JPH09316504A - Ａｌ超微粒子 - Google Patents
Ａｌ超微粒子Info
- Publication number
- JPH09316504A JPH09316504A JP8131681A JP13168196A JPH09316504A JP H09316504 A JPH09316504 A JP H09316504A JP 8131681 A JP8131681 A JP 8131681A JP 13168196 A JP13168196 A JP 13168196A JP H09316504 A JPH09316504 A JP H09316504A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- metastable
- grains
- pentagonal
- decahedron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/30—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with decomposition of metal compounds, e.g. by pyrolysis
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/002—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｌ超微粒子を粒子単体として得ることを可
能にすると共に、その結晶方位や結晶面を容易に制御す
ることを可能にする。 【解決手段】 Ａｌ多重双晶粒子からなるＡｌ超微粒子
であって、このＡｌ多重双晶粒子は {111}面で囲まれた
Ａｌ多重双晶五角十面体粒子４ａである。Ａｌ多重双晶
五角十面体粒子４ａは10〜30nmの範囲の粒径を有してい
る。
能にすると共に、その結晶方位や結晶面を容易に制御す
ることを可能にする。 【解決手段】 Ａｌ多重双晶粒子からなるＡｌ超微粒子
であって、このＡｌ多重双晶粒子は {111}面で囲まれた
Ａｌ多重双晶五角十面体粒子４ａである。Ａｌ多重双晶
五角十面体粒子４ａは10〜30nmの範囲の粒径を有してい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多重双晶粒子から
なるＡｌ超微粒子に関する。
なるＡｌ超微粒子に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属粒子には、その粒径が 100nm以下と
いうように超微粒子化すると、通常の粒子（例えば 1μ
m 以上）とは異なる特性が出現する。これは、全原子数
に対して表面に存在する原子数が増加する、すなわち比
表面積が増大するために、粒子の特性に対して表面エネ
ルギー等の表面の性質の影響を無視できなくなるためで
ある。
いうように超微粒子化すると、通常の粒子（例えば 1μ
m 以上）とは異なる特性が出現する。これは、全原子数
に対して表面に存在する原子数が増加する、すなわち比
表面積が増大するために、粒子の特性に対して表面エネ
ルギー等の表面の性質の影響を無視できなくなるためで
ある。
【０００３】このように、超微粒子ではバルクに比べて
融点や焼結温度の低下が起こる等、バルク材とは異なる
特性を示したり、さらには超微粒子間にトンネル効果が
生じたり、量子力学的効果（量子井戸、ミニバンド
等）、高い触媒特性等が発現する可能性がある。また、
超微粒子は新しい表面現象の発見やその概略の掌握等に
適している。これらを利用することによって、材料の特
性改善、各種デバイスや触媒等の機能材料への応用等が
可能であることから、超微粒子自体の物性等に関する研
究や超微粒子の応用に関する研究等が進められている。
融点や焼結温度の低下が起こる等、バルク材とは異なる
特性を示したり、さらには超微粒子間にトンネル効果が
生じたり、量子力学的効果（量子井戸、ミニバンド
等）、高い触媒特性等が発現する可能性がある。また、
超微粒子は新しい表面現象の発見やその概略の掌握等に
適している。これらを利用することによって、材料の特
性改善、各種デバイスや触媒等の機能材料への応用等が
可能であることから、超微粒子自体の物性等に関する研
究や超微粒子の応用に関する研究等が進められている。
【０００４】上述したような超微粒子は、従来、例えば
以下に示すような物理的方法や化学的方法で作製されて
いる。すなわち、物理的な超微粒子の製造方法として
は、不活性ガス中で金属等を蒸発させ、ガスとの衝突に
より冷却・凝縮させて超微粒子を生成するガス中蒸発
法、蒸発源としてスパッタ現象を利用するスパッタリン
グ法、真空下で金属を加熱し、蒸発した金属原子を有機
溶剤と共に有機溶剤の凝固点以下に冷却した基板上に共
蒸着させて超微粒子を得る金属蒸気合成法、オイル上に
金属を蒸着させる流動油上真空蒸発法等が例示される。
以下に示すような物理的方法や化学的方法で作製されて
いる。すなわち、物理的な超微粒子の製造方法として
は、不活性ガス中で金属等を蒸発させ、ガスとの衝突に
より冷却・凝縮させて超微粒子を生成するガス中蒸発
法、蒸発源としてスパッタ現象を利用するスパッタリン
グ法、真空下で金属を加熱し、蒸発した金属原子を有機
溶剤と共に有機溶剤の凝固点以下に冷却した基板上に共
蒸着させて超微粒子を得る金属蒸気合成法、オイル上に
金属を蒸着させる流動油上真空蒸発法等が例示される。
【０００５】また、液相を利用した化学的な超微粒子の
製造方法としては、高分子界面活性剤を共存させたアル
コール中で貴金属塩を還流条件下で還元するコロイド
法、金属アルコキシドの加水分解を利用するアルコキシ
ド法、金属塩の混合液に沈殿剤を加えて沈殿粒子を得る
共沈法等が、さらに気相を利用した化学的な超微粒子の
製造方法としては、金属カルボニル化合物等の熱分解反
応により金属超微粒子を得る有機金属化合物の熱分解
法、金属塩化物を反応ガス気流中で還元・酸化または窒
化して超微粒子を得る金属塩化物の還元・酸化・窒化
法、酸化物・含水化物を水素気流中で加熱して還元する
水素中還元法、金属塩溶液をノズルより噴霧し熱風乾燥
させる溶媒蒸発法等が例示される。
製造方法としては、高分子界面活性剤を共存させたアル
コール中で貴金属塩を還流条件下で還元するコロイド
法、金属アルコキシドの加水分解を利用するアルコキシ
ド法、金属塩の混合液に沈殿剤を加えて沈殿粒子を得る
共沈法等が、さらに気相を利用した化学的な超微粒子の
製造方法としては、金属カルボニル化合物等の熱分解反
応により金属超微粒子を得る有機金属化合物の熱分解
法、金属塩化物を反応ガス気流中で還元・酸化または窒
化して超微粒子を得る金属塩化物の還元・酸化・窒化
法、酸化物・含水化物を水素気流中で加熱して還元する
水素中還元法、金属塩溶液をノズルより噴霧し熱風乾燥
させる溶媒蒸発法等が例示される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の超微
粒子に対する研究や開発は、主として超微粒子の集合体
に関するものであり、超微粒子単体としての性質や応用
に関する研究は十分に行われているとは言えない。これ
は、上述した従来の超微粒子の製造方法にも起因してお
り、従来の製造方法では超微粒子を粒子単体として得る
ことが困難であったためである。
粒子に対する研究や開発は、主として超微粒子の集合体
に関するものであり、超微粒子単体としての性質や応用
に関する研究は十分に行われているとは言えない。これ
は、上述した従来の超微粒子の製造方法にも起因してお
り、従来の製造方法では超微粒子を粒子単体として得る
ことが困難であったためである。
【０００７】例えば、Ａｌ超微粒子を触媒等の各種機能
材料やデバイス等に応用することが検討されている。こ
のような応用展開にあたって、Ａｌ超微粒子の特性制御
等を行う上で、結晶方位や結晶面等の制御性を高めるこ
とが望まれる。しかし、従来の製造方法ではＡｌ超微粒
子を粒子単体として得ること自体が難しく、またＡｌ超
微粒子を粒子単体として得ることができても、その結晶
方位や結晶面を容易に制御することはできない。これが
Ａｌ超微粒子の応用展開を妨げている。
材料やデバイス等に応用することが検討されている。こ
のような応用展開にあたって、Ａｌ超微粒子の特性制御
等を行う上で、結晶方位や結晶面等の制御性を高めるこ
とが望まれる。しかし、従来の製造方法ではＡｌ超微粒
子を粒子単体として得ること自体が難しく、またＡｌ超
微粒子を粒子単体として得ることができても、その結晶
方位や結晶面を容易に制御することはできない。これが
Ａｌ超微粒子の応用展開を妨げている。
【０００８】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、超微粒子単体として得ることがで
き、かつ結晶方位等を容易に制御することが可能であ
り、各種操作、制御、応用展開等を可能したＡｌ超微粒
子を提供することを目的としている。
になされたもので、超微粒子単体として得ることがで
き、かつ結晶方位等を容易に制御することが可能であ
り、各種操作、制御、応用展開等を可能したＡｌ超微粒
子を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のＡｌ超微粒子
は、Ａｌ多重双晶粒子からなるＡｌ超微粒子であって、
Ａｌ多重双晶粒子は {111}面で囲まれたＡｌ多重双晶五
角十面体粒子であり、かつ粒径が10〜30nmの範囲である
ことを特徴としている。
は、Ａｌ多重双晶粒子からなるＡｌ超微粒子であって、
Ａｌ多重双晶粒子は {111}面で囲まれたＡｌ多重双晶五
角十面体粒子であり、かつ粒径が10〜30nmの範囲である
ことを特徴としている。
【００１０】すなわち本発明は、例えば非晶質炭素膜上
に配置された準安定Ａｌ酸化物粒子に真空雰囲気中で電
子線を照射して、Ａｌ酸化物の構成金属であるＡｌの超
微粒子を生成する際に、電子線の照射条件等を制御する
ことによって、おおよそＡｌ超微粒子の生成距離（準安
定Ａｌ酸化物粒子からの距離）に応じて、 {111}面で囲
まれたＡｌ多重双晶五角十面体粒子が得られることを見
出したことに基いて成されたものである。このＡｌ多重
双晶五角十面体粒子からなる本発明のＡｌ超微粒子は、
五角十面体の各稜部に大きな歪を有しており、またこの
大きな歪が生じている各双晶面は化学的に非常に活性で
ある。これらによって、印加磁場方向に対して五角十面
体の頂点方向が平行となるように配向するという磁場配
向性を有しており、さらに例えばＡｌ超微粒子を触媒等
に応用するにあたって活性を高めることができるという
ような利点を有する。
に配置された準安定Ａｌ酸化物粒子に真空雰囲気中で電
子線を照射して、Ａｌ酸化物の構成金属であるＡｌの超
微粒子を生成する際に、電子線の照射条件等を制御する
ことによって、おおよそＡｌ超微粒子の生成距離（準安
定Ａｌ酸化物粒子からの距離）に応じて、 {111}面で囲
まれたＡｌ多重双晶五角十面体粒子が得られることを見
出したことに基いて成されたものである。このＡｌ多重
双晶五角十面体粒子からなる本発明のＡｌ超微粒子は、
五角十面体の各稜部に大きな歪を有しており、またこの
大きな歪が生じている各双晶面は化学的に非常に活性で
ある。これらによって、印加磁場方向に対して五角十面
体の頂点方向が平行となるように配向するという磁場配
向性を有しており、さらに例えばＡｌ超微粒子を触媒等
に応用するにあたって活性を高めることができるという
ような利点を有する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。
態について説明する。
【００１２】図１は、本発明のＡｌ超微粒子の作製過程
の一実施形態を示す模式図である。同図において、１は
非晶質炭素膜であり、この非晶質炭素としては例えばi-
カーボン等が用いられる。このような非晶質炭素膜１上
に、図１（ａ）に示すように、準安定Ａｌ酸化物粒子２
を配置する。
の一実施形態を示す模式図である。同図において、１は
非晶質炭素膜であり、この非晶質炭素としては例えばi-
カーボン等が用いられる。このような非晶質炭素膜１上
に、図１（ａ）に示すように、準安定Ａｌ酸化物粒子２
を配置する。
【００１３】上記した準安定Ａｌ酸化物粒子２として
は、Ａｌ2 Ｏ3 の準安定相である例えばθ−Ａｌ2 Ｏ3
粒子が挙げられ、その粒径は特に限定されるものではな
いが、例えば90〜 200nm程度の粒径を有するものが用い
られる。このような準安定相のθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子等か
らなる準安定Ａｌ酸化物粒子２に対して、非晶質炭素膜
１上に配置した状態で電子線３を照射する。
は、Ａｌ2 Ｏ3 の準安定相である例えばθ−Ａｌ2 Ｏ3
粒子が挙げられ、その粒径は特に限定されるものではな
いが、例えば90〜 200nm程度の粒径を有するものが用い
られる。このような準安定相のθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子等か
らなる準安定Ａｌ酸化物粒子２に対して、非晶質炭素膜
１上に配置した状態で電子線３を照射する。
【００１４】準安定Ａｌ酸化物粒子２に照射する電子線
３の強度は、 1.0×1019〜 1.0×1021e/cm2 ・sec の範
囲とすることが好ましい。また、電子線３の照射は真空
雰囲気中で行うものとし、具体的には 1×10-5Pa以下の
真空雰囲気中で電子線３を照射することが好ましい。
３の強度は、 1.0×1019〜 1.0×1021e/cm2 ・sec の範
囲とすることが好ましい。また、電子線３の照射は真空
雰囲気中で行うものとし、具体的には 1×10-5Pa以下の
真空雰囲気中で電子線３を照射することが好ましい。
【００１５】上記したような電子線３を準安定Ａｌ酸化
物粒子２に照射すると、準安定Ａｌ酸化物粒子２が活性
化され、図２に示すように、その構成元素であるＡｌお
よびＯが周囲に飛散する。この際、電子線３照射時の雰
囲気が真空雰囲気であることに加えて、準安定Ａｌ酸化
物粒子２が還元作用を有する非晶質炭素膜１上に配置さ
れていることから、準安定Ａｌ酸化物粒子２から飛散し
た酸素は還元されて、準安定Ａｌ酸化物粒子２の構成金
属元素であるＡｌのみがクラスターとして周囲の非晶質
炭素膜１上に付着し、図１（ｂ）に示すように、準安定
Ａｌ酸化物粒子２の周囲にＡｌ超微粒子４が生成する。
なおこの際に、Ａｌ2 Ｏ3 の安定相であるα−Ａｌ2 Ｏ
3 粒子５等も一部生成する。
物粒子２に照射すると、準安定Ａｌ酸化物粒子２が活性
化され、図２に示すように、その構成元素であるＡｌお
よびＯが周囲に飛散する。この際、電子線３照射時の雰
囲気が真空雰囲気であることに加えて、準安定Ａｌ酸化
物粒子２が還元作用を有する非晶質炭素膜１上に配置さ
れていることから、準安定Ａｌ酸化物粒子２から飛散し
た酸素は還元されて、準安定Ａｌ酸化物粒子２の構成金
属元素であるＡｌのみがクラスターとして周囲の非晶質
炭素膜１上に付着し、図１（ｂ）に示すように、準安定
Ａｌ酸化物粒子２の周囲にＡｌ超微粒子４が生成する。
なおこの際に、Ａｌ2 Ｏ3 の安定相であるα−Ａｌ2 Ｏ
3 粒子５等も一部生成する。
【００１６】ここで、得られるＡｌ超微粒子４の粒径
は、照射する電子線３の強度等によって異なるものの、
おおよそ 2〜50nm程度である。このＡｌ超微粒子４の粒
径は、おおよそ準安定Ａｌ酸化物粒子２からの距離に応
じて、大きな粒径を有するものほど準安定Ａｌ酸化物粒
子２の近傍に生成する。そして、準安定Ａｌ酸化物粒子
２からの距離がある範囲の領域において、図２に示すよ
うな {111}面で囲まれたＡｌ多重双晶五角十面体粒子４
ａが得られる。すなわち、 {111}面で囲まれた 5個の四
面体構造の結晶粒が双晶面Ｔを挟んで結合されたＡｌ多
重双晶五角十面体粒子４ａが得られる。
は、照射する電子線３の強度等によって異なるものの、
おおよそ 2〜50nm程度である。このＡｌ超微粒子４の粒
径は、おおよそ準安定Ａｌ酸化物粒子２からの距離に応
じて、大きな粒径を有するものほど準安定Ａｌ酸化物粒
子２の近傍に生成する。そして、準安定Ａｌ酸化物粒子
２からの距離がある範囲の領域において、図２に示すよ
うな {111}面で囲まれたＡｌ多重双晶五角十面体粒子４
ａが得られる。すなわち、 {111}面で囲まれた 5個の四
面体構造の結晶粒が双晶面Ｔを挟んで結合されたＡｌ多
重双晶五角十面体粒子４ａが得られる。
【００１７】Ａｌ多重双晶五角十面体粒子２ａが得られ
る領域は、照射する電子線３の強度等によって異なり、
例えば 3×1020e/cm2 ・sec 程度の強度を有する電子線
を照射した場合、準安定Ａｌ酸化物粒子２から50nm程度
の領域に生成する。このような特定の領域に生成するＡ
ｌ超微粒子４の粒径は、ほぼ10〜30nmの範囲となり、こ
のような粒径を有するＡｌ超微粒子４がＡｌ多重双晶五
角十面体粒子２ａとなる。すなわち、Ａｌ超微粒子４の
粒径を10〜30nmの範囲に制御することにより、{111}面
で囲まれたＡｌ多重双晶五角十面体粒子４ａが得られ
る。
る領域は、照射する電子線３の強度等によって異なり、
例えば 3×1020e/cm2 ・sec 程度の強度を有する電子線
を照射した場合、準安定Ａｌ酸化物粒子２から50nm程度
の領域に生成する。このような特定の領域に生成するＡ
ｌ超微粒子４の粒径は、ほぼ10〜30nmの範囲となり、こ
のような粒径を有するＡｌ超微粒子４がＡｌ多重双晶五
角十面体粒子２ａとなる。すなわち、Ａｌ超微粒子４の
粒径を10〜30nmの範囲に制御することにより、{111}面
で囲まれたＡｌ多重双晶五角十面体粒子４ａが得られ
る。
【００１８】上述したように、準安定Ａｌ酸化物粒子２
から飛散するＡｌクラスターは酸素を含まず、非常に活
性な状態にあり、このようなＡｌクラスターが特定の粒
径、すなわち上記した10〜30nmの範囲の粒径のＡｌ超微
粒子４となる際に、Ａｌ多重双晶五角十面体粒子４ａが
形成される。Ａｌ超微粒子４の粒径が10nm未満である
と、多重双晶五角十面体粒子を生成し得るようなエネル
ギー状態が得られず、一方30nmを超えると五角十面体粒
子を維持することができなくなって、双晶面を有してい
たとしても楕円状や不定形な粒子なってしまう。このよ
うに、Ａｌ超微粒子４の粒径が10〜30nmの範囲である場
合に、適度なエネルギー状態が得られて、Ａｌ多重双晶
五角十面体粒子４ａを形成するものと考えられる。
から飛散するＡｌクラスターは酸素を含まず、非常に活
性な状態にあり、このようなＡｌクラスターが特定の粒
径、すなわち上記した10〜30nmの範囲の粒径のＡｌ超微
粒子４となる際に、Ａｌ多重双晶五角十面体粒子４ａが
形成される。Ａｌ超微粒子４の粒径が10nm未満である
と、多重双晶五角十面体粒子を生成し得るようなエネル
ギー状態が得られず、一方30nmを超えると五角十面体粒
子を維持することができなくなって、双晶面を有してい
たとしても楕円状や不定形な粒子なってしまう。このよ
うに、Ａｌ超微粒子４の粒径が10〜30nmの範囲である場
合に、適度なエネルギー状態が得られて、Ａｌ多重双晶
五角十面体粒子４ａを形成するものと考えられる。
【００１９】なお、多重双晶五角十面体粒子は、Ａｕや
Ｐｔ等の他の fcc金属において得られているものの、Ａ
ｌは本質的に非常に酸化しやすく、従来の方法では見出
されていなかったものである。また、従来、Ａｌ超微粒
子として報告されている例は、あくまでも酸化物を含む
矩形の粒子にすぎない。
Ｐｔ等の他の fcc金属において得られているものの、Ａ
ｌは本質的に非常に酸化しやすく、従来の方法では見出
されていなかったものである。また、従来、Ａｌ超微粒
子として報告されている例は、あくまでも酸化物を含む
矩形の粒子にすぎない。
【００２０】準安定Ａｌ酸化物粒子２への電子線３の照
射条件についてさらに詳述すると、準安定Ａｌ酸化物粒
子２に照射する電子線３の強度は、上記したように 1.0
×1019〜 1.0×1021e/cm2 ・sec の範囲とすることが好
ましく、電子線３の強度が1.0×1019e/cm2 ・sec 未満
であると、準安定Ａｌ酸化物粒子２からＡｌ超微粒子４
を生成することができたとしても、歪みの大きいＡｌ多
重双晶五角十面体粒子４ａを生成し得るほどに、Ａｌク
ラスターを活性化することができない。言い換えると、
1.0×1019e/cm2 ・sec 以上の強度を有する電子線は、
準安定Ａｌ酸化物粒子２の局所加熱効果と酸素原子のノ
ックオン効果等をもたらすと共に、準安定Ａｌ酸化物粒
子２から供給されるＡｌクラスターを十分に活性化する
ため、目的とするＡｌ多重双晶五角十面体粒子４ａが生
成される。一方、電子線３の強度が 1.0×1021e/cm2 ・
sec を超えると、準安定Ａｌ酸化物粒子２のダメージが
大きくなりすぎて、準安定Ａｌ酸化物粒子２から供給さ
れるＡｌクラスターの制御が困難となり、目的とするＡ
ｌ多重双晶五角十面体粒子４ａを生成することができな
い。照射する電子線３の強度は、 3×1019〜 5×1020e/
cm2 ・sec の範囲であることがより好ましい。
射条件についてさらに詳述すると、準安定Ａｌ酸化物粒
子２に照射する電子線３の強度は、上記したように 1.0
×1019〜 1.0×1021e/cm2 ・sec の範囲とすることが好
ましく、電子線３の強度が1.0×1019e/cm2 ・sec 未満
であると、準安定Ａｌ酸化物粒子２からＡｌ超微粒子４
を生成することができたとしても、歪みの大きいＡｌ多
重双晶五角十面体粒子４ａを生成し得るほどに、Ａｌク
ラスターを活性化することができない。言い換えると、
1.0×1019e/cm2 ・sec 以上の強度を有する電子線は、
準安定Ａｌ酸化物粒子２の局所加熱効果と酸素原子のノ
ックオン効果等をもたらすと共に、準安定Ａｌ酸化物粒
子２から供給されるＡｌクラスターを十分に活性化する
ため、目的とするＡｌ多重双晶五角十面体粒子４ａが生
成される。一方、電子線３の強度が 1.0×1021e/cm2 ・
sec を超えると、準安定Ａｌ酸化物粒子２のダメージが
大きくなりすぎて、準安定Ａｌ酸化物粒子２から供給さ
れるＡｌクラスターの制御が困難となり、目的とするＡ
ｌ多重双晶五角十面体粒子４ａを生成することができな
い。照射する電子線３の強度は、 3×1019〜 5×1020e/
cm2 ・sec の範囲であることがより好ましい。
【００２１】また、準安定Ａｌ酸化物粒子２に電子線３
を照射する際の雰囲気は、 1×10-5Pa以下の真空雰囲気
とすることが好ましく、 1×10-5Paを超える雰囲気中で
は酸素原子を十分に除去することができず、これらによ
り準安定Ａｌ酸化物粒子２から供給されるＡｌクラスタ
ーの酸化が生じて、Ａｌ多重双晶五角十面体粒子４ａを
生成することができない。
を照射する際の雰囲気は、 1×10-5Pa以下の真空雰囲気
とすることが好ましく、 1×10-5Paを超える雰囲気中で
は酸素原子を十分に除去することができず、これらによ
り準安定Ａｌ酸化物粒子２から供給されるＡｌクラスタ
ーの酸化が生じて、Ａｌ多重双晶五角十面体粒子４ａを
生成することができない。
【００２２】上記したＡｌクラスターの還元、すなわち
酸化物を有しない活性なＡｌクラスターの生成は、Ａｌ
多重双晶五角十面体粒子４ａの形成に大きく影響し、活
性なＡｌ原子またはＡｌクラスターでＡｌ超微粒子４を
生成することによって、はじめてＡｌ多重双晶五角十面
体粒子４ａを形成することが可能となる。Ａｌクラスタ
ー等の活性な状態での供給には、準安定Ａｌ酸化物粒子
２を配置する非晶質炭素膜１も影響している。すなわ
ち、真空雰囲気中の非晶質炭素膜１上に配置した準安定
Ａｌ酸化物粒子２に、上記したような強度を有する電子
線を照射し、活性なＡｌクラスター等でＡｌ超微粒子４
を生成することによって、はじめてＡｌ多重双晶五角十
面体粒子４ａを形成することが可能となる。
酸化物を有しない活性なＡｌクラスターの生成は、Ａｌ
多重双晶五角十面体粒子４ａの形成に大きく影響し、活
性なＡｌ原子またはＡｌクラスターでＡｌ超微粒子４を
生成することによって、はじめてＡｌ多重双晶五角十面
体粒子４ａを形成することが可能となる。Ａｌクラスタ
ー等の活性な状態での供給には、準安定Ａｌ酸化物粒子
２を配置する非晶質炭素膜１も影響している。すなわ
ち、真空雰囲気中の非晶質炭素膜１上に配置した準安定
Ａｌ酸化物粒子２に、上記したような強度を有する電子
線を照射し、活性なＡｌクラスター等でＡｌ超微粒子４
を生成することによって、はじめてＡｌ多重双晶五角十
面体粒子４ａを形成することが可能となる。
【００２３】なお、例えば上述したような準安定相であ
るθ−Ａｌ2 Ｏ3 から安定相であるα−Ａｌ2 Ｏ3 への
変態は、通常の条件下では 1400K程度の高温域でしか起
こらない現象であるが、本発明では真空雰囲気中での電
子線照射によって、θ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子からα−Ａｌ2
Ｏ3 超微粒子への変態を含むθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子の活性
化、そしてこのθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子の活性化によるＡｌ
超微粒子の生成を室温ステージ上で実施することができ
る。一般に、制御された加熱条件下で電子線を照射する
ことは困難であるため、室温ステージ上での電子線照射
によりＡｌ超微粒子の生成を可能にすることの意義は大
きい。
るθ−Ａｌ2 Ｏ3 から安定相であるα−Ａｌ2 Ｏ3 への
変態は、通常の条件下では 1400K程度の高温域でしか起
こらない現象であるが、本発明では真空雰囲気中での電
子線照射によって、θ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子からα−Ａｌ2
Ｏ3 超微粒子への変態を含むθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子の活性
化、そしてこのθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子の活性化によるＡｌ
超微粒子の生成を室温ステージ上で実施することができ
る。一般に、制御された加熱条件下で電子線を照射する
ことは困難であるため、室温ステージ上での電子線照射
によりＡｌ超微粒子の生成を可能にすることの意義は大
きい。
【００２４】上記したＡｌ多重双晶五角十面体粒子４ａ
においては、双晶面Ｔに大きな歪が生じており、各双晶
面Ｔを挟んで両側の結晶粒が強制的に結合した状態とな
っている。このような歪によって、Ａｌ多重双晶五角十
面体粒子４ａは磁場を印加した際に、印加磁場方向に対
して五角十面体の頂点方向が平行となるように配向す
る。このように、Ａｌ多重双晶五角十面体粒子４ａは、
結晶方位等を容易に配向制御することができることか
ら、Ａｌ超微粒子を各種デバイスや機能材料等に応用す
るにあたって、Ａｌ超微粒子の特性制御等が可能にな
る。また、大きな歪を有する各双晶面Ｔは、化学的に非
常に活性であることから、例えばＡｌ超微粒子を触媒等
に応用するにあたって活性を高めることができ、さらに
その方向性等を制御することができる。
においては、双晶面Ｔに大きな歪が生じており、各双晶
面Ｔを挟んで両側の結晶粒が強制的に結合した状態とな
っている。このような歪によって、Ａｌ多重双晶五角十
面体粒子４ａは磁場を印加した際に、印加磁場方向に対
して五角十面体の頂点方向が平行となるように配向す
る。このように、Ａｌ多重双晶五角十面体粒子４ａは、
結晶方位等を容易に配向制御することができることか
ら、Ａｌ超微粒子を各種デバイスや機能材料等に応用す
るにあたって、Ａｌ超微粒子の特性制御等が可能にな
る。また、大きな歪を有する各双晶面Ｔは、化学的に非
常に活性であることから、例えばＡｌ超微粒子を触媒等
に応用するにあたって活性を高めることができ、さらに
その方向性等を制御することができる。
【００２５】
【実施例】次に、本発明の具体的な実施例について述べ
る。
る。
【００２６】実施例 まず、準安定Ａｌ酸化物粒子として、粒径が90〜 110nm
程度の球状のθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子（純度=99.8%）を用意
し、これをアルコールに分散させた後、カーボン支持膜
上に塗布、乾燥させた。
程度の球状のθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子（純度=99.8%）を用意
し、これをアルコールに分散させた後、カーボン支持膜
上に塗布、乾燥させた。
【００２７】次に、上記球状のθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子を配
置したカーボン支持膜を、 200kVＴＥＭ装置（日本電子
社製、JEM-2010（商品名））の真空室内に配置された室
温ステージ上にセットした。次いで、上記真空室内を 1
×10-5Pa程度の真空度まで排気した後、カーボン支持膜
上に配置された粒径約 100nmのθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子に、
2.1×1020e/cm2 ・sec の電子線を50秒間照射した。
置したカーボン支持膜を、 200kVＴＥＭ装置（日本電子
社製、JEM-2010（商品名））の真空室内に配置された室
温ステージ上にセットした。次いで、上記真空室内を 1
×10-5Pa程度の真空度まで排気した後、カーボン支持膜
上に配置された粒径約 100nmのθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子に、
2.1×1020e/cm2 ・sec の電子線を50秒間照射した。
【００２８】上記電子線の照射後のθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子
周囲の状態をＴＥＭで観察したところθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒
子の周囲には、粒径 1〜50nm程度の多くのＡｌ超微粒子
が生成していた。また、図４にθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子周囲
のＴＥＭ観察結果を模式的に示す。図４に示したよう
に、θ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子２の比較的近い位置には、五角
十面体構造のＡｌ多重双晶粒子４ａが生成していること
が確認された。
周囲の状態をＴＥＭで観察したところθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒
子の周囲には、粒径 1〜50nm程度の多くのＡｌ超微粒子
が生成していた。また、図４にθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子周囲
のＴＥＭ観察結果を模式的に示す。図４に示したよう
に、θ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子２の比較的近い位置には、五角
十面体構造のＡｌ多重双晶粒子４ａが生成していること
が確認された。
【００２９】図５に、Ａｌ多重双晶粒子４ａ-1のＴＥＭ
写真像を模式的に示す。また、図６にＡｌ多重双晶粒子
４ａ-1の電子線回折パターンを示す。これらから、Ａｌ
多重双晶粒子４ａ-1は、図３に示したように、 {111}面
で囲まれた五角十面体構造を有していることが、すなわ
ち {111}面で囲まれたＡｌ多重双晶五角十面体粒子であ
ることが分かる。他のＡｌ多重双晶粒子４ａ-2、４ａ-3
も同様であった。
写真像を模式的に示す。また、図６にＡｌ多重双晶粒子
４ａ-1の電子線回折パターンを示す。これらから、Ａｌ
多重双晶粒子４ａ-1は、図３に示したように、 {111}面
で囲まれた五角十面体構造を有していることが、すなわ
ち {111}面で囲まれたＡｌ多重双晶五角十面体粒子であ
ることが分かる。他のＡｌ多重双晶粒子４ａ-2、４ａ-3
も同様であった。
【００３０】また、上記した多くのＡｌ超微粒子の粒径
とその構造とを対比して調べたところ、粒径が10nm未満
の場合にはＡｌ超微粒子の形状は略球状で、一方粒径が
30nmを超えると楕円状や不定形となり、粒径が10〜30nm
の範囲である場合にＡｌ超微粒子がＡｌ多重双晶五角十
面体粒子４ａとなることが判明した。粒径が30nmを超え
る場合に多重双晶粒子となっているものもあったが、そ
の形状は楕円状や不定形であり、五角十面体粒子とはな
らなかった。さらに、Ａｌ多重双晶五角十面体粒子４ａ
の形成位置を確認したところ、この実施例の電子線強度
ではθ−Ａｌ2Ｏ3 粒子から50nmの範囲に生成している
ことが判明した。
とその構造とを対比して調べたところ、粒径が10nm未満
の場合にはＡｌ超微粒子の形状は略球状で、一方粒径が
30nmを超えると楕円状や不定形となり、粒径が10〜30nm
の範囲である場合にＡｌ超微粒子がＡｌ多重双晶五角十
面体粒子４ａとなることが判明した。粒径が30nmを超え
る場合に多重双晶粒子となっているものもあったが、そ
の形状は楕円状や不定形であり、五角十面体粒子とはな
らなかった。さらに、Ａｌ多重双晶五角十面体粒子４ａ
の形成位置を確認したところ、この実施例の電子線強度
ではθ−Ａｌ2Ｏ3 粒子から50nmの範囲に生成している
ことが判明した。
【００３１】これらから、Ａｌ多重双晶五角十面体粒子
４ａはＡｌ超微粒子の粒径に応じて生成され、Ａｌ超微
粒子の粒径はθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子への電子線照射強度お
よびそれに応じた生成位置によっておおよそ決定され
る。従って、θ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子に 1.0×1019〜 1.0×
1021e/cm2 ・sec の範囲の電子線を照射すると共に、粒
径が10〜30nmのＡｌ超微粒子を生成することによって、
Ａｌ多重双晶五角十面体粒子４ａが再現性よく得られる
ことが分かる。
４ａはＡｌ超微粒子の粒径に応じて生成され、Ａｌ超微
粒子の粒径はθ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子への電子線照射強度お
よびそれに応じた生成位置によっておおよそ決定され
る。従って、θ−Ａｌ2 Ｏ3 粒子に 1.0×1019〜 1.0×
1021e/cm2 ・sec の範囲の電子線を照射すると共に、粒
径が10〜30nmのＡｌ超微粒子を生成することによって、
Ａｌ多重双晶五角十面体粒子４ａが再現性よく得られる
ことが分かる。
【００３２】上記したＡｌ多重双晶五角十面体粒子４ａ
は、ＴＥＭ観察の結果から五角十面体の頂点が観察面に
対して垂直方向に配向することが確認された。これは、
ＴＥＭ観察時に観察面に対して垂直方向に印加される磁
場によるものと推定される。このように、Ａｌ多重双晶
五角十面体粒子４ａは、印加磁場方向に対して五角十面
体の頂点方向が平行となるように配向する。従って、Ａ
ｌ多重双晶五角十面体粒子４ａは結晶方位や結晶面を容
易に配向制御することができることから、Ａｌ超微粒子
を触媒等の機能材料や各種デバイス等に応用するにあた
って、Ａｌ超微粒子の特性制御等が可能となる。
は、ＴＥＭ観察の結果から五角十面体の頂点が観察面に
対して垂直方向に配向することが確認された。これは、
ＴＥＭ観察時に観察面に対して垂直方向に印加される磁
場によるものと推定される。このように、Ａｌ多重双晶
五角十面体粒子４ａは、印加磁場方向に対して五角十面
体の頂点方向が平行となるように配向する。従って、Ａ
ｌ多重双晶五角十面体粒子４ａは結晶方位や結晶面を容
易に配向制御することができることから、Ａｌ超微粒子
を触媒等の機能材料や各種デバイス等に応用するにあた
って、Ａｌ超微粒子の特性制御等が可能となる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば単
体として結晶方位等を容易に制御することができ、各種
操作や制御等を可能したＡｌ超微粒子を提供することが
可能となる。従って、Ａｌ超微粒子の物性研究や応用開
発等に大きく寄与するものである。
体として結晶方位等を容易に制御することができ、各種
操作や制御等を可能したＡｌ超微粒子を提供することが
可能となる。従って、Ａｌ超微粒子の物性研究や応用開
発等に大きく寄与するものである。
【図１】 本発明のＡｌ超微粒子の作製過程の一実施形
態を模式的に示す図である。
態を模式的に示す図である。
【図２】 準安定Ａｌ酸化物粒子からＡｌ超微粒子が形
成される状態を模式的に示す図である。
成される状態を模式的に示す図である。
【図３】 本発明によるＡｌ多重双晶五角十面体粒子の
構造を模式化して示す図である。
構造を模式化して示す図である。
【図４】 本発明の一実施例によるＡｌ超微粒子の作製
状態をＴＥＭ観察した結果を模式的に示す図である。
状態をＴＥＭ観察した結果を模式的に示す図である。
【図５】 図４に示すＡｌ多重双晶粒子のＴＥＭ観察結
果を模式的に示す図である。
果を模式的に示す図である。
【図６】 図４に示すＡｌ多重双晶粒子の電子線回折結
果を模式的に示す図である。
果を模式的に示す図である。
１……非晶質炭素膜 ２……準安定Ａｌ酸化物粒子 ３……電子線 ４……Ａｌ超微粒子 ４ａ…Ａｌ多重双晶五角十面体粒子
Claims (1)
- 【請求項１】 Ａｌ多重双晶粒子からなるＡｌ超微粒子
であって、前記Ａｌ多重双晶粒子は {111}面で囲まれた
Ａｌ多重双晶五角十面体粒子であり、かつ粒径が10〜30
nmの範囲であることを特徴とするＡｌ超微粒子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8131681A JPH09316504A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | Ａｌ超微粒子 |
| US08/861,821 US6033783A (en) | 1996-05-27 | 1997-05-23 | Ultrafine Al particle and production method thereof |
| EP97303596A EP0810308A3 (en) | 1996-05-27 | 1997-05-27 | An ultrafine a1 particle and production method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8131681A JPH09316504A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | Ａｌ超微粒子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09316504A true JPH09316504A (ja) | 1997-12-09 |
Family
ID=15063739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8131681A Pending JPH09316504A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | Ａｌ超微粒子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6033783A (ja) |
| EP (1) | EP0810308A3 (ja) |
| JP (1) | JPH09316504A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6440562B1 (en) | 1998-03-25 | 2002-08-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Tungsten super fine particle and method for producing the same |
| US8361924B2 (en) | 2010-08-17 | 2013-01-29 | Sony Corporation | Fine particles of core-shell structure and functional device incorporated therewith |
| RU2709069C1 (ru) * | 2019-06-03 | 2019-12-13 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" | Способ электронно-лучевого нанесения упрочняющего покрытия на изделия из полимерных материалов |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6878184B1 (en) | 2002-08-09 | 2005-04-12 | Kovio, Inc. | Nanoparticle synthesis and the formation of inks therefrom |
| US7078276B1 (en) | 2003-01-08 | 2006-07-18 | Kovio, Inc. | Nanoparticles and method for making the same |
| US7078108B2 (en) * | 2004-07-14 | 2006-07-18 | The Regents Of The University Of California | Preparation of high-strength nanometer scale twinned coating and foil |
| CN115216675B (zh) * | 2022-07-28 | 2023-04-18 | 吉林大学 | 一种在铝合金表面制备超细层状孪晶结构的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4214722C2 (de) * | 1992-05-04 | 1994-08-25 | Starck H C Gmbh Co Kg | Feinteilige Metallpulver |
| JP3402821B2 (ja) * | 1995-02-09 | 2003-05-06 | 科学技術振興事業団 | 超微粒子の製造方法と超微粒子配向成長体の製造方法 |
-
1996
- 1996-05-27 JP JP8131681A patent/JPH09316504A/ja active Pending
-
1997
- 1997-05-23 US US08/861,821 patent/US6033783A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-27 EP EP97303596A patent/EP0810308A3/en not_active Ceased
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6440562B1 (en) | 1998-03-25 | 2002-08-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Tungsten super fine particle and method for producing the same |
| US8361924B2 (en) | 2010-08-17 | 2013-01-29 | Sony Corporation | Fine particles of core-shell structure and functional device incorporated therewith |
| RU2709069C1 (ru) * | 2019-06-03 | 2019-12-13 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" | Способ электронно-лучевого нанесения упрочняющего покрытия на изделия из полимерных материалов |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0810308A3 (en) | 1998-05-13 |
| EP0810308A2 (en) | 1997-12-03 |
| US6033783A (en) | 2000-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3402821B2 (ja) | 超微粒子の製造方法と超微粒子配向成長体の製造方法 | |
| US6017630A (en) | Ultrafine particle and production method thereof, production method of ultrafine particle bonded body, and fullerene and production method thereof | |
| JPH09316504A (ja) | Ａｌ超微粒子 | |
| EP0736487B1 (en) | Graphite intercalation compounds and their production | |
| JP3411497B2 (ja) | Ｗ超微粒子とその製造方法、およびｗナノ結晶薄膜 | |
| JP3373357B2 (ja) | 超微粒子およびその製造方法 | |
| JP3678783B2 (ja) | 超微粒子融合体およびその製造方法 | |
| Andalouci et al. | Morphological and magnetic study of plasma assisted solid-state dewetting of ultra-thin cobalt films on conductive titanium silicon nitride supports | |
| JP4292292B2 (ja) | ナノメートル構造体及びその製造方法 | |
| EP3199235B1 (en) | Structure for holding catalyst particles for carbon nanotube production and method for producing same | |
| JP3426083B2 (ja) | 金属超微粒子融合体の製造方法と金属超薄膜の製造方法 | |
| EP0841703A2 (en) | Ultrafine particle structure and production method thereof | |
| JP3696371B2 (ja) | ナノ結晶膜の製造方法 | |
| JP4399589B2 (ja) | ナノ複合構造体及びその製造方法 | |
| JP4916654B2 (ja) | ナノ複合構造体の製造方法 | |
| JPH1099675A (ja) | ヘテロ微粒子融合体およびその製造方法 | |
| JP2005104739A (ja) | ナノボール構造体、ナノ複合構造体及びそれらの製造方法 | |
| JPH11269622A (ja) | Ｎｂ超微粒子とその製造方法 | |
| Thomann et al. | Thermal stability of metal nanoclusters formed by low-pressure plasma sputtering | |
| Tanaka et al. | Electron Beam Control of Alumina Nanostructure and Al Bonding | |
| JP2018027519A (ja) | カーボンナノチューブの成長用の触媒担持体、成長基材、およびカーボンナノチューブの成長方法 | |
| JP2005224883A (ja) | ナノボール構造体及びその製造方法 | |
| JP2000192114A (ja) | 金属超微粒子集合体の製造方法およびそれを適用した金属超微粒子集合体 | |
| JPH06192701A (ja) | 金属超微粒子及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020702 |