JPH09321540A - 温度補償型発振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ＴＣＯをＩＣ化して小型化した場合に高精度
に温度補償感度の調整を行うことができる温度補償用の
可変抵抗回路網を提供する。 【解決手段】 温度補償又は周波数変調のために圧電振
動子に可変容量ダイオードを接続したＩＣ化した温度補
償発振器（ＴＣＯ）における温度補償用の可変抵抗回路
網であって、抵抗素子を低抵抗域、中抵抗域、および高
抵抗域に分けると共に、ＮＬ（ＮＭ、ＮＨ）を低（中、
高）抵抗素子数、ＲＬ- （ＲＭ- ）を低（中）抵抗素子
最小値（常温）（Ω）、ＲＬＴ- （ＲＭＴ- 、ＲＨＴ-
）を低（中、高）抵抗素子最小値（仕様温度内）、Ｒ
Ｍ+ を中抵抗素子最大値（常温）（Ω）、ＲＨ+ を高抵
抗素子最大値（常温）（Ω）、としたとき、全温度範囲
でＮＨ×ＲＨＴ- ＋ＮＭ×ＲＭＴ- ＋ＮＬ×ＲＬＴ- ＞
所定値Ωとし、ＮＭ×ＲＭ- ＞ＲＨ+ とし、ＮＬ×ＲＬ
- ＞ＲＭ+ とした構成となっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、補償回路によって
発振器の発振周波数を周囲温度の変化に対して安定化す
る温度補償発振器（ＴＣＯ）に関し、特に、上記ＴＣＯ
をＩＣ化して小型化した場合に高精度に温度補償感度の
調整を行うことができる温度補償型発振器に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、発振器の周波数安定度に影響を
及ぼす外部要因は種々あるが、そのうちで実用上最も大
きな要因となる温度である。以下、水晶振動子を用いた
温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）を例に説明する。

【０００３】即ち、上記温度による影響を排除するため
には種々の方法が提案されているが、その一つに補償回
路によって水晶発振器の負荷容量を変化させることによ
って発振周波数を周囲温度の変化に対して所望の偏差に
安定化する温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）が知られて
いる。

【０００４】従来の温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）の
基本構成は、図５（ａ）に示す様に水晶振動子３と増幅
器４に直列にバラクタダイオード（バリキャップ：登録
商標）２を挿入し、補償回路１によって発生する直流電
圧を前記バリキャップに印加するものである。なお、上
記バラクタダイオード２に接続されたコンデンサ５は、
制御感度（ＡＦＣ感度）を調整するための容量（コンデ
ンサ）である。

【０００５】また、上記補償回路１は、図５（ｂ）に示
すように複数のサーミスタＲ（Ｔ）と抵抗Ｒを含む抵抗
回路網で形成されており、水晶発振器の発振周波数が温
度変化に伴って変化する際、各温度においてその変化を
打ち消すようなバリキャップの容量となるように直流電
圧を発生するように構成されている。なお補償回路１は
上記抵抗回路網の各回路素子を製品毎に付け換えること
によって水晶の温度特性のばらつきや他の回路素子のば
らつきを補正して、希望する温度範囲において規定する
周波数偏差以下となるように調整するのが一般的であ
る。

【０００６】なお、ＴＣＸＯとしては、上記図５に示し
たようにサーミスタと抵抗等の補償回路によって単に直
流電圧変化を発生する間接型の他に、サーミスタとコン
デンサとの並列回路を直接水晶振動子に直列に接続し、
該補償回路に直接高周波電流を流し、温度によるサーミ
スタの抵抗変化によって、等価直列容量を変化させるこ
とにより温度補償を行う直接型がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した如
く、サーミスタとコンデンサとの並列回路を水晶振動子
に接続する直接型ＴＣＸＯにおいては、サーミスタの温
度特性そのものが温度補償特性を左右するが、一方、サ
ーミスタのＢ定数や常温値の抵抗値等の温度特性は入手
し得る材料の種類が限られるため、さほど種類が多くな
く、水晶のカット角の誤差範囲の全てについて適したサ
ーミスタが得られる訳ではない。

【０００８】また、周波数安定度をより厳しく微小に抑
圧するためには並列コンデンサの値や感度調整用にサー
ミスタに直列又は並列に接続する抵抗の値を厳密に選択
する必要があり、工数増加と歩留率の悪化を伴ってい
た。

【０００９】一方、間接型ＴＣＸＯにおいては、図５
（ａ）、（ｂ）に示したように構成するが、上記補償回
路１の抵抗回路網がかなりのスペースを必要とする構成
となっているので小型化に限界があるものであった。

【００１０】すなわち、従来の間接型ＴＣＸＯにおいて
も補償回路の抵抗回路網においては、その抵抗素子の各
回路定数の調整は、その抵抗素子自身を差し換え、その
都度温度試験を繰り返して行っていたので、差し換え用
の抵抗は、補償回路の差し換え可能なようにＩＣ外部に
配置しなければならず、結果として小型化を妨げてい
た。また、上記抵抗素子の差し換え作業は直接型と同様
手間がかかり非効率であった。

【００１１】そこで、上記ＴＣＸＯの補償回路を中心に
ＩＣ化して画期的な小型化および調整の効率化を達成さ
せる事が提唱されているが、上記ＩＣ化のためには以下
の様な問題点があった。

【００１２】すなわち、上記ＴＣＸＯをＩＣ化する場
合、温度補償を行うために内部電圧レギュレータの出力
電圧を分圧して水晶発振の三次特性を相殺する三次直流
電圧を発生させバラクタダイオード（バリキャップ）へ
供給するための可変抵抗回路網とサーミスタ部が必要で
ある。

【００１３】しかしながら、上記温度補償用の可変抵抗
回路網として使用されるＩＣ化が容易な抵抗は、一般に
プロセスの制約により絶対値のばらつきや比較的大きな
温度傾斜を持っているので誤差が大きくなってしまい高
精度の温度補償が行えないという問題点があった。

【００１４】

【目的】本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであ
って、温度補償発振器（ＴＣＯ）をＩＣ化して画期的に
小型化できると共に、上記ＴＣＯをＩＣ化して小型化し
た場合に高精度の温度補償を行うことができる温度補償
用の可変抵抗回路網を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、周波数制御用信号電圧を調整す
るための可変抵抗回路網をＩＣ回路に含めるとともにこ
の可変抵抗回路網の複数の抵抗素子を低抵抗域、中抵抗
域、および高抵抗域に分けたことを特徴とする。請求項
２の発明は、上記複数の抵抗素子において、ＲＬを低抵
抗素子公称値（常温）、ＮＬを低抵抗素子数、ＲＬ- を
低抵抗素子最小値（常温）、ＲＬＴ- を低抵抗素子最小
値（仕様温度内）、ＲＬ+ を低抵抗素子最大値（常
温）、ＲＬＴ+ を低抵抗素子最大値（仕様温度内）、Ｒ
Ｍを中抵抗素子公称値（常温）、ＮＭを中抵抗素子数、
ＲＭ- を中抵抗素子最小値（常温）、ＲＭＴ- を中抵抗
素子最小値（仕様温度内）、ＲＭ+ を中抵抗素子最大値
（常温）、ＲＭＴ+ を中抵抗素子最大値（仕様温度
内）、ＲＨを高抵抗素子公称値（常温）、ＮＨを高抵抗
素子数、ＲＨ- を高抵抗素子最小値（常温）、ＲＨＴ-
を高抵抗素子最小値（仕様温度内）、ＲＨ+ を高抵抗素
子最大値（常温）、ＲＨＴ+ を高抵抗素子最大値（仕様
温度内）としたとき、全温度範囲で所定値以上の抵抗値
を実現するために、ＮＨ×ＲＨＴ- ＋ＮＭ×ＲＭＴ- ＋
ＮＬ×ＲＬＴ- が所定値より大きくなり、且つ、ＮＭ×
ＲＭ- ＞ＲＨ+ 、ＮＬ×ＲＬ- ＞ＲＭ+ 、となっている
ことを特徴とする。

【００１６】請求項３の発明は、上記各抵抗域は、複数
の抵抗素子と半導体スイッチが１組ずつ並列に接続され
たものが直列にはしご状に接続されている構成となって
いることを特徴とする。

【００１７】請求項４の発明は、上記半導体スイッチ
が、メモリに記憶した情報によってオン、オフし、それ
により任意の抵抗値が得られることを特徴とする。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図示した実施形態に基づい
て本発明を詳細に説明する。図１は、本発明による温度
補償用の可変抵抗回路網を適用するＴＣＸＯの一実施形
態を有するＩＣ化された温度補償水晶発振器（ＴＣＸ
Ｏ）の例を示す構成ブロック図である。図１に示す様
に、上記ＴＣＸＯは、温度軸に対して特定の関数電圧を
発生させるための補償回路部および発振回路部を有する
ＩＣ化されたＩＣ部６と、上記ＩＣ部６に外付けで接続
されたバリキャップ部７と、上記バリキャップ部７に接
続された水晶振動子８とを有する構成となっている。

【００１９】なお、補償回路のサーミスタ部９は上記Ｉ
Ｃ部６に外付けで接続されたもので、後述する可変抵抗
回路網１４と共に温度変化に伴って温度の３次関数の直
流電圧を発生するものである。

【００２０】上記ＩＣ部６は、温度補償の調整や測定を
行うための種々の信号を入出力するための入出力端子群
１０と、上記端子群１０に接続された切替回路１１と、
上記切替回路１１に接続されたメモリ（ＥＥ−ＰＲＯ
Ｍ）１２と、上記メモリ１２に接続されたレギュレータ
１３と、上記切替回路１１およびメモリ１２およびサー
ミスタ部９およびバリキャップ部７に接続された可変抵
抗回路網１４と、上記切替回路１１およびメモリ１２お
よびバリキャップ部７に接続された分圧回路１５と、上
記バリキャップ部７に接続された発振回路１６と、上記
発振回路１６および出力端子１７に接続された出力バッ
ファ１８と、上記切替回路１１およびメモリ１２および
レギュレータ１３に接続された電源端子１９、２０とを
有する構成となっている。

【００２１】次に、図２の動作フローチャートを参照し
て、上記ＴＣＸＯの製造過程特に調整の概要を説明する
と、まず、ステップ１００において、補償する前の温度
特性を測定する。この測定の結果、各温度における周波
数偏のデータを取得し、上記切替回路１１を介して上記
端子群１０より上記メモリ１２へ上記分圧回路１５の分
圧や可変抵抗回路網１４の温度特性やレギュレータ１３
の出力電圧のばらつきの補正を含めた補正データを書き
込む（ステップ１０１）。次に、ステップ１０２におい
て、実際に補償動作を機能させて各温度における出力周
波数および必要があれば各部の電圧を測定する。その結
果、周波数の温度特性が規格値以内であれば調整を終了
するが、規格値を満たさない場合は（ステップ１０３に
てＮＯ）、その測定結果に基づいて更に部分的に補正デ
ータを上記メモリ１２へ書き込む（ステップ１０４）。

【００２２】このような調整を終えたＴＣＸＯでは、実
際の動作においては、上記メモリ１２より上記調整済の
補正データが読み出され、上記温度特性や出力電圧のば
らつきを補正するために上記補正データを必要とする上
記ＩＣ部６内の各部（上記切替回路１１、レギュレータ
１３、可変抵抗回路網１４、分圧回路１５）へ送られ
る。また、使用時においては、ユーザにより上記分圧回
路１５によるＡＦＣ感度の調整が行われることもある。

【００２３】次に、本発明の要部である温度補償用の可
変抵抗回路網１４について説明する。

【００２４】上記温度補償用の可変抵抗回路網１４は、
上記図２のＴＣＸＯの調整時に、温度補償を行うために
上記サーミスタ部９と共に上記レギュレータ１３の出力
電圧を分圧して水晶発振の三次特性を相殺する三次直流
電圧を発生させ上記バリキャップ部７へ供給するための
もので、上記分圧の際に、高精度の温度補償を効率良く
行うため、この構成の特徴は低抵抗域、中抵抗域、高抵
抗域を直列接続し、上記低抵抗域、中抵抗域、高抵抗域
の各抵抗素子の構造が異なることによる設定分解能のば
らつきを均一にするために後述する如くに上記抵抗素子
の数と値を設定したことである。

【００２５】すなわち、図３に示す様に、上記温度補償
用の可変抵抗回路網１４は、第１の可変抵抗回路２１、
第２の可変抵抗回路２２、第３の可変抵抗回路２３、お
よび第４の可変抵抗回路２４の４つの可変抵抗回路を有
しており、上記サーミスタ部９は、第１のサーミスタ２
５、第２のサーミスタ２６、および第３のサーミスタ２
７を有している。

【００２６】そして、上記第１の可変抵抗回路２１の入
力端は上記レギュレータ１３に接続され、上記レギュレ
ータ１３よりの出力電圧が供給される様になっており、
上記第１の可変抵抗回路２１の他端に上記第２および第
３の可変抵抗回路２２、２３とが直列に接続されてい
る。

【００２７】上記第１の可変抵抗回路２１と第２の可変
抵抗回路２２との接続点は、上記サーミスタ部９の第１
のサーミスタ２５の一端に接続されると共に、上記切替
回路１１に接続されている。

【００２８】上記第２の可変抵抗回路２２と第３の可変
抵抗回路２３との接続点は、上記第１のサーミスタ２５
と第２のサーミスタ２６との間に接続されると共に、上
記切替回路１１に接続されている。

【００２９】上記第３の可変抵抗回路２３の他端は、上
記切替回路１１に接続され、抵抗２８を介して上記バリ
キャップ部７へ接続されると共に、スイッチ２９を介し
て上記第３のサーミスタ２７の一端および、上記切替回
路１１に接続されており、上記第３のサーミスタ２７の
他端はアースに接続されている。

【００３０】上記第２のサーミスタ２６の他端は、上記
第４の可変抵抗回路２４の一端に接続されると共に、上
記切替回路１１に接続され、上記第４の可変抵抗回路２
４の他端はアースに接続されている。

【００３１】上記図３に示す第１〜第４の可変抵抗回路
２１、２２、２３、２４の等価回路を示すと図４の様に
なる。

【００３２】図４から明らかな様に、この第１〜第４の
可変抵抗回路２１〜２４は、上記レギュレータ１３の出
力電圧を分圧して水晶発振の三次特性を相殺する三次直
流電圧を発生させる動作を効率良く行うため、低抵抗域
３０、中抵抗域３１、および高抵抗域３２に分かれてい
る。

【００３３】そして、上記低抵抗域３０は、複数の低抵
抗素子３３と半導体スイッチ３４が１組づつ並列に接続
されたものが直列にはしご状に接続され、上記中抵抗域
３１は、複数の中抵抗素子３５と半導体スイッチ３６が
１組づつ並列に接続されたものが直列にはしご状に接続
され、上記高抵抗域３２は、複数の高抵抗素子３７と半
導体スイッチ３８が１組づつ並列に接続されたものが直
列にはしご状に接続されている。

【００３４】ここで、ＩＣ内に実現できる抵抗素子とし
ては低抵抗域３０、中抵抗域３１、高抵抗域３２のそれ
ぞれで構造が異なり、常温偏差、温度係数などがまちま
ちである。そこで、これらの組み合わせにより全域にお
ける設定分解能を均一にするため、ＲＬを低抵抗素子公
称値（常温）（Ω）、ＮＬを低抵抗素子数、ＲＬ- を低
抵抗素子最小値（常温）（Ω）、ＲＬＴ- を低抵抗素子
最小値（仕様温度内）、ＲＬ+ を低抵抗素子最大値（常
温）（Ω）、ＲＬＴ+ を低抵抗素子最大値（仕様温度
内）、ＲＭを中抵抗素子公称値（常温）（Ω）、ＮＭを
中抵抗素子数、ＲＭ-を中抵抗素子最小値（常温）
（Ω）、ＲＭＴ- を中抵抗素子最小値（仕様温度内）、
ＲＭ+ を中抵抗素子最大値（常温）（Ω）、ＲＭＴ+ を
中抵抗素子最大値（仕様温度内）、ＲＨを高抵抗素子公
称値（常温）（Ω）、ＮＨを高抵抗素子数、ＲＨ- を高
抵抗素子最小値（常温）（Ω）、ＲＨＴ- を高抵抗素子
最小値（仕様温度内）、ＲＨ+ を高抵抗素子最大値（常
温）（Ω）、ＲＨＴ+ を高抵抗素子最大値（仕様温度
内）としたとき、ワーストケースの組み合わせにて全温
度範囲で所定値（Ω）以上の抵抗値を実現するために
は、ＮＨ×ＲＨＴ- ＋ＮＭ×ＲＭＴ- ＋ＮＬ×ＲＬＴ-
＞所定値Ωとなっている。

【００３５】なお、ＬＳＩ化ＴＣＸＯの温度補償調整用
抵抗として、最大１００ＫΩの範囲を可変可能な抵抗素
子または抵抗回路網をＩＣ内に実現する必要があるの
で、この場合、上記所定値は１００ＫΩとなる。

【００３６】次に、高抵抗素子を１素子分変化させたと
きの変化分（常温の最大値はＲＨ+）はＮＭ個の中抵抗
素子で均等に設定できる必要があり、中抵抗素子の常温
最小値がＲＭ- であることから、ＮＭ×ＲＭ- ＞ＲＨ+
となっている。

【００３７】同様に、中抵抗素子と低抵抗素子値の関係
は、ＮＬ×ＲＬ- ＞ＲＭ+ となっている。

【００３８】以上の関係を満足する低・中・高抵抗素子
をＮＬ、ＮＭ、ＮＨ個設けることにより、使用温度範囲
内で最大１００ＫΩを実現する可変抵抗回路網を常温で
はＲＬ+ の分解能で、（仕様温度範囲内ではＲＬＴ+ の
分解能で）実現することができる。

【００３９】上記温度補償用の可変抵抗回路網１４の動
作について説明すると、上記図２の調整動作において上
記可変抵抗回路２１、２２、２３、２４の各抵抗域３
０、３１、３２の半導体スイッチ３４、３６、３８が上
記メモリ１２よりのデータによりオン、オフ駆動されて
抵抗値が設定され、それにより上記バリキャップ部７へ
の印加電圧が制御されて温度補償感度が調整される。

【００４０】

【発明の効果】本発明は、以上説明した様に、ＩＣ化し
たＴＣＸＯにおいて、その可変抵抗回路網を抵抗素子を
低抵抗域、中抵抗域、および高抵抗域に分けると共に、
上記低抵抗域、中抵抗域、高抵抗域の組み合わせによる
全域における設定分解能を均一にするため、ＲＬを低抵
抗素子公称値（常温）（Ω）、ＮＬを低抵抗素子数、Ｒ
Ｌ- を低抵抗素子最小値（常温）（Ω）、ＲＬＴ- を低
抵抗素子最小値（仕様温度内）、ＲＬ+ を低抵抗素子最
大値（常温）（Ω）、ＲＬＴ+ を低抵抗素子最大値（仕
様温度内）、ＲＭを中抵抗素子公称値（常温）（Ω）、
ＮＭを中抵抗素子数、ＲＭ-を中抵抗素子最小値（常
温）（Ω）、ＲＭＴ- を中抵抗素子最小値（仕様温度
内）、ＲＭ+ を中抵抗素子最大値（常温）（Ω）、ＲＭ
Ｔ+ を中抵抗素子最大値（仕様温度内）、ＲＨを高抵抗
素子公称値（常温）（Ω）、ＮＨを高抵抗素子数、ＲＨ
- を高抵抗素子最小値（常温）（Ω）、ＲＨＴ- を高抵
抗素子最小値（仕様温度内）、ＲＨ+ を高抵抗素子最大
値（常温）（Ω）、ＲＨＴ+ を高抵抗素子最大値（仕様
温度内）としたとき、全温度範囲で所定値（Ω）以上の
抵抗値を実現するために、ＮＨ×ＲＨＴ- ＋ＮＭ×ＲＭ
Ｔ- ＋ＮＬ×ＲＬＴ- ＞所定値Ωとし、ＮＭ×ＲＭ- ＞
ＲＨ+ とし、ＮＬ×ＲＬ- ＞ＲＭ+ としているので、使
用温度範囲内で最大１００ＫΩを実現する可変抵抗回路
網を常温ではＲＬ+ の分解能で、（仕様温度範囲内では
ＲＬＴ+ の分解能で）実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による温度補償用の可変抵抗回路網の一
実施形態を有するＩＣ化された温度補償水晶発振器（Ｔ
ＣＸＯ）の構成ブロック図である。

【図２】図１に示したＴＣＸＯの調整方法のフローチャ
ートである。

【図３】図１に示した温度補償用の可変抵抗回路網の内
部構成図である。

【図４】図３に示した第１〜第４の可変抵抗回路の等価
回路図である。

【図５】（ａ）は従来の温度補償水晶発振器（ＴＣＸ
Ｏ）の基本構成図であり、（ｂ）は（ａ）に示した補償
回路の構成図である。

【符号の説明】

１…補償回路、２…バラクタダイオード（バリキャッ
プ）、３、８…水晶振動子、４、１６…発振回路（ＯＳ
Ｃ）、 ５…コンデンサ、６…ＩＣ部、
７…バリキャップ部、９…サー
ミスタ部、 １０…入出力端子
群、１１…切替回路、 １２…
メモリ（ＥＥ−ＰＲＯＭ）、１３…レギュレータ、
１４…可変抵抗回路網、１５…分圧回
路、 １７…出力端子、１８…
出力バッファ、 １９、２０…電源
端子、２１、２２、２３、２４…第１〜第４の可変抵抗
回路、２５、２６、２７…第１〜第３のサーミスタ、２
８…抵抗、 ２９…スイッ
チ、３０…低抵抗域、 ３１…
中抵抗域、３２…高抵抗域、
３３…低抵抗素子、３４、３６、３８…半導体スイッ
チ、 ３５…中抵抗素子、３７…高抵抗素子、
１００〜１０３…各ステップ、

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 周波数制御用信号電圧を調整するための
   可変抵抗回路網をＩＣ回路に含めるとともにこの可変抵
   抗回路網の複数の抵抗素子を低抵抗域、中抵抗域、およ
   び高抵抗域に分けたことを特徴とする温度補償型発振
   器。
2. 【請求項２】 上記複数の抵抗素子において、 ＲＬを低抵抗素子公称値（常温）、ＮＬを低抵抗素子
   数、ＲＬ- を低抵抗素子最小値（常温）、ＲＬＴ- を低
   抵抗素子最小値（仕様温度内）、ＲＬ+ を低抵抗素子最
   大値（常温）、ＲＬＴ+ を低抵抗素子最大値（仕様温度
   内）、ＲＭを中抵抗素子公称値（常温）、ＮＭを中抵抗
   素子数、ＲＭ- を中抵抗素子最小値（常温）、ＲＭＴ-
   を中抵抗素子最小値（仕様温度内）、ＲＭ+ を中抵抗素
   子最大値（常温）、ＲＭＴ+ を中抵抗素子最大値（仕様
   温度内）、ＲＨを高抵抗素子公称値（常温）、ＮＨを高
   抵抗素子数、ＲＨ- を高抵抗素子最小値（常温）、ＲＨ
   Ｔ-を高抵抗素子最小値（仕様温度内）、ＲＨ+ を高抵
   抗素子最大値（常温）、ＲＨＴ+ を高抵抗素子最大値
   （仕様温度内）としたとき、 全温度範囲で所定値以上の抵抗値を実現するために、Ｎ
   Ｈ×ＲＨＴ- ＋ＮＭ×ＲＭＴ- ＋ＮＬ×ＲＬＴ- が所定
   値より大きくなり、且つ、 ＮＭ×ＲＭ- ＞ＲＨ+ 、ＮＬ×ＲＬ- ＞ＲＭ+ 、となっ
   ていることを特徴とする請求項１に記載の温度補償型発
   振器。
3. 【請求項３】 上記各抵抗域は、複数の抵抗素子と半導
   体スイッチが１組ずつ並列に接続されたものが直列には
   しご状に接続されている構成となっていることを特徴と
   する請求項１又は２に記載の温度補償型発振器。
4. 【請求項４】 上記半導体スイッチが、メモリに記憶し
   た情報によってオン、オフし、それにより任意の抵抗値
   が得られることを特徴とする請求項３に記載の温度補償
   型発振器。