JPH09307163A - 半導体レーザ駆動装置 - Google Patents
半導体レーザ駆動装置Info
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- JPH09307163A JPH09307163A JP12153896A JP12153896A JPH09307163A JP H09307163 A JPH09307163 A JP H09307163A JP 12153896 A JP12153896 A JP 12153896A JP 12153896 A JP12153896 A JP 12153896A JP H09307163 A JPH09307163 A JP H09307163A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】この発明は、半導体レーザの発光を高速にスイ
ッチングする場合コストがかかるという課題を解決しよ
うとするものである。 【解決手段】 この発明は、半導体レーザ１に直列に接
続され半導体レーザ１に電流を供給して半導体レーザ１
を所定の光量で発光させる電流源２と、半導体レーザ１
と並列に接続された電圧源４と、この電圧源４に直列に
接続され半導体レーザ１をオン／オフさせるスイッチ回
路３とを有し、このスイッチ回路３のオン／オフに応じ
て電流源２から電圧源４に流す電流をオン／オフするも
のである。
ッチングする場合コストがかかるという課題を解決しよ
うとするものである。 【解決手段】 この発明は、半導体レーザ１に直列に接
続され半導体レーザ１に電流を供給して半導体レーザ１
を所定の光量で発光させる電流源２と、半導体レーザ１
と並列に接続された電圧源４と、この電圧源４に直列に
接続され半導体レーザ１をオン／オフさせるスイッチ回
路３とを有し、このスイッチ回路３のオン／オフに応じ
て電流源２から電圧源４に流す電流をオン／オフするも
のである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ駆動装
置に関する。
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７はレーザダイオードからなる半導体
レーザの電流−光特性（Ｉ−Ｌ特性）を示す。半導体レ
ーザに流れる電流が閾値Ｉｔｈ以下であるときには半導
体レーザが発光せず、半導体レーザに流れる電流がＩｔ
ｈ以上であるときには半導体レーザがその電流に応じた
光量で発光する。図１０は従来の半導体レーザ駆動装置
の一例を示し、図１１はその半導体レーザ駆動装置の動
作特性を示す。
レーザの電流−光特性（Ｉ−Ｌ特性）を示す。半導体レ
ーザに流れる電流が閾値Ｉｔｈ以下であるときには半導
体レーザが発光せず、半導体レーザに流れる電流がＩｔ
ｈ以上であるときには半導体レーザがその電流に応じた
光量で発光する。図１０は従来の半導体レーザ駆動装置
の一例を示し、図１１はその半導体レーザ駆動装置の動
作特性を示す。
【０００３】レーザダイオードからなる半導体レーザ１
の点灯制御は所定の光量が半導体レーザ１から得られる
ような電流を半導体レーザ１に供給することによって行
われる。半導体レーザ１の発光の高速なスイッチングが
必要である場合にはバイアス電流源１５からバイアス電
流を半導体レーザ１にあらかじめ与えておき、スイッチ
ング信号によるスイッチ回路３のオンでそのバイアス電
流と所定の光量が半導体レーザ１から得られるような電
流との差のスイッチング電流をスイッチング電流源１６
から半導体レーザ１に与える。スイッチング電流源１６
からのスイッチング電流量が少なければ、半導体レーザ
１の発光のスイッチングはより速いスイッチングとな
る。
の点灯制御は所定の光量が半導体レーザ１から得られる
ような電流を半導体レーザ１に供給することによって行
われる。半導体レーザ１の発光の高速なスイッチングが
必要である場合にはバイアス電流源１５からバイアス電
流を半導体レーザ１にあらかじめ与えておき、スイッチ
ング信号によるスイッチ回路３のオンでそのバイアス電
流と所定の光量が半導体レーザ１から得られるような電
流との差のスイッチング電流をスイッチング電流源１６
から半導体レーザ１に与える。スイッチング電流源１６
からのスイッチング電流量が少なければ、半導体レーザ
１の発光のスイッチングはより速いスイッチングとな
る。
【０００４】このように半導体レーザ１の発光を高速に
スイッチングする場合には、従来は制御されたバイアス
電流を半導体レーザ１に与えることが行われている。制
御されたバイアス電流を半導体レーザ１に与えるために
は、特開昭６２ー２３７７８６号公報に記載されている
ような制御されたバイアス電流を半導体レーザに供給す
る高価な回路が付加され、この回路で煩雑な処理を行っ
ている。
スイッチングする場合には、従来は制御されたバイアス
電流を半導体レーザ１に与えることが行われている。制
御されたバイアス電流を半導体レーザ１に与えるために
は、特開昭６２ー２３７７８６号公報に記載されている
ような制御されたバイアス電流を半導体レーザに供給す
る高価な回路が付加され、この回路で煩雑な処理を行っ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように半導体レ
ーザ１の発光を高速にスイッチングする場合には、従来
は制御されたバイアス電流を半導体レーザに与えること
が行われ、特開昭６２ー２３７７８６号公報に記載され
ているような制御されたバイアス電流を半導体レーザに
供給する高価な回路が付加されてこの回路で煩雑な処理
を行っているので、コストがかかっていた。本発明は、
半導体レーザの発光を高速にスイッチングすることが可
能で、煩雑な処理を必要とせずに安価にできる半導体レ
ーザ駆動装置を提供することを目的とする。
ーザ１の発光を高速にスイッチングする場合には、従来
は制御されたバイアス電流を半導体レーザに与えること
が行われ、特開昭６２ー２３７７８６号公報に記載され
ているような制御されたバイアス電流を半導体レーザに
供給する高価な回路が付加されてこの回路で煩雑な処理
を行っているので、コストがかかっていた。本発明は、
半導体レーザの発光を高速にスイッチングすることが可
能で、煩雑な処理を必要とせずに安価にできる半導体レ
ーザ駆動装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る発明は、半導体レーザに直列に接続
され該半導体レーザに電流を供給して該半導体レーザを
所定の光量で発光させる電流源と、前記半導体レーザと
並列に接続された電圧源と、この電圧源に直列に接続さ
れ前記半導体レーザをオン／オフさせるスイッチ回路と
を有し、このスイッチ回路のオン／オフに応じて前記電
流源から前記電圧源に流す電流をオン／オフするもので
あり、半導体レーザの発光を高速にスイッチングするこ
とが可能で、煩雑な処理を必要とせずに安価にできる。
め、請求項１に係る発明は、半導体レーザに直列に接続
され該半導体レーザに電流を供給して該半導体レーザを
所定の光量で発光させる電流源と、前記半導体レーザと
並列に接続された電圧源と、この電圧源に直列に接続さ
れ前記半導体レーザをオン／オフさせるスイッチ回路と
を有し、このスイッチ回路のオン／オフに応じて前記電
流源から前記電圧源に流す電流をオン／オフするもので
あり、半導体レーザの発光を高速にスイッチングするこ
とが可能で、煩雑な処理を必要とせずに安価にできる。
【０００７】請求項２に係る発明は、請求項１記載の半
導体レーザ駆動装置において、前記電圧源をツェナーダ
イオードとして該ツェナーダイオードのツェナー電圧を
前記電圧源の電圧としたものであり、半導体レーザの発
光を高速にスイッチングすることが可能で、煩雑な処理
を必要とせずに安価にできる。
導体レーザ駆動装置において、前記電圧源をツェナーダ
イオードとして該ツェナーダイオードのツェナー電圧を
前記電圧源の電圧としたものであり、半導体レーザの発
光を高速にスイッチングすることが可能で、煩雑な処理
を必要とせずに安価にできる。
【０００８】請求項３に係る発明は、請求項１記載の半
導体レーザ駆動装置において、前記電圧源を１つもしく
は複数のダイオードで構成して該ダイオードの順方向降
下電圧を前記電圧源の電圧としたものであり、半導体レ
ーザの発光を高速にスイッチングすることが可能で、煩
雑な処理を必要とせずに安価にできる。
導体レーザ駆動装置において、前記電圧源を１つもしく
は複数のダイオードで構成して該ダイオードの順方向降
下電圧を前記電圧源の電圧としたものであり、半導体レ
ーザの発光を高速にスイッチングすることが可能で、煩
雑な処理を必要とせずに安価にできる。
【０００９】請求項４に係る発明は、請求項１、２また
は３記載の半導体レーザ駆動装置において、前記電圧源
に前記電流源からの電流を流したときに前記半導体レー
ザに順方向電圧を印加するものであり、半導体レーザの
発光を高速にスイッチングすることが可能で、煩雑な処
理を必要とせずに安価にできる。
は３記載の半導体レーザ駆動装置において、前記電圧源
に前記電流源からの電流を流したときに前記半導体レー
ザに順方向電圧を印加するものであり、半導体レーザの
発光を高速にスイッチングすることが可能で、煩雑な処
理を必要とせずに安価にできる。
【００１０】請求項５に係る発明は、請求項４記載の半
導体レーザ駆動装置において、前記電圧源に前記電流源
からの電流を流したときに前記半導体レーザに印加する
順方向電圧は前記半導体レーザが発光しない電圧である
ものであり、半導体レーザの発光を高速にスイッチング
することが可能で、煩雑な処理を必要とせずに安価にで
きる。
導体レーザ駆動装置において、前記電圧源に前記電流源
からの電流を流したときに前記半導体レーザに印加する
順方向電圧は前記半導体レーザが発光しない電圧である
ものであり、半導体レーザの発光を高速にスイッチング
することが可能で、煩雑な処理を必要とせずに安価にで
きる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図８はレーザダイオードからなる
半導体レーザ（以下ＬＤと称する）の電圧−電流特性
（Ｖ−Ｉ特性）を示し、図９はＬＤの電圧−光特性（Ｖ
−Ｌ特性）を示す。ＬＤの発光光量を制御するときに
は、図７に示すようなＩ−Ｌ特性に従い、ＬＤに供給す
る電流量を制御し、所望のＬＤ発光光量制御精度を得
る。ＬＤに供給する電流がＩｔｈ以下であれば、ＬＤは
発光しない。ＬＤに供給する電流がＩｔｈ以上であれ
ば、ＬＤは発光してその電流量に応じて発光光量が急激
に増加する。
半導体レーザ（以下ＬＤと称する）の電圧−電流特性
（Ｖ−Ｉ特性）を示し、図９はＬＤの電圧−光特性（Ｖ
−Ｌ特性）を示す。ＬＤの発光光量を制御するときに
は、図７に示すようなＩ−Ｌ特性に従い、ＬＤに供給す
る電流量を制御し、所望のＬＤ発光光量制御精度を得
る。ＬＤに供給する電流がＩｔｈ以下であれば、ＬＤは
発光しない。ＬＤに供給する電流がＩｔｈ以上であれ
ば、ＬＤは発光してその電流量に応じて発光光量が急激
に増加する。
【００１２】ＬＤは、ダイオードであるため、一般のシ
リコンダイオードと同じくＶ−Ｉ特性が図８に示すよう
に電圧を徐々に増加させていったときに、ある電圧から
急激（指数関数的）に電流量が増加する。図７に示すよ
うにＬＤは、Ｉｔｈ以上の電流が流れると発光する。し
たがって、ＬＤは図９に示すように電圧が閾値Ｖｆｌｄ
以上になると発光するというＶ−Ｌ特性を持つので、Ｌ
Ｄに与える電圧によってＬＤの点灯、消灯を制御するこ
とができる。Ｖｆｌｄを挟み込む２つの電圧を交互に高
速度でＬＤに与えることによって、ＬＤの点灯、消灯が
高速に行われる（ＬＤに流れる電流が高速にスイッチン
グする）。
リコンダイオードと同じくＶ−Ｉ特性が図８に示すよう
に電圧を徐々に増加させていったときに、ある電圧から
急激（指数関数的）に電流量が増加する。図７に示すよ
うにＬＤは、Ｉｔｈ以上の電流が流れると発光する。し
たがって、ＬＤは図９に示すように電圧が閾値Ｖｆｌｄ
以上になると発光するというＶ−Ｌ特性を持つので、Ｌ
Ｄに与える電圧によってＬＤの点灯、消灯を制御するこ
とができる。Ｖｆｌｄを挟み込む２つの電圧を交互に高
速度でＬＤに与えることによって、ＬＤの点灯、消灯が
高速に行われる（ＬＤに流れる電流が高速にスイッチン
グする）。
【００１３】しかし、ＬＤ電圧によるＬＤ発光のスイッ
チングは、ＬＤ電圧の変化に対するＬＤ電流の変化が大
きいので、所望のＬＤ発光光量制御精度が得られない。
そこで、本発明の実施例では、ＬＤ発光のオン／オフ制
御はＬＤの端子に印加する電圧で行うこととし、ＬＤの
発光光量の制御はＬＤに供給する電流量を電流源で制御
するようにしている。これにより、光量が制御された高
速なＬＤ発光のスイッチングが可能になる。ＬＤ消灯時
にＬＤに与える電圧がＶｆｌｄに近い方が、ＬＤの発光
がより高速にスイッチングする。そのため、本発明の実
施例では、ＬＤ消灯時にＶｆｌｄに近いバイアス電圧を
電圧源によりＬＤに与えておく。
チングは、ＬＤ電圧の変化に対するＬＤ電流の変化が大
きいので、所望のＬＤ発光光量制御精度が得られない。
そこで、本発明の実施例では、ＬＤ発光のオン／オフ制
御はＬＤの端子に印加する電圧で行うこととし、ＬＤの
発光光量の制御はＬＤに供給する電流量を電流源で制御
するようにしている。これにより、光量が制御された高
速なＬＤ発光のスイッチングが可能になる。ＬＤ消灯時
にＬＤに与える電圧がＶｆｌｄに近い方が、ＬＤの発光
がより高速にスイッチングする。そのため、本発明の実
施例では、ＬＤ消灯時にＶｆｌｄに近いバイアス電圧を
電圧源によりＬＤに与えておく。
【００１４】図１は本発明の第１実施例を示す。この第
１実施例は、請求項１に係る発明の実施例であり、ＬＤ
１と直列に接続されＬＤ１の発光光量を制御する電流源
２と、ＬＤ１に並列に接続された電圧源４と、この電圧
源４に直列に接続されたスイッチ回路３とからなる。電
圧源４の電圧Ｅは図９に示すような電圧Ｖｆｌｄより小
さい電圧である。
１実施例は、請求項１に係る発明の実施例であり、ＬＤ
１と直列に接続されＬＤ１の発光光量を制御する電流源
２と、ＬＤ１に並列に接続された電圧源４と、この電圧
源４に直列に接続されたスイッチ回路３とからなる。電
圧源４の電圧Ｅは図９に示すような電圧Ｖｆｌｄより小
さい電圧である。
【００１５】図２は第１実施例のＬＤ１点灯状態を示
し、図３は第１実施例のＬＤ１消灯状態を示す。第１実
施例においては、ＬＤ１が点灯している状態はスイッチ
回路３が開いている（オフしている）状態である。この
とき、ＬＤ１は、図２に示すように電流源２から所定の
光量が得られるように電流が供給される。また、ＬＤ１
が消灯している状態は、図３に示すようにスイッチ回路
３が閉じている（オンしている）状態である。このと
き、ＬＤ１の端子電圧Ｖｏｐは電圧源４の電圧Ｅと等し
くなる。この電圧源４の電圧Ｅは図９に示すような電圧
Ｖｆｌｄより小さい電圧である。
し、図３は第１実施例のＬＤ１消灯状態を示す。第１実
施例においては、ＬＤ１が点灯している状態はスイッチ
回路３が開いている（オフしている）状態である。この
とき、ＬＤ１は、図２に示すように電流源２から所定の
光量が得られるように電流が供給される。また、ＬＤ１
が消灯している状態は、図３に示すようにスイッチ回路
３が閉じている（オンしている）状態である。このと
き、ＬＤ１の端子電圧Ｖｏｐは電圧源４の電圧Ｅと等し
くなる。この電圧源４の電圧Ｅは図９に示すような電圧
Ｖｆｌｄより小さい電圧である。
【００１６】ＬＤ１の端子電圧ＶｏｐがＶｆｌｄより小
さいときにはＬＤ１が発光するだけの電流がＬＤ１に流
れず、ＬＤ１は発光しない。電流源２から供給されてい
る電流は、図８に示すようなＬＤ１のＶ−Ｉ特性に従っ
た電流量がＬＤ１に流れ、ＬＤ１に流れきらない電流が
電圧源４に流れる。
さいときにはＬＤ１が発光するだけの電流がＬＤ１に流
れず、ＬＤ１は発光しない。電流源２から供給されてい
る電流は、図８に示すようなＬＤ１のＶ−Ｉ特性に従っ
た電流量がＬＤ１に流れ、ＬＤ１に流れきらない電流が
電圧源４に流れる。
【００１７】このように、第１実施例は、請求項１に係
る発明の実施例であって、ＬＤ１に直列に接続され該Ｌ
Ｄ１に電流を供給して該ＬＤ１を所定の光量で発光させ
る電流源２と、前記ＬＤ１と並列に接続された電圧源４
と、この電圧源４に直列に接続され前記ＬＤ１をオン／
オフさせるスイッチ回路３とを有し、このスイッチ回路
３のオン／オフに応じて前記電流源２から前記電圧源４
に流す電流をオン／オフするので、ＬＤの発光を高速に
スイッチングすることが可能で、煩雑な処理を必要とせ
ずに安価にできる。
る発明の実施例であって、ＬＤ１に直列に接続され該Ｌ
Ｄ１に電流を供給して該ＬＤ１を所定の光量で発光させ
る電流源２と、前記ＬＤ１と並列に接続された電圧源４
と、この電圧源４に直列に接続され前記ＬＤ１をオン／
オフさせるスイッチ回路３とを有し、このスイッチ回路
３のオン／オフに応じて前記電流源２から前記電圧源４
に流す電流をオン／オフするので、ＬＤの発光を高速に
スイッチングすることが可能で、煩雑な処理を必要とせ
ずに安価にできる。
【００１８】図４は本発明の第２実施例を示す。この第
２実施例は、請求項２に係る発明の実施例であり、上記
第１実施例において、電圧源４をツェナーダイオード５
に置き換えてツェナーダイオード５のツェナー電圧Ｖｚ
をＶｆｌｄより小さく設定したものである。スイッチ回
路３が閉じているときには、ツェナーダイオード５は電
流源２から電流が流れてツェナー電圧Ｖｚを発生し、Ｌ
Ｄ１の端子電圧Ｖｏｐとツェナーダイオード５のツェナ
ー電圧Ｖｚが等しくなる。ゆえに、ＬＤ１の端子電圧Ｖ
ｏｐは図９に示すような電圧Ｖｆｌｄより小さい電圧で
ある。
２実施例は、請求項２に係る発明の実施例であり、上記
第１実施例において、電圧源４をツェナーダイオード５
に置き換えてツェナーダイオード５のツェナー電圧Ｖｚ
をＶｆｌｄより小さく設定したものである。スイッチ回
路３が閉じているときには、ツェナーダイオード５は電
流源２から電流が流れてツェナー電圧Ｖｚを発生し、Ｌ
Ｄ１の端子電圧Ｖｏｐとツェナーダイオード５のツェナ
ー電圧Ｖｚが等しくなる。ゆえに、ＬＤ１の端子電圧Ｖ
ｏｐは図９に示すような電圧Ｖｆｌｄより小さい電圧で
ある。
【００１９】このように、第２実施例は、請求項２に係
る発明の実施例であって、請求項１記載の半導体レーザ
駆動装置において、前記電圧源４をツェナーダイオード
５として該ツェナーダイオード５のツェナー電圧Ｖｚを
前記電圧源５の電圧としたので、ＬＤの発光を高速にス
イッチングすることが可能で、煩雑な処理を必要とせず
に安価にできる。
る発明の実施例であって、請求項１記載の半導体レーザ
駆動装置において、前記電圧源４をツェナーダイオード
５として該ツェナーダイオード５のツェナー電圧Ｖｚを
前記電圧源５の電圧としたので、ＬＤの発光を高速にス
イッチングすることが可能で、煩雑な処理を必要とせず
に安価にできる。
【００２０】図５は本発明の第３実施例を示す。この第
３実施例は、請求項３に係る発明の実施例であり、上記
第１実施例において、前記電圧源４をダイオード６に置
き換えてダイオード６の順方向降下電圧Ｖｆを前記電圧
源４の電圧としたものである。ダイオード６の順方向降
下電圧ＶｆはＶｆｌｄより小さく設定されている。スイ
ッチ回路３が閉じているときには、ダイオード６は電流
源２から電流が流れて順方向降下電圧Ｖｆを発生し、Ｌ
Ｄ１の端子電圧Ｖｏｐとダイオード６の順方向降下電圧
Ｖｆとが等しくなる。ゆえに、ＬＤ１の端子電圧Ｖｏｐ
は図９に示すような電圧Ｖｆｌｄより小さい電圧であ
る。
３実施例は、請求項３に係る発明の実施例であり、上記
第１実施例において、前記電圧源４をダイオード６に置
き換えてダイオード６の順方向降下電圧Ｖｆを前記電圧
源４の電圧としたものである。ダイオード６の順方向降
下電圧ＶｆはＶｆｌｄより小さく設定されている。スイ
ッチ回路３が閉じているときには、ダイオード６は電流
源２から電流が流れて順方向降下電圧Ｖｆを発生し、Ｌ
Ｄ１の端子電圧Ｖｏｐとダイオード６の順方向降下電圧
Ｖｆとが等しくなる。ゆえに、ＬＤ１の端子電圧Ｖｏｐ
は図９に示すような電圧Ｖｆｌｄより小さい電圧であ
る。
【００２１】図６は本発明の第４実施例を示す。この第
４実施例は、請求項３に係る発明の他の実施例であり、
上記第１実施例において、電圧源４を同じ方向に向けて
直列に接続した２つのダイオード８、９で構成し、スイ
ッチ回路３をトランジスタ１０で構成し、電流源２をト
ランジスタ１１及び抵抗１２〜１４からなる電流源７で
構成したものである。
４実施例は、請求項３に係る発明の他の実施例であり、
上記第１実施例において、電圧源４を同じ方向に向けて
直列に接続した２つのダイオード８、９で構成し、スイ
ッチ回路３をトランジスタ１０で構成し、電流源２をト
ランジスタ１１及び抵抗１２〜１４からなる電流源７で
構成したものである。
【００２２】ダイオード８、９の順方向降下電圧Ｖｆの
和は、Ｖｆｌｄより小さく設定されて前記電圧源４の電
圧とされる。スイッチ回路３が閉じているときには、ダ
イオード８、９は電流源７から電流が流れて順方向降下
電圧Ｖｆを発生し、ＬＤ１の端子電圧Ｖｏｐとダイオー
ド８、９の順方向降下電圧Ｖｆの和とが等しくなる。電
流源７は電流指示信号に応じた電流を出力し、トランジ
スタ１０はスイッチング信号によりオン／オフされる。
和は、Ｖｆｌｄより小さく設定されて前記電圧源４の電
圧とされる。スイッチ回路３が閉じているときには、ダ
イオード８、９は電流源７から電流が流れて順方向降下
電圧Ｖｆを発生し、ＬＤ１の端子電圧Ｖｏｐとダイオー
ド８、９の順方向降下電圧Ｖｆの和とが等しくなる。電
流源７は電流指示信号に応じた電流を出力し、トランジ
スタ１０はスイッチング信号によりオン／オフされる。
【００２３】できるだけ高速にＬＤ１の発光をスイッチ
ングするには、ダイオード８、９からなる電圧源４の電
圧ＥはできるだけＶｆｌｄに近い方がよい。ＬＤ１のＶ
ｆｌｄは約２Ｖであり、ダイオード８、９をシリコンダ
イオードとした場合シリコンダイオードの順方向降下電
圧Ｖｆが約０．７Ｖであってダイオード８、９によるバ
イアス電圧Ｖｆの和を１．４ＶとしてＶｆｌｄに近付け
ている。
ングするには、ダイオード８、９からなる電圧源４の電
圧ＥはできるだけＶｆｌｄに近い方がよい。ＬＤ１のＶ
ｆｌｄは約２Ｖであり、ダイオード８、９をシリコンダ
イオードとした場合シリコンダイオードの順方向降下電
圧Ｖｆが約０．７Ｖであってダイオード８、９によるバ
イアス電圧Ｖｆの和を１．４ＶとしてＶｆｌｄに近付け
ている。
【００２４】このように、第３実施例及び第４実施例
は、請求項３に係る発明の実施例であって、請求項１記
載の半導体レーザ駆動装置において、前記電圧源４を１
つもしくは複数のダイオード６、８、９で構成して該ダ
イオード６、８、９の順方向降下電圧を前記電圧源４の
電圧としたので、ＬＤの発光を高速にスイッチングする
ことが可能で、煩雑な処理を必要とせずに安価にでき
る。
は、請求項３に係る発明の実施例であって、請求項１記
載の半導体レーザ駆動装置において、前記電圧源４を１
つもしくは複数のダイオード６、８、９で構成して該ダ
イオード６、８、９の順方向降下電圧を前記電圧源４の
電圧としたので、ＬＤの発光を高速にスイッチングする
ことが可能で、煩雑な処理を必要とせずに安価にでき
る。
【００２５】また、上記第１実施例乃至第４実施例は、
請求項４に係る発明の実施例でもあって、電圧源４〜
６、８、９に電流源２、７からの電流を流したときにＬ
Ｄ１に順方向電圧を印加するものであり、上記第１実施
例乃至第４実施例と同様にＬＤの発光を高速にスイッチ
ングすることが可能で、煩雑な処理を必要とせずに安価
にできる。
請求項４に係る発明の実施例でもあって、電圧源４〜
６、８、９に電流源２、７からの電流を流したときにＬ
Ｄ１に順方向電圧を印加するものであり、上記第１実施
例乃至第４実施例と同様にＬＤの発光を高速にスイッチ
ングすることが可能で、煩雑な処理を必要とせずに安価
にできる。
【００２６】さらに、上記第１実施例乃至第４実施例
は、請求項５に係る発明の実施例でもあって、電圧源４
〜６、８、９に電流源２、７からの電流を流したときに
ＬＤ１に印加する順方向電圧はＬＤ１が発光しない電圧
であり、上記第１実施例乃至第４実施例と同様にＬＤの
発光を高速にスイッチングすることが可能で、煩雑な処
理を必要とせずに安価にできる。
は、請求項５に係る発明の実施例でもあって、電圧源４
〜６、８、９に電流源２、７からの電流を流したときに
ＬＤ１に印加する順方向電圧はＬＤ１が発光しない電圧
であり、上記第１実施例乃至第４実施例と同様にＬＤの
発光を高速にスイッチングすることが可能で、煩雑な処
理を必要とせずに安価にできる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように請求項１に係る発明によれ
ば、半導体レーザに直列に接続され該半導体レーザに電
流を供給して該半導体レーザを所定の光量で発光させる
電流源と、前記半導体レーザと並列に接続された電圧源
と、この電圧源に直列に接続され前記半導体レーザをオ
ン／オフさせるスイッチ回路とを有し、このスイッチ回
路のオン／オフに応じて前記電流源から前記電圧源に流
す電流をオン／オフするので、半導体レーザの発光を高
速にスイッチングすることが可能で、煩雑な処理を必要
とせずに安価にできる。
ば、半導体レーザに直列に接続され該半導体レーザに電
流を供給して該半導体レーザを所定の光量で発光させる
電流源と、前記半導体レーザと並列に接続された電圧源
と、この電圧源に直列に接続され前記半導体レーザをオ
ン／オフさせるスイッチ回路とを有し、このスイッチ回
路のオン／オフに応じて前記電流源から前記電圧源に流
す電流をオン／オフするので、半導体レーザの発光を高
速にスイッチングすることが可能で、煩雑な処理を必要
とせずに安価にできる。
【００２８】請求項２に係る発明によれば、請求項１記
載の半導体レーザ駆動装置において、前記電圧源をツェ
ナーダイオードとして該ツェナーダイオードのツェナー
電圧を前記電圧源の電圧としたので、半導体レーザの発
光を高速にスイッチングすることが可能で、煩雑な処理
を必要とせずに安価にできる。
載の半導体レーザ駆動装置において、前記電圧源をツェ
ナーダイオードとして該ツェナーダイオードのツェナー
電圧を前記電圧源の電圧としたので、半導体レーザの発
光を高速にスイッチングすることが可能で、煩雑な処理
を必要とせずに安価にできる。
【００２９】請求項３に係る発明によれば、請求項１記
載の半導体レーザ駆動装置において、前記電圧源を１つ
もしくは複数のダイオードで構成して該ダイオードの順
方向降下電圧を前記電圧源の電圧としたので、半導体レ
ーザの発光を高速にスイッチングすることが可能で、煩
雑な処理を必要とせずに安価にできる。
載の半導体レーザ駆動装置において、前記電圧源を１つ
もしくは複数のダイオードで構成して該ダイオードの順
方向降下電圧を前記電圧源の電圧としたので、半導体レ
ーザの発光を高速にスイッチングすることが可能で、煩
雑な処理を必要とせずに安価にできる。
【００３０】請求項４に係る発明によれば、請求項１、
２または３記載の半導体レーザ駆動装置において、前記
電圧源に前記電流源からの電流を流したときに前記半導
体レーザに順方向電圧を印加するので、半導体レーザの
発光を高速にスイッチングすることが可能で、煩雑な処
理を必要とせずに安価にできる。
２または３記載の半導体レーザ駆動装置において、前記
電圧源に前記電流源からの電流を流したときに前記半導
体レーザに順方向電圧を印加するので、半導体レーザの
発光を高速にスイッチングすることが可能で、煩雑な処
理を必要とせずに安価にできる。
【００３１】請求項５に係る発明によれば、請求項４記
載の半導体レーザ駆動装置において、前記電圧源に前記
電流源からの電流を流したときに前記半導体レーザに印
加する順方向電圧は前記半導体レーザが発光しない電圧
であるので、半導体レーザの発光を高速にスイッチング
することが可能で、煩雑な処理を必要とせずに安価にで
きる。
載の半導体レーザ駆動装置において、前記電圧源に前記
電流源からの電流を流したときに前記半導体レーザに印
加する順方向電圧は前記半導体レーザが発光しない電圧
であるので、半導体レーザの発光を高速にスイッチング
することが可能で、煩雑な処理を必要とせずに安価にで
きる。
【図１】本発明の第１実施例を示す回路図である。
【図２】同第１実施例の半導体レーザ点灯状態を示す等
価回路図である。
価回路図である。
【図３】同第１実施例の半導体レーザ消灯状態を示す等
価回路図である。
価回路図である。
【図４】本発明の第２実施例を示す回路図である。
【図５】本発明の第３実施例を示す回路図である。
【図６】本発明の第４実施例を示す回路図である。
【図７】半導体レーザの電流−光特性を示す特性図であ
る。
る。
【図８】半導体レーザの電圧−電流特性を示す特性図で
ある。
ある。
【図９】半導体レーザの電圧−光特性を示す特性図であ
る。
る。
【図１０】従来の半導体レーザ駆動装置の一例を示す回
路図である。
路図である。
【図１１】同半導体レーザ駆動装置の動作特性を示す特
性図である。
性図である。
１ 半導体レーザ ２、７ 電流源 ３ スイッチ回路 ４ 電圧源 ５ ツェナーダイオード ６、８、９ ダイオード １０、１１ トランジスタ １２〜１４ 抵抗 １５ バイアス電流源 １６ スイッチング電流源
Claims (5)
- 【請求項１】半導体レーザに直列に接続され該半導体レ
ーザに電流を供給して該半導体レーザを所定の光量で発
光させる電流源と、前記半導体レーザと並列に接続され
た電圧源と、この電圧源に直列に接続され前記半導体レ
ーザをオン／オフさせるスイッチ回路とを有し、このス
イッチ回路のオン／オフに応じて前記電流源から前記電
圧源に流す電流をオン／オフすることを特徴とする半導
体レーザ駆動装置。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体レーザ駆動装置にお
いて、前記電圧源をツェナーダイオードとして該ツェナ
ーダイオードのツェナー電圧を前記電圧源の電圧とした
ことを特徴とする半導体レーザ駆動装置。 - 【請求項３】請求項１記載の半導体レーザ駆動装置にお
いて、前記電圧源を１つもしくは複数のダイオードで構
成して該ダイオードの順方向降下電圧を前記電圧源の電
圧としたことを特徴とする半導体レーザ駆動装置。 - 【請求項４】請求項１、２または３記載の半導体レーザ
駆動装置において、前記電圧源に前記電流源からの電流
を流したときに前記半導体レーザに順方向電圧を印加す
ることを特徴とする半導体レーザ駆動装置。 - 【請求項５】請求項４記載の半導体レーザ駆動装置にお
いて、前記電圧源に前記電流源からの電流を流したとき
に前記半導体レーザに印加する順方向電圧は前記半導体
レーザが発光しない電圧であることを特徴とする半導体
レーザ駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12153896A JPH09307163A (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 半導体レーザ駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12153896A JPH09307163A (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 半導体レーザ駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09307163A true JPH09307163A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14813733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12153896A Withdrawn JPH09307163A (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 半導体レーザ駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09307163A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012098596A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Canon Inc | 走査光学装置及びそれを備えた画像形成装置 |
-
1996
- 1996-05-16 JP JP12153896A patent/JPH09307163A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012098596A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Canon Inc | 走査光学装置及びそれを備えた画像形成装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050114 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050823 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20051017 |