JPH0945839A - 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 - Google Patents
半導体装置用パッケージおよび半導体装置Info
- Publication number
- JPH0945839A JPH0945839A JP19829295A JP19829295A JPH0945839A JP H0945839 A JPH0945839 A JP H0945839A JP 19829295 A JP19829295 A JP 19829295A JP 19829295 A JP19829295 A JP 19829295A JP H0945839 A JPH0945839 A JP H0945839A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- cavity
- bonding
- semiconductor chip
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱性に優れ、かつ厚さも薄くできる半導体
装置用パッケージおよび半導体装置を提供する． 【解決手段】 金属板からなり、半導体チップ収納用の
凹状のキャビティ３４が形成されたパッケージ本体と、
該パッケージ本体３２に、前記キャビティ３４の外側の
周縁部に固着された絶縁層３６と、該周縁部の絶縁層３
６のボンディングエリアＡ内に所要配列で形成されたボ
ンディングパッド３８と、該ボンディングエリアＡの外
側の絶縁層３６にボンディングパッド３８と配線パター
ン４０を介して電気的に接続され所要配列で形成された
バンプ用パッド４２とを具備することを特徴としてい
る。
装置用パッケージおよび半導体装置を提供する． 【解決手段】 金属板からなり、半導体チップ収納用の
凹状のキャビティ３４が形成されたパッケージ本体と、
該パッケージ本体３２に、前記キャビティ３４の外側の
周縁部に固着された絶縁層３６と、該周縁部の絶縁層３
６のボンディングエリアＡ内に所要配列で形成されたボ
ンディングパッド３８と、該ボンディングエリアＡの外
側の絶縁層３６にボンディングパッド３８と配線パター
ン４０を介して電気的に接続され所要配列で形成された
バンプ用パッド４２とを具備することを特徴としてい
る。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は半導体装置用パッケ
ージおよび半導体装置に関する。
ージおよび半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は片面モールドタイプの半導体装置
１０を示す。１２はプリント回路基板等の配線基板であ
り、片面に配線パターン１４が形成され、他の片面にス
ルーホールめっき皮膜（図示せず）を介して配線パター
ン１４と接続するパッド１６が所要パターンで形成さ
れ、該パッド１６上にはんだボール１８が固着されてい
る。配線基板１２の片面上には半導体チップ２０が搭載
され、半導体チップ２０と配線パターン１４とがワイヤ
２２により電気的に接続されている。そしてワイヤ２２
および半導体チップ２０がモールド樹脂２４により封止
されて半導体装置１０に形成されている。
１０を示す。１２はプリント回路基板等の配線基板であ
り、片面に配線パターン１４が形成され、他の片面にス
ルーホールめっき皮膜（図示せず）を介して配線パター
ン１４と接続するパッド１６が所要パターンで形成さ
れ、該パッド１６上にはんだボール１８が固着されてい
る。配線基板１２の片面上には半導体チップ２０が搭載
され、半導体チップ２０と配線パターン１４とがワイヤ
２２により電気的に接続されている。そしてワイヤ２２
および半導体チップ２０がモールド樹脂２４により封止
されて半導体装置１０に形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記片面モールドタイ
プの半導体装置１０は、はんだボール１８をピッチを小
さく、マトリクス状に配置できることから、多ピン化に
対応できるメリットがある。しかしながら、放熱性に劣
り、また厚さが大になる問題点がある。すなわち、放熱
性については、半導体チップ２０で発生した熱の流路
は、主として配線基板１２→はんだボール１８→実装用
基板→大気であり、また一方半導体チップ２０→モール
ド樹脂２４→大気というように熱抵抗の大きい所を通
る。したがって高熱抵抗となり、少ない発熱でも半導体
チップ２０の温度は上昇してしまう。また厚さの面で
は、半導体チップ２０から配線基板１２上の配線パター
ン１４へダウン・ボンディングしなければならないた
め、ワイヤループが高くなり、これを覆う、半導体チッ
プ２０上面からモールド樹脂２４表面までのモールド樹
脂２４の厚さが必然的に大きくなり、装置全体の厚さが
大きくなってしまうのである。
プの半導体装置１０は、はんだボール１８をピッチを小
さく、マトリクス状に配置できることから、多ピン化に
対応できるメリットがある。しかしながら、放熱性に劣
り、また厚さが大になる問題点がある。すなわち、放熱
性については、半導体チップ２０で発生した熱の流路
は、主として配線基板１２→はんだボール１８→実装用
基板→大気であり、また一方半導体チップ２０→モール
ド樹脂２４→大気というように熱抵抗の大きい所を通
る。したがって高熱抵抗となり、少ない発熱でも半導体
チップ２０の温度は上昇してしまう。また厚さの面で
は、半導体チップ２０から配線基板１２上の配線パター
ン１４へダウン・ボンディングしなければならないた
め、ワイヤループが高くなり、これを覆う、半導体チッ
プ２０上面からモールド樹脂２４表面までのモールド樹
脂２４の厚さが必然的に大きくなり、装置全体の厚さが
大きくなってしまうのである。
【０００４】そこで、本発明は上記問題点を解決すべく
なされたものであり、その目的とするところは、放熱性
に優れ、かつ厚さも薄くできる半導体装置用パッケージ
および半導体装置を提供するにある。
なされたものであり、その目的とするところは、放熱性
に優れ、かつ厚さも薄くできる半導体装置用パッケージ
および半導体装置を提供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係る半
導体装置用パッケージでは、金属板からなり、半導体チ
ップ収納用の凹状のキャビティが形成されたパッケージ
本体と、該パッケージ本体の前記キャビティの外側の周
縁部に形成された絶縁層と、該周縁部の絶縁層上のボン
ディングエリア内に所要配列で形成されたボンディング
パッドと、該ボンディングエリアの外側の絶縁層上に前
記ボンディングパッドと配線パターンを介して電気的に
接続され所要配列で形成されたバンプ用パッドとを具備
することを特徴としている。金属製のヒートシンク（パ
ッケージ本体）上に半導体チップを搭載でき、放熱性に
優れる。またキャビティ内に半導体チップを搭載できる
ので高さを低くできる。また金属からなるパッケージ本
体に配線パターンを形成した絶縁性フィルムを固着して
いるので、配線パターンをマイクロストリップラインと
することができる。この際、パッケージ本体はグランド
用配線パターンと接続してグランドプレーンとすると好
適である。前記キャビティの深さは収納される半導体チ
ップの厚みとほぼ同じに形成すると、ワイヤボンディン
グの高さがほぼ一致して好適である。
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係る半
導体装置用パッケージでは、金属板からなり、半導体チ
ップ収納用の凹状のキャビティが形成されたパッケージ
本体と、該パッケージ本体の前記キャビティの外側の周
縁部に形成された絶縁層と、該周縁部の絶縁層上のボン
ディングエリア内に所要配列で形成されたボンディング
パッドと、該ボンディングエリアの外側の絶縁層上に前
記ボンディングパッドと配線パターンを介して電気的に
接続され所要配列で形成されたバンプ用パッドとを具備
することを特徴としている。金属製のヒートシンク（パ
ッケージ本体）上に半導体チップを搭載でき、放熱性に
優れる。またキャビティ内に半導体チップを搭載できる
ので高さを低くできる。また金属からなるパッケージ本
体に配線パターンを形成した絶縁性フィルムを固着して
いるので、配線パターンをマイクロストリップラインと
することができる。この際、パッケージ本体はグランド
用配線パターンと接続してグランドプレーンとすると好
適である。前記キャビティの深さは収納される半導体チ
ップの厚みとほぼ同じに形成すると、ワイヤボンディン
グの高さがほぼ一致して好適である。
【０００６】さらに本発明に係る半導体装置用パッケー
ジでは、金属板からなり、内壁中途部に段差部が形成さ
れた半導体チップ収納用の凹状のキャビティが形成され
たパッケージ本体と、該パッケージ本体に、前記キャビ
ティ段差部上からキャビティの外側の周縁部に亙って形
成された絶縁層と、前記段差部の絶縁層上のボンディン
グエリア内に所要配列で形成されたボンディングパッド
と、該ボンディングエリアの外側の絶縁層上に前記ボン
ディングパッドと配線パターンを介して電気的に接続さ
れ所要配列で形成されたバンプ用パッドとを具備するこ
とを特徴としている。段差部上のボンディングパッドと
半導体チップとがボンディングされることにより、ボン
ディングワイヤの高さをさらに低くできる。上記キャビ
ティの、絶縁層が固着される開口縁および該開口縁に続
く内壁中途部と段差部上面とのコーナー部を曲面状に形
成すると、これに沿って固定される絶縁性フィルムおよ
び配線パターンに無理がかからず、好適である。
ジでは、金属板からなり、内壁中途部に段差部が形成さ
れた半導体チップ収納用の凹状のキャビティが形成され
たパッケージ本体と、該パッケージ本体に、前記キャビ
ティ段差部上からキャビティの外側の周縁部に亙って形
成された絶縁層と、前記段差部の絶縁層上のボンディン
グエリア内に所要配列で形成されたボンディングパッド
と、該ボンディングエリアの外側の絶縁層上に前記ボン
ディングパッドと配線パターンを介して電気的に接続さ
れ所要配列で形成されたバンプ用パッドとを具備するこ
とを特徴としている。段差部上のボンディングパッドと
半導体チップとがボンディングされることにより、ボン
ディングワイヤの高さをさらに低くできる。上記キャビ
ティの、絶縁層が固着される開口縁および該開口縁に続
く内壁中途部と段差部上面とのコーナー部を曲面状に形
成すると、これに沿って固定される絶縁性フィルムおよ
び配線パターンに無理がかからず、好適である。
【０００７】また本発明に係る半導体装置用パッケージ
では、金属板からなり、内壁がテーパー面に形成されて
開口端側が拡径した、半導体チップ収納用の凹状のキャ
ビティが形成されたパッケージ本体と、該パッケージ本
体に、前記テーパー面上からキャビティの外側の周縁部
に亙って形成された絶縁層と、前記テーパー面の絶縁層
上のボンディングエリア内に所要配列で形成されたボン
ディングパッドと、該ボンディングエリアの外側の絶縁
層上に前記ボンディングパッドと配線パターンを介して
電気的に接続され所要配列で形成されたバンプ用パッド
とを具備することを特徴としている。テーパー面にボン
ディングパッドを形成することにより、ボンディングワ
イヤの長さを短くでき、高周波特性が向上する。
では、金属板からなり、内壁がテーパー面に形成されて
開口端側が拡径した、半導体チップ収納用の凹状のキャ
ビティが形成されたパッケージ本体と、該パッケージ本
体に、前記テーパー面上からキャビティの外側の周縁部
に亙って形成された絶縁層と、前記テーパー面の絶縁層
上のボンディングエリア内に所要配列で形成されたボン
ディングパッドと、該ボンディングエリアの外側の絶縁
層上に前記ボンディングパッドと配線パターンを介して
電気的に接続され所要配列で形成されたバンプ用パッド
とを具備することを特徴としている。テーパー面にボン
ディングパッドを形成することにより、ボンディングワ
イヤの長さを短くでき、高周波特性が向上する。
【０００８】また本発明に係る半導体装置では、上記の
半導体装置用パッケージの前記キャビティ内に半導体チ
ップが固定され、該半導体チップと前記ボンディングパ
ッドとの間がワイヤにより電気的に接続され、前記ワイ
ヤと半導体チップとが封止樹脂により封止され、前記バ
ンプ用パッドにボールバンプが固定されていることを特
徴としている。前記したように、放熱性に優れ、また高
さの低いコンパクトな半導体装置が提供できる。封止樹
脂はポッティング樹脂、またはモールド樹脂を用いるこ
とができる。
半導体装置用パッケージの前記キャビティ内に半導体チ
ップが固定され、該半導体チップと前記ボンディングパ
ッドとの間がワイヤにより電気的に接続され、前記ワイ
ヤと半導体チップとが封止樹脂により封止され、前記バ
ンプ用パッドにボールバンプが固定されていることを特
徴としている。前記したように、放熱性に優れ、また高
さの低いコンパクトな半導体装置が提供できる。封止樹
脂はポッティング樹脂、またはモールド樹脂を用いるこ
とができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例を添
付図面に基づいて詳細に説明する。図１は半導体装置用
パッケージ３０を示す。３２は銅、アルミニウム、銅−
タングステン合金等の金属板からなるヒートシンク（パ
ッケージ本体）であり、上面中央に半導体チップ収納用
のキャビティ３４が凹設されている。キャビティ３４の
深さは、搭載する半導体チップの厚さとほぼ同じに設定
するのが好適である。３６は中央に上記キャビティ３４
とほぼ同形をなす透孔が設けられた、ポリエステル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなるフレキシ
ブルな絶縁性フィルム（絶縁層）であり、キャビティ３
４を囲んでヒートシンク３２上面（キャビティ形成面）
に適宜な接着剤（図示せず）を用いて固定されている。
なお、熱圧着によって接着してもよい。
付図面に基づいて詳細に説明する。図１は半導体装置用
パッケージ３０を示す。３２は銅、アルミニウム、銅−
タングステン合金等の金属板からなるヒートシンク（パ
ッケージ本体）であり、上面中央に半導体チップ収納用
のキャビティ３４が凹設されている。キャビティ３４の
深さは、搭載する半導体チップの厚さとほぼ同じに設定
するのが好適である。３６は中央に上記キャビティ３４
とほぼ同形をなす透孔が設けられた、ポリエステル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなるフレキシ
ブルな絶縁性フィルム（絶縁層）であり、キャビティ３
４を囲んでヒートシンク３２上面（キャビティ形成面）
に適宜な接着剤（図示せず）を用いて固定されている。
なお、熱圧着によって接着してもよい。
【００１０】３８は、キャビティ３４の周縁部に相当す
る絶縁性フィルム３６上のボンディングエリアＡ内に所
要配列で形成されたボンディングパッドである。このボ
ンディングエリアＡの外側の絶縁性フィルム３６上には
ボンディングパッド３８と配線パターン４０によって電
気的に接続するバンプ用パッド４２が所要の配列、例え
ばマトリクス状に形成されている。ボンディングパッド
３８、配線パターン４０、バンプ用パッド４２は、絶縁
性フィルム３６の表面に設けられた銅箔等の金属層（図
示せず）を公知のエッチング加工によって形成すること
ができる。このようにボンディングパッド３８等が形成
された後絶縁性フィルム３６が前記したように接着剤を
用いて、あるいは熱圧着によりヒートシンク３２上の固
着されるのである。配線パターン４０等は、銅等のめっ
き、スパッタリングにより形成してもよい。また、ヒー
トシンク３２はグランド用配線パターンと接続してグラ
ンドプレーンとすると好適である。なお、ボンディング
パッド３８、バンプ用パッド４２の部位を除いて配線パ
ターン４０上にはソルダーレジストが塗布される（図示
せず）。また、上記実施例では配線パターン４０は１層
で示したが、多層に形成してもよい。
る絶縁性フィルム３６上のボンディングエリアＡ内に所
要配列で形成されたボンディングパッドである。このボ
ンディングエリアＡの外側の絶縁性フィルム３６上には
ボンディングパッド３８と配線パターン４０によって電
気的に接続するバンプ用パッド４２が所要の配列、例え
ばマトリクス状に形成されている。ボンディングパッド
３８、配線パターン４０、バンプ用パッド４２は、絶縁
性フィルム３６の表面に設けられた銅箔等の金属層（図
示せず）を公知のエッチング加工によって形成すること
ができる。このようにボンディングパッド３８等が形成
された後絶縁性フィルム３６が前記したように接着剤を
用いて、あるいは熱圧着によりヒートシンク３２上の固
着されるのである。配線パターン４０等は、銅等のめっ
き、スパッタリングにより形成してもよい。また、ヒー
トシンク３２はグランド用配線パターンと接続してグラ
ンドプレーンとすると好適である。なお、ボンディング
パッド３８、バンプ用パッド４２の部位を除いて配線パ
ターン４０上にはソルダーレジストが塗布される（図示
せず）。また、上記実施例では配線パターン４０は１層
で示したが、多層に形成してもよい。
【００１１】図２は半導体装置用パッケージ３０の他の
実施例を示す。図１の実施例と同一の部材は同一符号を
付して説明を省略した。本実施例では、キャビティ３４
中途部に段差部３５を設け、２段のキャビティ３４に形
成している。そして絶縁性フィルム３６は、キャビティ
３４の段差部３５上から、キャビティ３４の外側のヒー
トシンク３２の面に亙って接着剤により固定されてい
る。
実施例を示す。図１の実施例と同一の部材は同一符号を
付して説明を省略した。本実施例では、キャビティ３４
中途部に段差部３５を設け、２段のキャビティ３４に形
成している。そして絶縁性フィルム３６は、キャビティ
３４の段差部３５上から、キャビティ３４の外側のヒー
トシンク３２の面に亙って接着剤により固定されてい
る。
【００１２】また、ボンディングエリアＡは段差部３５
上に設定され、このボンディングエリアＡ内に所要配列
でボンディングパッド３８が形成されている。ボンディ
ングパッド３８と配線パターン４０により電気的に接続
するバンプ用パッド４２はボンディングエリアＡの外側
のヒートシンク３２面上に相当する絶縁性フィルム３６
の部位に所要配列で形成されている。なお、絶縁性フィ
ルム３６が添設されるキャビティ３４の開口縁Ｂおよび
凹みコーナー部Ｃ（開口縁に続く内壁中途部と段差部上
面とのコーナー部）は図３に示すように曲面状に形成す
ると絶縁性フィルム３６に無理が掛からないので配線パ
ターン４０に断線などが生じないから好適である。ボン
ディングパッド３８、バンプ用パッド４２の部位を除い
て配線パターン４０上のソルダーレジストが塗布される
（図示せず）。また、上記実施例では配線パターン４０
は１層で示したが、多層に形成してもよい。
上に設定され、このボンディングエリアＡ内に所要配列
でボンディングパッド３８が形成されている。ボンディ
ングパッド３８と配線パターン４０により電気的に接続
するバンプ用パッド４２はボンディングエリアＡの外側
のヒートシンク３２面上に相当する絶縁性フィルム３６
の部位に所要配列で形成されている。なお、絶縁性フィ
ルム３６が添設されるキャビティ３４の開口縁Ｂおよび
凹みコーナー部Ｃ（開口縁に続く内壁中途部と段差部上
面とのコーナー部）は図３に示すように曲面状に形成す
ると絶縁性フィルム３６に無理が掛からないので配線パ
ターン４０に断線などが生じないから好適である。ボン
ディングパッド３８、バンプ用パッド４２の部位を除い
て配線パターン４０上のソルダーレジストが塗布される
（図示せず）。また、上記実施例では配線パターン４０
は１層で示したが、多層に形成してもよい。
【００１３】図４は半導体装置用パッケージ３０のさら
に他の実施例を示す。前記実施例と同一の部材は同一の
符号を付し、説明を省略する。本実施例では、内壁をテ
ーパー面３７に形成して開口端側が拡径したキャビティ
３４に形成している。そして絶縁性フィルム３６は、キ
ャビティ３４のテーパー面３７から、キャビティ３４の
外側のヒートシンク３２の面に亙って接着剤により固定
されている。またボンディングエリアＡはテーパー面３
７上に設定され、このボンディングエリアＡ内に所要配
列でボンディングパッド３８が形成されている。ボンデ
ィングパッド３８と配線パターン４０により電気的に接
続するバンプ用パッド４２はボンディングエリアＡの外
側のヒートシンク３２面上に相当する絶縁性フィルム３
６の部位に所要配列で形成されている。
に他の実施例を示す。前記実施例と同一の部材は同一の
符号を付し、説明を省略する。本実施例では、内壁をテ
ーパー面３７に形成して開口端側が拡径したキャビティ
３４に形成している。そして絶縁性フィルム３６は、キ
ャビティ３４のテーパー面３７から、キャビティ３４の
外側のヒートシンク３２の面に亙って接着剤により固定
されている。またボンディングエリアＡはテーパー面３
７上に設定され、このボンディングエリアＡ内に所要配
列でボンディングパッド３８が形成されている。ボンデ
ィングパッド３８と配線パターン４０により電気的に接
続するバンプ用パッド４２はボンディングエリアＡの外
側のヒートシンク３２面上に相当する絶縁性フィルム３
６の部位に所要配列で形成されている。
【００１４】ボンディングパッド３８、バンプ用パッド
４２の部位を除いて配線パターン４０上のソルダーレジ
スト３９が塗布される。本実施例でも配線パターン４０
を多層に形成することができる。本実施例では、ボンデ
ィングパッド３８がテーパー面３７上に形成されている
から、図示のように、半導体チップ４４と電気的接続を
とるボンディングワイヤ４６の長さを、平坦面間で接続
するよりもテーパーとなっている分だけ短くでき、高周
波特性が向上する。
４２の部位を除いて配線パターン４０上のソルダーレジ
スト３９が塗布される。本実施例でも配線パターン４０
を多層に形成することができる。本実施例では、ボンデ
ィングパッド３８がテーパー面３７上に形成されている
から、図示のように、半導体チップ４４と電気的接続を
とるボンディングワイヤ４６の長さを、平坦面間で接続
するよりもテーパーとなっている分だけ短くでき、高周
波特性が向上する。
【００１５】上記各実施例では、配線パターンの形成さ
れた絶縁性フィルム３６をヒートシンク３２面に接着剤
を用いて固定したが、ヒートシンク３２（パッケージ本
体）にエポキシ、ポリエステル、ポリイミド等の絶縁性
樹脂を塗布して絶縁層を形成し、この絶縁層上にスパッ
タリング、蒸着、めっき、金属箔の貼着等により金属層
を形成し、この金属層をエッチング加工して配線パター
ンに形成するようにすることもできる。この場合にビル
ドアップ法により配線パターンを多層に容易に形成でき
る。
れた絶縁性フィルム３６をヒートシンク３２面に接着剤
を用いて固定したが、ヒートシンク３２（パッケージ本
体）にエポキシ、ポリエステル、ポリイミド等の絶縁性
樹脂を塗布して絶縁層を形成し、この絶縁層上にスパッ
タリング、蒸着、めっき、金属箔の貼着等により金属層
を形成し、この金属層をエッチング加工して配線パター
ンに形成するようにすることもできる。この場合にビル
ドアップ法により配線パターンを多層に容易に形成でき
る。
【００１６】図５は図１のパッケージ３０に半導体チッ
プ４４を搭載して半導体装置４５に形成した実施例を示
す。半導体チップ４４は接着剤によりキャビティ３４の
底部に固着される。半導体チップ４４上面とボンディン
グパッド３８とはほぼ同一高さ面上に位置する。半導体
チップ４４とボンディングパッド３８はワイヤ４６によ
り電気的に接続される。ワイヤに代えてＴＡＢテープに
より接続してもよい。そして、ワイヤ４６と半導体チッ
プ４４とは封止樹脂４８により封止される。封止樹脂４
８はポッティング樹脂であってもよいし、モールド樹脂
であってもよい。すなわち、ポッティング樹脂をキャビ
ティ３４内に充填し、ワイヤ４６および半導体チップ４
４を封止するか、トランスファーモールド成形によりモ
ールド樹脂によりワイヤ４６および半導体チップ４４を
封止する。なお、ポッティング樹脂により封止するとき
は、ポッティング樹脂の流れ出しを防止するため、ポッ
ティングエリアの外周部に相当する部位には流れ出しの
ない、比較的粘度の高い樹脂を用い、該樹脂で囲まれた
部位に粘度の低い、十分にワイヤ４６および半導体チッ
プ４４を覆うことのできる樹脂を用いるとよい。あるい
はポッティングエリアを囲んで枠体（図示せず）を固定
し、この枠体内にポッティング樹脂を充填して流れ止め
にしてもよい。
プ４４を搭載して半導体装置４５に形成した実施例を示
す。半導体チップ４４は接着剤によりキャビティ３４の
底部に固着される。半導体チップ４４上面とボンディン
グパッド３８とはほぼ同一高さ面上に位置する。半導体
チップ４４とボンディングパッド３８はワイヤ４６によ
り電気的に接続される。ワイヤに代えてＴＡＢテープに
より接続してもよい。そして、ワイヤ４６と半導体チッ
プ４４とは封止樹脂４８により封止される。封止樹脂４
８はポッティング樹脂であってもよいし、モールド樹脂
であってもよい。すなわち、ポッティング樹脂をキャビ
ティ３４内に充填し、ワイヤ４６および半導体チップ４
４を封止するか、トランスファーモールド成形によりモ
ールド樹脂によりワイヤ４６および半導体チップ４４を
封止する。なお、ポッティング樹脂により封止するとき
は、ポッティング樹脂の流れ出しを防止するため、ポッ
ティングエリアの外周部に相当する部位には流れ出しの
ない、比較的粘度の高い樹脂を用い、該樹脂で囲まれた
部位に粘度の低い、十分にワイヤ４６および半導体チッ
プ４４を覆うことのできる樹脂を用いるとよい。あるい
はポッティングエリアを囲んで枠体（図示せず）を固定
し、この枠体内にポッティング樹脂を充填して流れ止め
にしてもよい。
【００１７】ワイヤ４６はウェッジ・ボンディングによ
りボンディングすると好適である。ウェッジ・ボンディ
ングによると、図６に示すように、ワイヤ４６端部がボ
ンディングパッド３８や半導体チップ４４のパッドにほ
ぼ平行に当接した状態で超音波をかけつつ加圧されるの
で、引出し角にもよるがヒートシンク３２上面とほぼ平
行に引き回すことができ、したがってヒートシンク３２
上面から外方にほとんど突出しない状態、例えばヒート
シンク３２上面から0.2 ｍｍ程度のごく僅かな突出量で
引き回すことができる。したがってまたこのワイヤ４６
を覆う封止樹脂４８もヒートシンク３２上面から0.4 ｍ
ｍ程度突出した状態で封止が可能となる。バンプ用パッ
ド４２上にははんだボール等のボールバンプ５０が固着
されて半導体装置４５に完成される。なお、ボールバン
プ５０の高さは0.6 ｍｍ程度であり、実装用基板（図示
せず）に実装した際にも0.45ｍｍ程度の高さを維持する
から、封止樹脂４８が半導体装置４５の実装の障害とな
ることはない。
りボンディングすると好適である。ウェッジ・ボンディ
ングによると、図６に示すように、ワイヤ４６端部がボ
ンディングパッド３８や半導体チップ４４のパッドにほ
ぼ平行に当接した状態で超音波をかけつつ加圧されるの
で、引出し角にもよるがヒートシンク３２上面とほぼ平
行に引き回すことができ、したがってヒートシンク３２
上面から外方にほとんど突出しない状態、例えばヒート
シンク３２上面から0.2 ｍｍ程度のごく僅かな突出量で
引き回すことができる。したがってまたこのワイヤ４６
を覆う封止樹脂４８もヒートシンク３２上面から0.4 ｍ
ｍ程度突出した状態で封止が可能となる。バンプ用パッ
ド４２上にははんだボール等のボールバンプ５０が固着
されて半導体装置４５に完成される。なお、ボールバン
プ５０の高さは0.6 ｍｍ程度であり、実装用基板（図示
せず）に実装した際にも0.45ｍｍ程度の高さを維持する
から、封止樹脂４８が半導体装置４５の実装の障害とな
ることはない。
【００１８】図７は図２のパッケージ３０に半導体チッ
プ４４を搭載して半導体装置４５に形成した例を示す
が、図５に示す実施例とほとんど同じである。本実施例
では、２段に形成したキャビティ３４の低い方の段上に
半導体チップ４４を搭載し、該半導体チップ４４とボン
ディングパッド３８とをワイヤ４６により接続して電気
的導通をとる。そしてキャビティ３４内に封止樹脂４８
（ポッティング樹脂）を充填してワイヤ４６および半導
体チップ４４を封止している。本実施例では、ワイヤ４
６は段差部３５上のボンディングパッド３８とこれとほ
ぼ同じ高さの半導体チップ４４とを接続するようにして
いるので、ワイヤ４６もキャビティ３４内に位置し、し
たがってポッティング樹脂をキャビティ３４内に充填す
るだけでワイヤ４６および半導体チップ４４を好適に封
止することができる。また図４のパッケージ３０の場合
も同様に、図４で破線で示すように、半導体チップ４４
を搭載して半導体装置にすることができる。この場合に
もワイヤ４６はテーパー面３７上のボンディングパッド
３８とこれとほぼ同じ高さの半導体チップ４４とを接続
するようにしているので、ワイヤ４６もキャビティ３４
内に位置し、したがってポッティング樹脂をキャビティ
３４内に充填するだけでワイヤ４６および半導体チップ
４４を好適に封止することができる。また前記したよう
に、ワイヤ４６の長さを、平坦面間で接続するよりもテ
ーパーとなっている分だけ短くでき、高周波特性が向上
する。
プ４４を搭載して半導体装置４５に形成した例を示す
が、図５に示す実施例とほとんど同じである。本実施例
では、２段に形成したキャビティ３４の低い方の段上に
半導体チップ４４を搭載し、該半導体チップ４４とボン
ディングパッド３８とをワイヤ４６により接続して電気
的導通をとる。そしてキャビティ３４内に封止樹脂４８
（ポッティング樹脂）を充填してワイヤ４６および半導
体チップ４４を封止している。本実施例では、ワイヤ４
６は段差部３５上のボンディングパッド３８とこれとほ
ぼ同じ高さの半導体チップ４４とを接続するようにして
いるので、ワイヤ４６もキャビティ３４内に位置し、し
たがってポッティング樹脂をキャビティ３４内に充填す
るだけでワイヤ４６および半導体チップ４４を好適に封
止することができる。また図４のパッケージ３０の場合
も同様に、図４で破線で示すように、半導体チップ４４
を搭載して半導体装置にすることができる。この場合に
もワイヤ４６はテーパー面３７上のボンディングパッド
３８とこれとほぼ同じ高さの半導体チップ４４とを接続
するようにしているので、ワイヤ４６もキャビティ３４
内に位置し、したがってポッティング樹脂をキャビティ
３４内に充填するだけでワイヤ４６および半導体チップ
４４を好適に封止することができる。また前記したよう
に、ワイヤ４６の長さを、平坦面間で接続するよりもテ
ーパーとなっている分だけ短くでき、高周波特性が向上
する。
【００１９】以上本発明につき好適な実施例を挙げて種
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
【００２０】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置用パッケージお
よび半導体装置によれば、金属製のヒートシンク上に半
導体チップを搭載するようにしたので放熱性に優れ、ま
た半導体チップはヒートシンクに凹設したキャビティ内
に搭載するようにしているので全体の高さを低くでき小
型化が達成できる。
よび半導体装置によれば、金属製のヒートシンク上に半
導体チップを搭載するようにしたので放熱性に優れ、ま
た半導体チップはヒートシンクに凹設したキャビティ内
に搭載するようにしているので全体の高さを低くでき小
型化が達成できる。
【図１】半導体装置用パッケージの第１の実施例を示し
た断面図である。
た断面図である。
【図２】半導体装置用パッケージの第２の実施例を示し
た断面図である。
た断面図である。
【図３】キャビティの開口縁等をアールに形成した実施
例の部分断面図である。
例の部分断面図である。
【図４】半導体装置用パッケージのさらに他の実施例を
示した部分断面図である。
示した部分断面図である。
【図５】半導体装置の第１の実施例を示した断面図であ
る。
る。
【図６】ウェッジ・ボンディングの状態を示す説明図で
ある。
ある。
【図７】半導体装置の第２の実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図８】従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
３０ 半導体装置用パッケージ ３２ ヒートシンク ３４ キャビティ ３５ 段差部 ３６ 絶縁性フィルム ３８ ボンディングパッド ４０ 配線パターン ４２ バンプ用パッド ４４ 半導体チップ ４５ 半導体装置 ４６ ワイヤ ４８ 封止樹脂 ５０ ボールバンプ Ａ ボンディングエリア
Claims (8)
- 【請求項１】 金属板からなり、半導体チップ収納用の
凹状のキャビティが形成されたパッケージ本体と、 該パッケージ本体の前記キャビティの外側の周縁部に形
成された絶縁層と、 該周縁部の絶縁層上のボンディングエリア内に所要配列
で形成されたボンディングパッドと、 該ボンディングエリアの外側の絶縁層上に前記ボンディ
ングパッドと配線パターンを介して電気的に接続され所
要配列で形成されたバンプ用パッドとを具備することを
特徴とする半導体装置用パッケージ。 - 【請求項２】 前記キャビティの深さが収納される半導
体チップの厚みとほぼ同じに形成されていることを特徴
とする請求項１記載の半導体装置用パッケージ。 - 【請求項３】 金属板からなり、内壁中途部に段差部が
形成された半導体チップ収納用の凹状のキャビティが形
成されたパッケージ本体と、 該パッケージ本体に、前記キャビティ段差部上からキャ
ビティの外側の周縁部に亙って形成された絶縁層と、 前記段差部の絶縁層上のボンディングエリア内に所要配
列で形成されたボンディングパッドと、 該ボンディングエリアの外側の絶縁層上に前記ボンディ
ングパッドと配線パターンを介して電気的に接続され所
要配列で形成されたバンプ用パッドとを具備することを
特徴とする半導体装置用パッケージ。 - 【請求項４】 前記絶縁層が固着されるキャビティの開
口縁および該開口縁に続く内壁中途部と段差部上面との
コーナー部が曲面状に形成されていることを特徴とする
請求項３記載の半導体装置用パッケージ。 - 【請求項５】 金属板からなり、内壁がテーパー面に形
成されて開口端側が拡径した、半導体チップ収納用の凹
状のキャビティが形成されたパッケージ本体と、 該パッケージ本体に、前記テーパー面上からキャビティ
の外側の周縁部に亙って形成された絶縁層と、 前記テーパー面の絶縁層上のボンディングエリア内に所
要配列で形成されたボンディングパッドと、 該ボンディングエリアの外側の絶縁層上に前記ボンディ
ングパッドと配線パターンを介して電気的に接続され所
要配列で形成されたバンプ用パッドとを具備することを
特徴とする半導体装置用パッケージ。 - 【請求項６】 請求項１、２、３、４または５記載の半
導体装置用パッケージの前記キャビティ内に半導体チッ
プが固定され、 該半導体チップと前記ボンディングパッドとの間がワイ
ヤにより電気的に接続され、 前記ワイヤと半導体チップとが封止樹脂により封止さ
れ、 前記バンプ用パッドにボールバンプが固定されているこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項７】 前記封止樹脂がポッティング樹脂である
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置。 - 【請求項８】 前記封止樹脂がモールド樹脂であること
を特徴とする請求項６記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19829295A JPH0945839A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19829295A JPH0945839A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945839A true JPH0945839A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16388708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19829295A Pending JPH0945839A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945839A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030054588A (ko) * | 2001-12-26 | 2003-07-02 | 동부전자 주식회사 | Ｔｂｇａ 반도체 패키지 |
| KR100444164B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-08-11 | 동부전자 주식회사 | 멀티칩탑재의 반도체패키지 |
| JP2017518640A (ja) * | 2014-05-23 | 2017-07-06 | マテリオン コーポレイション | エアキャビティパッケージ |
-
1995
- 1995-08-03 JP JP19829295A patent/JPH0945839A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030054588A (ko) * | 2001-12-26 | 2003-07-02 | 동부전자 주식회사 | Ｔｂｇａ 반도체 패키지 |
| KR100444164B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-08-11 | 동부전자 주식회사 | 멀티칩탑재의 반도체패키지 |
| JP2017518640A (ja) * | 2014-05-23 | 2017-07-06 | マテリオン コーポレイション | エアキャビティパッケージ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5866942A (en) | Metal base package for a semiconductor device | |
| JP3209320B2 (ja) | マルチチップモジュールパッケージ | |
| US5739588A (en) | Semiconductor device | |
| US5583377A (en) | Pad array semiconductor device having a heat sink with die receiving cavity | |
| EP0617465B1 (en) | A semiconductor device and package | |
| EP0498446B1 (en) | Multichip packaged semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| US5578525A (en) | Semiconductor device and a fabrication process thereof | |
| JP2917868B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100698526B1 (ko) | 방열층을 갖는 배선기판 및 그를 이용한 반도체 패키지 | |
| JPH0964099A (ja) | 半導体装置及びその実装構造 | |
| US5796038A (en) | Technique to produce cavity-up HBGA packages | |
| JPH0917919A (ja) | 半導体装置 | |
| US4964019A (en) | Multilayer bonding and cooling of integrated circuit devices | |
| US6320250B1 (en) | Semiconductor package and process for manufacturing the same | |
| JP3912445B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH09326450A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0864635A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2620611B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| US6057594A (en) | High power dissipating tape ball grid array package | |
| JPH0945839A (ja) | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 | |
| JP3454192B2 (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3486236B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3408375B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08172142A (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置 | |
| JPH0897336A (ja) | 半導体装置 |