JPH09324176A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
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- JPH09324176A JPH09324176A JP8163635A JP16363596A JPH09324176A JP H09324176 A JPH09324176 A JP H09324176A JP 8163635 A JP8163635 A JP 8163635A JP 16363596 A JP16363596 A JP 16363596A JP H09324176 A JPH09324176 A JP H09324176A
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- JP
- Japan
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- group
- anode electrode
- transport layer
- ococ
- organic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機膜の剥離を防止した、発光寿命の長い電
界発光素子を提供する。 【解決手段】 基板２上に形成したアノード電極３の上
に、芳香族ジアミンでなる正孔輸送層４を形成する。こ
の芳香族ジアミンは、−Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、−Ｓｉ（Ｃ
nＨ2n+l）m（ＯＣnＨ2n+l）lなどの置換基をもつ、フェ
ニル基またはナフチル基を有する。このような材料でな
る正孔輸送層４をアノード電極３に接合させることによ
り、正孔輸送層４とアノード電極３との密着性が高くな
り、電界発光素子の劣化を防止できる。このため、電界
発光素子の発光寿命を長くすることができる。
界発光素子を提供する。 【解決手段】 基板２上に形成したアノード電極３の上
に、芳香族ジアミンでなる正孔輸送層４を形成する。こ
の芳香族ジアミンは、−Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、−Ｓｉ（Ｃ
nＨ2n+l）m（ＯＣnＨ2n+l）lなどの置換基をもつ、フェ
ニル基またはナフチル基を有する。このような材料でな
る正孔輸送層４をアノード電極３に接合させることによ
り、正孔輸送層４とアノード電極３との密着性が高くな
り、電界発光素子の劣化を防止できる。このため、電界
発光素子の発光寿命を長くすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電界発光素子に
関し、さらに詳しくは、有機膜にキャリアを注入するこ
とによりエレクトロルミネッセンスを生じる有機電界発
光素子に係る。
関し、さらに詳しくは、有機膜にキャリアを注入するこ
とによりエレクトロルミネッセンスを生じる有機電界発
光素子に係る。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンスを利用
した電界発光素子（ＥＬ発光素子）は、自己発光するた
め視認性が高いという利点がある。しかも、このような
電界発光素子は、大画面フルカラー表示素子を実現する
ものとして注目を集めている。また、電界発光素子は、
固体素子であるため耐衝撃性に優れ、かつ安価に供給で
きるという利点がある。この種の電界発光素子として
は、無機ＥＬ層をもつ無機ＥＬ発光素子と、有機ＥＬ膜
をもつ有機ＥＬ発光素子とがある。
した電界発光素子（ＥＬ発光素子）は、自己発光するた
め視認性が高いという利点がある。しかも、このような
電界発光素子は、大画面フルカラー表示素子を実現する
ものとして注目を集めている。また、電界発光素子は、
固体素子であるため耐衝撃性に優れ、かつ安価に供給で
きるという利点がある。この種の電界発光素子として
は、無機ＥＬ層をもつ無機ＥＬ発光素子と、有機ＥＬ膜
をもつ有機ＥＬ発光素子とがある。
【０００３】有機ＥＬ発光素子においては、最近、低駆
動電圧で発光効率が高くしかも寿命の長い発光が行える
素子が開発されている。この有機ＥＬ発光素子の構造
は、有機薄膜が単層のものや、２層、３層またはそれ以
上の多層のものがある。例えば、２層構造の有機薄膜を
もつ有機ＥＬ発光素子では、電子輸送層と正孔輸送層と
を備え、両層の界面近傍で発光を起こさせるものが知ら
れている。また、３層構造の有機ＥＬ発光素子として
は、電子輸送層と発光層と正孔輸送層とを備えたものが
知られている。さらには、これらの各層内で異なった有
機材料を積層または混在させたものなどが知られてい
る。
動電圧で発光効率が高くしかも寿命の長い発光が行える
素子が開発されている。この有機ＥＬ発光素子の構造
は、有機薄膜が単層のものや、２層、３層またはそれ以
上の多層のものがある。例えば、２層構造の有機薄膜を
もつ有機ＥＬ発光素子では、電子輸送層と正孔輸送層と
を備え、両層の界面近傍で発光を起こさせるものが知ら
れている。また、３層構造の有機ＥＬ発光素子として
は、電子輸送層と発光層と正孔輸送層とを備えたものが
知られている。さらには、これらの各層内で異なった有
機材料を積層または混在させたものなどが知られてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た有機ＥＬ発光素子では、発光面積が大きくなると有機
エレクトロルミネッセンス層（以下、適宜、有機ＥＬ層
と称する）の薄膜形状に劣化を生じるという問題があ
る。この薄膜形状の劣化に伴い、有機ＥＬ層、特に正孔
輸送層と、それに接合している（アノード）電極との密
着性が低下するという問題がある。その結果、電極と正
孔輸送層との界面が剥離すると有機ＥＬ層へ正孔を注入
できなくなるため、非発光部分（ダークスポット）が増
大し、延いては電界発光素子の寿命が短くなるという問
題が生じる。特に、大画面のＥＬ表示素子では、非発光
部分の発生により歩留まりを大幅に低下させるという問
題を生じる。
た有機ＥＬ発光素子では、発光面積が大きくなると有機
エレクトロルミネッセンス層（以下、適宜、有機ＥＬ層
と称する）の薄膜形状に劣化を生じるという問題があ
る。この薄膜形状の劣化に伴い、有機ＥＬ層、特に正孔
輸送層と、それに接合している（アノード）電極との密
着性が低下するという問題がある。その結果、電極と正
孔輸送層との界面が剥離すると有機ＥＬ層へ正孔を注入
できなくなるため、非発光部分（ダークスポット）が増
大し、延いては電界発光素子の寿命が短くなるという問
題が生じる。特に、大画面のＥＬ表示素子では、非発光
部分の発生により歩留まりを大幅に低下させるという問
題を生じる。
【０００５】この発明が解決しようとする課題は、電極
と有機膜との密着性に起因した非発光部分の発生を防止
して大画面化を可能にする、高寿命な電界発光素子を得
るにはどのような手段を講じればよいかという点にあ
る。
と有機膜との密着性に起因した非発光部分の発生を防止
して大画面化を可能にする、高寿命な電界発光素子を得
るにはどのような手段を講じればよいかという点にあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
相対向するカソード電極とアノード電極との間に、有機
エレクトロルミネッセンス層が介在された電界発光素子
において、前記有機エレクトロルミネッセンス層を構成
する材料が、前記アノード電極の構成材料もしくは前記
アノード電極に接するシランカップリング剤からなる層
に対して結合性の高い有機材料でなることを特徴として
いる。請求項１記載の発明においては、有機エレクトロ
ルミネッセンス層の構成材料がアノード電極の構成材料
もしくは前記アノード電極に接するシランカップリング
剤からなる層に対して、結合性が高いため、アノード電
極と有機エレクトロルミネッセンス層との密着性が高く
なる。これにより、アノード電極と有機エレクトロルミ
ネッセンス層との界面が剥離するのを防止することがで
きる。その結果、有機ＥＬ層に電圧を印加して電子・正
孔を注入する場合に、正孔が注入されずに非発光となる
部分が発生するのを防止できる。
相対向するカソード電極とアノード電極との間に、有機
エレクトロルミネッセンス層が介在された電界発光素子
において、前記有機エレクトロルミネッセンス層を構成
する材料が、前記アノード電極の構成材料もしくは前記
アノード電極に接するシランカップリング剤からなる層
に対して結合性の高い有機材料でなることを特徴として
いる。請求項１記載の発明においては、有機エレクトロ
ルミネッセンス層の構成材料がアノード電極の構成材料
もしくは前記アノード電極に接するシランカップリング
剤からなる層に対して、結合性が高いため、アノード電
極と有機エレクトロルミネッセンス層との密着性が高く
なる。これにより、アノード電極と有機エレクトロルミ
ネッセンス層との界面が剥離するのを防止することがで
きる。その結果、有機ＥＬ層に電圧を印加して電子・正
孔を注入する場合に、正孔が注入されずに非発光となる
部分が発生するのを防止できる。
【０００７】上記したアノード電極の材料としては、酸
化スズ、ＩＴＯ，ＩＺｎＯ等を用いることができる。
化スズ、ＩＴＯ，ＩＺｎＯ等を用いることができる。
【０００８】請求項２記載の発明は、前記有機エレクト
ロルミネッセンス層は、電子輸送層と正孔輸送層とを備
えてなり、前記正孔輸送層を構成する材料が前記アノー
ド電極の構成材料もしくは前記アノード電極に接するシ
ランカップリング剤からなる層に対して結合性の高い有
機材料でなることを特徴としている。請求項２記載の発
明においては、有機エレクトロルミネッセンス層を構成
する正孔輸送層とアノード電極との結合性が高くなり、
アノード電極と正孔輸送層との界面に剥がれが生じるの
を防止できる。
ロルミネッセンス層は、電子輸送層と正孔輸送層とを備
えてなり、前記正孔輸送層を構成する材料が前記アノー
ド電極の構成材料もしくは前記アノード電極に接するシ
ランカップリング剤からなる層に対して結合性の高い有
機材料でなることを特徴としている。請求項２記載の発
明においては、有機エレクトロルミネッセンス層を構成
する正孔輸送層とアノード電極との結合性が高くなり、
アノード電極と正孔輸送層との界面に剥がれが生じるの
を防止できる。
【０００９】請求項３記載の発明は、前記有機材料は、
一般式１、
一般式１、
【化１】に示す芳香族ジアミンであって、前記ｎは自然
数、前記Ｒ１〜Ｒ４の全て、もしくはＲ１〜Ｒ４の一方
は、−Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）1、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲン
元素）で表される官能基の群から選択された１種以上の
官能基をもつ、フェニル基またはナフチル基であり、前
記Ｒ１〜Ｒ４の他方が水素基であり、前記Ｒ７、Ｒ８
は、炭素数１〜４のアルキル基、カルボキシル基、カル
ボニル基、アミノ基、水素、シアノ基、ハロゲンの群か
ら選択される基である、ことを特徴としている。
数、前記Ｒ１〜Ｒ４の全て、もしくはＲ１〜Ｒ４の一方
は、−Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）1、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲン
元素）で表される官能基の群から選択された１種以上の
官能基をもつ、フェニル基またはナフチル基であり、前
記Ｒ１〜Ｒ４の他方が水素基であり、前記Ｒ７、Ｒ８
は、炭素数１〜４のアルキル基、カルボキシル基、カル
ボニル基、アミノ基、水素、シアノ基、ハロゲンの群か
ら選択される基である、ことを特徴としている。
【００１０】請求項４記載の発明は、前記有機材料は、
一般式２、
一般式２、
【化２】に示す芳香族アミンであって、前記Ｒ１〜Ｒ６
の全て、もしくはＲ１〜Ｒ６の一方は、 −Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲ
ン）で表される官能基の群から選択された１種以上の官
能基をもつ、フェニル基またはナフチル基であり、前記
Ｒ１〜Ｒ６の他方は水素基である、ことを特徴としてい
る。
の全て、もしくはＲ１〜Ｒ６の一方は、 −Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲ
ン）で表される官能基の群から選択された１種以上の官
能基をもつ、フェニル基またはナフチル基であり、前記
Ｒ１〜Ｒ６の他方は水素基である、ことを特徴としてい
る。
【００１１】請求項５記載の発明は、前記有機材料は、
一般式３ 一般式４ の側鎖Ａ、Ｂ内に、 −Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲ
ン）の官能基の群のうちから選ばれる少なくとも１種類
以上の官能基が含まれる単量体を構成単位の１つとして
重合された高分子化合物を、含むことを特徴としてい
る。
一般式３ 一般式４ の側鎖Ａ、Ｂ内に、 −Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲ
ン）の官能基の群のうちから選ばれる少なくとも１種類
以上の官能基が含まれる単量体を構成単位の１つとして
重合された高分子化合物を、含むことを特徴としてい
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る電界発光素
子の詳細を図面に示す実施形態１〜３に基づいて説明す
る。 （実施形態１）図１は、本発明に係る電界発光素子の実
施形態１を示す断面説明図である。同図中符号１は、電
界発光素子を示している。この電界発光素子１は、電気
絶縁性をもつ基板２と、基板２上に形成されたアノード
電極３と、アノード電極３上に形成された正孔輸送層４
と、正孔輸送層４上に形成された電子輸送層５と、電子
輸送層５上に形成されたカソード電極６と、から大略構
成されている。なお、図１は、対向するアノード電極３
とカソード電極６とを１つずつ有する簡単な構造を示し
ているが、表示装置として用いる場合は、それぞれ複数
のアノード電極３とカソード電極６とが平面的に見て互
いに交差するように、マトリックス状に形成すればよ
い。
子の詳細を図面に示す実施形態１〜３に基づいて説明す
る。 （実施形態１）図１は、本発明に係る電界発光素子の実
施形態１を示す断面説明図である。同図中符号１は、電
界発光素子を示している。この電界発光素子１は、電気
絶縁性をもつ基板２と、基板２上に形成されたアノード
電極３と、アノード電極３上に形成された正孔輸送層４
と、正孔輸送層４上に形成された電子輸送層５と、電子
輸送層５上に形成されたカソード電極６と、から大略構
成されている。なお、図１は、対向するアノード電極３
とカソード電極６とを１つずつ有する簡単な構造を示し
ているが、表示装置として用いる場合は、それぞれ複数
のアノード電極３とカソード電極６とが平面的に見て互
いに交差するように、マトリックス状に形成すればよ
い。
【００１３】基板２は、例えばポリエステル、ポリアク
リレート、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエー
テルケトンなどのプラスチックや、ガラスなどの材料で
形成されている。
リレート、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエー
テルケトンなどのプラスチックや、ガラスなどの材料で
形成されている。
【００１４】また、アノード電極３の材料としては、酸
化スズ、ＩＴＯ，ＩＺｎＯ等の透過率の高い導電性材料
などを用いることができる。本実施形態におけるアノー
ド電極３は、ＩＴＯをスパッタリングすることにより形
成されている。なお、アノード電極の形成方法として
は、スパッタリングの他に、イオンプレーティング、真
空蒸着法などを用いることができる。また、導電性樹脂
などを用いる場合は、スピンコーティングや、グラビア
コーティング、ナイフコーティングなどの手法を用いて
形成することができる。
化スズ、ＩＴＯ，ＩＺｎＯ等の透過率の高い導電性材料
などを用いることができる。本実施形態におけるアノー
ド電極３は、ＩＴＯをスパッタリングすることにより形
成されている。なお、アノード電極の形成方法として
は、スパッタリングの他に、イオンプレーティング、真
空蒸着法などを用いることができる。また、導電性樹脂
などを用いる場合は、スピンコーティングや、グラビア
コーティング、ナイフコーティングなどの手法を用いて
形成することができる。
【００１５】正孔輸送層４は、以下の一般式１で示され
る芳香族ジアミンを用いて形成されている。
る芳香族ジアミンを用いて形成されている。
【００１６】
【化１】
【００１７】上記一般式において、Ｒ１〜Ｒ４の全て、
もしくはＲ１〜Ｒ４の一方が、 −Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲン
元素）で表される官能基の群から選択された１種以上の
官能基をもつ、フェニル基またはナフチル基であり、Ｒ
１〜Ｒ４のうち他方が水素基である。また、前記Ｒ７、
Ｒ８は、炭素数１〜４のアルキル基、カルボキシル基、
カルボニル基、アミノ基、水素基、シアノ基、ハロゲン
基の群から選択される。このような材料でなる正孔輸送
層４の膜厚は、１００〜１００００Å（好ましくは、１
０００〜７０００Å）に設定する。
もしくはＲ１〜Ｒ４の一方が、 −Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲン
元素）で表される官能基の群から選択された１種以上の
官能基をもつ、フェニル基またはナフチル基であり、Ｒ
１〜Ｒ４のうち他方が水素基である。また、前記Ｒ７、
Ｒ８は、炭素数１〜４のアルキル基、カルボキシル基、
カルボニル基、アミノ基、水素基、シアノ基、ハロゲン
基の群から選択される。このような材料でなる正孔輸送
層４の膜厚は、１００〜１００００Å（好ましくは、１
０００〜７０００Å）に設定する。
【００１８】電子輸送層５は、以下の一般式で示され
る、電子輸送性をもつトリス（８−キノリレート）アル
ミニウム錯体（以下、Ａｌｑ３という）で形成する。な
お、この電子輸送層５の膜厚は、１００〜１００００Å
（好ましくは１０００〜７０００Å）に設定した。
る、電子輸送性をもつトリス（８−キノリレート）アル
ミニウム錯体（以下、Ａｌｑ３という）で形成する。な
お、この電子輸送層５の膜厚は、１００〜１００００Å
（好ましくは１０００〜７０００Å）に設定した。
【００１９】
【化３】
【００２０】カソード電極６は、電子輸送層５への電子
注入を容易にする、仕事関数値の低いマグネシウム（Ｍ
ｇ）、インジウム（Ｉｎ）、リチウム（Ｌｉ）、銀（Ａ
ｇ）やこれらの合金などで形成されている。
注入を容易にする、仕事関数値の低いマグネシウム（Ｍ
ｇ）、インジウム（Ｉｎ）、リチウム（Ｌｉ）、銀（Ａ
ｇ）やこれらの合金などで形成されている。
【００２１】本実施形態では、上記したように、正孔輸
送層４の材料として、−Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、−Ｓｉ（Ｃ
nＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、−Ｓｉ（ＣnＨ2n+1)m
（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、−ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、
−ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）lなどの置換基をもつフ
ェニル基またはナフチル基を有する芳香族ジアミンを用
いたことにより、−Ｓｉ−Ｏ−のＯ（酸素原子）とアノ
ード電極３の材料との間に化学結合が起こり、正孔輸送
層４はアノード電極３に対して密着性が高くなる。な
お、上記した−ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）lや−ＳｉＸ
m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）lでは、ハロゲン基Ｘが加水分解
して−Ｓｉ−Ｏ−の結合となるため、同様にアノード電
極３に対する密着性が高くなる。このように、正孔輸送
層４とアノード電極３との密着性が高まると、アノード
電極３とカソード電極６との間にバイアスが印加された
場合に、非発光部分（ダークスポット）の発生を抑制す
ることができる。また、正孔輸送層４とアノード電極３
との密着性が高まるため、構造の安定性が向上し、長期
保存性や連続駆動半減寿命を向上することができる。
送層４の材料として、−Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、−Ｓｉ（Ｃ
nＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、−Ｓｉ（ＣnＨ2n+1)m
（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、−ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、
−ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）lなどの置換基をもつフ
ェニル基またはナフチル基を有する芳香族ジアミンを用
いたことにより、−Ｓｉ−Ｏ−のＯ（酸素原子）とアノ
ード電極３の材料との間に化学結合が起こり、正孔輸送
層４はアノード電極３に対して密着性が高くなる。な
お、上記した−ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）lや−ＳｉＸ
m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）lでは、ハロゲン基Ｘが加水分解
して−Ｓｉ−Ｏ−の結合となるため、同様にアノード電
極３に対する密着性が高くなる。このように、正孔輸送
層４とアノード電極３との密着性が高まると、アノード
電極３とカソード電極６との間にバイアスが印加された
場合に、非発光部分（ダークスポット）の発生を抑制す
ることができる。また、正孔輸送層４とアノード電極３
との密着性が高まるため、構造の安定性が向上し、長期
保存性や連続駆動半減寿命を向上することができる。
【００２２】（実施形態２）図２は、本発明に係る電界
発光素子の実施形態２を示す断面説明図である。本実施
形態では、正孔輸送層４が二層構造であることを特徴と
している。同図に示すように、正孔輸送層４は、アノー
ド電極３の上に密着するように形成された第１正孔輸送
層４Ａと、その上に積層された第２正孔輸送層４Ｂと、
でなる。第１正孔輸送層４Ａは、上記実施形態１におけ
る正孔輸送層４と同一の材料でなる。また、第２正孔輸
送層４Ｂは、例えば、ポリビニルカルバゾール（以下、
ＰＶＣｚという）と2,5−ビス（１−ナフチル）−オキ
サジアゾール（以下、ＢＮＤという）とを混合した材料
から形成されている。以下に、ＰＶＣｚとＢＮＤの一般
式を示す。なお、本実施形態における他の構成は、上記
した実施形態１と同様である。
発光素子の実施形態２を示す断面説明図である。本実施
形態では、正孔輸送層４が二層構造であることを特徴と
している。同図に示すように、正孔輸送層４は、アノー
ド電極３の上に密着するように形成された第１正孔輸送
層４Ａと、その上に積層された第２正孔輸送層４Ｂと、
でなる。第１正孔輸送層４Ａは、上記実施形態１におけ
る正孔輸送層４と同一の材料でなる。また、第２正孔輸
送層４Ｂは、例えば、ポリビニルカルバゾール（以下、
ＰＶＣｚという）と2,5−ビス（１−ナフチル）−オキ
サジアゾール（以下、ＢＮＤという）とを混合した材料
から形成されている。以下に、ＰＶＣｚとＢＮＤの一般
式を示す。なお、本実施形態における他の構成は、上記
した実施形態１と同様である。
【００２３】
【化４】
【００２４】
【化５】
【００２５】本実施形態においては、上記した実施形態
１と同様に、アノード電極３に接合する第１正孔輸送層
４Ａの材料として、−Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、−Ｓｉ（Ｃn
Ｈ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、−Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）
m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、−ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、
−ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）lなどの置換基をもつフ
ェニル基またはナフチル基を有する芳香族ジアミンを用
いたことにより、−Ｓｉ−Ｏ−のＯ（酸素原子）とアノ
ード電極３の材料との間に化学結合が起こり、正孔輸送
層４はアノード電極３に対して密着性が高くなる。この
ように、第１正孔輸送層４Ａとアノード電極３との密着
性が高まると、アノード電極３とカソード電極６との間
にバイアスが印加された場合に、非発光部分（ダークス
ポット）の発生を抑制することができる。また、正孔輸
送層４とアノード電極３との密着性が高まるため、構造
の安定性が向上し、長期保存性や連続駆動半減寿命を向
上することができる。
１と同様に、アノード電極３に接合する第１正孔輸送層
４Ａの材料として、−Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、−Ｓｉ（Ｃn
Ｈ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、−Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）
m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、−ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、
−ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）lなどの置換基をもつフ
ェニル基またはナフチル基を有する芳香族ジアミンを用
いたことにより、−Ｓｉ−Ｏ−のＯ（酸素原子）とアノ
ード電極３の材料との間に化学結合が起こり、正孔輸送
層４はアノード電極３に対して密着性が高くなる。この
ように、第１正孔輸送層４Ａとアノード電極３との密着
性が高まると、アノード電極３とカソード電極６との間
にバイアスが印加された場合に、非発光部分（ダークス
ポット）の発生を抑制することができる。また、正孔輸
送層４とアノード電極３との密着性が高まるため、構造
の安定性が向上し、長期保存性や連続駆動半減寿命を向
上することができる。
【００２６】なお、上記した実施形態１および実施形態
２においては、アノード電極３と接合する正孔輸送性の
有機材料として−Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、−Ｓｉ（ＣnＨ
2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、−Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（Ｏ
ＣＯＣnＨ2n+1）l、−ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、−Ｓ
ｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）lなどの置換基をもつフェニ
ル基またはナフチル基を有する芳香族ジアミンを用いた
が、以下の一般式で示される芳香族３級アミンを用いて
も、アノード電極３との密着性を高める作用があり、同
様に長期保存性や連続駆動半減寿命を向上することがで
きる。
２においては、アノード電極３と接合する正孔輸送性の
有機材料として−Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、−Ｓｉ（ＣnＨ
2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、−Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（Ｏ
ＣＯＣnＨ2n+1）l、−ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、−Ｓ
ｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）lなどの置換基をもつフェニ
ル基またはナフチル基を有する芳香族ジアミンを用いた
が、以下の一般式で示される芳香族３級アミンを用いて
も、アノード電極３との密着性を高める作用があり、同
様に長期保存性や連続駆動半減寿命を向上することがで
きる。
【００２７】
【化２】
【００２８】なお、上記一般式中Ｒ１〜Ｒ６の全て、も
しくはＲ１〜Ｒ６のうち一方は、 −Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲ
ン）で表される官能基の群から選択された１種以上の官
能基をもつ、フェニル基またはナフチル基であり、Ｒ１
〜Ｒ６のうち他方は水素基である。
しくはＲ１〜Ｒ６のうち一方は、 −Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲ
ン）で表される官能基の群から選択された１種以上の官
能基をもつ、フェニル基またはナフチル基であり、Ｒ１
〜Ｒ６のうち他方は水素基である。
【００２９】（実施形態３）図３は本発明に係る電界発
光素子の実施形態３を示す断面説明図である。本実施形
態においては、正孔輸送層４の構成以外は上記した実施
形態１と同様の構成である。本実施形態では、正孔輸送
層４を三層構造としたことを特徴としている。まず、ア
ノード電極３上に形成される第１正孔輸送層４Ｃは、シ
ランカップリング剤でなる。また、第１正孔輸送層４Ｃ
の上に形成される第２正孔輸送層４Ｄは、芳香族ジアミ
ンで形成されている。さらに、第２正孔輸送層４Ｄの上
には、ＰＶＤｚとＢＮＤとを混合した材料でなる第３正
孔輸送層４Ｅが積層されている。
光素子の実施形態３を示す断面説明図である。本実施形
態においては、正孔輸送層４の構成以外は上記した実施
形態１と同様の構成である。本実施形態では、正孔輸送
層４を三層構造としたことを特徴としている。まず、ア
ノード電極３上に形成される第１正孔輸送層４Ｃは、シ
ランカップリング剤でなる。また、第１正孔輸送層４Ｃ
の上に形成される第２正孔輸送層４Ｄは、芳香族ジアミ
ンで形成されている。さらに、第２正孔輸送層４Ｄの上
には、ＰＶＤｚとＢＮＤとを混合した材料でなる第３正
孔輸送層４Ｅが積層されている。
【００３０】上記した第１正孔輸送層４Ｃの構成材料で
あるシランカップリング剤としては、例えば、γ−グリ
シドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノ
エチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（２
−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどを
用いることができる。
あるシランカップリング剤としては、例えば、γ−グリ
シドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノ
エチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（２
−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどを
用いることができる。
【００３１】上記した第２正孔輸送層４Ｄの構成材料で
ある芳香族ジアミンは、以下の一般式で示される。
ある芳香族ジアミンは、以下の一般式で示される。
【００３２】
【化１】
【００３３】上記Ｒ１〜Ｒ４は、フェニル基またはナフ
チル基であり、アミノ基、グリシジル基、メルカプト基
と反応可能な官能基をもつ有機物である。第１正孔輸送
層４Ｃがアミノ基を有している場合、第２正孔輸送層４
ＤのＲ１〜Ｒ４のうち一方は、グリシジル基、カルボキ
シル基等の官能基であり、他方が水素基であるか、また
はＲ１〜Ｒ４の全てがグリシジル基、カルボキシル基等
の官能基である。第１正孔輸送層４Ｃがグリシジル基を
有している場合、第２正孔輸送層４ＤのＲ１〜Ｒ４のう
ち一方は、アミノ基、カルボキシル基等の官能基であ
り、他方が水素基であるか、またはＲ１〜Ｒ４の全てが
アミノ基、カルボキシル基等の官能基である。第１正孔
輸送層４Ｃがメルカプト基を有している場合、第２正孔
輸送層４ＤのＲ１〜Ｒ４のうち一方は、アルデヒド基等
の官能基であり、他方が水素基であるか、またはＲ１〜
Ｒ４の全てがアルデヒド基等の官能基である。また、Ｒ
７、Ｒ８は、炭素数１〜４のアルキル基、カルボキシル
基、カルボニル基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン基か
ら選ばれる。
チル基であり、アミノ基、グリシジル基、メルカプト基
と反応可能な官能基をもつ有機物である。第１正孔輸送
層４Ｃがアミノ基を有している場合、第２正孔輸送層４
ＤのＲ１〜Ｒ４のうち一方は、グリシジル基、カルボキ
シル基等の官能基であり、他方が水素基であるか、また
はＲ１〜Ｒ４の全てがグリシジル基、カルボキシル基等
の官能基である。第１正孔輸送層４Ｃがグリシジル基を
有している場合、第２正孔輸送層４ＤのＲ１〜Ｒ４のう
ち一方は、アミノ基、カルボキシル基等の官能基であ
り、他方が水素基であるか、またはＲ１〜Ｒ４の全てが
アミノ基、カルボキシル基等の官能基である。第１正孔
輸送層４Ｃがメルカプト基を有している場合、第２正孔
輸送層４ＤのＲ１〜Ｒ４のうち一方は、アルデヒド基等
の官能基であり、他方が水素基であるか、またはＲ１〜
Ｒ４の全てがアルデヒド基等の官能基である。また、Ｒ
７、Ｒ８は、炭素数１〜４のアルキル基、カルボキシル
基、カルボニル基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン基か
ら選ばれる。
【００３４】本実施形態においては、上記した芳香族ジ
アミンが、アミノ基、グリシジル基、メルカプト基と反
応可能な官能基をもつため、これらの官能基を有するシ
ランカップリング剤との反応を可能とし、これらの官能
基により−Ｓｉ−Ｏ−と無機物（アノード電極３）との
化学結合が起こりアノード電極３との密着性を高くする
ことができる。このため、電界発光素子１の構造の安定
性を向上させることができ、長期保存性や連続駆動半減
寿命を向上することができる。
アミンが、アミノ基、グリシジル基、メルカプト基と反
応可能な官能基をもつため、これらの官能基を有するシ
ランカップリング剤との反応を可能とし、これらの官能
基により−Ｓｉ−Ｏ−と無機物（アノード電極３）との
化学結合が起こりアノード電極３との密着性を高くする
ことができる。このため、電界発光素子１の構造の安定
性を向上させることができ、長期保存性や連続駆動半減
寿命を向上することができる。
【００３５】なお、本実施形態３においては、第２正孔
輸送層４Ｄに上記した芳香族ジアミンを用いたが、以下
の一般式で示される芳香族３級アミンを用いてもよい。
輸送層４Ｄに上記した芳香族ジアミンを用いたが、以下
の一般式で示される芳香族３級アミンを用いてもよい。
【００３６】
【化２】
【００３７】上記一般式において、Ｒ１〜Ｒ６は、フェ
ニル基またはナフチル基であり、アミノ基、グリシジル
基、メルカプト基と反応可能な官能基をもつ有機物であ
り、アミノ基、グリシジル基、カルボキシル基、アルデ
ヒド基等がある。
ニル基またはナフチル基であり、アミノ基、グリシジル
基、メルカプト基と反応可能な官能基をもつ有機物であ
り、アミノ基、グリシジル基、カルボキシル基、アルデ
ヒド基等がある。
【００３８】以上、実施形態１〜実施形態３について説
明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく構
成の要旨に付随する各種の設計変更が可能である。例え
ば、上記各実施形態においては、アノード電極３に接合
する有機膜の材料として芳香族ジアミンや芳香族３級ア
ミンを用いたが、例えば、下記の一般式３、４に示すよ
うな有機物を重合してなる高分子化合物を用いてもよ
い。 一般式３ 一般式４
明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく構
成の要旨に付随する各種の設計変更が可能である。例え
ば、上記各実施形態においては、アノード電極３に接合
する有機膜の材料として芳香族ジアミンや芳香族３級ア
ミンを用いたが、例えば、下記の一般式３、４に示すよ
うな有機物を重合してなる高分子化合物を用いてもよ
い。 一般式３ 一般式４
【００３９】なお、上記一般式３、４は、側鎖Ｒ９、Ｒ
１０内に、 −Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲン
元素）の官能基の群のうちから選ばれる少なくとも１種
類以上の官能基が含まれる単量体であって、アノード電
極３に接合する有機膜は、この単量体もしくはこの単量
体からなるオリゴマーを重合してなる高分子化合物を含
む。
１０内に、 −Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲン
元素）の官能基の群のうちから選ばれる少なくとも１種
類以上の官能基が含まれる単量体であって、アノード電
極３に接合する有機膜は、この単量体もしくはこの単量
体からなるオリゴマーを重合してなる高分子化合物を含
む。
【００４０】特に、アノード電極３に接合する有機膜
は、上記一般式３、４の側鎖Ｒ９、Ｒ１０内に、 −Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲン
元素）の官能基の群のうちから選ばれる少なくとも１種
類以上の官能基が含まれる単量体と、α−オレフィン系
有機発光物質単量体および／またはα−オレフィン系非
発光物質単量体と、を共重合してなる高分子化合物を適
用することができる。
は、上記一般式３、４の側鎖Ｒ９、Ｒ１０内に、 −Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲン
元素）の官能基の群のうちから選ばれる少なくとも１種
類以上の官能基が含まれる単量体と、α−オレフィン系
有機発光物質単量体および／またはα−オレフィン系非
発光物質単量体と、を共重合してなる高分子化合物を適
用することができる。
【００４１】上記したα−オレフィン系有機発光物質単
量体としては、例えば、ビニルカルバゾール、トリフェ
ニルアミン誘導体を有する（メタ）アクリレートならび
に（メタ）アクリルアミド、ビニルアントラセン、ビニ
ルテトラセン、ビニルオリゴフェニレン系、ビニルクマ
リン系、ビニルオキサゾール系、ビニルキサンテン系、
ビニルスチルベン系、ビニルオキサジン系、ビニルキノ
ロン系、ビニルメチン系、アントラセン、テトラセン、
オリゴフェニレン系、クマリン系、オキサゾール系、キ
サンテン系、スチルベン系、オキサジン系、キノロン
系、メチン系を側鎖にもつ（メタ）アクリレート類を挙
げることができる。
量体としては、例えば、ビニルカルバゾール、トリフェ
ニルアミン誘導体を有する（メタ）アクリレートならび
に（メタ）アクリルアミド、ビニルアントラセン、ビニ
ルテトラセン、ビニルオリゴフェニレン系、ビニルクマ
リン系、ビニルオキサゾール系、ビニルキサンテン系、
ビニルスチルベン系、ビニルオキサジン系、ビニルキノ
ロン系、ビニルメチン系、アントラセン、テトラセン、
オリゴフェニレン系、クマリン系、オキサゾール系、キ
サンテン系、スチルベン系、オキサジン系、キノロン
系、メチン系を側鎖にもつ（メタ）アクリレート類を挙
げることができる。
【００４２】また、上記したα−オレフィン系非発光物
質単量体としては、例えば、酢酸ビニル、メチル（メ
タ）アクリレート、アクリル酸、２−ヒドロキエチル
（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルアミドなどを
用いることができる。
質単量体としては、例えば、酢酸ビニル、メチル（メ
タ）アクリレート、アクリル酸、２−ヒドロキエチル
（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルアミドなどを
用いることができる。
【００４３】さらに、上記各実施形態では、電子輸送層
の材料として、Ａｌｑ３を用いたが、Ｚｎｑ２、Ｂｅｂ
ｑ２、Ｚｎ−ＢＴＺ（ｑ：８−ヒドロキシキノリン、ｂ
ｑ：10−ヒドロキシベンゾキノリンＢＴＺ：２−（０−
ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾール）などの他の電
子輸送性材料を用いてもよい。
の材料として、Ａｌｑ３を用いたが、Ｚｎｑ２、Ｂｅｂ
ｑ２、Ｚｎ−ＢＴＺ（ｑ：８−ヒドロキシキノリン、ｂ
ｑ：10−ヒドロキシベンゾキノリンＢＴＺ：２−（０−
ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾール）などの他の電
子輸送性材料を用いてもよい。
【００４４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、電界発光素子においてシランカップリング
性の有機ＥＬ膜を用いることによりアノード電極と有機
ＥＬ膜との密着性を向上して非発光部分の発生を防止す
ることができる。これにより、電界発光素子の長期保存
性や連続駆動半減寿命を向上することが可能となる。
明によれば、電界発光素子においてシランカップリング
性の有機ＥＬ膜を用いることによりアノード電極と有機
ＥＬ膜との密着性を向上して非発光部分の発生を防止す
ることができる。これにより、電界発光素子の長期保存
性や連続駆動半減寿命を向上することが可能となる。
【図１】本発明の電界発光素子の実施形態１を示す断面
説明図。
説明図。
【図２】本発明の電界発光素子の実施形態２を示す断面
説明図。
説明図。
【図３】本発明の電界発光素子の実施形態３を示す断面
説明図。
説明図。
１ 電界発光素子 ３ アノード電極 ４ 正孔輸送層 ５ 電子輸送層 ６ カソード電極
Claims (5)
- 【請求項１】 相対向するカソード電極とアノード電極
との間に、有機エレクトロルミネッセンス層が介在され
た電界発光素子において、 前記有機エレクトロルミネッセンス層を構成する材料
が、前記アノード電極の構成材料もしくは前記アノード
電極に接するシランカップリング剤からなる層に対して
結合性の高い有機材料でなることを特徴とする電界発光
素子。 - 【請求項２】 前記有機エレクトロルミネッセンス層
は、電子輸送層と正孔輸送層とを備えてなり、前記正孔
輸送層を構成する材料が前記アノード電極の構成材料も
しくは前記アノード電極に接するシランカップリング剤
からなる層に対して結合性の高い有機材料でなることを
特徴とする請求項１記載の電界発光素子。 - 【請求項３】 前記有機材料は、 一般式１、 【化１】 に示す芳香族ジアミンであって、前記ｎは自然数、 前記Ｒ１〜Ｒ４の全て、もしくはＲ１〜Ｒ４の一方は、 −Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）1、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲン
元素）で表される官能基の群から選択された１種以上の
官能基をもつ、フェニル基またはナフチル基であり、前
記Ｒ１〜Ｒ４の他方が水素基であり、 前記Ｒ７、Ｒ８は、炭素数１〜４のアルキル基、カルボ
キシル基、カルボニル基、アミノ基、水素、シアノ基、
ハロゲンの群から選択される基である、ことを特徴とす
る請求項１または請求項２に記載の電界発光素子。 - 【請求項４】 前記有機材料は、 一般式２、 【化２】 に示す芳香族アミンであって、 前記Ｒ１〜Ｒ６の全て、もしくはＲ１〜Ｒ６の一方は、 −Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲ
ン）で表される官能基の群から選択された１種以上の官
能基をもつ、フェニル基またはナフチル基であり、前記
Ｒ１〜Ｒ６の他方は水素基である、ことを特徴とする請
求項１または請求項２に記載の電界発光素子。 - 【請求項５】 前記有機材料は、 一般式３ 一般式４ の側鎖Ａ、Ｂ内に、 −Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣnＨ2n+1）l、 −Ｓｉ（ＣnＨ2n+1）m（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣnＨ2n+1）l、 −ＳｉＸm（ＯＣＯＣnＨ2n+1）l、 （ｍ、ｌは自然数でｍ＋ｌ＝３を満たす、Ｘはハロゲ
ン）の官能基の群のうちから選ばれる少なくとも１種類
以上の官能基が含まれる単量体を構成単位の１つとして
重合された高分子化合物を、含むことを特徴とする請求
項１または請求項２に記載の電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8163635A JPH09324176A (ja) | 1996-06-05 | 1996-06-05 | 電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8163635A JPH09324176A (ja) | 1996-06-05 | 1996-06-05 | 電界発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09324176A true JPH09324176A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15777688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8163635A Pending JPH09324176A (ja) | 1996-06-05 | 1996-06-05 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09324176A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313577A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 表示デバイス |
| US6828045B1 (en) | 2003-06-13 | 2004-12-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and production method thereof |
| WO2008149829A1 (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 有機エレクトロルミネッセンス素子および該素子を用いた表示装置 |
| WO2010013725A1 (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-04 | 住友化学株式会社 | 積層構造体、その製造方法、及びそれを含む電子素子 |
| US8242487B2 (en) | 2008-05-16 | 2012-08-14 | E I Du Pont De Nemours And Company | Anode for an organic electronic device |
| US8461758B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-06-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Buffer bilayers for electronic devices |
-
1996
- 1996-06-05 JP JP8163635A patent/JPH09324176A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7270586B2 (en) | 2000-11-29 | 2007-09-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and production method thereof |
| JP2002313577A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 表示デバイス |
| US6828045B1 (en) | 2003-06-13 | 2004-12-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and production method thereof |
| WO2008149829A1 (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 有機エレクトロルミネッセンス素子および該素子を用いた表示装置 |
| US8242487B2 (en) | 2008-05-16 | 2012-08-14 | E I Du Pont De Nemours And Company | Anode for an organic electronic device |
| US8846441B2 (en) | 2008-05-16 | 2014-09-30 | E I Du Pont De Nemours And Company | Anode for an organic electronic device |
| WO2010013725A1 (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-04 | 住友化学株式会社 | 積層構造体、その製造方法、及びそれを含む電子素子 |
| US9318706B2 (en) | 2008-07-30 | 2016-04-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Laminated structure, method for producing same, and electronic element comprising same |
| US8461758B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-06-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Buffer bilayers for electronic devices |
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