JPH09320362A - 低損失同軸ケーブル - Google Patents
低損失同軸ケーブルInfo
- Publication number
- JPH09320362A JPH09320362A JP13194896A JP13194896A JPH09320362A JP H09320362 A JPH09320362 A JP H09320362A JP 13194896 A JP13194896 A JP 13194896A JP 13194896 A JP13194896 A JP 13194896A JP H09320362 A JPH09320362 A JP H09320362A
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- JP
- Japan
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- unsintered
- coaxial cable
- outer periphery
- ptfe
- insulating layer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波帯域での伝送特性に優れ、かつ、機械
的強度にも優れた低損失同軸ケーブルを提供するもので
ある。 【解決手段】 中心導体２の外周に、絶縁体７、外部導
体５、およびジャケット６を、順次、被覆してなる同軸
ケーブルにおいて、上記絶縁体７が中心導体２の外周
に、押出し成形で形成した未焼結テトラフルオロエチレ
ン重合体樹脂層３の外周に未焼結テトラフルオロエチレ
ン重合体樹脂テープ４を巻き付け形成してなるものであ
る。
的強度にも優れた低損失同軸ケーブルを提供するもので
ある。 【解決手段】 中心導体２の外周に、絶縁体７、外部導
体５、およびジャケット６を、順次、被覆してなる同軸
ケーブルにおいて、上記絶縁体７が中心導体２の外周
に、押出し成形で形成した未焼結テトラフルオロエチレ
ン重合体樹脂層３の外周に未焼結テトラフルオロエチレ
ン重合体樹脂テープ４を巻き付け形成してなるものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、同軸ケーブルに係
り、特に、高周波帯域での誘電損失が小さい低損失同軸
ケーブルに関するものである。
り、特に、高周波帯域での誘電損失が小さい低損失同軸
ケーブルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高周波同軸ケーブルとしては、中
心導体の外周に未焼結のテトラフルオロエチレン重合体
樹脂（以下、ＰＴＦＥと呼ぶ）絶縁層を押出し被覆した
後、未焼結ＰＴＦＥ絶縁層の外周に、焼結ＰＴＦＥ絶縁
層、外部導体、熱可塑性樹脂からなるジャケットを、順
次、被覆したものが知られている。
心導体の外周に未焼結のテトラフルオロエチレン重合体
樹脂（以下、ＰＴＦＥと呼ぶ）絶縁層を押出し被覆した
後、未焼結ＰＴＦＥ絶縁層の外周に、焼結ＰＴＦＥ絶縁
層、外部導体、熱可塑性樹脂からなるジャケットを、順
次、被覆したものが知られている。
【０００３】誘電体（絶縁体）に交流電界を加えると、
誘電体内での電力の損失（誘電損失）が起こる。よっ
て、高周波同軸ケーブルは、この誘電損失をできる限り
小さくすることを本旨としている。
誘電体内での電力の損失（誘電損失）が起こる。よっ
て、高周波同軸ケーブルは、この誘電損失をできる限り
小さくすることを本旨としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波同軸ケー
ブルにおいて、絶縁体として用いている未焼結ＰＴＦＥ
絶縁層は、未焼結のため繊維状である。すなわち、未焼
結ＰＴＦＥ絶縁層の単体では、機械的強度が弱く、裂け
やすいという性質を持っている。
ブルにおいて、絶縁体として用いている未焼結ＰＴＦＥ
絶縁層は、未焼結のため繊維状である。すなわち、未焼
結ＰＴＦＥ絶縁層の単体では、機械的強度が弱く、裂け
やすいという性質を持っている。
【０００５】このため、未焼結ＰＴＦＥ絶縁層の外周に
焼結ＰＴＦＥ絶縁層を被覆することによって、機械的強
度を保っている。
焼結ＰＴＦＥ絶縁層を被覆することによって、機械的強
度を保っている。
【０００６】しかしながら、焼結によりＰＴＦＥ絶縁層
の結晶化度が約６０％に低下することから、１ＧＨｚ以
上の高周波になると、誘電損失が急激に上昇すると共
に、挿入損失も増大するという問題がある。
の結晶化度が約６０％に低下することから、１ＧＨｚ以
上の高周波になると、誘電損失が急激に上昇すると共
に、挿入損失も増大するという問題がある。
【０００７】そこで本発明は、上記課題を解決し、高周
波帯域での伝送特性に優れ、かつ、機械的強度にも優れ
た低損失同軸ケーブルを提供することにある。
波帯域での伝送特性に優れ、かつ、機械的強度にも優れ
た低損失同軸ケーブルを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１の発明は、中心導体の外周に、絶縁体、外部
導体、およびジャケットを、順次、被覆してなる同軸ケ
ーブルにおいて、上記絶縁体が中心導体の外周に押出し
成形で形成した未焼結テトラフルオロエチレン重合体樹
脂層の外周に、未焼結テトラフルオロエチレン重合体樹
脂テープを巻き付け形成してなるものである。
に請求項１の発明は、中心導体の外周に、絶縁体、外部
導体、およびジャケットを、順次、被覆してなる同軸ケ
ーブルにおいて、上記絶縁体が中心導体の外周に押出し
成形で形成した未焼結テトラフルオロエチレン重合体樹
脂層の外周に、未焼結テトラフルオロエチレン重合体樹
脂テープを巻き付け形成してなるものである。
【０００９】請求項２の発明は、上記未焼結テトラフル
オロエチレン重合体樹脂テープを、横巻き又は縦添えで
巻き付け形成する請求項１記載の低損失同軸ケーブルで
ある。
オロエチレン重合体樹脂テープを、横巻き又は縦添えで
巻き付け形成する請求項１記載の低損失同軸ケーブルで
ある。
【００１０】以上の構成によれば、絶縁体を、未焼結テ
トラフルオロエチレン重合体樹脂の外周に未焼結テトラ
フルオロエチレン重合体樹脂テープを巻き付け形成した
二層構造としたため、高周波帯域での伝送特性に優れ、
かつ、機械的強度にも優れた低損失同軸ケーブルを得る
ことができる。
トラフルオロエチレン重合体樹脂の外周に未焼結テトラ
フルオロエチレン重合体樹脂テープを巻き付け形成した
二層構造としたため、高周波帯域での伝送特性に優れ、
かつ、機械的強度にも優れた低損失同軸ケーブルを得る
ことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１２】本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、機
械的強度を保つために未焼結ＰＴＦＥ絶縁層の外周に被
覆していた焼結ＰＴＦＥ絶縁層の代わりに、未焼結ＰＴ
ＦＥテープを被覆することによって、誘電損失および挿
入損失を低下することなく機械的強度を保つことができ
るということを見出した。
械的強度を保つために未焼結ＰＴＦＥ絶縁層の外周に被
覆していた焼結ＰＴＦＥ絶縁層の代わりに、未焼結ＰＴ
ＦＥテープを被覆することによって、誘電損失および挿
入損失を低下することなく機械的強度を保つことができ
るということを見出した。
【００１３】本発明の低損失同軸ケーブルの横断面図を
図１に示す。
図１に示す。
【００１４】図１に示すように、本発明の低損失同軸ケ
ーブル１は、中心導体（例えば、銀メッキ軟銅線）２の
外周に、絶縁層（絶縁体）７、外部導体５およびジャケ
ット６を、順次、被覆してなるものである。
ーブル１は、中心導体（例えば、銀メッキ軟銅線）２の
外周に、絶縁層（絶縁体）７、外部導体５およびジャケ
ット６を、順次、被覆してなるものである。
【００１５】ここで、絶縁層７は、内層が未焼結ＰＴＦ
Ｅ絶縁層（未焼結テトラフルオロエチレン重合体樹脂
層）３であり、外層が未焼結ＰＴＦＥテープ絶縁層（未
焼結テトラフルオロエチレン重合体樹脂テープ）４で構
成される。
Ｅ絶縁層（未焼結テトラフルオロエチレン重合体樹脂
層）３であり、外層が未焼結ＰＴＦＥテープ絶縁層（未
焼結テトラフルオロエチレン重合体樹脂テープ）４で構
成される。
【００１６】未焼結ＰＴＦＥテープ絶縁層４は、未焼結
ＰＴＦＥ絶縁層３の外周に巻き回して形成されている。
ＰＴＦＥ絶縁層３の外周に巻き回して形成されている。
【００１７】次に、本発明の作用を説明する。
【００１８】中心導体２の外周に未焼結ＰＴＦＥ絶縁層
３を形成した後、未焼結ＰＴＦＥ絶縁層３の外周に未焼
結ＰＴＦＥテープを巻き回して、未焼結ＰＴＦＥテープ
絶縁層４を形成する。その後、未焼結ＰＴＦＥテープ絶
縁層４の外周に、箔状の外部導体５を巻き回す。その
後、外部導体５の外周に、樹脂（例えば、テトラフルオ
ロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重
合体樹脂（ＰＦＡ）など）を押出し被覆して、ジャケッ
ト６を形成し、低損失同軸ケーブル１を作製する。
３を形成した後、未焼結ＰＴＦＥ絶縁層３の外周に未焼
結ＰＴＦＥテープを巻き回して、未焼結ＰＴＦＥテープ
絶縁層４を形成する。その後、未焼結ＰＴＦＥテープ絶
縁層４の外周に、箔状の外部導体５を巻き回す。その
後、外部導体５の外周に、樹脂（例えば、テトラフルオ
ロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重
合体樹脂（ＰＦＡ）など）を押出し被覆して、ジャケッ
ト６を形成し、低損失同軸ケーブル１を作製する。
【００１９】未焼結ＰＴＦＥテープの未焼結ＰＴＦＥ絶
縁層３の外周への巻き回しは、横巻き又は縦添えであっ
てもよい。
縁層３の外周への巻き回しは、横巻き又は縦添えであっ
てもよい。
【００２０】尚、絶縁層７は、未焼結ＰＴＦＥテープ絶
縁層４だけで構成してもよいが、絶縁層７は所定の厚み
を有して形成しなければならないため、厚さの薄い未焼
結ＰＴＦＥテープだけで絶縁層７を構成するためには、
中心導体２の外周に未焼結ＰＴＦＥテープを何層も巻か
なければならず、外径公差が出しづらい。
縁層４だけで構成してもよいが、絶縁層７は所定の厚み
を有して形成しなければならないため、厚さの薄い未焼
結ＰＴＦＥテープだけで絶縁層７を構成するためには、
中心導体２の外周に未焼結ＰＴＦＥテープを何層も巻か
なければならず、外径公差が出しづらい。
【００２１】
（実施例１）素線径が０．９１２ｍｍの銀メッキ軟銅線
からなる中心導体の外周に、厚さ０．８４ｍｍで溶剤と
ＰＴＦＥとの混合物からなる未焼結ＰＴＦＥ絶縁体層を
押出し被覆する。
からなる中心導体の外周に、厚さ０．８４ｍｍで溶剤と
ＰＴＦＥとの混合物からなる未焼結ＰＴＦＥ絶縁体層を
押出し被覆する。
【００２２】その後、中心導体の外周に被覆された未焼
結ＰＴＦＥ絶縁体層におけるＰＴＦＥが引き続いて未焼
結状態を保持すべく、ＰＴＦＥが結晶化しないよう溶剤
の沸点〜３６０℃の温度範囲で、電気的不純物である溶
剤を揮散する。
結ＰＴＦＥ絶縁体層におけるＰＴＦＥが引き続いて未焼
結状態を保持すべく、ＰＴＦＥが結晶化しないよう溶剤
の沸点〜３６０℃の温度範囲で、電気的不純物である溶
剤を揮散する。
【００２３】その後、未焼結ＰＴＦＥ絶縁体層の外周
に、厚さ５０μｍの未焼結ＰＴＦＥテープを１／２ラッ
プで横巻きに巻き付ける。
に、厚さ５０μｍの未焼結ＰＴＦＥテープを１／２ラッ
プで横巻きに巻き付ける。
【００２４】その後、未焼結ＰＴＦＥテープ層の外周
に、厚さ０．０５ｍｍ、幅２．５ｍｍの銀メッキ軟銅箔
からなる外部導体を横巻きに巻き付け、さらに、外部導
体の外周に、テトラフルオロエチレン−パーフルオロア
ルキルビニルエーテル共重合体樹脂（ＰＦＡ）からなる
ジャケット層を、厚さ０．３ｍｍで押出し被覆して低損
失同軸ケーブルを作製する。
に、厚さ０．０５ｍｍ、幅２．５ｍｍの銀メッキ軟銅箔
からなる外部導体を横巻きに巻き付け、さらに、外部導
体の外周に、テトラフルオロエチレン−パーフルオロア
ルキルビニルエーテル共重合体樹脂（ＰＦＡ）からなる
ジャケット層を、厚さ０．３ｍｍで押出し被覆して低損
失同軸ケーブルを作製する。
【００２５】（比較例１）素線径が０．９１２ｍｍの銀
メッキ軟銅線からなる中心導体の外周に、厚さ０．９４
ｍｍで溶剤とＰＴＦＥとの混合物からなる未焼結ＰＴＦ
Ｅ絶縁体層を押出し被覆する。
メッキ軟銅線からなる中心導体の外周に、厚さ０．９４
ｍｍで溶剤とＰＴＦＥとの混合物からなる未焼結ＰＴＦ
Ｅ絶縁体層を押出し被覆する。
【００２６】その後、中心導体の外周に被覆された未焼
結ＰＴＦＥ絶縁体層におけるＰＴＦＥが引き続いて未焼
結状態を保持すべく、ＰＴＦＥが結晶化しないよう溶剤
の沸点〜３６０℃の温度範囲で、電気的不純物である溶
剤を揮散する。
結ＰＴＦＥ絶縁体層におけるＰＴＦＥが引き続いて未焼
結状態を保持すべく、ＰＴＦＥが結晶化しないよう溶剤
の沸点〜３６０℃の温度範囲で、電気的不純物である溶
剤を揮散する。
【００２７】その後、未焼結ＰＴＦＥ絶縁体層の外周部
のみを焼結して、厚さ５０μｍの焼結ＰＴＦＥ絶縁体層
を形成する。
のみを焼結して、厚さ５０μｍの焼結ＰＴＦＥ絶縁体層
を形成する。
【００２８】その後、未焼結ＰＴＦＥテープ層の外周
に、厚さ０．０５ｍｍ、幅２．５ｍｍの銀メッキ軟銅箔
からなる外部導体を横巻きに巻き付け、さらに、外部導
体の外周に、テトラフルオロエチレン−パーフルオロア
ルキルビニルエーテル共重合体樹脂（ＰＦＡ）からなる
ジャケット層を、厚さ０．３ｍｍで押出し被覆して同軸
ケーブルを作製する。
に、厚さ０．０５ｍｍ、幅２．５ｍｍの銀メッキ軟銅箔
からなる外部導体を横巻きに巻き付け、さらに、外部導
体の外周に、テトラフルオロエチレン−パーフルオロア
ルキルビニルエーテル共重合体樹脂（ＰＦＡ）からなる
ジャケット層を、厚さ０．３ｍｍで押出し被覆して同軸
ケーブルを作製する。
【００２９】実施例１および比較例１で作製した低損失
同軸ケーブルおよび同軸ケーブルにおける挿入損失特性
を測定した。
同軸ケーブルおよび同軸ケーブルにおける挿入損失特性
を測定した。
【００３０】この結果、１８ＧＨｚの周波数における挿
入損失は、実施例１において１．５０〜１．７０ｄＢ／
ｍ、比較例１において２．１〜２．２ｄＢ／ｍであっ
た。すなわち、本発明の低損失同軸ケーブルは、従来の
同軸ケーブルと比較して、挿入損失が約３割も減少して
いることからわかるように、高周波においても伝送特性
が良好である。
入損失は、実施例１において１．５０〜１．７０ｄＢ／
ｍ、比較例１において２．１〜２．２ｄＢ／ｍであっ
た。すなわち、本発明の低損失同軸ケーブルは、従来の
同軸ケーブルと比較して、挿入損失が約３割も減少して
いることからわかるように、高周波においても伝送特性
が良好である。
【００３１】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３２】（１） 焼結ＰＴＦＥ絶縁層を絶縁体とし
て用いないため、ＰＴＦＥの結晶化度が低下せず、高周
波においても誘電損失を小さくすることができると共
に、伝送特性を大幅に改善することができる。
て用いないため、ＰＴＦＥの結晶化度が低下せず、高周
波においても誘電損失を小さくすることができると共
に、伝送特性を大幅に改善することができる。
【００３３】（２） 未焼結ＰＴＦＥ絶縁層の外周に未
焼結ＰＴＦＥテープ絶縁層を形成しているため、従来の
同軸ケーブルと同程度に機械的強度を保持することがで
きる。
焼結ＰＴＦＥテープ絶縁層を形成しているため、従来の
同軸ケーブルと同程度に機械的強度を保持することがで
きる。
【図１】本発明の低損失同軸ケーブルの横断面図であ
る。
る。
１ 低損失同軸ケーブル ２ 中心導体 ３ 未焼結ＰＴＦＥ絶縁層（未焼結テトラフルオロエチ
レン重合体樹脂層） ４ 未焼結ＰＴＦＥテープ絶縁層（未焼結テトラフルオ
ロエチレン重合体樹脂テープ） ５ 外部導体 ６ ジャケット ７ 絶縁層（絶縁体）
レン重合体樹脂層） ４ 未焼結ＰＴＦＥテープ絶縁層（未焼結テトラフルオ
ロエチレン重合体樹脂テープ） ５ 外部導体 ６ ジャケット ７ 絶縁層（絶縁体）
Claims (2)
- 【請求項１】 中心導体の外周に、絶縁体、外部導体、
およびジャケットを、順次、被覆してなる同軸ケーブル
において、上記絶縁体が中心導体の外周に押出し成形で
形成した未焼結テトラフルオロエチレン重合体樹脂層の
外周に、未焼結テトラフルオロエチレン重合体樹脂テー
プを巻き付け形成してなることを特徴とする低損失同軸
ケーブル。 - 【請求項２】 上記未焼結テトラフルオロエチレン重合
体樹脂テープを、横巻き又は縦添えで巻き付け形成する
請求項１記載の低損失同軸ケーブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13194896A JPH09320362A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 低損失同軸ケーブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13194896A JPH09320362A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 低損失同軸ケーブル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320362A true JPH09320362A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15069960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13194896A Pending JPH09320362A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 低損失同軸ケーブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09320362A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001357730A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Daikin Ind Ltd | 高周波信号伝送用製品およびその製法 |
| WO2007077948A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Junkosha Inc. | 同軸ケーブル |
| JP2011058915A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 同軸プローブピン、同軸ケーブルおよびその製造方法 |
| JP2019061957A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | 日星電気株式会社 | 同軸ケーブル |
-
1996
- 1996-05-27 JP JP13194896A patent/JPH09320362A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001357730A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Daikin Ind Ltd | 高周波信号伝送用製品およびその製法 |
| JP4626014B2 (ja) * | 2000-06-15 | 2011-02-02 | ダイキン工業株式会社 | 高周波信号伝送用製品およびその製法 |
| WO2007077948A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Junkosha Inc. | 同軸ケーブル |
| JP2007179985A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Junkosha Co Ltd | 同軸ケーブル |
| JP2011058915A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 同軸プローブピン、同軸ケーブルおよびその製造方法 |
| JP2019061957A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | 日星電気株式会社 | 同軸ケーブル |
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