JPH0931685A - 電解メッキ方法 - Google Patents

電解メッキ方法

Info

Publication number
JPH0931685A
JPH0931685A JP17635295A JP17635295A JPH0931685A JP H0931685 A JPH0931685 A JP H0931685A JP 17635295 A JP17635295 A JP 17635295A JP 17635295 A JP17635295 A JP 17635295A JP H0931685 A JPH0931685 A JP H0931685A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
plated
electrodes
electrode
cathode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17635295A
Other languages
English (en)
Inventor
Harufumi Bandai
治文 萬代
Kimihide Sugo
公英 須郷
Toshiro Adachi
登志郎 足立
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP17635295A priority Critical patent/JPH0931685A/ja
Publication of JPH0931685A publication Critical patent/JPH0931685A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 メッキ膜の厚みバラツキを防止して、メッキ
時間の短縮を可能にするとともに、電子部品にめっきを
を施す場合の電子部品素体の機械的強度の低下や電気特
性の劣化を防止する。 【解決手段】 被メッキ物10上の電極2間および電極
2と直流電源の陰極(−)との接続部にメッキレジスト
3を塗布し、前記メッキレジスト3上に導電ペースト4
を塗布し電極2間および電極2と直流電源の陰極(−)
の間を導通させる。そして、被メッキ物10および直流
電源の陽極(+)に接続されたメッキ金属の板を、メッ
キ液7に浸漬し、直流電源の陰極(−)と陽極(+)間
を通電することにより、被メッキ物10上の電極2の表
面にメッキ膜が形成される。メッキ処理後、被メッキ物
10上のメッキレジスト3および導電ペースト4は、メ
ッキレジスト剥離液に被メッキ物10を浸漬して剥離さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、メッキ方法に関
し、特に、電子部品などの被メッキ物をメッキ液に浸漬
し、通電しながら被メッキ物にメッキ被膜を析出させる
電解メッキ方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子部品などの被メッキ物にメッキを行
う際に用いられるメッキ方法の一つにバレルメッキ方法
がある。
【0003】このバレルメッキ方法は、少なくとも一部
がメッキ液を通過させる材料から構成され、内部に陰極
電極が挿入されたバレル内に、多数の被メッキ物を入れ
た後、バレルをメッキ槽内のメッキ液中に浸漬し、陰極
電極と陽極電極の間に通電しつつバレルを回転させるこ
とによりメッキを行う方法である。
【0004】そして、上記バレルメッキ方法において
は、通常、被メッキ物が小さく、そのままでは被メッキ
物のメッキを行う部分と陰極電極を効率よく接触させる
ことが困難であるために、被メッキ物と陰極電極を効率
よく導通させるための通電媒体(例えば、スチールボー
ルなど)をバレルに入れて、被メッキ物と陰極電極とを
通電媒体を介して確実に導通させるようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のメ
ッキ方法においては、通電媒体と被メッキ物の間に、形
状や比重の差があるため、バレル内で被メッキ物と通電
媒体が均一に混合されにくく、被メッキ物への通電量が
不均一になり、メッキ膜の厚みにバラツキが生じる。ま
た、前記メッキ膜の厚みのバラツキを考慮して、製品と
して必要なメッキ膜厚を確保しようとすると、メッキ時
間が長くなり、生産効率が低下する。そして、メッキ時
間が長くなると、被メッキ物がセラミック電子部品の場
合、メッキ液中で、セラミック素体の侵食や溶解が生
じ、機械的強度の低下や電気的特性の劣化を招く。
【0006】したがって、本発明の主たる目的は、メッ
キ膜の厚みを均一にして、メッキ時間を短縮することが
可能で、セラミック電子部品にメッキを施す場合にも、
メッキ液によるセラミック素体の侵食や溶解の発生を抑
制して、セラミック素体の機械的強度の低下や電気的特
性の劣化を防止することが可能なメッキ方法を提供する
ことを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明においては、陰極と導通されている被メッキ物
および陽極と導通されているメッキ金属体をメッキ液中
に浸漬し、陰極と陽極の間に通電することにより、前記
被メッキ物に所定のメッキ膜を析出させるようにした電
解メッキ方法において、前記被メッキ物中の電極間にメ
ッキレジストを塗布し、該メッキレジスト上に導電ペー
ストを塗布して被メッキ物中の電極を導通させ、前記電
極表面にメッキ処理を行うとともに、前記メッキレジス
トおよび前記導電ペーストを被メッキ物上から剥離した
ことを特徴としている。
【0008】さらに、陰極と導通されている被メッキ物
および陽極と導通されているメッキ金属体をメッキ液中
に浸漬し、陰極と陽極の間に通電することにより、前記
被メッキ物に所定のメッキ膜を析出させるようにした電
解メッキ方法において、前記被メッキ物中の電極から引
き出し電極を設け、該引き出し電極間にメッキレジスト
を塗布し、該メッキレジスト上に導電ペーストを塗布し
て前記引き出し電極間を導通させ、前記電極表面にメッ
キ処理を行うとともに、前記メッキレジストおよび前記
導電ペーストを被メッキ物上から剥離したことを特徴と
している。
【0009】これにより、被メッキ物の電極に安定して
通電されるため、各電極でのメッキ膜の厚みを均一にす
ることができるようになる。したがって、従来のメッキ
方法のように、メッキ膜の厚みのバラツキを考慮してメ
ッキ時間に余裕を見ることが不要となる結果、メッキ時
間を短縮することが可能になる。
【0010】また、被メッキ物の電極から引き出し電極
を設けメッキを行うものにおいては、導電ペーストが電
極に塗布されることなくメッキが施されるため、電極強
度が向上する。
【0011】さらに、被メッキ物上の電極間に設けられ
た導電ペーストは、メッキレジストの剥離と同時に剥離
されるので、電極表面のみに所望のメッキ膜が形成さ
れ、電気的に優れた被メッキ物が得られる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電解メッキ方法に
ついて、その実施の形態を図面および表を用いて説明す
る。
【0013】まず、本発明の電解メッキ方法の一実施例
の工程を説明する。図1において、10は基板1と基板
1上に形成された複数の電極2からなる被メッキ物であ
る。そして、電極2間および直流電源の陰極(−)と電
極2の接続部に、メッキレジスト3を形成する。そし
て、メッキレジスト3上に導電ペースト4をスクリーン
印刷などの方法で塗布し、被メッキ物10と直流電源の
陰極(−)とを導通させる。なお、導電ペースト4は、
本実施例では、Ag粉末とビヒクルとしてのアクリル樹
脂の混合物を用いている。
【0014】続いて、メッキ液7として、メッキ金属で
あるNiを含むメッキ液を用い、直流電源の陰極(−)
と導通されている被メッキ物10をメッキ液7に浸漬
し、直流電源の陽極(+)にはメッキ金属であるNi板
8を接続し、Ni板8をメッキ液7に浸漬する。この状
態で、直流電源の陰極(−)と陽極(+)の間に通電す
ることにより電極2の表面にNiメッキ膜が形成され
る。
【0015】Niメッキが終了した後、メッキレジスト
剥離液に被メッキ物10を浸漬することにより、被メッ
キ物10上の導電ペースト4は、導電ペースト4の下層
にあるメッキレジスト3が剥離されるため同時に剥離さ
れる。本実施例では、メッキレジスト剥離液としてN−
メチル−2−ピロリドンを用いるが、浸漬のみで完全に
電解メッキ用導電ペーストが剥離されない場合は、浸漬
液中に超音波を施し剥離させる。以上の工程で、電極2
の表面にメッキ膜が形成された被メッキ物10が得られ
る。
【0016】次に、本発明の他の実施例の電解メッキ方
法の工程を説明する。図2に示すように、被メッキ物1
0は基板1と基板1上に形成された複数の電極2からな
る。この電極2には引き出し電極13が形成される。引
き出し電極13は電極2と同時形成、または、電極2の
形成後のいずれでも構わない。そして、引き出し電極1
3間、および、直流電源の陰極(−)と引き出し電極1
3の接続部に、メッキレジスト3を形成する。そして、
メッキレジスト3上に導電ペースト4をスクリーン印刷
などの方法で塗布し、被メッキ物10と直流電源の陰極
(−)とを導通させる。
【0017】続いて、メッキ液7として、メッキ金属で
あるNiを含むメッキ液を用い、直流電源の陰極(−)
と導通されている被メッキ物10をメッキ液7に浸漬
し、直流電源の陽極(+)にはメッキ金属であるNi板
8を接続し、Ni板8をメッキ液7に浸漬する。この状
態で、直流電源の陰極(−)と陽極(+)の間に通電す
ることにより電極2の表面にNiメッキ膜が形成され
る。この時点で、引き出し電極13上にもNiメッキ膜
が形成されている。
【0018】Niメッキが終了した後、メッキレジスト
剥離液に被メッキ物10を浸漬することにより、被メッ
キ物10上の導電ペースト4は、導電ペースト4の下層
にあるメッキレジスト3が剥離されるため同時に剥離さ
れる。本実施例においても、メッキレジスト剥離液とし
てN−メチル−2−ピロリドンを用いるが、メッキレジ
スト剥離液への浸漬のみで完全に導電ペースト4が剥離
されない場合は、浸漬液中に超音波を施し剥離させる。
そして、商品として不要な引き出し電極13上には、ス
クリーン印刷などの方法でオーバーコートが施され、以
上の工程で電極2の表面にNiメッキ膜が施された被メ
ッキ物10が得られる。
【0019】次に、得られた被メッキ物10ついて、各
電極2のNiメッキ膜の厚みを確認した。その結果を表
1に示す。また、比較のため、従来例のバレルメッキ方
法で得られたNiメッキ膜の厚みの結果を表1に併せて
示す。なお、形成されたNiメッキ膜の厚みは蛍光X線
法により測定した。(試料数n=15)
【0020】
【表1】
【0021】Niメッキ膜の厚みのバラツキ(最大値−
最小値)は、表1に示すように、従来例の方法によりメ
ッキを行った場合は1.85μmであるのに対して、本
発明の一実施例の方法によりメッキを行った場合は0.
38μm,本発明の他の実施例の方法によりメッキを行
った場合は0.37μmになっており、メッキ膜の厚み
バラツキが1/4以下になっていることがわかる。これ
は、本発明のメッキ方法において、被メッキ物への通電
量が均一になることによるものである。
【0022】また、得られた被メッキ物10の電極強度
(平均値)について、本発明の一実施例の方法および他
の実施例の方法について確認した。なお、電極強度は引
っ張り試験方法により測定した。本発明の一実施例の方
法によりメッキを行った場合、電極強度は1.2kg/
2mm□,本発明の他の実施例の方法によりメッキを行
った場合、電極強度は2.1kg/2mm□になってお
り、本発明の他の実施例の方法において電極強度が更に
大きくなっていることが確認された。
【0023】なお、上記実施例では、基板上に形成され
た電極表面上にメッキを施す場合を例にとって説明した
が、本発明を適用することが可能な被メッキ物は、種々
の電子部品、さらには、電子部品以外の種々部品や製品
等にメッキを施す場合に適用することが可能である。
【0024】本発明は、さらにその他の点においても上
記実施例に限定されるものではなく、導電ペーストの種
類、メッキすべき金属の種類等特に限定されるものでは
ない。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電解メッ
キ方法においては、被メッキ物上の電極間に形成したメ
ッキレジスト上に、導電ペーストを塗布することによ
り、被メッキ物の電極に安定して通電されるため、各電
極でのメッキ膜の厚みを均一にすることができるように
なる。したがって、従来のメッキ方法のように、メッキ
膜の厚みのバラツキを考慮してメッキ時間に余裕を見る
ことが不要となる結果、メッキ時間を短縮することが可
能になる。
【0026】また、被メッキ物の電極から引き出し電極
を設けメッキを行うものにおいては、導電ペーストが電
極に塗布されることなくメッキが施されるため、電極強
度が向上する。
【0027】さらに、被メッキ物上の電極間に設けられ
た導電ペーストは、メッキレジストの剥離と同時に剥離
されるので、電極表面のみに所望のメッキ膜が形成さ
れ、電気的に優れた被メッキ物が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による電解メッキ方法を示
す、(a)は被メッキ物の平面図であり、(b)はA−
A線断面図であり、(c)はメッキ処理説明図である。
【図2】本発明の他の実施例による電解メッキ方法を示
す、(a)は被メッキ物の平面図であり、(b)はB−
B線断面図であり、(c)はメッキ処理説明図である。
【符号の説明】
2 電極 3 メッキレジスト 4 導電ペースト 7 メッキ液 10 被メッキ物 13 引き出し電極

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 陰極と導通されている被メッキ物および
    陽極と導通されているメッキ金属体をメッキ液中に浸漬
    し、陰極と陽極の間に通電することにより、前記被メッ
    キ物に所定のメッキ膜を析出させるようにした電解メッ
    キ方法において、前記被メッキ物中の電極間にメッキレ
    ジストを塗布し、該メッキレジスト上に導電ペーストを
    塗布して被メッキ物中の電極を導通させ、前記電極表面
    にメッキ処理を行うとともに、前記メッキレジストおよ
    び前記導電ペーストを被メッキ物上から剥離したことを
    特徴とする電解メッキ方法。
  2. 【請求項2】 陰極と導通されている被メッキ物および
    陽極と導通されているメッキ金属体をメッキ液中に浸漬
    し、陰極と陽極の間に通電することにより、前記被メッ
    キ物に所定のメッキ膜を析出させるようにした電解メッ
    キ方法において、前記被メッキ物中の電極から引き出し
    電極を設け、該引き出し電極間にメッキレジストを塗布
    し、該メッキレジスト上に導電ペーストを塗布して前記
    引き出し電極間を導通させ、前記電極表面にメッキ処理
    を行うとともに、前記メッキレジストおよび前記導電ペ
    ーストを被メッキ物上から剥離したことを特徴とする電
    解メッキ方法。
JP17635295A 1995-07-12 1995-07-12 電解メッキ方法 Pending JPH0931685A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17635295A JPH0931685A (ja) 1995-07-12 1995-07-12 電解メッキ方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17635295A JPH0931685A (ja) 1995-07-12 1995-07-12 電解メッキ方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0931685A true JPH0931685A (ja) 1997-02-04

Family

ID=16012110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17635295A Pending JPH0931685A (ja) 1995-07-12 1995-07-12 電解メッキ方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0931685A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5227041A (en) Dry contact electroplating apparatus
US3099608A (en) Method of electroplating on a dielectric base
US6210555B1 (en) Electrodeposition of metals in small recesses for manufacture of high density interconnects using reverse pulse plating
US4551210A (en) Dendritic treatment of metallic surfaces for improving adhesive bonding
US3729389A (en) Method of electroplating discrete conductive regions
US6077405A (en) Method and apparatus for making electrical contact to a substrate during electroplating
KR20180017984A (ko) 금속박 제조 방법, 금속박 제조 장치 및 금속박
JPH0931685A (ja) 電解メッキ方法
JP3416620B2 (ja) 電解銅箔製造装置及び電解銅箔製造方法
JP2013155433A (ja) 電気めっき方法およびめっき装置
JPH07258897A (ja) 不溶性電極及びその製造方法
US4882233A (en) Selectively deposited electrodes onto a substrate
JP2006038641A (ja) コンタクトプローブ
JPH02243800A (ja) リード端子の製造方法
JP2000178793A (ja) 金属ポリイミド基板の製造方法
JPH07173690A (ja) メッキ方法
JPS62188798A (ja) メツキ用コンタクトピン
JPH0931684A (ja) 電解メッキ用導電ペーストおよびそれを用いた電解メッキ方法
JPH02148882A (ja) 回路基板のメッキ方法
JP6004461B2 (ja) 電気めっき方法およびめっき装置
JPH06232533A (ja) プリント配線板の製造方法
KR100748790B1 (ko) 도금 장치 및 방법
JP2000256899A (ja) 電子部品のバレルめっき方法
JP5377478B2 (ja) 半導体素子のためのコンタクト構造
JP5377478B6 (ja) 半導体素子のためのコンタクト構造