JPH09307026A - 電子モジュール構造 - Google Patents

電子モジュール構造

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JPH09307026A
JPH09307026A JP8141130A JP14113096A JPH09307026A JP H09307026 A JPH09307026 A JP H09307026A JP 8141130 A JP8141130 A JP 8141130A JP 14113096 A JP14113096 A JP 14113096A JP H09307026 A JPH09307026 A JP H09307026A
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JP
Japan
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resin
module
circuit module
mold
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JP8141130A
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Kyoko Iino
京子 飯野
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Niles Parts Co Ltd
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Niles Parts Co Ltd
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に電子部品、回路等を一体化したモジュ
ールを樹脂封止する構造において、生産性を良くすると
共に、長期に渡り安定した性能を発揮できるようにする
ことを目的とする。 【解決手段】 基板２にはベアチップ４１、抵抗４２、
ハイブリッドＩＣ４３等の電子部品４をワイヤボンディ
ング等により取り付け、基板２の一側辺にはリードフレ
ーム５を接続して回路モジュール１を構成する。また、
この基板２には、リードフレーム５を接続した辺以外の
３辺に切り欠き部２１を形成してある。そして上記回路
モジュール１を型７内にセットし、型７内に封止樹脂６
を注入、固化させて、電子モジュールが完成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハイブリッドＩ
Ｃ、パワーモジュール等、基板に電子部品、回路等を一
体化した電子モジュールをトランスファモールドで樹脂
封止する構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】上記の様な電子モジュールをトランスフ
ァモールドで樹脂封止した構造は実開昭６３−８９２５
３号等で公知である。この構造は、回路モジュールにリ
ードフレームをボンディング等によって接続した後、回
路モジュール全体をトランスファモールドにより樹脂封
止し、冷却固化の後、リードフレームの周囲の枠部をリ
ードから切断することによって作られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造では、回路モジュールの基板が矩形状をしており、ま
たトランスファモールド時の成形型と基板との間の間隔
が狭いため、封止樹脂の型内での流動性が悪く、成形に
時間を要して生産性が悪くなったり、封止樹脂内に空間
が生じ、この空間に水分が含まれていた場合は封止した
電子部品が腐食する可能性があるという問題点があっ
た。
【０００４】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、生産性が良く、性能の安定した電子モジュールの提
供を目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明では、電子部品、回路等を一体
化した基板に、切欠き部を形成し、封止樹脂の注入時の
樹脂の流動性を向上させたことを特徴としている。
【０００６】また、請求項２記載の発明では、切欠き部
を、基板の対向する各辺に形成して、封止樹脂の流動時
のバランスを良くしたことを特徴としている。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下本発明の一実施形態を図に基
づいて説明する。図１、２において１は回路モジュール
で、基板２、配線３、電子部品４、リードフレーム５か
ら構成され、この回路モジュール１を、リードフレーム
５先端を除いて樹脂６で封止している。
【０００８】即ち、回路モジュール１は、金属製または
セラミック製のベース基板２にベアチップ４１、抵抗４
２、セラミック基板のハイブリッドＩＣ４３等の電子部
品４をワイヤボンディング等で取り付けており、基板２
の一側辺には、複数のリードフレーム５を接続してい
る。
【０００９】更に、基板２には、リードフレーム５が接
続された辺以外の３辺、即ちリードフレーム５が接続さ
れた辺に対向する辺と、リードフレーム５が接続された
辺に隣接する２辺に、それぞれ切欠き部２１を形成して
ある。
【００１０】上記回路モジュール１を樹脂封止するに
は、図３に示すように、上型７１、下型７２からなる成
形型７内に回路モジュール１をセットし、予め粉末また
は粒状の成形材料を予備成形しておいた封止樹脂６を型
７内に加圧注入することにより、型７と回路モジュール
１との間に溶融した樹脂６が充填され、その後冷却する
ことにより樹脂６が固化し、型から取り出して封止が完
了し、製品が完成する。
【００１１】この際、基板２には、３辺に切欠き部２１
を形成してあるので、型７内に注入した樹脂６が型７と
回路モジュール１との間を流れるときの通路が確保で
き、樹脂６の流動性が向上する。
【００１２】尚、上記実施形態では、切欠き部を基板の
リードフレーム５が接続された辺以外の全ての辺である
３辺に形成したが、これに限ることはなく、最低１つの
切欠き部が有れば良い。ただし、対向する２辺にあった
方が、樹脂の流れに対するバランスがよい。又、上記実
施形態では、各辺には１つの切欠き部を形成したが、実
装した部品との干渉がなければ、１つの辺に複数の切欠
き部を形成しても良い。更に切欠き部の形状は、基板の
大きさ、電子部品の種類、数、実装位置等に応じて適宜
決めればよい。
【００１３】
【発明の効果】以上請求項１記載の発明では、基板に電
子部品、回路等を一体化したモジュールをトランスファ
モールドで樹脂封止する構造において、前記基板に切欠
き部を形成したことにより、樹脂封止を行う際の樹脂の
流動性が良くなり、生産性が向上すると共に、樹脂封止
時に流動性の悪さに起因する空間の発生を防止できるの
で、この空間内の水分による電子部品の腐食を防止して
長期に渡り安定した性能を発揮することができる。
【００１４】また、請求項２記載の発明では、切欠き部
を、基板の対向する各辺に形成したことにより、樹脂封
止を行う際の樹脂の流れが一辺に片寄ること無く対向辺
でバランスさせることが出来るので、生産性及び製品の
安定性が一層向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の樹脂封止前の状態を示す
斜視図である。
【図２】同実施形態を示す図１のＡ−Ａ線に沿う断面図
である。
【図３】同実施形態の樹脂封止工程を示す説明図であ
る。
【符号の説明】
１ 回路モジュール ２ 基板 ４ 電子部品 ６ 封止樹脂 ２１ 切欠き部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板に電子部品、回路等を一体化したモ
    ジュールをトランスファモールドで樹脂封止する構造に
    おいて、前記基板に切欠き部を形成したことを特徴とす
    る電子モジュール構造。
  2. 【請求項２】 切欠き部は、基板の対向する各辺に形成
    したことを特徴とする請求項１記載の電子モジュール構
    造。
JP8141130A 1996-05-13 1996-05-13 電子モジュール構造 Pending JPH09307026A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP6440917B1 (ja) * 2018-04-12 2018-12-19 三菱電機株式会社 半導体装置

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