JPH09321019A - 金属薄膜のテーパーエッチング方法および紫外線照射装置並びにこれを用いて製造した液晶表示装置 - Google Patents
金属薄膜のテーパーエッチング方法および紫外線照射装置並びにこれを用いて製造した液晶表示装置Info
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- JPH09321019A JPH09321019A JP8139297A JP13929796A JPH09321019A JP H09321019 A JPH09321019 A JP H09321019A JP 8139297 A JP8139297 A JP 8139297A JP 13929796 A JP13929796 A JP 13929796A JP H09321019 A JPH09321019 A JP H09321019A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属薄膜のエッチング端面のテーパー角度を
基板内で均一にすると共に、簡易かつ高精度に制御でき
る金属薄膜のテーパーエッチング方法を提供すると共
に、クロム膜によるゲート電極のエッチング端面のテー
パー角度を制御することにより、高歩留り、かつ信頼性
の高い液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 クロム膜２が形成された基板１を、搬送
ローラー６により紫外線照射装置３内の加熱プレート４
上に搬送し、所望するテーパー角度との関係において予
め決定された条件で基板加熱、および紫外線照射ランプ
５による紫外線照射を行い、次にフェノールノボラック
樹脂を主鎖とするフォトレジストにより形成されたレジ
ストパターン用いて硝酸濃度が２モル／リットル以上で
あるクロムエッチング液によりエッチングを行い、クロ
ム膜２のエッチング端面にテーパー形状を形成する。
基板内で均一にすると共に、簡易かつ高精度に制御でき
る金属薄膜のテーパーエッチング方法を提供すると共
に、クロム膜によるゲート電極のエッチング端面のテー
パー角度を制御することにより、高歩留り、かつ信頼性
の高い液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 クロム膜２が形成された基板１を、搬送
ローラー６により紫外線照射装置３内の加熱プレート４
上に搬送し、所望するテーパー角度との関係において予
め決定された条件で基板加熱、および紫外線照射ランプ
５による紫外線照射を行い、次にフェノールノボラック
樹脂を主鎖とするフォトレジストにより形成されたレジ
ストパターン用いて硝酸濃度が２モル／リットル以上で
あるクロムエッチング液によりエッチングを行い、クロ
ム膜２のエッチング端面にテーパー形状を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば液晶表示
装置等を製造する際に用いられる金属薄膜のテーパーエ
ッチング方法に関するものである。
装置等を製造する際に用いられる金属薄膜のテーパーエ
ッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＴＦＴ型液晶表示装置のゲート電極に
は、高融点であると共に、加工性がよい等の理由から、
一般的にクロムが用いられている。また、図５に示すよ
うに、上層である絶縁膜７ａの被覆性を向上させるた
め、クロム膜２によるゲート電極のエッチング端面はテ
ーパー形状に形成されている。図５において、１は基
板、２はクロム膜、７ａは絶縁膜である。図６は例えば
特開平１ー８６５２４号公報に示された従来のクロム膜
のテーパーエッチング方法を示す工程図であり、図にお
いて、１は基板、２はクロム膜、１４はレジストパター
ン、１５はエッチング液である。まず図６−ａに示すよ
うに、基板１上にスパッタ法あるいはめっき法により形
成されたクロム膜２に、所定の工程でフェノールノボラ
ック樹脂を主鎖とするフォトレジストによりレジストパ
ターン１４を形成する。次に図６ーｂに示すように、レ
ジストパターン１４が形成された基板１を硝酸の濃度が
２モル／リットル以上であるエッチング液１５に浸漬す
ることにより、レジストパターン１４はエッチング液１
５中の硝酸により端部から徐々に剥離される。一方クロ
ム膜２はエッチング液１５中の酸化剤により被膜表面か
ら等方的に酸化され、イオンとなって溶出しエッチング
が進行する。レジストパターン１４の剥離とクロム膜２
のエッチングが同時かつ連続的に進行するため、図６ー
ｃに示すようにクロム膜２のエッチング端面はテーパー
形状となる。
は、高融点であると共に、加工性がよい等の理由から、
一般的にクロムが用いられている。また、図５に示すよ
うに、上層である絶縁膜７ａの被覆性を向上させるた
め、クロム膜２によるゲート電極のエッチング端面はテ
ーパー形状に形成されている。図５において、１は基
板、２はクロム膜、７ａは絶縁膜である。図６は例えば
特開平１ー８６５２４号公報に示された従来のクロム膜
のテーパーエッチング方法を示す工程図であり、図にお
いて、１は基板、２はクロム膜、１４はレジストパター
ン、１５はエッチング液である。まず図６−ａに示すよ
うに、基板１上にスパッタ法あるいはめっき法により形
成されたクロム膜２に、所定の工程でフェノールノボラ
ック樹脂を主鎖とするフォトレジストによりレジストパ
ターン１４を形成する。次に図６ーｂに示すように、レ
ジストパターン１４が形成された基板１を硝酸の濃度が
２モル／リットル以上であるエッチング液１５に浸漬す
ることにより、レジストパターン１４はエッチング液１
５中の硝酸により端部から徐々に剥離される。一方クロ
ム膜２はエッチング液１５中の酸化剤により被膜表面か
ら等方的に酸化され、イオンとなって溶出しエッチング
が進行する。レジストパターン１４の剥離とクロム膜２
のエッチングが同時かつ連続的に進行するため、図６ー
ｃに示すようにクロム膜２のエッチング端面はテーパー
形状となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の金属薄膜のテー
パーエッチング方法は以上のように構成されているの
で、テーパーの角度を変更したいときには、エッチング
液１５中の硝酸濃度を変更しなければならず、作業性が
悪く、コスト高となり、さらに、クロム膜２の表面は、
成膜後の経時変化により不均一な状態にあるため、テー
パー角度が基板内で不均一となり、配線抵抗が大きくな
ることに起因する輝度傾斜が生じるなど問題があった。
また、ＴＦＴ基板においては、クロム膜２によるゲート
電極のエッチング端面のテーパー角度が大きくなること
により、段差部での上層の被覆性の悪化による絶縁層の
耐圧低下や断線等の不良が生じるなど問題があった。
パーエッチング方法は以上のように構成されているの
で、テーパーの角度を変更したいときには、エッチング
液１５中の硝酸濃度を変更しなければならず、作業性が
悪く、コスト高となり、さらに、クロム膜２の表面は、
成膜後の経時変化により不均一な状態にあるため、テー
パー角度が基板内で不均一となり、配線抵抗が大きくな
ることに起因する輝度傾斜が生じるなど問題があった。
また、ＴＦＴ基板においては、クロム膜２によるゲート
電極のエッチング端面のテーパー角度が大きくなること
により、段差部での上層の被覆性の悪化による絶縁層の
耐圧低下や断線等の不良が生じるなど問題があった。
【０００４】この発明は、上記のような問題を解決する
ためになされたもので、エッチング端面のテーパー角度
を基板内で均一にすると共に、簡易かつ高精度に制御で
きる金属薄膜のテーパーエッチング方法を提供すること
を目的とする。また、ゲート電極のエッチング端面のテ
ーパー角度を制御することにより、高歩留り、かつ信頼
性の高い液晶表示装置を提供することを目的とする。
ためになされたもので、エッチング端面のテーパー角度
を基板内で均一にすると共に、簡易かつ高精度に制御で
きる金属薄膜のテーパーエッチング方法を提供すること
を目的とする。また、ゲート電極のエッチング端面のテ
ーパー角度を制御することにより、高歩留り、かつ信頼
性の高い液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる金属薄
膜のテーパーエッチング方法は、基板上に金属薄膜を形
成する工程と、金属薄膜が形成された基板を加熱した状
態で紫外線を照射する工程と、金属薄膜上にレジストパ
ターンを形成する工程と、レジストパターンが形成され
た基板をエッチングする工程と、レジストパターンを剥
離する工程を含むものである。また、紫外線照射量を調
整することにより金属薄膜のテーパー角度を制御するも
のである。また、紫外線照射時の基板加熱温度を調整す
ることにより金属薄膜のテーパー角度を制御するもので
ある。さらに、紫外線照射量と紫外線照射時の基板加熱
温度を同時に調整することにより金属薄膜のテーパー角
度を調整するものである。
膜のテーパーエッチング方法は、基板上に金属薄膜を形
成する工程と、金属薄膜が形成された基板を加熱した状
態で紫外線を照射する工程と、金属薄膜上にレジストパ
ターンを形成する工程と、レジストパターンが形成され
た基板をエッチングする工程と、レジストパターンを剥
離する工程を含むものである。また、紫外線照射量を調
整することにより金属薄膜のテーパー角度を制御するも
のである。また、紫外線照射時の基板加熱温度を調整す
ることにより金属薄膜のテーパー角度を制御するもので
ある。さらに、紫外線照射量と紫外線照射時の基板加熱
温度を同時に調整することにより金属薄膜のテーパー角
度を調整するものである。
【０００６】また、紫外線照射装置は、温度調整可能な
基板加熱プレートと、基板加熱プレートに基板を搬入お
よび搬出する搬送ローラーと、基板加熱プレートの上方
に設けられた紫外線照射量が調整可能な紫外線照射ラン
プを備えたものである。また、紫外線照射装置は、搬送
ローラーの回転数を変えることにより、あるいは基板を
紫外線照射ランプの下で任意の時間停止することによっ
て、紫外線照射量を調整することができるものである。
また、液晶表示装置は、透明絶縁性基板と、透明絶縁性
基板を加熱すると共に紫外線照射して透明絶縁性基板上
に形成したゲート配線を有するゲート電極と、ゲート電
極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、半
導体層と共に半導体素子を構成する一対の電極と、透明
絶縁性基板と共に液晶材料を挟持する対向電極を有する
対向基板を備えたものである。
基板加熱プレートと、基板加熱プレートに基板を搬入お
よび搬出する搬送ローラーと、基板加熱プレートの上方
に設けられた紫外線照射量が調整可能な紫外線照射ラン
プを備えたものである。また、紫外線照射装置は、搬送
ローラーの回転数を変えることにより、あるいは基板を
紫外線照射ランプの下で任意の時間停止することによっ
て、紫外線照射量を調整することができるものである。
また、液晶表示装置は、透明絶縁性基板と、透明絶縁性
基板を加熱すると共に紫外線照射して透明絶縁性基板上
に形成したゲート配線を有するゲート電極と、ゲート電
極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、半
導体層と共に半導体素子を構成する一対の電極と、透明
絶縁性基板と共に液晶材料を挟持する対向電極を有する
対向基板を備えたものである。
【０００７】
実施の形態１．以下、この発明の一実施の形態である金
属薄膜のテーパーエッチング方法を図について説明す
る。図１はこの発明の金属薄膜（本実施の形態ではクロ
ム薄膜）のテーパーエッチングにおけるテーパー角度を
制御するための紫外線照射装置の断面図であり、図にお
いて、１は基板、２はクロム膜、３は紫外線照射装置、
４は紫外線照射装置３の下部にある基板１を加熱する加
熱プレート、５は紫外線照射ランプ、６は搬送ローラー
である。図２は紫外線照射装置における基板加熱温度と
テーパー角度の関係を示す図、図３は紫外線照射装置に
おける紫外線照射量とテーパー角度の関係を示す図であ
る。
属薄膜のテーパーエッチング方法を図について説明す
る。図１はこの発明の金属薄膜（本実施の形態ではクロ
ム薄膜）のテーパーエッチングにおけるテーパー角度を
制御するための紫外線照射装置の断面図であり、図にお
いて、１は基板、２はクロム膜、３は紫外線照射装置、
４は紫外線照射装置３の下部にある基板１を加熱する加
熱プレート、５は紫外線照射ランプ、６は搬送ローラー
である。図２は紫外線照射装置における基板加熱温度と
テーパー角度の関係を示す図、図３は紫外線照射装置に
おける紫外線照射量とテーパー角度の関係を示す図であ
る。
【０００８】まず、金属薄膜をフォトレジストを用いて
エッチングする場合、金属薄膜とフォトレジストの密着
力が大きいほどエッチング液中でフォトレジストが剥が
れにくくなりエッチング端面のテーパー角度は大きくな
る傾向にある。また、フォトレジスト形成前の金属薄膜
への紫外線照射量や紫外線照射時の基板加熱温度を調整
することにより、金属薄膜とフォトレジストの密着力を
調整することができる。このことから、図２に示すよう
に、基板加熱温度を高くする（９０゜Ｃ〜１５０゜Ｃ）
ことによりクロム膜のエッチング端面のテーパー角度は
直線的に大きく（約１５度〜２０度）なり、また図３に
示すように、紫外線照射量を大きくする（１Ｊ〜５Ｊ）
ことによりクロム膜のエッチング端面のテーパー角度は
直線的に大きく（約１０度〜３０度）なるという結果が
得られる。
エッチングする場合、金属薄膜とフォトレジストの密着
力が大きいほどエッチング液中でフォトレジストが剥が
れにくくなりエッチング端面のテーパー角度は大きくな
る傾向にある。また、フォトレジスト形成前の金属薄膜
への紫外線照射量や紫外線照射時の基板加熱温度を調整
することにより、金属薄膜とフォトレジストの密着力を
調整することができる。このことから、図２に示すよう
に、基板加熱温度を高くする（９０゜Ｃ〜１５０゜Ｃ）
ことによりクロム膜のエッチング端面のテーパー角度は
直線的に大きく（約１５度〜２０度）なり、また図３に
示すように、紫外線照射量を大きくする（１Ｊ〜５Ｊ）
ことによりクロム膜のエッチング端面のテーパー角度は
直線的に大きく（約１０度〜３０度）なるという結果が
得られる。
【０００９】次に本実施の形態によるクロム膜２のテー
パーエッチング工程について説明する。まずスパッタ法
あるいはめっき法によりクロム膜２が形成された基板１
を、搬送ローラー６により紫外線照射装置３内の加熱プ
レート４上に搬送し、基板加熱、および紫外線照射ラン
プ５による紫外線照射を行う。このときの基板加熱温
度、あるいは紫外線照射量は、所望するテーパー角度と
の関係において予め設定しておく。次にフェノールノボ
ラック樹脂を主鎖とするフォトレジストを所定の工程に
従い塗布、プレベーク、露光、現像、ポストベークする
ことによりレジストパターンを形成する。クロム膜２お
よびフォトレジストパターンが形成された基板１を硝酸
の濃度が２モル／リットル以上であるクロムエッチング
液を用いてディップ法あるいはスプレー法等によりエッ
チングを行い、クロム膜２のエッチング端面にテーパー
を形成する。その後フォトレジストを剥離する。
パーエッチング工程について説明する。まずスパッタ法
あるいはめっき法によりクロム膜２が形成された基板１
を、搬送ローラー６により紫外線照射装置３内の加熱プ
レート４上に搬送し、基板加熱、および紫外線照射ラン
プ５による紫外線照射を行う。このときの基板加熱温
度、あるいは紫外線照射量は、所望するテーパー角度と
の関係において予め設定しておく。次にフェノールノボ
ラック樹脂を主鎖とするフォトレジストを所定の工程に
従い塗布、プレベーク、露光、現像、ポストベークする
ことによりレジストパターンを形成する。クロム膜２お
よびフォトレジストパターンが形成された基板１を硝酸
の濃度が２モル／リットル以上であるクロムエッチング
液を用いてディップ法あるいはスプレー法等によりエッ
チングを行い、クロム膜２のエッチング端面にテーパー
を形成する。その後フォトレジストを剥離する。
【００１０】この発明によれば、クロム膜２のエッチン
グ端面のテーパー角度を、クロム膜２への紫外線照射量
あるいは紫外線照射時の基板加熱温度を調整することに
より、簡易かつ高精度に制御でき、また紫外線照射によ
りクロム膜２の表面状態が均一となるためテーパー角度
の基板内均一性を向上させることができる。
グ端面のテーパー角度を、クロム膜２への紫外線照射量
あるいは紫外線照射時の基板加熱温度を調整することに
より、簡易かつ高精度に制御でき、また紫外線照射によ
りクロム膜２の表面状態が均一となるためテーパー角度
の基板内均一性を向上させることができる。
【００１１】実施の形態２．実施の形態１では、クロム
膜２のエッチング端面のテーパー角度を紫外線照射量あ
るいは紫外線照射時の基板加熱温度のいずれか一方を調
整することにより制御したが、紫外線照射量と紫外線照
射時の基板加熱温度の両方を同時に調整することによ
り、クロム膜２のエッチング端面のテーパー角度制御に
おいて一層の効果が得られる。
膜２のエッチング端面のテーパー角度を紫外線照射量あ
るいは紫外線照射時の基板加熱温度のいずれか一方を調
整することにより制御したが、紫外線照射量と紫外線照
射時の基板加熱温度の両方を同時に調整することによ
り、クロム膜２のエッチング端面のテーパー角度制御に
おいて一層の効果が得られる。
【００１２】実施の形態３．図４はこの発明によるクロ
ム膜のテーパーエッチング方法を用いて形成したＴＦＴ
型液晶表示装置のＴＦＴ部分の断面図である。図におい
て、１ａはガラス基板等の透明絶縁性基板、２ａはクロ
ム膜よりなるゲート配線（ここでは図示していない）が
接続されているゲート電極、７はゲート電極２ａ上に形
成されたＳｉＮ等によるゲート絶縁膜、８はゲート電極
２ａ上にゲート絶縁膜７を介して設けられた半導体層、
９は半導体層８上に形成された第一の保護膜、１０は第
一の保護膜９上に形成されたオーミックコンタクト層、
１１、１２は半導体層８と共に半導体素子を構成するソ
ース電極およびドレイン電極、１３は半導体素子の近傍
に設けられた画素電極である。所定の工程でクロム膜２
ａが形成された透明絶縁性基板１ａを、実施の形態１と
同様の方法で処理することにより、エッチング端面のテ
ーパー角度が制御されたゲート電極２ａが形成される。
ム膜のテーパーエッチング方法を用いて形成したＴＦＴ
型液晶表示装置のＴＦＴ部分の断面図である。図におい
て、１ａはガラス基板等の透明絶縁性基板、２ａはクロ
ム膜よりなるゲート配線（ここでは図示していない）が
接続されているゲート電極、７はゲート電極２ａ上に形
成されたＳｉＮ等によるゲート絶縁膜、８はゲート電極
２ａ上にゲート絶縁膜７を介して設けられた半導体層、
９は半導体層８上に形成された第一の保護膜、１０は第
一の保護膜９上に形成されたオーミックコンタクト層、
１１、１２は半導体層８と共に半導体素子を構成するソ
ース電極およびドレイン電極、１３は半導体素子の近傍
に設けられた画素電極である。所定の工程でクロム膜２
ａが形成された透明絶縁性基板１ａを、実施の形態１と
同様の方法で処理することにより、エッチング端面のテ
ーパー角度が制御されたゲート電極２ａが形成される。
【００１３】この発明によれば、ゲート電極２ａのエッ
チング端面のテーパー角度を高精度に制御することがで
きるので、ゲート絶縁膜７によるゲート電極２ａに対す
る被覆性が改善されることにより、段差部における耐圧
低下や配線切れ等の不良発生を防止することができる。
また、ゲート配線抵抗が大きくなることによって発生す
る輝度傾斜不良を防止することができる。
チング端面のテーパー角度を高精度に制御することがで
きるので、ゲート絶縁膜７によるゲート電極２ａに対す
る被覆性が改善されることにより、段差部における耐圧
低下や配線切れ等の不良発生を防止することができる。
また、ゲート配線抵抗が大きくなることによって発生す
る輝度傾斜不良を防止することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、金属
薄膜のエッチング端面のテーパー角度を、金属薄膜への
紫外線照射量あるいは紫外線照射時の基板加熱温度を調
整することにより、簡易かつ高精度に制御でき、また紫
外線照射により金属薄膜の表面状態が均一となるためテ
ーパー角度の基板内均一性を向上させることができる。
また、液晶表示装置においては、ゲート電極のエッチン
グ端面のテーパー角度を高精度に制御することができる
ので、上層の被覆性が改善されて段差部における耐圧低
下や配線切れおよびゲート配線抵抗が大きくなることに
起因する輝度傾斜等の不良発生が防止され、高歩留り、
かつ信頼性の高い液晶表示装置を得ることができる。
薄膜のエッチング端面のテーパー角度を、金属薄膜への
紫外線照射量あるいは紫外線照射時の基板加熱温度を調
整することにより、簡易かつ高精度に制御でき、また紫
外線照射により金属薄膜の表面状態が均一となるためテ
ーパー角度の基板内均一性を向上させることができる。
また、液晶表示装置においては、ゲート電極のエッチン
グ端面のテーパー角度を高精度に制御することができる
ので、上層の被覆性が改善されて段差部における耐圧低
下や配線切れおよびゲート配線抵抗が大きくなることに
起因する輝度傾斜等の不良発生が防止され、高歩留り、
かつ信頼性の高い液晶表示装置を得ることができる。
【図１】 この発明の実施の形態１による紫外線照射装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１による基板加熱温度
とテーパー角度の関係を示す図である。
とテーパー角度の関係を示す図である。
【図３】 この発明の実施の形態１による紫外線照射量
とテーパー角度の関係を示す図である。
とテーパー角度の関係を示す図である。
【図４】 この発明の実施の形態３による液晶表示装置
のＴＦＴ部分を示す断面図である。
のＴＦＴ部分を示す断面図である。
【図５】 従来のこの種金属薄膜のテーパー部分を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】 従来の金属薄膜のテーパーエッチング工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
１ 基板、１ａ ガラス基板等の透明絶縁性基板、２
クロム膜、２ａ ゲート電極、３ 紫外線照射装置、４
加熱プレート、５ 紫外線照射ランプ、６ 搬送ロー
ラー、７ ゲート絶縁膜、７ａ 絶縁膜、８ 半導体
層、９ 第一の保護膜、１０ オーミックコンタクト
層、１１ ソース電極、１２ ドレイン電極、１３ 画
素電極、１４ フォトレジスト、１５ エッチング液。
クロム膜、２ａ ゲート電極、３ 紫外線照射装置、４
加熱プレート、５ 紫外線照射ランプ、６ 搬送ロー
ラー、７ ゲート絶縁膜、７ａ 絶縁膜、８ 半導体
層、９ 第一の保護膜、１０ オーミックコンタクト
層、１１ ソース電極、１２ ドレイン電極、１３ 画
素電極、１４ フォトレジスト、１５ エッチング液。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１７Ｋ ６２７Ｆ
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に金属薄膜を形成する工程、上記
金属薄膜が形成された基板を加熱した状態で紫外線を照
射する工程、上記金属薄膜上にレジストパターンを形成
する工程、上記レジストパターンが形成された基板をエ
ッチングする工程、上記レジストパターンを剥離する工
程を含むことを特徴とする金属薄膜のテーパーエッチン
グ方法。 - 【請求項２】 紫外線照射量を調整することにより金属
薄膜のテーパー角度を制御することを特徴とする請求項
１記載の金属薄膜のテーパーエッチング方法。 - 【請求項３】 紫外線照射時の基板加熱温度を調整する
ことにより金属薄膜のテーパー角度を制御することを特
徴とする請求項１または請求項２記載の金属薄膜のテー
パーエッチング方法。 - 【請求項４】 紫外線照射量と紫外線照射時の基板加熱
温度を同時に調整することにより金属薄膜のテーパー角
度を調整することを特徴とする請求項１〜３のいずれか
一項記載の金属薄膜のテーパーエッチング方法。 - 【請求項５】 温度調整可能な基板加熱プレート、上記
基板加熱プレートに基板を搬入および搬出する搬送ロー
ラー、上記基板加熱プレートの上方に設けられた紫外線
照射量が調整可能な紫外線照射ランプを備えたことを特
徴とする紫外線照射装置。 - 【請求項６】 搬送ローラーは、基板の搬送速度が調整
可能であることを特徴とする請求項５記載の紫外線照射
装置。 - 【請求項７】 搬送ローラーは、基板が紫外線照射ラン
プの下で任意の時間停止することができるよう構成され
ていることを特徴とする請求項５または請求項６記載の
紫外線照射装置。 - 【請求項８】 透明絶縁性基板、この透明絶縁性基板を
加熱すると共に紫外線照射して上記透明絶縁性基板上に
形成したゲート配線を有するゲート電極、このゲート電
極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層、この
半導体層と共に半導体素子を構成する一対の電極、上記
透明絶縁性基板と共に液晶材料を挟持する対向電極を有
する対向基板を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8139297A JPH09321019A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 金属薄膜のテーパーエッチング方法および紫外線照射装置並びにこれを用いて製造した液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8139297A JPH09321019A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 金属薄膜のテーパーエッチング方法および紫外線照射装置並びにこれを用いて製造した液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09321019A true JPH09321019A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15242004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8139297A Pending JPH09321019A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 金属薄膜のテーパーエッチング方法および紫外線照射装置並びにこれを用いて製造した液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09321019A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100462819C (zh) * | 2006-09-11 | 2009-02-18 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种摩擦装置及其用途 |
-
1996
- 1996-05-31 JP JP8139297A patent/JPH09321019A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100462819C (zh) * | 2006-09-11 | 2009-02-18 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种摩擦装置及其用途 |
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