JPH09321438A - 高密度実装基板 - Google Patents

高密度実装基板

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JPH09321438A
JPH09321438A JP8133154A JP13315496A JPH09321438A JP H09321438 A JPH09321438 A JP H09321438A JP 8133154 A JP8133154 A JP 8133154A JP 13315496 A JP13315496 A JP 13315496A JP H09321438 A JPH09321438 A JP H09321438A
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JP
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chip
wiring pattern
multilayer printed
recess
board
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JP8133154A
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Tadashi Kanda
正 神田
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Kokusai Electric Corp
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Kokusai Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 部品実装面積を大幅に低減し、高密度実装基
板を提供する。 【解決手段】 2枚以上の基板A,Bを積層して多層プ
リント基板1を構成し、この多層プリント基板1の一方
の外表面に、搭載すべきICチップ106が収容可能な
底面及び深さを有する凹部2を形成し、前記多層プリン
ト基板の他方の外表面は、チップ部品104を搭載する
チップ部品実装面7とし、前記凹部2の底面及び前記基
板1の積層面に所定の配線パターン3を形成し、該配線
パターン3は、貫通,層間及び凹部に設けられたスルー
ホール102,103,112を介して前記チップ実装
面及び他の層の配線パターンに電気的に接続し、前記凹
部2にICチップ106を収容して該ICチップの接続
用パッド11と、凹部2の配線パターン3に設けられた
バンプ用接続パッド12を導電性接続部材4により接続
すると共に該導電性接続部材4及びICチップ106を
合成樹脂5により封止することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ICチップを基板
の中に埋め込んだ高密度実装基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は従来基板の第1例の構成を示す断
面図である。2枚以上の多層プリント基板100は、ガ
ラス基材エポキシ樹脂等の材料よりなるプリント基板
C,Dをエポキシ等の接着樹脂101により貼り合せた
構成になっている。該基板100に、貫通スルーホール
102や層間スルーホール103が設けられ、実装部品
としてはチップコンデンサ,チップ抵抗に代表されるチ
ップ部品104,QFP(Quad Flat Package) に代表さ
れるモールドIC105,トランジスタ等のモールド部
品111等のSMD(Surface Mounted Device)対応部品
等が用いられている。前記基板100に半田ペーストが
印刷され、前記部品がマウントされ、リフローにより半
田接続された構成になっている。図3では、簡単なため
基板は2層、部品実装は片面のみを示したが、基板の積
層数は2層に限らず何層でもよく、また工程数は増える
が両面実装も可能であることは言うまでもない。
【0003】さて、近年、特に移動体通信分野において
は軽薄短小化が進み、超小型化実装が要求されており、
その一環として、IC化が進んでいる。図3に示すよう
に、従来のモールドIC105は、ICチップ106と
リード108がAlやAu等のワイヤ107でワイヤボ
ンディング接続され、リード108が半田113にて基
板100と接続された構成になっている。IC化が進む
につれてICチップのサイズが大きくなり、また接続ピ
ン数が多くなるとICチップの大きさに比してパッケー
ジがさらに大きくなるため、一層の小型化を図るために
は更に実装面積を少なくする必要がある。
【0004】図4は従来基板の第2例の構成を示す断面
図で、COB(Chip On Board) 技術を用いた基板であ
る。ICチップは直接基板にダイボンディングされ、基
板とワイヤ107でワイヤボンディング接続され、ワイ
ヤ保護のためのポティング樹脂109によりオーバーコ
ートされ、さらに前記樹脂の流れ止枠110が設けられ
た構成となっている。図4の構成では、図3のモールド
ICを用いた場合に比べリード108がなくなる代りに
樹脂流れ止枠110が必要になるため大幅な実装面積低
減は期待出来ない。また、ワイヤのボンダビリティの面
から、ICチップのワイヤボンディングは、通常、チッ
プ部品のリフロー前に行われるのが一般的である。その
ため、半田ペースト印刷時に使用するマスクはICチッ
プ及び樹脂流れ止枠の部分が凸になったいわゆるエンボ
スマスクを用いなければならず、前記枠周辺ぎりぎりに
は部品を配置できない等の制約が生じ、実装面積低減は
あまり期待できない。また、この他には図示はしなかっ
たが、フリップチップによる方法があるが、チップ部品
と同じ面に実装する場合、基本的にCOBと同様な課題
を持っている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、部品実装面積を大幅に低減することができず、携帯
無線機器の小型化を図れないという課題がある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明基板は、プリント
基板の部品実装面積を大幅に低減するためプラスチック
モールドされたICをフリップチップ実装によるベアチ
ップ実装にすると共に前記プリント基板の一部に凹部を
設け、基板の中にICチップを埋め込んだ構造としたプ
リント基板である。即ち、本発明の第1基板は、従来技
術よりも部品実装面積を大幅に低減できる、高密度実装
基板を提供するため、図1に示すように2枚以上の基板
A,Bを積層して多層プリント基板1を構成し、この多
層プリント基板1の一方の外表面に、搭載すべきICチ
ップ106が収容可能な底面及び深さを有する凹部2を
形成し、前記多層プリント基板の他方の外表面は、チッ
プ部品104を搭載するチップ部品実装面7とし、前記
凹部2の底面及び前記基板1の積層面に所定の配線パタ
ーン3を形成し、該配線パターン3は、貫通,層間及び
凹部に設けられたスルーホール102,103,112
を介して前記チップ実装面及び他の層の配線パターンに
電気的に接続し、前記凹部2にICチップ106を収容
して該ICチップの接続用パッド11と、凹部2の配線
パターン3に設けられたバンプ用接続パッド12を導電
性接続部材4により接続すると共に該導電性接続部材4
及びICチップ106を合成樹脂5により封止すること
を特徴とする。
【0007】本発明の第2基板は、同じ課題を解決し、
同じ目的を達成するため、図2に示すように3枚以上の
基板A,B,B1を積層して多層プリント基板1を構成
し、この多層プリント基板の両方の外表面を除く中層
に、搭載すべきICチップ106が収容可能な底面及び
高さを有する中空部6を形成し、該多層プリント基板の
少なくとも一方の外表面は、チップ部品104を搭載す
るチップ部品実装面7とし、前記中空部6のチップ部品
実装面7側及び前記基板1の積層面に所定の配線パター
ン3を形成し、該配線パターン3は貫通,層間及び中空
部とチップ部品実装面との間に設けられたスルーホール
102,103,115を介して前記チップ実装面7及
び他の層の配線パターンに電気的に接続し、前記中空部
6はICチップ106を収容して該ICチップの接続用
パッド11と、中空部6の底面の配線パターン3に設け
られたバンプ用接続パッド12を導電性接続部材4によ
り接続すると共に該導電性接続部材4及びICチップ1
06を合成樹脂5により封止することを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】図1は本発明基板の実施形態の第
1例の構成を示す断面図である。図1に於いて、貼り合
せ(積層)多層プリント基板1は基板A,基板Bの2枚
のプリント基板からなり、一方の外表面には、ICチッ
プ106が収納可能な底面積及び深さを有する凹部2が
形成されており、他方の外表面はチップ抵抗等のチップ
部品104、モールド部品111を搭載するチップ部品
実装面7となっている。前記凹部2の底面には、所定の
配線パターン3が形成されており、該配線パターン3は
貫通スルーホール102,層間スルーホール103,凹
部2に設けられたスルーホール112を介して前記チッ
プ部品実装面7や他の層の配線パターンと電気的に接続
されている。前記スルーホール102,103,112
は、チップ部品実装面7においては、従来、チップ部品
104の半田接続電極パッド外に設けることが一般的で
あるが、該電極上に作成することで、一層実装面積を低
減することが可能である。
【0009】また、前記凹部2には、ICチップ106
が収容され、該ICチップのIC接続用パッド11と前
記凹部2の底面の配線パターン3に設けられたバンプ用
接続パッド12とが、半田等の金属バンプよりなる導電
性接続部材4により接続され、該導電性接続部材4及び
ICチップ106は機械的強度を保持し、ICチップを
保護するため、即ち接続信頼性を確保するためエポキシ
等の封止樹脂5で封止されている。前記封止樹脂5の量
は、図1の様にICの表面部分と導電性接続部材のみの
場合から図2の様にICチップ全体が樹脂のなかに埋る
くらいまで必要に応じて加減できる。なお、113はチ
ップ部品104,モールド部品111を半田付けした半
田、114は半田ダム、101は基板A,Bを接着する
接着樹脂である。
【0010】図2は本発明基板の実施形態の第2例の構
成を示す断面図である。図2の第2形態は図1の状態か
ら更にもう1層のプリント基板B1を図1の凹部2側に
積層し凹部2を密封した場合である。即ち、基板A,基
板B,基板B1からなる3層構造の貼り合せ(積層)多
層プリント基板1に於いて中層の基板Bのみに中空部6
を形成し、この中空部6にICチップ106が埋めこま
れた形態となること以外は図1と同様である。なお、1
15は中空部スルーホールである。図1及び図2におい
ては、簡単のため、それぞれ2層,3層の場合で説明し
たが、必ずしも2層,3層である必要はなく、それ以上
の場合でもよい。また、ICは1個である必要はなく複
数個であってもよい。
【0011】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、従来、プ
ラスチックモールドされたIC,又は、COB,FCに
よりベアチップ実装されるICは、チップ部品と同じ面
に実装されていたが、本発明によれば、ICチップをプ
リント基板の中に埋めこむ事が出来るため、従来、IC
が占有していた実装面積を零にし、部品実装面積を従来
よりも大幅に低減することができ、基板延いては携帯無
線機の小型化を大幅に達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明基板の実施形態の第1例の構成を示す断
面図である。
【図2】本発明基板の実施形態の第2例の構成を示す断
面図である。
【図3】従来基板の第1例の構成を示す断面図である。
【図4】従来基板の第2例の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1 多層プリント基板 2 凹部 3 配線パターン 4 導電性接続部材 5 封止樹脂 6 中空部 7 チップ部品実装面 11 IC接続用パッド 12 バンプ用接続パッド 101 接着樹脂 102 貫通スルーホール 103 層間スルーホール 104 チップ部品 106 ICチップ 111 モールド部品 112 凹部スルーホール 113 半田 114 半田ダム 115 中空部スルーホール

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2枚以上の基板を積層して多層プリント
    基板を構成し、この多層プリント基板の一方の外表面
    に、搭載すべきICチップが収容可能な底面及び深さを
    有する凹部を形成し、前記多層プリント基板の他方の外
    表面は、チップ部品を搭載するチップ部品実装面とし、
    前記凹部の底面及び前記基板の積層面に所定の配線パタ
    ーンを形成し、該配線パターンは、貫通,層間及び凹部
    に設けられたスルーホールを介して前記チップ実装面及
    び他の層の配線パターンに電気的に接続し、前記凹部に
    ICチップを収容して該ICチップの接続用パッドと、
    凹部の配線パターンに設けられたバンプ用接続パッドを
    導電性接続部材により接続すると共に該導電性接続部材
    及びICチップを合成樹脂により封止することを特徴と
    する高密度実装基板。
  2. 【請求項2】 3枚以上の基板を積層して多層プリント
    基板を構成し、この多層プリント基板の両方の外表面を
    除く中層に、搭載すべきICチップが収容可能な底面及
    び高さを有する中空部を形成し、該多層プリント基板の
    少なくとも一方の外表面は、チップ部品を搭載するチッ
    プ部品実装面とし、前記中空部のチップ部品実装面側及
    び前記基板の積層面に所定の配線パターンを形成し、該
    配線パターンは貫通,層間及び中空部とチップ部品実装
    面との間に設けられたスルーホールを介して前記チップ
    実装面及び他の層の配線パターンに電気的に接続し、前
    記中空部はICチップを収容して該ICチップの接続用
    パッドと、中空部の底面の配線パターンに設けられたバ
    ンプ用接続パッドを導電性接続部材により接続すると共
    に該導電性接続部材及びICチップを合成樹脂により封
    止することを特徴とする高密度実装基板。
JP8133154A 1996-05-28 1996-05-28 高密度実装基板 Pending JPH09321438A (ja)

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JP8133154A JPH09321438A (ja) 1996-05-28 1996-05-28 高密度実装基板

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000006166A (ko) * 1998-06-16 2000-01-25 가타오카 마사타카 전자회로유닛

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KR20000006166A (ko) * 1998-06-16 2000-01-25 가타오카 마사타카 전자회로유닛

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