JPH09321067A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に係わり、特にヒートシンクを有する半導体装置の製
造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor device having a heat sink.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図４及び図５を参照して従来技術を説明
する。2. Description of the Related Art A conventional technique will be described with reference to FIGS.
【０００３】まず図４に示すように、それぞれの半導体
チップの大きさに合った幅Ｗを有するマウント用テープ
２６、例えば金テープを台２１上の切断下金型２２上に
載置し、切断上金型２３を矢印２４に示すように下降さ
せてマウント用テープ２６の部分２５を切断しマウント
用テープ個片２５を得る。またこのように切断加工を行
うから、またテープ製造の精度上からテープを薄くする
ことが出来ず、、マウント用テープ２６は５００μｍ以
上の厚さが必要である。First, as shown in FIG. 4, a mounting tape 26 having a width W corresponding to the size of each semiconductor chip, for example, a gold tape is placed on a cutting lower die 22 on a base 21 and cut. The upper die 23 is lowered as shown by an arrow 24 to cut a portion 25 of the mounting tape 26 to obtain a mounting tape piece 25. Further, since the cutting process is performed in this manner, and the tape cannot be thinned from the viewpoint of accuracy of tape production, the mounting tape 26 needs to have a thickness of 500 μm or more.
【０００４】一方、図５（Ａ）に示すように、ヒートシ
ンク１を内部リードパターン１２を形成し外部リード１
３を配設した積層セラミック１１に固着し、全体をヒー
タブロック２７上に載置する。On the other hand, as shown in FIG. 5A, the heat sink 1 is formed with the inner lead pattern 12 and the outer lead 1
3 is fixed to the laminated ceramic 11 and the whole is placed on the heater block 27.
【０００５】次に、図４により得られたマウント用テー
プ個片２５を移送治工具（図示省略）で移送し、矢印２
８に示すように下降し（図５（Ｂ））、ヒートシンク１
上に載置する（図５（Ｃ））。Next, the mounting tape piece 25 obtained from FIG. 4 is transferred by a transfer jig (not shown), and the arrow 2
8 (FIG. 5 (B)), the heat sink 1
Place on top (FIG. 5 (C)).
【０００６】次に、半導体チップ７を移送治工具（図示
省略）で移送し、矢印２９に示すように下降し（図５
（Ｄ））、ヒートシンク１上のマウント用テープ個片２
５上に載置し溶融状態のマウント用テープ個片２５上で
半導体チップ７を、矢印３０で示すように、治工具（図
示省略）で押しつけながら左右振動させてスクラブする
（図５（Ｅ））。Next, the semiconductor chip 7 is transferred by a transfer jig (not shown) and lowered as shown by an arrow 29 (see FIG. 5).
(D)), mounting tape piece 2 on heat sink 1
5, the semiconductor chip 7 is scrubbed by vibrating left and right while pressing it with a jig (not shown) as shown by an arrow 30 on the mounting tape piece 25 in a molten state (FIG. 5 (E)). ).
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来技術
では、半導体チップの大きさ毎に異なる幅のテープを用
意しなければならないから、製造管理が煩雑になり、マ
ウントテープ材料費用が高くなるという問題を有する。However, in the prior art, since it is necessary to prepare tapes having different widths depending on the size of the semiconductor chip, manufacturing management becomes complicated and the mounting tape material cost becomes high. Have.
【０００８】このように多種の幅のテープを必要とする
理由は、大きな半導体チップの場合に細い幅のテープを
用いると接着に必要な量のマウント材（ろう材）が得ら
れず、不完全の接着になってしまうからであり、一方、
太い幅のテープを用意して多品種の半導体チップ（大小
さまざまな半導体チップ）に共用しようとすると、加熱
してマウント材を溶かした後に半導体チップを押しつけ
てスクラブする際に、余ったマウント材が半導体チップ
の上にはい上がり、半導体チップ（半導体装置）の動作
不良が発生する場合を生じるからである。The reason why tapes of various widths are required is that if a tape having a narrow width is used in the case of a large semiconductor chip, the mount material (brazing material) in an amount necessary for bonding cannot be obtained, which is incomplete. On the other hand,
If you prepare a tape with a wide width and try to use it for various types of semiconductor chips (semiconductor chips of various sizes), when the semiconductor chip is pressed by heating after melting it to scrub it This is because the semiconductor chip (semiconductor device) may rise to the top of the semiconductor chip and malfunction may occur.
【０００９】また従来技術では、上から機械的に半導体
チップ押さえて半導体チップを左右に振動させるスクラ
ブ工程を必要とするから、このスクラブ工程でゴミが発
生し半導体チップ（半導体装置）の動作不良を起こすと
いう問題を有する。Further, in the prior art, a scrub process for mechanically pressing the semiconductor chip from above and vibrating the semiconductor chip to the left and right is required. Therefore, dust is generated in this scrub process to prevent malfunction of the semiconductor chip (semiconductor device). Have the problem of waking up.
【００１０】このようにマウント材がテープの場合にス
クラブが必要な理由は、テープを切断してヒートシンク
上に載置した時に切断工程に起因して皺が寄ったり曲が
ったり、あるいは位置合わせ精度も良くないので半導体
チップに対してずれたりする場合があるから、マウント
材を溶かしたあとで半導体チップで押しつけ左右に振動
させるスクラブ工程により半導体チップの下に均一にマ
ウント材を形成しなければならないからである。The reason why scrubbing is necessary when the mount material is a tape is that the tape is wrinkled or bent due to the cutting process when it is cut and placed on a heat sink, or the alignment accuracy is also high. Since it is not good, it may shift with respect to the semiconductor chip, so it is necessary to uniformly form the mount material under the semiconductor chip by a scrubbing process that melts the mount material and presses it with the semiconductor chip and vibrates left and right. Is.
【００１１】したがって本発明の目的は、上記不都合を
伴うことなく多品種の半導体チップのマウントを可能に
する半導体装置の製造方法を提供することである。Therefore, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device which enables mounting of various kinds of semiconductor chips without the above disadvantages.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、ヒート
シンクを有する半導体装置の製造方法において、ヒート
シンクにスクリーン印刷により、膜厚５０μｍ〜３００
μｍのマウント材を塗布形成する半導体装置の製造方法
にある。A feature of the present invention is that in a method of manufacturing a semiconductor device having a heat sink, a film thickness of 50 μm to 300 is obtained by screen printing on the heat sink.
This is a method for manufacturing a semiconductor device, in which a mount material having a thickness of μm is applied.
【００１３】本発明の他の特徴は、ヒートシンクにスク
リーン印刷によりマウント材を塗布形成する工程と、前
記マウント材を塗布形成したヒートシンクに外部リード
ピンおよび内部リードパターンを有する積層セラミック
を接着する工程と、前記ヒートシンク上の前記マウント
材に半導体チップを接着する工程とを有する半導体装置
の製造方法にある。Another feature of the present invention is a step of applying a mount material to the heat sink by screen printing, and a step of adhering a laminated ceramic having external lead pins and internal lead patterns to the heat sink coated with the mount material. And a step of adhering a semiconductor chip to the mount material on the heat sink.
【００１４】このような本発明によればマウント材をヒ
ートシンクにスクリーン印刷により塗布するから、上記
不都合を伴うことなく多品種の半導体チップをマウント
するためのマウント材の載置法およびゴミ発生をスクラ
ブを省略することが可能なマウント法が得られる。According to the present invention, since the mounting material is applied to the heat sink by screen printing, the mounting method for mounting the mounting material and the scrubbing of dust generation for mounting various kinds of semiconductor chips without the above inconvenience. A mounting method is obtained in which can be omitted.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明を説明
する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１６】まず図１（Ａ）に示すように、ヒートシン
ク１上に治工具の枠２を載置し、スキージ３を矢印４の
方向に移動させることにより、枠２の内容積により定め
られた形状にマウント材５、例えば銀ペーストをヒート
シンク１上にスクリーン印刷により塗布する。First, as shown in FIG. 1 (A), a frame 2 of a jig and tool is placed on a heat sink 1 and a squeegee 3 is moved in the direction of an arrow 4 to determine the inner volume of the frame 2. A mount material 5, for example, a silver paste, is applied to the heat sink 1 in a shape by screen printing.
【００１７】次に図１（Ｂ）に示すように枠２を除去す
る。図１（Ｂ）の状態におけるマウント材５の膜厚は５
０μｍ〜３００μｍである。Next, the frame 2 is removed as shown in FIG. The thickness of the mount material 5 in the state of FIG.
It is 0 μm to 300 μm.
【００１８】すなわち半導体チップをヒートシンクに確
実に固定するためには５０μｍ以上の膜厚を必要とする
からである。That is, in order to securely fix the semiconductor chip to the heat sink, a film thickness of 50 μm or more is required.
【００１９】一方、多品種の半導体チップに対応するた
めに３００μｍ以下の膜厚にする必要がある。すなわち
実質的にそのヒートシンク上に搭載することが出来る異
なる大きさの半導体チップのうち最も大きな半導体チッ
プに合わせた範囲にマウント材を塗布する。すると、小
さい半導体チップをマウントする場合には、マウント材
が半導体チップの外側にはみだしてしまう。この場合、
マウント材の厚さが３００μｍを越えると、マウント材
を加熱して半導体チップを置き、半導体チップを押さえ
てマウントする時に、従来の問題点のように、はみ出し
た部分のマウント材が半導体チップの端からはい上がり
その表面にあがってしまう。したがって３００μｍ以下
にする必要がある。On the other hand, it is necessary to set the film thickness to 300 μm or less in order to support various kinds of semiconductor chips. That is, the mount material is applied to a range corresponding to the largest semiconductor chip among the semiconductor chips of different sizes that can be substantially mounted on the heat sink. Then, when a small semiconductor chip is mounted, the mounting material will stick out to the outside of the semiconductor chip. in this case,
When the thickness of the mount material exceeds 300 μm, when mounting the semiconductor chip by heating the mount material and pressing the semiconductor chip to mount, the protruding part of the mount material is the end of the semiconductor chip as in the conventional problem. It rises up and rises to the surface. Therefore, it is necessary to make it 300 μm or less.
【００２０】先に説明したように従来技術はテープを用
いていたから５００μｍ以下にすることが出来なかっ
た。As described above, since the conventional technique uses the tape, the thickness cannot be reduced to 500 μm or less.
【００２１】次に図２（Ａ）に示すように、外部リード
ピン１３と内部リードパターン１２を設けた積層セラミ
ック１１をヒートシンク１にヒータブロック６上でガラ
ス系樹脂（図示省略）を介在した熱圧着により張りつけ
る。Next, as shown in FIG. 2A, the laminated ceramic 11 having the external lead pins 13 and the internal lead patterns 12 is thermocompression bonded to the heat sink 1 on the heater block 6 with a glass resin (not shown) interposed. Stick with.
【００２２】次に図２（Ｂ）に示すように、１６０℃、
１分間加熱した状態のマウント材５上に半導体チップ７
を移送治工具（図示省略）で移送し、マウント材５に接
着するように、矢印８に示すように、下降させる。Next, as shown in FIG. 2B, 160 ° C.
The semiconductor chip 7 is mounted on the mount material 5 which is heated for 1 minute.
Is transferred by a transfer jig (not shown) and is lowered as shown by an arrow 8 so as to adhere to the mount material 5.
【００２３】次に図２（Ｃ）に示すように、半導体チッ
プ７をマウント材５に、矢印９に示すように、垂直方向
のみに治工具（図示省略）で押しつける。Next, as shown in FIG. 2C, the semiconductor chip 7 is pressed against the mount material 5 only in the vertical direction by a jig (not shown) as shown by an arrow 9.
【００２４】先に説明した理由により従来技術では左右
振動であるスクラブが必要であったが、本発明のマウン
ト材は、皺が寄ったり曲がったりするものではなく均一
な膜厚で所定の平坦表面を有するものであり、また所定
の位置にスクリーン印刷することが出来るものであるか
ら、スクラブを行う必要はない。Although the conventional technique requires scrubbing that causes left-right vibration, the mount material of the present invention is not wrinkled or bent, but has a uniform film thickness and a predetermined flat surface. It does not need to be scrubbed because it has the following features and can be screen-printed at a predetermined position.
【００２５】図３は本発明の実施の形態により得られた
ピングリッドアレイ型半導体装置を示す図であり、
（Ａ）は上面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ部の断面図で
ある。なお図３においてマウント材の図示は省略してあ
る。FIG. 3 is a diagram showing a pin grid array type semiconductor device obtained according to the embodiment of the present invention.
(A) is a top view, (B) is a sectional view of the AA portion of (A). The mount material is not shown in FIG.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したよう本発明によれば、この
塗布方法によりいろいろな大きさの半導体チップに対応
した、マウント材形成のヒートシンクを製造することが
でき、同じ形状にマウント材を形成した多数のヒートシ
ンクを用意しておき、たがいに異なる大きさの所定の半
導体チップを上記同一のタイプのそれぞれのヒートシン
クに搭載接着することが出来るから、さらに外部リード
ピンの配列や内部リード配線が異なる積層セラミックを
上記同一のタイプのそれぞれのヒートシンクに接着する
ことが出来るから、製造コストを低廉化し、製造管理を
簡素化することができる。As described above, according to the present invention, by this coating method, it is possible to manufacture a heat sink having a mount material formation corresponding to semiconductor chips of various sizes, and the mount material is formed in the same shape. Since a large number of heat sinks can be prepared and different semiconductor chips of different sizes can be mounted and adhered to the respective heat sinks of the same type, the laminated ceramics in which the arrangement of the external lead pins and the internal lead wiring are different from each other Can be bonded to the respective heat sinks of the same type, so that the manufacturing cost can be reduced and the manufacturing management can be simplified.
【００２７】また本発明によれば、スクラブを省略する
ことが出来るから、ゴミの発生を防止することが出来
る。Further, according to the present invention, since scrubbing can be omitted, it is possible to prevent the generation of dust.
【００２８】また本発明によれば、品種に合わせてテー
プを製造し切断するということがないから、テープの製
造コストや切断装置のコストが不要となり、この点から
も半導体装置の製造コストを低廉化することが出来る。Further, according to the present invention, since the tape is not manufactured and cut according to the product type, the cost of manufacturing the tape and the cost of the cutting device are unnecessary, and from this point also, the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced. Can be transformed.
【図１】本発明の実施の形態を製造工程順に示した図で
ある。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention in the order of manufacturing steps.
【図２】図１の続きの工程を順に示した図である。FIG. 2 is a diagram sequentially showing a process following that of FIG.
【図３】本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法で
得られた半導体装置を示した図であり、（Ａ）は上面
図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ部の断面図である。3A and 3B are views showing a semiconductor device obtained by the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiment of the present invention, FIG. 3A being a top view and FIG. 3B being a cross-section taken along line AA of FIG. It is a figure.
【図４】従来技術の一工程を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing one step of a conventional technique.
【図５】従来技術を製造工程順に示した図である。FIG. 5 is a diagram showing a conventional technique in order of manufacturing steps.
１ ヒートシンク ２ 治工具の枠 ３ スキージ ４ スキージの移動方向 ５ マウント材 ６ ヒータブロック ７ 半導体チップ ８ 半導体チップの移動方向 ９ 半導体チップを押しつける方向 １１ 積層セラミック １２ 内部リードパターン １３ 外部リードピン ２１ 台 ２２ 切断下金型 ２３ 切断上金型 ２４ 切断上金型の移動方向 ２５ マウント用テープ個片 ２６ マウント用テープ ２７ ヒータブロック ２８ マウント用テープ個片の移動方向 ２９ 半導体チップの移動方向 ３０ 半導体チップのスクラブ方向 1 Heat Sink 2 Jig Tool Frame 3 Squeegee 4 Squeegee Moving Direction 5 Mounting Material 6 Heater Block 7 Semiconductor Chip 8 Semiconductor Chip Moving Direction 9 Semiconductor Chip Pressing Direction 11 Multilayer Ceramic 12 Internal Lead Pattern 13 External Lead Pins 21 Units 22 Cut Under Die 23 Upper die for cutting 24 Moving direction of upper die for cutting 25 Mounting tape piece 26 Mounting tape 27 Heater block 28 Moving direction of mounting tape piece 29 Semiconductor chip moving direction 30 Semiconductor chip scrubbing direction
Claims (3)
方法において、ヒートシンクにスクリーン印刷により、
膜厚５０μｍ〜３００μｍのマウント材を塗布形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。1. A method of manufacturing a semiconductor device having a heat sink, the screen being printed on the heat sink.
A method of manufacturing a semiconductor device, which comprises applying a mount material having a film thickness of 50 μm to 300 μm by coating.
ウント材を塗布形成する工程と、前記マウント材を塗布
形成したヒートシンクに外部リードピンおよび内部リー
ドパターンを有する積層セラミックを接着する工程と、
前記ヒートシンク上の前記マウント材に半導体チップを
接着する工程とを有することを特徴とする半導体装置の
製造方法。2. A step of applying a mount material to a heat sink by screen printing, and a step of adhering a laminated ceramic having an external lead pin and an internal lead pattern to the heat sink coated with the mount material.
Bonding a semiconductor chip to the mount material on the heat sink.
状態の前記マウント材の膜厚は５０μｍ〜３００μｍで
あることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造
方法。3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the film thickness of the mount material applied and formed by the screen printing is 50 μm to 300 μm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13714196A JP3119582B2 (en) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13714196A JP3119582B2 (en) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | Method for manufacturing semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09321067A true JPH09321067A (en) | 1997-12-12 |
| JP3119582B2 JP3119582B2 (en) | 2000-12-25 |
Family
ID=15191784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13714196A Expired - Fee Related JP3119582B2 (en) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | Method for manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3119582B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113937010A (en) * | 2021-12-16 | 2022-01-14 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | Method for manufacturing semiconductor device |
-
1996
- 1996-05-30 JP JP13714196A patent/JP3119582B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113937010A (en) * | 2021-12-16 | 2022-01-14 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | Method for manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3119582B2 (en) | 2000-12-25 |
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