セトキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレンのN
−オキシドを得る。
【0261】m.p.182−185℃ 参考例 34 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6,7−ジメトキシナフタレンのN−オキシド
30g及びオキシ塩化リン150mlの混合物を2時間
加熱還流する。オキシ塩化リンを留去し、塩化メチレン
及び炭酸カリウム水溶液を加え、塩化メチレン層を分取
する。溶媒留去後メタノールで結晶化して1−(2−ク
ロロ−4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6,7−ジメトキシナフタレン26gを得る。
【0262】m.p.201−203℃ 参考例 35 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−メトキシ−7−エトキシナフタレンのN−
オキシドを参考例34と同様に処理し1−(2−クロロ
−4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボニ
ル)−6−メトキシ−7−エトキシナフタレンを得る。
【0263】m.p.196−198℃ 参考例 36 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)ナフタレンのN−オキシドを参考例34と同様に
処理し1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)ナフタレンを得る。
【0264】m.p.174−178℃ 参考例 37 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−エトキシ−7−メトキシナフタレンのN−
オキシドを参考例34と同様に処理し1−(2−クロロ
−4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボニ
ル)−6−エトキシ−7−メトキシナフタレンを得る。
【0265】m.p.205−208℃ 参考例 38 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6,7−ジエトキシナフタレンのN−オキシド
を参考例34と同様に処理し1−(2−クロロ−4−ピ
リジル)−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−6,
7−ジエトキシナフタレンを得る。
【0266】m.p.154−156℃ 参考例 39 1−(2−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6,7−ジメトキシナフタレンのN−オキシド
を参考例34と同様に処理し1−(2−クロロ−6−ピ
リジル)−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−6,
7−ジメトキシナフタレン及び1−(4−クロロ−2−
ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−
6,7−ジメトキシナフタレンの混合物を得る。
【0267】MS;415(M+) 参考例 40 1−(3−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6,7−ジメトキシナフタレンのN−オキシド
を参考例34と同様に処理し1−(2−クロロ−5−ピ
リジル)−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−6,
7−ジメトキシナフタレン及び1−(2−クロロ−3−
ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−
6,7−ジメトキシナフタレンの混合物を得る。
【0268】MS;415(M+) 参考例 41 1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビス(メ
トキシカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタレン2
2.7g、三臭化リン52ml及び1,1,2,2−テ
トラクロロエタン100mlの混合物を100℃で10
時間撹拌する。反応後溶媒を留去し、塩化メチレン及び
炭酸カリウム水溶液を加え、塩化メチレン層を分取す
る。溶媒留去後メタノールで結晶化して1−(2−ブロ
モ−4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボニ
ル)−6,7−ジメトキシナフタレン17.1gを得
る。
【0269】m.p.192−194℃ 参考例 42 1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビス(メ
トキシカルボニル)ナフタレンを参考例41と同様に処
理して1−(2−ブロモ−4−ピリジル)−2,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)ナフタレンを得る。
【0270】m.p.162−163℃ 参考例 43 1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビス(メ
トキシカルボニル)−6−エトキシ−7−メトキシナフ
タレンを参考例41と同様に処理して1−(2−ブロモ
−4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボニ
ル)−6−エトキシ−7−メトキシナフタレンを得る。
【0271】m.p.203−204℃ 参考例 44 参考例39で得た混合物を参考例41と同様に処理し、
さらにシリカゲル精製して、1−(2−ブロモ−6−ピ
リジル)−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−6,
7−ジメトキシナフタレンを得る。
【0272】m.p.199−200℃ 参考例 45 参考例40で得た混合物を参考例41と同様に処理し、
さらにシリカゲル精製して、1−(2−ブロモ−5−ピ
リジル)−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−6,
7−ジメトキシナフタレンを得る。
【0273】m.p.182−184℃ 参考例 46 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6,7−ジメトキシナフタレンのN−オキシド
106.4gの1,2−ジクロロエタン500ml懸濁
液にオキシ臭化リン100gを加え、5時間加熱還流す
る。反応終了後溶媒等を留去し、酢酸エチルを加える。
該酢酸エチル溶液を氷水に加え、析出晶をろ取して1−
(2−ブロモ−4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキ
シカルボニル)−6,7−ジメトキシナフタレン38.
9gを得る。
【0274】m.p. 192−194℃ 参考例 47 3,4−ジメトキシ−6−(4−ピリジル)ヒドロキシ
メチルベンズアルデヒドジメチルアセタールとクロトン
酸メチルを参考例14と同様に処理して1−(4−ピリ
ジル)−2−メトキシカルボニル−3−メチル−6,7
−ジメトキシナフタレンを得る。
【0275】m.p. 152−154℃ 参考例 48 3,4−ジメトキシ−6−(4−ピリジル)ヒドロキシ
メチルベンズアルデヒドジメチルアセタールとアクリル
酸メチルを参考例14と同様に処理して1−(4−ピリ
ジル)−2−メトキシカルボニル−6,7−ジメトキシ
ナフタレンを得る。
【0276】m.p. 152−154℃ 参考例 49 1−(4−ピリジル)−2−メトキシカルボニル−3−
メチル−6,7−ジメトキシナフタレンを参考例21と
同様に処理して1−(4−ピリジル)−2−メトキシカ
ルボニル−3−メチル−6,7−ジメトキシナフタレン
のN−オキシドを得る。
【0277】m.p. 230−232℃ 参考例 50 1−(4−ピリジル)−2−メトキシカルボニル−6,
7−ジメトキシナフタレンを参考例21と同様に処理し
て1−(4−ピリジル)−2−メトキシカルボニル−
6,7−ジメトキシナフタレンのN−オキシドを得る。
【0278】m.p. 222−224℃ 参考例 51 1−(4−ピリジル)−2−メトキシカルボニル−3−
メチル−6,7−ジメトキシナフタレンのN−オキシド
を参考例34と同様に処理して1−(2−クロロ−4−
ピリジル)−2−メトキシカルボニル−3−メチル−
6,7−ジメトキシナフタレンを得る。
【0279】m.p.133−136℃ 参考例 52 1−(4−ピリジル)−2−メトキシカルボニル−6,
7−ジメトキシナフタレンのN−オキシドを参考例34
と同様に処理し1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2
−メトキシカルボニル−6,7−ジメトキシナフタレン
を得る。
【0280】m.p.142−145℃ 参考例 53 1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2−メトキシカル
ボニル−3−メチル−6,7−ジメトキシナフタレンを
参考例41と同様に処理して1−(2−ブロモ−4−ピ
リジル)−2−メトキシカルボニル−3−メチル−6,
7−ジメトキシナフタレンを得る。
【0281】m.p.148−150℃ 参考例 54 1−(2−クロロ−4−ピリジル)−2−メトキシカル
ボニル−6,7−ジメトキシナフタレンを参考例41と
同様に処理して1−(2−ブロモ−4−ピリジル)−2
−メトキシカルボニル−6,7−ジメトキシナフタレン
を得る。
【0282】m.p.146−148℃ 参考例 55 イソバニリン200gのジメチルホルムアミド500m
l溶液に、氷冷下、炭酸カリウム236gを加えた後、
臭化ベンジル203mlを滴下し、終夜撹拌する。反応
残渣の不溶物を濾過し、アセトンにて洗浄、溶媒を留去
し、残渣にエーテル及び水を加えて、再度洗浄、溶媒を
留去することにより、3−ベンジルオキシ−4−メトキ
シベンズアルデヒド(油状物質)を得る。
【0283】参考例 56 (1)3−ベンジルオキシ−4−メトキシベンズアルデ
ヒドを酢酸−酢酸ナトリウム共存下、参考例1−(1)
と同様に処理して、6−ブロモ−3−ベンジルオキシ−
4−メトキシベンズアルデヒド得る。
【0284】m.p.140−141℃ (2)6−ブロモ−3−ベンジルオキシ−4−メトキシ
ベンズアルデヒドを参考例1−(2)と同様に処理し
て、6−ブロモ−3−ベンジルオキシ−4−メトキシベ
ンズアルデヒドジメチルアセタール(油状物質)を得
る。
【0285】参考例 57 6−ブロモ−3−ベンジルオキシ−4−メトキシベンズ
アルデヒドジメチルアセタールを参考例6と同様に処理
して、3−ベンジルオキシ−4−メトキシ−6−(4−
ピリジル)ヒドロキシメチルベンズアルデヒドジメチル
アセタール(油状物質)を得る。
【0286】参考例 58 3−ベンジルオキシ−4−メトキシ−6−(4−ピリジ
ル)ヒドロキシメチルベンズアルデヒドジメチルアセタ
ールを3日間室温下、参考例14と同様に処理して、1
−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボニ
ル)−6−ベンジルオキシ−7−メトキシナフタレンを
得る。
【0287】m.p. 240−242℃(分解) 参考例 59 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−ベンジルオキシ−7−メトキシナフタレン
を参考例21と同様に処理して、1−(4−ピリジル)
−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−6−ベンジル
オキシ−7−メトキシナフタレンのN−オキシドを得
る。
【0288】m.p. 254−257℃(分解) 参考例 60 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−ベンジルオキシ−7−メトキシナフタレン
のN−オキシドを参考例34と同様に処理して、1−
(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキ
シカルボニル)−6−ベンジルオキシ−7−メトキシナ
フタレンを得る。
【0289】m.p.260−261℃(分解) 参考例 61 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−ベンジルオキシ−7−メトキシナフタレン
を実施例117−(1)と同様に処理して、1−(4−
ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−6
−ヒドロキシ−7−メトキシナフタレンを得る。
【0290】m.p.225−230℃(分解) 参考例 62 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−ヒドロキシ−7−メトキシナフタレンとヨ
ウ化イソプロピルを実施例117−(2)と同様に処理
して、1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシ
カルボニル)−6−イソプロピルオキシ−7−メトキシ
ナフタレンを得る。
【0291】m.p.210−212℃ 参考例 63 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−ヒドロキシ−7−メトキシナフタレンとヨ
ウ化ブチルを実施例117−(2)と同様に処理して、
1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−ブトキシ−7−メトキシナフタレンを得
る。
【0292】m.p.149−151℃ 参考例 64 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−ヒドロキシ−7−メトキシナフタレンと臭
化オクチルを実施例117−(2)と同様に処理して、
1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−オクチルオキシ−7−メトキシナフタレン
を得る。
【0293】m.p.124−126℃ 参考例 65 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−イソプロピルオキシ−7−メトキシナフタ
レンを参考例21と同様に処理して、1−(4−ピリジ
ル)−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−6−イソ
プロピルオキシ−7−メトキシナフタレンのN−オキシ
ドを得る。
【0294】m.p.195−200℃(分解) 参考例 66 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−ブトキシ−7−メトキシナフタレンを参考
例21と同様に処理して、1−(4−ピリジル)−2,
3−ビス(メトキシカルボニル)−6−ブトキシ−7−
メトキシナフタレンのN−オキシドを得る。
【0295】m.p.170−173℃ 参考例 67 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−オクチルオキシ−7−メトキシナフタレン
を参考例21と同様に処理して、1−(4−ピリジル)
−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−6−オクチル
オキシ−7−メトキシナフタレンのN−オキシドを得
る。
【0296】m.p.143−146℃ 参考例 68 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−イソプロピルオキシ−7−メトキシナフタ
レンのN−オキシドを参考例34と同様に処理して、1
−(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビス(メト
キシカルボニル)−6−イソプロピルオキシ−7−メト
キシナフタレン得る。
【0297】m.p.195−200℃(分解) 参考例 69 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−ブトキシ−7−メトキシナフタレンのN−
オキシドを参考例34と同様に処理して、1−(2−ク
ロロ−4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−ブトキシ−7−メトキシナフタレン得る。
【0298】m.p.143−147℃ 参考例 70 1−(4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキシカルボ
ニル)−6−オクチルオキシ−7−メトキシナフタレン
のN−オキシドを参考例34と同様に処理して、1−
(2−クロロ−4−ピリジル)−2,3−ビス(メトキ
シカルボニル)−6−オクチルオキシ−7−メトキシナ
フタレン得る。
【0299】m.p.93−97℃ 参考例 71 4−カルボキシ−2−クロロピリジン78.7gを窒素
雰囲気下、水素化ホウ素ナトリウム28.4gのテトラ
ヒドロフラン750mlの懸濁液に徐々に加え、次いで
三フッ化ホウ素・ジエチルエーテル錯塩123mlを滴
下した後、室温で6時間反応する。反応終了液に、6規
定塩酸960mlを滴下し、有機溶媒を留去後、水酸化
ナトリウムでアルカリ性にし、クロロホルムで抽出し
た。クロロホルム層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で
洗浄し、乾燥後溶媒を留去し、2−クロロ−4−ヒドロ
キシメチルピリジン62.2gを得る。
【0300】m.p. 63−65℃ 参考例 72 (1)オキザリルクロライド42.2mlの塩化メチレ
ン溶液(1100ml)に−60℃〜−50℃でジメチ
ルスルフォキサイド68.7mlの塩化メチレン溶液
(220ml)を滴下し、同温で2−クロロ−4−ヒド
ロキシメチルピリジン63.2gの塩化メチレン溶液4
40mlを滴下した後、15分間撹拌する。次いで、同
温でトリエチルアミン306.6mlを滴下し、5分間
撹拌後、室温にする。反応終了液に、水2.2lを加
え、塩化メチレン層を分取し、水層を再び塩化メチレン
2.2lで抽出し、先の塩化メチレン層と合す。合わせ
た塩化メチレン層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗
浄し、乾燥後溶媒を留去し、2−クロロピリジン−4−
カルバルデヒドを得る。
【0301】(2)2−クロロピリジン−4−カルバル
デヒドのジメチルホルムアミド溶液(150ml)をシ
アン化ナトリウム5.2gのジメチルホルムアミド懸濁
液200mlに5分間で滴下し、5分間撹拌後、アクリ
ル酸tert−ブチルエステル61.4mlのジメチル
ホルムアミド溶液(350ml)を10分間で滴下し、
一夜撹拌する。反応終了液に、酢酸エチルと水を加え、
酢酸エチル層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄
し、乾燥後溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグ
ラフィー(溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=4:1)で精
製後、4−(2−クロロピリジン−4−イル)−4−オ
キソ−ブチル酸tert−ブチルエステル(油状物質)
82.8gを得る。
【0302】参考例 73 4−(2−クロロピリジン−4−イル)−4−オキソ−
ブチル酸tert−ブチルエステル82.8gに氷冷
下、トリフルオロ酢酸118mlを加え、15分間撹拌
した後、室温で1時間反応する。更に、トリフルオロ酢
酸24mlを加え、室温で2時間反応する。トリフルオ
ロ酢酸を留去し、トルエンでトリフルオロ酢酸を共沸し
た後、ジエチルエーテルで結晶化し、4−(2−クロロ
ピリジン−4−イル)−4−オキソ−ブチル酸53.8
gを得る。
【0303】m.p. 118−120℃ 参考例 74 4−(2−クロロピリジン−4−イル)−4−オキソ−
ブチル酸2.14g、3,4−ジメトキシベンズアルデ
ヒド1.66g、酢酸ナトリウム0.82g及び無水酢
酸5.66mlの混合物を80℃で2時間撹拌する。酢
酸及び濃塩酸50mlを滴下し、2時間加熱還流する。
反応液をエーテルで洗浄、水酸化ナトリウムでpH=4
に調整し、乾燥後、溶媒を留去し、残渣を有機溶媒(ク
ロロホルム:メタノール=9:1)で抽出し、1−(2
−クロロ−4−ピリジル)−3−カルボキシ−6,7−
ジメトキシナフタレン(収率;67%)を得る。
【0304】m.p.>250℃ 参考例 75 1−(2−クロロ−4−ピリジル)−3−カルボキシ−
6,7−ジメトキシナフタレン2.3gのテトラヒドロ
フラン(THF)(60ml)溶液に、−10℃にて水
素化ビス(メトキシエトキシ)アルミニウムナトリウム
2.36ml(70%トルエン溶液)のTHF溶液を滴
下し、室温にて1時間撹拌する。更に水素化ビス(メト
キシエトキシ)アルミニウムナトリウム1.57ml
(70%トルエン溶液)のTHF溶液(5ml)を滴下
し、更に40℃で1時間加熱撹拌する。反応液にメタノ
ールを加えた後、水酸化ナトリウム水溶液(水20ml
中水酸化ナトリウム1.6g)を加え、50℃にて30
分間撹拌する。
【0305】反応残渣を酢酸エチル抽出し、更にジクロ
ロメタン抽出する。有機層を水洗、乾燥後、溶媒を留去
し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶
媒;クロロホルム:アセトン=19:1)で処理し、エ
ーテルで結晶化させることにより、1−(2−クロロ−
4−ピリジル)−3−ヒドロキシメチル−6,7−ジメ
トキシナフタレン531mg(収率24%)を得る。
【0306】m.p.115−118℃ 参考例 76 3,4−ジエトキシベンズアルデヒド54.2g、4−
(2−クロロピリジン−4−イル)−4−オキソ−ブチ
ル酸59.6g、酢酸ナトリウム22.9g及び無水酢
酸158mlの混合物を窒素雰囲気下、80℃で2時間
撹拌する。30分間放冷後、酢酸1.4l及び濃塩酸
1.4lを加え、2時間加熱還流する。該加熱還流下の
混合物を氷冷し、水酸化ナトリウムを672g加えた
後、水1.4l、クロロホルム2.5l、メタノール
0.3lを加える。クロロホルム層を乾燥後溶媒を留去
して、ジエチルエーテルで結晶化し、1−(2−クロロ
−4−ピリジル)−3−カルボキシ−6,7−ジエトキ
シナフタレン70.4gを得る。
【0307】m.p. >250℃
【0308】
【発明の効果】本発明の目的化合物〔I〕又はその薬理
的に許容し得る塩は、優れた気管支収縮抑制作用を有
し、喘息の予防・治療剤として有用である。即ち、本発
明の目的化合物〔I〕は、ヒスタミン、U−4661
9、ロイコトリエンD4 等の各種スパスモーゲンや抗原
により誘発される気管支収縮を、効果的に抑制する。例
えば、本発明の目的化合物である1−〔2−(2−オキ
ソ−1,2−ジヒドロキノリン−1−イル)−4−ピリ
ジル〕−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−
ジメトキシナフタレン、1−{2−〔2−オキソ−4−
(2−ピペリジノエチル)アミノ−1,2−ジヒドロキ
ノリン−1−イル〕−4−ピリジル}−2,3−ビス
(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレ
ン、1−{2−〔2−オキソ−4−(4−ピリジル)−
1,2−ジヒドロキノリン−1−イル〕−4−ピリジ
ル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジ
メトキシナフタレン、1−〔2−(2−オキソ−3−モ
ルホリノ−1,2−ジヒドロキノリン−1−イル)−4
−ピリジル〕−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−
6,7−ジメトキシナフタレン、1−〔2−(1−オキ
ソ−5−メトキシメトキシ−1,2−ジヒドロイソキノ
リン−2−イル)−4−ピリジル〕−2,3−ビス(ヒ
ドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレン、1
−{2−〔1−オキソ−5−(2−ピペリジノエチルオ
キシ)−1,2−ジヒドロイソキノリン−2−イル〕−
4−ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−
6,7−ジメトキシナフタレン、1−〔2−(3−オキ
ソ−2,3−ジヒドロイソキノリン−2−イル)−4−
ピリジル〕−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,
7−ジメトキシナフタレン、1−{2−〔4−(3−ピ
リジル)−1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4
−ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−
6,7−ジメトキシナフタレン、1−{2−〔4−(3
−ピリジルメチル)−1(2H)−フタラジノン−2−
イル〕−4−ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメ
チル)−6,7−ジメトキシナフタレン、1−{2−
〔6,7−ジメトキシ−4−(3−ピリジル)−1(2
H)−フタラジノン−2−イル〕−4−ピリジル}−
2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキ
シナフタレン、1−{2−〔4−(3−ピリジル)−1
(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4−ピリジル}
−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジエト
キシナフタレン、1−{2−〔4−(3−ピリジル)−
1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4−ピリジ
ル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6−メトキ
シ−7−エトキシナフタレン又はそれらの薬理的に許容
しうる塩は、テオフィリンより30倍以上強力な抗原誘
発気管支収縮抑制作用を示す。
【0309】また、本発明の目的化合物〔I〕又はその
薬理的に許容し得る塩は、心臓等に対する副作用をほと
んど示さず、選択的に気管支収縮抑制作用を示すととも
に、低毒性であり、医薬として高い安全性を示すという
優れた特性を有する。テオフィリンの場合、血圧低下、
心悸亢進等心臓への副作用が知られているが、本発明の
目的化合物〔I〕又はその薬理的に許容し得る塩はかか
る副作用を実質的に示さず、優れた抗喘息作用を有す
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07D 401/04 223 C07D 401/04 223 235 235 237 237 239 239 241 241 401/14 213 401/14 213 215 215 233 233 237 237 249 249 417/04 213 417/04 213 471/04 113 471/04 113 114 114A 491/113 491/113 // A61K 31/44 ACF A61K 31/44 ACF 31/47 ACD 31/47 ACD 31/495 31/495 31/50 31/50 31/505 31/505 31/535 31/535 31/54 31/54 31/55 31/55

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式〔I〕 【化1】 (但し、R1 及びR2 は同一又は異なって水素原子又は
    保護されていてもよい水酸基を表し、R3 及びR4 はい
    ずれか一方が保護されていてもよい水酸基置換メチル基
    であり、他方が水素原子、低級アルキル基又は保護され
    ていてもよい水酸基置換メチル基であることを表し、R
    5 及びR6 は同一又は異なって、水素原子、置換されて
    いてもよい低級アルキル基、置換されていてもよいフェ
    ニル基又は保護されていてもよいアミノ基を表すか、あ
    るいは互いに末端で結合して隣接する窒素原子とともに
    置換されていてもよい複素環式基を形成していることを
    表す。)で示されるナフタレン誘導体又はその薬理的に
    許容し得る塩。
  2. 【請求項2】 R1 及びR2 が同一又は異なって水素原
    子又は低級アルコキシ基である請求項1記載の化合物。
  3. 【請求項3】 R5 及びR6 が互いに末端で結合して隣
    接する窒素原子とともに形成される複素環式基が、当該
    窒素原子以外にさらに窒素原子、酸素原子及び硫黄原子
    から選ばれるヘテロ原子を含有していてもよい単環式、
    双環式又は三環式複素環式基である請求項1又は2記載
    の化合物。
  4. 【請求項4】 R5 及びR6 が互いに末端で結合して隣
    接する窒素原子とともに形成される複素環式基が、ピリ
    ジル基、キノリル基、イソキノリル基、シクロペンタ
    〔b〕ピリジル基、ピロ〔2,3−b〕ピリジル基、イ
    ミダゾ〔4,5−b〕ピリジル基、ピリド〔2,3−
    d〕チアゾリル基、ピリド〔2,3−d〕オキサゾリル
    基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、フタラジニ
    ル基、キナゾリニル基、インドリル基、ピリダジニル
    基、アゼピニル基、アゼチジル基、イソインドリル基、
    ピロリル基、ベンゾアゼピニル基、フェナントリジニル
    基、ベンゾチアジニル基、ベンゾイミダゾリニル基、ピ
    ラジニル基又はモルホリノ基(これらの複素環式基は部
    分的もしくは全て水素化されていてもよい)である請求
    項3記載の化合物。
  5. 【請求項5】 R5 及びR6 が互いに末端で結合して隣
    接する窒素原子とともに形成される複素環式基に置換し
    うる基が、(1)低級アルケニル基;(2)低級アルキ
    ニル基;(3)低級アルキルチオ基;(4)シクロアル
    キル基;(5)トリフルオロメチル基;(6)シアノ
    基;(7)テトラゾリル基;(8)ホルミル基;(9)
    アミノ基;(10)モルホリノ基、モノシクロアルキル
    基置換アミノ基、ピリジル基、イミダゾリル基、ピペリ
    ジル基又はピロリジニル基で低級アルキル基部分が置換
    されていてもよいモノ−もしくはジ−低級アルキルアミ
    ノ基;(11)ピリジル基;(12)モルホリノ基;
    (13)低級アルキル基置換トリアゾリル基;(14)
    ビス(ヒドロキシ低級アルキル)アミノカルボニル基;
    (15)ビス(トリ低級アルキルシリルオキシ低級アル
    キル)アミノカルボニル基;(16)モルホリノカルボ
    ニル基;(17)低級アルキル基置換ピペラジニルカル
    ボニル基;(18)ヒドロキシ低級アルキル基置換ピペ
    ラジニルカルボニル基;(19)トリ低級アルキルシリ
    ルオキシ低級アルキル基置換ピペラジニルカルボニル
    基;(20)低級アルコキシカルボニル基;(21)カ
    ルボキシル基;(22)モルホリノ基もしくはピリジル
    基で置換されていてもよい低級アルキル基;(23)ピ
    ペリジル基、ピリジル基、水酸基又は低級アルコキシ基
    で置換されていてもよい低級アルコキシ基;(24)オ
    キソ基;(25)水酸基;(26)ピリミジニル基;
    (27)ジ低級アルキルアミノ基又はハロゲン原子で置
    換されていてもよいフェニル基;(28)ハロゲン原
    子;(29)ニトロ基;(30)イミダゾリル基;及び
    (31)低級アルキレンジオキシ基から選ばれる1個も
    しくは2個以上の同一又は異なる基である請求項1、
    2、3又は4記載の化合物。
  6. 【請求項6】 R5 及びR6 が互いに末端で結合して隣
    接する窒素原子とともに形成される複素環式基が、少な
    くともオキソ基で置換された複素環式基である請求項5
    記載の化合物。
  7. 【請求項7】 少なくともオキソ基で置換された複素環
    式基が部分構造式 【化2】 を有する複素環式基である請求項6記載の化合物。
  8. 【請求項8】 R5 及びR6 が互いに末端で結合して隣
    接する窒素原子とともに形成される置換されていてもよ
    い複素環式基が、(1)モルホリノ基、モノシクロアル
    キル基置換アミノ基、ピリジル基、イミダゾリル基、ピ
    ペリジノ基又はピロリジニル基で低級アルキル基部分が
    置換されていてもよいモノ−もしくはジ−低級アルキル
    アミノ基;ピリジル基;モルホリノ基;低級アルキル基
    置換トリアゾリル基;ビス(ヒドロキシ低級アルキル)
    アミノカルボニル基;ビス(トリ低級アルキルシリルオ
    キシ低級アルキル)アミノカルボニル基;モルホリノカ
    ルボニル基;低級アルキル基置換ピペラジニルカルボニ
    ル基;ヒドロキシ低級アルキル基置換ピペラジニルカル
    ボニル基;トリ低級アルキルシリルオキシ低級アルキル
    基置換ピペラジニルカルボニル基;低級アルコキシカル
    ボニル基;カルボキシル基;低級アルキル基;水酸基も
    しくは低級アルコキシ基で置換されていてもよい低級ア
    ルコキシ基;及び水酸基から選ばれる基で置換されてい
    てもよいオキソ基(又はヒドロキシ基)置換ジヒドロ
    (又はテトラヒドロ)キノリル基、(2)オキソ基(又
    はヒドロキシ基)置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)キ
    ノキサリニル基、(3)モルホリノ基置換低級アルキル
    基;ピペリジル基、ピリジル基又は低級アルコキシ基で
    置換されていてもよい低級アルコキシ基;及び水酸基か
    ら選ばれる基で置換されていてもよいオキソ基(又はヒ
    ドロキシ基)置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)イソキ
    ノリル基、(4)ピリジル基で置換されていてもよい低
    級アルキル基;ピリミジニル基;低級アルコキシ基;ピ
    リジル基;イミダゾリル基;ジ低級アルキルアミノ基又
    はハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基;及
    び水酸基から選ばれる基で置換されていてもよいオキソ
    基(又はヒドロキシ基)置換ジヒドロ(又はテトラヒド
    ロ)フタラジニル基、(5)ハロゲン原子、低級アルキ
    ル基、低級アルコキシ基、ニトロ基、ピリジル基及びイ
    ミダゾリル基から選ばれる基で置換されていてもよいオ
    キソ基(又はヒドロキシ基)置換ジヒドロ(又はヘキサ
    ヒドロ)ピリジル基、(6)オキソ基(又はヒドロキシ
    基)置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)ナフチリジニル
    基、(7)オキソ基(又はヒドロキシ基)置換ヘキサヒ
    ドロキノリル基、(8)オキソ基(又はヒドロキシ基)
    置換ジヒドロインドリル基、(9)オキソ基(又はヒド
    ロキシ基)置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)ベンゾア
    ゼピニル基、(10)ジヒドロ(又はテトラヒドロ)イ
    ソキノリル基、(11)オキソ基(又はヒドロキシ基)
    置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)ベンゾチアジニル
    基、(12)低級アルキル基及び/又はオキソ基で置換
    されていてもよいオキソ基(又はヒドロキシ基)置換ジ
    ヒドロ(又はテトラヒドロ)キナゾリニル基、(13)
    オキソ基(又はヒドロキシ基)置換ジヒドロベンゾイミ
    ダゾリニル基、(14)オキソ基(又はヒドロキシ基)
    置換ジヒドロフェナントリジニル基、(15)低級アル
    キル基で置換されていてもよいオキソ基(又はヒドロキ
    シ基)置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)ピロリル基、
    (16)ヘキサヒドロキシピラジニル基、(17)低級
    アルキレンジオキシ基置換ヘキサヒドロピリジル基又は
    (18)モルホリノ基である請求項5記載の化合物。
  9. 【請求項9】 R5 及びR6 が互いに末端で結合して隣
    接する窒素原子とともに形成される置換されていてもよ
    い複素環式基が、(1)オキソ基置換ジヒドロ(又はテ
    トラヒドロ)キノリル基又はヒドロキシ基置換ジヒドロ
    (又はテトラヒドロ)キノリル基、(2)オキソ基置換
    ジヒドロ(又はテトラヒドロ)キノキサリニル基、
    (3)オキソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)イソ
    キノリル基、(4)オキソ基置換ジヒドロ(又はテトラ
    ヒドロ)フタラジニル基、(5)オキソ基置換ジヒドロ
    (又はヘキサヒドロ)ピリジル基、(6)オキソ基置換
    ジヒドロ(又はテトラヒドロ)ナフチリジニル基、
    (7)オキソ基置換ヘキサヒドロキノリル基、(8)オ
    キソ基置換ジヒドロインドリル基、(9)オキソ基置換
    ジヒドロ(又はテトラヒドロ)ベンゾアゼピニル基、
    (10)ジヒドロ(又はテトラヒドロ)イソキノリル
    基、(11)オキソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒド
    ロ)ベンゾチアジニル基、(12)オキソ基置換ジヒド
    ロ(又はテトラヒドロ)キナゾリニル基、(13)オキ
    ソ基置換ジヒドロベンゾイミダゾリニル基、(14)オ
    キソ基置換ジヒドロフェナントリジニル基、(15)オ
    キソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)ピロリル基、
    (16)ヘキサヒドロキシピラジニル基、(17)低級
    アルキレンジオキシ基置換ヘキサヒドロピリジル基又は
    (18)モルホリノ基である請求項8記載の化合物。
  10. 【請求項10】 R5 及びR6 が互いに末端で結合して
    隣接する窒素原子とともに形成される置換されていても
    よい複素環式基が、(1)オキソ基置換ジヒドロ(又は
    テトラヒドロ)キノリル基又はヒドロキシ基置換テトラ
    ヒドロキノリル基、(2)オキソ基置換ジヒドロキノキ
    サリニル基、(3)オキソ基置換ジヒドロイソキノリル
    基、(4)オキソ基置換ジヒドロフタラジニル基、
    (5)オキソ基置換ジヒドロ(又はヘキサヒドロ)ピリ
    ジル基、(6)オキソ基置換ジヒドロナフチリジニル
    基、(7)オキソ基置換ヘキサヒドロキノリル基、
    (8)オキソ基置換ジヒドロインドリル基、(9)オキ
    ソ基置換ジヒドロベンゾアゼピニル基、(10)テトラ
    ヒドロイソキノリル基、(11)オキソ基置換テトラヒ
    ドロベンゾチアジニル基、(12)オキソ基置換ジヒド
    ロ(又はテトラヒドロ)キナゾリニル基、(13)オキ
    ソ基置換ジヒドロベンゾイミダゾリニル基、(14)オ
    キソ基置換ジヒドロフェナントリジニル基、(15)オ
    キソ基置換テトラヒドロピロリル基、(16)ヘキサヒ
    ドロキシピペラジニル基、(17)低級アルキレンジオ
    キシ基置換ヘキサヒドロピリジル基又は(18)モルホ
    リノ基である請求項9記載の化合物。
  11. 【請求項11】 R5 及びR6 が互いに末端で結合して
    隣接する窒素原子とともに形成される置換されていても
    よい複素環式基が、(1)モルホリノ基、モノシクロア
    ルキル基置換アミノ基、ピリジル基、イミダゾリル基、
    ピペリジノ基又はピロリジニル基で低級アルキル基部分
    が置換されているモノ−もしくはジ−低級アルキルアミ
    ノ基;ピリジル基;モルホリノ基;低級アルキル基置換
    トリアゾリル基;低級アルキル基置換ピペラジニルカル
    ボニル基;低級アルコキシカルボニル基;低級アルキル
    基;水酸基;及び水酸基もしくは低級アルコキシ基で置
    換されていてもよい低級アルコキシ基から選ばれる基で
    置換されていてもよいオキソ基置換ジヒドロ(又はテト
    ラヒドロ)キノリル基又はヒドロキシ基置換テトラヒド
    ロキノリル基、(2)オキソ基置換ジヒドロキノキサリ
    ニル基、(3)モルホリノ基置換低級アルキル基;ピペ
    リジル基、ピリジル基又は低級アルコキシ基で置換され
    ていてもよい低級アルコキシ基;及び水酸基から選ばれ
    る基で置換されていてもよいオキソ基置換ジヒドロイソ
    キノリル基、(4)ピリジル基置換低級アルキル基;ピ
    リミジニル基;低級アルコキシ基;ピリジル基;イミダ
    ゾリル基;及びジ低級アルキルアミノ基置換フェニル基
    から選ばれる基で置換されていてもよいオキソ基置換ジ
    ヒドロフタラジニル基、(5)低級アルキル基;低級ア
    ルコキシ基;ピリジル基;及びイミダゾリル基から選ば
    れる基で置換されているオキソ基置換ジヒドロピリジル
    基、(6)オキソ基置換ジヒドロナフチリジニル基、
    (7)オキソ基置換ヘキサヒドロキノリル基、(8)オ
    キソ基置換ジヒドロインドリル基、(9)オキソ基置換
    テトラヒドロベンゾチアジニル基、(10)低級アルキ
    ル基及びオキソ基で置換されていてもよいオキソ基置換
    ジヒドロ(又はテトラヒドロ)キナゾリニル基、(1
    1)オキソ基置換ジヒドロベンゾイミダゾリニル基又は
    (12)オキソ基置換ジヒドロフェナントリジニル基で
    ある請求項10記載の化合物。
  12. 【請求項12】 R5 及びR6 が互いに末端で結合して
    隣接する窒素原子とともに形成される置換されていても
    よい複素環式基が、(1)モルホリノ基、ピリジル基、
    イミダゾリル基、ピペリジノ基又はピロリジニル基で低
    級アルキル基部分が置換されているモノ−もしくはジ−
    低級アルキルアミノ基;ピリジル基;モルホリノ基;低
    級アルキル基置換トリアゾリル基;低級アルキル基;及
    び水酸基もしくは低級アルコキシ基で置換されていても
    よい低級アルコキシ基から選ばれる基で置換されていて
    もよいオキソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)キノ
    リル基又はヒドロキシ基置換テトラヒドロキノリル基、
    (2)オキソ基置換ジヒドロキノキサリニル基、(3)
    モルホリノ基置換低級アルキル基;ピペリジル基もしく
    は低級アルコキシ基で置換されている低級アルコキシ
    基;及び水酸基から選ばれる基で置換されていてもよい
    オキソ基置換ジヒドロイソキノリル基、(4)ピリジル
    基置換低級アルキル基、ピリミジニル基、ピリジル基、
    イミダゾリル基及び低級アルコキシ基から選ばれる基で
    置換されていてもよいオキソ基置換ジヒドロフタラジニ
    ル基、(5)低級アルキル基、低級アルコキシ基、ピリ
    ジル基及びイミダゾリル基から選ばれる基で置換されて
    いるオキソ基置換ジヒドロピリジル基、(6)オキソ基
    置換テトラヒドロベンゾチアジニル基又は(7)低級ア
    ルキル基及びオキソ基で置換されていてもよいオキソ基
    置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)キナゾリニル基であ
    る請求項10記載の化合物。
  13. 【請求項13】 R5 及びR6 が互いに末端で結合して
    隣接する窒素原子とともに形成される置換されていても
    よい複素環式基が、(1)モルホリノ基、ピリジル基、
    イミダゾリル基又はピペリジノ基で低級アルキル基部分
    が置換されているモノ−もしくはジ−低級アルキルアミ
    ノ基;ピリジル基;モルホリノ基;低級アルキル基置換
    トリアゾリル基;及び低級アルコキシ基又は水酸基で置
    換されている低級アルコキシ基から選ばれる基で置換さ
    れていてもよいオキソ基置換ジヒドロキノリル基又はヒ
    ドロキシ基置換テトラヒドロキノリル基、(2)モルホ
    リノ基置換低級アルキル基;ピペリジノ基もしくは低級
    アルコキシ基で置換されている低級アルコキシ基;及び
    水酸基から選ばれる基で置換されていてもよいオキソ基
    置換ジヒドロイソキノリル基、(3)ピリジル基置換低
    級アルキル基、ピリミジニル基、ピリジル基、イミダゾ
    リル基及び低級アルコキシ基から選ばれる基で置換され
    ていてもよいオキソ基置換ジヒドロフタラジニル基、
    (4)低級アルキル基、低級アルコキシ基、ピリジル基
    及びイミダゾリル基から選ばれる基で置換されているオ
    キソ基置換ジヒドロピリジル基又は(5)低級アルキル
    基及びオキソ基で置換されていてもよいオキソ基置換ジ
    ヒドロ(又はテトラヒドロ)キナゾリニル基である請求
    項12記載の化合物。
  14. 【請求項14】 R5 及びR6 が互いに末端で結合して
    隣接する窒素原子とともに形成される置換されていても
    よい複素環式基が、(1)モルホリノ基、ピリジル基、
    イミダゾリル基又はピペリジノ基で低級アルキル基部分
    が置換されているモノ−もしくはジ−低級アルキルアミ
    ノ基;ピリジル基;モルホリノ基;低級アルキル基置換
    トリアゾリル基;及び低級アルコキシ基又は水酸基で置
    換されている低級アルコキシ基から選ばれる基で置換さ
    れていてもよいオキソ基置換ジヒドロキノリル基、
    (2)モルホリノ基置換低級アルキル基及びピペリジル
    基置換低級アルコキシ基から選ばれる基で置換されてい
    てもよいオキソ基置換ジヒドロイソキノリル基、(3)
    ピリジル基置換低級アルキル基、ピリミジニル基、ピリ
    ジル基、イミダゾリル基及び低級アルコキシ基から選ば
    れる基で置換されていてもよいオキソ基置換ジヒドロフ
    タラジニル基又は(4)低級アルキル基、低級アルコキ
    シ基及びイミダゾリル基から選ばれる基で置換されてい
    るオキソ基置換ジヒドロピリジル基である請求項13記
    載の化合物。
  15. 【請求項15】 R5 及びR6 が互いに末端で結合して
    隣接する窒素原子とともに形成される置換されていても
    よい複素環式基が、(1)モルホリノ基、モノシクロア
    ルキル基置換アミノ基、ピリジル基、イミダゾリル基又
    はピペリジノ基で低級アルキル基部分が置換されている
    モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ基;ピリジル
    基;モルホリノ基;低級アルキル基置換ピペラジニルカ
    ルボニル基;低級アルコキシカルボニル基;低級アルキ
    ル基;水酸基;及び水酸基もしくは低級アルコキシ基で
    置換されていてもよい低級アルコキシ基から選ばれる基
    で置換されていてもよいオキソ基置換ジヒドロ(又はテ
    トラヒドロ)キノリル基又はヒドロキシ基置換テトラヒ
    ドロキノリル基、(2)モルホリノ基置換低級アルキル
    基;ピペリジノ基、ピリジル基又は低級アルコキシ基で
    置換されている低級アルコキシ基から選ばれる基で置換
    されていてもよいオキソ基置換ジヒドロイソキノリル
    基、(3)ピリジル基置換低級アルキル基;ピリミジニ
    ル基;低級アルコキシ基;ピリジル基;イミダゾリル
    基;及びジ低級アルキルアミノ基置換フェニル基から選
    ばれる基で置換されていてもよいオキソ基置換ジヒドロ
    フタラジニル基、(4)ピリジル基で置換されているオ
    キソ基置換ジヒドロピリジル基、(5)オキソ基置換ジ
    ヒドロナフチリジニル基、(6)オキソ基置換ヘキサヒ
    ドロキノリル基、(7)オキソ基置換ジヒドロインドリ
    ル基、(8)オキソ基置換テトラヒドロベンゾチアジニ
    ル基、(9)低級アルキル基及びオキソ基で置換されて
    いてもよいオキソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)
    キナゾリニル基、(10)オキソ基置換ジヒドロベンゾ
    イミダゾリニル基又は(11)オキソ基置換ジヒドロフ
    ェナントリジニル基である請求項11記載の化合物。
  16. 【請求項16】 R5 及びR6 が互いに末端で結合して
    隣接する窒素原子とともに形成される置換されていても
    よい複素環式基が、(1)モルホリノ基、イミダゾリル
    基又はピリジル基で低級アルキル基部分が置換されてい
    るモノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ基;モルホリ
    ノ基;及び低級アルキル基から選ばれる基で置換されて
    いてもよいオキソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)
    キノリル基、(2)モルホリノ基置換低級アルキル基;
    ピリジル基又は低級アルコキシ基で置換されている低級
    アルコキシ基から選ばれる基で置換されていてもよいオ
    キソ基置換ジヒドロイソキノリル基、(3)ピリジル基
    置換低級アルキル基;低級アルコキシ基;ピリジル基;
    及びジ低級アルキルアミノ基置換フェニル基から選ばれ
    る基で置換されているオキソ基置換ジヒドロフタラジニ
    ル基又は(4)オキソ基置換ジヒドロフェナントリジニ
    ル基である請求項15記載の化合物。
  17. 【請求項17】 R5 及びR6 が互いに末端で結合して
    隣接する窒素原子とともに形成される置換されていても
    よい複素環式基が、(1)ピリジル基で低級アルキル基
    部分が置換されているモノ−もしくはジ−低級アルキル
    アミノ基;モルホリノ基;及び低級アルキル基から選ば
    れる基で置換されていてもよいオキソ基置換ジヒドロ
    (又はテトラヒドロ)キノリル基、(2)モルホリノ基
    置換低級アルキル基;ピリジル基又は低級アルコキシ基
    で置換されている低級アルコキシ基から選ばれる基で置
    換されていてもよいオキソ基置換ジヒドロイソキノリル
    基、(3)ピリジル基置換低級アルキル基;低級アルコ
    キシ基;ピリジル基;及びジ低級アルキルアミノ基置換
    フェニル基から選ばれる基で置換されているオキソ基置
    換ジヒドロフタラジニル基又は(4)オキソ基置換ジヒ
    ドロフェナントリジニル基である請求項16記載の化合
    物。
  18. 【請求項18】 R5 及びR6 が互いに末端で結合して
    隣接する窒素原子とともに形成される置換されていても
    よい複素環式基が、(1)モルホリノ基、イミダゾリル
    基又はピリジル基で低級アルキル基部分が置換されてい
    るモノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ基;モルホリ
    ノ基;及び低級アルキル基から選ばれる基で置換されて
    いてもよいオキソ基置換ジヒドロ(又はテトラヒドロ)
    キノリル基、(2)モルホリノ基置換低級アルキル基;
    及び低級アルコキシ基置換低級アルコキシ基から選ばれ
    る基で置換されているオキソ基置換ジヒドロイソキノリ
    ル基、(3)ピリジル基置換低級アルキル基;低級アル
    コキシ基;及びピリジル基から選ばれる基で置換されて
    いるオキソ基置換ジヒドロフタラジニル基である請求項
    10記載の化合物。
  19. 【請求項19】 R1 及びR2 が同一又は異なって保護
    された水酸基、R3及びR4 が水酸基置換メチル基であ
    る請求項1、3、4、5、6、7、11、15、16、
    17又は18記載の化合物。
  20. 【請求項20】 保護された水酸基が低級アルキル基で
    保護された水酸基である請求項19記載の化合物。
  21. 【請求項21】 1−〔2−(2−オキソ−1,2−ジ
    ヒドロキノリン−1−イル)−4−ピリジル〕−2,3
    −ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフ
    タレン、1−{2−〔2−オキソ−4−(2−ピペリジ
    ノエチル)アミノ−1,2−ジヒドロキノリン−1−イ
    ル〕−4−ピリジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチ
    ル)−6,7−ジメトキシナフタレン、1−{2−〔2
    −オキソ−4−(4−ピリジル)−1,2−ジヒドロキ
    ノリン−1−イル〕−4−ピリジル}−2,3−ビス
    (ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレ
    ン、1−〔2−(2−オキソ−3−モルホリノ−1,2
    −ジヒドロキノリン−1−イル)−4−ピリジル〕−
    2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメトキ
    シナフタレン、1−{2−〔4−(3−ピリジル)−1
    (2H)−フタラジノン−2−イル〕−4−ピリジル}
    −2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジメト
    キシナフタレン、1−{2−〔4−(3−ピリジルメチ
    ル)−1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4−ピ
    リジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7
    −ジメトキシナフタレン、1−{2−〔6,7−ジメト
    キシ−4−(3−ピリジル)−1(2H)−フタラジノ
    ン−2−イル〕−4−ピリジル}−2,3−ビス(ヒド
    ロキシメチル)−6,7−ジメトキシナフタレン、1−
    {2−〔4−(3−ピリジル)−1(2H)−フタラジ
    ノン−2−イル〕−4−ピリジル}−2,3−ビス(ヒ
    ドロキシメチル)−6,7−ジエトキシナフタレン、1
    −{2−〔4−(3−ピリジル)−1(2H)−フタラ
    ジノン−2−イル〕−4−ピリジル}−2,3−ビス
    (ヒドロキシメチル)−6−メトキシ−7−エトキシナ
    フタレン又はそれらの薬理的に許容しうる塩。
  22. 【請求項22】 1−〔2−(2−オキソ−3−モルホ
    リノ−1,2−ジヒドロキノリン−1−イル)−4−ピ
    リジル〕−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7
    −ジメトキシナフタレン又はその薬理的に許容しうる
    塩。
  23. 【請求項23】 1−{2−〔4−(3−ピリジル)−
    1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4−ピリジ
    ル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジ
    メトキシナフタレン又はその薬理的に許容しうる塩。
  24. 【請求項24】 1−{2−〔4−(3−ピリジルメチ
    ル)−1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4−ピ
    リジル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7
    −ジメトキシナフタレン又はその薬理的に許容しうる
    塩。
  25. 【請求項25】 1−{2−〔4−(3−ピリジル)−
    1(2H)−フタラジノン−2−イル〕−4−ピリジ
    ル}−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−6,7−ジ
    エトキシナフタレン又はその薬理的に許容しうる塩。
  26. 【請求項26】 一般式〔II〕 【化3】 (但し、R11 及びR21 は同一又は異なって水素原子又
    は保護されていてもよい水酸基を表し、R31 及びR41
    はいずれか一方が保護されていてもよい水酸基置換メチ
    ル基、他方が水素原子、低級アルキル基又は保護されて
    いてもよい水酸基置換メチル基であることを表し、Xは
    ハロゲン原子を表す。)で示される化合物と一般式〔I
    II〕 【化4】 (但し、R5 及びR6 は同一又は異なって、水素原子、
    置換されていてもよい低級アルキル基、置換されていて
    もよいフェニル基又は保護されていてもよいアミノ基を
    表すか、あるいは互いに末端で結合して隣接する窒素原
    子とともに置換されていてもよい複素環式基を形成して
    いることを表す。)で示される含窒素化合物とを反応さ
    せ、R11及び/又はR21が保護された水酸基であり、R
    31及び/又はR41が保護された水酸基置換メチル基であ
    る場合は、所望により当該水酸基の保護基の種類に応
    じ、全てあるいは選択的に当該保護基を除去し、要すれ
    ば6位及び/又は7位のヒドロキシ部位あるいは2位及
    び/又は3位のヒドロキシメチル部位を再び保護し、さ
    らに要すれば全てのヒドロキシ部位あるいはヒドロキシ
    メチル部位を保護し、さらに要すれば生成物をその薬理
    的に許容し得る塩とすることを特徴とする一般式〔I〕 【化5】 (但し、R1 及びR2 は同一又は異なって水素原子又は
    保護されていてもよい水酸基、R3 及びR4 はいずれか
    一方が保護されていてもよい水酸基置換メチル基、他方
    が水素原子、低級アルキル基又は保護されていてもよい
    水酸基置換メチル基であることを表し、他の記号は前記
    と同一意味を有する。)で示されるナフタレン誘導体又
    はその薬理的に許容し得る塩の製法。
  27. 【請求項27】 一般式〔IV〕 【化6】 (但し、R11 及びR21 は同一又は異なって水素原子又
    は保護されていてもよい水酸基、R31及びR41はいずれ
    か一方が保護されていてもよい水酸基置換メチル基、他
    方が水素原子、低級アルキル基又は保護されていてもよ
    い水酸基置換メチル基を表す。)で示される化合物と一
    般式〔V〕 【化7】 (但し、R52及びR62は互いに末端で結合して隣接する
    窒素原子とともに少なくともハロゲン原子で置換された
    複素環式基を形成していることを表す。)で示されるハ
    ロゲノ含窒素化合物とを反応させ、R11及び/又はR21
    が保護された水酸基であり、R31及び/又はR41が保護
    された水酸基置換メチル基である場合は、所望により当
    該水酸基の保護基の種類に応じ、全てあるいは選択的に
    当該保護基を除去し、要すれば6位及び/又は7位のヒ
    ドロキシ部位あるいは2位及び/又は3位のヒドロキシ
    メチル部位を再び保護し、さらに要すれば生成物をその
    薬理的に許容し得る塩とすることを特徴とする一般式 【化8】 (但し、R1 及びR2 は同一又は異なって水素原子又は
    保護されていてもよい水酸基、R3 及びR4 はいずれか
    一方が保護されていてもよい水酸基置換メチル基、他方
    が水素原子、低級アルキル基又は保護されていてもよい
    水酸基置換メチル基であることを表し、R51及びR61
    互いに末端で結合して隣接する窒素原子とともに少なく
    ともオキソ基で置換された複素環式基を形成しているこ
    とを表し、他の記号は前記と同一意味を有する。)で示
    されるナフタレン誘導体又はその薬理的に許容し得る塩
    の製法。
  28. 【請求項28】 一般式〔VI〕 【化9】 (但し、R11 及びR21 は同一又は異なって水素原子又
    は保護されていてもよい水酸基、R53及びR63は同一又
    は異なって、水素原子、置換されていてもよい低級アル
    キル基、置換されていてもよいフェニル基又は保護され
    ていてもよいアミノ基を表すか、あるいは互いに末端で
    結合して隣接する窒素原子とともに還元反応に安定な置
    換されていてもよい複素環式基を形成していることを表
    し、R7 及びR8 はいずれか一方が遊離の又はエステル
    化されたカルボキシル基、他方が、水素原子、低級アル
    キル基、あるいは遊離の又はエステル化されたカルボキ
    シル基であることを表す。)で示される化合物又はその
    分子内酸無水物を還元反応に付し、R11及び/又はR21
    が保護された水酸基である場合は、所望により当該保護
    基を除去し、要すれば6位及び/又は7位のヒドロキシ
    部位あるいは2位及び/又は3位のヒドロキシメチル部
    位を再び保護し、さらに要すれば全てのヒドロキシ部位
    あるいはヒドロキシメチル部位を保護し、さらに要すれ
    ば生成物をその薬理的に許容し得る塩とすることを特徴
    とする一般式 【化10】 (但し、R1 及びR2 は同一又は異なって水素原子又は
    保護されていてもよい水酸基、R3 及びR4 はいずれか
    一方が保護されていてもよい水酸基置換メチル基、他方
    が水素原子、低級アルキル基又は保護されていてもよい
    水酸基置換メチル基であることを表し、他の記号は前記
    と同一意味を有する。)で示されるナフタレン誘導体又
    はその薬理的に許容し得る塩の製法。
  29. 【請求項29】一般式〔I−b〕 【化11】 (但し、R11 及びR21 は同一又は異なって水素原子又
    は保護されていてもよい水酸基を表し、R31 及びR41
    はいずれか一方が保護されていてもよい水酸基置換メチ
    ル基、他方が水素原子、低級アルキル基又は保護されて
    いてもよい水酸基置換メチル基であることを表す。)で
    示される化合物又はその塩と一般式〔VII〕 【化12】 (但し、R91、R92及びR93は同一又は異なって水素原
    子、水酸基、低級アルコシキシ基、ピリジル基で置換さ
    れていてもよい低級アルキル基、ジ低級アルキルアミノ
    基又はハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル
    基、ピリジル基、ピリミジニル基又はイミダゾリル基を
    表す。)で示されるカルボン酸誘導体又はその塩とを反
    応させ、R11及び/又はR21が保護された水酸基であ
    り、R31及び/又はR41が保護された水酸基置換メチル
    基である場合は、所望により当該水酸基の保護基の種類
    に応じ、全てあるいは選択的に当該保護基を除去し、要
    すれば6位及び/又は7位のヒドロキシ部位あるいは2
    位及び/又は3位のヒドロキシメチル部位を再び保護
    し、さらに要すれば全てのヒドロキシ部位あるいはヒド
    ロキシメチル部位を保護し、さらに要すれば生成物をそ
    の薬理的に許容しうる塩とすることを特徴とする一般式
    〔I−a〕 【化13】 (但し、R1 及びR2 は同一又は異なって水素原子又は
    保護されていてもよい水酸基を表し、R3 及びR4 はい
    ずれか一方が保護されていてもよい水酸基置換メチル
    基、他方が水素原子、低級アルキル基又は保護されてい
    てもよい水酸基置換メチル基であることを表し、他の記
    号は前記と同一意味を有する。)で示されるナフタレン
    誘導体又はその薬理的に許容しうる塩の製法。
  30. 【請求項30】一般式〔I−b〕 【化14】 (但し、R11 及びR21 は同一又は異なって水素原子又
    は保護されていてもよい水酸基を表し、R31 及びR41
    はいずれか一方が保護されていてもよい水酸基置換メチ
    ル基、他方が水素原子、低級アルキル基又は保護されて
    いてもよい水酸基置換メチル基であることを表す。)で
    示される化合物又はその塩と一般式〔VIII〕 【化15】 (但し、R92及びR93は同一又は異なって水素原子、水
    酸基、低級アルコシキシ基、ピリジル基で置換されてい
    てもよい低級アルキル基、ジ低級アルキルアミノ基又は
    ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基、ピリ
    ジル基、ピリミジニル基又はイミダゾリル基を表す。)
    で示される酸無水物と反応させ、R11及び/又はR21
    保護された水酸基であり、R31及び/又はR41が保護さ
    れた水酸基置換メチル基である場合は、所望により当該
    水酸基の保護基の種類に応じ、全てあるいは選択的に当
    該保護基を除去し、要すれば6位及び/又は7位のヒド
    ロキシ部位あるいは2位及び/又は3位のヒドロキシメ
    チル部位を再び保護し、さらに要すれば全てのヒドロキ
    シ部位あるいはヒドロキシメチル部位を保護し、さらに
    要すれば生成物をその薬理的に許容しうる塩とすること
    を特徴とする一般式〔I−a’〕 【化16】 (但し、R1 及びR2 は同一又は異なって水素原子又は
    保護されていてもよい水酸基を表し、R3 及びR4 はい
    ずれか一方が保護されていてもよい水酸基置換メチル
    基、他方が水素原子、低級アルキル基又は保護されてい
    てもよい水酸基置換メチル基であることを表し、他の記
    号は前記と同一意味を有する。)で示されるナフタレン
    誘導体又はその薬理的に許容しうる塩の製法。
  31. 【請求項31】 一般式〔II〕 【化17】 (但し、R11 及びR21 は同一又は異なって水素原子又
    は保護されていてもよい水酸基、R31及びR41はいずれ
    か一方が保護されていてもよい水酸基置換メチル基、他
    方が水素原子、低級アルキル基又は保護されていてもよ
    い水酸基置換メチル基であることを表し、Xはハロゲン
    原子を表す。)で示される化合物。
  32. 【請求項32】 一般式〔VI〕 【化18】 (但し、R11 及びR21 は同一又は異なって水素原子又
    は保護されていてもよい水酸基、R53及びR63は同一又
    は異なって、水素原子、置換されていてもよい低級アル
    キル基、置換されていてもよいフェニル基又は保護され
    ていてもよいアミノ基を表すか、あるいは互いに末端で
    結合して隣接する窒素原子とともに還元反応に安定な置
    換されていてもよい複素環式基を形成していることを表
    し、R7 及びR8 はいずれか一方が遊離の又はエステル
    化されたカルボキシル基、他方が、水素原子、低級アル
    キル基、あるいは遊離の又はエステル化されたカルボキ
    シル基であることを表す。)で示される化合物又はその
    分子内酸無水物。
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