JPH0936438A - 熱電変換装置 - Google Patents
熱電変換装置Info
- Publication number
- JPH0936438A JPH0936438A JP7182868A JP18286895A JPH0936438A JP H0936438 A JPH0936438 A JP H0936438A JP 7182868 A JP7182868 A JP 7182868A JP 18286895 A JP18286895 A JP 18286895A JP H0936438 A JPH0936438 A JP H0936438A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- side substrate
- heat
- thermoelectric conversion
- board
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 61
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 151
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 52
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 52
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 十分に高い熱電変換能力を有する性能的に優
れた熱電変換装置を提供する。 【構成】 放熱側基板４と、放熱側電極と、吸熱側基板
２と、吸熱側電極と、前記放熱側電極と吸熱側電極の間
に介在されたＮ型半導体層ならびにＰ型半導体層を備え
熱電変換装置において、前記放熱側基板４の厚さが吸熱
側基板２の厚さよりも薄いことを特徴とする。
れた熱電変換装置を提供する。 【構成】 放熱側基板４と、放熱側電極と、吸熱側基板
２と、吸熱側電極と、前記放熱側電極と吸熱側電極の間
に介在されたＮ型半導体層ならびにＰ型半導体層を備え
熱電変換装置において、前記放熱側基板４の厚さが吸熱
側基板２の厚さよりも薄いことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子冷却装置あるいは
熱発電装置などの熱電変換装置に係り、特にそれの熱電
変換素子群を支持する基板に関する。
熱発電装置などの熱電変換装置に係り、特にそれの熱電
変換素子群を支持する基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９は、従来の熱電変換装置を説明する
ための図である。同図に示すように、アルミナなどから
なる放熱側基板１００の上に半田層１０１を介して放熱
側電極１０２が設けられ、放熱側電極１０２の上にＰ型
半導体層１０３とＮ型半導体層１０４とがそれぞれ配置
されている。
ための図である。同図に示すように、アルミナなどから
なる放熱側基板１００の上に半田層１０１を介して放熱
側電極１０２が設けられ、放熱側電極１０２の上にＰ型
半導体層１０３とＮ型半導体層１０４とがそれぞれ配置
されている。
【０００３】このＰ型半導体層１０３とＮ型半導体層１
０４とを接続するように吸熱側電極１０５が設けられ、
さらにその上に半田層１０５を介してアルミナなどから
なる吸熱側基板１０７が配置されている。
０４とを接続するように吸熱側電極１０５が設けられ、
さらにその上に半田層１０５を介してアルミナなどから
なる吸熱側基板１０７が配置されている。
【０００４】前記Ｐ型半導体層１０３とＮ型半導体層１
０４は放熱側基板１００と吸熱側基板１０７の間に多数
介在され、熱的ならびに構造的には並列に配置され、電
気的には直列に配置されている。
０４は放熱側基板１００と吸熱側基板１０７の間に多数
介在され、熱的ならびに構造的には並列に配置され、電
気的には直列に配置されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この従来の
熱電変換装置ではまだ十分に高い熱電変換能力を得るこ
とができないという欠点を有している。
熱電変換装置ではまだ十分に高い熱電変換能力を得るこ
とができないという欠点を有している。
【０００６】本発明者らはこの問題点について鋭意検討
した結果、熱電変換装置の基板に問題があることを見出
した。
した結果、熱電変換装置の基板に問題があることを見出
した。
【０００７】本発明の目的は、このような従来技術の欠
点を解消し、十分に高い熱電変換能力を有する性能的に
優れた熱電変換装置を提供することにある。
点を解消し、十分に高い熱電変換能力を有する性能的に
優れた熱電変換装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、放熱側基板と、吸熱側基板と、前記放熱
側基板と吸熱側基板の間に介在された熱電変換素子群を
備えた熱電変換装置を対象とするものである。
め、本発明は、放熱側基板と、吸熱側基板と、前記放熱
側基板と吸熱側基板の間に介在された熱電変換素子群を
備えた熱電変換装置を対象とするものである。
【０００９】そして前記放熱側基板ならびに吸熱側基板
がセラミック基板あるいは電気絶縁薄膜を有する金属基
板からなり、放熱側基板の厚さが吸熱側基板の厚さより
も薄いことを特徴とするものである。
がセラミック基板あるいは電気絶縁薄膜を有する金属基
板からなり、放熱側基板の厚さが吸熱側基板の厚さより
も薄いことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】図５は、電子冷却装置を例にとって説明した熱
電変換装置のエネルギー収支の説明図である。図中の５
０は電極、半田層ならびに半導体層からなる熱電変換素
子群、５１は吸熱側基板、５２は放熱側基板である。
電変換装置のエネルギー収支の説明図である。図中の５
０は電極、半田層ならびに半導体層からなる熱電変換素
子群、５１は吸熱側基板、５２は放熱側基板である。
【００１１】同図において例えば熱電変換素子群５０の
低温側温度（Ｔｃ）を０〔℃〕、高温側温度（Ｔｈ）を
夏場を考慮して４０〔℃〕、熱電変換素子群５０の低温
側面における吸熱量を１０〔Ｗ〕、投入電力Ｐを４０
〔Ｗ〕、熱電変換素子群５０の高温側面における放熱量
を５０〔Ｗ〕という動作条件に設定したとする。また装
置の総高を一定に保つために熱電変換素子群５０（半導
体層、電極、半田層など）の厚さを一定にし、かつ吸熱
側基板５１と放熱側基板５２の合計厚さを０．１２〔ｃ
ｍ〕として、両基板とも一辺の長さは３〔ｃｍ〕の正方
形とし、両基板には熱伝導率が０．１２〔Ｗ／ｃｍ・
℃〕のアルミナセラミックを使用した。
低温側温度（Ｔｃ）を０〔℃〕、高温側温度（Ｔｈ）を
夏場を考慮して４０〔℃〕、熱電変換素子群５０の低温
側面における吸熱量を１０〔Ｗ〕、投入電力Ｐを４０
〔Ｗ〕、熱電変換素子群５０の高温側面における放熱量
を５０〔Ｗ〕という動作条件に設定したとする。また装
置の総高を一定に保つために熱電変換素子群５０（半導
体層、電極、半田層など）の厚さを一定にし、かつ吸熱
側基板５１と放熱側基板５２の合計厚さを０．１２〔ｃ
ｍ〕として、両基板とも一辺の長さは３〔ｃｍ〕の正方
形とし、両基板には熱伝導率が０．１２〔Ｗ／ｃｍ・
℃〕のアルミナセラミックを使用した。
【００１２】（Ａ）従来のように吸熱側基板５１と放熱
側基板５２の厚さをともに０．０６〔ｃｍ〕として、合
計で０．１２〔ｃｍ〕とした場合、 ．吸熱側基板５１の熱コンダクタンスは、 ０．１２〔Ｗ／ｃｍ・℃〕×｛９〔ｃｍ2 〕／０．０６
〔ｃｍ〕｝＝１８〔Ｗ／℃〕 ．その熱抵抗Ｒｃは熱コンダクタンスの逆数であるか
ら、 １／１８＝０．０５５６〔℃／Ｗ〕 ．吸熱側基板５１と熱電変換素子群５０の界面と吸熱
側基板５１の外表面との温度差ΔＴｃは、 ０．０５５６〔℃／Ｗ〕×１０〔Ｗ〕＝０．５５６
〔℃〕 となる。
側基板５２の厚さをともに０．０６〔ｃｍ〕として、合
計で０．１２〔ｃｍ〕とした場合、 ．吸熱側基板５１の熱コンダクタンスは、 ０．１２〔Ｗ／ｃｍ・℃〕×｛９〔ｃｍ2 〕／０．０６
〔ｃｍ〕｝＝１８〔Ｗ／℃〕 ．その熱抵抗Ｒｃは熱コンダクタンスの逆数であるか
ら、 １／１８＝０．０５５６〔℃／Ｗ〕 ．吸熱側基板５１と熱電変換素子群５０の界面と吸熱
側基板５１の外表面との温度差ΔＴｃは、 ０．０５５６〔℃／Ｗ〕×１０〔Ｗ〕＝０．５５６
〔℃〕 となる。
【００１３】．放熱側基板５２の熱コンダクタンスは
吸熱側基板５１と同じで、 １８〔Ｗ／℃〕 ．その熱抵抗Ｒｈは０．０５５６〔℃／Ｗ〕 ．放熱側基板５２と熱電変換素子群５０の界面と放熱
側基板５２の外表面との温度差ΔＴｈは、 ０．０５５６〔℃／Ｗ〕×５０〔Ｗ〕＝２．７８〔℃〕 となる。
吸熱側基板５１と同じで、 １８〔Ｗ／℃〕 ．その熱抵抗Ｒｈは０．０５５６〔℃／Ｗ〕 ．放熱側基板５２と熱電変換素子群５０の界面と放熱
側基板５２の外表面との温度差ΔＴｈは、 ０．０５５６〔℃／Ｗ〕×５０〔Ｗ〕＝２．７８〔℃〕 となる。
【００１４】．従って低温側の温度差ΔＴｃと高温側
の温度差ΔＴｈの合計ΔＴは、 ０．５５６＋２．７８＝３．３３６〔℃〕 となる。
の温度差ΔＴｈの合計ΔＴは、 ０．５５６＋２．７８＝３．３３６〔℃〕 となる。
【００１５】（Ｂ）吸熱側基板５１の厚さを０．１〔ｃ
ｍ〕とし、放熱側基板５２の厚さを０．０２〔ｃｍ〕と
して、合計で０．１２〔ｃｍ〕とした場合、 ．吸熱側基板５１の熱コンダクタンスは、 ０．１２〔Ｗ／ｃｍ・℃〕×｛９〔ｃｍ2 〕／０．１
〔ｃｍ〕｝＝１０．８〔Ｗ／℃〕 ．その熱抵抗Ｒｃは熱コンダクタンスの逆数であるか
ら、 １／１０．８＝０．０９２６〔℃／Ｗ〕 ．吸熱側基板５１と熱電変換素子群５０の界面と吸熱
側基板５１の外表面との温度差ΔＴｃは、 ０．０９２６〔℃／Ｗ〕×１０〔Ｗ〕＝０．９２６
〔℃〕 となる。
ｍ〕とし、放熱側基板５２の厚さを０．０２〔ｃｍ〕と
して、合計で０．１２〔ｃｍ〕とした場合、 ．吸熱側基板５１の熱コンダクタンスは、 ０．１２〔Ｗ／ｃｍ・℃〕×｛９〔ｃｍ2 〕／０．１
〔ｃｍ〕｝＝１０．８〔Ｗ／℃〕 ．その熱抵抗Ｒｃは熱コンダクタンスの逆数であるか
ら、 １／１０．８＝０．０９２６〔℃／Ｗ〕 ．吸熱側基板５１と熱電変換素子群５０の界面と吸熱
側基板５１の外表面との温度差ΔＴｃは、 ０．０９２６〔℃／Ｗ〕×１０〔Ｗ〕＝０．９２６
〔℃〕 となる。
【００１６】．放熱側基板５２の熱コンダクタンス
は、 ０．１２〔Ｗ／ｃｍ・℃〕×｛９〔ｃｍ2 〕／０．０２
〔ｃｍ〕｝＝５４〔Ｗ／℃〕 ．その熱抵抗Ｒｈは、 １／５４＝０．０１８５〔℃／Ｗ〕 ．放熱側基板５２と熱電変換素子群５０の界面と放熱
側基板５２の外表面との温度差ΔＴｈは、 ０．０１８５〔℃／Ｗ〕×５０〔Ｗ〕＝０．９２５
〔℃〕 となる。
は、 ０．１２〔Ｗ／ｃｍ・℃〕×｛９〔ｃｍ2 〕／０．０２
〔ｃｍ〕｝＝５４〔Ｗ／℃〕 ．その熱抵抗Ｒｈは、 １／５４＝０．０１８５〔℃／Ｗ〕 ．放熱側基板５２と熱電変換素子群５０の界面と放熱
側基板５２の外表面との温度差ΔＴｈは、 ０．０１８５〔℃／Ｗ〕×５０〔Ｗ〕＝０．９２５
〔℃〕 となる。
【００１７】．従って低温側の温度差ΔＴｃと高温側
の温度差ΔＴｈの合計ΔＴは、 ０．９２６＋０．９２５＝１．８５１〔℃〕 となる。
の温度差ΔＴｈの合計ΔＴは、 ０．９２６＋０．９２５＝１．８５１〔℃〕 となる。
【００１８】（Ｃ）吸熱側基板５１の厚さを０．０２
〔ｃｍ〕とし、放熱側基板５２の厚さを０．１〔ｃｍ〕
として、合計で０．１２〔ｃｍ〕とした場合、 ．吸熱側基板５１の熱コンダクタンスは、 ０．１２〔Ｗ／ｃｍ・℃〕×｛９〔ｃｍ2 〕／０．０２
〔ｃｍ〕｝＝５４〔Ｗ／℃〕 ．その熱抵抗Ｒｃは、 １／５４＝０．０１８５〔℃／Ｗ〕 ．吸熱側基板５１と熱電変換素子群５０の界面と吸熱
側基板５１の外表面との温度差ΔＴｃは、 ０．０１８５〔℃／Ｗ〕×１０〔Ｗ〕＝０．１８５
〔℃〕 となる。
〔ｃｍ〕とし、放熱側基板５２の厚さを０．１〔ｃｍ〕
として、合計で０．１２〔ｃｍ〕とした場合、 ．吸熱側基板５１の熱コンダクタンスは、 ０．１２〔Ｗ／ｃｍ・℃〕×｛９〔ｃｍ2 〕／０．０２
〔ｃｍ〕｝＝５４〔Ｗ／℃〕 ．その熱抵抗Ｒｃは、 １／５４＝０．０１８５〔℃／Ｗ〕 ．吸熱側基板５１と熱電変換素子群５０の界面と吸熱
側基板５１の外表面との温度差ΔＴｃは、 ０．０１８５〔℃／Ｗ〕×１０〔Ｗ〕＝０．１８５
〔℃〕 となる。
【００１９】．放熱側基板５２の熱コンダクタンス
は、 ０．１２〔Ｗ／ｃｍ・℃〕×｛９〔ｃｍ2 〕／０．１
〔ｃｍ〕｝＝１０．８〔Ｗ／℃〕 ．その熱抵抗Ｒｈは、 １／１０．８＝０．０９２６〔℃／Ｗ〕 ．放熱側基板５２と熱電変換素子群５０の界面と放熱
側基板５２の外表面との温度差ΔＴｈは、 ０．０９２６〔℃／Ｗ〕×５０〔Ｗ〕＝４．６３〔℃〕 となる。
は、 ０．１２〔Ｗ／ｃｍ・℃〕×｛９〔ｃｍ2 〕／０．１
〔ｃｍ〕｝＝１０．８〔Ｗ／℃〕 ．その熱抵抗Ｒｈは、 １／１０．８＝０．０９２６〔℃／Ｗ〕 ．放熱側基板５２と熱電変換素子群５０の界面と放熱
側基板５２の外表面との温度差ΔＴｈは、 ０．０９２６〔℃／Ｗ〕×５０〔Ｗ〕＝４．６３〔℃〕 となる。
【００２０】．従って低温側の温度差ΔＴｃと高温側
の温度差ΔＴｈの合計ΔＴは、 ０．１８５＋４．６３＝４．８１５〔℃〕 となる。
の温度差ΔＴｈの合計ΔＴは、 ０．１８５＋４．６３＝４．８１５〔℃〕 となる。
【００２１】前述のように吸熱側基板５１と放熱側基板
５２の厚さを等しくした（Ａ）の場合のΔＴは３．３３
６〔℃〕、放熱側基板５２の厚さが吸熱側基板５１の厚
さよりも薄くした（Ｂ）の場合のΔＴは１．８５１
〔℃〕、反対に吸熱側基板５１の厚さが放熱側基板５２
の厚さよりも薄くした（Ｃ）の場合のΔＴは４．８１５
〔℃〕であり、結局、温度差ΔＴの大小関係は（Ｂ）＜
（Ａ）＜（Ｃ）となる。
５２の厚さを等しくした（Ａ）の場合のΔＴは３．３３
６〔℃〕、放熱側基板５２の厚さが吸熱側基板５１の厚
さよりも薄くした（Ｂ）の場合のΔＴは１．８５１
〔℃〕、反対に吸熱側基板５１の厚さが放熱側基板５２
の厚さよりも薄くした（Ｃ）の場合のΔＴは４．８１５
〔℃〕であり、結局、温度差ΔＴの大小関係は（Ｂ）＜
（Ａ）＜（Ｃ）となる。
【００２２】前述のようにＴｃとＴｈの間に４０〔℃〕
の差がつくように４０Ｗの電気量を投入しているにもか
かわらず、（Ａ）の場合には、４０−３．３３６＝３
６．６６４〔℃〕、（Ｃ）の場合には、４０−４．８１
５＝３５．１８５〔℃〕、しか温度差はついていないこ
とになる。これに対して（Ｂ）の場合には、４０−１．
８５１＝３８．１４９〔℃〕もの差があり、結局、放熱
側基板５２の外表面温度を一定にして、同じ４０Ｗの電
気量を投入しても、従来装置の（Ａ）に較べて本発明の
装置（Ｂ）では吸熱側基板５１の外表面温度を約１．５
〔℃〕下げることができ、冷却効率が従来のものに比較
して向上している。またこのことは、吸熱側基板５１と
放熱側基板５２の外表面温度の条件が同じとすると、従
来装置の（Ａ）に較べて本発明の装置（Ｂ）の方が冷却
に消費される電気量が少なくて済み、省エネルギーの熱
電変換装置が提供できることを意味する。
の差がつくように４０Ｗの電気量を投入しているにもか
かわらず、（Ａ）の場合には、４０−３．３３６＝３
６．６６４〔℃〕、（Ｃ）の場合には、４０−４．８１
５＝３５．１８５〔℃〕、しか温度差はついていないこ
とになる。これに対して（Ｂ）の場合には、４０−１．
８５１＝３８．１４９〔℃〕もの差があり、結局、放熱
側基板５２の外表面温度を一定にして、同じ４０Ｗの電
気量を投入しても、従来装置の（Ａ）に較べて本発明の
装置（Ｂ）では吸熱側基板５１の外表面温度を約１．５
〔℃〕下げることができ、冷却効率が従来のものに比較
して向上している。またこのことは、吸熱側基板５１と
放熱側基板５２の外表面温度の条件が同じとすると、従
来装置の（Ａ）に較べて本発明の装置（Ｂ）の方が冷却
に消費される電気量が少なくて済み、省エネルギーの熱
電変換装置が提供できることを意味する。
【００２３】
【実施例】次に本発明の実施例を図とともに説明する。
図１は電子冷却装置として用いる熱電変換装置の断面
図、図２は図１Ａ−Ａ線上の断面図である。
図１は電子冷却装置として用いる熱電変換装置の断面
図、図２は図１Ａ−Ａ線上の断面図である。
【００２４】図１に示すように、熱電変換装置は被冷却
側に接する吸熱部材１と、吸熱側基板２と、熱電変換素
子群３（図示していないが吸熱側電極、放熱側電極、Ｎ
型半導体層ならびにＰ型半導体層などから構成されてい
る）と、放熱側基板４と、支持枠体５と、カバー部材６
と、分散部材７とから主に構成されている。
側に接する吸熱部材１と、吸熱側基板２と、熱電変換素
子群３（図示していないが吸熱側電極、放熱側電極、Ｎ
型半導体層ならびにＰ型半導体層などから構成されてい
る）と、放熱側基板４と、支持枠体５と、カバー部材６
と、分散部材７とから主に構成されている。
【００２５】前記吸熱部材１は、図示していないが内部
に多数の吸熱フィンを有し、必要に応じてファンを付設
することができる。
に多数の吸熱フィンを有し、必要に応じてファンを付設
することができる。
【００２６】前記吸熱側基板２と放熱側基板４は板厚が
異なっており、アルミナなどのセラミック材料を使用す
る場合、例えば前述のように吸熱側基板２の板厚を１
〔ｍｍ〕、放熱側基板４の板厚を０．２〔ｍｍ〕にする
ことができる。
異なっており、アルミナなどのセラミック材料を使用す
る場合、例えば前述のように吸熱側基板２の板厚を１
〔ｍｍ〕、放熱側基板４の板厚を０．２〔ｍｍ〕にする
ことができる。
【００２７】または表面にアルマイトなどの電気絶縁薄
膜を形成したアルミニウムなどの金属板を基板材料に使
用する場合、例えば吸熱側基板２の板厚を５〔ｍｍ〕、
放熱側基板４の板厚を０．２〔ｍｍ〕にすることができ
る。なお、陽極酸化法によってアルマイトの絶縁薄膜を
形成する場合、その絶縁薄膜に封孔処理しない方がアル
マイト絶縁薄膜の表面に微細な凹凸が無数に形成されて
いるから、熱電変換素子群３との接合性が良好である。
膜を形成したアルミニウムなどの金属板を基板材料に使
用する場合、例えば吸熱側基板２の板厚を５〔ｍｍ〕、
放熱側基板４の板厚を０．２〔ｍｍ〕にすることができ
る。なお、陽極酸化法によってアルマイトの絶縁薄膜を
形成する場合、その絶縁薄膜に封孔処理しない方がアル
マイト絶縁薄膜の表面に微細な凹凸が無数に形成されて
いるから、熱電変換素子群３との接合性が良好である。
【００２８】基板材料として、その他に窒化アルミニウ
ム、窒化ホウ素、窒化ケイ素などの窒化物、炭化ケイ素
や炭化ホウ素などの炭化物の如き非参加性セラミックを
用いることができる。また、吸熱側基板２として前述の
ようなセラミックを用い、放熱側基板４として絶縁薄膜
を有する金属基板を用いることも可能である。さらに、
金属基板として例えば鉄（７０重量％）−ニッケル（３
０重量％）合金基板などを使用することも可能であり、
この合金基板の熱膨張係数は１×１０-7／℃と極めて低
く、応力低減に効果がある。
ム、窒化ホウ素、窒化ケイ素などの窒化物、炭化ケイ素
や炭化ホウ素などの炭化物の如き非参加性セラミックを
用いることができる。また、吸熱側基板２として前述の
ようなセラミックを用い、放熱側基板４として絶縁薄膜
を有する金属基板を用いることも可能である。さらに、
金属基板として例えば鉄（７０重量％）−ニッケル（３
０重量％）合金基板などを使用することも可能であり、
この合金基板の熱膨張係数は１×１０-7／℃と極めて低
く、応力低減に効果がある。
【００２９】特に放熱側基板４に板厚の薄い金属板を使
用した場合、吸熱側基板２の熱収縮によく追従でき、吸
熱側基板２−熱電変換素子群３−放熱側基板４間の応力
の発生を緩和することができる。
用した場合、吸熱側基板２の熱収縮によく追従でき、吸
熱側基板２−熱電変換素子群３−放熱側基板４間の応力
の発生を緩和することができる。
【００３０】なお、吸熱側基板２と放熱側基板４の合計
厚みが一定の場合、放熱側基板４の板厚を薄くすること
によりそれの機械的強度は小さくなるが、その分だけ吸
熱側基板２の板厚を厚くすることが可能であるから、吸
熱側基板２によって吸熱側基板２から放熱側基板４の間
の機械的強度を所望の値に保持することができる。
厚みが一定の場合、放熱側基板４の板厚を薄くすること
によりそれの機械的強度は小さくなるが、その分だけ吸
熱側基板２の板厚を厚くすることが可能であるから、吸
熱側基板２によって吸熱側基板２から放熱側基板４の間
の機械的強度を所望の値に保持することができる。
【００３１】前記熱電変換素子群３は、図示していない
が周知のように吸熱側電極と、放熱側電極と、両電極の
間に多数配置されたＰ型半導体層とＮ型半導体層と、各
半導体層と各電極を接合する半田層から構成されてい
る。
が周知のように吸熱側電極と、放熱側電極と、両電極の
間に多数配置されたＰ型半導体層とＮ型半導体層と、各
半導体層と各電極を接合する半田層から構成されてい
る。
【００３２】前記支持枠体５は合成樹脂で成形され、放
熱側基板４を支持するとともに、基端は前記吸熱側基板
２に取りつけられている。
熱側基板４を支持するとともに、基端は前記吸熱側基板
２に取りつけられている。
【００３３】前記カバー部材６は合成樹脂で成形されて
おり、上部に垂直方向に延びた給水管部８と排水管部９
とが一体に設けられ、給水管部８はカバー部材６のほぼ
中央に、排水管部９はカバー部材６の周縁近くに、それ
ぞれ配置されている。カバー部材６の下半分には下方に
向けて開口した周壁１０が設けられ、その内側に空間１
１が形成され、そこに前記分散部材７が設置されてい
る。
おり、上部に垂直方向に延びた給水管部８と排水管部９
とが一体に設けられ、給水管部８はカバー部材６のほぼ
中央に、排水管部９はカバー部材６の周縁近くに、それ
ぞれ配置されている。カバー部材６の下半分には下方に
向けて開口した周壁１０が設けられ、その内側に空間１
１が形成され、そこに前記分散部材７が設置されてい
る。
【００３４】分散部材７も合成樹脂で成形されており、
上面の略中央に円形の凹部１２が形成され、それを取り
囲むように壁部１３が設けられている。分散部材７の外
周部でかつその厚さ方向のほぼ中間位置につば部１４が
設けられ、つば部１４の四隅に比較的径大の排出穴１５
が形成され（図２参照）、前記凹部１２の中央部に１本
ならびに外周部には等間隔に８本の垂直に貫通した供給
孔１６ａ〜１６ｉが設けられている。
上面の略中央に円形の凹部１２が形成され、それを取り
囲むように壁部１３が設けられている。分散部材７の外
周部でかつその厚さ方向のほぼ中間位置につば部１４が
設けられ、つば部１４の四隅に比較的径大の排出穴１５
が形成され（図２参照）、前記凹部１２の中央部に１本
ならびに外周部には等間隔に８本の垂直に貫通した供給
孔１６ａ〜１６ｉが設けられている。
【００３５】図１に示すように分散部材７をカバー部材
６の空間１１内に挿入して、分散部材７の壁部１３の上
面をカバー部材６の内面に、分散部材７のつば部１４の
外周面をカバー部材６の周壁１０の内面に、それぞれ接
着することにより、分散部材７がカバー部材６内で位置
決め固定される。そしてカバー部材６の内面と分散部材
７の上面の間に扁平状の第１空間１７が、また周壁１０
と壁部１３とつば部１４に囲まれて排水管９に連通した
四角の枠形の排水路１８が、それぞれ形成される。
６の空間１１内に挿入して、分散部材７の壁部１３の上
面をカバー部材６の内面に、分散部材７のつば部１４の
外周面をカバー部材６の周壁１０の内面に、それぞれ接
着することにより、分散部材７がカバー部材６内で位置
決め固定される。そしてカバー部材６の内面と分散部材
７の上面の間に扁平状の第１空間１７が、また周壁１０
と壁部１３とつば部１４に囲まれて排水管９に連通した
四角の枠形の排水路１８が、それぞれ形成される。
【００３６】そしてカバー部材６の周壁１０の下面を放
熱側基板４に接着することにより、分散部材７の下面と
放熱側基板４の上面との間に１〜３ｍｍ程度の隙間の狭
い扁平状の第２空間１９と、その周囲に四隅の排水穴１
５に連通した集水路２０が形成される。
熱側基板４に接着することにより、分散部材７の下面と
放熱側基板４の上面との間に１〜３ｍｍ程度の隙間の狭
い扁平状の第２空間１９と、その周囲に四隅の排水穴１
５に連通した集水路２０が形成される。
【００３７】図１に示すように熱移動媒体である水２１
を中央の給水管部８から供給すると第１空間１７で一斉
に拡がり、９個の各供給孔１６ａ〜１６ｉから放熱側基
板４の平面に向けて勢いよく噴射する。放熱側基板４に
衝突して放熱側基板４の熱を奪った水２１は隙間の狭い
第２空間１９で拡散し、その周囲の集水路２０で集めら
れ、近くの排出穴１５から排水路１８を経て排水管部９
から系外へ排出される。排出された水２１は図示しない
ラジエタ−または自然放冷で冷却され、循環系統を通っ
て再利用される。
を中央の給水管部８から供給すると第１空間１７で一斉
に拡がり、９個の各供給孔１６ａ〜１６ｉから放熱側基
板４の平面に向けて勢いよく噴射する。放熱側基板４に
衝突して放熱側基板４の熱を奪った水２１は隙間の狭い
第２空間１９で拡散し、その周囲の集水路２０で集めら
れ、近くの排出穴１５から排水路１８を経て排水管部９
から系外へ排出される。排出された水２１は図示しない
ラジエタ−または自然放冷で冷却され、循環系統を通っ
て再利用される。
【００３８】図３ならびに図４は本発明の第２実施例を
示す図で、図３は放熱側基板の平面図、図４は図３Ｂ−
Ｂ線上の拡大断面図である。
示す図で、図３は放熱側基板の平面図、図４は図３Ｂ−
Ｂ線上の拡大断面図である。
【００３９】この実施例の場合、放熱側基板４は熱電変
換素子群３（放熱側電極）と接合する表面に電気絶縁性
の薄膜（例えばアルマイト薄膜 図示せず）を形成した
金属基板（例えばアルミニウム板）からなり、図３に示
すように熱電変換素子群３（放熱側電極）の取付け部分
２２が放熱側基板４の中央部を基準にて四方に分割され
ている。また放熱側基板４の外周部付近には、例えば図
１に示すカバー部材６の周壁１０の下端と接合する環状
のシール部分２３が設けられている。
換素子群３（放熱側電極）と接合する表面に電気絶縁性
の薄膜（例えばアルマイト薄膜 図示せず）を形成した
金属基板（例えばアルミニウム板）からなり、図３に示
すように熱電変換素子群３（放熱側電極）の取付け部分
２２が放熱側基板４の中央部を基準にて四方に分割され
ている。また放熱側基板４の外周部付近には、例えば図
１に示すカバー部材６の周壁１０の下端と接合する環状
のシール部分２３が設けられている。
【００４０】そして前記取付け部分２２とシール部分２
３を除いた部分に、図４に示す如く断面形状が山形の屈
曲部２４が形成されている。この屈曲部２４は図に示す
ようにリブ状に連続していても、断続的なものでもよ
く、また屈曲部２４は熱電変換素子群３側に向けて突出
しても、熱電変換素子群３とは反対側に向けて突出して
もよい。なお、本実施例では屈曲部２４を十字状に形成
したが、この屈曲部２４を例えば直線状に多数形成する
ことも可能である。
３を除いた部分に、図４に示す如く断面形状が山形の屈
曲部２４が形成されている。この屈曲部２４は図に示す
ようにリブ状に連続していても、断続的なものでもよ
く、また屈曲部２４は熱電変換素子群３側に向けて突出
しても、熱電変換素子群３とは反対側に向けて突出して
もよい。なお、本実施例では屈曲部２４を十字状に形成
したが、この屈曲部２４を例えば直線状に多数形成する
ことも可能である。
【００４１】図６は、本発明の第３実施例を説明するた
めの熱電変換装置の断面図である。
めの熱電変換装置の断面図である。
【００４２】この実施例で前記第１実施例の熱電変換装
置（第１図参照）と相違する点は、放熱側基板４と支持
枠体５とカバー部材６との関係である。
置（第１図参照）と相違する点は、放熱側基板４と支持
枠体５とカバー部材６との関係である。
【００４３】すなわち本実施例の場合は、放熱側基板４
の周辺部がカバー部材６の内側に接着支持され、カバー
部材６が支持枠体５に接着支持されて、支持枠体５がネ
ジ３０によって吸熱側基板２に取付けられている。図中
の３１は支持枠体５のネジ止め部ならびに支持枠体５と
カバー部材６の間に充填されたシール材である。
の周辺部がカバー部材６の内側に接着支持され、カバー
部材６が支持枠体５に接着支持されて、支持枠体５がネ
ジ３０によって吸熱側基板２に取付けられている。図中
の３１は支持枠体５のネジ止め部ならびに支持枠体５と
カバー部材６の間に充填されたシール材である。
【００４４】図７ならびに図８は、吸熱側基板ならびに
放熱側基板の板厚を変化させた場合の応力の推移を示す
特性図である。図７は一辺が４０〔ｍｍ〕の正方形で吸
熱側基板ならびに放熱側基板ともアルミナセラミックか
らなり、放熱側基板の板厚を０．１〔ｍｍ〕＜曲線
（ａ）＞ならびに板厚を０．２〔ｍｍ〕＜曲線（ｂ）＞
に固定して吸熱側基板の板厚を０．１〜１０〔ｍｍ〕に
変化させた場合の、吸熱側基板と放熱側基板の間にかか
る剪断応力の変化を測定した図である。なお、ＴｃとＴ
ｈの温度差は３５〔℃〕とした。
放熱側基板の板厚を変化させた場合の応力の推移を示す
特性図である。図７は一辺が４０〔ｍｍ〕の正方形で吸
熱側基板ならびに放熱側基板ともアルミナセラミックか
らなり、放熱側基板の板厚を０．１〔ｍｍ〕＜曲線
（ａ）＞ならびに板厚を０．２〔ｍｍ〕＜曲線（ｂ）＞
に固定して吸熱側基板の板厚を０．１〜１０〔ｍｍ〕に
変化させた場合の、吸熱側基板と放熱側基板の間にかか
る剪断応力の変化を測定した図である。なお、ＴｃとＴ
ｈの温度差は３５〔℃〕とした。
【００４５】また図８は一辺が４０〔ｍｍ〕の正方形で
吸熱側基板ならびに放熱側基板ともアルミニウムからな
り、放熱側基板の板厚を０．１〔ｍｍ〕＜曲線（ｃ）＞
ならびに板厚を０．２〔ｍｍ〕＜曲線（ｄ）＞に固定し
て吸熱側基板の板厚を０．１〜１０〔ｍｍ〕に変化させ
た場合の、剪断応力の変化を測定した図である。
吸熱側基板ならびに放熱側基板ともアルミニウムからな
り、放熱側基板の板厚を０．１〔ｍｍ〕＜曲線（ｃ）＞
ならびに板厚を０．２〔ｍｍ〕＜曲線（ｄ）＞に固定し
て吸熱側基板の板厚を０．１〜１０〔ｍｍ〕に変化させ
た場合の、剪断応力の変化を測定した図である。
【００４６】図７と図８の図中に示した横軸と平行な一
点鎖線は、一辺が４〔ｍｍ〕で板厚が０．６〔ｍｍ〕の
吸熱側基板５１と放熱側基板５２を使用した従来の熱電
変換装置の剪断応力０．５３〔Ｋｇｆ／ｍｍ2 〕を示す
直線である。
点鎖線は、一辺が４〔ｍｍ〕で板厚が０．６〔ｍｍ〕の
吸熱側基板５１と放熱側基板５２を使用した従来の熱電
変換装置の剪断応力０．５３〔Ｋｇｆ／ｍｍ2 〕を示す
直線である。
【００４７】これらの図から明らかなように、セラミッ
クならびに金属製の基板を用いた場合でも、本発明のよ
うに吸熱側基板よりも放熱側基板の板厚を薄くすること
により、従来の吸熱側基板と放熱側基板の板厚を同じく
したものよりも応力の発生を大幅に軽減することができ
る。
クならびに金属製の基板を用いた場合でも、本発明のよ
うに吸熱側基板よりも放熱側基板の板厚を薄くすること
により、従来の吸熱側基板と放熱側基板の板厚を同じく
したものよりも応力の発生を大幅に軽減することができ
る。
【００４８】本発明の熱電変換装置は前述のように、放
熱側基板の板厚を例えば０．１〜０．５〔ｍｍ〕程度に
薄くすることで前述のような効果は得られるが、放熱側
基板自体の機械的強度が弱くなる。そのため図１に示す
ように例えば水などの熱移動媒体の噴射圧力で、あるい
は（ならびに）構造的に放熱側基板を熱電変換素子群に
押圧密着すると、安定した特性が得られる。
熱側基板の板厚を例えば０．１〜０．５〔ｍｍ〕程度に
薄くすることで前述のような効果は得られるが、放熱側
基板自体の機械的強度が弱くなる。そのため図１に示す
ように例えば水などの熱移動媒体の噴射圧力で、あるい
は（ならびに）構造的に放熱側基板を熱電変換素子群に
押圧密着すると、安定した特性が得られる。
【００４９】前記実施例のように、基体として電気絶縁
薄膜を有する金属基体を使用すると、アルミナなどのセ
ラミック基体に較べて熱抵抗が極端に少ないから、さら
に熱交換能力が高められる。
薄膜を有する金属基体を使用すると、アルミナなどのセ
ラミック基体に較べて熱抵抗が極端に少ないから、さら
に熱交換能力が高められる。
【００５０】前記実施例では熱移動媒体を使用する場合
について説明したが、本発明はこれに限定されるものて
はなく、熱移動媒体を使用しない熱電変換装置にも適用
可能である。
について説明したが、本発明はこれに限定されるものて
はなく、熱移動媒体を使用しない熱電変換装置にも適用
可能である。
【００５１】前記実施例では電子冷却装置の場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものてはな
く、熱発電装置にも適用可能であり、また冷却と保温
（加温）が切り換えが可能な熱電変換装置にも適用可能
である。
て説明したが、本発明はこれに限定されるものてはな
く、熱発電装置にも適用可能であり、また冷却と保温
（加温）が切り換えが可能な熱電変換装置にも適用可能
である。
【００５２】
【発明の効果】本発明は前述のように、放熱側基板と、
吸熱側基板と、前記放熱側基板と吸熱側基板の間に介在
された熱電変換素子群を備えた熱電変換装置において、
前記放熱側基板の厚さが吸熱側基板の厚さよりも薄いこ
とを特徴とするものであり、このように構成することに
より高い熱電変換特性を有することができる。
吸熱側基板と、前記放熱側基板と吸熱側基板の間に介在
された熱電変換素子群を備えた熱電変換装置において、
前記放熱側基板の厚さが吸熱側基板の厚さよりも薄いこ
とを特徴とするものであり、このように構成することに
より高い熱電変換特性を有することができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る熱電変換装置の断面
図である。
図である。
【図２】図１Ａ−Ａ線上の断面図である。
【図３】本発明の第２実施例に係る熱電変換装置に用い
る放熱側基板の平面図である。
る放熱側基板の平面図である。
【図４】図３Ｂ−Ｂ線上の拡大断面図である。
【図５】本発明の熱電変換装置における作用を説明する
ための図である。
ための図である。
【図６】本発明の第３実施例に係る熱電変換装置の断面
図である。
図である。
【図７】本発明の熱電変換装置における吸熱側基板なら
びに放熱側基板の板厚と応力との関係を示す特性図であ
る。
びに放熱側基板の板厚と応力との関係を示す特性図であ
る。
【図８】本発明の熱電変換装置における吸熱側基板なら
びに放熱側基板の板厚と応力との関係を示す特性図であ
る。
びに放熱側基板の板厚と応力との関係を示す特性図であ
る。
【図９】従来の熱電変換装置の拡大断面図である。
１ 吸熱部材 ２ 吸熱側基板 ３ 熱電変換素子群 ４ 放熱側基板 ５ 支持枠体 ６ カバー部材 ７ 分散部材 ２１ 水 ２２ 熱電変換素子群（放熱側電極）の取付け部分 ２３ シール部分 ２４ 屈曲部 ５０ 熱電変換素子群 ５１ 吸熱側基板 ５２ 放熱側基板
Claims (6)
- 【請求項１】 放熱側基板と、吸熱側基板と、前記放熱
側基板と吸熱側基板の間に介在された熱電変換素子群を
備えた熱電変換装置において、 前記放熱側基板の厚さが吸熱側基板の厚さよりも薄いこ
とを特徴とする熱電変換装置。 - 【請求項２】 請求項１記載において、少なくとも前記
放熱側基板が電気絶縁薄膜を有する金属基板で構成され
ていることを特徴とする熱電変換装置。 - 【請求項３】 請求項１記載において、前記放熱側基板
ならびに吸熱側基板がともに電気絶縁薄膜を有する金属
基板で構成されていることを特徴とする熱電変換装置。 - 【請求項４】 請求項２または３記載において、前記放
熱側基板を構成する金属基板に当該金属基板の熱変形を
助長するための屈曲部が設けられていることを特徴とす
る熱電変換装置。 - 【請求項５】 請求項４記載において、前記金属基板の
前記放熱側電極と接合する部分ならびにシール部分を避
けて前記屈曲部が設けられていることを特徴とする熱電
変換装置。 - 【請求項６】 請求項１記載において、前記放熱側基板
が熱電変換素子群側に機械的に押圧されていることを特
徴とする熱電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18286895A JP3560392B2 (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 熱電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18286895A JP3560392B2 (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 熱電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936438A true JPH0936438A (ja) | 1997-02-07 |
| JP3560392B2 JP3560392B2 (ja) | 2004-09-02 |
Family
ID=16125847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18286895A Expired - Fee Related JP3560392B2 (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 熱電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3560392B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034451A1 (fr) * | 1997-12-25 | 1999-07-08 | Eco 21, Inc. | Convertisseur thermoelectrique |
| JP2006269995A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電変換モジュール及び電子デバイス |
| WO2008029451A1 (fr) * | 2006-09-05 | 2008-03-13 | Pioneer Corporation | Dispositif de génération de son thermique |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5991765U (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | 小松エレクトロニクス株式会社 | 熱電モジユ−ル |
| JPH07176797A (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-14 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電変換装置 |
| JPH07176796A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電変換装置 |
-
1995
- 1995-07-19 JP JP18286895A patent/JP3560392B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5991765U (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | 小松エレクトロニクス株式会社 | 熱電モジユ−ル |
| JPH07176796A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電変換装置 |
| JPH07176797A (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-14 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電変換装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034451A1 (fr) * | 1997-12-25 | 1999-07-08 | Eco 21, Inc. | Convertisseur thermoelectrique |
| US6185941B1 (en) | 1997-12-25 | 2001-02-13 | Eco 21, Inc. | Thermoelectric converter |
| JP2006269995A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電変換モジュール及び電子デバイス |
| JP4572714B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2010-11-04 | アイシン精機株式会社 | 電子デバイス |
| WO2008029451A1 (fr) * | 2006-09-05 | 2008-03-13 | Pioneer Corporation | Dispositif de génération de son thermique |
| JP4817464B2 (ja) * | 2006-09-05 | 2011-11-16 | パイオニア株式会社 | 熱音響発生装置 |
| US8094840B2 (en) | 2006-09-05 | 2012-01-10 | Pioneer Corporation | Thermal sound generating device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3560392B2 (ja) | 2004-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5007296B2 (ja) | パワーモジュール用ベース | |
| TWI443883B (zh) | 具有高熱電轉換效能之熱電轉換組件 | |
| EP2139036B1 (en) | Semiconductor device | |
| US7564129B2 (en) | Power semiconductor module, and power semiconductor device having the module mounted therein | |
| CN101794754B (zh) | 半导体装置 | |
| JP3369349B2 (ja) | 熱電変換装置 | |
| WO1998010474A1 (fr) | Convertisseur thermoelectrique | |
| US20030102554A1 (en) | Thermoelectric module | |
| US20130256867A1 (en) | Semiconductor device | |
| JPH07161883A (ja) | ヒートシンク | |
| KR20130113988A (ko) | 반도체 유닛 | |
| JP2010278438A (ja) | ヒートシンク並びにその製作方法 | |
| CN111246706A (zh) | 一种双面散热装置 | |
| JP3560391B2 (ja) | 熱電変換装置 | |
| JPH0936438A (ja) | 熱電変換装置 | |
| WO2018137266A1 (zh) | 毛细相变冷却器及其安装方法 | |
| JP2006140390A (ja) | パワー半導体装置 | |
| CN209845583U (zh) | 一种双面散热装置以及一种逆变器 | |
| JPH03231446A (ja) | 電力用半導体素子 | |
| CN111223838A (zh) | 一种高效散热绝缘衬板 | |
| CN219711755U (zh) | 一种碳化硅模组与空气轴承空压机融合散热装置 | |
| CN218851204U (zh) | 散热模块及制冷装置 | |
| CN219454122U (zh) | 一种热电半导体空调装置 | |
| CN218917903U (zh) | 一种散热高效的制冷相机 | |
| RU75020U1 (ru) | Устройство для охлаждения тепловыделяющей аппаратуры |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040216 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040427 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040525 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090604 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100604 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100604 Year of fee payment: 6 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100604 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100604 Year of fee payment: 6 |
|
| S321 | Written request for registration of change in pledge agreement |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316321 |
|
| S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100604 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100604 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110604 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110604 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120604 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130604 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |