JPH0945893A - 温度検出装置、これを搭載した電荷転送装置およびカメラ - Google Patents
温度検出装置、これを搭載した電荷転送装置およびカメラInfo
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- JPH0945893A JPH0945893A JP7194418A JP19441895A JPH0945893A JP H0945893 A JPH0945893 A JP H0945893A JP 7194418 A JP7194418 A JP 7194418A JP 19441895 A JP19441895 A JP 19441895A JP H0945893 A JPH0945893 A JP H0945893A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被測定デバイスのチップへのオンチップ化が
難しく、被測定デバイスの温度を正確に検出できなかっ
た。 【解決手段】 複数個の光電変換部１１からなるセンサ
列１２と、このセンサ列１２から読み出された信号電荷
を転送する電荷転送レジスタ１４と、この電荷転送レジ
スタ１４で転送された信号電荷を電圧に変換する電荷電
圧変換部１７とを具備するＣＣＤリニアセンサ１０にお
いて、電荷転送レジスタ１４における通常の信号電荷の
転送時にはその転送周期に同期してリセットパルスφｒ
ｓｏを発生し、信号電荷の非転送時には転送時よりも長
い周期でリセットパルスφｒｓを発生するリセットパル
ス発生回路１６を設け、信号電荷の転送時には電荷電圧
変換部１７の出力電圧を信号電圧として導出するのに対
し、非転送時には電荷電圧変換部１７の出力電圧を温度
検出電圧として導出する。
難しく、被測定デバイスの温度を正確に検出できなかっ
た。 【解決手段】 複数個の光電変換部１１からなるセンサ
列１２と、このセンサ列１２から読み出された信号電荷
を転送する電荷転送レジスタ１４と、この電荷転送レジ
スタ１４で転送された信号電荷を電圧に変換する電荷電
圧変換部１７とを具備するＣＣＤリニアセンサ１０にお
いて、電荷転送レジスタ１４における通常の信号電荷の
転送時にはその転送周期に同期してリセットパルスφｒ
ｓｏを発生し、信号電荷の非転送時には転送時よりも長
い周期でリセットパルスφｒｓを発生するリセットパル
ス発生回路１６を設け、信号電荷の転送時には電荷電圧
変換部１７の出力電圧を信号電圧として導出するのに対
し、非転送時には電荷電圧変換部１７の出力電圧を温度
検出電圧として導出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温度検出装置、こ
れを搭載した電荷転送装置および温度検出装置を搭載し
た固体撮像装置をＡＦ（オートフォーカス）センサとし
て用いたカメラに関する。
れを搭載した電荷転送装置および温度検出装置を搭載し
た固体撮像装置をＡＦ（オートフォーカス）センサとし
て用いたカメラに関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置、例えばＣＣＤ(Charge Co
upled Device) リニアセンサの用途の１つとして、オー
トフォーカス（以下、ＡＦと略記する）機能を持つカメ
ラに用いるＡＦセンサがある。簡単なＡＦセンサでは、
いわゆる三角測量の原理が用いられる。すなわち、図２
３に示すように、一定の距離Ｌを隔てて２つのレンズ１
０１，１０２を設けるとともに、これらレンズ１０１，
１０２の各々に対して一定の距離ｄをもって２本のＣＣ
Ｄリニアセンサ１０３，１０４を配置する。そして、被
写体Ｐをレンズ１０１，１０２を通してＣＣＤリニアセ
ンサ１０３，１０４上に結像したときの各出力信号に基
づいて結像点Ｐ１，Ｐ２のレンズ１０１，１０２の中心
からの距離Ｘ１，Ｘ２を求め、数１の式を満足するよう
に、レンズ１０１，１０２の光軸方向の位置を自動的に
制御するというものである。
upled Device) リニアセンサの用途の１つとして、オー
トフォーカス（以下、ＡＦと略記する）機能を持つカメ
ラに用いるＡＦセンサがある。簡単なＡＦセンサでは、
いわゆる三角測量の原理が用いられる。すなわち、図２
３に示すように、一定の距離Ｌを隔てて２つのレンズ１
０１，１０２を設けるとともに、これらレンズ１０１，
１０２の各々に対して一定の距離ｄをもって２本のＣＣ
Ｄリニアセンサ１０３，１０４を配置する。そして、被
写体Ｐをレンズ１０１，１０２を通してＣＣＤリニアセ
ンサ１０３，１０４上に結像したときの各出力信号に基
づいて結像点Ｐ１，Ｐ２のレンズ１０１，１０２の中心
からの距離Ｘ１，Ｘ２を求め、数１の式を満足するよう
に、レンズ１０１，１０２の光軸方向の位置を自動的に
制御するというものである。
【数１】Ｄ＝ｄ×｛Ｌ／（Ｘ１＋Ｘ２）｝
【０００３】上述した如きＡＦセンサにおいては、低コ
スト化を図るために、レンズとしてプラスチックレンズ
などを用いているのが一般的である。ところで、最近
は、高精度のＡＦセンサを作製するために、多画素高密
度のＣＣＤリニアセンサを用いる傾向にあり、その場
合、使用するレンズ等の光学系の温度による歪み（収
差）変化などに起因する誤差を無視できなくなるため、
その誤差を補正する必要がでてくる。そのため、温度変
化を検出するための温度検出装置が必要になる。その
際、コスト、スペースなどの観点から、温度検出装置の
ＣＣＤチップにオンチップするのが有利であり、またオ
ンチップ化によってＡＦセンサ自体の温度を正確に測る
ことができるので補正精度も向上できることになる。
スト化を図るために、レンズとしてプラスチックレンズ
などを用いているのが一般的である。ところで、最近
は、高精度のＡＦセンサを作製するために、多画素高密
度のＣＣＤリニアセンサを用いる傾向にあり、その場
合、使用するレンズ等の光学系の温度による歪み（収
差）変化などに起因する誤差を無視できなくなるため、
その誤差を補正する必要がでてくる。そのため、温度変
化を検出するための温度検出装置が必要になる。その
際、コスト、スペースなどの観点から、温度検出装置の
ＣＣＤチップにオンチップするのが有利であり、またオ
ンチップ化によってＡＦセンサ自体の温度を正確に測る
ことができるので補正精度も向上できることになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この温度検出装置とし
て、従来、図２３（ａ），（ｂ）に示すように、ｐｎ接
合ダイオードに定常電流を流し、その順方向オン電圧
（ターンオン電圧）の電圧値の温度による変動を利用す
るようにしたものが知られている。これによれば、ｐｎ
接合ダイオードの順方向オン電圧の電圧値は、シリコン
Ｓｉの場合、常温では約０．７Ｖの接合電圧値を示す
が、常温での測定と同条件（例えば、電流が同じ）下で
温度が上がればこの接合電圧値は減少する。実際には、
ダイオード１個当り約−２ｍＶ／℃程度の変化であるた
め、高精度で温度を検出するためには、図２４（ａ），
（ｂ）に示すように、ダイオードを複数段（本例では、
２段）接続したり、その後段に増幅率の温度依存の少な
い増幅回路を接続する工夫が必要である。
て、従来、図２３（ａ），（ｂ）に示すように、ｐｎ接
合ダイオードに定常電流を流し、その順方向オン電圧
（ターンオン電圧）の電圧値の温度による変動を利用す
るようにしたものが知られている。これによれば、ｐｎ
接合ダイオードの順方向オン電圧の電圧値は、シリコン
Ｓｉの場合、常温では約０．７Ｖの接合電圧値を示す
が、常温での測定と同条件（例えば、電流が同じ）下で
温度が上がればこの接合電圧値は減少する。実際には、
ダイオード１個当り約−２ｍＶ／℃程度の変化であるた
め、高精度で温度を検出するためには、図２４（ａ），
（ｂ）に示すように、ダイオードを複数段（本例では、
２段）接続したり、その後段に増幅率の温度依存の少な
い増幅回路を接続する工夫が必要である。
【０００５】また、他の温度検出装置として、バイポー
ラトランジスタのベース・エミッタ接合電圧ＶBEの電圧
値の温度による変動を利用するようにしたものも知られ
ている。しかしながら、ｐｎ接合ダイオードやバイポー
ラトランジスタを用いた温度検出装置は、当然のことな
がらバイポーラプロセスによって実現されるため、製造
上、ＣＣＤリニアセンサにオンチップするのは困難であ
る。たとえダイオードについてはオンチップできたとし
ても、高精度の増幅回路をオンチップするのは困難であ
る。このような理由から、ＭＯＳプロセスによって実現
できる温度検出装置の開発が望まれている。
ラトランジスタのベース・エミッタ接合電圧ＶBEの電圧
値の温度による変動を利用するようにしたものも知られ
ている。しかしながら、ｐｎ接合ダイオードやバイポー
ラトランジスタを用いた温度検出装置は、当然のことな
がらバイポーラプロセスによって実現されるため、製造
上、ＣＣＤリニアセンサにオンチップするのは困難であ
る。たとえダイオードについてはオンチップできたとし
ても、高精度の増幅回路をオンチップするのは困難であ
る。このような理由から、ＭＯＳプロセスによって実現
できる温度検出装置の開発が望まれている。
【０００６】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、被測定デバイスのチ
ップにオンチップ可能で、かつ被測定デバイスの温度変
化をより正確に検出できる温度検出装置、これを搭載し
た電荷転送装置およびカメラを提供することにある。
であり、その目的とするところは、被測定デバイスのチ
ップにオンチップ可能で、かつ被測定デバイスの温度変
化をより正確に検出できる温度検出装置、これを搭載し
た電荷転送装置およびカメラを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による温度検出装
置では、信号電荷を転送する電荷転送部と、この電荷転
送部で転送された信号電荷を電圧に変換する電荷電圧変
換部とを具備する電荷転送装置において、電荷転送部に
おける通常の信号電荷の転送時にはその転送周期に同期
してリセットパルスを発生し、信号電荷の非転送時には
転送時よりも長い周期でリセットパルスを発生するリセ
ットパルス発生回路を設け、信号電荷の転送時には電荷
電圧変換部の出力電圧を信号電圧として導出するのに対
し、非転送時には電荷電圧変換部の出力電圧を温度検出
電圧として導出する。そして、この温度検出装置を固体
撮像装置に搭載するとともに、この固体撮像装置をオー
トフォーカス機能を持つカメラのＡＦセンサとして用い
る。
置では、信号電荷を転送する電荷転送部と、この電荷転
送部で転送された信号電荷を電圧に変換する電荷電圧変
換部とを具備する電荷転送装置において、電荷転送部に
おける通常の信号電荷の転送時にはその転送周期に同期
してリセットパルスを発生し、信号電荷の非転送時には
転送時よりも長い周期でリセットパルスを発生するリセ
ットパルス発生回路を設け、信号電荷の転送時には電荷
電圧変換部の出力電圧を信号電圧として導出するのに対
し、非転送時には電荷電圧変換部の出力電圧を温度検出
電圧として導出する。そして、この温度検出装置を固体
撮像装置に搭載するとともに、この固体撮像装置をオー
トフォーカス機能を持つカメラのＡＦセンサとして用い
る。
【０００８】本発明による他の温度検出装置では、信号
電荷を転送する第１の電荷転送部と、この第１の電荷転
送部で転送された信号電荷を電圧に変換する第２の電荷
電圧変換部とを具備する電荷転送装置において、第１の
電荷転送部と同一チップ上に暗電流電荷を転送する第２
の電荷転送部を作製し、この第２の電荷転送部で転送さ
れた電荷を第２の電荷電圧変換部で電圧に変換し、その
出力電圧を温度検出電圧として導出する。そして、この
温度検出装置を固体撮像装置に搭載するとともに、この
固体撮像装置をオートフォーカス機能を持つカメラのＡ
Ｆセンサとして用いる。
電荷を転送する第１の電荷転送部と、この第１の電荷転
送部で転送された信号電荷を電圧に変換する第２の電荷
電圧変換部とを具備する電荷転送装置において、第１の
電荷転送部と同一チップ上に暗電流電荷を転送する第２
の電荷転送部を作製し、この第２の電荷転送部で転送さ
れた電荷を第２の電荷電圧変換部で電圧に変換し、その
出力電圧を温度検出電圧として導出する。そして、この
温度検出装置を固体撮像装置に搭載するとともに、この
固体撮像装置をオートフォーカス機能を持つカメラのＡ
Ｆセンサとして用いる。
【０００９】本発明によるさらに他の温度検出装置で
は、ＭＯＳトランジスタを作製し、このＭＯＳトランジ
スタに対して微小電流を供給する一方、このＭＯＳトラ
ンジスタのゲート下の空乏時のポテンシャルを検出し、
温度検出電圧として出力する。そして、この温度検出装
置を電荷転送装置のチップ上に作製する。また、この温
度検出装置を同一チップ上に作製した固体撮像装置をオ
ートフォーカス機能を持つカメラのＡＦセンサとして用
いる。
は、ＭＯＳトランジスタを作製し、このＭＯＳトランジ
スタに対して微小電流を供給する一方、このＭＯＳトラ
ンジスタのゲート下の空乏時のポテンシャルを検出し、
温度検出電圧として出力する。そして、この温度検出装
置を電荷転送装置のチップ上に作製する。また、この温
度検出装置を同一チップ上に作製した固体撮像装置をオ
ートフォーカス機能を持つカメラのＡＦセンサとして用
いる。
【０００１０】本発明によるさらに他の温度検出装置で
は、ＭＯＳトランジスタを作製し、このＭＯＳトランジ
スタに対して微小電流を供給する一方、このＭＯＳトラ
ンジスタのゲート下の空乏時のポテンシャルを検出し、
この空乏時のポテンシャルを所定の基準電圧になるよう
にフィードバック制御するとともに、温度検出電圧とし
て出力する。そして、この温度検出装置を電荷転送装置
のチップ上に作製する。また、この温度検出装置を同一
チップ上に作製した固体撮像装置をオートフォーカス機
能を持つカメラのＡＦセンサとして用いる。
は、ＭＯＳトランジスタを作製し、このＭＯＳトランジ
スタに対して微小電流を供給する一方、このＭＯＳトラ
ンジスタのゲート下の空乏時のポテンシャルを検出し、
この空乏時のポテンシャルを所定の基準電圧になるよう
にフィードバック制御するとともに、温度検出電圧とし
て出力する。そして、この温度検出装置を電荷転送装置
のチップ上に作製する。また、この温度検出装置を同一
チップ上に作製した固体撮像装置をオートフォーカス機
能を持つカメラのＡＦセンサとして用いる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は、本発明の
第１の実施形態に係る温度検出装置を搭載した例えばＣ
ＣＤリニアセンサを示す構成図である。図１において、
ＣＣＤリニアセンサ１０は、入射光をその光量に応じた
電荷量の信号電荷に変換して蓄積する光電変換部（画
素）１１が複数個（例えば、２０００画素分）一次元的
に配列されてなるセンサ列１２と、このセンサ列１２の
各受光部１１から読み出しゲート部１３を介して読み出
された信号電荷を一方向に転送するＣＣＤからなる電荷
転送レジスタ１４とを有する構成となっている。
て図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は、本発明の
第１の実施形態に係る温度検出装置を搭載した例えばＣ
ＣＤリニアセンサを示す構成図である。図１において、
ＣＣＤリニアセンサ１０は、入射光をその光量に応じた
電荷量の信号電荷に変換して蓄積する光電変換部（画
素）１１が複数個（例えば、２０００画素分）一次元的
に配列されてなるセンサ列１２と、このセンサ列１２の
各受光部１１から読み出しゲート部１３を介して読み出
された信号電荷を一方向に転送するＣＣＤからなる電荷
転送レジスタ１４とを有する構成となっている。
【００１２】この構成において、読み出しゲート部１３
による信号電荷の読み出しは、外部から読み出しゲート
パルスφＲＯＧが与えられることによって行われる。ま
た、電荷転送レジスタ１４は、転送クロックφ１，φ２
によって２相駆動される。この２相の転送クロックφ
１，φ２は、センサ列１２、読み出しゲート部１３およ
び電荷転送レジスタ１４が作製されたＣＣＤチップにオ
ンチップにて作製されたタイミング発生回路１５におい
て、外部から与えられる基準クロックφＣＬＫに基づい
て生成される。このタイミング発生回路１５には、後述
するリセットパルスφｒｓを発生するリセットパルス発
生回路１６が内蔵されている。
による信号電荷の読み出しは、外部から読み出しゲート
パルスφＲＯＧが与えられることによって行われる。ま
た、電荷転送レジスタ１４は、転送クロックφ１，φ２
によって２相駆動される。この２相の転送クロックφ
１，φ２は、センサ列１２、読み出しゲート部１３およ
び電荷転送レジスタ１４が作製されたＣＣＤチップにオ
ンチップにて作製されたタイミング発生回路１５におい
て、外部から与えられる基準クロックφＣＬＫに基づい
て生成される。このタイミング発生回路１５には、後述
するリセットパルスφｒｓを発生するリセットパルス発
生回路１６が内蔵されている。
【００１３】電荷転送レジスタ１４の転送先側の端部に
は、この電荷転送レジスタ１４にて転送された信号電荷
を検出して電圧に変換する例えばフローティング・ディ
フュージョン・アンプ構成の電荷電圧変換部１７が設け
られている。この電荷電圧変換部１７の後段には、例え
ばソースフォロワ回路からなるバッファ１８が設けられ
ている。このバッファ１８も、タイミング発生回路１５
と同様に、ＣＣＤチップにオンチップにて作製されてい
る。以上により、ＣＣＤリニアセンサ１０が構成されて
おり、その出力信号ＶｏｕｔはＣＣＤチップ外に設けら
れたＡＤコンバータ１９にてディジタル化される。
は、この電荷転送レジスタ１４にて転送された信号電荷
を検出して電圧に変換する例えばフローティング・ディ
フュージョン・アンプ構成の電荷電圧変換部１７が設け
られている。この電荷電圧変換部１７の後段には、例え
ばソースフォロワ回路からなるバッファ１８が設けられ
ている。このバッファ１８も、タイミング発生回路１５
と同様に、ＣＣＤチップにオンチップにて作製されてい
る。以上により、ＣＣＤリニアセンサ１０が構成されて
おり、その出力信号ＶｏｕｔはＣＣＤチップ外に設けら
れたＡＤコンバータ１９にてディジタル化される。
【００１４】図２は、電荷電圧変換部１７の周辺部分の
構成図である。図２において、電荷電圧変換部１７は、
Ｎ型半導体基板２１の上のＰウェル２２の表面側に形成
されたＮ＋型拡散層からなるフローティング・ディフュ
ージョン（ＦＤ）２３およびリセットドレイン（ＲＤ）
２４と、それらの間のＮ型拡散層の上方に配されたゲー
ト電極２５とからなり、リセットドレイン２４には所定
の電圧ＶＲＤが印加された構成となっており、フローテ
ィング・ディフュージョン２３には電荷転送レジスタ１
４から信号電荷が注入され、ゲート電極２５には先述し
たリセットパルスφｒｓが印加されるようになってい
る。
構成図である。図２において、電荷電圧変換部１７は、
Ｎ型半導体基板２１の上のＰウェル２２の表面側に形成
されたＮ＋型拡散層からなるフローティング・ディフュ
ージョン（ＦＤ）２３およびリセットドレイン（ＲＤ）
２４と、それらの間のＮ型拡散層の上方に配されたゲー
ト電極２５とからなり、リセットドレイン２４には所定
の電圧ＶＲＤが印加された構成となっており、フローテ
ィング・ディフュージョン２３には電荷転送レジスタ１
４から信号電荷が注入され、ゲート電極２５には先述し
たリセットパルスφｒｓが印加されるようになってい
る。
【００１５】なお、電荷電圧変換部１７としては、フロ
ーティング・ディフュージョン・アンプ構成のものに限
らず、フローティングゲート構成のものなどであっても
良いことは勿論である。この電荷電圧変換部１７の出力
電圧、即ちフローティング・ディフュージョン２３から
のＦＤ電圧ＶＦＤは、次段のバッファ１８に供給され
る。このバッファ１８は、入力段を構成する例えば２段
のソースフォロワ回路２６と、その出力をサンプルホー
ルドパルスφＳＨでサンプルホールド（Ｓ／Ｈ）するサ
ンプルホールド回路２７と、そのサンプルホールド出力
をＣＣＤリニアセンサ１０の出力信号Ｖｏｕｔとして導
出する出力段を構成するソースフォロワ回路２８とから
構成されている。
ーティング・ディフュージョン・アンプ構成のものに限
らず、フローティングゲート構成のものなどであっても
良いことは勿論である。この電荷電圧変換部１７の出力
電圧、即ちフローティング・ディフュージョン２３から
のＦＤ電圧ＶＦＤは、次段のバッファ１８に供給され
る。このバッファ１８は、入力段を構成する例えば２段
のソースフォロワ回路２６と、その出力をサンプルホー
ルドパルスφＳＨでサンプルホールド（Ｓ／Ｈ）するサ
ンプルホールド回路２７と、そのサンプルホールド出力
をＣＣＤリニアセンサ１０の出力信号Ｖｏｕｔとして導
出する出力段を構成するソースフォロワ回路２８とから
構成されている。
【００１６】上記構成のＣＣＤリニアセンサ１０におい
て、本発明の第１の実施形態では、暗電流（ダーク電
流）を利用して温度を検出するようにしている。ところ
で、ＣＣＤの暗電流は、ＣＣＤの発案当初から問題とな
っている物性的な要素である。この暗電流は、時間や温
度や界面の表面準位密度および欠陥密度（ウエハプロセ
ス）などに依存し、時間に対してはリニアに増加し、温
度に対しては指数関数で比例する。実験的には、約８〜
１０℃の増加で約２倍の電流値になる。また、密度に依
存するということは、ＣＣＤとしてのアクティブ領域
（空乏化領域）の面積を大きくすると増加するというこ
とである。
て、本発明の第１の実施形態では、暗電流（ダーク電
流）を利用して温度を検出するようにしている。ところ
で、ＣＣＤの暗電流は、ＣＣＤの発案当初から問題とな
っている物性的な要素である。この暗電流は、時間や温
度や界面の表面準位密度および欠陥密度（ウエハプロセ
ス）などに依存し、時間に対してはリニアに増加し、温
度に対しては指数関数で比例する。実験的には、約８〜
１０℃の増加で約２倍の電流値になる。また、密度に依
存するということは、ＣＣＤとしてのアクティブ領域
（空乏化領域）の面積を大きくすると増加するというこ
とである。
【００１７】通常のＣＣＤの場合は、暗電流は数ｎＡ／
ｃｍ2 以下という微小電流である。また、最近のフロー
ティング・ディフュージョンの変換効率の上昇により、
出力電圧としては数ｍＶ程度の暗時出力電圧（ただし、
センサダーク）として出力されるものもある。しかし、
それでも温度検出出力として取り扱うには、出力レベル
として小さい。そこで、本実施形態では、電荷転送レジ
スタ１４の暗電流を電荷電圧検出部１７のフローティン
グ・ディフュージョン２３に集め、大きな温度検出出力
を取り出すようにしている。
ｃｍ2 以下という微小電流である。また、最近のフロー
ティング・ディフュージョンの変換効率の上昇により、
出力電圧としては数ｍＶ程度の暗時出力電圧（ただし、
センサダーク）として出力されるものもある。しかし、
それでも温度検出出力として取り扱うには、出力レベル
として小さい。そこで、本実施形態では、電荷転送レジ
スタ１４の暗電流を電荷電圧検出部１７のフローティン
グ・ディフュージョン２３に集め、大きな温度検出出力
を取り出すようにしている。
【００１８】これを実現するために、図１のリセットパ
ルス発生回路１６において、通常信号出力時は各信号電
荷の転送前にリセットパルスφｒｓを発生させるのに対
し、温度検出時はリセットパルスφｒｓを大きく間引い
て発生させるようにする。具体的には、通常信号出力時
は各信号電荷転送前に電荷電圧変換部１７のフローティ
ング・ディフュージョン２３を所定の電位ＶＲＤにリセ
ットするためにリセットパルスφｒｓを立てるが、温度
検出時はフローティング・ディフュージョン２３に暗電
流を集める意味でリセットパルスφｒｓを大きく間引く
ようにする。このとき、図２に示したように、バッファ
１８内にサンプルホールド回路２７を設けた構成の場合
には、サンプルホールドパルスφＳＨも同様に間引くよ
うにする必要がある。
ルス発生回路１６において、通常信号出力時は各信号電
荷の転送前にリセットパルスφｒｓを発生させるのに対
し、温度検出時はリセットパルスφｒｓを大きく間引い
て発生させるようにする。具体的には、通常信号出力時
は各信号電荷転送前に電荷電圧変換部１７のフローティ
ング・ディフュージョン２３を所定の電位ＶＲＤにリセ
ットするためにリセットパルスφｒｓを立てるが、温度
検出時はフローティング・ディフュージョン２３に暗電
流を集める意味でリセットパルスφｒｓを大きく間引く
ようにする。このとき、図２に示したように、バッファ
１８内にサンプルホールド回路２７を設けた構成の場合
には、サンプルホールドパルスφＳＨも同様に間引くよ
うにする必要がある。
【００１９】このように、温度検出時には、リセットパ
ルスφｒｓを大きく間引くことにより、電荷転送レジス
タ１４の複数段の暗電流電荷の転送を行ってフローティ
ング・ディフュージョン２３に集め、ここで加算できる
ため、大きな暗電流出力を得ることができる。一例とし
て、２０００画素のＣＣＤリニアセンサにおいて、例え
ば１列の信号期間ごとに１回リセットパルスφｒｓをリ
セットパルス発生回路１６から発生させるようにすれ
ば、通常の２０００倍の暗電流電荷がフローティング・
ディフュージョン２３に集まることになる。ただし、温
度検出時には、センサ列１２からの信号電荷の読み出し
は行わないようにする、即ち読み出しゲートパルスφＲ
ＯＧを停止する必要がある。また、転送パルスφ１，φ
２については、通常の信号出力時と同様とする。
ルスφｒｓを大きく間引くことにより、電荷転送レジス
タ１４の複数段の暗電流電荷の転送を行ってフローティ
ング・ディフュージョン２３に集め、ここで加算できる
ため、大きな暗電流出力を得ることができる。一例とし
て、２０００画素のＣＣＤリニアセンサにおいて、例え
ば１列の信号期間ごとに１回リセットパルスφｒｓをリ
セットパルス発生回路１６から発生させるようにすれ
ば、通常の２０００倍の暗電流電荷がフローティング・
ディフュージョン２３に集まることになる。ただし、温
度検出時には、センサ列１２からの信号電荷の読み出し
は行わないようにする、即ち読み出しゲートパルスφＲ
ＯＧを停止する必要がある。また、転送パルスφ１，φ
２については、通常の信号出力時と同様とする。
【００２０】図３は、電荷転送レジスタ１４の最終段の
転送パルスφ２、リセットパルスφｒｓ、フローティン
グ・ディフュージョン２３の出力電圧ＶＦＤ、サンプル
ホールドパルスφＳＨおよびＣＣＤリニアセンサ１０の
出力信号Ｖｏｕｔのタイミングチャートであり、（ａ）
は通常信号出力時のものを、（ｂ）は温度検出時のもの
をそれぞれ示している。また、図４に、フローティング
・ディフュージョン２３の付近の断面ポテンシャルを示
す。図４から明らかなように、通常信号転送時（ａ）に
は、信号電荷に微小な暗電流電荷が加わったものになる
のに対し、温度検出時（ｂ）には、微小な暗電流電荷が
複数段分だけ加算されたものになる。
転送パルスφ２、リセットパルスφｒｓ、フローティン
グ・ディフュージョン２３の出力電圧ＶＦＤ、サンプル
ホールドパルスφＳＨおよびＣＣＤリニアセンサ１０の
出力信号Ｖｏｕｔのタイミングチャートであり、（ａ）
は通常信号出力時のものを、（ｂ）は温度検出時のもの
をそれぞれ示している。また、図４に、フローティング
・ディフュージョン２３の付近の断面ポテンシャルを示
す。図４から明らかなように、通常信号転送時（ａ）に
は、信号電荷に微小な暗電流電荷が加わったものになる
のに対し、温度検出時（ｂ）には、微小な暗電流電荷が
複数段分だけ加算されたものになる。
【００２１】このようにして得られた暗電流は、前にも
述べたように、約８〜１０℃で倍の温度特性を持ち、図
５に示すような温度特性を示す。バッファ１８の動作電
圧範囲を大きく設定すれば、−２０℃で２０ｍＶ、６０
℃で４Ｖ程度の出力に対応できる。理論的にこのような
安定した傾きを示すため、ＣＣＤリニアセンサ１０の後
段での信号処理にてある基準温度時の出力を記憶してお
けば、温度を正確に見積もることができる。
述べたように、約８〜１０℃で倍の温度特性を持ち、図
５に示すような温度特性を示す。バッファ１８の動作電
圧範囲を大きく設定すれば、−２０℃で２０ｍＶ、６０
℃で４Ｖ程度の出力に対応できる。理論的にこのような
安定した傾きを示すため、ＣＣＤリニアセンサ１０の後
段での信号処理にてある基準温度時の出力を記憶してお
けば、温度を正確に見積もることができる。
【００２２】図６は、リセットパルス発生回路１６の具
体的な構成の一例を示すブロック図である。このリセッ
トパルス発生回路１６は、読み出しゲートパルスφＲＯ
ＧをＣＬ（クリア）入力とし、転送クロックφ１を分周
して２０４８分周出力Ｖａおよび１０２４分周出力Ｖｂ
を出力する分周回路３１と、２０４８分周出力Ｖａと図
１のタイミング発生回路１５において通常のタイミング
で発生されるリセットパルスφｒｓｏとを２入力とする
ＡＮＤゲート３２と、１０２４分周出力ＶｂをＤ入力、
リセットパルスφｒｓｏをＣＫ（クロック）入力とする
Ｄフリップフロップ３３と、このＤフリップフロップ３
３の正相出力ＶｃをＤ入力、リセットパルスφｒｓｏを
ＣＫ入力するＤフリップフロップ３４と、Ｄフリップフ
ロップ３３，３４の正相出力Ｖｃ，逆相出力Ｖｄを２入
力とするＯＲゲート３５と、２０４８分周出力Ｖａを反
転するインバータ３６と、このインバータ３６の反転出
力およびＯＲゲート３５の出力Ｖｅを２入力とするＡＮ
Ｄゲート３７と、ＡＮＤゲート３７，３２の各出力Ｖ
ｆ，Ｖｇを２入力とし、リセットパルスφｒｓを出力す
るＯＲゲート３８とから構成されている。
体的な構成の一例を示すブロック図である。このリセッ
トパルス発生回路１６は、読み出しゲートパルスφＲＯ
ＧをＣＬ（クリア）入力とし、転送クロックφ１を分周
して２０４８分周出力Ｖａおよび１０２４分周出力Ｖｂ
を出力する分周回路３１と、２０４８分周出力Ｖａと図
１のタイミング発生回路１５において通常のタイミング
で発生されるリセットパルスφｒｓｏとを２入力とする
ＡＮＤゲート３２と、１０２４分周出力ＶｂをＤ入力、
リセットパルスφｒｓｏをＣＫ（クロック）入力とする
Ｄフリップフロップ３３と、このＤフリップフロップ３
３の正相出力ＶｃをＤ入力、リセットパルスφｒｓｏを
ＣＫ入力するＤフリップフロップ３４と、Ｄフリップフ
ロップ３３，３４の正相出力Ｖｃ，逆相出力Ｖｄを２入
力とするＯＲゲート３５と、２０４８分周出力Ｖａを反
転するインバータ３６と、このインバータ３６の反転出
力およびＯＲゲート３５の出力Ｖｅを２入力とするＡＮ
Ｄゲート３７と、ＡＮＤゲート３７，３２の各出力Ｖ
ｆ，Ｖｇを２入力とし、リセットパルスφｒｓを出力す
るＯＲゲート３８とから構成されている。
【００２３】なお、図６の回路例では、リセットパルス
φｒｓのみを生成する場合について説明したが、図２に
示したように、バッファ１８内にサンプルホールド回路
２７を設けた構成の場合には、サンプルホールドパルス
φＳＨについても同様にして生成することができる。ま
た、リセットパルス発生回路１６については、図６の回
路構成に限らず、カウンタやシフトレジスタやデコーダ
を用いて実現することも可能である。図７は、図６の各
部の信号のタイミングチャートである。この例の場合に
は、転送クロックφ１の２０４８分周出力Ｖａの１周期
の前半が画素信号出力期間、又その後半においてリセッ
トパルスφｒｓが発生されるまでが暗電流の蓄積期間、
リセットパルスφｒｓの発生以降が温度検出期間とな
る。
φｒｓのみを生成する場合について説明したが、図２に
示したように、バッファ１８内にサンプルホールド回路
２７を設けた構成の場合には、サンプルホールドパルス
φＳＨについても同様にして生成することができる。ま
た、リセットパルス発生回路１６については、図６の回
路構成に限らず、カウンタやシフトレジスタやデコーダ
を用いて実現することも可能である。図７は、図６の各
部の信号のタイミングチャートである。この例の場合に
は、転送クロックφ１の２０４８分周出力Ｖａの１周期
の前半が画素信号出力期間、又その後半においてリセッ
トパルスφｒｓが発生されるまでが暗電流の蓄積期間、
リセットパルスφｒｓの発生以降が温度検出期間とな
る。
【００２４】図８は、本発明の第２の実施形態に係る温
度検出装置を搭載した例えばＣＣＤリニアセンサを示す
構成図である。第１の実施形態では、信号電荷を転送す
るための電荷転送レジスタ１４を温度検出に利用したの
に対し、第２の実施形態においては、温度検出専用に電
荷転送レジスタ４１を設けた構成としている。すなわ
ち、図８において、信号電荷を転送するための電荷転送
レジスタ１４と同一のＣＣＤチップ上に、例えば電荷転
送レジスタ１４と同一段数の電荷転送レジスタ４１を形
成するとともに、その転送先側の端部に電荷電圧変換部
４２を設け、さらにその後段にバッファ４３を配する。
そして、電荷電圧変換部１７にはリセットパルスφｒｓ
ｏを、電荷電圧変換部４２にはリセットパルスφｒｓを
それぞれリセットパルス発生回路１６から与える構成と
する。
度検出装置を搭載した例えばＣＣＤリニアセンサを示す
構成図である。第１の実施形態では、信号電荷を転送す
るための電荷転送レジスタ１４を温度検出に利用したの
に対し、第２の実施形態においては、温度検出専用に電
荷転送レジスタ４１を設けた構成としている。すなわ
ち、図８において、信号電荷を転送するための電荷転送
レジスタ１４と同一のＣＣＤチップ上に、例えば電荷転
送レジスタ１４と同一段数の電荷転送レジスタ４１を形
成するとともに、その転送先側の端部に電荷電圧変換部
４２を設け、さらにその後段にバッファ４３を配する。
そして、電荷電圧変換部１７にはリセットパルスφｒｓ
ｏを、電荷電圧変換部４２にはリセットパルスφｒｓを
それぞれリセットパルス発生回路１６から与える構成と
する。
【００２５】ここで、一例として、２０００画素のＣＣ
Ｄリニアセンサにおいて、例えば１列の信号期間ごとに
１回リセットパルスφｒｓがリセットパルス発生回路１
６から発生されるものとすると、電荷転送レジスタ４１
の各段で発生した暗電流電荷が転送クロックφ１，φ２
によって順次電荷電圧変換部４２に転送され、そのＦＤ
部で加算される。したがって、通常の２０００倍の暗電
流電荷がＦＤ部に集まるため、大きな温度検出出力Ｖｏ
ｕｔ′として取り出すことができる。特に、電荷転送レ
ジスタ４１を温度検出専用に設けたことにより、常時温
度検出が可能となるため、例えば電荷電圧変換部１７の
信号電荷の転送期間中であっても温度検出出力Ｖｏｕ
ｔ′を得ることができる。
Ｄリニアセンサにおいて、例えば１列の信号期間ごとに
１回リセットパルスφｒｓがリセットパルス発生回路１
６から発生されるものとすると、電荷転送レジスタ４１
の各段で発生した暗電流電荷が転送クロックφ１，φ２
によって順次電荷電圧変換部４２に転送され、そのＦＤ
部で加算される。したがって、通常の２０００倍の暗電
流電荷がＦＤ部に集まるため、大きな温度検出出力Ｖｏ
ｕｔ′として取り出すことができる。特に、電荷転送レ
ジスタ４１を温度検出専用に設けたことにより、常時温
度検出が可能となるため、例えば電荷電圧変換部１７の
信号電荷の転送期間中であっても温度検出出力Ｖｏｕ
ｔ′を得ることができる。
【００２６】なお、この第２の実施形態の場合には、電
荷転送レジスタ４１の転送段を電荷転送レジスタ１４の
それと同数に設定するとしたが、これに限定されるもの
ではなく、もっと少ない段数にすることも可能である。
少なくした場合には、電荷転送レジスタ４１の各転送段
の容量を電荷転送レジスタ１４のそれよりも大きくす
る、例えば転送段数を１／１０にしたら、転送段の容量
を１０倍に設定することで、レベル的に同程度の温度検
出出力Ｖｏｕｔ′を得ることができる。また、バッファ
４３を省略して電荷電圧変換部１７，４２の各出力電圧
を選択的にバッファ１８に供給するように構成すること
も可能である。これによれば、出力系を１系統にするこ
とができる。
荷転送レジスタ４１の転送段を電荷転送レジスタ１４の
それと同数に設定するとしたが、これに限定されるもの
ではなく、もっと少ない段数にすることも可能である。
少なくした場合には、電荷転送レジスタ４１の各転送段
の容量を電荷転送レジスタ１４のそれよりも大きくす
る、例えば転送段数を１／１０にしたら、転送段の容量
を１０倍に設定することで、レベル的に同程度の温度検
出出力Ｖｏｕｔ′を得ることができる。また、バッファ
４３を省略して電荷電圧変換部１７，４２の各出力電圧
を選択的にバッファ１８に供給するように構成すること
も可能である。これによれば、出力系を１系統にするこ
とができる。
【００２７】また、上記第１，第２の実施形態では、Ｃ
ＣＤリニアセンサに適用した場合について説明したが、
これに限定されるものではなく、ＣＣＤエリアセンサや
ＣＣＤ遅延素子等も含めて空乏化を行い信号電荷を取り
扱う電荷転送装置全般に適用可能である。
ＣＤリニアセンサに適用した場合について説明したが、
これに限定されるものではなく、ＣＣＤエリアセンサや
ＣＣＤ遅延素子等も含めて空乏化を行い信号電荷を取り
扱う電荷転送装置全般に適用可能である。
【００２８】図９は、本発明の第３の実施形態に係る温
度検出装置を搭載した例えばＣＣＤリニアセンサを示す
構成図であり、図中、図１と同等部分には同一符号を付
して示してある。本実施形態では、センサ列１２、読み
出しゲート部１３、電荷転送レジスタ１４、タイミング
発生回路１５および電荷電圧変換部１８と同一のチップ
（基板）上に、ＭＯＳプロセスを用いてポテンシャル‐
電圧変換回路５１を作製し、ＭＯＳトランジスタの閾値
電圧Ｖｔｈの温度変化を利用する構成となっている。す
なわち、ＭＯＳトランジスタでの温度依存のパラメータ
として閾値電圧Ｖｔｈとドレイン・ソース電流Ｉｄｓが
あるが、閾値電圧Ｖｔｈ（ポテンシャルと同等）の温度
変化を利用しようというものである。
度検出装置を搭載した例えばＣＣＤリニアセンサを示す
構成図であり、図中、図１と同等部分には同一符号を付
して示してある。本実施形態では、センサ列１２、読み
出しゲート部１３、電荷転送レジスタ１４、タイミング
発生回路１５および電荷電圧変換部１８と同一のチップ
（基板）上に、ＭＯＳプロセスを用いてポテンシャル‐
電圧変換回路５１を作製し、ＭＯＳトランジスタの閾値
電圧Ｖｔｈの温度変化を利用する構成となっている。す
なわち、ＭＯＳトランジスタでの温度依存のパラメータ
として閾値電圧Ｖｔｈとドレイン・ソース電流Ｉｄｓが
あるが、閾値電圧Ｖｔｈ（ポテンシャルと同等）の温度
変化を利用しようというものである。
【００２９】図１０（ａ）にＮＭＯＳを用いたポテンシ
ャル‐電圧変換回路の回路例を、図１０（ｂ）にＰＭＯ
Ｓを用いたポテンシャル‐電圧変換回路の回路例をそれ
ぞれ示す。これらポテンシャル‐電圧変換回路５１は、
電源Ｖｄｄと接地間に直列に接続された駆動側ＭＯＳト
ランジスタＭ１および負荷側ＭＯＳトランジスタＭ２
と、電源Ｖｄｄと接地間に直列に接続されて負荷側ＭＯ
ＳトランジスタＭ２のゲートにバイアス電圧Ｖｇｇを与
えるダイオード接続のＭＯＳトランジスタＭ３，Ｍ４と
から構成されている。図１１（ａ），（ｂ）に、ポテン
シャル‐電圧変換回路５１におけるＭＯＳトランジスタ
Ｍ１，Ｍ２の部分の断面図およびポテンシャル図を示
す。
ャル‐電圧変換回路の回路例を、図１０（ｂ）にＰＭＯ
Ｓを用いたポテンシャル‐電圧変換回路の回路例をそれ
ぞれ示す。これらポテンシャル‐電圧変換回路５１は、
電源Ｖｄｄと接地間に直列に接続された駆動側ＭＯＳト
ランジスタＭ１および負荷側ＭＯＳトランジスタＭ２
と、電源Ｖｄｄと接地間に直列に接続されて負荷側ＭＯ
ＳトランジスタＭ２のゲートにバイアス電圧Ｖｇｇを与
えるダイオード接続のＭＯＳトランジスタＭ３，Ｍ４と
から構成されている。図１１（ａ），（ｂ）に、ポテン
シャル‐電圧変換回路５１におけるＭＯＳトランジスタ
Ｍ１，Ｍ２の部分の断面図およびポテンシャル図を示
す。
【００３０】ここで、ＮＭＯＳを用いたポテンシャル‐
電圧変換回路５１の場合を例にとって説明する。ＭＯＳ
トランジスタＭ１，Ｍ２のチャネル幅をＷ１，Ｗ２、チ
ャネル長をＬ１，Ｌ２とした場合において、Ｗ１＝Ｗ２
とし、Ｌ１を小さく、Ｌ２を大きく設定する。一例とし
て、Ｌ２／Ｌ１＝１００程度とする。これにより、負荷
側ＭＯＳトランジスタＭ２には微小電流が流れ、これに
伴って駆動側ＭＯＳトランジスタＭ１に流れる電流も微
小電流となるため、ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート下
のチャネルのポテンシャルＶｎがそのまま出力電圧Ｖｏ
ｕｔとなる。すなわち、上述した如きサイズ比を設定す
ることで、ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート下の空乏時
のポテンシャルを出力電圧Ｖｏｕｔとして検出できる。
電圧変換回路５１の場合を例にとって説明する。ＭＯＳ
トランジスタＭ１，Ｍ２のチャネル幅をＷ１，Ｗ２、チ
ャネル長をＬ１，Ｌ２とした場合において、Ｗ１＝Ｗ２
とし、Ｌ１を小さく、Ｌ２を大きく設定する。一例とし
て、Ｌ２／Ｌ１＝１００程度とする。これにより、負荷
側ＭＯＳトランジスタＭ２には微小電流が流れ、これに
伴って駆動側ＭＯＳトランジスタＭ１に流れる電流も微
小電流となるため、ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート下
のチャネルのポテンシャルＶｎがそのまま出力電圧Ｖｏ
ｕｔとなる。すなわち、上述した如きサイズ比を設定す
ることで、ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート下の空乏時
のポテンシャルを出力電圧Ｖｏｕｔとして検出できる。
【００３１】ＮＭＯＳを用いたポテンシャル‐電圧変換
回路（図１０（ａ）の回路）の入出力特性を図１２に示
す。この入出力特性は、Ｖｔｈ＝１Ｖの場合の例であ
る。傾きが１でないのは、バックゲート効果等によるも
のである。また、図１３に、Ｖｉｎ＝３Ｖの場合の実際
の温度特性例を示す。この特性図において、温度変化は
−２０〜６０℃間で０．１〜０．２Ｖ程度であるため、
約２ｍＶ／℃の温度係数となる。この温度係数では検出
精度を出しにくいため、実用的には、このポテンシャル
‐電圧変換回路（ＰＶＣ）５１を数段カスケード接続し
て使用するのが好ましい。
回路（図１０（ａ）の回路）の入出力特性を図１２に示
す。この入出力特性は、Ｖｔｈ＝１Ｖの場合の例であ
る。傾きが１でないのは、バックゲート効果等によるも
のである。また、図１３に、Ｖｉｎ＝３Ｖの場合の実際
の温度特性例を示す。この特性図において、温度変化は
−２０〜６０℃間で０．１〜０．２Ｖ程度であるため、
約２ｍＶ／℃の温度係数となる。この温度係数では検出
精度を出しにくいため、実用的には、このポテンシャル
‐電圧変換回路（ＰＶＣ）５１を数段カスケード接続し
て使用するのが好ましい。
【００３２】図１４に、ポテンシャル‐電圧変換回路を
３段カスケード接続した場合の温度検出装置の構成を示
す。図１４において、１段目のポテンシャル‐電圧変換
回路５１-1の入力端には基準電圧（温度や電源電圧Ｖｄ
ｄ等に影響を受けない電圧）を印加し、３段目のポテン
シャル‐電圧変換回路５１-3の出力電圧を検出出力とし
て導出する。そして、この検出電圧をＣＣＤチップ外に
設けられたＡＤコンバータ５２でディジタル化し、演算
処理回路５３においてＲＯＭ５４に予め格納されている
温度係数‐常温での出力電圧のテーブルを用いてＡＤコ
ンバータ５２の出力データから温度を計算し、この検出
した温度情報を出力するようにする。
３段カスケード接続した場合の温度検出装置の構成を示
す。図１４において、１段目のポテンシャル‐電圧変換
回路５１-1の入力端には基準電圧（温度や電源電圧Ｖｄ
ｄ等に影響を受けない電圧）を印加し、３段目のポテン
シャル‐電圧変換回路５１-3の出力電圧を検出出力とし
て導出する。そして、この検出電圧をＣＣＤチップ外に
設けられたＡＤコンバータ５２でディジタル化し、演算
処理回路５３においてＲＯＭ５４に予め格納されている
温度係数‐常温での出力電圧のテーブルを用いてＡＤコ
ンバータ５２の出力データから温度を計算し、この検出
した温度情報を出力するようにする。
【００３３】図１５に、ポテンシャル‐電圧変換回路５
１の他の構成例として、ＰＭＯＳを用いた場合の回路例
を示す。図１５において、（ａ）はＭＯＳトランジスタ
Ｍ１に対して負荷抵抗Ｒを直列に接続した構成となって
おり、（ｂ）はＭＯＳトランジスタＭ１に対して定電流
源Ｉを直列に接続した構成となっている。これらの回路
例に示すように、基本的に、１個のＭＯＳトランジスタ
Ｍ１と、これに微小電流を流す回路を設けた構成とする
ことにより、ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート下の空乏
時のポテンシャルを出力電圧Ｖｏｕｔとして検出可能な
ポテンシャル‐電圧変換回路５１を構成することができ
る。
１の他の構成例として、ＰＭＯＳを用いた場合の回路例
を示す。図１５において、（ａ）はＭＯＳトランジスタ
Ｍ１に対して負荷抵抗Ｒを直列に接続した構成となって
おり、（ｂ）はＭＯＳトランジスタＭ１に対して定電流
源Ｉを直列に接続した構成となっている。これらの回路
例に示すように、基本的に、１個のＭＯＳトランジスタ
Ｍ１と、これに微小電流を流す回路を設けた構成とする
ことにより、ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート下の空乏
時のポテンシャルを出力電圧Ｖｏｕｔとして検出可能な
ポテンシャル‐電圧変換回路５１を構成することができ
る。
【００３４】図１６は、本発明の第４の実施形態に係る
温度検出装置を搭載した例えばＣＣＤリニアセンサを示
す構成図であり、図中、図１と同等部分には同一符号を
付して示してある。ＣＣＤリニアセンサには、図２のバ
ッファ１８におけるソースフォロワ回路２６，２８のバ
イアス電圧Ｖｇｇを安定化させるためにポテンシャル制
御回路６１を有するものがあるが、本実施形態では、こ
のポテンシャル制御回路６１を温度検出に利用した構成
となっている。
温度検出装置を搭載した例えばＣＣＤリニアセンサを示
す構成図であり、図中、図１と同等部分には同一符号を
付して示してある。ＣＣＤリニアセンサには、図２のバ
ッファ１８におけるソースフォロワ回路２６，２８のバ
イアス電圧Ｖｇｇを安定化させるためにポテンシャル制
御回路６１を有するものがあるが、本実施形態では、こ
のポテンシャル制御回路６１を温度検出に利用した構成
となっている。
【００３５】図１７は、ＮＭＯＳを用いたポテンシャル
‐電圧変換回路を使用したポテンシャル制御回路の回路
図であり、図中、図１０（ａ）と同等部分には同一符号
を付して示してある。図１７において、電源Ｖｄｄと接
地間に直列に接続された駆動側ＭＯＳトランジスタＭ１
および負荷側ＭＯＳトランジスタＭ２によってポテンシ
ャル‐電圧変換部６２が構成され、電源Ｖｄｄと接地間
に直列に接続されたダイオード接続のＭＯＳトランジス
タＭ３，Ｍ４によって負荷側ＭＯＳトランジスタＭ２の
ゲートにバイアス電圧Ｖｇｇ１が印加されている。以上
の構成は、図１０（ａ）のポテンシャル‐電圧変換回路
の構成と同じである。
‐電圧変換回路を使用したポテンシャル制御回路の回路
図であり、図中、図１０（ａ）と同等部分には同一符号
を付して示してある。図１７において、電源Ｖｄｄと接
地間に直列に接続された駆動側ＭＯＳトランジスタＭ１
および負荷側ＭＯＳトランジスタＭ２によってポテンシ
ャル‐電圧変換部６２が構成され、電源Ｖｄｄと接地間
に直列に接続されたダイオード接続のＭＯＳトランジス
タＭ３，Ｍ４によって負荷側ＭＯＳトランジスタＭ２の
ゲートにバイアス電圧Ｖｇｇ１が印加されている。以上
の構成は、図１０（ａ）のポテンシャル‐電圧変換回路
の構成と同じである。
【００３６】このポテンシャル‐電圧変換部６２の出力
はコンパレータ６３の反転（−）入力となり、このコン
パレータ６３において、その非反転（＋）入力となる基
準電圧Ｖｉｎと比較される。このコンパレータ６３に
は、電源Ｖｄｄと接地間に直列に接続されたダイオード
接続のＭＯＳトランジスタＭ５，Ｍ６によってバイアス
電圧Ｖｇｇ２が与えられている。
はコンパレータ６３の反転（−）入力となり、このコン
パレータ６３において、その非反転（＋）入力となる基
準電圧Ｖｉｎと比較される。このコンパレータ６３に
は、電源Ｖｄｄと接地間に直列に接続されたダイオード
接続のＭＯＳトランジスタＭ５，Ｍ６によってバイアス
電圧Ｖｇｇ２が与えられている。
【００３７】コンパレータ６３は、電源Ｖｄｄと接地間
に直列に接続されて（＋）側の入力段を構成するＭＯＳ
トランジスタＭ７，Ｍ８と、（−）側の入力段を構成す
るＭＯＳトランジスタＭ９，Ｍ１０と、ソースが共通接
続されて差動動作をなすＭＯＳトランジスタＭ１２，Ｍ
１３と、その電流源となるＭＯＳトランジスタＭ１１
と、ＭＯＳトランジスタＭ１２，Ｍ１３の各ドレインと
接地間に接続されて電流ミラー回路を構成するＭＯＳト
ランジスタＭ１４，Ｍ１５とからなり、ＭＯＳトランジ
スタＭ７，Ｍ９，Ｍ１１の各ゲートにバイアス電圧Ｖｇ
ｇ２が印加された構成となっている。
に直列に接続されて（＋）側の入力段を構成するＭＯＳ
トランジスタＭ７，Ｍ８と、（−）側の入力段を構成す
るＭＯＳトランジスタＭ９，Ｍ１０と、ソースが共通接
続されて差動動作をなすＭＯＳトランジスタＭ１２，Ｍ
１３と、その電流源となるＭＯＳトランジスタＭ１１
と、ＭＯＳトランジスタＭ１２，Ｍ１３の各ドレインと
接地間に接続されて電流ミラー回路を構成するＭＯＳト
ランジスタＭ１４，Ｍ１５とからなり、ＭＯＳトランジ
スタＭ７，Ｍ９，Ｍ１１の各ゲートにバイアス電圧Ｖｇ
ｇ２が印加された構成となっている。
【００３８】上記構成のポテンシャル制御回路６１にお
いて、ポテンシャル‐電圧変換部６２では、第３の実施
形態の場合と同様の原理により、ＭＯＳトランジスタＭ
１のゲート下の空乏時のポテンシャルが検出される。こ
のポテンシャル‐電圧変換部６２の出力電圧は、コンパ
レータ６３において基準電圧Ｖｉｎと比較され、その比
較出力によってポテンシャル‐電圧変換部６２のＭＯＳ
トランジスタＭ１のゲート電圧を制御する。これによ
り、ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート下の空乏時のポテ
ンシャルが、基準電圧Ｖｉｎに等しくなるようにフィー
ドバック制御される。そして、このポテンシャル制御回
路６１の出力電圧Ｖｏｕｔ′が、図２のバッファ１８に
おけるソースフォロワ回路２６，２８にそのバイアス電
圧Ｖｇｇとして与えられることで、バイアス電圧Ｖｇｇ
の安定化が図られる。また、この出力電圧Ｖｏｕｔ′
は、温度検出電圧としてＣＣＤチップ外に取り出され
る。
いて、ポテンシャル‐電圧変換部６２では、第３の実施
形態の場合と同様の原理により、ＭＯＳトランジスタＭ
１のゲート下の空乏時のポテンシャルが検出される。こ
のポテンシャル‐電圧変換部６２の出力電圧は、コンパ
レータ６３において基準電圧Ｖｉｎと比較され、その比
較出力によってポテンシャル‐電圧変換部６２のＭＯＳ
トランジスタＭ１のゲート電圧を制御する。これによ
り、ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート下の空乏時のポテ
ンシャルが、基準電圧Ｖｉｎに等しくなるようにフィー
ドバック制御される。そして、このポテンシャル制御回
路６１の出力電圧Ｖｏｕｔ′が、図２のバッファ１８に
おけるソースフォロワ回路２６，２８にそのバイアス電
圧Ｖｇｇとして与えられることで、バイアス電圧Ｖｇｇ
の安定化が図られる。また、この出力電圧Ｖｏｕｔ′
は、温度検出電圧としてＣＣＤチップ外に取り出され
る。
【００３９】図１８に、ＰＭＯＳを用いたポテンシャル
‐電圧変換回路を使用したポテンシャル制御回路の回路
構成を示す。このポテンシャル制御回路は、図１７のポ
テンシャル制御回路とは極性が逆になっている点で相違
しているだけであり、基本的には全く同じ回路構成とな
っている。
‐電圧変換回路を使用したポテンシャル制御回路の回路
構成を示す。このポテンシャル制御回路は、図１７のポ
テンシャル制御回路とは極性が逆になっている点で相違
しているだけであり、基本的には全く同じ回路構成とな
っている。
【００４０】図１９に、ポテンシャル制御回路６１にお
ける基準電圧対出力電圧の特性を示す。この特性は、Ｖ
ｔｈ＝１Ｖの場合の例である。傾きが１でないのは、バ
ックゲート効果等によるものである。また、図２０に、
実際の温度特性例を示す。この特性図において、温度変
化は−２０〜６０℃間で０．１〜０．２Ｖ程度であるた
め、約２ｍＶ／℃の温度係数となる。この温度係数では
検出精度を出しにくいため、実用的には、このポテンシ
ャル制御回路（ＰＣ）６１を数段カスケード接続して使
用するのが好ましい。
ける基準電圧対出力電圧の特性を示す。この特性は、Ｖ
ｔｈ＝１Ｖの場合の例である。傾きが１でないのは、バ
ックゲート効果等によるものである。また、図２０に、
実際の温度特性例を示す。この特性図において、温度変
化は−２０〜６０℃間で０．１〜０．２Ｖ程度であるた
め、約２ｍＶ／℃の温度係数となる。この温度係数では
検出精度を出しにくいため、実用的には、このポテンシ
ャル制御回路（ＰＣ）６１を数段カスケード接続して使
用するのが好ましい。
【００４１】図２１に、ポテンシャル制御回路を３段カ
スケード接続した場合の温度検出装置の構成を示す。図
２１において、１段目のポテンシャル制御回路６１-1の
入力端には基準電圧（温度や電源電圧Ｖｄｄ等に影響を
受けない電圧）を印加し、３段目のポテンシャル制御回
路６１-3の出力電圧を検出出力として導出する。そし
て、第３の実施形態の場合と同様に、この検出電圧をＣ
ＣＤチップ外に設けられたＡＤコンバータ５２でディジ
タル化し、演算処理回路５３においてＲＯＭ５４に予め
格納されている温度係数‐常温での出力電圧のテーブル
を用いてＡＤコンバータ５２の出力データから温度を計
算し、この検出した温度情報を出力するようにする。
スケード接続した場合の温度検出装置の構成を示す。図
２１において、１段目のポテンシャル制御回路６１-1の
入力端には基準電圧（温度や電源電圧Ｖｄｄ等に影響を
受けない電圧）を印加し、３段目のポテンシャル制御回
路６１-3の出力電圧を検出出力として導出する。そし
て、第３の実施形態の場合と同様に、この検出電圧をＣ
ＣＤチップ外に設けられたＡＤコンバータ５２でディジ
タル化し、演算処理回路５３においてＲＯＭ５４に予め
格納されている温度係数‐常温での出力電圧のテーブル
を用いてＡＤコンバータ５２の出力データから温度を計
算し、この検出した温度情報を出力するようにする。
【００４２】なお、この第４の実施形態では、図２のバ
ッファ１８に与えるバイアス電圧Ｖｇｇを安定化させる
ためのポテンシャル制御回路６１を温度検出に利用する
としたが、バイアス電圧Ｖｇｇの安定化の回路を持たな
いＣＣＤリニアセンサの場合には、センサ列１２、読み
出しゲート部１３、電荷転送レジスタ１４、タイミング
発生回路１５および電荷電圧変換部１８と同一のＣＣＤ
チップ（基板）上に、ＭＯＳプロセスを用いてポテンシ
ャル制御回路６１を作製し、その出力電圧の変化分から
周囲温度を求めるようにすれば良い。
ッファ１８に与えるバイアス電圧Ｖｇｇを安定化させる
ためのポテンシャル制御回路６１を温度検出に利用する
としたが、バイアス電圧Ｖｇｇの安定化の回路を持たな
いＣＣＤリニアセンサの場合には、センサ列１２、読み
出しゲート部１３、電荷転送レジスタ１４、タイミング
発生回路１５および電荷電圧変換部１８と同一のＣＣＤ
チップ（基板）上に、ＭＯＳプロセスを用いてポテンシ
ャル制御回路６１を作製し、その出力電圧の変化分から
周囲温度を求めるようにすれば良い。
【００４３】また、上記第３，第４の実施形態では、Ｃ
ＣＤリニアセンサに適用した場合について説明したが、
これに限定されるものではなく、ＣＣＤエリアセンサや
ＣＣＤ遅延素子などの電荷転送デバイス全般に適用可能
であり、さらにＣＣＤとは無関係にＭＯＳ回路としての
温度検出装置そのものとして使用可能である。
ＣＤリニアセンサに適用した場合について説明したが、
これに限定されるものではなく、ＣＣＤエリアセンサや
ＣＣＤ遅延素子などの電荷転送デバイス全般に適用可能
であり、さらにＣＣＤとは無関係にＭＯＳ回路としての
温度検出装置そのものとして使用可能である。
【００４４】図２２は、第１〜第４の実施形態に係る温
度検出装置を搭載したＣＣＤリニアセンサを、ＡＦセン
サとして用いたオートフォーカス機能を持つカメラの一
例を示す概略構成図である。図２２において、カメラ本
体７１内には、ＡＦセンサとしてのＣＣＤリニアセンサ
１０、その出力信号のピーク値を検出し、これをホール
ドするピークホールド回路７２およびＣＣＤリニアセン
サ１０を駆動するためのクロックφＣＬＫや読み出しゲ
ートパルスφＲＯＧ等の各種のタイミング信号を発生す
るタイミングジェネレータ７３などが内蔵されている。
度検出装置を搭載したＣＣＤリニアセンサを、ＡＦセン
サとして用いたオートフォーカス機能を持つカメラの一
例を示す概略構成図である。図２２において、カメラ本
体７１内には、ＡＦセンサとしてのＣＣＤリニアセンサ
１０、その出力信号のピーク値を検出し、これをホール
ドするピークホールド回路７２およびＣＣＤリニアセン
サ１０を駆動するためのクロックφＣＬＫや読み出しゲ
ートパルスφＲＯＧ等の各種のタイミング信号を発生す
るタイミングジェネレータ７３などが内蔵されている。
【００４５】また、外部回路として、ピークホールド回
路７２からのピークホールド出力ＰＨｏｕｔに基づいて
タイミングジェネレータ７３のタイミングを制御するこ
とによって露光時間を調整する露光調整回路７４と、ピ
ークホールド回路７２からの信号出力Ｖｏｕｔ（ＣＣＤ
リニアセンサ１０の信号出力と同じ）に基づいてフォー
カスずれ量を算出するとともに、この算出したフォーカ
スずれ量をＣＣＤリニアセンサ１０の温度検出出力Ｖｏ
ｕｔ′に基づいて補正する演算回路７５と、この演算回
路７５から出力される温度補正後のフォーカスずれ量に
基づいてレンズ７６をその光軸方向に移動させることに
よってフォーカス調整を行うＡＦ制御回路７７とが設け
られている。
路７２からのピークホールド出力ＰＨｏｕｔに基づいて
タイミングジェネレータ７３のタイミングを制御するこ
とによって露光時間を調整する露光調整回路７４と、ピ
ークホールド回路７２からの信号出力Ｖｏｕｔ（ＣＣＤ
リニアセンサ１０の信号出力と同じ）に基づいてフォー
カスずれ量を算出するとともに、この算出したフォーカ
スずれ量をＣＣＤリニアセンサ１０の温度検出出力Ｖｏ
ｕｔ′に基づいて補正する演算回路７５と、この演算回
路７５から出力される温度補正後のフォーカスずれ量に
基づいてレンズ７６をその光軸方向に移動させることに
よってフォーカス調整を行うＡＦ制御回路７７とが設け
られている。
【００４６】このように、オートフォーカス機能を持つ
カメラにおいて、温度検出装置をオンチップにて搭載し
たＣＣＤリニアセンサをＡＦセンサとして用いること
で、ＡＦセンサ自体の温度を正確に測ることができるの
で、使用するレンズ等の光学系の歪み（収差）変化など
に起因する誤差の補正精度を向上できる。したがって、
より正確なオートフォーカス制御が可能となる。
カメラにおいて、温度検出装置をオンチップにて搭載し
たＣＣＤリニアセンサをＡＦセンサとして用いること
で、ＡＦセンサ自体の温度を正確に測ることができるの
で、使用するレンズ等の光学系の歪み（収差）変化など
に起因する誤差の補正精度を向上できる。したがって、
より正確なオートフォーカス制御が可能となる。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１，第
２の実施形態によれば、電荷転送部に発生する暗電流を
利用して温度を検出するようにしたことにより、温度検
出装置をオンチップにて実現できるため、被測定デバイ
スの温度をより正確に検出することができる。
２の実施形態によれば、電荷転送部に発生する暗電流を
利用して温度を検出するようにしたことにより、温度検
出装置をオンチップにて実現できるため、被測定デバイ
スの温度をより正確に検出することができる。
【００４８】また、本発明の第３，第４の実施形態によ
れば、ＭＯＳトランジスタのゲート下の空乏時のポテン
シャルを検出するようにしたことにより、ＭＯＳプロセ
スにて温度検出装置を被測定デバイスのチップ上に作製
できるため、被測定デバイスの温度をより正確に検出す
ることができる。
れば、ＭＯＳトランジスタのゲート下の空乏時のポテン
シャルを検出するようにしたことにより、ＭＯＳプロセ
スにて温度検出装置を被測定デバイスのチップ上に作製
できるため、被測定デバイスの温度をより正確に検出す
ることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る温度検出装置を
搭載したＣＣＤリニアセンサを示す構成図である。
搭載したＣＣＤリニアセンサを示す構成図である。
【図２】電荷電圧変換部の周辺部分の構成図である。
【図３】電荷電圧変換部の周辺部分の動作説明のための
タイミングチャートである。
タイミングチャートである。
【図４】ＦＤ付近の断面ポテンシャル図である。
【図５】第１の実施形態に係る温度特性図である。
【図６】リセットパルス発生回路の構成の一例を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図７】リセットパルス発生回路の動作説明のためのタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る温度検出装置を
搭載したＣＣＤリニアセンサを示す構成図である。
搭載したＣＣＤリニアセンサを示す構成図である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る温度検出装置を
搭載したＣＣＤリニアセンサを示す構成図である。
搭載したＣＣＤリニアセンサを示す構成図である。
【図１０】ポテンシャル‐電圧変換部の回路構成を示す
回路図である。
回路図である。
【図１１】ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２部分の断面図
およびポテンシャル図である。
およびポテンシャル図である。
【図１２】ポテンシャル‐電圧変換回路の入出力特性図
である。
である。
【図１３】ポテンシャル‐電圧変換回路の温度特性図で
ある。
ある。
【図１４】第３の実施形態に係る温度検出装置の構成ブ
ロック図である。
ロック図である。
【図１５】ポテンシャル‐電圧変換部の他の構成例を示
す回路図である。
す回路図である。
【図１６】本発明の第４の実施形態に係る温度検出装置
を搭載したＣＣＤリニアセンサを示す構成図である。
を搭載したＣＣＤリニアセンサを示す構成図である。
【図１７】ＮＭＯＳの場合のポテンシャル制御回路の回
路構成を示す回路図である。
路構成を示す回路図である。
【図１８】ＰＭＯＳの場合のポテンシャル制御回路の回
路構成を示す回路図である。
路構成を示す回路図である。
【図１９】ポテンシャル制御回路の入出力特性図であ
る。
る。
【図２０】ポテンシャル制御回路の温度特性図である。
【図２１】第４の実施形態に係る温度検出装置の構成ブ
ロック図である。
ロック図である。
【図２２】本発明に係るカメラの一例の概略構成図であ
る。
る。
【図２３】オートフォーカス（ＡＦ）の原理図である。
【図２４】従来例を示す回路図（その１）である。
【図２５】従来例を示す回路図（その２）である。
１０ ＣＣＤリニアセンサ １２ センサ列 １４，４１ 電荷転送レジスタ １５ タイミング発生回路 １６ リセットパルス発生回路 １７，４２ 電荷電圧変換部 ５１ ポテンシャル‐電圧変換回路 ６１ ポテンシャル制御回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｂ 13/36 Ｇ０３Ｂ 3/00 Ａ Ｈ０１Ｌ 27/148 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｂ Ｈ０４Ｎ 5/335 29/76 ３０１Ｃ
Claims (12)
- 【請求項１】 信号電荷を転送する電荷転送部と、 前記電荷転送部における通常の信号電荷の転送時にはそ
の転送周期に同期してリセットパルスを発生し、信号電
荷の非転送時には転送時よりも長い周期でリセットパル
スを発生するリセットパルス発生回路と、 前記リセットパルスに同期してリセット動作を行いつつ
前記電荷転送部で転送された電荷を電圧に変換し、信号
電荷の転送時には信号電圧として、非転送時には温度検
出電圧として出力する電荷電圧変換部とを備えたことを
特徴とする温度検出装置。 - 【請求項２】 信号電荷を転送する電荷転送部と、 前記電荷転送部における通常の信号電荷の転送時にはそ
の転送周期に同期してリセットパルスを発生し、信号電
荷の非転送時には転送時よりも長い周期でリセットパル
スを発生するリセットパルス発生回路と、 前記リセットパルスに同期してリセット動作を行いつつ
前記電荷転送部で転送された電荷を電圧に変換し、信号
電荷の転送時には信号電圧として、非転送時には温度検
出電圧として出力する電荷電圧変換部とを備えたことを
特徴とする電荷転送装置。 - 【請求項３】 入射光をその光量に応じた電荷量の信号
電荷に変換する複数個の光電変換部からなるセンサ部
と、 前記センサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷
転送部と、 前記電荷転送部における通常の信号電荷の転送時にはそ
の転送周期に同期してリセットパルスを発生し、信号電
荷の非転送時には転送時よりも長い周期でリセットパル
スを発生するリセットパルス発生回路と、 前記リセットパルスに同期してリセット動作を行いつつ
前記電荷転送部で転送された電荷を電圧に変換し、信号
電荷の転送時には信号電圧として、非転送時には温度検
出電圧として出力する電荷電圧変換部とを具備する固体
撮像装置をオートフォーカスセンサとして用いたことを
特徴とするカメラ。 - 【請求項４】 信号電荷を転送する第１の電荷転送部
と、前記第１の電荷転送部で転送された信号電荷を検出
して電圧に変換する第１の電荷電圧変換部とを具備する
電荷転送装置において、 前記第１の電荷転送部と同一チップ上に作製されて暗電
流電荷を転送する第２の電荷転送部と、 前記第２の電荷転送部で転送された電荷を電圧に変換し
て温度検出電圧として出力する第２の電荷電圧変換部と
を備えたことを特徴とする温度検出装置。 - 【請求項５】 信号電荷を転送する第１の電荷転送部
と、前記第１の電荷転送部で転送された信号電荷を検出
して電圧に変換する第１の電荷電圧変換部とを具備する
電荷転送装置であって、 前記第１の電荷転送部と同一チップ上に作製されて暗電
流電荷を転送する第２の電荷転送部と、 前記第２の電荷転送部で転送された電荷を電圧に変換し
て温度検出電圧として出力する第２の電荷電圧変換部と
を備えたことを特徴とする電荷転送装置。 - 【請求項６】 入射光をその光量に応じた電荷量の信号
電荷に変換する複数個の光電変換部からなるセンサ部
と、 前記センサ部から読み出された信号電荷を転送する第１
の電荷転送部と、 前記第１の電荷転送部で転送された信号電荷を検出して
電圧に変換する第１の電荷電圧変換部と、 前記第１の電荷転送部と同一チップ上に作製されて暗電
流電荷を転送する第２の電荷転送部と、 前記第２の電荷転送部で転送された電荷を電圧に変換し
て温度検出電圧として出力する第２の電荷電圧変換部と
を具備する固体撮像装置をオートフォーカスセンサとし
て用いたことを特徴とするカメラ。 - 【請求項７】 ＭＯＳトランジスタと、 前記ＭＯＳトランジスタに微小電流を供給する電流供給
回路と、 前記ＭＯＳトランジスタのゲート下の空乏時のポテンシ
ャルを検出し、温度検出電圧として出力する検出回路と
を備えたことを特徴とする温度検出装置。 - 【請求項８】 信号電荷を転送する電荷転送部と、 前記電荷転送部で転送された信号電荷を検出して電圧に
変換する電荷電圧変換部と、 前記電荷転送部と同一チップ上に作製されたＭＯＳトラ
ンジスタと、 前記ＭＯＳトランジスタに微小電流を供給する電流供給
回路と、 前記ＭＯＳトランジスタのゲート下の空乏時のポテンシ
ャルを検出し、温度検出電圧として出力する検出回路と
を備えたことを特徴とする電荷転送装置。 - 【請求項９】 入射光をその光量に応じた電荷量の信号
電荷に変換する複数個の光電変換部からなるセンサ部
と、 前記センサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷
転送部と、 前記電荷転送部で転送された信号電荷を検出して電圧に
変換する電荷電圧変換部と、 前記電荷転送部と同一チップ上に作製されたＭＯＳトラ
ンジスタと、 前記ＭＯＳトランジスタに微小電流を供給する電流供給
回路と、 前記ＭＯＳトランジスタのゲート下の空乏時のポテンシ
ャルを検出し、温度検出電圧として出力する検出回路と
を具備する固体撮像装置をオートフォーカスセンサとし
て用いたことを特徴とするカメラ。 - 【請求項１０】 ＭＯＳトランジスタと、 前記ＭＯＳトランジスタに微小電流を供給する電流供給
回路と、 前記ＭＯＳトランジスタのゲート下の空乏時のポテンシ
ャルを検出し、温度検出電圧として出力する検出回路
と、 前記空乏時のポテンシャルを所定の基準電圧になるよう
にフィードバック制御するフィードバック回路とを備え
たことを特徴とする温度検出装置。 - 【請求項１１】 信号電荷を転送する電荷転送部と、 前記電荷転送部で転送された信号電荷を検出して電圧に
変換する電荷電圧変換部と、 前記電荷転送部と同一チップ上に作製されたＭＯＳトラ
ンジスタと、 前記ＭＯＳトランジスタに微小電流を供給する電流供給
回路と、 前記ＭＯＳトランジスタのゲート下の空乏時のポテンシ
ャルを検出し、温度検出電圧として出力する検出回路
と、 前記空乏時のポテンシャルを所定の基準電圧になるよう
にフィードバック制御するフィードバック回路とを備え
たことを特徴とする電荷転送装置。 - 【請求項１２】 入射光をその光量に応じた電荷量の信
号電荷に変換する複数個の光電変換部からなるセンサ部
と、 前記センサ部から読み出された信号電荷を転送する電荷
転送部と、 前記電荷転送部で転送された信号電荷を検出して電圧に
変換する電荷電圧変換部と、 前記電荷転送部と同一チップ上に作製されたＭＯＳトラ
ンジスタと、 前記ＭＯＳトランジスタに微小電流を供給する電流供給
回路と、 前記ＭＯＳトランジスタのゲート下の空乏時のポテンシ
ャルを検出し、温度検出電圧として出力する検出回路
と、 前記空乏時のポテンシャルを所定の基準電圧になるよう
にフィードバック制御するフィードバック回路とを具備
する固体撮像装置をオートフォーカスセンサとして用い
たことを特徴とするカメラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19441895A JP3610636B2 (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 温度検出装置、これを搭載した電荷転送装置およびカメラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19441895A JP3610636B2 (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 温度検出装置、これを搭載した電荷転送装置およびカメラ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945893A true JPH0945893A (ja) | 1997-02-14 |
| JP3610636B2 JP3610636B2 (ja) | 2005-01-19 |
Family
ID=16324278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19441895A Expired - Fee Related JP3610636B2 (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 温度検出装置、これを搭載した電荷転送装置およびカメラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3610636B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005095602A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-04-14 | Given Imaging Ltd | 温度変化検知方法 |
| JP2006042302A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子およびカメラ |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP19441895A patent/JP3610636B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7140766B2 (en) | 1999-08-04 | 2006-11-28 | Given Imaging Ltd. | Device, system and method for temperature sensing in an in-vivo device |
| JP2005095602A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-04-14 | Given Imaging Ltd | 温度変化検知方法 |
| JP2006042302A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子およびカメラ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3610636B2 (ja) | 2005-01-19 |
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