JPH0934115A

JPH0934115A - 水溶性パターン形成材料

Info

Publication number: JPH0934115A
Application number: JP20791095A
Authority: JP
Inventors: Jun Hatakeyama; 畠山　　潤; Satoshi Watanabe; 聡渡邉; Toshinobu Ishihara; 俊信石原; Satoshi Okazaki; 智岡崎; Mitsuo Umemura; 光雄梅村
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 1995-07-21
Filing date: 1995-07-21
Publication date: 1997-02-07

Abstract

(57)【要約】【解決手段】炭素数１〜７の脂肪族１価アルコールを
水１００重量部に対して０．００００１〜３０重量部添
加してなることを特徴とする水溶性パターン形成材料。【効果】本発明の水溶性パターン形成材料は、フォト
レジスト膜を用いたフォトリソグラフィー法によるパタ
ーン形成におけるフォトレジスト膜上層の保護膜の形成
材料として有用であり、特に、その優れた消泡性及び高
い水和性によりパターン欠陥の発生を防止することがで
き、従来設備を増設することなく微細パターンを容易に
形成することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はフォトレジスト膜を
用いたフォトリソグラフィーでのパターン形成材料に関
し、より詳しくはフォトレジスト膜の上層に水溶性膜を
成膜するプロセスに用いる水溶性パターン形成材料に関
する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】半導体
集積回路の高集積化や高密度化に伴い、パターン形成プ
ロセスに関して種々の厳しいパターン寸法の高精度化が
必要となっている。

【０００３】周知のように、各種の微細パターンの形成
には、一般にフォトリソグラフィーと呼ばれる方法が用
いられている。この方法は、基盤にフォトレジスト膜を
スピンコーティングなどの方法で成膜し、その後の露光
工程、現像工程によりマスクパターンをフォトレジスト
膜に転写した後、エッチング工程により基盤にパターン
を形成するものである。この方法に使用される露光機と
しては、パターン形成プロセスにおけるパターン寸法の
縮小及びパターン寸法の高精度化のため、縮小投影露光
機（ステッパー）が一般的に使われている。

【０００４】しかしながら、このようにフォトレジスト
膜のみを使用する方法では、パターン寸法の縮小や高精
度化が進められるにつれて満足な寸法安定性を維持する
ことが難しくなってきている。その原因の一つには、パ
ターン寸法縮小による焦点深度低下の問題がある。この
問題を解決するために、フォトレジスト膜上にコントラ
スト増強膜を設ける方法があり、この方法はコントラス
ト増強フォトリソグラフィー（ＣＥＬ：Ｃｏｎｔｒａｓ
ｔＥｎｈａｎｃｅｍｅｎｔＬｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ
又はＣｏｎｔｒａｓｔＥｎｈａｎｃｅｍｅｎｔＬａ
ｙｅｒ）として知られている。ここで使用されるコント
ラスト増強膜は、欧州公開公報第３６１６２７号、同３
５５９３４号及び米国特許第４７０２９９６号等に開示
されているように、アリールニトロン化合物のような光
退色性化合物と重合結合剤を含み、光によって退色する
ものである。

【０００５】また、もう一つの原因として、フォトレジ
スト膜のみを利用する方法では、その露光工程において
単一波長で露光するために、フォトレジスト膜内で光の
干渉、即ち、定在波が生じるということが挙げられる。
つまり、露光工程における光は、まず、フォトレジスト
膜に入射し、次いで基盤から反射し、更にフォトレジス
ト膜と空気との界面において反射・通過するものである
が、この過程においてフォトレジスト膜の膜厚が変化す
ると、フォトレジスト膜と空気との界面での反射率が変
化する。反射率の段差部分では、フォトリソグラフィー
の膜厚変動が生じるので、その膜厚の変動により露光量
が変化し、パターン寸法の変動によりその寸法精度が低
下してしまう。

【０００６】基盤表面の凹凸によって生じるこれらの問
題を解決し、良好なパターニングを行う方法として、透
過型反射防止膜ＡＲＣＯＲ：ＡｎｔｉＲｅｆｌｅｃｔ
ｉｖｅＣｏａｔＯｎＲｅｓｉｓｔ（特開昭６２−
６２５２０号公報）が提案されている。この方法は、フ
ォトレジスト膜の上層に所定の膜を設ける方法である
が、この場合、フォトレジスト膜とのミキシング層が形
成されないようにし、且つ従来設備を使えるようにする
ならば、フォトレジスト膜の上層の所定の膜を水溶性パ
ターン形成材料により形成することが望ましい。

【０００７】また、フォトレジスト膜がｉ線露光で用い
られてきたノボラック樹脂、ナフトキノンジアジド感光
剤系のレジスト材料に代えて、ＫｒＦエキシマレーザー
のような遠紫外線露光に用いられる化学増幅型レジスト
材料により形成される場合、露光後のポストエクスポジ
ュアーベーク（ＰＥＢ）までの放置時間が長くなると、
レジスト膜の空気と接している面に難溶層が発生し、現
像後のレジストプロファイルに庇が生じるという問題も
生じている。

【０００８】この問題を解決するために、レジスト膜の
上に保護膜を形成する方法が提案されている（特開平４
−２２１８１４号公報）。この方法の場合、例えば従来
装置を増設することなくＣＥＬ膜、反射防止膜又は上層
保護膜の剥離を行うには、現像ユニットを使って剥離を
行うのが最も望ましい。この場合、ポジ型フォトレジス
ト膜の現像ユニットで用いられる溶液は、現像液である
アルカリ水溶液及びリンス液である純水であるので、こ
れらの溶液で容易に剥離できるＣＥＬ膜材料、反射防止
膜材料及び上層保護膜材料が望ましい。このような材料
として、例えば特開平５−２０８９４９号公報に記載さ
れたアルカリ水溶液可溶性ニトロン含有水溶性コントラ
スト増強膜、特開平６−５１５２３号公報に記載された
反射防止膜及び特開平４−２２１８１４号公報に記載さ
れたレジスト上層保護膜等のような水溶性パターン形成
材料が提案されている。

【０００９】しかしながら、これらの水溶性パターン形
成材料の共通の欠点として、泡の発生があり、水溶性パ
ターン形成材料をスピンコーティングして成膜するとき
に、その泡がはじけてストリエーションの原因となった
り、成膜された水溶性膜中に泡が取り込まれて円形のパ
ターン欠陥の原因となったりする。このような泡は、水
溶液の表面に生じる泡沫と水溶液中に生じる気泡とに分
類できるが、この場合問題となるのは気泡、特にミクロ
ンオーダーの大きさのマイクロバブルであり、これを消
泡し、その発生を抑えることが、パターン欠陥低減にお
いて非常に重要である。

【００１０】一般的な水溶液用の消泡剤として、大豆
油，コーン油，オリーブ油，アマニ油，ヒマシ油及びラ
ード油等の天然油脂類、アミルアルコール及びオクチル
アルコール等の長鎖アルコール類、シリコーン樹脂類な
どが知られているが、これらは、水和性が低いか、又は
全く水和しないものである。そのため、上記消泡剤を添
加した水溶性パターン形成材料をスピンコーティングす
ると、塗りムラが生じ、均一に成膜することができな
い。そこで、水和性が高く、水溶性パターン形成材料に
添加してもスピンコーティングにより均一に成膜するこ
とができる消泡剤が望まれている。

【００１１】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、優れた消泡性によりマイクロバブル発生を抑え、且
つ高い水和性により水や水溶性高分子水溶液等の水性溶
液中に良く溶け込み、スピンコート後のストリエーショ
ンや塗りムラの発生を抑えることができる消泡剤が添加
され、成膜された水溶性膜のパターン欠陥の発生を防止
する水溶性パターン形成材料を提供することを目的とす
るものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討したとこ
ろ、炭素数１〜７の脂肪族１価アルコール、特にプロピ
ルアルコールやブチルアルコールが、気泡、特に大きさ
がサブミクロンから数ミクロンのマイクロバブルの消泡
にも十分な効果があることを見い出すと共に、この炭素
数１〜７の１価アルコールが、特に水和性が高く、水又
は水溶性高分子水溶液中に十分に溶け込み、これを水溶
性パターン形成材料に添加すれば、スピンコーティング
後のストリエーションや塗りムラの発生を抑え、パター
ン欠陥の発生を防止できることを知見し、本発明をなす
に至ったものである。

【００１３】以下、本発明につき更に詳細に説明する
と、本発明の水溶性パターン形成材料は、炭素数１〜７
の脂肪族１価アルコールを添加したものである。

【００１４】ここで、かかる脂肪族アルコールとして
は、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルア
ルコール、ヘプチルアルコール、アリルアルコール、ク
ロチルアルコール、シクロヘキシルアルコールなどが挙
げられるが、特にプロピルアルコール及びブチルアルコ
ールが好ましい。

【００１５】上記炭素数１〜７を有する１価アルコール
の添加量は、本発明の目的を達成する上で、水１００重
量部に対して０．００００１〜３０重量部、特に０．０
０１〜１０重量部である。なお、使用する水は純水や蒸
留水が好ましい。

【００１６】本発明の水溶性パターン形成材料は、その
成膜性を向上させるために、上記アセチレンアルコール
化合物に加えて、更に各種の水溶性高分子化合物を添加
すると好適である。このような水溶性高分子化合物とし
て、例えばポリビニルアルコール及びそのエーテル誘導
体、ポリアクリル酸及びそのエステル誘導体、ポリメタ
クリル酸及びそのエステル誘導体、ポリビニルピロリド
ン、ポリエチレンオキシド、アミロース、デキストラ
ン、セルロース及びプルラン等を挙げることができ、こ
れらは１種を単独で又は２種以上を任意の割合で含有す
る混合物又は２種以上を任意の割合で含有するコポリマ
ーとして添加することができ、その添加量は、いずれの
場合であっても、水１００重量部に対して０．１〜３０
重量部、好ましくは０．５〜１０重量部とすると好適で
ある。上記範囲以外では、均一な膜を形成することがで
きない場合がある。

【００１７】本発明の水溶性パターン形成材料は、更に
その濡れ性やレべリング性を向上させることによって成
膜性を向上させるために、各種の界面活性剤を添加する
ことも任意である。このような界面活性剤としては、そ
の疎水基が炭化ふっ素からなるものが望ましい。疎水基
が炭化ふっ素からなる界面活性剤の方が疎水基が炭化水
素やオルガノポリシロキサンからなるものより、水溶性
パターン形成材料における表面張力低下及びレベリング
性向上効果が大きいからである。また、特開平６−５１
５２３号公報に記載されているように、ふっ素系界面活
性剤を含有させることによって、その屈折率を下げて反
射防止効果を高めることもできる。これらの界面活性剤
の添加量は、水１００重量部に対して０．００００１〜
２０重量部、好ましくは０．００１〜１０重量部とする
と好適である。添加量が０．００００１重量部未満では
濡れ性やレベリング性を向上させることができない場合
があり、添加量が２０重量部を超えると、他層（例えば
レジスト膜）とのミキシングなどが起き、現像後のパタ
ーンが歪んだり、パターン欠陥の原因になる可能性が生
じる。

【００１８】本発明の水溶性パターン形成材料をコント
ラスト増強膜の材料として使用する場合は、上記添加物
以外に、更に下記一般式（１）で示されるアルカリ水溶
液可溶なアリールニトロン化合物を水１００重量部に対
して１〜３０重量部を添加することが好ましい。１重量
部未満ではコントラスト増強効果が極めて小さくなる場
合があり、３０重量部を超えると均一な膜を形成するこ
とが困難となる場合がある。

【００１９】

【化１】（但し、式中Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は互いに同一又は異種の
アルキル基、アリール基又は水素原子、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は互いに同一又は異種のアルキル基、
水素原子又は−ＣＯＯＨであり、Ｒ⁴〜Ｒ⁸の少なくとも
一つは−ＣＯＯＨである。ＸはＲ¹⁰Ｏ−で示されるアル
コキシ基、Ｒ¹¹Ｒ¹²Ｎ−で示されるジアルキルアミノ基
又は水素原子であり、Ｒ¹⁰はアルキル基、Ｒ¹¹及びＲ¹²
は互いに同一又は異種のアルキル基である。ｑは０、１
又は２である。）

【００２０】ここで、上記各アルキル基は炭素数１〜
８、特に１〜４のものが好ましく、ジアルキルアミノ基
のアルキル基も同様である。アリール基は炭素数６〜１
０、特に６〜８のものが好ましく、アルコキシ基は炭素
数１〜８、特に１〜４のものが好ましい。

【００２１】このように本発明の水溶性パターン形成材
料をコントラスト増強膜の材料として使用する場合、上
記のアルカリ水溶液可溶なアリールニトロン化合物の水
への溶解性を向上させるために、更に種々の有機塩基を
添加することができ、このような有機塩基として、例え
ばトリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン、ピリジ
ン、トリエチルアミン、水酸化テトラメチルアンモニウ
ム溶液、水酸化テトラエチルアンモニウム溶液、２，
２’，２”−ニトロトリエタノール及びトリエチレンジ
アミン（ＤＡＢＣＯ）等を挙げることができ、これらは
１種を単独で又は２種以上を併用して添加することがで
き、本発明の水溶性パターン形成材料における上記有機
塩基の添加量は、水１００重量部に対して上記有機塩基
を１〜３０重量部とすると好適である。１重量部未満で
は成膜性が悪くなる場合があり、３０重量部を超えると
フォトレジスト膜表面とミキシングして現像後のパター
ン形状が劣化する場合がある。

【００２２】本発明の水溶性パターン形成材料の調製方
法は、上記の各成分を水、好ましくは純水に均一に溶解
することができる限り、その手順は特に制限されず、常
法により調製することができる。

【００２３】本発明の水溶性パターン形成材料は、フォ
トレジスト膜の上層にその保護膜として水溶性膜を成膜
するプロセスに用いる材料として好適に使用されるもの
であり、特に消泡性に優れ、且つ水和性が高いという特
性により、スピンコーティング時のマイクロバブルの発
生が抑えられるのみならず、スピンコート後のストリエ
ーションや塗りムラの発生も抑えられ、パターン欠陥の
発生を効果的に防止することができる。

【００２４】

【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。

【００２５】［実施例１］平均分子量１０００、ケン化
度８８％のポリビニルアルコール５重量部を純水１００
重量部に溶解させ、下記式（２）で示されるふっ素系界
面活性剤０．１重量部、イソプロピルアルコール０．１
重量部を添加し、レジストオーバーコート用水溶液を作
成し、０．０５μｍ径のテフロンフィルターで濾過し、
１昼夜放置した。

【００２６】その後、液中パーティクルカウンター：リ
オン製ＫＬ−２２でマイクロバブルを測定した。また、
クラス１００以下の清浄な雰囲気下でシリコンウェハー
上にディスペンスし、１０００ｒｐｍで５秒、２０００
ｒｐｍで３０秒スピンコートし、テンコール製サーフス
キャン４５００で欠陥測定を行った。

【００２７】ＣＦ₃−（ＣＦ₂）₈−ＣＯＯ^-（ＣＨ₃）₄ＮＨ⁺ …（２）

【００２８】［実施例２］平均分子量１０００、ケン化
度８８％のポリビニルアルコール５重量部を純水１００
重量部に溶解させ、上記式（２）で示されるふっ素系界
面活性剤０．１重量部、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール
０．１重量部を添加し、レジストオーバーコート用水溶
液を作成し、０．０５μｍ径のテフロンフィルターで濾
過し、１昼夜放置した。

【００２９】その後、液中パーティクルカウンター：リ
オン製ＫＬ−２２でマイクロバブルを測定した。また、
クラス１００以下の清浄な雰囲気下でシリコンウェハー
上にディスペンスし、１０００ｒｐｍで５秒、２０００
ｒｐｍで３０秒スピンコートし、テンコール製サーフス
キャン４５００で欠陥測定を行った。

【００３０】［実施例３］平均分子量２０００のポリア
クリル酸５重量部、テトラメチルアンモニウムパーフル
オロオクタノエート５重量部を純水１００重量部に溶解
させ、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール０．１重量部を添加
して反射防止膜用水溶液を作成し、０．０５μｍ径のテ
フロンフィルターで濾過し、１昼夜放置した。

【００３１】その後、液中パーティクルカウンター：リ
オン製ＫＬ−２２でマイクロバブルを測定した。また、
クラス１００以下の清浄な雰囲気下でシリコンウェハー
上にディスペンスし、１０００ｒｐｍで５秒、２０００
ｒｐｍで３０秒スピンコートし、テンコール製サーフス
キャン４５００で欠陥測定を行った。

【００３２】［実施例４］式（３）で示されるアリール
ニトロン４．５重量部、式（ＯＨＣＨ₂）₃ＣＮＨ₂で示
されるトリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン２．０
重量部、ポリビニルピロリドン６０％とポリアクリル酸
エチル４０％との共重合ポリマーである商品名Ｌｕｖｉ
ｓｃｏｌＶＡ−６４（ＢＡＳＦ社製）３．５重量部、上
記式（２）で示されるふっ素系界面活性剤０．１重量部
を９０重量部の純水によく溶解させ、ｔｅｒｔ−ブチル
アルコール０．１重量部を添加し、水溶性コントラスト
増強膜用水溶液を調製し、０．０５μｍ径のテフロンフ
ィルターで濾過し、１昼夜放置した。

【００３３】

【化２】

【００３４】その後、液中パーティクルカウンター：リ
オン製ＫＬ−２２でマイクロバブルを測定した。また、
クラス１００以下の清浄な雰囲気下でシリコンウェハー
上にディスペンスし、１０００ｒｐｍで５秒、２０００
ｒｐｍで３０秒スピンコートし、テンコール製サーフス
キャン４５００で欠陥測定を行った。

【００３５】［実施例５］上記式（３）で示されるアリ
ールニトロン４．５重量部、式（ＯＨＣＨ₂）₃ＣＮＨ₂
で示されるトリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン
２．０重量部、平均分子量２０００のプルラン３．５重
量部、上記式（２）で示されるふっ素系界面活性剤０．
１重量部を９０重量部の純水によく溶解させ、ｔｅｒｔ
−ブチルアルコール０．１重量部を添加し、水溶性コン
トラスト増強膜用水溶液を調製し、０．０５μｍ径のテ
フロンフィルターで濾過し、１昼夜放置した。

【００３６】その後、液中パーティクルカウンター：リ
オン製ＫＬ−２２でマイクロバブルを測定した。また、
クラス１００以下の清浄な雰囲気下でシリコンウェハー
上にディスペンスし、１０００ｒｐｍで５秒、２０００
ｒｐｍで３０秒スピンコートし、テンコール製サーフス
キャン４５００で欠陥測定を行った。

【００３７】［比較例１］平均分子量１０００、ケン化
度８８％のポリビニルアルコール５重量部を純水１００
重量部に溶解させ、上記式（２）で示されるふっ素系界
面活性剤０．１重量部を添加し、レジストオーバーコー
ト用水溶液を作成し、０．０５μｍ径のテフロンフィル
ターで濾過し、１昼夜放置した。

【００３８】その後、液中パーティクルカウンター：リ
オン製ＫＬ−２２でマイクロバブルを測定した。また、
クラス１００以下の清浄な雰囲気下でシリコンウェハー
上にディスペンスし、１０００ｒｐｍで５秒、２０００
ｒｐｍで３０秒スピンコートし、テンコール製サーフス
キャン４５００で欠陥測定を行った。

【００３９】［比較例２］平均分子量２０００のポリア
クリル酸５重量部、テトラメチルアンモニウムパーフル
オロオクタノエート５重量部を純水１００重量部に溶解
させ、反射防止膜用水溶液を作成し、０．０５μｍ径の
テフロンフィルターで濾過し、１昼夜放置した。

【００４０】その後、液中パーティクルカウンター：リ
オン製ＫＬ−２２でマイクロバブルを測定した。また、
クラス１００以下の清浄な雰囲気下でシリコンウェハー
上にディスペンスし、１０００ｒｐｍで５秒、２０００
ｒｐｍで３０秒スピンコートし、テンコール製サーフス
キャン４５００で欠陥測定を行った。

【００４１】［比較例３］上記式（３）で示されるアリ
ールニトロン４．５重量部、式（ＯＨＣＨ₂）₃ＣＮＨ₂
で示されるトリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン
２．０重量部、ポリビニルピロリドン６０％とポリアク
リル酸エチル４０％との共重合ポリマーである商品名Ｌ
ｕｖｉｓｃｏｌＶＡ−６４（ＢＡＳＦ社製）３．５重量
部、上記式（２）で示されるふっ素系界面活性剤０．１
重量部を９０重量部の純水によく溶解させ、水溶性コン
トラスト増強膜用水溶液を調製し、０．０５μｍ径のテ
フロンフィルターで濾過し、１昼夜放置した。

【００４２】その後、液中パーティクルカウンター：リ
オン製ＫＬ−２２でマイクロバブルを測定した。また、
クラス１００以下の清浄な雰囲気下でシリコンウェハー
上にディスペンスし、１０００ｒｐｍで５秒、２０００
ｒｐｍで３０秒スピンコートし、テンコール製サーフス
キャン４５００で欠陥測定を行った。

【００４３】［比較例４］上記式（３）で示されるアリ
ールニトロン４．５重量部、式（ＯＨＣＨ₂）₃ＣＮＨ₂
で示されるトリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン
２．０重量部、平均分子量２０００のプルラン３．５重
量部、上記式（２）で示されるふっ素系界面活性剤０．
１重量部を９０重量部の純水によく溶解させ、水溶性コ
ントラスト増強膜用水溶液を調製し、０．０５μｍ径の
テフロンフィルターで濾過し、１昼夜放置した。

【００４４】その後、液中パーティクルカウンター：リ
オン製ＫＬ−２２でマイクロバブルを測定した。また、
クラス１００以下の清浄な雰囲気下でシリコンウェハー
上にディスペンスし、１０００ｒｐｍで５秒、２０００
ｒｐｍで３０秒スピンコートし、テンコール製サーフス
キャン４５００で欠陥測定を行った。

【００４５】［比較例５］平均分子量１０００、ケン化
度８８％のポリビニルアルコール５重量部を純水１００
重量部に溶解させ、上記式（２）で示されるふっ素系界
面活性剤０．１重量部、オリーブ油０．１重量部を添加
してレジストオーバーコート用水溶液を作成し、０．０
５μｍ径のテフロンフィルターで濾過し、１昼夜放置し
た。

【００４６】その後、液中パーティクルカウンター：リ
オン製ＫＬ−２２でマイクロバブルを測定した。また、
クラス１００以下の清浄な雰囲気下でシリコンウェハー
上にをディスペンスし、１０００ｒｐｍで５秒、２００
０ｒｐｍで３０秒スピンコートし、テンコール製サーフ
スキャン４５００で欠陥測定を行った。

【００４７】［比較例６］平均分子量１０００、ケン化
度８８％のポリビニルアルコール５重量部を純水１００
重量部に溶解させ、上記式（２）で示されるふっ素系界
面活性剤０．１重量部、オクチルアルコール０．１重量
部を添加してレジストオーバーコート用水溶液を作成
し、０．０５μｍ径のテフロンフィルターで濾過し、１
昼夜放置した。

【００４８】その後、液中パーティクルカウンター：リ
オン製ＫＬ−２２でマイクロバブルを測定した。また、
クラス１００以下の清浄な雰囲気下でシリコンウェハー
上にをディスペンスし、１０００ｒｐｍで５秒、２００
０ｒｐｍで３０秒スピンコートし、テンコール製サーフ
スキャン４５００で欠陥測定を行った。以上の結果を表
１，２に示す。

【００４９】

【表１】

【００５０】

【表２】

【００５１】

【発明の効果】本発明の水溶性パターン形成材料は、フ
ォトレジスト膜を用いたフォトリソグラフィー法による
パターン形成におけるフォトレジスト膜上層の保護膜の
形成材料として有用であり、特に、その優れた消泡性及
び高い水和性によりパターン欠陥の発生を防止すること
ができ、従来設備を増設することなく微細パターンを容
易に形成することが可能となる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者石原俊信新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１信越化学工業株式会社合成技術研究所内 (72)発明者岡崎智群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料技術研究所内 (72)発明者梅村光雄群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】炭素数１〜７の脂肪族１価アルコールを
水１００重量部に対して０．００００１〜３０重量部添
加してなることを特徴とする水溶性パターン形成材料。
【請求項２】上記１価アルコールがプロピルアルコー
ル又はブチルアルコールである請求項１記載の水溶性パ
ターン形成材料。
【請求項３】水溶性高分子化合物を更に配合した請求
項１又は２記載の水溶性パターン形成材料。