JPH0952183A - 電子ビーム溶接方法 - Google Patents

電子ビーム溶接方法

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JPH0952183A
JPH0952183A JP20698395A JP20698395A JPH0952183A JP H0952183 A JPH0952183 A JP H0952183A JP 20698395 A JP20698395 A JP 20698395A JP 20698395 A JP20698395 A JP 20698395A JP H0952183 A JPH0952183 A JP H0952183A
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JP
Japan
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welding
electron beam
layer
beam welding
groove
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JP20698395A
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English (en)
Inventor
Takayuki Kono
隆之 河野
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子ビーム溶接機の貫通能力をこえる厚さの
母材の突合せ溶接を高能率で実施することができる方法
を実現する。 【解決手段】 電子ビーム溶接機の貫通能力をこえる厚
さの母材1を突合せ溶接する電子ビーム溶接方法におい
て、電子ビーム溶接機の貫通能力以下の厚さ毎に段が設
けられた開先21,22,23を形成し、第2層以降は
開先22,23内にインサート材41を挿入して電子ビ
ーム溶接を行うものとすることによって、第2層以降の
溶接金属32の肉盛高さを初層の溶接金属31の肉盛高
さに比べて低下させることが不要となり、厚板について
の高能率の電子ビーム溶接が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層溶接を必要と
する厚板の突合せ溶接に適用される電子ビーム溶接方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の多層溶接を必要とする厚板の突合
せ溶接に適用されるビーム溶接について、図5及び図6
を用いて説明する。
【0003】図5及び図6において、01は厚板母材、
02は溶接開先、03は第2層溶接の溶融金属、031
は初層溶接金属である。032は第2層溶接金属、04
は添加用溶接材料、05は電子ビームである。
【0004】上記において、厚板の電子ビーム溶接で多
層溶接を行う場合、第2層目以降の溶接では、溶接開先
02が広くなるために溶接金属032で溶接開先02を
埋め込む必要があり、そのために溶融金属03内に添加
用溶接材料04を添加しながら電子ビーム溶接を行い、
第2層溶接金属032を形成する必要がある。
【0005】しかしながら、第2層以降の溶接開先02
は広く、かつ、第2層以降の電子ビーム溶接は貫通溶接
することができないため、電子ビーム溶接機の出力を貫
通出力以下の低い出力として電子ビーム溶接を行うこと
となる。
【0006】このため、低出力電子ビーム溶接で添加用
溶接材料04を溶融しながら、かつ、溶接開先02を埋
め込みながら溶接することになり、肉盛高さhは、貫通
溶接時の溶込深さHより相当小さくなる。また、溶接開
先02がさらに広くなると、溶融金属03が重力の影響
を受けて流下するようになり、これを防止するには溶融
金属03の量を小さくすることが必要となるため、肉盛
高さhはさらに小さくする必要があった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来の電子ビーム溶接
において、その貫通能力をこえる厚板を溶接する場合、
多層溶接を行う必要があるが、この場合には、前記のよ
うに初層溶接での溶込深さに比べて第2層以降の溶込深
さ及び肉盛高さが初層溶接のそれより小さいため、第2
層以降の溶接では、TIG多層溶接のような溶接とな
り、溶接能率が大幅に低下していた。本発明は上記の課
題を解決しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明に
係る電子ビーム溶接方法においては、電子ビーム溶接機
の貫通能力をこえる厚さの母材を溶接するにあたり、母
材の開先に電子ビーム溶接機の貫通能力以下の厚さ毎に
段付き部を形成し、初層を溶接したのち、前記段付き部
のギャップ内にインサート材を挿入して溶接することを
特徴としている。
【0009】上記において、第2層以降の溶接開先には
インサート材を挿入して電子ビーム溶接を行うため、従
来の方法のように添加用溶接材料を用いて行う溶接開先
の埋め込みが不要となり、溶融金属が重力により流下す
ることがなくなる。
【0010】そのため、本発明においては、第2層以降
の溶接金属の肉盛高さを初層のそれに比べて低下させる
ことが不要となり、電子ビーム溶接機の貫通能力以上の
厚板を高能率で溶接することが可能となる。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明の実施の第1形態に係る電
子ビーム溶接方法について、図1及び図2により説明す
る。なお、本実施形態は、被溶接材である厚板が電子ビ
ーム溶接機の貫通能力の2倍以上、3倍未満であり、3
回に分けて電子ビーム溶接を行う場合である。
【0012】図1及び図2に示す本実施形態に係る電子
ビーム溶接方法においては、まず、各段の高さを電子ビ
ーム溶接機の貫通能力以下として、3段の開先加工を行
い、図1(a)に示すように2枚の母材1を突合せ、初
層、第2層、第3層の溶接開先21,22,23を形成
させる。
【0013】開先加工をした母材1を突合せた後は、図
1(b)に示すように初層溶接開先21を溶接し、初層
溶接金属31を形成する。次に、図1(c)に示すよう
に初層溶接金属31の上の第2層溶接開先22の中に第
2層インサート材41を押入する。この場合、挿入する
インサート材41は、第2層溶接開先22に密着する程
度の寸法のものとし、母材1とのすき間はなるべく小さ
くする。
【0014】次に、図1(d)に示すようにインサート
材41と母材1を電子ビーム溶接し、第2層溶接金属3
2を形成する。この場合、まず、インサート材41と母
材1の一方の境界を狙い、第1パス溶接を行い、次に、
狙いをもう一方の境界にずらし、第2層溶接を行う。こ
のとき、インサート材41は、完全に溶接金属とする必
要がある。
【0015】次に、図2(a)に示すように第2層溶接
金属32の上の第3層溶接開先23の中に第3層インサ
ート材42を押入する。インサート材42の寸法と押入
状態は第2層インサート材41の場合と同様である。
【0016】最後に、図2(b)に示すようにインサー
ト材42と母材1を電子ビーム溶接し、第3層溶接金属
33を形成する。この場合、第2層溶接と同様にインサ
ート材42と母材1の一方の境界を狙って第1パス溶接
を行い、順次狙いをずらしながら、かつ、インサート材
42がすべて溶接金属となるように溶接を行い、最後に
もう一方の境界を狙って溶接を行う。
【0017】本実施形態においては、第2層溶接金属3
2及び第3層溶接金属33を形成する場合、第2層溶接
開先22及び第3層溶接開先23内にそれぞれインサー
ト材41,42を挿入して電子ビーム溶接を行うため、
従来の方法の場合のように初層の肉盛高さに対して第2
層及び第3層の肉盛高さを大幅に減少させることなく、
溶接することが可能となった。
【0018】そのため、電子ビーム溶接機の貫通能力以
上の厚板の電子ビーム溶接を高能率で実施することが可
能となった。なお、本実施形態の方法については、レー
ザービーム溶接に対しても適用可能である。
【0019】次に本発明の実施の第2形態に係る電子ビ
ーム溶接方法について、図3により説明する。なお、本
実施形態の方法は、厚肉管の突合せ溶接に適用されたも
のである。
【0020】図3に示す本実施形態の方法においては、
インサート材としてTIG溶接用ワイヤーにより形成さ
れたワイヤ状インサート材41a,42aを用い、それ
を母材1aの厚肉管に巻き付けて溶接開先22,23内
に配設しており、これについて上記第1実施形態の場合
と同様に電子ビーム溶接を行うことにより、同様の効果
を得ている。
【0021】上記ワイヤ状インサート材41a,42a
に溶接用ワイヤを使用した場合には、インサート材の加
工を行う必要がなく、より高能率に溶接を行うことが可
能である。
【0022】
【実施例】前記本発明の実施の第2形態に係る電子ビー
ム溶接方法について、溶接金属を2層とした場合の具体
的実施内容を図4により以下に説明する。
【0023】図4(a)において、母材1aは、100
mm厚の9/4Cr−1Mo鋼管である。また、ワイヤ状
インサート材41aは、1.6mmΦのTIG溶接用ワイ
ヤである。第1層開先は、ギャップ0mm、厚さ50mmの
突合せ開先であり、第2層開先は、ギャップ3.7mm、
厚さ50mmの突合せ開先である。溶接機には、貫通能力
70mm、ビーム加速電圧70KVの電子ビーム溶接機を
用いた。
【0024】第1層(初層)溶接では、加速電圧70K
V、ビーム電流330mA、ab値は1、溶接速度20
0mm/分の条件で50mm貫通溶接を行った。その後、
1.6mmΦのワイヤ状インサート材41aを一層毎に2
回巻きして、母材1aの表面まで巻き、ワイヤ状インサ
ート材41aを電子ビーム溶接機で母材1aに仮付溶接
35を行った。このときの溶接条件は、加速電圧70K
V、ビーム電流70mA、ab値は1、溶接速度200
mm/分である。
【0025】その後、第2層溶接を3パス行った。その
ときの溶接条件は、加速電圧70KV、ビーム電流35
0mA、ab値は1、溶接速度200mm/分である。以
上の条件で貫通能力70mmの電子ビーム溶接機を用い、
100mm厚の母材1aを2層溶接して突合せ溶接するこ
とができた。
【0026】
【発明の効果】本発明は、電子ビーム溶接機の貫通能力
をこえる厚さの母材を突合せ溶接する電子ビーム溶接方
法において、電子ビーム溶接機の貫通能力以下の厚さ毎
に段が設けられた開先を形成し、第2層以降は開先内に
インサート材を挿入して電子ビーム溶接を行うものとす
ることによって、第2層以降の溶接金属の肉盛高さを初
層のそれに比べて低下させることが不要となり、厚板に
ついての高能率の電子ビーム溶接が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の第1形態に係る電子ビーム溶接
方法の説明図その1で、(a)は開先形成時、(b)は
第1層溶接金属形成時、(c)は第2層インサート材挿
入時、(d)は第2層溶接金属形成時の説明図である。
【図2】上記第1実施形態に係る電子ビーム溶接方法の
説明図その2で、(a)は第3層インサート材挿入時、
(b)は第3層溶接金属形成時の説明図である。
【図3】本発明の実施の第2形態に係る電子ビーム溶接
方法の説明図で、(a)は第2層インサート材挿入時、
(b)は第3層インサート材挿入時の説明図である。
【図4】上記第2実施形態に係る具体的実施例の説明図
で、(a)は第2層インサート材挿入時、(b)は第2
層溶接金属形成時の説明図である。
【図5】従来の電子ビーム溶接方法における第2層溶接
金属形成時の説明図である。
【図6】図5の第2層溶接金属形成部の断面図である。
【符号の説明】
1,1a 母材 21,22,23 溶接開先 31,32,33 溶接金属 35 インサート材仮ビード 41,42 インサート材 41a,42a ワイヤ状インサート材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // B23K 9/02 8315−4E B23K 9/02 Y 9/04 8315−4E 9/04 F

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子ビーム溶接機の貫通能力をこえる厚
    さの母材を溶接するにあたり、母材の開先に電子ビーム
    溶接機の貫通能力以下の厚さ毎に段付き部を形成し、初
    層を溶接したのち、前記段付き部のギャップ内にインサ
    ート材を挿入して溶接することを特徴とする電子ビーム
    溶接方法。
JP20698395A 1995-08-14 1995-08-14 電子ビーム溶接方法 Withdrawn JPH0952183A (ja)

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