JP3560392B2 - 熱電変換装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、電子冷却装置あるいは熱発電装置などの熱電変換装置に係り、特にそれの熱電変換素子群を支持する基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
図8は、従来の熱電変換装置を説明するための図である。同図に示すように、アルミナなどからなる放熱側基板100の上に半田層101を介して放熱側電極102が設けられ、放熱側電極102の上にP型半導体層103とN型半導体層104とがそれぞれ配置されている。
【0003】
このP型半導体層103とN型半導体層104とを接続するように吸熱側電極105が設けられ、さらにその上に半田層105を介してアルミナなどからなる吸熱側基板107が配置されている。
【0004】
前記P型半導体層103とN型半導体層104は放熱側基板100と吸熱側基板107の間に多数介在され、熱的ならびに構造的には並列に配置され、電気的には直列に配置されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この従来の熱電変換装置ではまだ十分に高い熱電変換能力を得ることができないという欠点を有している。
【0006】
本発明者らはこの問題点について鋭意検討した結果、熱電変換装置の基板に問題があることを見出した。
【0007】
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消し、十分に高い熱電変換能力を有する性能的に優れた熱電変換装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明は、放熱側基板と、吸熱側基板と、前記放熱側基板と吸熱側基板の間に介在された熱電変換素子群を備えた熱電変換装置を対象とするものである。
【0009】
そして前記放熱側基板ならびに吸熱側基板は電気絶縁薄膜を形成した金属板からなり、放熱側基板の厚さが吸熱側基板の厚さよりも薄くなっており、その薄い放熱側基板の上面側に扁平状の空間を介して供給孔を有する分散部材を配置し、その分散部材の供給孔から熱移動媒体を放熱側基板に向けて噴射して、その熱移動媒体の噴射圧力で薄い放熱側基板を熱電変換素子群に押圧することを特徴とするものである。
【0010】
【作用】
図5は、電子冷却装置を例にとって説明した熱電変換装置のエネルギー収支の説明図である。図中の50は電極、半田層ならびに半導体層からなる熱電変換素子群、51は吸熱側基板、52は放熱側基板である。
【0011】
同図において例えば熱電変換素子群50の低温側温度(Tc)を0〔℃〕、高温側温度(Th)を夏場を考慮して40〔℃〕、熱電変換素子群50の低温側面における吸熱量を10〔W〕、投入電力Pを40〔W〕、熱電変換素子群50の高温側面における放熱量を50〔W〕という動作条件に設定したとする。また装置の総高を一定に保つために熱電変換素子群50(半導体層、電極、半田層など)の厚さを一定にし、かつ吸熱側基板51と放熱側基板52の合計厚さを0.12〔cm〕として、両基板とも一辺の長さは3〔cm〕の正方形とし、両基板には熱伝導率が0.12〔W/cm・℃〕のアルミナセラミックを使用した。
【0012】
(A)従来のように吸熱側基板51と放熱側基板52の厚さをともに0.06
〔cm〕として、合計で0.12〔cm〕とした場合、
▲1▼.吸熱側基板51の熱コンダクタンスは、
0.12〔W/cm・℃〕×{9〔cm2 〕/0.06〔cm〕}=18〔W/℃〕
▲2▼.その熱抵抗Rcは熱コンダクタンスの逆数であるから、
1/18=0.0556〔℃/W〕
▲3▼.吸熱側基板51と熱電変換素子群50の界面と吸熱側基板51の外表面との温度差ΔTcは、
0.0556〔℃/W〕×10〔W〕=0.556〔℃〕
となる。
【0013】
▲4▼.放熱側基板52の熱コンダクタンスは吸熱側基板51と同じで、
18〔W/℃〕
▲5▼.その熱抵抗Rhは0.0556〔℃/W〕
▲6▼.放熱側基板52と熱電変換素子群50の界面と放熱側基板52の外表面との温度差ΔThは、
0.0556〔℃/W〕×50〔W〕=2.78〔℃〕
となる。
【0014】
▲7▼.従って低温側の温度差ΔTcと高温側の温度差ΔThの合計ΔTは、
0.556+2.78=3.336〔℃〕
となる。
【0015】
(B)吸熱側基板51の厚さを0.1〔cm〕とし、放熱側基板52の厚さを
0.02〔cm〕として、合計で0.12〔cm〕とした場合、
▲1▼.吸熱側基板51の熱コンダクタンスは、
0.12〔W/cm・℃〕×{9〔cm2 〕/0.1〔cm〕}=10.8〔W/℃〕
▲2▼.その熱抵抗Rcは熱コンダクタンスの逆数であるから、
1/10.8=0.0926〔℃/W〕
▲3▼.吸熱側基板51と熱電変換素子群50の界面と吸熱側基板51の外表面との温度差ΔTcは、
0.0926〔℃/W〕×10〔W〕=0.926〔℃〕
となる。
【0016】
▲4▼.放熱側基板52の熱コンダクタンスは、
0.12〔W/cm・℃〕×{9〔cm2 〕/0.02〔cm〕}=54〔W/℃〕
▲5▼.その熱抵抗Rhは、
1/54=0.0185〔℃/W〕
▲6▼.放熱側基板52と熱電変換素子群50の界面と放熱側基板52の外表面との温度差ΔThは、
0.0185〔℃/W〕×50〔W〕=0.925〔℃〕
となる。
【0017】
▲7▼.従って低温側の温度差ΔTcと高温側の温度差ΔThの合計ΔTは、
0.926+0.925=1.851〔℃〕
となる。
【0018】
(C)吸熱側基板51の厚さを0.02〔cm〕とし、放熱側基板52の厚さ
を0.1〔cm〕として、合計で0.12〔cm〕とした場合、
▲1▼.吸熱側基板51の熱コンダクタンスは、
0.12〔W/cm・℃〕×{9〔cm2 〕/0.02〔cm〕}=54〔W/℃〕
▲2▼.その熱抵抗Rcは、
1/54=0.0185〔℃/W〕
▲3▼.吸熱側基板51と熱電変換素子群50の界面と吸熱側基板51の外表面との温度差ΔTcは、
0.0185〔℃/W〕×10〔W〕=0.185〔℃〕
となる。
【0019】
▲4▼.放熱側基板52の熱コンダクタンスは、
0.12〔W/cm・℃〕×{9〔cm2 〕/0.1〔cm〕}=10.8〔W/℃〕
▲5▼.その熱抵抗Rhは、
1/10.8=0.0926〔℃/W〕
▲6▼.放熱側基板52と熱電変換素子群50の界面と放熱側基板52の外表面との温度差ΔThは、
0.0926〔℃/W〕×50〔W〕=4.63〔℃〕
となる。
【0020】
▲7▼.従って低温側の温度差ΔTcと高温側の温度差ΔThの合計ΔTは、
0.185+4.63=4.815〔℃〕
となる。
【0021】
前述のように吸熱側基板51と放熱側基板52の厚さを等しくした(A)の場合のΔTは3.336〔℃〕、放熱側基板52の厚さが吸熱側基板51の厚さよりも薄くした(B)の場合のΔTは1.851〔℃〕、反対に吸熱側基板51の厚さが放熱側基板52の厚さよりも薄くした(C)の場合のΔTは4.815〔℃〕であり、結局、温度差ΔTの大小関係は(B)<(A)<(C)となる。
【0022】
前述のようにTcとThの間に40〔℃〕の差がつくように40Wの電気量を投入しているにもかかわらず、
(A)の場合には、40−3.336=36.664〔℃〕、
(C)の場合には、40−4.815=35.185〔℃〕、
しか温度差はついていないことになる。これに対して
(B)の場合には、40−1.851=38.149〔℃〕
もの差があり、結局、放熱側基板52の外表面温度を一定にして、同じ40Wの電気量を投入しても、従来装置の(A)に較べて本発明の装置(B)では吸熱側基板51の外表面温度を約1.5〔℃〕下げることができ、冷却効率が従来のものに比較して向上している。またこのことは、吸熱側基板51と放熱側基板52の外表面温度の条件が同じとすると、従来装置の(A)に較べて本発明の装置(B)の方が冷却に消費される電気量が少なくて済み、省エネルギーの熱電変換装置が提供できることを意味する。
【0023】
【実施例】
次に本発明の実施例を図とともに説明する。図1は電子冷却装置として用いる熱電変換装置の断面図、図2は図1A−A線上の断面図である。
【0024】
図1に示すように、熱電変換装置は被冷却側に接する吸熱部材1と、吸熱側基板2と、熱電変換素子群3(図示していないが吸熱側電極、放熱側電極、N型半導体層ならびにP型半導体層などから構成されている)と、放熱側基板4と、支持枠体5と、カバー部材6と、分散部材7とから主に構成されている。
【0025】
前記吸熱部材1は、図示していないが内部に多数の吸熱フィンを有し、必要に応じてファンを付設することができる。
【0027】
前記吸熱側基板2と放熱側基板4は板厚が異なっており、表面にアルマイトなどの電気絶縁薄膜を形成したアルミニウムなどの金属板を基板材料に使用する場合、例えば吸熱側基板2の板厚を5〔mm〕、放熱側基板4の板厚を0.2〔mm〕にすることができる。なお、陽極酸化法によってアルマイトの絶縁薄膜を形成する場合、その絶縁薄膜に封孔処理しない方がアルマイト絶縁薄膜の表面に微細な凹凸が無数に形成されているから、熱電変換素子群3との接合性が良好である。
【0028】
金属基板として例えば鉄(70重量%)−ニッケル(30重量%)合金基板などを使用することも可能であり、この合金基板の熱膨張係数は1×10-7/℃と極めて低く、応力低減に効果がある。
【0029】
特に放熱側基板4に板厚の薄い金属板を使用した場合、吸熱側基板2の熱収縮によく追従でき、吸熱側基板2−熱電変換素子群3−放熱側基板4間の応力の発生を緩和することができる。
【0030】
なお、吸熱側基板2と放熱側基板4の合計厚みが一定の場合、放熱側基板4の板厚を薄くすることによりそれの機械的強度は小さくなるが、その分だけ吸熱側基板2の板厚を厚くすることが可能であるから、吸熱側基板2によって吸熱側基板2から放熱側基板4の間の機械的強度を所望の値に保持することができる。
【0031】
前記熱電変換素子群3は、図示していないが周知のように吸熱側電極と、放熱側電極と、両電極の間に多数配置されたP型半導体層とN型半導体層と、各半導体層と各電極を接合する半田層から構成されている。
【0032】
前記支持枠体5は合成樹脂で成形され、放熱側基板4を支持するとともに、基端は前記吸熱側基板2に取りつけられている。
【0033】
前記カバー部材6は合成樹脂で成形されており、上部に垂直方向に延びた給水管部8と排水管部9とが一体に設けられ、給水管部8はカバー部材6のほぼ中央に、排水管部9はカバー部材6の周縁近くに、それぞれ配置されている。カバー部材6の下半分には下方に向けて開口した周壁10が設けられ、その内側に空間11が形成され、そこに前記分散部材7が設置されている。
【0034】
分散部材7も合成樹脂で成形されており、上面の略中央に円形の凹部12が形成され、それを取り囲むように壁部13が設けられている。分散部材7の外周部でかつその厚さ方向のほぼ中間位置につば部14が設けられ、つば部14の四隅に比較的径大の排出穴15が形成され(図2参照)、前記凹部12の中央部に1本ならびに外周部には等間隔に8本の垂直に貫通した供給孔16a〜16iが設けられている。
【0035】
図1に示すように分散部材7をカバー部材6の空間11内に挿入して、分散部材7の壁部13の上面をカバー部材6の内面に、分散部材7のつば部14の外周面をカバー部材6の周壁10の内面に、それぞれ接着することにより、分散部材7がカバー部材6内で位置決め固定される。そしてカバー部材6の内面と分散部材7の上面の間に扁平状の第1空間17が、また周壁10と壁部13とつば部14に囲まれて排水管9に連通した四角の枠形の排水路18が、それぞれ形成される。
【0036】
そしてカバー部材6の周壁10の下面を放熱側基板4に接着することにより、分散部材7の下面と放熱側基板4の上面との間に1〜3mm程度の隙間の狭い扁平状の第2空間19と、その周囲に四隅の排水穴15に連通した集水路20が形成される。
【0037】
図1に示すように熱移動媒体である水21を中央の給水管部8から供給すると第1空間17で一斉に拡がり、9個の各供給孔16a〜16iから放熱側基板4の平面に向けて勢いよく噴射する。放熱側基板4に衝突して放熱側基板4の熱を奪った水21は隙間の狭い第2空間19で拡散し、その周囲の集水路20で集められ、近くの排出穴15から排水路18を経て排水管部9から系外へ排出される。排出された水21は図示しないラジエタ−または自然放冷で冷却され、循環系統を通って再利用される。
【0038】
図3ならびに図4は本発明の第2実施例を示す図で、図3は放熱側基板の平面図、図4は図3B−B線上の拡大断面図である。
【0039】
この実施例の場合、放熱側基板4は熱電変換素子群3(放熱側電極)と接合する表面に電気絶縁性の薄膜(例えばアルマイト薄膜 図示せず)を形成した金属基板(例えばアルミニウム板)からなり、図3に示すように熱電変換素子群3(放熱側電極)の取付け部分22が放熱側基板4の中央部を基準にて四方に分割されている。また放熱側基板4の外周部付近には、例えば図1に示すカバー部材6の周壁10の下端と接合する環状のシール部分23が設けられている。
【0040】
そして前記取付け部分22とシール部分23を除いた部分に、図4に示す如く断面形状が山形の屈曲部24が形成されている。この屈曲部24は図に示すようにリブ状に連続していても、断続的なものでもよく、また屈曲部24は熱電変換素子群3側に向けて突出しても、熱電変換素子群3とは反対側に向けて突出してもよい。なお、本実施例では屈曲部24を十字状に形成したが、この屈曲部24を例えば直線状に多数形成することも可能である。
【0041】
図6は、本発明の第3実施例を説明するための熱電変換装置の断面図である。
【0042】
この実施例で前記第1実施例の熱電変換装置(第1図参照)と相違する点は、放熱側基板4と支持枠体5とカバー部材6との関係である。
【0043】
すなわち本実施例の場合は、放熱側基板4の周辺部がカバー部材6の内側に接着支持され、カバー部材6が支持枠体5に接着支持されて、支持枠体5がネジ
30によって吸熱側基板2に取付けられている。図中の31は支持枠体5のネジ止め部ならびに支持枠体5とカバー部材6の間に充填されたシール材である。
【0044】
図7は、吸熱側基板ならびに放熱側基板の板厚を変化させた場合の応力の推移を示す特性図である。図7は一辺が40〔mm〕の正方形で吸熱側基板ならびに放熱側基板ともアルミニウムからなり、放熱側基板の板厚を0.1〔mm〕<曲線(c)>ならびに板厚を0.2〔mm〕<曲線(d)>に固定して吸熱側基板の板厚を0.1〜10〔mm〕に変化させた場合の、吸熱側基板と放熱側基板の間にかかる剪断応力の変化を測定した図である。なお、TcとThの温度差は35〔℃〕とした。
【0046】
図7の図中に示した横軸と平行な一点鎖線は、一辺が4〔mm〕で板厚が0.6〔mm〕の吸熱側基板51と放熱側基板52を使用した従来の熱電変換装置の剪断応力0.53〔Kgf/mm2 〕を示す直線である。
【0047】
これらの図から明らかなように、セラミックならびに金属製の基板を用いた場合でも、本発明のように吸熱側基板よりも放熱側基板の板厚を薄くすることにより、従来の吸熱側基板と放熱側基板の板厚を同じくしたものよりも応力の発生を大幅に軽減することができる。
【0048】
本発明の熱電変換装置は前述のように、放熱側基板の板厚を例えば0.1〜
0.5〔mm〕程度に薄くすることで前述のような効果は得られるが、放熱側基板自体の機械的強度が弱くなる。そのため図1に示すように例えば水などの熱移動媒体の噴射圧力で、あるいは(ならびに)構造的に放熱側基板を熱電変換素子群に押圧密着すると、安定した特性が得られる。
【0049】
前記実施例のように、基体として電気絶縁薄膜を有する金属基体を使用すると、アルミナなどのセラミック基体に較べて熱抵抗が極端に少ないから、さらに熱交換能力が高められる。
【0050】
前記実施例では熱移動媒体を使用する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものてはなく、熱移動媒体を使用しない熱電変換装置にも適用可能である。
【0051】
前記実施例では電子冷却装置の場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものてはなく、熱発電装置にも適用可能であり、また冷却と保温(加温)が切り換えが可能な熱電変換装置にも適用可能である。
【0052】
【発明の効果】
本発明は前述のように、放熱側基板と、吸熱側基板と、前記放熱側基板と吸熱側基板の間に介在された熱電変換素子群を備えた熱電変換装置において、前記放熱側基板ならびに吸熱側基板は電気絶縁薄膜を形成した金属板からなり、放熱側基板の厚さが吸熱側基板の厚さよりも薄くなっており、その薄い放熱側基板の上面側に扁平状の空間を介して供給孔を有する分散部材を配置し、その分散部材の供給孔から熱移動媒体を放熱側基板に向けて噴射して、その熱移動媒体の噴射圧力で薄い放熱側基板を熱電変換素子群に押圧することを特徴とするものであり、このように構成することにより高い熱電変換特性を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係る熱電変換装置の断面図である。
【図2】図1A−A線上の断面図である。
【図3】本発明の第2実施例に係る熱電変換装置に用いる放熱側基板の平面図である。
【図4】図3B−B線上の拡大断面図である。
【図5】本発明の熱電変換装置における作用を説明するための図である。
【図6】本発明の第3実施例に係る熱電変換装置の断面図である。
【図7】本発明の熱電変換装置における吸熱側基板ならびに放熱側基板の板厚と応力との関係を示す特性図である。
【図8】従来の熱電変換装置の拡大断面図である。
【符号の説明】
1 吸熱部材
2 吸熱側基板
3 熱電変換素子群
4 放熱側基板
5 支持枠体
6 カバー部材
7 分散部材
21 水
22 熱電変換素子群(放熱側電極)の取付け部分
23 シール部分
24 屈曲部
50 熱電変換素子群
51 吸熱側基板
52 放熱側基板
Claims (2)
- 放熱側基板と、吸熱側基板と、前記放熱側基板と吸熱側基板の間に介在された熱電変換素子群を備えた熱電変換装置において、
前記放熱側基板ならびに吸熱側基板は電気絶縁薄膜を形成した金属板からなり、放熱側基板の厚さが吸熱側基板の厚さよりも薄くなっており、その薄い放熱側基板の上面側に扁平状の空間を介して供給孔を有する分散部材を配置し、その分散部材の供給孔から熱移動媒体を放熱側基板に向けて噴射して、その熱移動媒体の噴射圧力で薄い放熱側基板を熱電変換素子群に押圧することを特徴とする熱電変換装置。 - 請求項1記載において、前記電気絶縁薄膜がアルマイト絶縁薄膜からなり、そのアルマイト絶縁薄膜が封孔処理されておらず表面に微細な凹凸が形成されていることを特徴とする熱電変換装置。
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