JPH09331010A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH09331010A JPH09331010A JP8151207A JP15120796A JPH09331010A JP H09331010 A JPH09331010 A JP H09331010A JP 8151207 A JP8151207 A JP 8151207A JP 15120796 A JP15120796 A JP 15120796A JP H09331010 A JPH09331010 A JP H09331010A
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- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
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- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 塗布を開始する際、塗布装置のニードルの先
端部にかかる重力、接着剤ワニスに生じる表面張力等に
よって、ニードル先端部にワニスの液だれが生じる。こ
れが設定した塗布量に加わるため、最初と最後に塗布さ
れるリードに多量の接着剤ワニスが塗布され、リード間
に膜厚ばらつきを生じる。これがボンディング時におけ
るボンディング不良の原因になる。 【解決手段】 半導体装置用リードフレームであり、そ
のインナーリード２０-1〜２０-5の半導体チップの搭載
予定領域には接着剤ワニスが塗布される。インナーリー
ド２０-1〜２０-5の内、接着剤ワニスを最初に塗布する
リード２０-1と最後に塗布するリード２０-5のリード幅
Ｗ1 のみを、他のインナーリード２０-2〜２０-4の幅Ｗ
2 よりも大きくし、塗膜間の膜厚ばらつきを低減する。
端部にかかる重力、接着剤ワニスに生じる表面張力等に
よって、ニードル先端部にワニスの液だれが生じる。こ
れが設定した塗布量に加わるため、最初と最後に塗布さ
れるリードに多量の接着剤ワニスが塗布され、リード間
に膜厚ばらつきを生じる。これがボンディング時におけ
るボンディング不良の原因になる。 【解決手段】 半導体装置用リードフレームであり、そ
のインナーリード２０-1〜２０-5の半導体チップの搭載
予定領域には接着剤ワニスが塗布される。インナーリー
ド２０-1〜２０-5の内、接着剤ワニスを最初に塗布する
リード２０-1と最後に塗布するリード２０-5のリード幅
Ｗ1 のみを、他のインナーリード２０-2〜２０-4の幅Ｗ
2 よりも大きくし、塗膜間の膜厚ばらつきを低減する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＯＣ、ＣＯＬ等
の半導体装置に用いる半導体装置用リードフレームの製
造方法に関するものである。
の半導体装置に用いる半導体装置用リードフレームの製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えばＤＲＡＭ（Dynamic Random Acces
s Memory）においては、従来、１Ｍビットまではリード
フレームに半導体チップを搭載し、その端子パッドとリ
ードフレームのインナーリードとをボンディングワイヤ
で接続するパッケージ構造が採用されていた。しかし、
近年の大容量化に伴って、例えば、４ＭビットまではＣ
ＯＬ（ Chip On Lead ）構造、１６ＭビットではＬＯＣ
（Lead On Chip）によるパッケージ構造が採用されてい
る。
s Memory）においては、従来、１Ｍビットまではリード
フレームに半導体チップを搭載し、その端子パッドとリ
ードフレームのインナーリードとをボンディングワイヤ
で接続するパッケージ構造が採用されていた。しかし、
近年の大容量化に伴って、例えば、４ＭビットまではＣ
ＯＬ（ Chip On Lead ）構造、１６ＭビットではＬＯＣ
（Lead On Chip）によるパッケージ構造が採用されてい
る。
【０００３】図２はＬＯＣパッケージ構造の半導体装置
の一例を示す正面断面図である。ＬＯＣパッケージに用
いるリードフレーム１は、インナーリード２とこれに接
続されるアウターリード３、及びインナーリード２の半
導体チップ搭載予定領域２ａに貼着された樹脂テープ４
をもって構成されている。インナーリード２及びアウタ
ーリード３は、エッチング或いはプレス加工により製作
される。また、樹脂テープ４には、例えばポリイミドフ
ィルムを用いることができ、その両面には熱可塑性樹脂
或いは熱硬化性樹脂による接着剤が塗布されている。こ
のテープを打抜金型を用いて所定のパターンに打ち抜い
た後、リードフレームの所定位置（インナーリード部）
に貼着される。
の一例を示す正面断面図である。ＬＯＣパッケージに用
いるリードフレーム１は、インナーリード２とこれに接
続されるアウターリード３、及びインナーリード２の半
導体チップ搭載予定領域２ａに貼着された樹脂テープ４
をもって構成されている。インナーリード２及びアウタ
ーリード３は、エッチング或いはプレス加工により製作
される。また、樹脂テープ４には、例えばポリイミドフ
ィルムを用いることができ、その両面には熱可塑性樹脂
或いは熱硬化性樹脂による接着剤が塗布されている。こ
のテープを打抜金型を用いて所定のパターンに打ち抜い
た後、リードフレームの所定位置（インナーリード部）
に貼着される。
【０００４】ここで、リードフレーム１を用いた半導体
装置の組み立てについて説明する。まず、リードフレー
ム１に対して半導体チップ５を位置決めした後、樹脂テ
ープ４に半導体チップ５を貼着する。ついで、ボンディ
ングツール（不図示）を用い、インナーリード２の所定
部分と半導体チップ５の端子パッド６をボンディングワ
イヤ７によって接続する。この後、インナーリード２及
び半導体チップ５を取り囲む形状にモールド樹脂８でモ
ールドすれば、半導体装置９が完成する。
装置の組み立てについて説明する。まず、リードフレー
ム１に対して半導体チップ５を位置決めした後、樹脂テ
ープ４に半導体チップ５を貼着する。ついで、ボンディ
ングツール（不図示）を用い、インナーリード２の所定
部分と半導体チップ５の端子パッド６をボンディングワ
イヤ７によって接続する。この後、インナーリード２及
び半導体チップ５を取り囲む形状にモールド樹脂８でモ
ールドすれば、半導体装置９が完成する。
【０００５】しかし、テープを用いた図２の構成のリー
ドフレームによれば、リードフレーム品種毎に専用の金
型及び張り付け装置を必要とする。また、テープが高価
なために、リードフレームが高価格になる。一方、図２
の樹脂テープ４に代え、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂
を用いた接着剤ワニスを塗布して塗膜にしたリードフレ
ームがある。接着剤ワニスの塗布には、ディスペンサや
スクリーン印刷が用いられる。接着剤ワニスには溶媒が
混じっているので、塗布後、所定の温度及び時間をかけ
て溶媒を蒸発させる。この接着剤ワニスを塗布したリー
ドフレームは、テープ方式に比べて以下のような特長が
ある。 （ａ）リード部等の必要部分のみに必要最小限の接着剤
ワニスを塗布することが可能であると共にポリイミドフ
ィルム等の基材が不要であり、テープ代及びテープ製造
費の分だけフレームを安くできる。 （ｂ）ポリイミドフィルム等の基材を用いていないた
め、パッケージに含まれる高分子材料の量を少なくする
ことができる。これは吸湿量の低減につながり、はんだ
リフローによるパッケージクラックの発生を低減するこ
とができる。
ドフレームによれば、リードフレーム品種毎に専用の金
型及び張り付け装置を必要とする。また、テープが高価
なために、リードフレームが高価格になる。一方、図２
の樹脂テープ４に代え、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂
を用いた接着剤ワニスを塗布して塗膜にしたリードフレ
ームがある。接着剤ワニスの塗布には、ディスペンサや
スクリーン印刷が用いられる。接着剤ワニスには溶媒が
混じっているので、塗布後、所定の温度及び時間をかけ
て溶媒を蒸発させる。この接着剤ワニスを塗布したリー
ドフレームは、テープ方式に比べて以下のような特長が
ある。 （ａ）リード部等の必要部分のみに必要最小限の接着剤
ワニスを塗布することが可能であると共にポリイミドフ
ィルム等の基材が不要であり、テープ代及びテープ製造
費の分だけフレームを安くできる。 （ｂ）ポリイミドフィルム等の基材を用いていないた
め、パッケージに含まれる高分子材料の量を少なくする
ことができる。これは吸湿量の低減につながり、はんだ
リフローによるパッケージクラックの発生を低減するこ
とができる。
【０００６】次に、接着剤ワニスを塗布するための塗布
装置１０及びこれを用いた塗布方法について説明する。
熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂を用いた接着剤ワニス
は、図２に示すように、塗布装置１０を用いて一定間隔
に配設されたインナーリード１１-1〜１１-8（ここでは
説明の便宜上、８本にしているが、その数は任意であ
る）の各々の上面に対し、順次蒲鉾形に塗布され、塗膜
１２が形成される（ステップ１０１）。
装置１０及びこれを用いた塗布方法について説明する。
熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂を用いた接着剤ワニス
は、図２に示すように、塗布装置１０を用いて一定間隔
に配設されたインナーリード１１-1〜１１-8（ここでは
説明の便宜上、８本にしているが、その数は任意であ
る）の各々の上面に対し、順次蒲鉾形に塗布され、塗膜
１２が形成される（ステップ１０１）。
【０００７】塗布装置１０はニードル１３及びバレル１
４から成る移動機構と、コントローラ１５で構成されて
いる。バレル１４とコントローラ１５の間はビニール、
ゴム等の素材を用いた可撓性を有するエアー配管１６に
より接続されている。ニードル１３は、例えばステンレ
ス材を用いて内径約０．３４ｍｍφ、外径０．６４ｍｍ
φ、長さ約１３ｍｍに作られたパイプ状の形状を有し、
その先端から液状の接着剤ワニスが吐出される。このニ
ードル１３に一体的に設けられているバレル１４はポリ
プロピレン等の素材を用いて作られる。その容積は３０
ｃｃ程度であり、接着剤ワニス１４ａ（例えば、ポリエ
ーテルアミドイミド系の熱可塑性の樹脂）を内蔵する。
コントローラ１５内のエアーポンプ（不図示）から供給
される空気圧によってニードル１３に圧送される。コン
トローラ１５は、塗膜１２が適切な量になるように、接
着剤ワニスの吐出圧及び吐出時間を制御する回路及び機
構を備えている。なお、塗膜１２を適切に塗布するため
には、更に、ニードル１３のインナーリード１１-1〜１
１-8との間隔、ニードル移動速度等の条件も最適にする
必要がある。このような条件が揃えば、インナーリード
１１-1〜１１-8の隣接間に接着剤ワニスがこぼれること
なく塗布することができる。
４から成る移動機構と、コントローラ１５で構成されて
いる。バレル１４とコントローラ１５の間はビニール、
ゴム等の素材を用いた可撓性を有するエアー配管１６に
より接続されている。ニードル１３は、例えばステンレ
ス材を用いて内径約０．３４ｍｍφ、外径０．６４ｍｍ
φ、長さ約１３ｍｍに作られたパイプ状の形状を有し、
その先端から液状の接着剤ワニスが吐出される。このニ
ードル１３に一体的に設けられているバレル１４はポリ
プロピレン等の素材を用いて作られる。その容積は３０
ｃｃ程度であり、接着剤ワニス１４ａ（例えば、ポリエ
ーテルアミドイミド系の熱可塑性の樹脂）を内蔵する。
コントローラ１５内のエアーポンプ（不図示）から供給
される空気圧によってニードル１３に圧送される。コン
トローラ１５は、塗膜１２が適切な量になるように、接
着剤ワニスの吐出圧及び吐出時間を制御する回路及び機
構を備えている。なお、塗膜１２を適切に塗布するため
には、更に、ニードル１３のインナーリード１１-1〜１
１-8との間隔、ニードル移動速度等の条件も最適にする
必要がある。このような条件が揃えば、インナーリード
１１-1〜１１-8の隣接間に接着剤ワニスがこぼれること
なく塗布することができる。
【０００８】このような塗布装置１０を用いてインナー
リード１１-1〜１１-8の各々に塗膜１２を塗布した後、
塗膜１２に含有している溶媒を乾燥させる。この乾燥処
理は、所定の温度に加熱されたホットプレート上に数分
間セットすることにより行われる。
リード１１-1〜１１-8の各々に塗膜１２を塗布した後、
塗膜１２に含有している溶媒を乾燥させる。この乾燥処
理は、所定の温度に加熱されたホットプレート上に数分
間セットすることにより行われる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の接着剤
ワニスを塗布したリードフレームによれば、塗布を開始
する際、ニードル１３の先端部に重力がかかり、また、
接着剤ワニスに表面張力が生じる等の理由により、図４
に示すように、ワニスの液だれ１７が生じる。この液だ
れ１７が生じたまま接着剤ワニスの吐出を開始すると、
最初に塗布するリード（例えば、インナーリード１
１-1）には〔設定した吐出量＋液だれ１７〕の量が塗布
されてしまい、図５の（ａ）に示すように、２番以降に
塗布するリードの塗膜１２に比べ膜厚の大きい塗膜１２
ａが形成され、リード間の膜厚にばらつきを生じ、ボン
ディング時にボンディング不良が発生し易くなる。
ワニスを塗布したリードフレームによれば、塗布を開始
する際、ニードル１３の先端部に重力がかかり、また、
接着剤ワニスに表面張力が生じる等の理由により、図４
に示すように、ワニスの液だれ１７が生じる。この液だ
れ１７が生じたまま接着剤ワニスの吐出を開始すると、
最初に塗布するリード（例えば、インナーリード１
１-1）には〔設定した吐出量＋液だれ１７〕の量が塗布
されてしまい、図５の（ａ）に示すように、２番以降に
塗布するリードの塗膜１２に比べ膜厚の大きい塗膜１２
ａが形成され、リード間の膜厚にばらつきを生じ、ボン
ディング時にボンディング不良が発生し易くなる。
【００１０】また、塗布量が多いと、図５の（ｂ）のよ
うに両サイドに流れ出る液こぼれ１８が生じる。或い
は、図５の（ｃ）のように、リード間にブリッジ１９が
形成され、連結状態が生じる。図５の（ｂ），（ｃ）の
ような状態が生じ、接着剤ワニスがリードの裏面に回り
込むと、ボンディング不良の原因になる。上記の問題は
塗布の開始リードだけでなく、塗布終了リードでも発生
する。すなわち、ワニスの慣性効果によって所定の量よ
りも多く排出される結果、塗布開始リードと同様の問題
が生じる。
うに両サイドに流れ出る液こぼれ１８が生じる。或い
は、図５の（ｃ）のように、リード間にブリッジ１９が
形成され、連結状態が生じる。図５の（ｂ），（ｃ）の
ような状態が生じ、接着剤ワニスがリードの裏面に回り
込むと、ボンディング不良の原因になる。上記の問題は
塗布の開始リードだけでなく、塗布終了リードでも発生
する。すなわち、ワニスの慣性効果によって所定の量よ
りも多く排出される結果、塗布開始リードと同様の問題
が生じる。
【００１１】そこで本発明は、接着剤ワニスの塗布開始
リード及び塗布終了リードにおける塗膜厚を他のリード
と同程度に行えるようにした半導体装置用リードフレー
ムを提供することを目的としている。
リード及び塗布終了リードにおける塗膜厚を他のリード
と同程度に行えるようにした半導体装置用リードフレー
ムを提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、インナーリードの半導体チップの搭載
予定領域に接着剤ワニスを塗布した半導体装置用リード
フレームにおいて、前記インナーリードの内、前記接着
剤ワニスの塗布開始リード及び塗布終了リードの幅を他
のリードの幅より広くしている。
めに、本発明は、インナーリードの半導体チップの搭載
予定領域に接着剤ワニスを塗布した半導体装置用リード
フレームにおいて、前記インナーリードの内、前記接着
剤ワニスの塗布開始リード及び塗布終了リードの幅を他
のリードの幅より広くしている。
【００１３】この構成によれば、他のリードに比べて接
着剤ワニスの塗布量が多くなる塗布開始リード及び塗布
終了リードのリード幅が広いため、塗布した接着剤ワニ
スは幅方向に拡散する。したがって、塗布開始リード及
び塗布終了リードのリード幅を最適に設定すれば、他の
リードと略同一の膜厚値にすることができ、膜厚のリー
ド間におけるばらつきを極めて小さくすることができ
る。この結果、ボンディング時におけるボンディング不
良を生じ難くすることができる。
着剤ワニスの塗布量が多くなる塗布開始リード及び塗布
終了リードのリード幅が広いため、塗布した接着剤ワニ
スは幅方向に拡散する。したがって、塗布開始リード及
び塗布終了リードのリード幅を最適に設定すれば、他の
リードと略同一の膜厚値にすることができ、膜厚のリー
ド間におけるばらつきを極めて小さくすることができ
る。この結果、ボンディング時におけるボンディング不
良を生じ難くすることができる。
【００１４】前記塗布開始リード及び前記塗布終了リー
ドは、前記他のリードの幅の１．３倍以上にするのが適
している。この構成によれば、接着剤ワニスの塗布量が
多かった場合でも、余分なワニス量を拡大したリード面
が負担する結果、液だれ、ブリッジ、過膜厚等を生じさ
せることがない。
ドは、前記他のリードの幅の１．３倍以上にするのが適
している。この構成によれば、接着剤ワニスの塗布量が
多かった場合でも、余分なワニス量を拡大したリード面
が負担する結果、液だれ、ブリッジ、過膜厚等を生じさ
せることがない。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を基に説明する。図１は本発明による半導体装置
用リードフレームの主要部の構成を示す斜視図である。
本発明においては、図１に示すように、例えば、リード
フレームが片側で５本のインナーリード２０-1〜２０-5
を有する場合、その内の接着剤ワニスの塗布開始インナ
ーリード２０-1と塗布終了インナーリード２０-5のみを
他のインナーリード２０-3〜２０-4に比べて幅広にして
いる。すなわち、塗布開始インナーリード２０-1と塗布
終了インナーリード２０-5の幅Ｗ1 は、他のインナーリ
ード２０ -3〜２０-4の幅Ｗ2 に対する比、Ｗ1 ：Ｗ2 を
１．３：１以上に設定するようにしている。この値にす
れば、適正な塗膜厚を形成することができる。なお、リ
ードの厚みｔは、全てのリードで同じである。
て図面を基に説明する。図１は本発明による半導体装置
用リードフレームの主要部の構成を示す斜視図である。
本発明においては、図１に示すように、例えば、リード
フレームが片側で５本のインナーリード２０-1〜２０-5
を有する場合、その内の接着剤ワニスの塗布開始インナ
ーリード２０-1と塗布終了インナーリード２０-5のみを
他のインナーリード２０-3〜２０-4に比べて幅広にして
いる。すなわち、塗布開始インナーリード２０-1と塗布
終了インナーリード２０-5の幅Ｗ1 は、他のインナーリ
ード２０ -3〜２０-4の幅Ｗ2 に対する比、Ｗ1 ：Ｗ2 を
１．３：１以上に設定するようにしている。この値にす
れば、適正な塗膜厚を形成することができる。なお、リ
ードの厚みｔは、全てのリードで同じである。
【００１６】このように、塗布開始インナーリード２０
-1と塗布終了インナーリード２０-5の幅Ｗ1 を他のイン
ナーリード２０-3〜２０-4に比べて幅広にしたことによ
り、塗布開始インナーリード２０-1及び塗布終了インナ
ーリード２０-5に多量の接着剤ワニスが塗布されても、
塗布後の接着剤ワニスはリード幅方向に拡散するので、
塗膜１２ａが他のリードに塗布される塗膜１２と同程度
になり、膜厚は均一化される。このため、従来のような
ボンディング不良は生じ難くなる。
-1と塗布終了インナーリード２０-5の幅Ｗ1 を他のイン
ナーリード２０-3〜２０-4に比べて幅広にしたことによ
り、塗布開始インナーリード２０-1及び塗布終了インナ
ーリード２０-5に多量の接着剤ワニスが塗布されても、
塗布後の接着剤ワニスはリード幅方向に拡散するので、
塗膜１２ａが他のリードに塗布される塗膜１２と同程度
になり、膜厚は均一化される。このため、従来のような
ボンディング不良は生じ難くなる。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。こ
こでは、接着剤ワニスの塗布手段としてディスペンサ方
式を用いた。また、接着剤ワニスにはポリエーテルアミ
ドイミド系の熱可塑性の樹脂を用いた。この接着剤ワニ
スは２５℃において約１００Ｐａ・ｓ、固形分が約２０
ｗｔ％である。この接着剤ワニスを容積約３０ｃｃのバ
レル１４に充填し、密封した。
こでは、接着剤ワニスの塗布手段としてディスペンサ方
式を用いた。また、接着剤ワニスにはポリエーテルアミ
ドイミド系の熱可塑性の樹脂を用いた。この接着剤ワニ
スは２５℃において約１００Ｐａ・ｓ、固形分が約２０
ｗｔ％である。この接着剤ワニスを容積約３０ｃｃのバ
レル１４に充填し、密封した。
【００１８】リードフレームは、厚みｔが０．１５ｍｍ
で材質がＦｅ−４２％Ｎｉ合金製の板材にエッチングを
施し、従来技術による「試料１」と本発明による「試料
２」を製作した。なおリード間隔は、全て０．３ｍｍに
した。「試料１」は、図６に示すようにインナーリード
１１-1〜１１-5の全てが同一幅（０．３ｍｍ）の従来技
術により製作したものである。また、「試料２」は図１
に示すように本発明により製作したものであり、塗布開
始インナーリード２０ -1と塗布終了インナーリード２０
-5の幅Ｗ1 を０．５ｍｍにし、他のインナーリード２０
-3〜２０-4の幅を０．３ｍｍにして製作したものであ
る。なお、「試料１」及び「試料２」は、共に同一材
（Ｆｅ−４２％Ｎｉ合金）を用いており、製作工程も同
一である。また、図１及び図６では、説明の便宜上、リ
ード数を５本にしているが、実際には１リードフレーム
中に３２０本程度を有している。
で材質がＦｅ−４２％Ｎｉ合金製の板材にエッチングを
施し、従来技術による「試料１」と本発明による「試料
２」を製作した。なおリード間隔は、全て０．３ｍｍに
した。「試料１」は、図６に示すようにインナーリード
１１-1〜１１-5の全てが同一幅（０．３ｍｍ）の従来技
術により製作したものである。また、「試料２」は図１
に示すように本発明により製作したものであり、塗布開
始インナーリード２０ -1と塗布終了インナーリード２０
-5の幅Ｗ1 を０．５ｍｍにし、他のインナーリード２０
-3〜２０-4の幅を０．３ｍｍにして製作したものであ
る。なお、「試料１」及び「試料２」は、共に同一材
（Ｆｅ−４２％Ｎｉ合金）を用いており、製作工程も同
一である。また、図１及び図６では、説明の便宜上、リ
ード数を５本にしているが、実際には１リードフレーム
中に３２０本程度を有している。
【００１９】この２種類のリードフレームのインナーリ
ード部に、図３に示した塗布装置１０を用いて接着剤ワ
ニスを塗布した。この塗布に際しては、ニードル１３を
リードフレームのインナーリード２０-1〜２０-5の一方
から他方に向けて、連続的に吐出及び移動（リード間で
も停止させない）させながら行った。また、塗布条件と
しては、吐出圧を３．５ｋｇ／ｃｍ2 、ニードル移動速
度を１０ｍｍ／ｓ、リードフレームとニードル先端間の
距離を０．１５ｍｍにした。この条件は溶媒乾燥後の塗
膜１２の厚みの目標値を３０μｍ程度にした場合であ
る。したがって、塗膜厚の目標値が変われば、塗布条件
も変える必要がある。溶媒乾燥に際しては３台のホット
プレートを用いて行った。各々のホットプレートの加熱
温度は１００℃、２００℃、３００℃に設定し、塗膜１
２を形成した後のリードフレームを１００℃→２００℃
→３００℃の順に各５分間づつ搬送させるものとした。
ード部に、図３に示した塗布装置１０を用いて接着剤ワ
ニスを塗布した。この塗布に際しては、ニードル１３を
リードフレームのインナーリード２０-1〜２０-5の一方
から他方に向けて、連続的に吐出及び移動（リード間で
も停止させない）させながら行った。また、塗布条件と
しては、吐出圧を３．５ｋｇ／ｃｍ2 、ニードル移動速
度を１０ｍｍ／ｓ、リードフレームとニードル先端間の
距離を０．１５ｍｍにした。この条件は溶媒乾燥後の塗
膜１２の厚みの目標値を３０μｍ程度にした場合であ
る。したがって、塗膜厚の目標値が変われば、塗布条件
も変える必要がある。溶媒乾燥に際しては３台のホット
プレートを用いて行った。各々のホットプレートの加熱
温度は１００℃、２００℃、３００℃に設定し、塗膜１
２を形成した後のリードフレームを１００℃→２００℃
→３００℃の順に各５分間づつ搬送させるものとした。
【００２０】以上のようにして、１００枚のリードフレ
ームに対して接着剤ワニスを塗布し、夫々のリードの膜
厚を測定した。塗膜厚の測定には市販の焦点顕微鏡（例
えば、最高０．１μｍまでの差を検出できる精度を有す
るもの）を用い、塗膜表面と塗膜１２近傍のリード（Ｆ
ｅ−４２％Ｎｉ合金）表面との高低差を求めたところ、
表１（「試料１」に関するもの）及び表２（「試料２」
に関するもの）に示す結果が得られた。
ームに対して接着剤ワニスを塗布し、夫々のリードの膜
厚を測定した。塗膜厚の測定には市販の焦点顕微鏡（例
えば、最高０．１μｍまでの差を検出できる精度を有す
るもの）を用い、塗膜表面と塗膜１２近傍のリード（Ｆ
ｅ−４２％Ｎｉ合金）表面との高低差を求めたところ、
表１（「試料１」に関するもの）及び表２（「試料２」
に関するもの）に示す結果が得られた。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１における従来のリードフレームにおい
ては、最小値で９．９μｍ（３８．９μｍ−２９．０μ
ｍ＝９．９μｍ）の高低差、平均値で１２．６μｍ（４
３．１μｍ−３０．５μｍ＝１２．６μｍ）の高低差で
ある。また、最大値では２３．９μｍ（５５．６μｍ−
３１．７μｍ＝２３．９μｍ）である。このように、従
来のリードフレームでは大きな膜厚ばらつきが見られ
る。
ては、最小値で９．９μｍ（３８．９μｍ−２９．０μ
ｍ＝９．９μｍ）の高低差、平均値で１２．６μｍ（４
３．１μｍ−３０．５μｍ＝１２．６μｍ）の高低差で
ある。また、最大値では２３．９μｍ（５５．６μｍ−
３１．７μｍ＝２３．９μｍ）である。このように、従
来のリードフレームでは大きな膜厚ばらつきが見られ
る。
【００２３】
【表２】
【００２４】一方、表２に示すように、本発明によるリ
ードフレームは、最小値で１．２μｍ（３０．１μｍ−
２８．９μｍ＝１．２μｍ）の高低差、平均値で０．８
μｍ（３１．３μｍ−３０．５μｍ＝０．８μｍ）の高
低差である。また、最大値では１．３μｍ（３２．９μ
ｍ−３１．６μｍ＝１．３μｍ）である。このように、
本発明のリードフレームは従来のリードフレームに比
べ、高低差（リード間の膜厚差）を極めて小さくするこ
とができた。この結果、ワイヤボンディング工程におけ
るボンディング不良の発生を防止することができる。
ードフレームは、最小値で１．２μｍ（３０．１μｍ−
２８．９μｍ＝１．２μｍ）の高低差、平均値で０．８
μｍ（３１．３μｍ−３０．５μｍ＝０．８μｍ）の高
低差である。また、最大値では１．３μｍ（３２．９μ
ｍ−３１．６μｍ＝１．３μｍ）である。このように、
本発明のリードフレームは従来のリードフレームに比
べ、高低差（リード間の膜厚差）を極めて小さくするこ
とができた。この結果、ワイヤボンディング工程におけ
るボンディング不良の発生を防止することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明は、発明は、
インナーリードの内、接着剤ワニスの塗布開始リード及
び塗布終了リードの幅を他のリードの幅より広くしたた
め、接着剤ワニスの余剰分は幅方向に拡散する。したが
って、リード間の膜厚のばらつきを極めて小さくするこ
とができ、ボンディング時におけるボンディング不良を
生じ難くすることができる。
インナーリードの内、接着剤ワニスの塗布開始リード及
び塗布終了リードの幅を他のリードの幅より広くしたた
め、接着剤ワニスの余剰分は幅方向に拡散する。したが
って、リード間の膜厚のばらつきを極めて小さくするこ
とができ、ボンディング時におけるボンディング不良を
生じ難くすることができる。
【図１】本発明の半導体装置用リードフレームのインナ
ーリード部の詳細構成を示す斜視図である。
ーリード部の詳細構成を示す斜視図である。
【図２】本発明のリードフレーム製造方法におけるワニ
ス塗布工程で用いられる塗布装置の模式的構成図であ
る。
ス塗布工程で用いられる塗布装置の模式的構成図であ
る。
【図３】ＬＯＣパッケージ構造の半導体装置の一例を示
す正面断面図である。
す正面断面図である。
【図４】従来のリードフレームにおいてワニスの液だれ
が生じた様子を示すニードル先端部の正面図である。
が生じた様子を示すニードル先端部の正面図である。
【図５】従来のリードフレームにおける塗布不良の例を
示す正面図であり、（ａ）は特定のリードの塗布量が多
いために塗膜に高低差を生じた状態を示し、（ｂ）はリ
ードのサイドに液こぼれが生じた状態を示し、（ｃ）は
リード間にブリッジが形成された状態を示している。
示す正面図であり、（ａ）は特定のリードの塗布量が多
いために塗膜に高低差を生じた状態を示し、（ｂ）はリ
ードのサイドに液こぼれが生じた状態を示し、（ｃ）は
リード間にブリッジが形成された状態を示している。
【図６】従来のリードフレームにおけるインナーリード
部の詳細を示す拡大斜視図である。
部の詳細を示す拡大斜視図である。
１ リードフレーム １０ 塗布装置 １１，１１-1〜１１-5，２０-3〜２０-4 インナーリー
ド １２ 塗膜 １３ ニードル ２０-1 塗布開始インナーリード ２０-5 塗布終了インナーリード
ド １２ 塗膜 １３ ニードル ２０-1 塗布開始インナーリード ２０-5 塗布終了インナーリード
Claims (2)
- 【請求項１】 インナーリードの半導体チップの搭載予
定領域に接着剤ワニスを塗布した半導体装置用リードフ
レームにおいて、 前記インナーリードの内、前記接着剤ワニスの塗布開始
リード及び塗布終了リードの幅を他のリードの幅より広
くしたことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】 前記塗布開始リード及び前記塗布終了リ
ードは、前記他のリードの幅の１．３倍以上にすること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置用リードフレー
ム。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15120796A JP3341581B2 (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | 半導体装置用リードフレーム |
| TW086107993A TW335545B (en) | 1996-06-12 | 1997-06-10 | Lead frame, method of making the same and semiconductor device using the same |
| KR1019970024122A KR100474843B1 (ko) | 1996-06-12 | 1997-06-11 | 리드프레임,그의제조방법및그것을사용한반도체장치 |
| US08/873,704 US6107675A (en) | 1996-06-12 | 1997-06-12 | Lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15120796A JP3341581B2 (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09331010A true JPH09331010A (ja) | 1997-12-22 |
| JP3341581B2 JP3341581B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=15513586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15120796A Expired - Fee Related JP3341581B2 (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3341581B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009202403A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド、及び、インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
| JP2013208894A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-10-10 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドの製造方法及びこの製造方法により製造された液体吐出ヘッド |
-
1996
- 1996-06-12 JP JP15120796A patent/JP3341581B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009202403A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド、及び、インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
| JP2013208894A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-10-10 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドの製造方法及びこの製造方法により製造された液体吐出ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3341581B2 (ja) | 2002-11-05 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |